Anda di halaman 1dari 14

PENENTUAN TEGANGAN HALL MENGGUNAKAN KONSEP EFEK HALL PADA SEMIKONDUKTOR GERMANIUM TIPE P

Syamsul Arifin*, Kenti Isti Jayanti*, Novenda Dwi L*, M. Arif Hidayatullah*

Abstrak: Telah dilakukan penelitian dengan menggunakan metode ekperimental yang bertujuan untuk menentukan dan mengetahui hubungan tegangan Hall UH sebagai fungsi dari variasi besaran fisis (Arus IP, induksi magnetik B dan suhu TP). Penelitian ini dilakukan dengan mengukur dan menentukan tegangan Hall UH pada sampel material semikonduktor Germanium tipe P yang ditimbulkan dari berbagai variabel masukan (input variable) besaran fisis yang berbeda-beda. Berdasarkan hasil analisis kuantitatif dari 5 jenis pengukuran yang telah dilakukan, didapatkan hasil pengukuran dan hubungan yang menunjukkan linearitas antara pemberian arus kontrol IP dengan tegangan Hall UH yang terukur. Hasil yang sama juga diperoleh pada pengukuran tegangan Hall sebagai fungsi induksi magnetik B yang menunjukkan hubungan yang berbanding lurus antara keduanya. Sedangkan pada pengukuran tegangan Hall dengan ketergantungan suhu TP didapatkan bahwa semakin tinggi suhu material semikonduktor (P-Germanium), tegangan Hall yang terukur akan semakin kecil. Kata Kunci: Tegangan Hall, Efek Hall, Semikonduktor Germanium tipe P

Abstract: Has been done a research by using experimental method that aim to determine and define the relationship of Hall voltage UH as a function of various physical quantities (Control current IP, magnetic induction B and temperature TP). The research done by measuring and determining Hall voltage UH of sample of P-Germanium semiconductor that is produced by some different input variable of physical quantities. According to result of the quantitative analysis from the five kinds of measurements have been done obtained the relationship and measurement results showed linearity between the control current IP increasing with the measured Hall voltage UH. Similar results were also obtained on the Hall voltage UH measuring as a function of the magnetic induction B showed a linear relationship between both. While the Hall voltage UH measurements by dependence to the temperature TP was obtained that the higher the temperature of rectangular P-Germanium semiconductor sample cause the measured Hall voltage UH will be smaller, or proportionate inversely. Keywords: Hall voltage, Hall effect, P-Germanium Semiconduktor

PENDAHULUAN Dalam realitas kehidupan sehari-hari, kebutuhan manusia tidak pernah lepas dari listrik. Listrik merupakan salah satu kebutuhan mendasar dan penting yang harus dipenuhi oleh semua orang, baik dalam kehidupan rumah tangga, pendidikan, hingga menjadi penunjang dalam dunia industri. Tidak hanya itu, kemajauan teknologi yang saat ini telah berkembang cepat dan pesat juga atas dasar keberadaan listrik. Hampir semua peralatan dan komponen kelistrikan dalam pembuatan dan penggunaannya sangat erat kaitannya dengan prinsip fisika khususnya dalam tinjauan kelistrikan-magnet (elektromagnetic), seperti halnya handphone, generator, instrumentasi medis dan sebagainya. Dalam listrik magnet, kita mengenal atau mengetahui tentang gejala efek Hall. Gejala efek Hall ini bisa dilihat apabila arus dialirkan pada suatu penghantar sekaligus *Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

menempatkannya dalam medan magnet secara tegak lurus, kemudian terjadi defleksi elektron karena adanya medan magnet tersebut. Besamaan dengan hal tersebut muncul pula tegangan Hall (Tipler, 2001). Melalui penelitian ini, dengan melakukan pengukuran tegangan Hall pada sebuah material semikonduktor (P-Germanium) sesuai penggunaan atau aplikasi dari konsep efek Hall kita dapat mengetahui dan menentukan besarnya tegangan Hall UH yang diukur sebagai fungsi arus kontrol IP, induksi magnetik B, dan sebagai fungsi suhu TP.

KAJIAN TEORI Fenomena Efek Hall Berkas elektron dapat mengalami defleksi karena adanya medan magnet. Defleksi gerakan elektron dalam medium padat, misalnya dalam penghantar dibuktikan oleh Edwin H. Hall tahun 1879 yaitu dengan mengalirkan arus pada suatu penghantar sekaligus menempatkannya pada medan magnet secara tegak lurus. Dengan demikian akan muncul gejala yang disebut efek Hall. Beda potensial antara bagian atas dan bagian bawah lempengan itu disebut tegangan Hall. Tegangan Hall (UH ) terjadi karena adanya gaya Lorentz ( ) pada pembawa muatan yang sedang bergerak dalam medan magnet.

Gambar 1. Efek Hall dalam Sampel Penampang Persegi Panjang Fenomena ini (Efek Hall) muncul dari gaya Lorentz: pembawa muatan menimbulkan arus yang mengalir melalui sampel yang terdefleksi dalam medan magnet B sebagai fungsi dari vektor dan kecepatan v nya: = e ( x B) (F = Gaya yang bekerja pada pembawa muatan, e = muatan elementer). Besar gaya magnetik pada pembawa muatan dalam lempengan itu adalah qvdB. Gaya magnetik ini diimbangi oleh gaya elektrostatik yang besarnya E, dengan E merupakan medan listrik akibat pemisahan muatan tersebut. Jadi diperoleh, (1)

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

E = vdB

(2)

Karena pembawa muatan positif dan negatif dalam semikonduktor berpindah dalam arah yang berlawanan, mereka kemudian terdefleksi dalam arah yang sama. Tipe pembawa muatan tersebut dapat menyebabkan aliran arus. Dengan demikian dapat ditentukan polaritas tegangan Hall, arah arus dan medan magnet (Tim Penyusun, 2012). Tegangan Hall yang bersangkutan ditentukan oleh: UH = RH. (3)

dengan RH. adalah koefisient Hall yang mana bergantung pada material dan suhu serta juga bergantung pada jenis pembawa muatan dalam proses konduksi. RH. = =( ) (4)

Semikonduktor Semikonduktor adalah sebuah bahan dengsn konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan konduktor pada temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan akan bersifat sebagai konduktor (Hayt, 1989: 117). Dalam semikonduktor, semua elektron valensi dipakai untuk ikatan pasangan dengan atom lain dari berbagai kristal. Semikonduktor yang paling sering dipakai dalam rangkaian elektronika adalah Silikon (Si), Germanium (Ge), dan Galliumarsenide (GeAs). Semikonduktor dapat dikelompokkan menjadi (Sze, 1985): 1. Semikonduktor instrinsik, yaitu material murni semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja, misalnya Si saja atau Ge saja. Pada kristal semikonduktor Si, 1 atom Si yang memiliki 4 elektron valensi berikatan dengan 4 atom Si lainnya. 2. Semikonduktor ekstrinsik, merupakan semikonduktor yang telah terkotori (tidak murni lagi) oleh atom dari jenis lainnya. Proses penambahan atom pengotor ini disebut pengotoran (doping). Penambahan atom pengotor (impuritie) mengakibatkan struktur pita dan resistivitasnya berubah. Ketidakmurnian dalam semikonduktor dapat menyumbangkan elektron maupun lubang (hole) dalam pita energi. Dengan demikian, konsentrasi elektron dapat menjadi tidak sama dengan konsentrasi hole, namun masing-masing bergantung pada konsentrasi dan jenis bahan ketidakmurnian. Terdapat tiga jenis semikonduktor ekstrinsik yaitu semikonduktor tipe-n, semikonduktor tipe-p, dan semikonduktor paduan. Semikonduktor dengan konsentrasi elektron lebih besar dibandingkan konsentrasi hole disebut semikonduktor ekstrinsik tipe-n. Semikonduktor tipe-p, dimana konsentrasi lubang lebih tinggi dibandingkan elektron, misal Si dan Ge. Sedangkan semikonduktor *Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

paduan (compound semiconductor), ikatannya terbentuk dengan peminjaman elektron oleh unsur dengan velensi lebih tinggi kepada unsur dengan valensi lebih rendah (Parno, 2002).

METODE PENELITIAN Alat dan Bahan

Gambar 2. Rangkaian Alat Percobaan Alat dan bahan yang digunakan dalam penelitian ini meliputi modul efek Hall, semikonduktor Germanium jenis P (p-Ge), kumparan 600 lilitan, Inti besi (Bentuk U), potongan elektroda (Pole pieces, 30x30x48), Hall Probe, Power supply 0-12 V DC/6V, 12 V AC, penyangga kaki tiga, batang penegak (Support rod), pengapit (Clamp), kabel penghubung, Teslameter digital, multimeter digital. Prinsip Kerja Peralatan penelitian diatur seperti yang diperlihatkan pada Gambar 2. Lempengan pelat bahan uji (Semikonduktor P-Germainum) pada papan diletakkan dalam modul efek Hall melalui alur penunjuk (guide-groove). Perangkat modul secara langsung dihubungkan dengan tegangan keluaran 12 V dan pada tegangan masukan AC di sisi balik modul. Pelat tersebut diletakkan ke dalam medan magnet pada kumparan dengan sangat hati-hati. Secara umum, penelitian ini menganalisa besar nilai tegangan Hall yang ditimbulkan dalam fenomena efek Hall pada sebuah material semikonduktor (Gemanium tipe P) yang ditempatkan dalam medan magnet dengan mekanisme perolehan tegangan Hall UH tersebut melalui variasi perubahan arus kontrol IP, induksi magnetik B dan perubahan suhu TP pada pemberian arus konstan, suhu konstan maupun induksi magnetik konstan pada tiap-tiap pengukuran sesuai dengan tujuan penelitian ini.

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

Pada penelitian ini dilakukan 5 jenis pengukuran sesuai dengan tujuan penelitian ini, yaitu mengukur dan menentukan tegangan Hall UH pada sampel semikonduktor Germanium tipe P yang ditimbulkan dari berbagai variabel fungsi besaran fisis yang berbeda-beda. Langkah-langkah kerja dan prosedur dalam penelitian ini untuk masingmasing jenis pengukurun diuraikan sebagai berikut: 1. Tegangan Hall UH sebagai fungsi arus kontrol IP (Pada suhu kamar 27C) Untuk pengukuran pertama ini dilakukan pengukuran tegangan Hall pada suhu kamar dan medan magnetik konstan sebagai fungsi arus kontrol IP. Dalam pengukuran ini, besar nilai suhu pada modul diatur terlebih dahulu hingga suhu 27C atau 28C (Suhu kamar). Suhu ini diatur konstan selama proses pengukuran berlangsung. Besar medan magnet B yang terukur dari kumparan inti besi juga diatur konstan 250 mT pada Teslameter. Pemberian nilai medan magnet B ini dilakukan melalui pengaturan tegangan pada power supply. Di samping itu, tampilan layar pada modul juga diatur terlebih dahulu pada pengaturan Current Mode dengan cara menekan tombol mode pada modul. Pengukuran tegangan Hall dilakukan dan ditentukan sebagai fungsi arus kontrol IP dengan pemberian variasi arus dimulai dari -30 mA hingga 30 mA dengan interval arus sebesar 5 mA untuk tiap-tiap pengukuran. Perubahan tegangan yang terjadi pada multimeter untuk setiap kali pengukuran dicatat sebagai tegangan Hall UH. 2. Tegangan Hal UH sebagai fungsi induksi magnetik B (Pada suhu kamar dan arus kontrol IP konstan) Pada pengukuran ini, multimeter dihubungkan ke soket tegangan sampel yang terletak pada sisi depan modul. Pengukuran tegangan Hall UH dilakukan dengan variasi pemberian nilai induksi medan magnetik B sebesar 30 mT hingga 300 mT yang diatur pada power supply. Tegangan Hall yang terukur pada multimeter untuk setiap pengukuran dicatat sebagai data hasil penelitian. Pengukuran dilakukan secara berulang dengan selisih pemberian nilai induksi magnetik B sebesar 30 mT antar tiap-tiap pengukuran. 3. Tegangan Hall UH sebagai fungsi suhu TP (Pada arus kontrol IP konstan) Pada jenis pengukuran yang ke-3 ini, arus kontrol diatur konstan 30 mA selama pengukuran. Pengukuran dilakukan dengan tampilan layar modul diatur dalam mode Temperatur, dengan cara tombol On/Off kumparan panas pada sisi belakang modul diaktifkan. Dengan besar arus yang konstan tersebut, nilai perubahan tegangan Hall UH pada setiap perubahan suhu TP dicatat. Dalam pengukurannya, nilai suhu awal yang ditampilkan pada modul ialah 30C (303K). Perubahan ketergantungan tegangan Hall terhadap perubahan suhu pada pengukuran ini dicatat hingga mencapai pemberian suhu maksimum sebesar 109C (382K).

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

4. Tegangan Hall UH sebagai fungsi induksi magnetik B (Pada suhu kamar ) Pengukuran tegangan Hall dilakukan dan ditentukan sebagai fungsi induksi magnetik B pada suhu kamar. Arus diatur ke nilai 30 mA. Sedangkan multimeter dihubungkan ke soket tegangan Hall pada sisi bagian depan modul. Pengukuran dimulai dengan pemberian induksi magnetik B pada Teslameter sebesar -160 mT, nilai tegangan Hall UH yang terukur pada saat nilai induksi magnetik tersebut dicatat sebagai data hasil pengukuran. Pengukuran dilanjutkan kembali secara berulang dengan pemberian nilai induksi magnetik B hingga 160 mT melalui pengaturan tombol putar power supply. Data tegangan Hall UH yang didapatkan dari masing-masing pengukuran dengan interval nilai induksi magnetik sebesar 40mT dicatat pada tabel hasil penelitian. 5. Tegangan Hall UH sebagai fungsi suhu TP (Pada induksi magnetik B konstan) Tegangan Hall diukur sebagai fungsi suhu TP pada nilai induksi magnetik yang konstan, yaitu sebesar 300 mT. Arus kontrol diatur 30 mA. Tampilan layar modul diatur dalam mode Temperatur, dengan cara mengaktifkan tombol On/Off yang terletak pada sisi bagian belakang modul. Nilai perubahan tegangan Hall yang terukur pada multimeter dicatat pada setiap kali perubahan suhu T P yang terjadi pada layar modul. Pengukuran tegangan Hall ini dimulai dengan suhu awal yang ditampilkan, yaitu 30C hingga mencapai suhu maksimum sebesar 113C. Karena perubahan suhu yang terjadi berubah dengan cepat, maka pembacaan dan pencatatan data nilai tegangan Hall UH yang terukur pada setiap perubahan suhu juga dilakukan dengan cepat. Dalam proses selanjutnya, diplot grafik hasil hubungan tegangan Hall UH yang diperoleh dengan beberapa variabel fungsi besaran fisis (Arus IP, induksi magnetik B dan suhu TP) dari 5 jenis pengukuran yang telah dilakukan.

HASIL DAN PEMBAHASAN Analisis Hubungan Ketergantungan Tegangan Hall terhadap Beberapa Besaran Fisis Penelitian ini yang dalam perlakuannya dilakukan 5 jenis pengukuran tegangan Hall dengan berbagai variabel fungsi diperoleh hasil penelitian yang diuraikan sebagai berikut: Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Arus Kontrol IP Hasil pengukuran tegangan Hall terhadap sampel material semikonduktor Germanium-P yang dilakukan pada suhu kamar konstan (27C) selama pengukuran dapat ditunjukkan pada tabel berikut ini.

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

Tabel 1. Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Arus Kontrol IP No. IP (mA) UH (mV) 1. -30 -2.25 2. -25 -1.83 3. -20 -1.59 4. -15 -1.21 5. -10 -0.81 6. -5 -0.44 7. 0 -0.02 8. 5 0.39 9. 10 0.61 10. 15 1.08 11. 20 1.35 12. 25 1.79 13. 30 2 Dengan pemberian arus IP dengan interval 5 mA yang dilakukan dari nilai arus sebesar -30 mA hingga 30 mA diperoleh data hasil pengukuran (tegangan Hall UH) pada multimeter yang semakin besar sejalan dengan peningkatan pemberian besar nilai arus pada modul. Hal ini dapat direpresentasikan melalui grafik data hasil pengukuran yang telah diplot.
3 2 1

UH (mV)

0 -20 -1 -2 -3 0 20 40

-40

Ip (mA)
Gambar 3. Grafik Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Arus Kontrol IP Grafik di atas memperlihatkan hasil kurva yang linier dari hubungan antara tegangan Hall UH yang terukur (Sumbu Y) dengan besar arus kontrol IP yang diberikan (Sumbu X). Kurva tersebut mengindikasikan adanya linearitas antara kedua variabel pengukuran ini. Pemberian arus yang semakin besar akan mengakibatkan tegangan Hall yang terukur juga akan semakin besar.

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Induksi Magnetik B Pada pengukuran tegangan Hall UH yang diukur sebagai fungsi induksi magnetik yang dihasilkan oleh medan magnet pada kumparan dengan suhu kamar dan arus kontrol konstan melalui pemberian nilai induksi magnetik B yang semakin besar pada Teslameter didapatkan data hasil penelitian sesuai pada tabel hasil di bawah ini. Tabel 2. Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Induksi Magnetik B No. B (mT) UH (mV) 1. 30 2.04 2. 60 2.04 3. 90 2.05 4. 120 2.05 5. 150 2.06 6. 180 2.07 7. 210 2.07 8. 240 2.08 9. 270 2.09 10. 300 2.10 Pengukuran dimulai dari nilai induksi magnetik B sebesar 30 mT hingga 300 mT dengan interval pada tiap pengukuran sebesar 30 mT, diperoleh data hasil pengukuran yang menunjukkan perbandingan yang lurus antara kedua variabel pengukuran ini (tegangan Hall dan induksi magnetik B). Artinya, nilai tegangan Hall yang terukur mengalami peningkatan dengan pemberian nilai induksi magnetik yang semakin besar oleh power supply.
2.11 2.1 2.09 2.08 2.07 2.06 2.05 2.04 2.03 0 100 200 300 400

UH (mV)

B (mT)
Gambar 4. Grafik Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Induksi Magnetik B Meskipun pada dasarnya diperoleh beberapa data hasil pengukuran tegangan Hall yang bernilai konstan, namun dari grafik hasil pengukuran ini memberikan penjelasan bahwa secara keseluruhan bentuk kurva yang terlihat pada grafik tersebut mengalami *Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

kenaikan, yang mana berarti bahwa secara proporsional hubungan antara induksi magnetik dengan tegangan Hall adalah berbanding lurus. Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Suhu TP Pengukuran tegangan Hall UH sebagai fungsi suhu TP yang dilakukan dengan pemberian suhu TP ini didapatkan hasil pengukuran seperti yang diperlihatkan tabel berikut ini (Tabel 3). Tabel 3. Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Suhu TP No. UH (V) TP (K) 1. 303 0.09 x 10-3 2. 333 0.08 x 10-3 3. 343 0.07 x 10-3 4. 348 0.06 x 10-3 5. 359 0.04 x 10-3 6. 362 0.03 x 10-3 7. 368 0.02 x 10-3 8. 373 0.01 x 10-3 9. 382 0 Dalam perubahan suhu yang semakin meningkat antara 30C (303K) hingga 109C (382K), tegangan Hall UH yang terukur pada multimeter digital untuk tiap-tiap perubahan suhu TP yang terjadi justru didapatkan nilai tegangan Hall UH yang semakin kecil hingga pada akhirnya mencapai 0 Volt.
0.1 0.09 0.08 0.07 0.06 UH 0.05 10-3 V) 0.04 0.03 0.02 0.01 0 0 100 200 300 400 500

(x

Tp ( K)
Gambar 5. Grafik Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Suhu TP Dapat diindikasikan bahwa hubungan antara tegangan Hall UH dengan suhu TP adalah berbanding terbalik sehingga dari grafik pengukuran tersebut juga terlihat bentuk kurva grafik yang berlawanan (Opposite) dari pengukuran 1 dan 2. Pola kurva pada grafik terlihat mengalami penurunan secara eksponensial yang tajam dengan pemberian suhu TP

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

pada material semikonduktor Germanium-P yang semakin besar. Semakin besar suhu yang diberikan, maka tegangan Hall yang terukur akan semakin kecil. Secara keseluruhan, penurunan tegangan Hall UH terjadi secara konstan atau dengan interval perubahan yang sama antar tiap-tiap pengukuran. Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Induksi Magnetik B Pada pengukuran ini, hasil pengukuran yang diperoleh tidak jauh berbeda dari pengukuran ke-2 yang juga merupakan pengukuran tegangan Hall UH sebagai fungsi induksi magnetik B. Tabel 4. Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Induksi Magnetik B No. B (mT) UH (mV) 1. -160 25.1 2. -120 25.1 3. -80 25.2 4. -40 25.3 5. 0 25.4 6. 40 25.6 7. 80 25.7 8. 120 25.8 9. 160 25.9
26 25.9 25.8 25.7 25.6 25.5 25.4 25.3 25.2 25.1 25 -200 -100 0 100 200

UH (mV)

B (mT)
Gambar 6. Grafik Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Induksi Magnetik B Dalam pengukuran dengan pemberian nilai induksi magnetik dari -160 mT hingga 160 mT pada Teslameter ini, nilai tegangan Hall mengalami peningkatan sejalan dengan pemberian nilai induksi magnetik yang semakin besar. Dari sini telah dapat diketahui bahwa hubungan kedua variabel tersebut berbanding lurus satu sama lain. Grafik hasil pengukuran yang diplot juga memperlihatkan linearitas antara keduanya, dimana kenaikan kurva menunjukkan bahwa tegangan Hall yang terukur semakin besar bersamaan dengan peningkatan pemberian nilai induksi magnetik B melalui power supply. *Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Suhu TP Untuk pengukuran yang terakhir (Pegukuran 5), hasil pengukuran yang diperoleh terlihat juga tidak jauh berbeda dengan hasil percobaan 3 (Tegangan Hall UH sebagai fungsi induksi magnetik B). Data hasil pengukuran yang didapatkan ditunjukkan pada tabel berikut. Tabel 5. Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Suhu TP No. UH (mV) TP (C) 1. 30 0.12 2. 53 0.11 3. 67 0.10 4. 75 0.09 5. 78 0.08 6. 82 0.07 7. 86 0.06 8. 89 0,05 9. 91 0.04 10. 94 0.03 11. 97 0.02 12. 113 0 Dengan ketergantungan terhadap suhu TP dalam proses pengukurannya, didapatkan nilai tegangan Hall yang semakin kecil seiring dengan peningkatan suhu TP. Artinya, semakin besar (tinggi) suhu pada material semikonduktor Germanium-P, maka nilai tegangan Hall yang terukur akan semakin kecil, atau dengan kata lain adalah berbanding terbalik.
0.14 0.12 0.1

UH

0.08

(mV) 0.06
0.04 0.02 0

20

40

60

80

100

120

Tp ( C)
Gambar 7. Grafik Hasil Pengukuran Tegangan Hall UH sebagai Fungsi Suhu TP Grafik hasil pengukuran juga telah memperlihatkan bahwa hasil curve plotting tersebut mengalami penurunan seperti yang ditunjukkan pada Gambar 7. Analisa grafik ini

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

menunjukkan bahwa tegangan Hall mengalami penurunan dengan perubahan suhu yang semakin meningkat. Analisis Prinsip Munculnya Tegangan Hall pada Semikonduktor Germanium tipe P Analisis prinsip pada penelitian ini ialah mengenai fenomena atau gejala efek Hall yang terjadi pada suatu penghantar, dalam kasus ini adalah material semikonduktor Germanium-P yang dalam prinsipnya diletakkan secara tegak lurus dalam medan magnet yang ditimbulkan oleh kumparan berarus listrik dalam penelitian ini. Akibarnya, akan terjadi defleksi elektron arus listrik pada semikonduktor Germanium-P ini. Bersamaan dengan hal tersebut, akan timbul suatu tegangan yang disebut tegangan Hall. Secara spesifik, tegangan Hall terjadi karena adanya gaya Lorenz F pada muatan yang bergerak dalam medan magnet di kumparan. Tegangan Hall tersebut ditimbulkan oleh gaya Coulomb Fc = e.V.B, dimana medan magnet telah berubah menjadi medan Hall sebagai akibat dari tegangan Hall tersebut. Selain itu juga dipengaruhi oleh harga RH yang merupakan konstanta Hall yang tergantung dari jenis material semikonduktor yang digunakan (RH = sebagai berikut, VH = UH = RH. Dari tinjauan rumus teoritis tersebut, telah dapat ditunjukkan hubungan yang sesuai dengan data hasil penelitian yang mana dalam pengukurannya, tegangan Hall UH yang diperoleh ialah berbanding lurus dengan nilai induksi magnetik B dan arus kontrol IP. Untuk hubungannya dengan suhu TP yang berbanding terbalik diakibatkan karena peningkatan suhu akan menyebabkan jumlah elektron yang mendapatkan energi semakin tinggi dan bisa menjadi elektron bebas lebih banyak. Akibatnya, nilai konduktivitasnya akan menjadi besar, sehingga semakin mudah untuk menghantarkan arus listrik. Tegangan yang diperoleh justru akan semakin kecil. Secara matematis, hubungan tersebut dapat dijelaskan melalui persamaan berikut, ). Secara matematis, hubungan antara beberapa variabel tersebut ialah

= o(T)
UH = V =I.R dengan R = )

Pada material semikonduktor, arus listrik tidak mudah mengalir karena mempunyai karakteristrik kelistrikan yang khusus (konduktivitas ) yang berada diantara nilai konduktivitas material konduktor dan isolator. Semikonduktor yang sering banyak digunakan dalam kelistrikan ialah semikonduktor Silikon (Si) dan Germanium (Ge). Untuk material Ge yang digunakan sebagai sampel dalam penelitian ini memiliki nomer atom 32 dan nilai kelektronegatifan sebesar 2,01 sehingga material ini sedikit cukup mudah untuk dialiri elektron. Pada suhu kamar (300K), jenis material semikonduktor ini memiliki

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

kerapatan 1022 atom/cm3. Jadi, konduktivitas naik terhadap suhu karena dengan bertambahnya suhu, jumlah muatan ikut bertambah. PENUTUP Kesimpulan Dari hasil analisa yang telah dilakukan terhadap data hasil penelitian dan prinsip pada penelitian ini, dapat diberikan beberapa kesimpulan sebagai berikut: 1. Dalam pengukuran tegangan Hall UH sebagai fungsi arus kontrol IP, pemberian arus yang semakin besar akan mengakibatkan tegangan Hall yang terukur juga akan semakin besar. 2. Berdasarkan pengukuran tegangan Hall UH sebagai fungsi induksi magnetik B, dapat diketahui bahwa secara proporsional hubungan antara induksi magnetik B dengan tegangan Hall UH adalah berbanding lurus 3. Dari pengukuran tegangan Hall UH sebagai fungsi suhu TP diperoleh bahwa semakin tinggi suhu pada material semikonduktor Germanium-P, maka nilai tegangan Hall yang terukur akan semakin kecil, atau dengan kata lain adalah berbanding terbalik. 4. Semikondoktor Germanium (Ge) memiliki nomer atom 32 dan nilai kelektronegatifan sebesar 2.01. Material semikonduktor ini memiliki kerapatan 1022 atom/cm3 (T = 300K), sehingga material ini sedikit cukup mudah untuk dialiri elektron. Saran Penelitian ini dapat dikembangkan lebih lanjut, yaitu untuk perbandingan efektivitas beberapa material semikonduktor (Si, Ge, GaAr, TiO2Co) melalui analisis efek Hall sebagai material dasar semikonduktor (Fotovoltaic Cell) pada Solar sel.

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang

DAFTAR PUSTAKA

Hayt, William H.1989. Elektromagnetika Teknologi. Jakarta: Erlangga Parno. 2002. Pendahuluan Fisika Zat Padat. Malang: FMIPA Universitas Negeri Malang Sze, S.M. 1985. Semiconduktor Devaies, Physics, and Technology. New York: John Willey and Sons Press Tim Penyusun. 2012. Modul Praktikum: Eksperimen Fisika II. Malang: Jurusan Fisika UIN Maliki Malang Tipler, Paul A. 2001. Fisika untuk Sains dan Teknik. Jakarta: Erlangga

*Jurusan Fisika UIN Maliki Malang