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CAP I- INTRODUO

1.1. CLASSIFICAO DOS MATERIAIS

A produo e transformao de materiais em bens acabados, constituem uma das mais importantes atividades de uma economia moderna. Um produto, para ser manufaturado, requer uma etapa de planejamento de seu processo de produo. Nesta etapa so selecionados diversos materiais, de acordo com custos e, principalmente, com as necessidades tcnicas exigidas. A elaborao dessa etapa exige que o responsvel pela mesma tenha noo das estruturas internas dos materiais, pois o conhecimento das mesmas, aos nveis submicroscpicos, permite prever o comportamento do material em servio, bem como possibilita programar e controlar suas propriedades e caractersticas. A produo e transformao de materiais em bens acabados, constituem uma das mais importantes atividades de uma economia moderna. Um produto, para ser manufaturado, requer uma etapa de planejamento de seu processo de produo. Nesta etapa so selecionados diversos materiais, de acordo com custos e, principalmente, com as necessidades tcnicas exigidas. A elaborao dessa etapa exige que o responsvel pela mesma tenha noo das estruturas internas dos materiais, pois o conhecimento das mesmas, aos nveis submicroscpicos, permite prever o comportamento do material em servio, bem como possibilita programar e controlar suas propriedades e caractersticas. A cincia dos materiais est associada gerao de conhecimento bsico sobre a estrutura interna, propriedades e processamento de materiais. Ela tem ainda como objetivo, compreender a natureza dos materiais, estabelecendo conceitos e teorias que permitam relacionar a estrutura dos materiais com suas propriedades e comportamento. A cincia dos materiais est associada gerao de conhecimento bsico sobre a estrutura interna, propriedades e processamento de materiais. Ela tem ainda como objetivo, compreender a natureza dos materiais, estabelecendo conceitos e teorias que permitam relacionar a estrutura dos materiais com suas propriedades e comportamento

Por convenincia, a maioria dos materiais de engenharia classificada em trs classes principais, quais sejam: materiais metlicos, materiais polimricos (plsticos) e materiais cermicos. Esta classificao baseada principalmente no tipo de estrutura atmica. Em adio a estes trs tipos, um estudo mais abrangente deve incluir um outro tipo, que exibe, atualmente, grande importncia tecnolgica: os materiais compsitos, semicondutores e biomateriais.

Classificao dos Materiais

Metais Cermicas Polmeros

Classificao Clssica

Compsitos Semicondutores Biomateriais (Mat. Biocompatveis)

1.1.1. MATERIAIS METLICOS

Os materiais metlicos so substncias inorgnicas compostas por um ou mais elementos metlicos e podem, tambm, conter elementos nometlicos. Exemplos de materiais metlicos: ao, cobre, alumnio, nquel e titnio. Elementos nometlicos como carbono, nitrognio e oxignio podem estar contidos em materiais metlicos. Os metais tm uma estrutura cristalina, na qual os tomos esto arranjados de maneira ordenada. Eles, em geral, so bons condutores trmicos e eltricos. Quase todos os metais so mecanicamente resistentes, dcteis e muitos mantm esta resistncia mesmo em altas temperaturas.

1.1.2. MATERIAIS POLIMRICOS (PLSTICOS)

1.2. Propriedades dos materiais- Conceitos de bsicos.

A maioria dos materiais polimricos consiste de cadeias moleculares orgnicas (carbono) de longa extenso. Estruturalmente, a maioria destes materiais no cristalina, porm alguns exibem uma mistura de regies cristalinas e no-cristalinas. A resistncia mecnica e ductilidade dos materiais polimricos variam enormemente. Devido natureza da estrutura interna, a maioria dos plsticos conduz eletricidade e calor de maneira extremamente precria. Isto permite que os mesmos sejam freqentemente utilizados como isolantes, tendo grande importncia na confeco de dispositivos e equipamentos eletrnicos. Em geral, os materiais polimricos tm baixo peso especfico e apresentam temperatura de decomposio relativamente baixa.

1.2.1. Principais Propriedades Mecnicas:

- Dutibilidade: capacidade do material em deformar plasticamente sem ruptura , quando submetido a esforo de trao. expressa em porcentagem. - Maleabilidade: a capacidade do material em deformar plasticamente sem ruptura , quando submetido a esforo de compresso. - Tenacidade: a medida da energia necessria para fraturar um corpo de prova padro. - Modulo de Elasticidade (YOUNG) : a relao entre a tenso(s) aplicada e a deformao elstica(e) que ela produz. Est relacionado diretamente com as foras das ligaes interatmicas (entre tomos).

1.1.3. MATERIAIS CERMICOS

Os cermicos so materiais inorgnicos constitudos por elementos metlicos e no-metlicos unidos por meio de ligaes qumicas. Estes materiais podem ser cristalinos, no-cristalinos ou uma mistura de ambos. A maioria dos cermicos apresenta alta dureza e elevada resistncia mecnica, mesmo em altas temperaturas. Entretanto, tais materiais so, normalmente, bastante frgeis. Uma gama bastante ampla de novos materiais cermicos est sendo desenvolvida, tendo como objetivo diversas aplicaes, como o caso de peas para motores de combusto interna. Neste caso, este material tem a vantagem do baixo peso, resistncia e dureza elevadas, alto resistncia ao calor e propriedades isolantes. O fato de ser um bom isolante trmico, bem como ser resistente ao calor, permite que os materiais cermicos tenham importante papel na construo de fornos usados na indstria metalrgica. Uma aplicao recente, que retrata com fidelidade o potencial dos materiais cermicos, o uso dos mesmos na construo do nibus espacial americano. A estrutura deste veculo de alumnio revestida por milhares de pastilhas cermicas. Estas pastilhas do proteo trmica ao nibus durante a subida e por ocasio da reentrada do mesmo na atmosfera.

Indica a rigidez do material. - Limite de resistncia trao ou tenso de deformao (se): representa a tenso a partir da qual o material sofre deformao plstica. uma das mais importantes propriedades de engenharia, pois so utilizados em clculos de estruturais. Limite de resistncia ruptura (sr): representa a tenso a partir da qual o material sofre ruptura. - Resilincia: Corresponde capacidade do material de absorver energia quando este deformado elasticamente. Materiais resilientes so aqueles que tm alto limite de elasticidade e baixo mdulo de elasticidade (como os materiais utilizados para molas) - Dureza: - Materiais Frgeis: capacidade do material resistir abraso superficial. - Material no frgeis: a medida da resistncia de um material deformao plstica (permanente). - Resistncia flexo: definida com a tenso mxima que um corpo de prova suporta antes de romper quando sujeito a um esforo de flexo. Utilizado para avaliar a resistncia mecnica de materiais cermicos, principalmente para revestimentos e telhas.

- Resistncia compresso: definida com a tenso mxima antes da ruptura, que um corpo de prova pode resistir quando submetido a esforos de compresso. Este ensaio utilizado principalmente para avaliar a resistncias de tijolos, blocos e concreto. - Fluncia: limite de resistncia deformao em temperaturas elevadas. - Fadiga: limite de resistncia fratura de materiais submetidos a carregamentos cclicos.

Difusividade trmica (h) h= K Cp. r K- condutividade trmica Cp- capacidade trmica r- densidade h- Difusividade trmica

Choque trmico IRCT = h . S a.E h- Difusividade trmica S- limite de resistncia a- dilatao trmica E- Modulo de elasticidade IRCT- ndice de resistncia ao choque trmico

1.2.2. Propriedades Trmicas:

- Capacidade trmica: ela representa a quantidade de energia necessria para aumentar a temperatura. C = dQ dT dQ- variao de calor (energia) dT- variao de temperatura

Propriedades Eltricas: Condutividade eltrica (s): indica a facilidade com que um material conduz corrente eltrica, o inverso da resistividade (r). A unidade da condutividade (Wm ) -1 . s = 1 r

As unidades de energia so calorias ou joule

- Dilatao ou expanso Trmica: representa a variao dimensional de um material, quando este submetido a um resfriamento ou aquecimento. a= DL Li . DT
-1

a - coeficiente de dilatao- C

Li - Comprimento inicial m, cm, mm Lf - Comprimento final m, cm, mm DT - (Tf Ti)- Variao de temperatura C DL - (Lf-Li)- Variao de comprimento m, cm, mm - Condutividade Trmica: o fenmeno pelo qual calor transportado das regies de maior temperatura para as regies de menor temperatura. A propriedade que caracteriza a habilidade de um material transferir calor a condutividade trmica (k).
q = - k. dT dx q fluxo de calor (J/m2 ou W/M2) k condutividade trmica (W/m) dt/dx- gradiente de temperatura no meio condutor

Rigidez dieltrica: indica em que grau o material isolante, ela uma medida da tenso mxima que um material pode suportar antes de perder suas caractersticas de isolante.

Termoeletricidade: a propriedade que apresenta um material em gerar uma corrente eltrica quando submetido a gradientes de temperaturas. A tenso produzida depende do tipo de material e da diferena de temperatura.

Piezeletricidade: indica a capacidade de um material produzir uma polarizao (energia eltrica) quando aplicamos uma fora.

CAP II- LIGAES ATMICAS

Eltrons de valncia

2. INTRODUO Os materiais slidos so formados por tomos que so unidos por foras eltricas, formando o que chamamos de ligaes qumicas. Estas interaes eltricas podem ser obtidas de diversas formas, formando diferentes tipos de ligaes. O comportamento de um material pode ser eficientemente previsto a partir da anlise do mesmo aos nveis subatmico, atmico e microscpico. Assim, torna-se necessrio examinar o mesmo, no tocante aos tomos que constituem o material, bem como o comportamento eletrnico dos mesmos. A estrutura de qualquer material diretamente dependente dos tipos de tomo envolvidos e das ligaes atmicas que eles formam. A base de qualquer unidade estrutural em cincia e engenharia de materiais o tomo. O tomo consiste basicamente de trs partculas subatmicas: prtons, eltrons e nutrons. No centro do tomo localiza-se o ncleo, que tem dimetro prximo a 10-14 m. Este ncleo envolvido por uma nuvem de eltrons de densidade varivel, que resulta em um dimetro atmico final de 10-10m. No ncleo, onde residem prtons e nutrons, est a quase totalidade da massa atmica. A massa de um prton igual a 1,673x10-24g e sua carga eltrica de +1,602x10-19 Coulomb (C). O nutron pouco mais pesado que o prton e tem massa igual a 1,675x1024 g, porm eletricamente neutro. O eltron tem massa de 9,109x10-28g e carga igual a -1,602x10-19 Coulomb. Portanto, a quase totalidade do volume atmico concentra-se na nuvem de eltrons, porm, esta colabora com apenas uma pequena parte da massa final do tomo. Os eltrons, particularmente os mais externos, determinam a maioria das caractersticas eltricas, mecnicas, qumicas e trmicas dos tomos e assim, o conhecimento bsico do mesmo necessrio no estudo dos materiais. A estrutura interna dos materiais resultado da agregao de tomos obtida atravs de foras de ligao interatmicas. Esta agregao, em funo das caractersticas de tais ligaes, pode resultar nos estados slidos, lquido e gasoso.

Energia de Ligao

Porque os tomos se unem: Por que ao se unir os tomos diminuem a energia interna.

Distancia inter atmica

Figura 2.2. Diagrama de energia em funo da distancia inter atmicas.

Relao entre energia de ligao e algumas propriedades:

Resistncia mecnica: aumenta com a fora mxima e com a profundidade do poo da curva de energia de ligao. Pontos de fuso e de ebulio: aumentam com a profundidade do poo da curva de energia de ligao.

Coeficiente de expanso trmica: diminui com a profundidade do poo da curva de energia de ligao.

Uma outra classe de ligaes, denominadas de ligaes fracas, pode ser encontrada em algumas substncias. Estas ligaes contribuem para a atrao entre molculas e so classificadas como foras de Van Der Walls (ligao secundaria). Estas molculas so atradas, pois nelas podemos ter polarizao induzida ou permanente. Quanto maior esta polarizao mais forte fora de ligao entre as molculas.

2.1. LIGAO INICA: envolve a transferncia de eltrons de um tomo para outro Figura 2.3. Diagrama de energia de ligao de dois materiais.

Ligaes Qumicas Basicamente, os tomos podem atingir uma configurao denominada de estvel (menor energia) a partir de trs maneiras, quais sejam: ganho de eltrons, perda de eltrons ou compartilhamento de eltrons. A facilidade em ganhar eltrons caracteriza o tomo como elemento eletronegativo; a facilidade em perder eltrons o caracteriza como sendo um elemento eletropositivo. Existem tambm os tomos que no apresentam facilidade em perder ou ganhar eltrons. Estas caractersticas atmicas resultam na existncia de trs tipos de ligaes atmicas, denominadas como primrias ou fortes, que so : ELEMENTO ELETROPOSITIVO + ELEMENTO ELETRONEGATIVO ELEMENTO ELETROPOSITIVO + ELEMENTO ELETROPOSITIVO ELEMENTO ELETRONEGATIVO + ELEMENTO ELETRONEGATIVO

Figura 2.4- Formao da ligao inica.

Para o cloreto de sdio, tanto o ction Na+ quanto o nion Cl- ficam com seus orbitais externos completos.

LIGAO INICA - caractersticas:

LIGAO INICA LIGAO METLICA

Metal (esquerdo TP) + no-metal (direito TP) Envolve a transferncia de eltrons de um tomo para outro Resulta da interao eletrosttica entre um on positivo e um on negativo A ligao no-direcional a ligao predominante nos materiais cermicos Os materiais so duros e quebradios Bons isolantes trmicos e eltricos nos slidos, mas em solues aquosas e no estado de fuso so bons condutores eltricos.

LIGAO COVALENTE

PROPRIEDADES GERAIS DOS COMPOSTOS COVALENTES

Compostos Covalentes que formam molculas (Ex: Cl2, HCl)

Na molcula, existem foras covalentes que mantm os tomos unidos; No estado slido, as molculas so mantidas por foras de Van der Waals fracas (mais fraca do que a atrao eletrosttica dos ons); Em virtude disto, para fundir ou evaporar compostos covalentes precisa-se de energia (DH) suficiente apenas para romper as foras de Van der Waals. Em virtude da fraca atrao intermolecular, os compostos covalentes se apresentam como:

Figura 2.5- Estrutura inica - Cloreto de sdio

2.2. LIGAO COVALENTE Na ligao covalente est envolvido o compartilhamento de par(es) de eltron(s) entre os tomos ligantes.

Covalente (normal): cada um dos tomos participa da ligao com um eltron para a formao do par eletrnico compartilhado; Covalente dativa: apenas um tomo estabelece a ligao com o outro tomo compartilhando seus eltrons de valncia para a formao do par eletrnico. Na formao das ligaes qumicas (covalente e covalente dativa) entre os tomos de oxignio com o enxofre (tomo central) todos os tomos adquirem a estabilidade eletrnica, ou seja, ambos ficam com a ltima camada eletrnica totalmente preenchida, semelhante distribuio eletrnica de um gs nobre.

Lquidos, com baixo ponto de ebulio, ou gases temperatura ambiente; Compostos slidos que possuem baixa dureza e baixo ponto de fuso. Isolantes: no conduzem corrente eltrica.

Compostos Covalentes formam estrutura (Ex: SiC, C -Diamante)

Os tomos so mantidos unidos por ligaes covalentes(fortes), formando estruturas cristalinas. Em virtude da alta energia da ligao covalente, os compostos covalentes apresentam como: Compostos slidos que possuem alta dureza e alto ponto de fuso. Isolantes: no conduzem corrente eltrica.

Figura 2.6. Estrutura de uma ligao covalente, gs metano.

2.3. LIGAO METLICA

2.4. LIGAES SECUNDRIAS

Esse tipo de ligao normalmente encontrado em metais e envolve a interao de elementos eletropositivos. A ligao metlica resultado da ao entre eltrons livres (nuvem eletrnica) e ons positivos. Estes eltrons livres so originrios da ltima camada de valncia, fracamente presos ao tomo, e que esto livres dentro da estrutura metlica. A figura abaixo mostra as ligaes metlicas observadas em metais.

At agora, temos considerado apenas a ligao primaria entre tomos, e vimos como ela depende da interao entre os eltrons de valncia. A fora motora para a ligao atmica primaria a diminuio de energia que sofre os eltrons ligantes. Contratando com as ligaes primarias, as ligaes secundarias so relativamente fracas, com energias de apenas cerca 4 a 40Kj/mol. A fora motora para as ligaes secundrias a atrao entre dipolos eltricos que existem nos tomos e molculas. Em geral, h dois tipos principais de ligaes secundrias entre tomos ou molculas, envolvendo dipolos eltricos: dipolos flutuantes (ou induzidos) e dipolos permanentes. costume designar coletivamente estas ligaes secundrias dipolares por ligaes de Van der Waals.

Dipolos Induzidos

Figura 2.7. Representao esquemtica da ligao metlica.

Caractersticas e propriedades dos compostos formados por ligaes metlicos:

Os tomos de um metal esto unidos atravs da nuvem eletrnica, formando estrutura cristalina compactas.

So foras de ligao muito fracas entre elementos de gs nobre, os quais possuem camadas completas de eltrons de valncia. Estas ligaes surgem por causa da forma assimtrica da distribuio de cargas eletrnicas destes tomos, a qual origina dipolos eltricos. Em qualquer instante, h uma elevada possibilidade de existir maior carga eltrica de um lado do tomo do que do outro. Por isso, num dado tomo, a nuvem de carga eltrica sofrendo alteraes no tempo, criando um dipolo flutuante. Os dipolos formados nos tomos podem originar atrao entre si, de que resultam fracas ligaes interatmicas no direcionais.

Em virtude de possuir eltrons livres as ligaes metlicas possuem as seguintes propriedades: Slidos cristalinos, de alto ponto de fuso e ebulio; So bons condutores de calor e energia; Possuem elevada plasticidade e dutibilidade; Formam estruturas opacas.

Dipolos permanentes

So foras de ligao mais fortes que as ligaes por dipolos induzidos que se desenvolvem entre molculas formadas por ligaes covalentes, quando estas molculas formam dipolos permanentes.

Cl

H CH4 CH3Cl

tomo de hidrognio (eletronegatividade-2.1) tomos de cloro (eletronegatividade-3.0) tomos de carbono (eletronegatividade-2.5)

Figura 2.10. Representao estrutura do PVC +

esquemtica

da

Momento dipolar nulo Figura 2.8. clorometano.

Momento dipolar

Estrutura molecular do metano e

Figura 2.8. Representao estrutura do PVC

esquemtica

da

+. , +

Atrao entre plos positivos e negativos

Figura 2.9. Representao esquemtica da ligao secundria.

Observando as duas estruturas, notamos que no PVC existem tomos de hidrognio e cloro na cadeia de carbono, isto provoca uma polarizao da molcula, pois o cloro mais eletronegativo que hidrognio. Esta polarizao provoca uma grande fora de atrao entre as cadeias de carbono, o produz um plstico duro. Enquanto o polietileno apresenta apenas tomos de hidrognio na cadeia, no formando polarizao, por isto a fora de atrao entre as molculas menor, produzindo um plstico mais mole.

CAP III- ESTRUTURA CRISTALINA

3. INTRODUO Dependendo da composio qumica ou do processo de fabricao os tomos na solidificao ou em tratamentos trmicos podem se arranjar de maneira ordenada (estrutura cristalina) ou desordenada (estrutura vtrea).

Estrutura cristalina

Estrutura vtrea

Figura 3.1. Estrutura cristalina e estrutura vtrea

tomos, ons ou molculas, que se repete nas trs dimenses. Os arranjos atmicos em um slido cristalino podem ser descritos usando, como referncia, os pontos de interseco de uma rede de linhas nas trs dimenses. Em um cristal ideal, o arranjo destes pontos em torno de um ponto particular deve ser igual ao arranjo em torno de qualquer outro ponto da rede cristalina. Dessa maneira, possvel descrever um conjunto de pontos ou posies atmicas repetitivo, denominado de clula unitria. Uma clula unitria tambm definida como a menor poro do cristal que ainda conserva as propriedades originais do mesmo. Atravs da adoo de valores especficos, como parmetros axiais e ngulos interaxiais, pode-se obter clulas unitrias de diversas naturezas. O estudo da estrutura interna dos materiais necessita da utilizao de 7 arranjos atmicos bsicos, que podem representar as estruturas de todas as substncias cristalinas conhecidas. Tabela 3.1. Geometria dos sistemas cristalinos.

Estrutura cristalina: compostos por tomos, molculas ou ons arranjados de uma forma peridica em 3 dimenses. As posies que so ocupadas seguem uma ordenao que se repete ao longo de grandes distncias Distncia entre planos de tomos iguais.

SISTEMAS CBICO TETRAGONAL


ORTORRMBICO

EIXOS a=b=c a=bc abc abc abc

NGULOS AXIAIS Todos os ngulos = 900 Todos os ngulos = 900 Todos os ngulos = 900 2 ngulos = 900 e 1 ng. 900 Todos ngulos Z e nenhum igual a 900 3 ngulos = 900 1 ngulo = 1200 Todos os ngulos iguais, mas de 900

Materiais Vtreos (amorfos): compostos por tomos, molculas ou ons que no apresentam uma ordenao de longo alcance. Distncia entre planos atmicos diferentes

MONOCLNICO TRICLNICO

HEXAGONAL 3.1. ESTRUTURA CRISTALINA ROMBODRICO A estrutura fsica dos materiais slidos depende fundamentalmente do arranjo estrutural de seus tomos, ons ou molculas. A grande maioria dos materiais comumente utilizados em engenharia, particularmente os metlicos, exibe um arranjo geomtrico de seus tomos bem definido, constituindo uma estrutura cristalina. Os materiais cristalinos, independentes do tipo de ligao encontrada no mesmo, caracterizam-se por apresentar um agrupamento ordenado de seus

a1=a2= a3c a=b=c

Estes 7 arranjos atmicos bsicos definem 7 sistemas cristalinos. Partindo desses sistemas, A. J. Bravais derivou 14 clulas unitrias, que permitem descrever qualquer estrutura cristalina possvel.

3.1.1.1. Estrutura Cbica de Corpo CentradoCCC

Neste arranjo estrutural existe um tomo em cada vrtice de um cubo e um outro tomo no centro do mesmo, como mostra a figura 3.4. Esta estrutura pode ser encontrada no tungstnio, tntalo, brio, nibio, ltio, potssio, vandio, cromo, etc.

Figura 3.2. Arranjos atmicos-clulas unitrias.

ESTRUTURA CRISTALINA DOS MATERIAIS DOS MATERIAIS


Fatores que definem o arranjo mais estvel dos tomos de um cristal:

Figura 3.3. Estrutura CCC

Preservar a neutralidade eltrica; Satisfazer o carter direcional das ligaes covalentes; Minimizar a repulso on-on; Ajustar os tomos do modo mais compacto possvel; Relao entre tamanho de tomos; Figura 3.4. Modelo demonstrando a posio dos tomos da Estrutura CCC

3.1.1. Materiais Metlicos

As Ligaes metlicas por no apresentarem carter direcional, no impe restries a tomos vizinhos e tambm por se formados por tomos iguais ou semelhantes, cristalizam-se em estruturas simples e compactas. Os metais se cristalizam nas seguintes estruturas: Hexagonal Compacta, Cbica de Face Centrada e Cbica de Corpo Centrado.

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ouro, platina, chumbo, etc. Neste caso existe um total de quatro tomos no interior da clula unitria.

Figura 3.5. Clula Unitria Estrutura CCC

Caractersticas da estrutura CCC

Relao entre raio e aresta da clula unitria:

a2 + a 2

)2

= (4R )2 a =

4R 3
Figura 3.6. Estrutura CFC

R- raio atmico a- aresta da clula unitria

Numero de tomos por clula unitria: 2 tomos Fator de empacotamento atmico (F.E.)= 0,68

F. E. =

N VA VC
Figura 3.7. Modelo demonstrando a posio dos tomos da Estrutura CFC

onde: N = Nmero de tomos que efetivamente ocupam a clula; VA = Volume do tomo (4/3.p.R3); VC = Volume da clula unitria(a3).

3.1.1.2. Estrutura Cbica de Face CentradoCFC Figura Este arranjo caracteriza-se por exibir os mesmos tomos nos vrtices encontrados nos outros dois arranjos cbicos e mais 1 tomo em cada face do cubo. A estrutura cbica de face centrada a estrutura do alumnio, clcio, nquel, cobre, prata, 3.8. Clula unitria Estrutura CFC

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Caractersticas da estrutura CFC

Relao entre raio e aresta da clula unitria:

2 a 2 + a 2 = (4R ) a = 2 2R

R- raio atmico a- aresta da clula unitria Numero de tomos por clula unitria: 4 tomos Fator de empacotamento atmico (F.E.)= 0,74 ou 74% Figura 3.10. Modelo demonstrando a posio dos tomos da Estrutura HC Caractersticas da estrutura CFC A estrutura hexagonal compacta formada por dois hexgonos sobrepostos e um plano intermedirio de 3 tomos. Nos hexgonos, novamente, existem 6 tomos nos vrtices e um outro no centro. A estrutura cristalina hexagonal compacta pode ser observada na figura 3.10. Neste caso, o parmetro "a" diferente do parmetro "c". Os ngulos basais so novamente iguais a 1200 e os verticais de 900. A estrutura HC pode ser observada no berlio, berqulio, ltio, magnsio, cdmio, cobalto, etc. O nmero de tomos que efetivamente encontram-se dentro de uma clula unitria HC igual a 6.

3.1.3. Estrutura Hexagonal Compacta

Numero de tomos por clula unitria: 6 tomos Fator de empacotamento atmico (F.E.)= 0,74 ou 74%

Comparaes entre estruturas CCC, CFC e HC Tabela 3.2. Comparao entre estruturas metlicas. Estrutura Dutibilidade FEA Dureza Coef. Dilatao CFC Boa 0,74 Baixa maior CCC Ruim 0,68 Alta menor HC Ruim 0,74 Alta maior

FEA Fator de empacotamento atmico

ALOTROPIA Diversos elementos, bem como compostos qumicos apresentam mais de uma forma cristalina, dependendo de condies como presso e temperatura envolvidas. Este fenmeno denominado de alotropia ou polimorfismo. Metais de grande importncia industrial como o ferro, o

Figura 3.9. Estrutura HC

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titnio e o cobalto apresentam transformaes alotrpicas em temperaturas elevadas. A tabela 3.3 mostra alguns metais que exibem variaes alotrpicas e suas temperaturas de transformao. A variao alotrpica encontrada em cristais de ferro pode ser considerada como um clssico exemplo de polimorfismo. Esta variao alotrpica muito importante em processos metalrgicos, pois permite a mudana de certas propriedades do ao (Fe + C), atravs de tratamentos trmicos.

encontrado como diamante, que o material mais duro na natureza e na grafite, um material de baixssima dureza, que pode ser usado como lubrificante. O diamante duro porque todas as suas ligaes so covalentes. Por outro lado, a grafite tem ligaes covalentes apenas em alguns planos. Estes planos so agregados a outros planos atravs de foras secundrias e assim, fcil provocar o deslizamento dos mesmos. A figura III.10 apresenta as estruturas do diamante e da grafite.

Tabela .3.3. Formas alotrpicas de alguns metais. Metal Estrutura na temp. ambiente CFC HC HC CCC CCC CCC HC HC HC HC Em outras temperaturas CCC (>4470C) CFC (>4270C) CFC (>17420C)
CFC (912-1394 C) 0 CCC (>1394 C)
0

Ca Co Hf Fe Li Na Tl Ti Y Zr

Figura 3.11- Estrutura: a-diamante b- grafite

HC (<-193 C) HC (<-2330C) CCC (>2340C) CCC (>8830C) CCC (>14810C) CCC (>8720C)

3.1.2. Estrutura Cermicos

Cristalina

dos

Materiais

O ferro apresenta os arranjos CCC e CFC na faixa de temperaturas que vai da temperatura ambiente at a temperatura de fuso do mesmo (15390C). O ferro a existe de -273 a 9120C e tem estrutura cristalina CCC. Entre 768 e 9120C, o ferro a deixa de ser magntico e, algumas vezes, chamado de ferro b. O ferro g existe de 912 a 13940C e tem estrutura CFC. O ferro d existe de 1394 a 15390C, apresentando, novamente, estrutura CCC. A diferena entre as estruturas CCC do ferro a e do ferro d reside no valor do parmetro de rede dos dois casos. Na faixa de temperaturas mais baixa, o parmetro de rede menor. Um outro exemplo clssico de polimorfismo a variao alotrpica do carbono. Este elemento

A estrutura dos materiais cermicos pode ser extremamente complexa medida que um nmero elevado de tomos, com diferentes funes, pode formar a mesma. Tal estrutura, como de outros materiais (metlicos e polimricos) determinada pela natureza das ligaes atmicas presentes, bem como das caractersticas dos elementos envolvidos em tais ligaes. Na maioria dos materiais cermicos, a estrutura resultado da quantidade relativa de ligaes inicas e covalentes presentes. As parcelas inica e covalente dependem basicamente da eletronegatividade dos tomos envolvidos. O carter inico ou covalente define, em parte, o tipo de estrutura que o composto cermico exibe. Como na maioria dos compostos cermicos o carter inico predominante, a estrutura dos mesmos determinada por dois fatores fundamentais. No caso de compostos inicos simples, do tipo AB, o arranjo dos ons definido pelos seguintes fatores: a. A relao entre os raios do ction e do nion;

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b. A necessidade de existir um balano de cargas no slido inico. Como os slidos inicos exibem tendncia a formar estruturas altamente compactas, o limite de tal compactao dado pela relao entre raios inicos e pelo balano eletrosttico dos ons envolvidos. Alm disso, para que a ligao inica ocorra necessrio que os ctions e nions estejam em contato. Assim, para o caso de uma estrutura onde os ons so iguais, fcil perceber que o nmero de coordenao ser igual a 12 (estruturas CFC ou HC). Se os ons so diferentes, o N.C. depender da relao entre seus raios r/R, onde r o raio do ction e R do nion. Existe uma relao (r/R)ideal, onde o ajuste geomtrico perfeito, como mostra a tabela 3.4. Quando as dimenses dos ons so comparadas, observa-se que os nions so, geralmente, maiores que os ctions. Este fato est relacionado fora que o ncleo exerce em relao a eletrosfera. Com a perda de eltrons (gerando ctions), os eltrons restantes so atrados em direo ao ncleo de maneira mais forte, o que reduz o raio inico. O fenmeno oposto, ou seja, o aumento do raio inico ocorre com o ganho de eltrons e a formao de nions. A tabela 3.5 exibe valores do raio inico de alguns ctions e nions formadores de estruturas cermicas simples. Tabela 3.4.Nmero de coordenao para as relaes entre raios metlicos ou inicos. Nmero de Coordenao 3 4 6 8 12 Relao (r/R)ideal

Tabela 3.5. Raios inicos de alguns ctions e nions. Ction Cs+ K+ Na+ Ni2+ Mg2+ Mn2+ Raio Inico (nm) 0,170 0,138 0,098 0,069 0,072 0,067 nion BrClFIS2O2Raio Inico (nm) 0,196 0,181 0,133 0,220 0,184 0,140

Exemplos de Estrutura Cristalina dos Materiais Cermicos

Materiais com ligaes inicas

Estrutura do NaCL

Figura 3.12. Diagrama da ligao inica - Cloreto de Sdio

0,155 0,225-0,414 0,414-0,732 0,732-1,00 1,00

r/R= 0,564 N.C = 6

Neste tipo de estrutura existe um nmero equivalente de ctions e nions. O nmero de coordenao, que obtido da relao r/R e resulta no valor de 0,564 conforme dados obtidos na tabela V.5, igual a 6. Como o nmero de ctions igual ao de nions, o nmero de

14

coordenao 6 igual para ambos os ons. A estrutura desse composto gerada a partir de um arranjo CFC dos nions, tendo em seus interstcios, os ctions, como mostra a figura 3.11. Alm do NaCl, o MgO, o MnS e o LiF tambm apresentam este tipo de arranjo estrutural.

3.1.3. Estrutura Cristalina dos Silicatos Os silicatos constituem a classe de maior importncia, representando cerca de 25% dos minerais conhecidos e quase 40% dos minerais comuns. Os silicatos constituem cerca de 95% do volume da crosta terrestre, dos quais cerca de 59,5% so representados por feldspatos, 16,8% por anfiblios e piroxnios, 12% por quartzo e 3,8% pelas micas, os outros minerais (silicatos e no silicatos) perfazendo o volume de aproximadamente 7,9%. Dessa maneira, a grande maioria das rochas formada por silicatos, sendo raras as rochas magmticas, metamrficas e sedimentares que no possuem como minerais essenciais silicatos. Assim sendo, impossvel classificar rochas sem possuir uma boa base de mineralogia dos silicatos.Muitos materiais cermicos tm estruturas do tipo silicato. Muitos minerais que aparecem na natureza tais como argila, feldspato, talco, micas so silicatos. 3.1.3.1. Unidade estrutural bsica do Silicato

Materiais com ligaes covalentes

Figura 3.13a. Estrutura do diamante

As estruturas de silicatos restringem-se ao silcio tetracoordenado, tetradrico, exceto em fases estveis sob altas presses, bastante raras. A unidade [SiO4] formada por um tomo de silcio no centro e os tomos de oxignio nos vrtices. Cada tomo de oxignio compartilhado contribui com um eltron em cada ligao ao silcio, portanto cada oxignio terminal, isto , no compartilhado, provoca o aparecimento de uma carga negativa na unidade. Assim, o
4-

ortossilicato descrito como [SiO4] [1].

Figura 3.13b. Estrutura cristalina do SiO2 Os materiais cermicos formados estritamente por ligaes covalentes apresentam altos pontos de fuso e elevada dureza. Estas propriedades so oriundas da alta fora de ligao e da simetria da estrutura.

4-

Figura 3.14. Estrutura do ortossilicato [SiO4]

15

3.1.3.1. Principais estruturas dos silicatos

Metassilicato ( Si2O7) -6 : Quando dois radicais ortossilicato se ligam entre si, usando um oxignio como ponte. Exemplo: Ca2Mg Si2O7

Estrutura Tridimensional SiO2 : Cada Silcio est cercado por quatro oxignios e cada oxignio est ligado por dois tetraedros.

Exemplo: Quartzo e Tridimita


Silcio Oxignio

(a)

Cristobalita

(b) Tridimita

Figura 3.18. Estrutura do metassilicato Piroxnios (SiO3) -2: Unidades de (SiO4) -4 unidas em cadeias Exemplo:Mg SiO3 (enstetita)

Figura 3.15. Estrutura cristalina da Cristobalita e tridimita. Ortossilicato (SiO4) -4 : um tomo de silcio se liga a 4 tomos de oxignio Exemplo: Mg2SiO4 (fosterita)

Estrutura em Cadeias simples (piroxnios)

Figura 3.16. Estrutura do ortossilicato Estrutura em cadeias duplas (anfiblios)

Figura 3.19. Estrutura dos silicatos em cadeia simples e duplas.

16

Estrutura em Camada: Quando os trs tomos do tetraedro (SiO4)-4 esto ligados a trs tetraedros, formando uma estrutura lamelar. Exemplo: Argilominerais, talco

a- Grupo tetradrico silcio Figura 3.20. Estrutura lamelar b- Lmina tetradrica

3.3. Estruturas dos argilominerais

Argilominerais definio: aluminossilicatos hidratados que podem ser dispersos em partculas finas e desenvolvem plasticidade quando misturados com gua. Exemplos: caulinita, halloysita, montmorillonita, mica, ilita, etc... pirofilita,

As estruturas cristalinas dos argilominerais so constitudas por camadas tetradricas de silcio (tetracoordenado) e octadricas de alumnio (hexacoordenado). Os vrtices dos grupos tetradricos e octadricos so compostos por tomos ou ons oxignio e por ons hidroxila, que esto ao redor de pequenos ctions, principalmente Si4+ e Al3+, ocasionalmente Fe3+ e Fe2+, nos grupos tetradricos Al3+, Mg2+, Fe2+, Fe3+, Ti4+, ocasionalmente Cr3+, Mn2+, Zn2+, Li+, nos grupos octadricos, geralmente com um certo grau de substituio isomrfica. Essas substituies isomrficas so responsveis pelo excesso de cargas eltricas negativas na superfcie das plaquetas.

c- Grupo octadricos alumnio d- Lmina octadricas

Figura 3.21. Modelo esquemtico da camada estrutural bsica de uma argila

Modelo estrutural de um argilomineral tipo 1:1.

17

Tipo: Silicatos de alumnio anidros Composio: K2OAl2O36SiO2 (ortoclsio) K2OAl2O36SiO2 (albita), CaOAl2O32SiO2 (anortita) Reaes: 800-1000C apresenta uma composio prxima do euttico (ortoclsio, feldspato potssico)

Figura 3.22. Modelo estrutural de um argilomineral tipo 1:2.

Propriedades e aplicao: Fundentes, insolveis em gua, formadores de fase vtrea em corpos cermicos e esmaltes

3.1.4. Estrutura dos principais argilominerais Tabela 3.7. Formulas qumicas dos feldspatos Caulinita
Mineral Ortoclsio Frmula qumica (estrutural ou em xidos) K(AlSi3)O8 ou 1/2K2O1/2Al2O33SiO2 Na(AlSi3)O8 ou 1/2Na2O1/2Al2O33SiO2 Ca(Al2Si2)O8 ou CaOAl2O32SiO2

Tipo: Silicato de alumnio hidratado de estrutura lamelar, argilomineral. Estrutura 1:1 Composio: Al 2(Si2O5)(OH)4 Reaes: >500C se decompe em metacaulinita, Al2O32SiO2 >900C forma mulita, 3Al2O32SiO2, e alumina >1150C forma cristobalita Propriedades e aplicao: Plasticidade na etapa de conformao

Albita Anortita

7,1

Figura 2.24. Estrutura da caulinita

18

3.2. CRISTALOGRAFIA E DETERMINAO DE ESTRUTURAS CRISTALINAS

3.2.1. Posies, Direes e Planos em Cristais Freqentemente, necessrio identificar posies, direes e planos em um cristal. Isto particularmente importante no caso de metais e suas ligas, que apresentam propriedades que variam com a orientao cristalogrfica. Por exemplo, a existncia de determinados conjuntos de planos e direes definidos como compactos, desempenham importante papel durante a deformao plstica de metais. A existncia de propriedades dependentes da orientao cristalogrfica resulta na necessidade de se determinar posies, direes e planos em um cristal.

figura 3.29- Posies atmicas de uma clula CCC Direes em Cristais Cbicos No sistema cbico, as direes cristalogrficas so obtidas a partir das componentes da direo em questo, tomadas nos trs eixos cartesianos. Para indicar esquematicamente uma direo em uma clula unitria, desenha-se um vetor que parte da origem e atinge a posio definida pelas coordenadas consideradas. Assim, para se obter uma direo em um cristal, deve-se observar que: a. Os eixos cristalinos so utilizados como direes bsicas; b. As coordenadas de um ponto so medidas em relao ao parmetro de cada eixo e assim, no representam valores reais de distncia; c. A direo [222] idntica direo [111] e dessa forma, a combinao dos menores nmeros inteiros deve ser utilizada; d. As direes negativas so indicadas com um trao sobre o ndice; e. Uma direo representada por ndices entre colchetes. Por exemplo, considerando a figura 3.30, as coordenadas do vetor OR, que passa pela origem so (1,0,0). Assim, a direo do mesmo passa a ser [100]. As coordenadas do vetor OT so (1,1,1) e sua direo dada por [111].

Posies em Cristais Cbicos A localizao de posies atmicas em uma clula unitria de um cristal cbico obtida pelo uso de um sistema de eixos cartesiano. Em cristalografia, o eixo x a direo perpendicular ao plano do papel, o eixo y a direo direita do papel e o eixo z a direo para cima, como mostra a figura 3.29. As direes negativas destes eixos so opostas s direes mencionadas. As posies atmicas em uma clula unitria so definidas pelo uso de unidades de distncias ao longo dos eixos x, y e z. Por exemplo, as coordenadas das posies atmicas em uma clula CCC so mostradas na figura 3.29. As posies dos tomos nos oito vrtices do cubo tm as coordenadas: (0,0,0), (1,0,0), (0,1,0), (0,0,1), (1,1,1), (1,1,0), (1,0,1) e (0,1,1).

19

famlia de planos, como a dos que passam pelas faces do cubo ou (100), (010), (001), etc, representada pela notao {100}. Da mesma forma, a famlia de planos que dividem o cubo em duas partes iguais dada por {110}.

Planos em Cristais Cbicos Figura 3.30 Direes em clulas unitrias cbicas Planos em Cristais Cbicos Em determinadas situaes necessrio definir planos atmicos dentro de uma estrutura cristalina. Para identificar planos cristalinos em cristais cbicos, o sistema de notao dos ndices de Miller deve ser utilizado. Os ndices de Miller de um plano cristalino so definidos como sendo os inversos das coordenadas de interceptao do plano com os eixos x, y e z. O procedimento bsico para determinar os ndices de Miller para um cristal cbico so: a. Escolha de um plano que no passe pela origem (0,0,0); b. Determinao dos pontos de interceptao do plano com os eixos x, y e z; c. Obteno dos inversos das interceptaes; d. Obteno dos menores nmeros inteiros para representar o plano; e. Apresentao dos ndices obtidos entre parnteses. Genericamente, as letras h, k e l so usadas para indicar os ndices de Miller de um plano, o que resulta em (hkl). A figura 3.31 mostra trs dos mais importantes planos das estruturas cbicas. Considerando o plano indicado na figura 3.31..a, nota-se que o mesmo intercepta x em 1, y em e z tambm em . Tomando os inversos pode-se obter os ndices de Miller, que resulta em (100). Como estes ndices no envolvem fraes, os mesmos so usados para representar o referido plano. Considerando o plano da figura 3.31.b., observa-se que o mesmo intercepta os eixos em 1, 1 e . Os inversos fornecem 1, 1 e 0, que resultam em (110). Finalmente, o plano apresentado pela figura 3.31.c intercepta os eixos em 1, 1 e 1, que resulta nos ndices de Miller (111). Quando necessrio representar um conjunto de planos equivalentes dentro de um cristal, so utilizadas as famlias de planos. Uma Em determinadas situaes necessrio definir planos atmicos dentro de uma estrutura cristalina. Para identificar planos cristalinos em cristais cbicos, o sistema de notao dos ndices de Miller deve ser utilizado. Os ndices de Miller de um plano cristalino so definidos como sendo os inversos das coordenadas de interceptao do plano com os eixos x, y e z. O procedimento bsico para determinar os ndices de Miller para um cristal cbico so: a. Escolha de um plano que no passe pela origem (0,0,0); b. Determinao dos pontos de interceptao do plano com os eixos x, y e z; c. Obteno dos inversos das interceptaes; d. Obteno dos menores nmeros inteiros para representar o plano; e. Apresentao dos ndices obtidos entre parnteses. Genericamente, as letras h, k e l so usadas para indicar os ndices de Miller de um plano, o que resulta em (hkl). A figura 3.31 mostra trs dos mais importantes planos das estruturas cbicas.

,1, 0, 1, 0 (010)

11, 1, 1, 0 (110)

1 ,1, 1 1, 1, 1 (111)

Figura 3.31.- Principais planos das estruturas cbicas: (010), (110) e (111)

20

Densidade Atmica em Cristais


Dentre os planos e direes de um cristal, alguns revelam ser mais compactos, ou seja, possuem mais tomos por unidade de comprimento ou de rea. Assim no sistema CS, as direes mais compactas so as da famlia <100> e os planos mais compactos so os da famlia {100}. A definio de uma direo compacta envolve a definio de densidade linear de tomos. Esta densidade obtida determinando o nmero de tomos que efetivamente esto contidos em um determinado comprimento. Assim, a densidade linear da famlia de direes <100>, no sistema CS (figura 3.33) igual a:

Fi gura 3.32. Plano e direo 100 da estrutura cbica

D linear

1 1 + n o de atomos 1 2 2 = = = comprimento a a
(III.9)

simples

Da mesma forma, um plano compacto determinado calculando-se o nmero de tomos que efetivamente ocupam uma certa rea. Assim, a densidade planar de tomos da famlia de planos {100}, no sistema CS (figura 3.33 igual a:)
1 1 1 1 + + + n o de atomos 4 4 4 4 = 1 = = area a2 a2

Os planos e direes compactos so importantes porque desempenham papel significativo no estudo da deformao plstica de metais. Os tomos de um cristal solicitado mecanicamente escorregam ao longo de planos compactos, seguindo direes compactas.

3.2.2. Anlise de Estruturas Cristalinas


Dplanar

Grande parte do conhecimento adquirido sobre estruturas cristalinas resultado da utilizao de tcnicas de difrao de raios-X. Estas tcnicas permitem obter informaes detalhadas sobre dimenses, presena de defeitos e orientao da rede cristalina. O uso do raios-X no estudo de cristais deve-se ao fato de que esta radiao tem comprimento de onda prximo aos valores de distncias entre planos cristalinos. A utilizao de raios-X iniciou-se logo em seguida a sua descoberta em 1895, por Roentgen. Apesar de, naquela poca, a natureza desta radiao no ser conhecida em detalhes (razo do nome "raios-X"), o raios-X foi ento, aplicado em estudos da estrutura interna de materiais opacos (radiografia) devido ao seu alto poder de penetrao. Desde aquela poca, esta radiao era conhecida por propagar-se em linha reta, sensibilizar filmes fotogrficos e apresentar velocidade de propagao definida. Os raios-X empregados em tcnicas de difrao so ondas eletromagnticas com comprimento de onda na faixa de 0,05 a 0,25nm (0,5 a 2,5 ). Como

21

comparao, o comprimento de onda da luz visvel da ordem de 600nm (6.000 ).

3.2.2.1. Obteno de Raios-X


A obteno de raios-X para difrao envolve a aplicao de tenses da ordem de 35kV entre um catodo e um anodo, dentro de um sistema apresentando alto vcuo. A figura 3.33 mostra um diagrama esquemtico de um equipamento de raios-X.

Figura 3.33. Diagrama esquemtico de um sistema de gerao de raios-X. O funcionamento do mesmo bastante simples: Ao ser aquecido, o filamento de tungstnio (catodo) libera eltrons por emisso termo-inico. Devido elevada diferena de potencial (35kV), os eltrons liberados so acelerados, ganham energia cintica e movimentam-se em direo ao anodo (molibdnio). Ao colidirem com o anodo, tais eltrons provocam a emisso de raios-X. Entretanto, em torno de 98% da energia cintica dos eltrons transformada em calor, o que torna necessrio o emprego de um sistema de refrigerao do anodo.

Se um feixe de raios-X monocromtico (freqncia nica) incide sobre um tomo isolado, eltrons do mesmo so excitados e vibram com a mesma freqncia do feixe incidente. Tais eltrons em vibrao emitiro raios-X em todas direes com a mesma freqncia do feixe incidente. Assim, o tomo isolado espalha o feixe incidente em todas as direes. Entretanto, quando o mesmo feixe incide sobre um conjunto de tomos ordenados, como o caso da estrutura cristalina e se este feixe monocromtico tiver comprimento de onda com valor semelhante aos espaamentos entre tais tomos, ento ocorrer interferncia construtiva em algumas direes e destrutiva em outras. A figura 3.34 ilustra casos de interferncia destrutiva (figura 3.34.a) e construtiva (figura 3.34.b). Observando esta mesma ilustrao (figura III.19.c), nota-se que a interferncia construtiva de dois raios monocromticos (raio 1 e 2) ocorrer quando os mesmos permanecerem em fase. Isto acontecer quando o raio 2 percorrer uma distncia extra MP+PN, equivalente a um nmero inteiro de comprimentos de ondas (l). Ento:

nl = MP + PN
(IIII.11) onde n=1,2,3,... e chamado ordem de difrao. Como MP e PN so iguais a dhlksenq, onde dhlkl a distncia entre dois planos com ndices (hkl), a condio necessria para ocorrer interferncia construtiva dever ser:

nl = 2 d hkl senq
(III.12) Esta equao conhecida como lei de Bragg e relaciona comprimento de onda (l) e ngulo do feixe (q) de raios-X incidente e distncia interplanar dhkl. Como na maioria dos casos a ordem de difrao 1, a lei de Bragg torna-se igual a:

3.2.2.2. Difrao de Raios-X Em 1912, a partir da teoria eletromagntica da luz, foi possvel prever que o raios-X podia ser difratado por estruturas cristalinas. Este fato foi inicialmente implementado experimentalmente na investigao da estrutura cristalina do NaCl, KCl e KBr. At aquela poca, a estrutura cristalina de metais era desconhecida.

l = 2 d hkl senq

(III.13)

A tabela 3.8 apresenta a relao entre espaamento interplanar (dhkl), parmetros da clula unitria (a, b, c), ngulos a (entre os eixos y e z), b (entre os eixos x e z) e g (entre os

eixos x e y) e planos cristalinos (h k l).

22

Tabela 3.8 Relao entre parmetros de difrao de raios-X e os de planos cristalinos.


SISTEMA CRISTALINO CBICO
1 d
2 2 + k 2 + l 2 Um cruzeiro = h a2

3.2.2.4. Anlise De Estruturas Cbicas Um ensaio de raios-X executado com o emprego de um dispositivo denominado de gonimetro, conforme mostra a figura III.20. Nesse equipamento, a amostra colocada no ponto O e girada para que o ngulo de incidncia do feixe de raios-X (T) seja variado. O feixe de raios-X difratados medido atravs do detector C. Em funo das caractersticas de um gonimetro, em geral, o ngulo de difrao medido como 2q. A figura 3.36 apresenta um difratograma resultante de um ensaio de raios-X do tungstnio. A intensidade de difrao maior para os planos de alta densidade de tomos. Como, geralmente, a distncia entre planos compactos grande, a anlise da equao III.13, permite concluir que os planos de maior intensidade de difrao correspondem a baixos ngulos. Na anlise de estruturas cbicas, apenas alguns planos podem provocar difrao. No caso das estruturas CCC, a difrao possvel quando a soma dos ndices de Miller resulta em um nmero par. Para as estruturas CFC, a difrao ocorre quando todos os ndices so pares ou todos so impares. A tabela III.4 mostra os planos de difrao nas estruturas cbicas. Tabela 3.9. Famlia de planos em estruturas cbicas que provocam difrao. Planos I. Miller (h2+k2+l2) Planos de Difrao {hkl} CCC CFC {100} 1 {110} 2 1 {111} 3 1 {200} 4 2 2 {210} 5 {211} 6 3 {220} 8 4 3 {221} 9 {310} 10 5

RELAO

TETRAGONAL

1 d2

2 + 2 2 = h 2 k + l 2 Dois cruzeiros a c

HEXAGONAL

1 d
2

4 h 2 + hk + k 2 l2 + 2 Trs 2 3 a c

cruzeiros

a- raios refletidos no em fase, por isto no haver reflexo, interferncia destrutiva.

b- raios refletidos em fase, por isto haver reflexo, interferncia construtiva.

Figura 3.34. Reflexo de raios-X de natureza monocromtica por planos de um cristal.

23

Como l e a so constantes, ento:

Amostra Fonte

h 1 2 + k 1 2 + l1 2 sen 2 q1 = sen 2 q 2 h 2 2 + k 2 2 + l2 2
(III.16) Onde q1 e q2 esto associados aos principais planos de difrao. A aplicao da equao III.16 associada tabela III.4 permite prever que os dois primeiros planos de uma estrutura CCC resulta no valor sen2q1/sen2q2=0,5. No caso das estruturas CFC, a relao sen2q1/sen2q2=0,75. Exemplo de Exerccios: Um espectro de difrao de raios-x de um elemento com estrutura cristalina apresentam os seguintes picos de difrao para os seguintes valores de ngulo: Pico 1o 2o 3o 4o ngulo de difrao (2q) 40,00 58,00 73,00 86,8

Detector
Figura. 3.35. Gonimetro empregado em ensaios de difrao de raios-X

A tcnica de difrao de raios-X pode ser facilmente empregada para diferenciar estruturas CCC e CFC. Analisando a tabela 3.9, observa-se que para as estruturas cbicas vale a relao:

1 h2 + k 2 + l2 = d2 a2
(III.14)

Obs : Comprimento de onda l = 0,154056 nm

12000 Intensidade do feixe 10000 8000 6000 4000 2000

Figura 3.36. tungstnio

Difratograma

de

raios-X

do

0 0 20 40 60 80 100 120 Angulo de Difrao 2O

Combinando as equaes III.13 e III.14 e elevando ambos os lados ao quadrado, pode-se obter:

Com base nos dados acima determine: 1 - a estrutura cristalina 2 - a distancia interplanar entre do 1o Pico 3 - o parmetro de rede(aresta) 4- o raio do metal 5- o metal

s en 2 q =

l2 h 2 + k 2 + l2 2 4a

(III.15)

24

1 Para determinar a estrutura devemos calcular a relao entre o quadrado do seno do ngulo do 1 pico com o quadrado do 2. Pico 1 2 3 2q

Comparando o raio calculado com uma tabela de raio atmico, observamos que o metal o tungstnio. 3.2.2.4. Identificao de minerais

q 40,00 58,00 73,00


20 29 36

Para identificar um mineral ou argilomineral devemos comparar os picos do difratograma com padres conhecidos. O difratograma uma digital do material. Os trs picos mais intensos so utilizados para

(sen 20)2 = 0,117 (sen29)2 0,235

= 0,498 = 0,5

iniciar o procedimento de identificao, na sua ordem de intensidade, comparando-os com

A estrutura CCC pois o quociente 0,50.

dados dos arquivos PDF (powder difraction file do ICDD, International Centre for Diffraction

2-Utilizando

esta

equao

l = 2 d hkl senq ,

Data, www.icdd.com). Se elas coincidirem com uma substncia, as posies e intensidades dos demais picos so comparadas com as do arquivo.

podemos determinar a distncia interplanar

dhkl =

. l . 2.senq 0,154056 nm = 0,225 nm 2.sen 20

d110=

3- Para calcular o parmetro de rede(aresta) devemos utilizar a formula: 1 h2 + k 2 + l 2 = d2 a2

a = dhkl. (h2 + k2 +l2) 0,5


O valor de h , k e l, determinado na tabela 3.9 na pagina 23.

Figura 3.8. Difratograma de raios-x do BaSO4


2 2 2 0,5

a = 0,225.(1 +1 +0 )

a= 0,225.(2) 0,5 = 0,3185nm a= 4R/ 30,5 R= a. 30,5 = 0,318. 1,732 = 0,1377nm 4 4

25

Tabela 3.10- Distancia Interplanar dos picos de identificao de alguns minerais e argilominerais.
distancias interplanares difratadas

Mineral Caulim Ilita 2m Moscovita Ilita 1m Vermicosita Albita Ortoclase Leocita Nefekina Corderita Calcita Mulita Dolomita Magnetita Talco Montimorilonita Wolastonita Arnotita Quartzo Cristobalita Tridimita Fosterita Esteatita

d 7,13 2,56 10,1 4,43 14,2 3,18 3,31 3,27 3 4,13 3,04 3,39 2,89 2,74 9,35 13,6 2,98 2,85 3,34 4,05 4,27 2,46 2,87

int x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x

d 3,56 4,49 3,36 2,56 1,53 3,75 3,77 3,44 3,83 8,54 2,29 3,43 2,19 2,1 1,53 4,47 3,32 1,75 4,26 2,49 4,08 3,88 3,17

int x 7 x 6 7 3 8 9 8 8 2 x 5 5 6 2 3 4 4 2 9 7 8

d int 4,41 6 3,35 7 4,49 9 3,66 8 4,57 6 3,21 3 4,22 7 5,38 8 3,26 8 8,45 8 2,1 2 2,21 6 1,79 4 1,7 4 4,59 5 3,34 1 3,52 2 3,07 3 1,82 2 2,84 1 3,8 9 2,51 7 3,15 5

26

CAP IV - IMPERFEIES DA ESTRUTURA CRISTALINA


4.1. INTRODUO Durante a solidificao, os Materiais sofrem o rearranjo de seus tomos que determina a estrutura cristalina dos mesmos. Dependendo do modo com que o lquido transforma-se em slido, podem ocorrer defeitos no empilhamento e organizao dos tomos, resultando em imperfeies estruturais. O tipo e a quantidade destas imperfeies afetam decisivamente algumas propriedades e o comportamento dos materiais cristalinos. Com exceo de alguns poucos produtos conformados por sinterizao (metalurgia do p), todos os produtos metlicos passam necessariamente pelo processo de solidificao, em algum estgio de sua fabricao. Em geral, o processo de solidificao pode ser dividido em duas etapas: a. Formao de embries de cristais estveis dentro do lquido ou etapa de nucleao, como mostra figura 4.1; b. Transformao dos ncleos em cristais, ou etapa de crescimento.

crescimento no-controlados. O primeiro caso envolve situaes onde existe a necessidade de se produzir um slido, onde a caracterstica principal do mesmo a qualidade do arranjo cristalino. Esta situao geralmente encontrada na obteno de insumos bsicos para microeletrnica, onde a necessidade de monocristais perfeitos de silcio, acineto de glio, etc, fundamental. 4.2. Imperfeies Estruturais As estruturas cristalinas analisadas at aqui apresentam como caracterstica bsica, arranjos cristalinos muito bem definidos. Entretanto, os cristais observados na prtica nunca so totalmente perfeitos, exibindo defeitos de diversas naturezas. Tais imperfeies afetam diretamente vrias caractersticas dos materiais, como os parmetros envolvidos na deformao plstica, na condutividade eltrica de semicondutores, na corroso em metais e em processos de difuso atmica. As imperfeies presentes em estruturas cristalinas podem ser de trs tipos bsicos, quais sejam: defeitos pontuais; defeitos em linha; defeitos de superfcie. 4.2.1. Defeitos Pontuais Os cristais podem apresentar defeitos em pontos isolados de sua estrutura, dando lugar s imperfeies de ponto. Dentre as imperfeies pontuais, as mais importantes so: vacncias ou vazios; tomos intersticiais; tomos substitucionais.. O tipo de defeito mais simples a vacncia. As vacncias so vazios pontuais causados pela ausncia de tomos em algumas posies da rede cristalina, como mostra a figura 4.2. Este tipo de defeito pode ser produzido durante o processo de solidificao, como resultado de perturbaes locais no crescimento do cristal. Uma outra causa destas imperfeies o rearranjo atmico de um cristal j existente, devido mobilidade de seus tomos. Nos metais, a concentrao de vacncias raramente passa de 1 para cada 104 tomos. As vacncias podem

Figura 4.1 Nucleao estruturas cristalinas.

crescimento

das

A transformao lquido/slido e a conseqente formao da estrutura cristalina observada na prtica em duas situaes diferentes, quais sejam: solidificao com nucleao e crescimento controlados e solidificao com nucleao e

27

ainda ser resultantes da deformao plstica, do resfriamento rpido e do bombardeamento da rede cristalina por partculas atmicas, como

nutro

Figura 2.1. Defeito pontual - Vacncia Em cristais inicos, os defeitos pontuais exibem carter mais complexo devido necessidade de manter a neutralidade eltrica do sistema. Mesmo assim, pode-se observar defeitos estruturais, como o caso em que dois ons de cargas opostas perdidos dentro da estrutura entram em contato, criando uma vacncia dupla. Este tipo de defeito conhecido como imperfeio de Schottky. Quando um on positivo move-se para uma posio intersticial do cristal inico, uma "vacncia ction" criada, conhecida como imperfeio de Frenkel. Os defeitos de Schottky e Frenkel so mostrados na figura 4.3 A presena dos defeitos de Schottky e Frenkel em cristais inicos aumenta a condutividade eltrica dos mesmos.

Figura 4.4. Defeitos de Frenkel e Schottky.

Uma outra classe de defeitos so os tomos substitucionais e intersticiais estranhos rede cristalina. Os tomos intersticiais so imperfeies causadas pela presena de tomos estranhos nos interstcios da rede cristalina e os tomos substitucionais so defeitos provocados

pela existncia de tomos estranhos nos prprios vrtices da rede cristalina, em substituio aos tomos que al deveriam estar se no existissem vacncias. Defeitos dessa natureza podem modificar o comportamento de certas propriedades. Por exemplo, a presena de uma quantidade muito pequena de tomos estranhos rede cristalina do silcio pode afetar, de modo significativo, a condutividade eltrica do mesmo. Estes dois tipos de defeitos pontuais so freqentemente observados durante a formao das ligas metlicas, na forma de solues slidas. Na maioria das aplicaes de engenharia, a necessidade de propriedades especficas, faz com que o uso de materiais metlicos nem sempre esteja restrito aos metais puro. Na verdade, apenas em um nmero bastante limitado de aplicaes, os metais podem ser encontrados na forma pura ou quase pura. Por exemplo, o cobre de alta pureza (99,99%) usado na confeco de fios eltricos devido a sua elevada condutividade eltrica. O alumnio superpuro (99,99%) usado na fabricao de objetos decorativos, pois o mesmo permite obter uma superfcie melhor acabada. Por outro lado, a maioria dos materiais metlicos usados em engenharia, esto combinados com outros metais ou no-metais. Estas combinaes, denominadas de ligas metlicas, tm o objetivo de aumentar a resistncia mecnica, a resistncia corroso ou melhorar outras propriedades. Uma liga metlica, ou simplesmente uma liga, a mistura de dois ou mais metais ou metais e no-metais. Estas ligas podem ter estruturas relativamente simples, como a de uma pea de bronze. O bronze essencialmente uma liga binria (dois metais), contendo 70% em peso de Cu e 30% em peso de Zn. Por outro lado, certas ligas podem ser extremamente complexas como as superligas base de nquel, denominadas comercialmente de Inconel 718 e usadas na confeco de peas de motores a jato. Estas ligas contm nominalmente em torno de 10 elementos. Um outro exemplo de liga metlica pode ser observado no ao, onde as estruturas CFC e CCC do ferro abrigam tomos de carbono. Esta combinao permite obter um material extremamente verstil, com aplicaes bastante diversificadas. O tipo mais simples de liga metlica aquele que forma uma soluo slida. Uma soluo slida um slido que consiste de dois ou mais elementos atomicamente dispersos em uma

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estrutura monofsica. Em geral existem dois tipos de solues slidas: substitucional e intersticial. Nas solues slidas substitucionais formadas por dois elementos, os tomos do soluto podem ser substitutos dos tomos do solvente na rede cristalina. Na figura 3.4 mostrado um plano (111) de um cristal CFC contendo tomos do soluto substituindo os tomos do solvente. Neste caso, a estrutura do solvente no alterada, sendo comum a distoro da rede cristalina, j que os tomos do soluto nem sempre exibem o mesmo dimetro atmico dos tomos do solvente. A frao de tomos de um elemento que pode ser dissolvida em outro, definida como solubilidade. O termo solubilidade significa a quantidade de um certo material A (soluto) que pode ser dissolvido em outro B (solvente) e varia de um valor muito pequeno, prximo de zero, at 100%. A solubilidade dada em "% peso" e "% atmica". Assim, uma liga cobre-zinco com 20% em peso de zinco, possui, em 100 gramas da liga, 20 gramas de zinco e 80 gramas de cobre. Do mesmo modo, uma liga com 20% em tomos de zinco apresenta em cada 100 tomos de liga, 20 tomos de zinco e 80 tomos de cobre. Como as densidades dos materiais so diferentes, evidente que 20% de zinco em peso no correspondem a 20% de zinco em tomos. Para o caso de formao de uma soluo slida substitucional, a solubilidade de um elemento em outro ser elevada, desde que as seguintes condies sejam satisfeitas: a. Os raios dos tomos dos dois elementos no devem diferir em mais de 15%; b. A estrutura cristalina dos dois elementos deve ser a mesma; c. No deve existir diferena significativa entre a eletronegatividade dos dois elementos, assim compostos no sero formados; d. Os dois elementos devem ter a mesma valncia. Na tabela 4.1 observa-se que a facilidade de um elemento dissolver-se em outro, maior se o seu dimetro for prximo do dimetro do solvente, no caso o cobre.

Tabela 4.1. Solubilidade de elementos CFC no cobre, em funo de seus raios atmicos.
SOLUTO SOLVENT E RELAO DE RAIOS SOLUBILIDAD E % % AT PESO Ni (CFC) Cu (CFC) 1,24 =0,98 1,27 Al (CFC) Cu (CFC) 1,43=1,12 1,27 Ag (CFC) Cu (CFC) 1,44=1,14 1,27 Pb (CFC) Cu (CFC) 1,75=1,37 1,27 0 0 8 6 9 19 100 100

Figura 3.4. Plano (111) de um cristal CFC com o soluto substituindo o solvente.

O soluto intersticial o que fica nos "vos" da matriz. Estes vos ou vazios so chamados de interstcios. As solues slidas intersticiais so formadas quando um tomo muito maior que o outro. Por exemplo, o ferro a 10000C apresenta estrutura CFC com o maior vo de dimetro igual a 1,0 . Assim estes "buracos" abrigam facilmente o hidrognio (d=0,9 ), o boro (d=0,92 ) e com certa dificuldade, o carbono (d=1,5 ). Entretanto, apesar dessa diferena, um mximo de 2,08 % em peso de carbono pode ser dissolvido intersticialmente no ferro a 11480C. A figura 4.5 ilustra esquematicamente a distoro da rede cristalina do ferro quando o carbono ocupa posies intersticiais na mesma. Na figura 4.6 so apresentadas as estruturas CFC e CCC do ferro,

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com os interstcios tetradricos e octadricos. Apesar da clula unitria CCC apresentar diversos vos, a solubilidade de carbono no Fe maior em clulas CFC, pois as mesmas concentram o espao vazio da clula, nos vos octadricos.

4.3. Defeitos Lineares (Discordncias) Os cristais podem apresentar defeitos alinhados e contnuos em sua estrutura, dando origem s imperfeies de linha. Os defeitos de linha, tambm chamados de discordncias so defeitos que causam a distoro da rede cristalina em torno de uma linha e caracterizam-se por envolver um plano extra de tomos. Estas imperfeies podem ser produzidas durante a solidificao, na deformao plstica de slidos cristalinos ou ainda como resultado da concentrao de vacncias. A presena deste defeito a responsvel pela deformao, falha e rompimento dos materiais A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos, podendo desta forma endurecer os materiais metlicos. Os trs principais tipos de defeitos em linha so conhecidos como: discordncia em cunha, discordncia em hlice e discordncia mista. 4.3.1. Discordncia em Cunha Ocorre pela interrupo de um plano atmico como mostra a figura 4.7. A distncia de deslocamento dos tomos ao redor da discordncia denominada de vetor de Burgers (b) e neste caso esse vetor perpendicular linha de discordncia.

Figura 3.5. Diagrama esquemtico de uma soluo slida de carbono em ferro CFC, mostrando o plano (100). Note a distoro da rede cristalina do ferro.

Figura 4.6. Interstcios da estrutura do Fe CFC e CCC. (+) octadrico e () tetradrico.

Figura 4.7. Ilustrao de uma discordncia em cunha, que ocorre pela interrupo de um plano atmico. A letra b corresponde ao vetor de Burgers.

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4.3.2. Discordncia em Hlice Uma discordncia helicoidal quando o empilhamento feito como se fosse uma mola. Neste caso, o vetor de Burgers paralelo linha de discordncia, conforme mostra a figura 4.8.

discordncias apresentam uma nica linha de discordncia.

Figura 4.9. Discordncia mista, que produzida durante a solidificao do material ou quando se aplica uma tenso cisalhante sobre o mesmo. A discordncia mista formada por uma discordncia em cunha associada a uma discordncia em hlice.

4.4. Defeitos de Superfcies Os cristais tambm apresentam defeitos que se estendem ao longo de sua estrutura, formando superfcies e denominados de imperfeies de superfcie. Esse tipo de imperfeio cristalina pode ser de trs tipos: superfcies livres; contornos de gro; maclas.

Figura 4.8. Discordncia em hlice. O vetor de Burgers paralelo linha de discordncia. 4.3.3. Discordncia Mista (Cunha + Hlice) As discordncias so produzidas durante solidificao do material ou quando aplicada uma tenso cisalhante sobre o mesmo, como mostra a figura 4.9. A discordncia mista formada por uma discordncia em cunha associada a uma discordncia em hlice. Neste caso, as duas

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4.4.1. Superfcies Livres

Apesar de serem consideradas o trmino da estrutura cristalina, as superfcies externas de um cristal so consideradas defeitos cristalinos, j que o nmero de vizinhos de um tomo superficial no o mesmo de um tomo no interior do cristal (figura 4.10). Os tomos superficiais possuem vizinhos apenas de um lado, tem maior energia e assim, esto ligados aos tomos internos mais fragilmente.

Figura 4.11. Formao de um material policristalino: (a) Etapa de nucleao; (b) Etapa de crescimento; (c) Material policristalino.

Figura 4.10. Apesar de ser considerada o trmino da estrutura cristalina, as superfcies externas de um cristal so consideradas defeitos cristalinos, j que o nmero de vizinhos de um tomo superficial no o mesmo de um tomo no interior do cristal.

Figura 4.12. Os gros de um material policristalino no apresentam uma mesma orientao cristalogrfica.

4.4.2. Contornos de Gro

Uma barra de cobre puro, embora contenha um nico elemento, possui vrios gros, ou seja, regies onde a estrutura cristalina tem a mesma orientao. Durante a solidificao, vrios ncleos slidos surgem no interior do lquido, como apresentado na figura 4.11. Numa fase seguinte, denominada de crescimento, estes ncleos crescem e se juntam, formando nestas "juntas", uma regio conhecida como contorno de gro. Como os diversos gros no apresentam necessariamente a mesma orientao cristalogrfica, como pode ser visto na figura 4.12, o encontro dos mesmos cria superfcies de contato dentro do cristal.

O tamanho de gro de um material policristalino importante ser conhecido, j que o nmero de gros tem papel significativo em muitas propriedades dos materiais, especialmente na resistncia mecnica. Em baixas temperaturas, at metade da temperatura de fuso do material, os contornos de gro aumentam a resistncia do material atravs da limitao do movimento de discordncias. Em altas temperaturas pode ocorrer o escorregamento de contornos de gro ou seja o mecanismo de deformao plstica nestas temperaturas o de fratura intergranular. Este mecanismo um dos responsveis pela queda da resistncia mecnica do material em temperaturas elevadas. Na produo de peas submetidas a temperaturas mais prximas a de fuso do material, como o caso de turbinas de avio, so utilizados processos de fundio com crescimento direcional e controlado. Isto permite obter um

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slido com um nmero de gros pequeno e indicado para temperaturas de trabalho elevadas. A tabela 4.2 apresenta a padronizao do tamanho de gro cristalino segundo a ASTM. Nesta tabela, o nmero do tamanho de gro pode ser determinado pela equao:

microscpio devido a menor capacidade de reflexo de luz da mesma (figura 4.14). Tabela 4.2. Tamanho de gro segundo a ASTM. Nmero do Tamanho de Gro (n) 1 2 4 6 10 Quantidade Mdia de Gros Por mm2 X 1 15,5 31,0 124 496 7940 Por pol2 X 100 1,0 2,0 8,0 32,0 512

N = 2 n-1

(IV.1)

onde n um nmero inteiro definido como o nmero do tamanho de gro da ASTM (American Society for Testing and Materials) e N o nmero de gros por pol2, em um material polido, atacado quimicamente e observado com o aumento de 100X. A figura 4.13 mostra micrografias de ao baixo carbono, atacado com NITAL (H2NO3 e lcool) e o respectivo tamanho de gro segundo a ASTM.

O contorno gro tem tomos fragilmente interligados e assim, em tal local mais fcil "arrancar" os tomos da estrutura cristalina em comparao com o interior do gro.

Figura 3.13. Micrografias de ao baixo carbono, atacado com Nital (H2NO3 + lcool) e o respectivo tamanho de gro segundo a ASTM (X 100): Como os contornos de gro so regies onde os tomos esto fragilmente ligados uns aos outros, a ao de um ataque qumico permite revelar o mesmo, pois nestes pontos mais fcil "arrancar" os tomos, em comparao com regies no interior do gro, como mostra a figura 4.13. A regio do contorno de gro aparece mais escura no

Figura 4.14. A regio do contorno de gro aparece mais escura no microscpio devido menor capacidade de reflexo de luz da mesma. (a) material no atacado quimicamente (b) material atacado quimicamente monofsico (c) material atacado quimicamente difsico

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4.4.3. Maclas As maclas constituem um outro tipo de defeito de superfcie e podem surgir a partir de tenses trmicas ou mecnicas. Tal defeito de superfcie ocorre quando parte da rede cristalina deformada, de modo que a mesma forme uma imagem especular da parte no deformada (figura 4.16). O plano cristalogrfico de simetria entre as regies deformadas e no deformada, chamado de plano de maclao. A maclao, ocorre em direes especficas chamadas de direes de maclao. 4.5. Relao entre defeitos e propriedades mecnicas

Discordncias Interferem na deformao plstica dos materiais. Sua presena facilita a deformao

Figura 4.17- Distoro na estrutura causado pela discordncia.

A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmicos (contorno de gros, solues slidas etc..). Os defeitos causados pelas solues slidas (intersticiais e substitucionais), contorno de gro e deformao mecnica causam deformao na estrutura cristalina dificultando a movimentao das discordncias aumentando a resistncia deformao do material.

Figura 4.16. Diagrama esquemtico do defeito de maclao

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Numa liga de cobre com prata se colocarmos at 8% de prata formamos uma soluo slida, se colocarmos mais que 8%(limite de solubilidade da prata no cobre, conforme tabela 4.1) comeamos a formar uma segunda fase ou seja comeamos a formar uma estrutura de prata, que chamamos de precipitado.

Resistncia deformao

precipitados S. Solida intersticiais S. Solidas Sub. Ra#Rb S. Solidas Sub. Ra@ Rb

Figura 4.18 . Deformao da estrutura causada pela presena de impurezas substitucionais.

Quando um tomo de uma impureza esta presente, o movimento da discordncia fica restringido, ou seja, deve-se fornecer energia adicional para que continue havendo escorregamento. Por isso solues slidas de metais so sempre mais resistentes que seus metais puros constituintes. Quando a solubilidade da soluo slida ultrapassada, comear a se formar dentro da estrutura uma nova fase, esta causar uma descontinuidade na estrutura dificultando a movimentao das discordncias, aumentando consideravelmente a resistncia deste material.

% de elemento de liga

Figura 4.20. Comparativo entre resistncia a deformao e tipo de defeito.

O contorno de gro interfere no movimento das discordncias, ao alcanar um contorno h uma mudana de direo dos cristais, e para esta discordncia continuar se movimentando ela dever mudar de direo. Contorno de gro

Precipitados de Ag no cobre
Figura 4.19-Precipitados de prata no cobre

Figura 4.21. Movimentao de uma discordncia em material policristalino.

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CAP V- DIFUSO ATMICA 5.1. INTRODUO A difuso atmica pode ser definida como um mecanismo pelo qual a matria transportada atravs da matria. Os tomos em gases, lquidos e slidos esto em constante movimento. O movimento atmico em gases relativamente rpido. O movimento atmico em lquidos , em geral, mais lento que em gases, como pode ser observado durante o movimento de um corante em gua. O movimento atmico em slidos bastante restrito, j que as foras de ligao atmicas so elevadas e tambm, devido existncia de posies de equilbrio bem definidas. Entretanto, vibraes atmicas de origem trmica existentes em slidos permitem movimentos atmicos limitados. A difuso atmica em metais e ligas particularmente importante, pois a maioria das reaes de estado slido, que so fundamentais em metalurgia, envolve movimentos atmicos. Exemplos de reaes de estado slido so obtidos na nucleao e crescimento de novas fases em slidos cristalinos, no tratamento trmico de aos, na produo de circuitos eletrnicos, etc. 5.2. Mecanismos do Movimento Atmico Os tomos apenas esto em repouso absoluto quando a temperatura igual a zero absoluto (2730C). Acima desta temperatura os tomos comeam a vibrar e saem de suas posies originais. medida que a temperatura aumenta, esse movimento atmico torna-se mais intenso. Existem dois mecanismos bsicos de difuso de tomos em um slido cristalino, quais sejam: mecanismo substitucional ou de vazios e mecanismo intersticial. Alm desses dois, o movimento atmico pode-se dar atravs do mecanismo de anel, que de ocorrncia mais difcil. 5.2.1. Mecanismo Substitucional ou de Vazios Os tomos podem mover-se no interior de um cristal, de uma posio atmica para outra se os mesmos apresentam energia de vibrao

suficiente e se existem posies atmicas vazias ou defeitos cristalinos na estrutura atmica. Esta energia de vibrao resultante da energia trmica dos tomos. Os vazios ou vacncias em metais e ligas so defeitos de equilbrio e assim, esto sempre presentes para permitir o movimento atmico pelo mecanismo substitucional. Com o aumento da temperatura em metais, mais vacncias podem ser observadas e mais energia trmica estar disponvel. Assim, a taxa de difuso atmica aumentar com a temperatura. Considere o processo de difuso apresentado na figura 5.1. Se um tomo prximo vacncia tem energia suficiente, ele poder mover-se at a posio vazia. As diferenas de tamanho atmico e energias de ligao so fatores que afetam a taxa de difuso atmica atravs de vazios.

Figura 5.1. Mecanismo de difuso atmica de vazios ou substitucional 5.2.2. Mecanismo Intersticial

A difuso de tomos intersticiais em um slido cristalino ocorre quando um tomo se move de uma posio intersticial para outra posio vizinha intersticial, sem que exista deslocamento de tomos da matriz cristalina, como mostra a figura 5.2. Para que o mecanismo de difuso intersticial seja ativo, o tamanho do tomo em difuso deve ser relativamente pequeno quando comparado com os tomos da matriz. Pequenos tomos como o hidrognio, oxignio, nitrognio e carbono podem apresentar difuso intersticial em alguns slidos cristalinos. Por exemplo, o carbono pode difundir-se intersticialmente no ferro a e no ferro g. Na difuso intersticial de carbono em ferro, os

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tomos de carbono so comprimidos entre a matriz atmica do ferro.

Figura 5.2. Mecanismo de difuso atmica intersticial 5.2.3. Mecanismo De Anel

outras palavras, mover-se na rede cristalina. Porm, aumentando-se a temperatura do sistema, a energia de cada tomo aumenta e assim, alguns tomos que no podiam saltar de suas posies, podem agora faz-lo. Isto significa que a energia dos mesmos maior que a energia de ativao, como mostra a figura 5.4. Fazendo uso de anlise estatstica possvel determinar a parcela de tomos com energia suficiente para apresentar movimento atmico. Boltzmann estudou o efeito da temperatura na energia das molculas em um gs. Usando os fundamentos estatsticos empregados por Boltzmann, pode-se calcular o nmero de tomos com energia maior que a energia de ativao:

Este mecanismo mais raro devido a suas particularidades. A difuso atmica atravs deste mecanismo envolve a rotao de trs ou quatro tomos simultaneamente. 5.3. Distribuio De Energia Trmica Os tomos dentro de um material, em uma determinada temperatura, apresentam diferentes nveis de energia, sendo esta uma distribuio estatstica, como mostra a figura 5.3.

EA n = aN exp kT

(V.1)

onde k=1,38x10-23 [Joule/tomo.K], n o nmero de tomos com energia maior que a de ativao, N o nmero total de tomos do slido, a uma constante tpica do sistema, EA a energia de ativao e T a temperatura absoluta.

Figura 5.3. Distribuio de energia dos tomos de um material. Nesta distribuio, nota-se que poucos tomos possuem energia de ativao suficiente para "saltar" fora de sua posies originais, ou em

Figura 5.4. Distribuio de energia dos tomos de um material para duas temperaturas diferentes.

37

5.4. Coeficiente De Difuso A anlise estatstica de Boltzmann aplicada ao movimento atmico permite estabelecer a intensidade de difuso atmica em materiais. A difuso de um material A (soluto) dentro de um outro material B (solvente) representada pelo coeficiente de difuso (D), definido como:

5.5. Primeira Lei de Fick

D = D 0 e- RT

(V.2)

onde D o coeficiente de difuso, D0 constante do sistema soluto/solvente, Q a energia de ativao e R a constante molar dos gases (8,314 J/mol.K ou 1,987 cal/mol.K). Pela equao V.2, observa-se que o coeficiente de difuso depende da temperatura, aumentando quando a mesma aumenta. Na tabela 5.1 so apresentados os valores de Q e D0 para alguns sistemas em difuso. Soluto Matriz D0 10-5 m2/s 2,0 22,0 2,2 20,0 7,7 3,4 2,0 4,0 1,4 Q 10-19 J/tomol 2,4 2,0 4,5 4,0 4,6 3,2 3,3 3,1 1,5

C C Fe Fe N Zn Cu Ag Ag

Fe CFC Fe CCC Fe CFC Fe CCC Fe CFC Cobre Cobre Ag


(Cristal)

O fenmeno de difuso atmica pode ser analisado considerando o movimento de tomos entre duas regies em contato, como mostra a figura 5.5. Assumindo que as concentraes de tomos de soluto nas regies 1 e 2 no sofrem alteraes com o tempo, o sistema pode ser considerado como em regime permanente ou estacionrio. A figura 5.6 mostra um processo de difuso em regime permanente, provocado pelo gradiente de concentrao (C2-C1)/(x2-x1). Um caso semelhante observado quando um gs difunde-se atravs de uma folha fina de metal, como o caso do hidrognio difundindo-se por uma folha fina de Paldio. O movimento de tomos por difuso atmica ocorre devido vibrao trmica do tomo. Tal vibrao faz com que cada tomo permanea "saltando" de uma posio a outra. O equacionamento do fluxo atmico em regime permanente, que dado pela 1 lei de Fick, implementado pela definio das seguintes variveis: Dx - Espessura das regies 1 e 2; A - rea de contato entre as regies 1 e 2; f - Freqncia de saltos dos tomos (saltos/s), iguais em todas as direes; C1 - Concentrao de tomos de soluto na regio 1 (t./cm3); C2 - Concentrao de tomos de soluto na regio 2 (t./cm3). J - Fluxo de tomos entre as regies 1 e 2 (t./cm2.s)

Ag
(Cont.Gro.)

Si Si 320 6,8 P Si 3,9 5,0 Bo Si 140 5,9 Tabela 5.1. Coeficientes de difuso para diversos sistemas solvente/soluto.

Figura 5.5. Diagrama esquemtico do fluxo de tomos entre duas regies, em contato, de concentraes diferente.

38

ou

J = K( C1 - C 2)

f Dx 6

(V.5)

Desta equao possvel prever que se as concentraes das regies 1 e 2 so iguais, o fluxo de massa entre elas ser nulo. Por outro lado, se existe um gradiente de concentrao de tomos de soluto, o fluxo de tomos ser diferente de zero. Uma relao entre as concentraes C1 e C2 pode ser obtida se a concentrao contnua ao longo da direo x (paralelo ao fluxo de tomos), ou seja:

C C 2 = C1 + Dx x t
Figura 5.6. Difuso atmica em regime estacionrio provocada pelo gradiente de concentrao (C2-C1)/(x2-x1). Considerando o movimento atmico espacial, um tomo tem a possibilidade de saltar em seis diferentes direes. Assim, entre as regies 1 e 2, a freqncia de saltos pode ser dada por f/6 e conseqentemente, em um intervalo de tempo Dt, o nmero de tomos saltando da regio 1 para a regio 2 proporcional aos valores de C1, de Dt, de f, e do volume da regio 1, que pode ser representado por sua espessura, Dx, pois a rea de contato igual para as duas regies:

(V.6)

Substituindo o valor de C2, o fluxo de tomos entre as regies 1 e 2 torna-se igual a:

f C J = - K ( Dx ) 2 6 x t

(V.7)

Esta equao conhecida como a 1 lei de Fick e o coeficiente de difuso atmica, D, dado por:

D = K ( Dx ) 2

f 6

(V.8)

f N12 = K C1 Dt Dx 6
onde K uma constante.

(V.3)

O fluxo de tomos entre as regies 1 e 2 dado pela diferena entre os tomos que saltam da regio 1 para a regio 2 e aqueles que fazem o caminho inverso. Assim,

Se no sistema em difuso considerado no ocorrem reaes qumicas entre os tomos do soluto e os do solvente, a diferena de concentrao entre as regies 1 e 2 resultar em um fluxo atmico que vai do ponto de maior para o de menor concentrao. O fluxo de tomos neste tipo de sistema pode ser representado pela equao:

J = -D
f f JDt = N12 - N 21 = K C1 Dt Dx - K C 2 Dt Dx 6 6
(V.4)

C x

(V.9)

onde J o fluxo de tomos, D o coeficiente de

39

difuso e C/x o gradiente de concentrao. Tomando a direo x como referncia, o sinal negativo mostra que o fluxo de massa tem sentido contrrio ao aumento da concentrao e usado porque o fluxo de tomos vai da maior para a menor concentrao e o mesmo tende a anular o gradiente de concentrao. A equao V.9 denominada de 1 lei de Fick e define que para condies estacionrias ou permanentes (concentraes constantes com o tempo), o fluxo de tomos por difuso atmica igual difusividade D multiplicada pelo gradiente de concentrao. No sistema SI, esta equao dada por:

m2 C atomos 1 atomos J = -D x m m2 .s s x m3
(V.10)

Tabela 5.2. Coeficientes de difuso atmica para 5000C e 10000C.* metaestvel. Soluto Solvente Coeficiente de Difuso (m2/s) 5000C 10000C C F CFC* 5x10-15 3x10-11 C Fe CCC 10-12 2x10-9 -23 F Fe CFC* 2x10 2x10-16 F F CCC 10-20 3x10-14 N Fe CFC* 10-23 2x10-16 Mn F CFC* 3x10-24 10-16 Zn Cu 4x10-18 5x10-13 -14 Cu Al 4x10 10-10 Cu Cu 10-18 2x10-11 Ag Ag 10-17 10-12 (Cristal) Ag Ag 10-11 (Cont.Gro)

Ti

3x10-16

2x10-11

A tabela 5.2 lista valores de difusividade atmica para alguns sistemas. A difusividade atmica depende de diversos fatores, sendo que os mais importantes so: a. Tipo de mecanismo de difuso (substitucional ou intersticial) - Dependendo dos tamanhos atmicos envolvidos, o mecanismo de difuso influencia a intensidade de difuso. tomos de tamanhos prximos tem difuso elevada quando o mecanismo substitucional. Quando os tomos apresentam tamanhos muito diferentes, o mecanismo apropriado o intersticial, sendo que tomos de menor tamanho tem mais facilidade de se difundir; b. Temperatura na qual a difuso ocorre - A temperatura aumenta a difuso; c. Tipo de estrutura cristalina do solvente Estruturas compactas (CFC, HC) dificultam a difuso atmica; d. Tipo e quantidade de imperfeies presentes na rede cristalina - Defeitos como discordncias e vazios aumentam a intensidade de difuso. e. Fora de ligao atmica do soluto fora de ligao maior dificuldade de difuso

5.6. Segunda Lei de Fick

O movimento atmico em condies estacionrias no comum em engenharia de materiais. Na maioria dos casos, este movimento ocorre em regime transitrio ou em situaes onde as concentraes mudam com o tempo. Por exemplo, se o carbono est sendo difundido atravs da superfcie de uma engrenagem de ao para cementar a mesma, a concentrao de carbono no interior da pea ser alterada medida que o tempo de processamento aumenta, como mostra a figura V.8. Nestes casos, onde o regime no permanente, interessante determinar a evoluo da varivel composio em funo do tempo de processamento e da posio de um dado ponto a ser estudado. Considere uma barra de um material qualquer de concentrao C, exibindo transporte de massa do soluto por difuso, como mostra o diagrama da figura 5.9. Considere tambm a existncia de um elemento de volume de largura Dx e rea da seco transversal A. Suponha que em tal elemento est entrando fluxo de massa J1 e deixando o mesmo, o fluxo de massa J2. Aps

40

um intervalo de tempo, Dt, a variao na concentrao de soluto em tal elemento dada por:

permite obter:

J - DxADt = ADxDC x t
Fazendo Dt tender a zero,

(VIII.13)

J 1 A D t - J 2 A Dt = A D x D C
onde:

(V.11)

J - Fluxo de tomos do soluto (t/cm2.s) A - rea (cm ) Dx - largura (cm) Dt - Intervalo de tempo (s) DC - Variao na concentrao de soluto (t/cm )
3 2

J C - = x t t x

(V.14)

O fluxo de tomos pode ser dado pela 1 lei de Fick. Substituindo V.9 em V.14, obtm-se:

C J - = D x x x
ou

(V.15)

C 2 C = D 2 t x

(V.16)

Esta equao denominada de 2 lei de Fick e aplicada a casos de difuso atmica em regime transitrio. Em funo das condies de contorno do problema tratado, esta equao apresenta vrios tipos de soluo. Em termos prticos, dois tipos de problema podem ser abordados atravs da equao V.16: cementao de aos e tratamento de homogeneizao de peas fundidas.

Figura 5.7. Modelo para aplicao da segunda lei de Fick. Se o fluxo atmico contnuo ao longo de x, pode-se escrever:

J J 2 = J 1 + Dx x
(V.12) A substituio de J2 na equao V.11

Figura 5.8. Diagrama do fluxo de tomos na formulao da 2a lei de Fick

41

5.7. Cementao de Aos O tratamento da cementao de aos atravs das equaes de difuso envolve o emprego da "funo erro". A figura 5.9 exibe um diagrama esquemtico de um processo de cementao. Com a soluo da equao V.16 possvel descrever o perfil de concentrao de carbono em aos durante o processo. Esta soluo dada por:

x C(x, t) = CS - ( CS - C0) erf 2 Dt


(V.17) na qual C(x,t) a concentrao de carbono num determinado ponto "x", para um certo tempo "t" de cementao (% em peso), C0 a concentrao inicial de carbono (% em peso), CS a concentrao de carbono na superfcie da pea, D o coeficiente de difuso do carbono em ao (m2/s), x a distncia a partir da superfcie (m) e t o tempo de cementao (s). A funo erro, "erf", uma funo matemtica com valores tabelados da mesma forma que funes trigonomtricas.

Figura 5.9. Modelo de anlise do processo de cementao de aos.777

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CAP VI- PROPRIEDADES DOS MATERIAIS 6.1. INTRODUO Todos os ramos da engenharia, principalmente os relacionados com estruturas, mquinas, etc., esto intimamente ligados aos materiais utilizados, ou seja, s suas propriedades. As propriedades caractersticas de cada material so de importncia fundamental para que se estabelea um critrio de aceitao e especificao. As propriedades que os materiais devem possuir so determinadas atravs de ensaios adequados. Propriedades dos Materiais Os Materiais podem ser classificados, segundo suas propriedades, da seguinte maneira: Propriedades fsicas em geral: dimenses, forma, densidade, porosidade, misturas constituintes, macro e micro estrutura. Propriedades qumicas e fsico-qumicas: componentes qumicos, acidez e resistncia corroso, etc. Propriedades mecnicas: resistncia mecnica (esttica e dinmica), elasticidade, plasticidade, fragilidade (tenacidade), ductibilidade. Propriedades eltricas:Condutividade,Rigidez dieltrica, Termoeletricidade e Piezeletricidade. Propriedades Trmicas: Calor especifico, dilatao trmica, resistncia a termoclase e condutividade trmica,. Para se determinar qualquer uma dessas propriedades faz-se necessrio realizar um ensaio especfico. 6.2. Propriedades Mecnicas dos Materiais

o material foi submetido, determina intensamente a definio das propriedades do mesmo. Uma das caractersticas mais importantes dos materiais no estado slido a capacidade dos mesmos em resistir ou transmitir tenses. A resposta desses materiais sob tenso est intimamente relacionada com a propriedade do material em se deformar elasticamente ou plasticamente. Quando um material submetido a esforos mecnicos, ele deforma-se de duas maneiras: elasticamente e plasticamente. Considera-se que um material exibe comportamento elstico, quando o mesmo, ao ser submetido a esforos mecnicos, apresenta deformaes no-permanentes, ou seja, ao se remover tais tenses, o material retorna as suas dimenses originais. Ao nvel atmico, a deformao elstica observada quando as clulas unitrias alteram suas dimenses, alongando, se o esforo for de trao ou comprimindo, se o esforo for de compresso, como apresenta a figura 6.1. Quando os esforos de trao ou compresso cessam, as clulas cristalinas voltam s formas e dimenses originais.

Figura 6.1. Deformao elstica em cristais: (a) Cristal sem deformao; (b) Cristal deformado por trao; (c) Cristal deformado por compresso O comportamento plstico observado quando o mesmo material submetido a tenses mais elevadas e suas dimenses so alteradas permanentemente, ou seja, cessados os esforos, o material no retorna as suas dimenses originais. Ao nvel atmico, a deformao plstica principalmente observada quando planos atmicos so deslizados uns sobre os outros, de tal maneira que ao se remover os esforos mecnicos, o material no exibe suas dimenses originais.

O comportamento de um material sob solicitao mecnica fundamental na identificao de propriedades de interesse em engenharia mecnica. Tal comportamento funo direta de trs fatores bsicos ligados s caractersticas do material, ou seja: o tipo e a intensidade das ligaes envolvendo tomos ou molculas; a natureza do arranjo dos tomos ou molculas e a natureza e quantidade de defeitos no arranjo dos tomos ou molculas do material. Alm desses trs fatores, o processamento a que

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6.3. Tipos de Esforos que Podem Deformar ou Romper um Material Representao esquemtica de alguns tipos de esforos que afetam os materiais:

a. Elasticidade - Capacidade do material ser deformado elasticamente, sem atingir o campo plstico. A relao entre tenso e deformao elstica (s/e) definida como mdulo de elasticidade (E). b. Ductilidade - Capacidade do material ser deformado plasticamente, sem atingir a ruptura. Pode ser obtida da anlise do alongamento e da estrico. c- Resilincia: Corresponde capacidade do material de absorver energia quando este deformado elasticamente. Materiais resilientes so aqueles que tm alto limite de elasticidade e baixo mdulo de elasticidade (como os materiais utilizados para molas) d. Fluncia - Capacidade do material se deformar lentamente, quando submetido a tenses menores que a de escoamento, sob temperaturas elevadas. e. Tenacidade - Capacidade de um material em armazenar energia sem se romper. Pode ser quantificada atravs do clculo da rea sob a curva tenso/deformao. f. Dureza - Capacidade de um material em resistir penetrao de sua superfcie, est intimamente relacionada com a tenso de escoamento do material. g. Resistncia flexo: definida com a tenso mxima que um corpo de prova suporta antes de romper, quando sujeito a um esforo de flexo. Utilizado para avaliar a resistncia mecnica de materiais cermicos, principalmente para revestimentos e telhas. h. Resistncia compresso: definida com a tenso mxima antes da ruptura, que um corpo de prova pode resistir quando submetido a esforos de compresso. Este ensaio utilizado principalmente para avaliar a resistncias de tilojos, blocos e concreto.

6.4. Principais Propriedades Mecnicas Em funo do comportamento mecnico dos materiais, as seguintes propriedades mecnicas podem ser definidas:

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6.5. Ensaios Mecnicos Todos os ramos da engenharia, principalmente os relacionados com estruturas, mquinas, etc., esto intimamente ligados aos materiais utilizados, ou seja, s suas propriedades. As propriedades caractersticas de cada material so de importncia fundamental para que se estabelea um critrio de aceitao e especificao. As propriedades que os materiais devem possuir so determinadas atravs de ensaios, que na maioria das vezes imitam os esforos que os materiais sofrem na pratica. Os ensaios mecnicos tm as seguintes finalidades: 1- Permitir a obteno de informaes rotineiras da qualidade de um determinado produto ensaio de controle. 2- Desenvolver novas e melhores informaes sobre materiais conhecidos, ou ento desenvolver novos materiais. 3- Obter medio precisa das propriedades ou constantes fsicas. 5.5.1. Normalizao dos Ensaios Evidentemente, os ensaios no traduzem valores absolutos e imutveis. Os ensaios quando realizados na prpria estrutura, tem significado mais expressivo, porem so valores obtidos de uma situao particular. Quando generalizamos o resultado de um ensaio realizado em um corpo de prova devemos tomar cuidados, utilizando um fator de segurana para evitar surpresas desagradveis, e mais, devemos normalizar o ensaio, ou seja, especificar o mtodo empregado, dimenses do corpo de prova, mtodo de fabricao do mesmo, etc. A normalizao dos materiais leva a inmeras vantagens entre as quais pode-se mencionar: 1- Reduz o desentendimento entre o produtor e o consumidor; 2- Torna a qualidade da produo mais uniforme; 3- Reduz os tipos similares de peas e materiais; 4- Diminui o custo unitrio de produo; 5- Orienta o projetista na escolha do material existente;

6- Permite a comparao de resultados obtidos em diferentes laboratrios, pela adoo do mesmo mtodo. 6.6. Tipos De Ensaios Mecnicos Ensaio de Trao Ensaio de dureza Ensaio de Impacto Ensaio de Flexo Ensaio de compresso Ensaio de Fluncia Ensaio de Fadiga

6.6.1. Ensaio de Trao A caracterizao do comportamento mecnico de um material pode ser implementada pelo emprego do ensaio de trao do mesmo (figura 6.2). A aplicao de uma fora em um material provoca tenses e deformaes (permanentes ou no) no mesmo, como mostra a figura 6.3.

A tenso, s, definida como fora por unidade de rea, ou:

s =

F A
(X.1)

onde: s = Tenso (Pa = N/m2); F = Fora Aplicada (N); A = rea do Plano (m2). A deformao (e) definida como o efeito da tenso em um material, relaciona-se alterao nas dimenses originais do material e expressa como variao do comprimento inicial, ou:

e =

DL L0

(X.2) onde: e = Deformao (%); DL = (L - L0) = Variao de comprimento (m); L0 = Comprimento inicial (m);

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L = Comprimento final (m). O ensaio de trao revela duas fases distintas: a elstica e a plstica. Na fase elstica um dos principais parmetros que o ensaio de trao permite revelar o mdulo de elasticidade do material.

(c) Material dctil sem ponto de escoamento definido (ex.: alumnio).

Deformao Elstica Se um material apresenta comportamento elstico, o mesmo segue a lei de Hook, que estabelece que sua deformao varia linearmente com a tenso aplicada. A relao entre tenso aplicada e deformao resultante constante e denominada de Mdulo de Elasticidade (E), ou:

E =

s e
(X.3)

Figura 6.2. Diagrama esquemtico de um ensaio de trao: (a) Sem deformao; (b) Com deformao.

O mdulo de elasticidade de um material a medida de rigidez do mesmo. Se um material exibe valor elevado desse parmetro, isso significa que uma tenso mecnica elevada ser necessria para deform-lo. Como visto no estudo das foras interatmicas, o mdulo de elasticidade est diretamente relacionado com a variao de FTotal (equao 6.3), em relao distncias interatmicas ou,

( Z e)( Z2 e) nb d 1 + n+1 2 4p e 0 a d FTotal a = - da da


(X.4) A temperatura influencia intensamente o mdulo de elasticidade, e quanto mais elevada for a mesma, menor ser o mdulo de elasticidade. Como o mdulo de elasticidade varia com a direo em um cristal (depende da densidade linear de tomos), a anisotropia dos cristais permite que o mesmo varie intensamente com a orientao do cristal. Como exemplo, o ferro tem um mdulo de elasticidade mdio de cerca de 205 MPa. Porm, o mdulo real de um cristal de ferro varia de 208 MPa na direo [111], para apenas 125 GPa na direo [100]. A tabela 6.1 apresenta valores de mdulo de elasticidade de diversos materiais.

(a)

(b)

(c)

Figura 6.3. Curvas tenso-deformao relativa: (a) Material no-dctil sem deformao plstica (ex.: ferro fundido); (b) Material dctil com ponto de escoamento definido (ex.: ao de baixo carbono);

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Tabela 6.1. Valores do mdulo de elasticidade de diversos materiais. Material Mdulo de elasticidade (GPa) Borracha Sinttica Nylon Borracha Vulcanizada Chumbo Magnsio Ligas de Alumnio Cobre Ao de Baixo Carbono Ao Inoxidvel Titnio Quartzo (SiO2) Alumina (Al2O3) Tungstnio Deformao Plstica Na fase plstica do material, ocorrem as deformaes permanentes no mesmo. Neste caso, planos atmicos do material so deslocados permanentemente de suas posies originais. Existem dois mecanismos de deformao plstica, quais sejam: o deslizamento de planos cristalinos e a maclao. Em ambos os casos, a deformao ocorre devido s componentes de cisalhamento das tenses aplicadas. A deformao permanente de um material submetido a ensaio de trao pode ser tratada como o alongamento, que a quantidade de deformao permanente observada antes da ruptura ou estrico, que a reduo da rea da seco transversal, observada antes da ruptura. 0,004 - 0,075 2,8 3,5 14 45 72,4 110 200 193 117 310 350 400 6.6.1.1.1. Limite(Tenso) de escoamento: a tenso mnima necessria para deformar permanentemente o material, este valor utilizado no dimenciomamento de equipamentos. o limite entre a deformao elstica e plstica do material. Este limite caracterizado pelo final da tendncia linear do grfico.
Interseco da reta com o grfico determina a tenso escoamento que igual a 106MPa
140 120

Figura 6.4. Diagrama tensox deformao, ilustrando a rea onde ocorre a deformao elstica (reversvel) e a deformao plstica (permanente).

6.6.1.1. Propriedades mecnicas obtidas do ensaio de trao (tensoxdeformao)

Tenso( MPa)

100 80 60 40 20 0 0 2 4 6 8 10

Origem da reta 0,2%


deformao (%)

Figura 6.5. Diagrama tensox deformao, indicando a tenso de escoamento. Para se determinar este valor, como regra geral se traar uma reta que tem como origem uma

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deformao de 0,2%(0,002m/m) e seja paralela ao segmento linear do grfico, a interseco desta reta com a curva, determina a tenso de escoamento (tenso deformao, limite de resistncia ao escoamento). 6.6.1.1.2. Tenso mxima de resistncia (smr): determinada atravs to ponto mais alto do grfico. Ex: Na figura 6.6 a smr=130 MPa 6.6.1.1.3. Tenso de ruptura (sr) : determinado pelo final do grfico. Ex: Na figura 6.6 a sr=110 MPa

s - Tenso necessria para causar a deformao elstica.

Ex: No exemplo da figura 6.5 uma tenso de 100MPa deforma 2% o material, ento o modulo : 2% = 2/100= 0,02

E = s = 100 MPa = 5.000MPa e 0,02


2/100

Ponto de ruptura

6.6.1.1.5. Ductibilidade: Capacidade do material ser deformado plasticamente, sem atingir a ruptura. Pode ser obtida da anlise do alongamento e da estrico do corpo de prova. No diagrama se determina atravs da interseo do eixo X(deformao) com uma reta que tem origem no ponto onde houve a ruptura e seja paralela a parte linear do grfico. Ex: Na figura 6.6 a ductibilidade 6% No ensaio se determina medindo o corpo de prova antes do ensaio e aps a ruptura. Ductibilidade(%) = (L-Lo)x100 Li L0 = Comprimento inicial (m); L = Comprimento final (m).

140 120 100

smr sr

Tenso( MPa)

80 60 40 20 0 0 2 4 6 8 10

deformao (%)
Figura 6.6. Diagrama tensox deformao, indicando a tenso mxima de ruptura (smr) e tenso de ruptura(sr) e ductibilidade.

6.6.1.1.4. Modulo de elasticidade a relao entre tenso aplicada e deformao elstica sofrida .

E =

s e

E Modulo de elasticidade e - Deformao

Figura 6.7. (a) Corpo de prova antes do ensaio; (b) corpo de prova depois de romper.

48

Ex: Na figura 6.7 o Lo= 50mm e L= 75mm, ento a ductibilidade : Duc.(%) = (L-Lo)x100 = (75-50).100= 50% Li 50 Resilincia(Ur): Corresponde capacidade do material de absorver energia quando este deformado elasticamente. Materiais resilientes so aqueles que tm alto limite de elasticidade e baixo mdulo de elasticidade (como os materiais utilizados para molas) Ur = se2 = 2E se. e 2

Figura6.9. Diagrama tensoxdeformao,


indicando a tenacidade do material. a propriedade que melhor expressa a resistncia mecnica do material.

Ur- Modulo de resilincia se Tenso de escoamento E- Modulo de elasticidade e - deformao

6.6.2. Dureza
a medida da resistncia de um material deformao permanente ( deformao plstica) Nos Materiais Cermicos a dureza avalia: Resistncia ao risco Resistncia ao desgaste

Resilincia

Teste de dureza: Figura 6.8- Diagrama tensoxdeformao, indicando a resilincia do material. . Tenacidade - Capacidade de um material em armazenar energia sem se romper. Pode ser quantificada atravs do clculo da rea sob a curva tenso/deformao.

So amplamente utilizados para especificao de materiais. Engenharia - controle de qualidade Pesquisa - testar materiais

Relao de dureza - Curva de trao A presso aplicada na impresso 1/3 produz deformao plstica - 1/3 P ~ se

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6.2.1. Tipos de ensaio de dureza: Escala mohs- mat. cermicos Dureza Brinell Dureza Vickers Microdureza Knoop Dureza Rockwell Mat metlicos Observaes: o dimetro do identador e a intensidade da carga aplicada dependem do tipo de material que vai ser analisado. O dimetro da impresso dever sempre ficar entre 2,5 a 6,0mm. 6.2.4. Ensaio de Dureza- Vicker Introduzida para medir materiais duros que no podiam ser medidos pela dureza Brinell. Apresenta uma nica escala contnua para testar todos os materiais. Identador: pirmide de diamante formando 136 entre as faces opostas

6.2.2. Dureza Mohs Compara-se a dureza do material a ser ensaiado com a dureza de uma escala de minerais com diversas durezas. baseada na capacidade de um material riscar o outro. utilizada somente para avaliar dureza de materiais cermicos. 6.2.3. Ensaio de Dureza- Brinell Consiste em comprimir uma esfera de ao, de dimetro D, sobre uma superfcie plana por meio de uma aplicao de carga Q.

Figura 6.10. Ilustrao esquemtica do identador e da impresso produzida na amostra no ensaio Vicker.

impresso

Figura 6.9. Ilustrao esquemtica do identador e da impresso produzida na escala Brinell.

As cargas geralmente usadas so: 50 N, 100 N, 300 N, 500 N.

50

6.6.5. Ensaio de Dureza- Rockwell


Este ensaio utiliza a profundidade de penetrao, sob ao de uma carga constante, como medida de dureza. A medida da dureza direto no painel. Indentador: Esferico-esfera de ao Conico-cone de diamante A desvantagem desta tipo de ensaios que dependendo do material se usa uma determinada escala.

D - Aos com camadas endurecidas intermedirias, Fofo malevel perltico E - Fofo, Al, Mg, aos para rolamento F - Cobre recozido, chapas de metal macio G - Ligas de bronze-fsforo, Cu-Be, Ferro malevel H - Al, Zn, Pb K,L,M,P R,S,V - Metais muito macios. Usar a menor esfera e mais alta carga para evitar escorregamento.

6.6.6. Ensaio de Dureza- Shore um tipo de ensaio dinmico por choque que produz uma impresso na pea ou corpo de prova por meio de um penetrador. Esse choque pode ser produzido por meio de um pndulo (j abandonado) ou pela queda livre de um mbolo, tendo na ponta um penetrador. Em 1907, Shore props uma medida de dureza por choque que mede a altura do ressalto de um peso que cai livremente at bater na superfcie lisa e plana de um corpo de prova. Esta altura de ressalto mede a perda de energia cintica do peso, absorvida pelo corpo de prova. Utilizado principalmente polimricos. para materiais

6.6.3. Ensaios De Impacto Um fator muito importante que contribui para o aparecimento de fraturas do tipo frgil em peas a alta velocidade de aplicao da carga, isto , carga aplicada por impacto. Faz-se necessrio padronizar um tipo de Ensaio para determinar a resistncia ao Impacto (ou choque), ou melhor, a energia absorvida pelo corpo de prova por ao de impacto, expressos em Nm. Como a energia do impacto medida depende das condies do ensaio (forma e dimenso do corpo de prova, maneira de aplicao da carga) h necessidade da padronizao dos tipos de ensaios para permitir, posteriormente, a comparao entre os valores obtidos para o mesmo ou diferentes materiais.

Figura 6.11. Ilustrao esquemtica do identador e da impresso produzida na amostra no ensaio Rockwell

Escala Aplicaes:
A - Aos tratados superficialmente B - Al, Cu, Aos recozidos, Fofo malevel C - Aos com dureza acima de 100 HRb, aos com camadas espessas, Ti, etc.

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Existem, portanto, diversos mtodos de ensaios, mas os principais so: Mtodo de impacto com trao; Mtodo Charpy; Mtodo Izod. Mtodo CHARPY

A Resistncia flexo definida com a tenso mxima que um corpo de prova suporta antes de romper quando sujeito a um esforo de flexo
P

Consiste em se percutir um corpo de prova, de dimenses padronizadas, convenientemente apoiado, com um martelo de dimenso tambm padronizado, e medir a energia desprendida na ruptura. Os resultados dos ensaios indicam se o material tem um comportamento dctil, isto se absorve muita energia de deformao, ou ento, se o comportamento frgil isto , se absorve pouca energia de deformao. APLICAO: Depois de processos de tratamento trmico. Para comprovar o envelhecimento do material.

b L

Figura 6.13. Diagrama esquemtico do ensaio de flexo.

MOR = 3. P. L 2.b.d2
MOR Modulo de ruptura (kgf/cm2) P - Carga para romper (kgf) L - Distancias entre os apoios (cm) d - espessura do corpo de prova (cm) b- largura do corpo de prova(cm)

6.6.5. Ensaio de Resistncia Compresso definida com a tenso mxima que um corpo de prova pode resistir quando submetido a esforos de compresso. Este ensaio utilizado principalmente para avaliar a resistncias de tijolos, blocos e concreto.

Figura 3.12. Mquina de ensaio de Impacto A energia necessria para fraturar o corpo de prova (fig.6.12) dada por: E= G (h1 - h2) Nm Onde E = energia em Nm G = peso do martelo em N h1 = posio inicial do pndulo h2 = posio final do pndulo 6.6.4. Ensaio de Resistncia Flexo Para os materiais frgeis, como os materiais cermicos, a determinao das propriedades mecnicas feita atravs dos ensaios de resistncia flexo e compresso.

Corpo de prova

Figura 6.13. Diagrama esquemtico do ensaio de compresso.

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RC = P A
RC- Resistncia a compresso (MPa) P- Carga mxima de ruptura (N) A- rea da seo transversal(m2) Resistncia compresso lquida

RCL = Carga de ruptura rea liquida do bloco


Resistncia compresso bruta

RCB = Carga de ruptura rea bruta do bloco

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7. PROPRIEDADES ELTRICAS E TRMICAS 7.1. Propriedades Eltricas Condutividade Eltrica (s): o movimento de cargas eltricas (eltrons ou ons) de uma posio para outra. s = 1/r= n.q.m s= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1) r= resistividade eltrica (ohm.cm) n= n de portadores de carga por cm3 q= carga carregada pelo portador (Coulomb) [q do =1,6x10-19 C] m= mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s)

7.1.2. Condutividade Eltrica nos Metais Os eltrons de valncia no esto ligados a nenhum tomo especfico (esto livres). H atrao entre os eltrons livres (de valncia) e os ons positivos (ncleo mais eltrons de valncia) Os metais tm elevada condutividade eltrica, devido os eltrons estar livres para moveremse (alta mobilidade).

7.1.3. Resistividade Eltrica nos Metais A resistividade eltrica dos metais depende de um componente trmica (rT) resultante das vibraes dos eltrons e um componente residual (rR) que devido a defeitos estruturais.

R = r . l/A

r = rT + rR Efeito da temperatura na metais: condutividade dos

A agitao trmica reduz o livre percurso mdio dos eltrons, a mobilidade dos mesmos e como conseqncia a condutividade. Figura 7.1. Representao esquemtica de um sistema para medir a resistividade eltrica. A condutividade eltrica de um material depende: Tipo de transportador de carga (q-carga) Numero de condutor por unidades volume(n). Mobilidade do condutor(m).

de
ESTRUTURA PERFEITA A BAIXA TEMPERATURA

s = n.q.m

MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS ALTA TEMPERATURA

Figura 7.2 Movimentao dos eltrons num metal: (a) baixa temperatura,(b) alta temperatura

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7.1.4. Efeito dos defeitos na condutividade dos metais

7.1.5. Condutividade eltrica nos materiais inicos A conduo eltrica nos slidos inicos resultado da soma de duas contribuies: a contribuio eletrnica e a contribuio inica(mais importante). As difuses dos ons dependem da existncia de defeitos puntiformes, principalmente lacunas catinicas e aninicas na rede cristalina
ri = Ne2D kT

Os Defeitos nas estruturas cristalinas dificultam a mobilidade dos eltrons, diminuindo assim a condutividade eltrica. A presena de tomos de soluto (intersticiais e substitucionais), ir aumentar a possibilidade de colises entre os eltrons e os tomos de soluto.

MOVIMENTO DOS ELTRONS EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS

A condutividade eltrica nos compostos inicos aumenta com o aumento da temperatura. Ao se fundir um composto inico aumenta bruscamente condutividade eltrica, devido a criaes de ons. 7.1.6. Condutividade eltrica nos covalentes materiais

Figura 7.3 Movimentao dos eltrons numa liga com presena de tomos intersticiais.

A presena de defeitos na estrutura (discordncias, contorno de gros etc) reduz a condutividade pois aumentam o risco de colises dos eltrons com o ncleo dos tomos.
60 50
Resistividade Eletrica

Nos compostos covalentes os eltrons esto fortemente ligados aos tomos em cuja ligao covalente intervm, e no esto livres para que possam conduzir eletricidade. Para liberar um eltron capaz de conduzir necessria uma grande energia. Os defeitos cristalinos e a temperatura aumentam a condutividades eltrica dos polmeros. 7.1.7. Materiais semicondutores Tem resistividade entre metais e isolantes

40 30 20 10 0 0 10 20 30 40 50 60
Composio da Liga de CuNi (%Ni)

10-6-10-4 W.cm

1010-1020 W.cm

Figura 7.4. Resistividade eltrica de uma liga de cobre e nquel em funo da composio qumica.

EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES Silcio, Germnio (Grupo IV da Tabela Peridica) GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da Tabela Peridica) PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela Peridica) 95% dos dispositivos eletrnicos so fabricados com Silcio 65% dos dispositivos de semicondutores do grupo III-V so para uso militar

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7.2. Propriedades Trmicas Dilatao Condutividade Difusibilidade Trmica Resistncia ao Choque Trmico a -Coef.de dilatao linear (oC-1) DL- Dilatao linear ( m,mm ) Lo Comprimento inicial DT Variao de Temp. (oC)

7.2.1. Dilatao Trmica

0,008
A dilatao que a maioria dos materiais sofre por ao do calor uma conseqncia do aumento de sua energia interna, que implica em uma maior amplitude das vibraes moleculares e, portanto, um maior distanciamento entre seus constituintes estruturais.

dL/Lo

0,006 0,004 0,002

T1 Lo T2 DL L

a= 0 tg q200

400

600

800

1000

1200

TEMPERATURA
Figura 7.5. Curva de dilatao linear de um material cermico contendo quartzo livre.

DL = Lo.a . (T2-T1) L = Lo + DL 7.2.1.1 Dilatao Linear Este aumento dimensional caracterstico de cada material e expresso por um fator que depende da temperatura, denominado coeficiente de dilatao. Esse coeficiente pode referir-se ao volume (coeficiente de dilatao volumtrico), superfcie (coeficiente de dilatao superficial), ou a uma dimenso (coeficiente de dilatao linear).

A variao dimensional de um material em funo da temperatura praticamente linear desde que no ocorram mudanas estruturais. Entretanto, se durante seu aquecimento ocorrem algumas transformao (modificaes polimorficas, cristalizao ou devitrificao, pontos de transio, etc.), estas aparecem na curva dilatomtrica como uma mudana de inclinao, sendo esta tanto mais pronunciada quanto mais intensa for a transformao

O Coeficiente de Dilatao Linear depende: Da fora de ligao atmica Da compactao da Estruturas

7.2.1.2. Coeficiente de Dilatao Linear uma relao que expressa qual a variao dimensional que um material sofre quando aquecido ou resfriado. a = DL Lo.DT 7.2.1.3. Relao entre fora de ligao atmica X coeficiente de dilatao trmica: Existe uma correlao entre o coeficiente de dilatao e a energia de ligao (temperatura de fuso), materiais com alta energia de ligao apresentam coeficientes de ligaes trmicas baixos. Fora de ligao P. fuso

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Tabela 7.1. Dilatao trmica e Ponto de fuso de alguns metais


Coefiente Temperatura -1 Material de dilatao(C ) de fuso (C) Magnesio 26 x 10-6 650 Aluminio 23 x 10-6 660 -6 Prata 19 x 10 961 Ferro 13 x 10-6 1536 Platina 9 x 10-6 1769 -6 Molibidenio 7 x 10 2610 Carbeto de W 5 x 10-6 2850

q = - k. dT dx

q fluxo de calor (J/m2 ou W/M2) k condutividade trmica (W/m) dt/dx- gradiente de temperatura condutor

no

Meio

7.2.2.1. Mecanismo de transporte de calor Nos slidos o calor pode ser transportado de duas maneiras:

7.2.1.4. Relao entre fator de empacotamento X coeficiente de ligao Quanto maior o fator de empacotamento atmico, maior o coeficiente de dilatao, pois os tomos esto mais prximos e conseqentemente a repulso atmica maior.

Pela movimentao de eltrons livres Por vibraes quantizadas da rede (fnons)

k = kf

+ ke

dl/lo ( 10-3 )

45 40 35 30 25 20 15 10 5 0

A condutividade total de um material a soma da condutividade eletrnica mais a condutividade pelas vibraes. 7.2.2.2. Conduo trmica nos metais Nos metais a conduo de calor realizada principalmente por eltrons livres.

ke >>> kf
Como na conduo eltrica os defeitos de estrutura diminuem o livre caminho mdio dos eltrons diminuindo assim a condutividade trmica.

300

600

900

1200 1500 1800


Temperatura (C)

kao comum > k ao inox


7.2.2.3. Conduo trmica nos cermicos

Figura 7.6. Curva de dilatao linear de uma liga de ferro.

7.2.2. Condutividade Trmica

o fenmeno pelo qual calor transportado das regies de maior temperatura para as regies de menor temperatura. A propriedade que caracteriza a habilidade de um material transferir calor a condutividade trmica ( k ).

Nos materiais cermicos por no apresentarem eltrons livres os fnons(vibraes no reticulo) so os principais meios de conduo trmica

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Irregularidades no reticulo cristalina afetam a condutividade trmica, pois os defeitos difratam os fnons (ondas).

7.2.4. Choque termoclasse)

trmico

(Resistncia

kfonons >>> keletrons

kcristal > kvidro


Exemplo: A alumina que um matria cermico altamente cristalino tem uma condutividade trmica em torno de 40W/m-K, enquanto o vidro um material amorfo tem condutividade abaixo de 2,0W/m-K. O diamante material extremamente cristalino possui uma condutividade superior a 1400W/m-K. 7.2.2.4. Outros fatores que afetam a conduo trmica Temperatura Normalmente a condutividade decresce com temperatura, com exceo nos materiais amorfos. Nos materiais metlicos a temperatura tem pouca influencia na conduo. Poros A presena de poros reduz a condutividade trmica dos materiais.

Quando um corpo slido aquecido ou resfriado, o gradiente interno de temperatura ir depender do seu tamanho, da taxa de variao de temperatura da difusibilidade trmica. Os gradientes de temperatura ao longo de um corpo, causado pelo rpido aquecimento ou resfriamento causaro tenses internas provocadas por diferenas de retrao ou expanso trmica. A capacidade de resistir a estas variaes bruscas de temperatura conhecido por choque trmico.

RCT = h . S a.E RCT- resistncia ao choque trmico h- Difusividade trmica S- limite de resistncia a- dilatao trmica E- Modulo de elasticidade

7.2.3. Difusividade trmica (h) A difusibilidade trmica a propriedade que o material possui em difundir calor no seu interior, ela depende da: condutividade trmica, capacidade calorfica e da densidade. h= K Cp. r K- condutividade trmica Cp- capacidade trmica r- densidade h- Difusividade trmica

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