Anda di halaman 1dari 15

Konduktor

overlap
Level Fermi
PITA ENERGI
Semikonduktor
Insulator
Energy elektron
Energi gap yang lebar
antara pita valensi dan
pita konduksi pada
insulator
menggambarkan bahwa
elektron sangat sulit
mencapai pita konduksi
pada temperatur biasa
Dalam semikonduktor, celah
pita energi (band gap) cukup
kecil sehingga dengan energi
termal saja sudah dapat
mengeksitasi elektron ke pita
konduksi
Dalam konduktor tidak ada
band gap karena pita valensi
dan pita konduksi saling
tumpang tindih (overlap)
Apakah
Level Fermi
itu?
Level Fermi adalah level energi tertinggi
yang masih dapat ditempati elektron pada
temperatur absolut nol
LEVEL FERMI
Elektron akan terdistribusi pada keadaan-
keadaan energi yang tersedia, meskipun
tidak semua keadaan energi tersebut terisi
oleh elektron. Rasio antara keadaan energi
yang terisi terhadap keadaan yang tersedia
ditentukan oleh suatu fungsi distribusi, yang
dikenal dengan fungsi distribusi fermi, f(E).
Setiap keadaan energi hanya dapat diisi oleh satu buah elektron
Asumsi bahwa jumlah elektron adalah N = N
i
Jumlah energi total adalah E
tot
= E
i
N
i
Jumlah keadaan yang tersedia adalah S
i
LEVEL FERMI
Elektron dapat mengisi keadaan-keadaan tersebut dalam beberapa cara yang berbeda (W
i
):

( ) ! !
!
i i i
i
i
N N S
S
W

=
( )
[ [

= =
i
i i i
i
i
i
N N S
S
W W
! !
!
( ) | |
( ) ( ) | |

=
=
i
i i i i i i i i
i
i i i i
N N N S N S S S
N N S S W
ln ln ln
! ln ! ln ! ln ln
| |

|
|
.
|

\
|
= + =
c
c
=
i
i
i
i
i
i
i i i i
i
dN
N
S
dN N N S dN
N
W
W d 1 ln 1 ln 1 ) ln(
ln
) (ln
LEVEL FERMI
Dengan mengambil d(ln W) = 0, maka

0 1 ln =
|
|
.
|

\
|

i
i
i
i
dN
N
S
0 =
i
dN
Demikian juga:

0 =

i
i i
dN E
Dengan memanfaatkan perkalian Lagrange, dapat dituliskan:

0 1 ln =
(


|
|
.
|

\
|

i
i i
i
i
dN E
N
S
| o
Sehingga akan diperoleh solusi jika:
0 1 ln =
|
|
.
|

\
|

i
i
i
E
N
S
| o
E E
i
i
i
e
E f
e S
N
E f
i
| o | o + +
+
=
+
= =
1
1
) (
1
1
) (
kT E E
F
e
E f
/ ) (
1
1
) (
+
+
=
kT kT
E
F
1
; = = | o
LEVEL FERMI
kT E E
F
e
E f
/ ) (
1
1
) (
+
+
=
FUNGSI FERMI
Fungsi Fermi f(E) memberikan kebolehjadian bahwa satu keadaan energi elektron
yang tersedia akan ditempati pada suatu temperatur tertentu. Fungsi Fermi diperoleh
dari Statistik Fermi-Dirac dan berbentuk :
Tidak ada elektron dapat
berada di level Fermi pada 0K
Pada temperatur tinggi, beberapa
elektron dapat menempati pita
konduksi dan memberikan kontribusi
pada arus listrik
1 e
1
) E ( f
kT / ) E E (
F
+
=
-
1 e
1
) E ( f
kT / ) E E (
F
+
=
-
Kebolehjadian
partikel akan
memiliki energi E
Pada temperatur absolut nol, fermion akan mengisi penuh semua keadaan energi
yang berada di bawah suatu level E
F
yang disebut energi Fermi dengan satu (dan
hanya satu) partikel. Perilaku partikel-partikel tersebut diatur oleh prinsip larangan
Pauli. Pada temperatur tinggi, beberapa partikel naik ke level-level di atas level Fermi.
Beda quantum
yang timbul atas
kenyataan bahwa
partikel-partikel
tidak dapat
dibedakan
Untuk temperatur rendah,
keadaan-keadaan energi di
bawah Energi Fermi E
F
memiliki
kebolehjadian 1, dan memiliki
kebolehjadian 0 untuk keadaan
energi di atas energi Fermi.
Lihat distribusi Maxwell-Boltzmann
untuk mendiskusikan bentuk
eksponensial
Fermi-Dirac
DISTRIBUSI FERMI-DIRAC
N(E) AE = g(E) f(E) AE
Fungsi distribusi atau
kebolehjadian sebuah partikel
berada pada keadaan energi E
Interval Energi
Rapat keadaan atau jumlah
keadaan energi per satuan
volume dalam interval AE
Jumlah partikel per satuan
volume yang memiliki energi
antara E dan E + AE
LEVEL FERMI
RAPAT KEADAAN ENERGI
Rapat keadaan energi dalam
pita valensi semikonduktor
Pita konduksi
Selama pita
konduksi
semikonduktor
berada di atas
level Fermi, agar
memiliki populasi
elektron, maka
temperatur harus
dinaikkan
Overlap pita
valensi dan
pita konduksi
dalam
konduktor
memberikan
populasi
elektron pada
pita konduksi
gap
3
2 / 3
E E
h
m 2 8
) E (
-
t
=
E
h
m 2 8
) E (
3
2 / 3
t
=
POPULASI ELEKTRON KONDUKSI SEMIKONDUKTOR
Kebolehjadian
keadaan energi
yang ditempati
Jumlah keadaan
energi yang
tersedia
X
X
Populasi pita
konduksi yang
sebenarnya
=
=
Jumlah semua
elektron
tersebut
memberikan
populasi pita
konduksi : N
cb

Populasi elektron konduksi pada semikonduktor dihitung dengan mengalikan rapat keadaan elektron
konduksi (E) dengan fungsi Fermi f(E). Jumlah elektron konduksi sebagai fungsi energi diberikan oleh :
dE
1 e
1
E E
h
m 2 8
dE ) E ( f ) E ( dE ) E ( N
kT / ) E E (
gap
3
2 / 3
F
+
-
t
= =
-
dE e E E
h
m 2 8
dE ) E ( N
) 2 / E E (
gap
3
2 / 3
gap
- -
-
t
=
kT 2 / E
2 / 3
kT 2 / E
E
3
2 / 3 2 / 5
cb
gap gap
gap
e AT e
h
) kT m ( 2
dE ) E ( N N
- -

=
t
= =
}
2 / 3 3 21
3
2 / 3 2 / 5
K m / elektron 10 x 83 , 4
h
) k m ( 2
A
=
t
=
) ( )) ( . ( x qV x E P potensial energi =
) ( . x qV E E E P
ref C
= =
) (
1
ref C
E E
q
V =
Medan listrik didefinisikan sebagai:
dx
dE
q dx
dE
q dx
dV
V
V C
1 1
= = =
V =
) (
1
ref C
E E
q
V =
dx
dE
q dx
dE
q dx
dV
V
V C
1 1
= = =
V =
ALIRAN ARUS LISTRIK PADA SEMIKONDUKTOR
(1) Arus Drift : Arus listrik mengalir disebabkan oleh pergerakan partikel bermuatan
(elektron dan hole) karena adanya medan listrik E.
(2) Arus Difusi : Arus listrik mengalir disebabkan oleh pergerakan partikel bermuatan
(elektron dan hole) karena ada perbedaan konsentrasi.
J = J
n
+ J
p

= q(
n
n +
p
p)E
J
n
= qD
n

dn
dx
J
p
= -qD
p

dp
dx
HUBUNGAN EINSTEIN PERSAMAAN POISSON
Hubungan antara konstanta difusi dan
mobilitas listrik
D
n

n

=
D
p

p

kT
q
=
dE


dx
=



kc
0