Tema : Dioda Schottky Judul : Dioda Schottky berbasis CNT Latar Belakang: Seiring dengan berkembangnya ilmu pengetahuan

dan teknologi terutama di bidang elektronika dan komunikasi, dibutuhkan suatu divais yang dapat beroperasi pada kecepatan tinggi. Salah satu divais ini adalah diode Schottky yang pada aplikasinya banyak digunakan pada power converter, RF detector, dan mixer. Diode Schottky adalah diode semikonduktor yang dibentuk dari metal-semiconductor junction. Berbeda dengan diode p-n junction biasanya, diode Schottky ini memiliki kelebihan yakni forward voltage drop yang tergolong rendah dan kecepatan switching yang sangat cepat. Saat suatu arus melewati diode schottky jatuh tegangan yang melewati diode tersebut berkisar antara 0.15-0.45 volt, dimana untuk diode silicon biasa jatuh tegangan ini berkisar antara 0.6-1.7 volt. Jatuh tegangan yang kecil pada diode schottky ini menyebabkan peningkatan kecepatan switching sehingga menghasilkan efisiensi sistem yang lebih baik. Untuk diode schottky normal, dibentuk dari metal-semiconductor junction. Metal yang biasa digunakan adalah molybdenum, platinum, chromium atau tungsten dan semikonduktor silikon tipe-n, dengan sisi metal sebagai anoda dan sisi semikonduktor tipe-n sebagai katoda. Kelebihan lain dari diode schottky ini adalah karena hanya dibentuk dari salah satu tipe semikonduktor (hanya ada majority carrier) pada diode schottky ini tidak ada reverse recovery time akibat rekombinasi pada diode silikon biasa sehingga dengan transisi elektron yang cepat diode ini dapat bekerja pada frekuensi tinggi yakni sampai 50 GHz. Dan dengan kondisi saat ini, perkembangan teknologi nano mulai menggeser keberadaan bahan semikonduktor silikon yang bertujuan untuk memperoleh efisiensi divais yang lebih baik. Salah satu material nanoteknologi yang berkembang saat ini adalah carbon nanotube (CNT) yang pada hal ini akan diterapkan pada diode Schottky sehingga diharapkan memperoleh divais yang lebih efisien dibanding dengan diode schottky silicon biasa. Perancangan dioda Schottky dengan menggunakan Carbon Nanotube (CNT) menitikberatkan pada menggantikan semikonduktor silikon dengan CNT pada divais tersebut. Pada dioda Schottky silikon, karakteristik Schottky barrier timbul dari junction antara n-type Silikon dengan metal yang memiliki work function lebih tinggi dari Silikon, atau antara p-type Silikon dengan metal yang memiliki work function yang lebih rendah dari Silikon. Dengan memvariasikan jenis metal yang digunakan sehingga terbentuk schottky barrier dan ohmic contact, dapat dihasilkan frekuensi cut off yang mencapai ~631,4 GHz bahkan dapat mencapai skala terahertz untuk CNT dengan chirality tertentu.

Tujuan yang ingin dicapai : Menghasilkan rancangan diode schottky yang lebih efisien (dengan frekuensi kerja berskala tetahertz). Referensi : Manohara, Haris M, et al.Carbon Nanotube Schottky Diodes Using Ti-Schottky and Pt-Ohmic Contacts for High Frequency Applications. Nano Letter Vol.5, No.7 1469-1474. Agung M, Andi. 20008. Skripsi : Rancang Bangun Dioda Schottky Dengan Frekuensi Kerja Berskala Tetahertz Menggunakan Bahan CNT. Departemen Teknik Elektro UI.