P. 1
ELEKTRONIKA 2

ELEKTRONIKA 2

|Views: 197|Likes:
Dipublikasikan oleh ega ega

More info:

Published by: ega ega on Jul 30, 2012
Hak Cipta:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PPTX, PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

11/08/2015

pdf

text

original

ELEKTRONIKA 2

PROGRAM SP

Bab I. Rangkaian Dioda
• I.1.Dasar dasar analisis rangkaian dioda • Dioda dipandang sebagai elemen rangkaian, rangkaian dioda dasar pada gambar.1 berupa rangkaian seri dioda D, hambatan Rι dan sumber vі • • • • • • Gambar.1

D

vD→ RL

vi

id

I.1.Dasar dasar analisa rangkaian dioda

• Dari rangkaian gambar.1, ada dua relasi: • 1.dioda sebagai elemen non linier id = f(v )……….(1) • 2.rangkaian thevenin v=vt – (id)Rt ………………………(2)
d


vi/RL

i
Vi’/RL

i

curva statik

• • •

vi/RL ←vA → vL ← vi → v vi A

A’

curva dinamik

vi’

v

Gambar.2

I.1.DASAR DASAR ANALISA RANGKAIAN DIODA

• Karakteristik Transfer

• • • • • • • • • • •

Karakteristik transfer menjelaskan relasi vo terhadap vi dengan mempergunakan lengkungan dinamik, vo iD vo
curva transfer vϒ t1 t2 t1 T2 t vi vi t1 t2 t 3 t1 t2 t3 t

id

vT

Gambar.3

Pada saat fasa Vi positip nyatakan Vak f.1VR R ↑ a • D Vi k • VR ↓ ↓ Vo ↑ a. Pada saat fasa Vi negatip.Dasar-dasar analisa rangkaian • • • • • • • • • • • • • • • • • • Rangkaian limiter(pembatas) untuk VR=0. nyatakan Vak e. Ulangi untuk Vi= -Vm Gambar.4 c. Bentuk gelombang sinyal keluarannya (Vo)apabila konfigurasi D dibalik. Apabila vi merupakan fungsi sinusoid tentukan : bentuk gelombang sinyal keluarannya(Vo) dengan konfigurasi seperti pada gambar. Lukiskan bentuk fungsi transfer b. Untuk VR =5 volt dan RF= 5 Ω berapakah nilai tegangan yang teru kur pada R pada saat Vi =+ Vm g. R=10RF dan Vϒ=0. d.5 Vm .4 .

4 • • • • • • • vo vR+vϒ vo vi →VR+Vϒ← vi Gambar.Rangkaian dioda • Limiter untuk rangkaian gambar.5 t .

6 clipper 2 level R D1 Vo vi VR1 D2 VR2 Gambar.7 .Rangkaian dioda • Clipper 1 level • • R • + • D • Vi VR • • • − Gambar.

Rangkaian dioda • Komparator • • • • Vi • • • • Gambar.8 D vi ● t R Vo VR vo VR ● t1 t1 Gambar.9 t .

dengan wave form sinusoidal disebut besaran • listrik ac murni.Rangkaian dioda • Rectifier[penyearah] • Penyearah adalah suatu rangkaian yang melakukan proses pe ngubahan besaran listrik ac menjadi besaran listrik dc. negatip maupun keduanya. • Besaran listrik yang bersifat periodik dan fasanya berubah positip dan negatip secara simetrik. proses • pengubahan disebut juga penyearahan(rectifying). Pola perubahan besaran priodik dapat dicirikan juga oleh fasa. dapat bernilai positip. • • Besaran periodik • Besaran priodik adalah besaran yang memiliki pola(wave form) perubahan • yang berulang didalam suatu interval waktu tertentu. yang dinyatakan oleh relasi f= 1/T atau ω = 2πf. • Banyaknya perubahan pola persatuan waktu disebut frekuensi f. . disebut juga perioda T .

• Teorema fourier untuk besaran periodik • Suatu fungsi periodik dapat dinyatakan sebagai super posisi • Konstanta dan fungsi fungsi sinus dengan frekuensi dengan kelipatan semakin besar dan disebut sebagai harmonisa . dan lainnya. segi empat. gigi gergaji.sinusoida.Rangkaian dioda • Penyearah(lanjutan) • Berbagai waveform lain dari besaran periodik diantara lainnya • adalah : half wave. segitiga. fullwave.

. ( 5) …………………………….. ( 6) • (v)nilai puncak kepuncak Yp=|2Ym| ………………………………. ( 8) (vii)nilai fasa awal θ …………………………………………………….Rangkaian dioda • • • • • Nilai nilai besaran periodik:y(t) = Ym sin(ωt±θ) Besaran periodik memiliki nilai-nilai yang didefinisikan berikut: (i)nilai dc =[1/2π+∫₀2π[ydωt+ ………………………………….( 9) (viii)nilai frekuensi f=ω/2π …………………………………………………. ( 7) (vi)nilai fasa: (ωt±θ) ………………………………………………………………………….(10) • .. ( 4) o (iii)nilai sesaat = y(t) (iv)nilai maksimum = Ym …………………………….. ( 3) (ii)nilai rms = {[1/2π+*∫2πy2dωt}½ …………………………………………….

86 v(buktikan) • ri = 1Ω • RL = 9 Ω b.RANGKAIAN DIODA • Penyearah setengah gelombang • iD = [vi – vD]/[ri+RL] • ri Dioda D ideal • ↑ + iD = [10/(ri+RL)]sinωt vi>0 • vi VL RL iD =0 vi<0 • .10 . Vdc = 2.vL = iD(RL) • ↓ Tentukan : • diket: vi = 10sinωt a.Gambarkan out put pd RL(VL) • Gambar.

RANGKAIAN DIODA • Ekspansi fourier terhadap vL utk ( half wave) • vL=VLm[1/π +(½)sinωt-(2/3π)cos2ωt-(2/15π)cos4ωt+…+ • Tampak ada suku harmonik dgn frekuensi meningkat. harmonisa harus dibuang. . • Faktor ripple(ϒ) • ϒ =*vr/Vdc]=[nilai rms komponen ac]/[nilai komponen dc] • Vr adalah harga rms dari harmonisa-harmonisa(elemen ac) • Untuk menghasilkan keluaran dc yang baik.

RANGKAIAN DIODA • Dinyatakan dalam komponen arus : faktor ripple : ϒ = [Irms/Idc] = [V’rms/Vdc] • Harga sesaat dari ripple dinyatakan oleh relasi : • i’ = i . maka : • ϒ ={[Irms/Idc]² .1}½ • Untuk half wave Irms = Im/2.I²dc }½.21 . diperoleh nilai ϒ • Untuk penyearah half wave ϒ = 1. nilai rmsnya adalah : • I’rms = {1/2π∫₀2π(i’)²d(ωt}½ = {I²rms . Idc = Im/π.Idc .

11 iL gambar.RANGKAIAN DIODA • Penyearah gelombang penuh(full wave rectifier) • (i)Model CT vi • • + • v1 D1 RL iD1 • v2 • D2 iD2 • • tentukan ϒ Gambar.12 ωt ωt ωt ωt .

D3 D2.RANGKAIAN DIODA • • • • • • • • • (II)Model jembatan D1 i13 D4 D2 RL D3 D1.D4 ON ON • • i24 Gambar.13 .

14 .(9) I full wave vo vr vi → T2 ← 0 →on← off → Vdc =Vm – vr/2 Gambar. (i)Penapisan half wave RC-pasif vr =[IdcT2/C+ …………….RANGKAIAN DIODA • • • • • • • • • • Penapisan(filtering) Penapisan bertujuan memisahkan elemen dc terhadap rippel.(8) (ii)Penapisan full wave RC-pasif T2 = T/2 half wave vr = [Idc/2fC+ …………….

TRANSISTOR BIPOLAR • Bipolar transistor adalah anggota keluarga transistor yang bekerja berdasarkan dua tipe pembawa muatan • Keluarga transistor TRANSISTOR UNIJUNCTION BIPOLAR UNIPOLAR PNP NPN IGFET JFET • Gambar.15 .

16 B PNP .BIPOLAR TRANSISTOR • STRUKTUR TRANSISTOR • Emitor(E) • Basis (B) PERMODELAN DIODA PNP NPN P N P JE JC N P N Colector(C) Permodelan skematik C B NPN E gambar.

TRANSISTOR BIPOLAR • KONFIGURASI TRANSISTOR(1) • Adalah permodelan transistor sebagai elemen 2 kutub(2 pasang terminal) • 1 2 transistor • 1’ 2’ • Gambar. . terminal 2-2’ = output • 1’ dan 2’ titik acuan bersama(common) dan berada pada potensial • yang sama.17 • Terminal 1-1’ =pasangan terminal input.

18 • • Konfigurasi transistor disebut juga hubungan transistor dgn • elemen diluarnya shg membentuk suatu rangkaian bertransistor .TRANSISTOR BIPOLAR • Konfigurasi transistor(2)konfigurasi common. • 2 terminal transistor sebagai terminal input dan output. dan 1 terminal dipergunakan bersama-sama oleh input dan output. • • • Gambar.

19 CC (b) CB (c) (c) .TRANSISTOR BIPOLAR • Model konfigurasi transistor • Emiter bersama(common emittor)=CE • Kolektor bersama(common collector)=CC Basis bersama(common base)=CB • ic ie ie B ib C ib E E • vCE B vEC vEB • vBE • vBE • • E E E B ic C vCB • B • • CE (a) Gambar.

dan forwardrevers terhadap JE da Jc .revers-forward.20 IC 1 Ic 2 IB • • • • IB Jc • Vcc • (a) • JE • (b) • . Kondisi bias memberi kombinasi:revers-revers. Gambar.forward-forward.BIPOLAR TRANSISTOR • BIAS[prategangan] TRANSISTOR(1) • Adalah pemberian tegangan kepada transistor melalui masing masing persambungan JE dan JC(bias persambungan).

BIPOLAR TRANSISTOR
• • • • • • Bias transistor(2) Untuk gambar.20.a dan b, kondisi bias terhadap JE dan JC : JE revers- JC forward tidak terdefinisi JE forward- JC revers transistor memasuki kondisi aktif JE forward- JC forward transistor memasuki saturasi JE revers- JC revers transistor memasuki cut off

• Kondisi aktif adalah daerah operasi transistor sebagai penguat(amplifier) • Kondisi saturasi dan cutoff adalah daerah operasi transistor sebagai saklar (switch) • Nilai nilai tegangan transistor tipikal( npn) sebagai identifikasi : • Bahan VCE(sat) VBE(sat) VBE(aktif) VBE(cutoff) • Si 0,2v 0,8v 0,7v 0v

BIPOLAR TRANSISTOR
• BIAS TRANSISTOR(3) • Rangkaian gambar.20,melukiskan bias transistor didalam konfigurasi CE, besaran bias input adalah IB dan VBE sedang besaran bias output adalah IC dan VCE, melalui sumber tegangan bias vBB dan VCC melalui RB dan RC. Untuk nilai nilai RC, RB,VBB dan VCC yang konstant nilai IB dan IC juga konstan. Selanjutnya dinyatakan relasi besaran besaran bias input dan output masing masing dinyatakan dalam rangkaian bias (lup) input dan rangkaian bias(lup) output. Selanjutnya dikondisikan JE forward dan JC revers, didefinisikan lup input dan lup output: • Lup input: VBE =f(VCE,IB) disebut juga rangkaian basis • Lup output: IC = f(VCE,IB) disebut jugarangkaian kolektor

TRANSISTOR BIPOLAR • Bias transistor(4) konfigurasi CE gambar.21.a • Rc lup input: IB=[VBB – VBE]/RB
• • • • • • + RB +
VBB

c • VBE Vcc

lup output:VCE= VCC - ICRC IB

IB Ic

E
(b) VBE (C)

m •
VCE

(a)

Gambar.21
Gambar.21.b→kurva JE disipasi daya transistor:Pm=[VCEIC]m Gambar.21.c→kurva JC m = titik disipasi daya maksimum

TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • • BIAS TRANSISTOR(4) Untuk JE forward dan JC revers berlaku relasi: IE + IC + IB=0 ………………………… I = ICEO arus bocor untuk IB = o ……………… IC = ICO - αIE …………………………… IC = {ICO/(1-α)} + {αIB/(1-α)}→Ico/(1-α)=ICEO = (1+ β)ICO + βIB ………………………. Dimana β = α/(1 – α) , α = {β/(β + 1)} Didefinisikan β = [ΔIC/ΔIB] dan α = [ΔIC/ΔIE] β=penguatan arus CE,α=penguatan arus CB Relasi diatas hanya berlaku didaerah aktif

(10) (11) (12) (13)

TRANSISTOR BIPOLAR • Bias transistor(5): JE dan JC keduanya forward • Rc • RB • c VCC kondisi yang harus • B• dipenuhi adalah: • VBB •E VBE>VCE atau • VBC>0 • Gambar.22 .

23 .23.transistor memasuki cutoff • • • • • • • ICBO RB VBB .IB + RC + VCC IE=0 VBE Lup input : IB = ICBO VBE = -VBB+RB ICBO Lup output IE=o→IC=ICO.VCE=VCC Gambar. dengan JE dan JC keduanya revers.TRANSISTOR BIPOLAR • Bias transistor(6) • Berikut ini untuk rangkaian gambar.

TRANSISTOR BIPOLAR • Karakteristik output dan analisa garis beban • IC IB3 Ic=Vcc/Rc IB4 IB2 Q = Quecient(tenang) • IB1 • 4 • 3 • •Q 2 1 IB=o • • disipasi hiperbola • • VCE • Gambar.24 cutoff vCE =VCC .

TRANSISTOR BIPOLAR • DISAIN RANGKAIAN BIAS • Disain rangkaian bias mengkondisikan transistor agar memasuki daerah operasi yang diinginkan. Daerah aktif • Daerah I dan ii adalah operasi transistor sebagai saklar • Daerah iii adalah operasi transistor sebagai penguat • Didalam penetapan daerah operasi harus dipilih daerah operasi yang aman dan stabil. . Daerah saturasi • ii. Ada 3 daerah operasi untuk transistor yaitu : • i. Daerah cut off • iii. Stabilitas dapat ditinjau atas dua aspek yaitu stabilitas termal dan daerah frekuensi.

selidiki kondisi transistor . • 5v 10v Anggap saturasi: tinjau lup input • ∑vi =0→-5+200IB+0.021 mA. • 200K 3K atau aktif (jelaskan).27 mA. ICO = 20 nA.2=0→IC=3. yang memenuhi hubungan (IB)min=IC/β<0.( selidiki) Gantikan hambatan 200 K dengan hambatan 50 K.melalui anggapan dan pengujian.ternyata tidak memenuhi. dan harus berlaku IB(min) untuk IC=3. Berarti transistor dalam kondisi aktif dan untuk itu JC harus dalam kondisi revers.misal • β = 100.25 Tinjau lup output:∑vi=0 → -10+3IC+0.27 mA sbg arus IC(sat).TRANSISTOR BIPOLAR • Disain rangkaian bias:selidiki kondisi rangkaian transistor.021 mA Gambar. Hanya ada dua kemungkinan yaitu( sat). Kondisi (sat) atau • aktif.8=0→IB=0.

emitter bias • Tugas: bahas macam macam disain bias. • i.self bias • Iii.feedback bias • Iv.bias kompensasi dioda. Fix bias • Ii.termistor • V. .TRANSISTOR BIPOLAR • Model rangkaian bias • Model rangkaian bias merupakan pendekatan untuk memperoleh daerah operasi yang stabil(termal) dan aman.

TRANSISTOR BIPOLAR Disain bias sederhana CE C1 dan C2 kopling kapasitor C2 C1 RC RB VBB + Lup input: Ic Rc + VCE = VCC Lup output:IB RB + VBE = VBB + VCC R Gambar.26 .

27 .TRANSISTOR BIPOLAR • Disain bias • Fix bias CE • • RB • • • C1 C2 RC VCC R Lup input ICRC + VCE = VCC Lup output IBRB + VBE = VCC Gambar.

28 Gambar.29 .TRANSISTOR BIPOLAR • Collector Feedback bias Collector-emittor feedback bias • Gambar.

30 .TRANSISTOR BIPOLAR • Self Bias • • IC RB1 IB RC + VCC • RB2 IE RE • Gambar.

TRANSISTOR BIPOLAR • Disain bias sederhana CB • • C1 RE VCC C2 Rc R • VEE • Gambar.31 .

rancangan rangkaian bias harus dibuat cermat sedemikian sehingga effek pergeseran titik Q dapat dapat dicegah. menyebabkan pergeseran dari titik Q. Untuk menghindari kondisi tersebut.32 RE .Transistor Bipolar • Effek Temperatur • Kenaikan suhu dapat memberi peningkatan nilai penguatan arus dari transistor. • Model disain feedback kolektor dan feedback kolektor-emitor mampu mencegah pergeseran titik Q • RB Rc • Rc Vcc RB • Vcc • Gambar.

sumber sinyal Respon . Yo dan BW Analisis penguat: sinyal lemah. grafis. Zo. AP. AV.BIPOLAR TRANSISTOR • Penguat bertransistor • Stimuli • • • • • respon gambar.32 Stimuli . respon frekuensi . beban(load) Parameter penguat: AI. ZI.

33 (b) vc = vC –VC =ΔvC vBE(volt) (d) ib = iB – IB = ΔiB vb = vB – VB = ΔvB VBE .TRANSISTOR BIPOLAR • Bentuk gelombang input-output • iC(mA) iB(uA) • A A IcQ Q IBQ Q ic= iC –IC =ΔiC • • vCE(volt) VcQ • Q B (a) (c) vc vC VCE VBQ vB vb Q B Gambar.

34 .TRANSISTOR BIPOLAR • ANALISA SINYAL LEMAH • iB • iC Ic • • A• • o Q • • B• • • • • o IB7 IB5 IB4 IB2 IB1 VCE vCE Gambar.

iI). masing masing adalah : Currentcontrolled-currentgenerator. io =f(vo.vo)→VCVG→model μ transfer(μv) • 3.vo)→VCCG→model g transfer(gv) • 5.hi) . vo=f(io.iI). vo =f(io. adalah model umum jaringan 2-port yang dapat dimodelkan sebagai controlled generator(dependent generator)berdasarkan relasi variabel input dan variabel output.vo)→CCCG(output)dan VCVG(input)→(hv. iI=f(vI.22.vI).io=f(vo.TRANSISTOR BIPOLAR • Gambar.iI)→CCVG→model r transfer(ir) • 2.voltagecontroledvoltage generator. Ada 4 macam controlled generator.io=f(vo. iI =f(vI. vI= f(io. • 1.vI).io)→CCCG→model α transfer(αi) • 4.vI=f(iI. vI=f(iI.iI).currentcontrolled-voltage generator dan voltage controlled-current generator.

current generator→Norton(non ideal) 2.voltage generator→Thevenin(non ideal) 1.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • PERMODELAN GENERATOR a.Representasi skematik • Is IN ZN =1/YN • Current generator bebas • (ideal) Current generator bebas (non ideal)→Norton .generator bebas(independent)→2 terminal(1 port) 1.

TRANSISTOR BIPOLAR • PERMODELAN GENERATOR • 1.Representasi skematik • • + • VS ZTh + VTh • Voltage generator bebas • (ideal) Voltage generator bebas (non ideal)→Thevenin .

GENERATOR TIDAK BEBAS(dependent/controlled) 1.CCVG.VCVG.VCVG-CCCG.CCCG-CCVG.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • b.VCVG-VCVG.CCCG.VCCG-VCCG→2 PORT REPRESENTASI SKEMATIK 1 PORT Ideal non ideal IS Vs Is Vs • IS =αI→cccg • IS =gv →vccg • Vs = μV→vcvg Vs = rI→ccvg .VCCG→1 PORT 2.CCCG-CCCG.

TRANSISTOR BIPOLAR • REPRESENTASI SKEMATIK 2 port→sumber dependent • • I1 V1 Z1 + Vs1 Vs2 Z2 + I2 V2 Apabila lup input adalah VCVG nyatakan persamaan lup input dgn lengkap Apabila lup output adalah CCVG nyatakan persamaan lup output dgn lengkap Gambarkan representasi skematik 2 port untuk pasangan VCCG-VCCG . CCCGCCCG dan VCCG-VCCG nyatakan representasi dari masing masing control generatornya .

push pull.Lock in amplifier ii.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • Model penguat i.logaritmik amplifier .B) Ii.Penguat kaskade Klasifikasi fungsional penguat i. klas A).video amplifier V.non linier(klas AB.Penguat multiple(differensial. Iii.HF amplifier iv. Penguat dasar(linier.LNA iii.cascode).

v1 v2 . 12=revers trans • + → i1 i2 ← + v1 =f1(i1.35 . 22 = output. 21 = forward transfer.v2) • gambar.i2 =f2(i1.v2) • .BIPOLAR TRANSISTOR • Analisis penguat dasar • Analisis sinyal lemah(frekuensi rendah)→model parameter hibrid h • h11 = v1/i1]v2= o (short) h12 = v1/v2]i1 = o (open) • H21 = i2/i1]v1= o (short) h22 = i2/v2]v1= o (open) • 11 = input.

iC = f2(iB.vC).vC) Turunan parsial: ΔvB = ∂f1/∂iB]Vc ΔiB + ∂f1/∂vC]IB ΔvC ΔiC = ∂f2/∂iB]Vc ΔiB + ∂f2/∂vC]IB ΔvC Dapat dituliskan kembali dalam notasi sinyal lemah …………………………………………………(14) Vb = hieib + hrevc = hfeib + hoevc …………………………………………………(15) ic Dimana hie =∂vB/∂iB]Vc=0.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • Analisa sinyal lemah penguat CE vB = f1(iB. hre = ∂vB/∂vc]IB=0 hfe =∂iC/∂iB]Vc=0. hoe = ∂iC/∂vC]IB=0 .

ho dan hf disebut parameter hibrid yang umum. hie. hr.36.36 (b) CC hi.36.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • PERS (14) dan (15) dpt dikonversi kerangkaian skematik pada Gambar.(a) B hie ic C B ib hrevc hic ie E ib vb E ⃝ hfeib hoe vc E C vb hrcve ⃝ hfcib hoc ve C (a) CE Gambar.hoe.hrc.hoc dan hfc masing masing untuk CE dan CC.hfe. Rangkaian gambar.hre.hic.a dan b disebut rangkaian hibrid .

maka secara umum dapat dinyatakan relasi parameter hibrid CE.TRANSISTOR BIPOLAR • KONVERSI PARAMETER HIBRID • Karena untuk transistor yang sama dapat dikonfigurasikan dalam konfigurasi yang berbeda.CC dan CB. Lazim nya dibuat tabel konversi yang dinyatakan dalam parameter hibrid dalam konfigurasi CE • CC-CE • hic=hie hrc=1 • hfc=-(1+hfe) hoc=hoe • CB-CE • hib=[hie]/[1+hfe] • Hfb=-{[hfe]/[1+hfe]} hrb=[hiehoe]/[1+hfe] – hre hob={[hoe]/[1+hfe]} .

dan L = arus beban(output) Arus dan tegangan ditulis dalam besaran rms .dan VS = sumber sinyal(input) ZL = impedansi beban.TRANSISTOR BIPOLAR • Analisis perhitungan parameter rangkaian penguat bertransistor berbasis parameter h • • • • • • • • • • I1 Zs Vs ∞ Penguat V1 bertransistor1 V2 V I2 IL ZL(beban/load) Zo Gambar.37 Zi ZS = impedansi sumber sinyal.

semua sumber dc diabaikan.V1 dan V2 adalah besaran besaran yang dinyatakan pada • gambar. yaitu analisis DC untuk penentuan daerah aktif(sumber ac diabaikan) dan analisis ac. Av=V2/V1. Dgn teorema super posisi dilaku kan dua tahapan. dan Zo. Analisis ac adalah perhitungan parameter parame ter penguat yaitu Av. Zi.I2.Masing masing parameter • didefinisikan AI = IL/I1. dgn rangkaian bias yg sederhana.37 . AI.BIPOLAR TRANSISTOR • Analisis ac penguat • Dalam analisis ini rangkaian transistor dalam kondisi aktif. Zi=V1/I1 dan Zo=1/Yo dimana Yo =I2/V2 • I1.

TRANSISTOR BIPOLAR • Analisis penguat:black box gambar.38 .37 diganti model hibrid • yang umum • Zs hi • I1 I2 • + IL • Vs V1 hrV2⃝ ⃝ ho V2 ZL • hfI1 • • gambar.

Zi.Zo.TRANSISTOR BIPOLAR • PEMBUKTIAN PERHITUNGAN RELASI AI.AV.Ais dan Avs .

6K. analisa dc. VBEQ.R=10K β=50 Gambar.Rc=3. ICQ.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • • Disain penguat bertransistor i.VBE=0. dan VCEQ pergunakan grafik RB1=10K.Model self bias CE lup input dan output nilai nilai titik Q: RB1 C1 RB2 RE RC C2 R Vcc IBQ.7v.39 .RE=1K.RB2=2. Analisa ac menetukan parameter penguat i.2K. menentukan titik Q yang aman ii.

TRANSISTOR BIPOLAR • SOAL HAL 52(gbr.RBB+VBE+(IC+IB)RE=VBB (2)→IC.Vcc]/[RB1+RB2] rth =[RB1.(1) output → IC.RBB+VBE+IE.RB2]/[RB1=RB2] vth = vBB.(2) (1)→IB.RE=VBB ……. rth =RBB input → IB.40 .7 VCE =dipilih Vth =[RB2..39) • i.RC+VCE+(IC+IB)RE =VCC Persyaratan:IB>(IC)/β→saturasi IB<(IC)/β→aktif dgn Nilai nilai VBE dan VCE dipilih menurut asumsi RE RE Gambar.RE =VCC …….lup input→teorema thevenin •Vcc • • Vcc Rc • RB1 B c• Rc rth c • Ic • • •B → •B • Vcc RB2 •E vth IB E• IE • • • • • VBE = 0.Analisa dc • a.RC+VCE+IE.

Analisa ac: • Semua sumber dc dihubungkan singkat(tegangan).41 Zo Z’o .rangkaian terbuka(arus) dan kapasitor terhubung singkat • ib ic • B C • RB1 RB2 hie hfeib hoe Rc R • ⃝ • hrevc • E E • Z’i Zi Gambar.TRANSISTOR BIPOLAR • ii.

TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • Analisis penguat Berdasarkan gambar. Zi = βr’e(approx) 2. Av=(AIZL)/(Zi) .(dengan memperhitungkan Zs) Avs =[V2/Vs]=[(AvZi)/(Zi+Zs)]=(AIZL)/(Zi+Zs) • Ais=-[I2/Is]= (AIZs)/(Zi+Zs)=[(AvsZs)/ZL] . dapat dibuktikan : 1.37.(dengan mengabaikan Zs) AI =[IL/I1]=-[I2/I1]= -[(hf)/(1 + hoZL)]. Yo =ho –[(hfhr)/(hi+Zs)] AV=[V2/V1]=[AII1ZL]/[Zi] Zi = hi + hrAIZL.

42 .TRANSISTOR BIPOLAR • Emitter Follower(common collector) • AI = (1+hfe)/(1+hoeRL) • Zi =hie + AIRL • AV=1 – [hie/Zi] • RB1 Zo=1/Yo • Vcc Yo=(1+hfe)/(hie+Zs) • input-output sefasa • RB2 RE C Zi>>. AV≈1 • RL AI>> • Gambar. Zo<<.

BIPOLAR TRANSISTOR • Resume • Parameter • AI • AV • Zi • Zo CE tinggi tinggi menengah menengah CC tinggi unity tinggi rendah CB unity tinggi rendah tinggi • CC berfungsi sebagai isolating impedans/impedans match .

Beroperasi pada satu macam pembawa mayoritas(unipolar) 4. transistor unipolar terbagi dua yaitu: JFET dan IGFET(mosfet) • Analogi terminal bipolar –unipolar: • Emitter-Source.Dimensi lebih kecil.Impedansi masukan tinggi 3.Dikendalikan oleh medan listrik(field) Berdasarkan teknologi pembuatannya. Collector-Drain • (E) (S) (B) (G) (C) (D) .TRANSISTOR EFFEK MEDAN(FET) (TRANSISTOR UNIPOLAR) • • • • • • • Memiliki keunggulan dibandingkan transistor bipolar: 1. Base-Gate.Arus bocor mendekati nol 5.daya rendah 2.

43 G pembawa:elektron ( -) pembawa : hole (o) .IG . • Struktur dasar FET • • S G IC - ID ohmic contact D S G N+ Kanal P ••• • • • P+ Kanal N−−− P+ D N+ G Gambar.TRANSISTOR UNIPOLAR • Analogi arus arus terminal: • IE . IB .IS .

44 D Kanal N(dalam dua model) • • • • • Kanal P(dalam dua model) • .JFET • Model skematik JFET • • D G S D G S G S D G S Gambar..

Common source(CS) iii. Common drain(CD) ii.45 G D .JFET • • • • • • • • • • Konfigurasi rangkaian JFET i.Common gate(CG) s G D G D s s Gambar.

→ VGs=Vpo→ ID=0 Vp = pinch off voltage .46 VDS = VP = Vpo utk VGs =0 ID= IDSS[1-(VGS/VP)½] VPi=VPo+VGSi →Vpi=0.JFET • Bias JFET • ID VG > 0 • • • • IG • • VGG + VGS • • • (a) • • IDSS VG = 0 IS VDS ID I VDD vp=0 VGS<<0 • • • VG< 0 Vpo (b) VDS Gambar.

vDS)→ΔiD =*∂iD/∂vGS]ΔvGS+*∂iD/∂vDS]ΔvDS • id =gmvgs + [1/rd][vds] • gm =id/vgs.JFET • Model sinyal lemah JFET-CS • iD = f(vGS. rd = vds/id Faktor penguatan μ = -[vds/vgs] = rdgm G • vgs • • • gmvg ⃝ rd D vds S Model sinyal lemah JFET-CS S • Gambar.47 .

48 .IGFET • IGFET dikenal juga dengan nama MOSFET • metal G • isolator VGS --------• • ++++++++ • • S -------D VDS D • Tipe p+ +++++++++ Tipe p+ • diplesi G subtrat • • Subtrat tipe n S • MOSFET kanal P tipe Enhancement gambar .

PENGUAT KASKADA • Penguat kaskada(cascade amplifier) • Penggabungan beberapa buah tingkat(stage)amplifier dalam suatu bentuk deret(array).Penyesuaian impedansi • iii. .Kebutuhan gain • ii. untuk mencapai tujuan/kebutuhan tertentu • Latar belakang • i.Pergeseran fasa • Pada tinjauan analisis akan dibahas pengaruh terhadap nilai parameter masing masing tingkat parameter sistem kaskada.

An = [Von/Vi1) Gambar..PENGUAT KASKADA • Model umum penguat kaskada Vi1 A1 A2 Vo2 An Von AT Vi1 Von Zi Zo AT = A1A2….49 .

hfc=-51.(b) dan(c) hie=2k.(a).hrc=1.hoe=25uA/v hic=2k.hoc=hoe Vo2 Rc1=5k.RE=5k .TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • PENGUAT KASKADA DASAR→gabungan penguat konfigurasi bersama Vcc ie2 Rc Rs1 C1 ib2 ↑ E2 Q2 → ib1 ic1 Vs Rs Q1 Vs vi1 ← ← RE Vo2 RE Rc → ← ← • • • -VEE Ri1 E1 Ro1 Ro’1 Ri2 R o2 Ro’2 ↓ C2 stage-1 • • • Rs Vs Vi1 CE(Q1) stage-2 Vo1 Vi2 CC(Q2) Gambar.hfe=50.hre=6x10-4.50.Rs1=1k.

hrc+/*hic+R’s2+ →R’s2 hambatan sumber efektif yang tampak oleh Q2 dari Q1 • • Gambar.Vo2=Vec2 • Ri2 Ro2 R’o2 AV2 = [vo2/vi2] = [AI2. n=2)→Kedua Dalam metoda ini.hi2=hic • vi2 cc vo2 RE Io2=Ie2.AI2.hr2=hrc.ho2=hoc.51 .RL2/Ri2]→AI2=[Io2/Ii2]=-[hf2]/[1+ho2.hf2=hfc.RL2] • Ri2= hi2+hr2. Yaitu stage common collector(mengapa ?) ib2 ie2 RL2=RE. yang ditinjau pertama kali adalah stage akhir.Ii2=Ib2.RL2 • Yo2=hoc-*hfc.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • PENGUAT KASKADA(bertingkat) Metoda perhitungan gain total AT Metoda perhitungan pembebanan akhir(stage n.

Ri2 adalah pembebanan oleh stage 2. Yo1=15x10-4 Ro1=1/Yo1 .87 K CE Vs vi1 Rc1 Ri2 AV1=-116.meliputi Rc1 dan Ri2 . beban Bias oleh stage 2 ib1 stage 1 ic1 stage 2 diperoleh : Rs AI1=-44.6.TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • PENGUAT KASKADA Diperoleh AI2=45.Ri2=228.5.3 K. Ri1=1. Selanjutnya ditinjau stage awal: AI1=-[Ic1/Ib1]=-(hfe1)/[1+hoeRL1]→RL1 adalah beban yang dialami stage awal.991 parameter stage 2.3. Av2=0.

[hfehre]/[hie+Rs] Ro1=1/Yo1 Hambatan total yang dilihat stage 2 adalah R’o1 R’o1=*Rc1Ro1+/*Rc1+Ro1+ adalah hambatan efektif sumber yang dilihat Q2 Yo2=hoc-*hfc.hrc+/*hic+R’s2+ dimana R’s2=R’o1 Ro2=1/Yo2 R’o2=Ro2//Re2 .TRANSISTOR BIPOLAR • • • • • • • • • • • • Parameter stage 1 yang diperoleh tsb : AI1= -Ic1/Ib1 =-[hfe]/[1+hoeRL1] RL1=[Rc1.Ri2]/[Rc1+Ri2] Ri1=hie+hreAI1RL1 AV1=V2/V1= Vo1/Vi1 = [AI1RL1]/Ri1 Yo1=hoe .

Av1 • Avs = Vo2/Vs =[Vo2/Vi1][Vi1/Vs] dimana Vs =Vi1[Rs+Ri1]/Ri1(gambarkan) .AI1[Ib2/Ic1] • [Ib2/Ic1} ditentukan dari relasi berikut ini : • Ic1 • c1 • ͢ • • B2 Hukum pembagi arus : • IL1 Ib2 Ib2 = [IL1.Rc1]/[Rc1+Ri2+→IL1=.Rc1/[Ri2+Rc1] • AVT = Vo2/Vi1 = [Vo2/Vi2][Vi2/Vi1] dimana Vi2 = Vo1 • = [Vo2/Vi2][Vo1/Vi1] = Av2.Ic1 • Rc1 Ri2 diperoleh Ib2/Ic1 = .TRANSISTOR BIPOLAR • PENGUAT KASKADA • AIT = -Ie2/Ib1= -{[Ie2/Ib2][Ib2/Ic1][Ic1/Ib1]}=AI2.

PENGUAT MULTIPLE • • • • • Multiple transistor(Bipolar.Penguat differensial b.Penguat darlington d.Unipolar) amplifier a.Penguat pushpull .Penguat Cascode c.

Keberadaan elemen reaktif dari berbagai sumber. misal kopling dan bypass kapasitor • 2. diantaranya adalah : • 1. . induktansi kabel dan juga elemen tercecer pada elemen tergumpal selain transistor. Elemen elemen reaktif dapat bersifat kapasitif maupun induktif dan pula pada berbagai kon figurasi yang berbeda. kapasitansi antar persambungan. Elemen tergumpal yang diimplementasikan didalam ranca ngan . kapasitansi perkabelan.TANGGAPAN FREKUENSI DARI AMPLIFIER • Tanggapan frekuensi adalah pengaruh elemen reaktif yang ada pada rangkaian terhadap besaran masukan(sumber sinyal) maupun besaran keluaran dari amplifier terhadap perubahan nilai frekuensi sinyal masukan.Elemen tercecer(stray)misal kapasitansi persambungan.

yaitu kondisi ketidak stabilan nilai sinyal keluaran oleh adanya perubahan frekuensi sinyal masukan.TANGGAPAN FREKUENSI DARI AMPLIFIER • Tanggapan frekuensi menjadi masalah yang penting untuk dibahas .44. . Pada beberapa literatur dikenal juga dengan istilah ‘ effek frekuensi” • Grafik respon frekuensi • Adalah suatu grafik yang melukiskan hubungan antara amplitudo keluaran sebagai fungsi dari frekuensi sinyal masukan(frequncy band). seperti yang dilukiskan pada gambar. oleh adanya fenomena yang muncul oleh adanya perubahan frekuensi dari sinyal masukan.

48 f1 frekuensi kritis bawah(fL) f2 frekuensi kritis atas(fH) 0.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Tanggapan umum • Trans & efek stray kapasitans • Vout mid range • efek Cc&Ce • Vm • • • V1 V2 • • • •• • f1 10f1 0.1f2 –10 f1 frekuensi menengah V1 = 0.707 Vm = V2 fm1 = 10 f1 dan fm2 = 0.1f2 f2 • • Gambar.1 f2 f mid range adalah daerah operasi normal yaitu nilai keluaran nya stabil .

1 f2=fm2 • Pita frekuensi mid =(0.dan 3-dB frequency .1f2 – 10f1 ) adalah kisaran frekuensi dimana nilai tegangan output berada pada nilai maksimum Vm • atau Vo = Vm. • Nilai keluaran Vo = Vm. • Kebanyakan amplifier memiliki dua frekuensi kritis. terkadang dinyatakan Δf=mid band frequency Δ f = fm2 .f1 disebut frekuensi kritis bawah dan f2 disebut frekuensi kritis atas.fm1 fm1 dan fm2 disebut frekuensi kopling terbaik . frekuensi cut off.707 Vm.adalah nilai tegangan keluaran suatu amplifier pada saat frekuensi sinyal masukan berada pada nilai nilai • f ≥ 10 f1=fm1 dan f ≤ 0. yaitu f1 dan f2 Dikenal juga dengan nama frekuensi pojok.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Definisi terminologi • Frekuensi kritis dari suatu amplifier adalah nilai frekuensi dimana nilai tegangan output Vo = 0. halfpower frequncy.

Tentukan lebar pita frekuensi penguatan normal(operasi stabil) • b.laju perubahan tegangan =(Vm – 0.lebar pita frekuensi penguatan normal : • Δfm = 0.10fL= 20KHz-20Hz=19980 Hz • b.1fH .293Vm/1/18 volt/detik .Tentukan laju perubahan tegangan dari kondisi kritis awal sampai memasuki daerah stabil • Jawaban • a.707Vm)/(1/[10f1-f1]) • =0.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • SOAL • Suatu penguat bertransistor memiliki fL = 2Hz dan fH = 200KHz • a.

995Im .TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER Perhitungan frekuensi kritis fm pada suatu lup yang mengandung kopling kapasitor:Gambar.49 VG ⃝ I RL Vo Vm = VG→Im=Vg/R→R=RG+RL I =VG/(R2 + XC2)½→untuk f=f1→R=XC→I1=VG/(2R2)½ R=Xc→fc=1/(2πRCc) →frekuensi kritis→I1=0.krn perubahan frekuensi VG menghasilkan perubahan Xc sehingga menyebabkan perubahan Vo RG Cc Gambar.707Im → utk f=10f1→ I = 0.45 dianalogikan sebagai rangkaian tergandeng kapasitor.

maka ditentukan tanggapan terhadap input dan output kopling kapasitor .TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Untuk suatu amplifier didefinisikan lup input dan output. Tentukan f1 lup input • Contoh soal: • RG Cc 1 RB2 RC Co couple • RL RG Cc1 • VG RB1 • ⃝ RE C E VG⃝ Rin • Rin Co dan CE→~ Gambar.50 →Rin =RB1//RB2//βr’e→RT=RG+ Rin→RT=Xc→f1=1/(2πRTCc1) .

47u.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Soal • Tentukan frekuensi kritis lup input rangkaian penguat dan frekuensi yg diperlukan agar tercapai kopling input terbaik utk rangkaian dibawah ini: Vcc • RB1 Rc • Misalkan: • RG Cc1 Co RL r’e=22.7Ω.51 .RG=600Ω • RB1=10K.2K. • VG ⃝ RB2 RE CE Cc1=0.RB2=2.β=100. RE= 1 K • Rc = 1K • Gambar.

Tanggapan frekuensi amplifier • • • • • • • • Masih kasus gambar. rth = Rc dan Co output kopling kapasitor.48. tentukan f1 untuk tanggapan lup output. Lup output adalah sumber arus (CE diabaikan) Vth = icRc.48. Gambar.46.52 (b) .b adalah konversi norton ke thevenin Co Rc Co RT=Rc+RL ic ⃝ Rc RL ⃝vth RL f = 1/(2πRTCo) • (a) Gambar.a model hibrid dari lup output yang disederhanakan Gambar.

49.a dianalogikan pada kondisi frek rendah.53 (a) Vth = (VG)(RL)/(RG+RL) rth = RG//RL Pada frekuensi mencapai nilai kritis f=fc rth = Xc →fc = 1/(2πrth) vth f fc . gbr. shg efek CE • pada awalnya dapat diabaikan berarti Vm =(VGRL)/(RG+RL) • RG rth • VG • • • • • • s CE RL s vth CE vth (b) Gbr.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Perhitungan frekuensi terhadap lup output terhadap pengaruh by pass kapasitor(CE).

Vo RL f . • Vcc • RB2 Rc • • RG C1 C2 • • • ⃝VG RB1 RE CE • • Gambar.TANGGAPAN FREKUENSI AMPLIFIER • Effek CE.54 asumsikan nilai frek kritis C1 dan C2 jauh lebih kecildibandingkan frek kritis yang ditimbulkan oleh CE.

47 • • • • • • • • • • • • • • • • • • IC=Vcc/Rc iC • iB untuk menentukan nilai nilai koordinat A.51 • .55 = VCC • . • A .TANGGAPAN FREKUENSI PENGUAT • • • SOAL IC • • Pergunakan gb. • • Q •B • 0 0 vCE • IB VCE 0 0 VCE Gambar.B dan Q pada gb.

You're Reading a Free Preview

Mengunduh
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->