5. DATA HASIL PERCOBAAN a.

Data hasil percobaan JFET tipe N Vds(V) 25 % 559,67 192,54 185,96 67,11 5,27 0

Vgs(V) 0% -118,1 -5 % -590,5 -10 % -1,18 V -15 % -1,71 V -20 % -2,36 V

0% 347,62 126,96 124,93 67,11 5,27 0

10 % 456 161,6 158.08 67,11 5,27 0

50 % 912,63 281,74 198,68 67,11 5,27 0

100 % 15 400 198,72 67,13 5,28 0

b. Data hasil percobaan MOSFET tipe P Vds(V)

0 118,1 35 % 4,13 50 % 5,9 75 % 8,85 100 % 11,18 0 130,43 130,43 130,43 130,43 0 166,66 166,66 166,66 166,66 0 94,05 12,63 A 12,89 A 12,95 A

6. PENGOLAHAN DATA a. Nilai Gm untuk JFET tipe N 1). Untuk VDS = 0 Volt Gm1 = Gm2 = Id (126,96 124,93)mA 2,03mA = = = 0,406 mMho Vgs 0 (5)V 5V Id (124,93 67,11)mA 57,82mA = = = 11,564 mMho Vgs 5 (10)V 5V

Gm3 =

Id (67,11 5,27)mA 61,84mA = = = 12,386 mMho Vgs 10 (15)V 5V

b. Nilai Gm untuk MOSFET Tipe P 1). Untuk VDS = 0 Volt Gm1 = Gm2 = Gm3 = Id (0 130,43) mA 130,43mA = = = 3,73 mMho Vgs 0 35V 35V Id (130,43 130,43)mA 0mA = = = 0 mMho Vgs 35 50V 15V Id (130,43 130,43)mA 0mA = = = 0 mMho Vgs 50 75V 15V

LAMPIRAN GRAFIK 1. ID terhadap VDS untuk JFET

Id

Vgs 2. ID terhadap VDS untuk MOSFET

Id

Vgs 7. TUGAS DAN PERTANYAAN JAWABAN 1). Apa itu substrac dan inversion layer ? Jawab

Substract adalah untuk mensetkan pengaliran elektron, arus akan mengalir melalui saluran sempit yang dihasilkan oleh substrat. Substrat jg dapat memaksimumkan lapisan deplesi

Inversion layer (semikonduktor) , lapisan dalam bahan semikonduktor dimana tipe carrier mayoritas perubahan sebaliknya dalam kondisi tertentu.

2). Data sheet FET PTF 10043 12 Watts, 1.92.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor INTERNALLY MATCHED Performance at 2.0 GHz, 26 Volts - Output Power = 12 Watts Min - Power Gain = 12 dB Typ at 3 Watts - Efficiency = 45% Typ Full Gold Metallization Silicon Nitride Passivated Back Side Common Source Excellent Thermal Stability 100% Lot Traceability Description The PTF 10043 is an internally matched GOLDMOS FET intended for large signal amplifier applications from 1.9 to 2.0 GHz. Rated at 12 watts, it operates at 45% efficiency with 12 dB gain. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure excellent device lifetime and reliability. 10. LAMPIRAN GAMBAR PERALATAN

Modul BEE 422 C

Power Supply

Multimeter DAFTAR PUSTAKA Malvino, Albert Paul.1999.Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta: Erlangga Chattopadhyay, D.1989.Dasar Elektronika.Jakarta:Universitas Indonesia

http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor http://id.wikipedia.org/wiki/MOSFET Tim Dasar Elektronika.2011.Modul Praktikum Dasar Elektronika.Inderalaya : Laboratorium Dasar Elektronika, Jurusan Teknik Elektro Fakultas, Fakultas Teknik Universitas Sriwijaya. Bishop, Owen.2002. Dasar-dasar Elektronika. Jakarta : Erlangga.

9. ANALISA HASIL PERCOBAAN Pada kurva transkonduktansi digambarkan hubungan antara arus output ID, dan tegangan input Vgs. Kurva transkonduktansi berbentuk parabola dan untuk

memperoleh harga gm, dapat kita lakukan dengan membaca harga harga ID dan Vgs pada grafik JFET maupun grafik MOSFET. Adapun rumus mencari transkonduktansi ( gm ) sebagai berikut : gm = Id Vgs

Dari persamaan di atas kita mengetahui bahwa transkonduktansi merupakan rasio perbandingan dari arus pada drain dengan tegangan pada gate source. Pada percobaan ini, grafik nilai transkonduktansi pada JFET terletak di kuadran pertama karena perbedaan tegangan source pada JFET bernilai positif sedangkan pada MOSFET, grafik nilai transkonduktansinya terletak di kuadran kedua karena perbedaan tegangan sourcenya bernilai negatif.

10. KESIMPULAN 1. FET / MOSFET operasinya bergantung kepada pembawa mayoritas saja. 2. Menunjukkan hambatan hambatan masukan yang sangat tinggi. 3. Tidak menunjukkan adanya selisih perimbangan atau offset pada arus drain nol. 4. JFET dan MOSFET merupakan komponen elektronika yang dapat digunakan sebagai penguat.