Transistor sambungan dwikutub Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas (Dialihkan dari Transistor dwikutub) Langsung ke:

navigasi, cari Transistor sambungan dwikutub Simbol Tipe Komponen aktif Transistor

Kategori

Penemu John Bardeen, Walter Houser Brattain dan William Shockley (Desember 1947 ) Pembuatan pertama Komponen sejenis Laboratorium Telepon Bell FET

Kemasan 3 kaki (basis, kolektor, emitor) l b s Transistor pertemuan dwikutub (BJT) adalah salah satu jenis dari transistor. Ini adalah peranti tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Di namai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun lubang elektro n, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan sala h satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah pembawa mayo ritas, hampir semua arus transistor adalah dikarenakan pembawa minoritas, sehing ga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas. Daftar isi 1 Perkenalan o 1.1 Pengendalian tegangan, arus dan muatan o 1.2 Tundaan penghidupan, pematian dan penyimpanan o 1.3 Parameter alfa () dan beta () transistor 2 Struktur o 2.1 NPN o 2.2 PNP o 2.3 Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis 3 Daerah operasi o 3.1 Transistor dalam moda aktif-maju o 3.2 Transistor PNP moda aktif 4 Sejarah o 4.1 Transistor germanium o 4.2 Teknik produksi 5 Penggunaan o 5.1 Sensor suhu o 5.2 Pengubah logaritmik 6 Kerawanan 7 Lihat pula 8 Referensi 9 Pranala luar [sunting] Perkenalan NPN BJT dengan pertemuan EB dipanjar maju dan pertemuan BC dipanjar mundur Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua diode adu punggung tunggal anode. Pada penggunaan biasa, pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basiskolektor dipanjar mundur. Dalam transistor NPN, sebagai contoh, jika tegangan po

sitif dikenakan pada pertemuan basis-emitor, keseimbangan di antara pembawa terb angkitkan kalor dan medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak s eimbang, memungkinkan elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. Elektr on tersebut mengembara (atau menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tin ggi dekat emitor menuju konsentrasi rendah dekat kolektor. Elektron pada basis d inamakan pembawa minoritas karena basis dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis. Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis, sehingga pembawa tersebut dapat menyebar melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk mengurangi bagian pemb awa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan kolektor-basis. Untuk mema stikannya, ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang penyebaran dari elektron. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik, jadi sedikit sekali injek si elektron yang terjadi dari kolektor ke basis, tetapi elektron yang menyebar m elalui basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan ko lektor-basis. [sunting] Pengendalian tegangan, arus dan muatan Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kenda li arus) atau tegangan basis-emitor (kendali tegangan). Pandangan tersebut berhu bungan dengan hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor, yang mana hany a merupakan kurva arus-tegangan eksponensial biasa dari diode pertemuan p-n.[1] Penjelasan fisika untuk arus kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pad a daerah basis.[1][2][3] Model mendetail dari kerja transistor, model GummelPoon, menghitung distribusi dari muatan tersebut secara eksplisit untuk menjelaskan p erilaku transistor dengan lebih tepat.[4] Pandangan mengenai kendali-muatan deng an mudah menangani transistor-foto, dimana pembawa minoritas di daerah basis dib angkitkan oleh penyerapan foton, dan menangani pematian dinamik atau waktu pulih , yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis. Walaupu n begitu, karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran, p andangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis s irkuit. Pada desain sirkuit analog, pandangan kendali arus sering digunakan kare na ini hampir linier. Arus kolektor kira-kira kali lipat dari arus basis. Beber apa sirkuit dasar dapat didesain dengan mengasumsikan bahwa tegangan emitor-basi s kira-kira tetap, dan arus kolektor adalah beta kali lipat dari arus basis. Wal aupun begitu, untuk mendesain sirkuit BJT dengan akurat dan dapat diandalkan, di perlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model EbersMoll)[1]. Model kendal i-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus diperhitungkan, tetapi jik a ini dilinierkan, transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah transkonduktansi, seperti pada model EbersMoll, desain untuk sirkuit seperti penguat diferensial me njadi masalah linier, jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan. Untuk s irkuit translinier, dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi, tra nsistor biasanya dimodelkan sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan arus kolektor. [sunting] Tundaan penghidupan, pematian dan penyimpanan Transistor dwikutub mengalami beberapa karakteristik tundaan ketika dihidupkan d an dimatikan. Hampir semua transistor, terutama transistor daya, mengalami waktu simpan basis yang panjang sehingga membatasi frekuensi operasi dan kecepatan pe nsakelaran. Salah satu cara untuk mengurangi waktu penyimpanan ini adalah dengan menggunakan penggenggam Baker. [sunting] Parameter alfa () dan beta () transistor Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah uk uran dari efisiensi transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotor an ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. Pen guatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh F atau hfe, ini kira-kira sama deng an perbandingan arus DC kolektor dengan arus DC basis dalam daerah aktif-maju. I ni biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil, tapi bisa sanga t rendah, terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. P arameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggal-basis, F. Penguatan arus t unggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daera h aktif-maju. Perbandingan ini biasanya mendekati satu, di antara 0,9 dan 0,998.

Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN):

[sunting] Struktur Irisan transistor NPN yang disederhanakan Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34, basis dan emitor disambungkan me lalui ikatan kawat BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya, yaitu dae rah emitor, daerah basis dan daerah kolektor. Daerah-daerah tersebut adalah tipe -p, tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP, dan tipe-n, tipe-p dan tipe-n pada tr ansistor NPN. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dina mai emitor (E), basis (B) dan kolektor (C). Basis secara fisik terletak di antar a emitor dan kolektor, dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resi stivitas tinggi. Kolektor mengelilingi daerah emitor, membuat hampir tidak mungk in untuk mengumpulkan elektron yang diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri, membuat harga sangat dekat ke satu, dan juga memberikan yang lebih besar. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh lebih besar dar i pertemuan kolektor-basis. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transist or lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. Ini berarti dengan mempertukarkan kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-ma ju dan mulai beroperasi pada moda terbalik. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktif-maju, mempertukarkan kolektor dan emitor m embuat harga dan pada operasi mundur jauh lebih kecil dari harga operasi maju, s eringkali bahkan kurang dari 0.5. Buruknya simetrisitas terutama dikarenakan per bandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Emitor dikotori berat, sedangkan kolektor dikotori ringan, memungkinkan tegangan panjar terbalik yang besar sebel um pertemuan kolektor-basis bobol. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik pa da operasi normal. Alasan emitor dikotori berat adalah untuk memperbesar efisien si injeksi, yaitu perbandingan antara pembawa yang diinjeksikan oleh emitor deng an yang diinjeksikan oleh basis. Untuk penguatan arus yang tinggi, hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor. Pe rubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basis-emitor meny ebabkan arus yang mengalir di antara emitor dan kolektor untuk berubah dengan si gnifikan. Efek ini dapat digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus terkendali tegangan, lebih sederhana dian ggap sebagai sumber arus terkendali arus, atau penguat arus, dikarenakan rendahn ya impedansi pada basis. Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat da ri galium arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi. [sunting] NPN Simbol NPN BJT. Struktur dasar transistor NPN NPN adalah satu dari dua tipe BJT, dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muat an mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Hampir semua BJT yang di gunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang, memungkinkan operasi arus besar dan kec epatan tinggi. Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p di antar a dua lapisan tipe-n. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatk an di keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kak i emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipan

jar maju). [sunting] PNP Jenis lain dari BJT adalah PNP. Simbol PNP BJT. Struktur dasar transistor PNP Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n di antara dua lapis sem ikonduktor tipe-p. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor d ikuatkan pada keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor PNP hidup ketika b asis lebih rendah daripada emitor. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emito r dan menunjuk kedalam. [sunting] Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis. Penghalang menunjukkan ele ktron untuk bergerak dari emitor ke basis, dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke emitor. Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT s ehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GH z. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat, terutama sistem RF.[5][6] Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-j alur lebih besar dari basis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungk inkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihat kan sebagai p), dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (n). Susunan p enghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pe rtemuan emitor-basis dipanjar terbalik, dan dengan demikian mengupansi arus basi s dan menaikkan efisiensi injeksi emitor. Injeksi pembawa menuju ke basis yang t elah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat, menghasilkan resi stansi yang lebih rendah untuk mengakses elektrode basis. Dalam BJT tradisional, atau BJT pertemuan-sejenis, efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis teru tama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran di antaran emitor dan basis, yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tin ggi, membuat resistansioya relatif tinggi. Sebagai tambahan, pengotoran basis ya ng lebih tinggi juga memperbaiki karakteristik seperti tegangan mula dengan memb uat basis lebih sempit. Pembedaan tingkat komposisi dalam basis, misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe, menyebabkan g radien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai G), memberikan medan terpatri di dalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal, menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis. Dua HBT yang pal ing sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi jeni s semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasan ya dibuat dengan teknik epitaksi, seperti epitaksi fase uap logam-organik dan ep itaksi sinar molekuler. [sunting] Daerah operasi Batas operasi aman transistor, biru: batas IC maksimum, merah: batas VCE maksimu m, ungu: batas daya maksimum Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedak an oleh panjar yang diberikan: Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar ( ) dalam moda aktif-maju. in forwar d-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis.

 Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pad a moda aktif-maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Pada moda ini , daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir semua BJT didesain u ntuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal, pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda transistor ini jarang digunakan, dan hanya diperhi tungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. Tegang an tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini. Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan memberi kan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup, atau sakelar yang tertutup. Putus: pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (se mua pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan demiki an berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka. Tembusan bandang Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cu kup besar, mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt). [sunting] Transistor dalam moda aktif-maju Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan . Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E, harus diat as harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. Tegangan potong bi asanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang, tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran. Tegangan yan g dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan mem ungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. Pada moda aktif, medan listrik y ang terdapat di antara basis dan kolektor (disebabkan oleh ) akan menyebabkan m ayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor u ntuk membentuk arus kolektor . Elektron yang tertinggal bergabung kembali denga n lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus m elalui sambungan basis untuk membentuk arus basis, . Seperti yang diperlihatkan pada diagram, arus emitor , adalah arus transistor total, yang merupakan penju mlahan arus saluran lainnya . Pada diagram, tanda panah menunjukkan arah dari a rus konvensional, aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Pada m oda aktif, perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut de ngan penguatan arus DC. Pada perhitungan, harga dari penguatan arus DC disebut d engan , dan harga penguatan arus AC disebut dengan . Walaupun begitu, ketika c akupan frekuensi tidak diperhitungkan, simbol sering digunakan. Perlu diperhati kan bahwa arus emitor berhubungan dengan secara eksponensial. Pada suhu ruang, peningkatan sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 1 0 kali lipat. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor, ini juga berubah dengan fungsi yang sama. Untuk transistor PNP, secara u mum cara kerjanya adalah sama, kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik da n fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron. Transistor PNP dalam moda aktif-maju [sunting] Transistor PNP moda aktif [sunting] Sejarah Transistor pertama Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947[7] di Bell Teleph one Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Sh ockley. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948[8]. Setelah menjadi peranti p ilihan untuk berbagai rangkaian, sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET, baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOS FET dan JFET).

[sunting] Transistor germanium Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. Karena tra nsistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah, membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami thermal runaway. [sunting] Teknik produksi Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangk an[9]. Transistor pertemuan tumbuh, teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemu an dwikutub[10]. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948 [11]. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948. Transistor pertemuan, butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Di kembangkan oleh General Electric dan RCA[12] in 1951. o Transistor paduan mikro, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco[13]. o Transistor paduan mikro terdifusi, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco. o Transistor paduan terdifusi tonggak, tipe kecepatan tinggi dari transist or pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philips. Transistor tetroda, varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh[14] atau transistor pertemuan paduan[15] dengan dua sambungan ke basis. Transistor penghalang permukaan, transistor penghalang logam kecepatan tinggi. D ikembangkan oleh Philco[16] in 1953[17]. Transistor medan-alir, transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Diciptaka n oleh Herbert Kroemer[18][19] di Central Bureau of Telecommunications Technolog y of the German Postal Service pada tahun 1953. Transistor difusi, transistor pertemuan dwikutub tipe modern. Prototip[20] dikem bangkan di Bell Labs pada tahun 1954. o Transistor basis terdifusi, implementasi pertama dari transistor difusi. o Transistor Mesa, dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957. o Transistor planar, teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit te rpadu monolitik secara masal. Dikembangkan oleh Dr. Jean Hoerni[21] di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959. Transistor epitaksial[22], transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fase uap epitaksi. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gr adien secara teliti. [sunting] Penggunaan BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti sirkuit dis krit, karena tersedia banyak jenis BJT, transkonduktansinya yang tinggi serta re sistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. BJT juga dipilih un tuk sirkuit analog khusus, terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF), se perti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Transistor dwikutub dapat d ikombinasikan dengan MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan pros es BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe t ransistor. [sunting] Sensor suhu Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-em itor yang dapat dihitung, sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perba ndingan yang diketahui.[23]. [sunting] Pengubah logaritmik Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-e mitor dan kolektor-emitor, sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung loga ritma dan anti-logaritma. Sebuah diode sebenarnya juga dapat melakukan fungsi in i, tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar. [sunting] Kerawanan Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi. Radiasi menyebabka n penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabung an kembali. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan.

BJT daya beresiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. Pad a moda kegagalan ini, beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas d ikarenakan arus yang mengalirinya. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa l ebih mudah bergerak. Sebagai hasilnya, bagian terpanas dari kepingan semikondukt or menghantarkan lebih banyak lagi arus. Proses regeneratif ini akan terus berla njut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami keg agalan. [sunting] Lihat pula Portal Elektronika Portal Nuvola_apps_ksim.png Pemanjaran transistor dwikutub [sunting] Referensi 1. ^ a b c Paul Horowitz and Winfield Hill (1989). The Art of Electronics ( edisi ke-2nd). Cambridge University Press. ISBN 9780521370950. http://books.goog le.com/books?id=bkOMDgwFA28C&pg=PA113&dq=bjt+charge+current+voltage+control+inau thor:horowitz+inauthor:hill&as_brr=0&ei=A33kRuT6Co3goAKF5pSqCw&sig=EmoHsk3zMEtvV 1VYKR65A4I1SCM. 2. ^ Juin Jei Liou and Jiann S. Yuan (1998). Semiconductor Device Physics a nd Simulation. Springer. ISBN 0306457245. http://books.google.com/books?id=y343F TN1TU0C&pg=PA166&dq=charge-controlled+bjt+physics&as_brr=0&ei=l9viRqilEIjopQL_i6 WFDg&sig=vXciSaFRmNUmg3KIhmBX7DCiVOA. 3. ^ General Electric (1962). Transistor Manual (edisi ke-6th). hlm. 12. "I f the principle of space charge neutrality is used in the analysis of the transi stor, it is evident that the collector current is controlled by means of the pos itive charge (hole concentration) in the base region. ... When a transistor is u sed at higher frequencies, the fundamental limitation is the time it takes the c arriers to diffuse across the base region..." (same in 4th and 5th editions) 4. ^ Paolo Antognetti and Giuseppe Massobrio (1993). Semiconductor Device M odeling with Spice. McGrawHill Professional. ISBN 0071349553. http://books.google .com/books?id=5IBYU9xrGaIC&pg=PA96&dq=gummel-poon+charge+model&as_brr=3&ei=v4TkR p-4Gp2cowLM7bnCCw&sig=vYrycIhlQKCq7VmoK231pjYXPyU#PPA98,M1. 5. ^ D.V. Morgan, Robin H. Williams (Editors) (1991). Physics and Technolog y of Heterojunction Devices. London: Institution of Electrical Engineers (Peter Peregrinus Ltd.). ISBN 0863412041. http://books.google.com/books?id=C98iH7UDtzwC &pg=PA210&dq=%22SIGe+heterojunction%22&as_brr=0&sig=6keqSOzQVPjnGn3Ism4CuhX7NHQ# PPA201,M1. 6. ^ Peter Ashburn (2003). SiGe Heterojunction Bipolar Transistors. New Yor k: Wiley. Chapter 10. ISBN 0470848383. http://worldcat.org/isbn/0470848383. 7. ^ http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1947-invention.h tml 8. ^ http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1948-conception. html 9. ^ Third case study the solid state advent (PDF) 10. ^ TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery BELL LABS TYPE M17 52 11. ^ Morris, Peter Robin (1990). "4.2". A History of the World Semiconducto r Industry. IEE History of Technology Series 12. London: Peter Peregrinus Ltd.. hlm. 29. ISBN 0 86341 227 0. 12. ^ TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery RCA TA153 13. ^ High Speed Switching Transistor Handbook (edisi ke-2nd). Motorola. 20 Oktober 1963. hlm. 17.[1] 14. ^ TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery WESTERN ELECTRIC 3 N22 15. ^ The Tetrode Power Transistor PDF 16. ^ TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery PHILCO A01 17. ^ TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery Surface Barrier Tr ansistor 18. ^ Herbs Bipolar Transistors IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 4

8, NO. 11, NOVEMBER 2001 PDF 19. ^ Influence of Mobility and Lifetime Variations on Drift-Field Effects i n Silicon-Junction Devices PDF 20. ^ TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery BELL LABS PROTOTYP E DIFFUSED BASE TRIODE 21. ^ TRANSISTOR MUSEUM Historic Transistor Photo Gallery FAIRCHILD 2N1613 22. ^ http://www.computerhistory.org/semiconductor/timeline/1960-Epitaxial.h tml 23. ^ http://www.maxim-ic.com/appnotes.cfm/appnote_number/689