RAPAT KEADAAN (Density of State)

Distribusi dan konsentrasi pembawa muatan dalam semikonduktor ditentukan

oleh jumlah rapat keadaan di dalamnya. Pada dasarnya dapat dihitung dari pita
energinya.
Tinjau sebuah partikel bermassa m dan berada dalam sebuah kotak (misal dalam
kristal semikonduktor).
Persamaan Scrodinger:
0
2
2
2
2
2
2
2
= +
c
c
+
c
c
+
c
c


k
z y x
Dimana:
2
2

mE
k
Dengan metode separasi variabel: ) ( ) ( ) ( ) , , ( z y x z y x
z y x
=
0
1 1 1
2
2
2
2
2
2
2
= + + + k
dz
d
dy
d
dx
d
z
z
y
y
x
x

Karena k konstan, maka tiap suku dapat dipisah-pisahkan

.
1
2
2
2
konst k
dx
d
x
x
x
= =

.
1
2
2
2
konst k
dy
d
y
y
y
= =

.
1
2
2
2
konst k
dz
d
z
z
z
= =

2 2 2
2
y y x
k k k k + + =
Akan diperoleh solusi umum;
z k y k x k A z y x
z y x
sin sin sin ) , , ( =
a
n
k
a
n
k
a
n
k
z
z
y
y
x
x
t
t
t
= = = ; ;
... , 3 , 2 , 1 , , =
x x x
n n n
Titik-titik solusi dalam ruang-k
sebagai unit sel
Diperoleh hubungan:
3
t
abc
k ruang volume
Solusi
=

Dengan analogi yang sama, maka rapat keadaan dalam ruang-k dengan
koordinat bola:
3
4t
abc
k ruang volume
keadaan rapat Jumlah
=

3
4t
abc
k ruang volume
keadaan rapat Jumlah
=

Jika ruang-k diperluas lagi sebesar dk, jari-

jari bola menjadi (k+dk). Volume antara
bola jari-jari k dengan bola jari-jari (k+dk)
adalah sebesar 4tk
2
dk
Dapat dihitung jumlah rapat keadaan per
unit volume dalam ruang antara k dan
(k+dk):
|
.
|

\
|
=
3
2
4
) 4 (
t
t
abc
dk k keadaan rapat Jumlah
2
2

mE
k
Ingat:
m
k
E
2
2 2

=
E
dE m
dk
2
1

m
dk k
dE
2

=
Jumlah keadaan energi antara E
dan (E+dE) adalah:
( ) dE
mE m
abc
3 2
2
t
=
Diperoleh rapat keadaan g(E):
( )
3 2 3 2
2
/
2
) (
t t
mE m
VdE dE
mE m
abc E g =
(

=
( )
3 2 3 2
2
/
2
) (
t t
mE m
VdE dE
mE m
abc E g =
(

=
Rapat keadaan pada pita konduksi (E
C
):
C
C n n
C
E E
E E m m
E g >

= ;
) ( 2
) (
3 2
* *
t
V
V p p
V
E E
E E m m
E g s

= ;
) ( 2
) (
3 2
* *
t
Rapat keadaan pada pita konduksi (E
V
):
m
n
* dan m
p
* masing-masing adalah massa efektif rapat keadaan elektron dan
hole
GaAs memiliki struktur yang mendekati bola dan massa efektif elektron-elektron
dalam pita konduksi dikarakterisasi m
e
*. Sebagai konsekuensinya, maka
diasumsikan bahwa m
n
* = m
e
*
Berbeda dengan GaAs, Germanium dan Silikon memiliki sumbu ruang-k yang
berbeda-beda (k
1
, k
2
, k
3
) dalam ruang 3D, dengan permukaan energi yang
elipsoidal. Dengan demikian, maka:
) (
2 2
2
3
2
2
*
2
2
1
*
2
k k
m
k
m
E E
t l
C
+ + =

Manipulasi matematika:
1
2
3
2
2
2
2
1
=
+
+
| o
k k k
Dimana:
2
*
) ( 2

C l
E E m
o
2
*
) ( 2

C t
E E m
|
Volume ruang-k adalah:
Defenisi k efektif yang berhubungan dengan m
n
*:
2
3
4
to|
2
*
) ( 2

C n
eff
E E m
k

=
3 2
3
4
3
4
eff el
k N t to| =
|
.
|

\
|
( ) ( )
2 / 3
*
2 / 1
2 * *
n t l el
m m m N =
N
el
adalah jumlah permukaan elipsoid dalam zona Brillouin (N
el
= 6 untuk silikon
dan N
el
= 4 untuk germanium)
( ) Si untuk m m m
n t l
; 6
*
3 / 1
2 * * 3 / 2
=
( ) Ge untuk m m m
n t l
; 4
*
3 / 1
2 * * 3 / 2
=
Pada pita valensi, Si, Ge, dan GaAs memiliki permukaan energi yang konstan.
Pemisahan pita kadang diabaikan. Pembawa muatan hanya terdiri dari dua jenis,
yaitu hole berat (heavy hole) dengan massa efektif m
hh
*dan hole ringan (light
hole) dengan massa efektif m
lh
*.
V
V p p
V
E E
E E m m
E g s

= ;
) ( 2
) (
3 2
* *
t
3 2
* *
3 2
* *
) ( 2 ) ( 2
) (
t t
E E m m E E m m
E g
V lh lh V hh hh
V

=
( ) ( ) ( )
2 / 3
*
2 / 3
*
2 / 3
*
lh hh p
m m m + =
( ) ( ) | |
3 / 2
2 / 3
*
2 / 3
* *
lh hh p
m m m + =