TRANSISTOR BIPOLAR

(BIJUNCTION TRANSISTOR)

MENU UTAMA

Intro
Selama

tahun 1904-1947 vacuum tube digunakan sebagai komponen elektronika. Pada akhir 1947 ditemukan transistor sebagai ganti dari vacuum tube Transistor tersusun atas tiga buah lapisan semiconduktor (tipe-n dan tipe-p) Transistor bipolar (BJT): npn pnp

Lambang BJT
Collector (c)

Collector (c)

Base (b)

Base (b)

Emitter (e)

Emitter (e)

pnp transistor

npn transistor

back

Struktur Fisik BJT

Aliran Arus pada BJT

Konfigurasi Rangkaian BJT

Common Base Configuration
Common Emitter Configuration Common Collector Configuration

Common Base Configuration

Base (basis) dihubungkan bersama ke bagian input dan output

dari transistor (biasanya base dihubungkan ke ground).

IE

IC

IE

IC

IB

IB

Common Base Configuration untuk Transistor pnp

Common Base Configuration untuk Transistor npn

back

nex t

Kurva Karakteritik Common Base Configuration

IC(mA)

(saturation region)

(active region)

I B ( A)

(cutoff region) VCB(V)

back

nex t

 Pada Active Region, collector-base mengalami

reverse bias, sementara base-emitter mengalami forward bias Pada Cutoff Region, collector-base dan baseemitter keduanya mengalami reverse bias Pada Saturation Region, collector-base dan base-emitter mengalami forward bias

back

nex t

Alpha ()
Dalam analisa DC, besarnya arus IC berkaitan

dengan besarnya arus IE yang diakibatkan adanya majority carrier Hubungan ini disebut dengan alpha ()

IC dc IE
back
cont.

Common Emitter Configuration

Emitter dihubungkan bersama ke bagian input dan

output dari transistor (biasanya emitter terhubung ke ground)

IC IB IE IB IE IC

Common Emitter Configuration untuk Transistor pnp

Common Emitter Configuration untuk Transistor npn

back

nex t

Kurva Karakteristik Common Emitter Configuration

IC(mA)
(saturation region)

(active region)

I B ( A)

(cutoff region) VCE(sat) VCE(V)

back

nex t

 Pada Active Region, collector-base mengalami

reverse bias, sementara base-emitter mengalami forward bias Pada Cutoff Region, colector-base dan baseemitter diberi reverse bias Pada Saturation Region, collector-base dan base-emitter diberi forward bias

back

nex t

Beta ()
Dalam analisa DC, besarnya IC dan IB direlasikan

dengan sebutan beta ()

dc

IC IB

Dalam datasheet, dc biasa dituliskan sebagai hFE

back

nex t

Hubungan dan
1

I E ( 1) I B

back

cont.

Common Collector Configuration

Collector dihubungkan bersama ke input dan output

dari transistor Mempunyai input impedance yang tinggi dan output impedance yang rendah
IE IB IC IB IC IE

Common Collector Configuration Common Collector Configuration untuk Transistor pnp untuk Transistor npn

back

cont.