Anda di halaman 1dari 9

III. DISTRIBUSI FERMI-DIRAC DAN MAXWELL-BOLTMANN

3.1 Distribusi Fermi-Dirac

Distribusi elektron pada pita konduksi dan lubang pada pita valensi diberikan

oleh distribusi Fermi-Dirac

dan

dn

(E)

= ρ

dp

(E)

= ρ

C

V

(E) (E)

f

n

(E) (E)

f

p

dE

(3.1)

dE

(3.2)

ρ c (E) dan ρ v (E) adalah fungsi rapat keadaan (density of states) pada pita konduksi dan

pita valensi. f n (E) dan f p (E) adalah fungsi distribusi Fermi-Dirac elektron pada

pitakonduksi dan hole pada pita valensi.

Fungsi rapat keadaan untuk elektron dan lubang masing-masing diberikan diberikan

oleh

dan

ρ

C () E

ρ

V

() E

=

=

h

8 2 π
8
2 π

( m

3

*

C )

3/ 2

8

⋅ ⋅ h 8 2 π ( m 3 * C ) 3/ 2 ⋅ 8

2 π

( m

* )

V

3/ 2

h

3

E − E C E − E V
E
E
C
E
E
V

(3.3)

(3.4)

Persamaan 3.3 dan 3.4 menggambarkan jumlah keadaan kuantum yang tersedia pada

pita konduksi dan pada pita valensi per interval satuan volume per satuan energi, m c *

dan m v * berturut-turut adalah rapat keadaan massa efektif elektron dan lubang, E c dan

E v masing-masing adalah energi terendah pada pita konduksi dan pada bagian atas pita

valensi dan h adalah konstanta Planck. Fungsi Fermi-Dirac diberikan oleh

f

n

()

E

=

1

1

+

exp

E

E

Fn

kT

(3.5)

14

menunjukkan probabilitas bahwa suatu keadaaan yang tersedia (available state) dengan

energi E ditempati oleh elektron, sedangkan

f

p

()

E

=

1

1

+

exp

E

E

Fp

kT

(3.6)

menunjukkan probabilitas bahwa suatu keadaan dengan energi E tidak ditempati

elektron, yaitu ditempati lubang. Dalam keadaan tidak dalam keseimbangan (non-

equilibrium) energi Fermi E Fn untuk elektron pada persamaan (3.5) berbeda dengan

energi Fermi E Fp pada persamaan (3.6) untuk lubang. Namun demikian karena kita

hanya membatasi pada kasus kesetimbangan (equilibrium) atau kesetimbangan semu

(quasi-equilibrium) kita asumsikan bahwa E Fn = E Fp = E F .

Antara persamaan 3.5 dan 3.6 terdapat hubungan

f p

(E)

=1f (E)

n

(3.7)

adalah fungsi distribusi Fermi-Dirac untuk elektron di mana harganya saling

melengkapi dengan fungsi distribusi Fermi-Dirac untuk lubang. Dengan kata lain

jumlah probabilitas suatu keadaan kuantum diisi oleh sebuah elektron dan probabilitas

suatu keadaan tidak terisi elektron (diisi oleh lubang) harus sama dengan satu.

Pada persamaan di atas T adalah temperatur mutlak dan k adalah konstanta

Boltzmann. Biasanya banyak dipakai ekspresi perkalian kT dan dinyatakan dalam

elektron volt (eV). Karenanya rumus harga numerik berikut sering digunakan

kT =

T

11605

eV

(3.8)

di mana T temperatur dalam skala Kelvin Dengan memasukkan harga temperatur

absolut kepersamaan (3.8) untuk suhu ruang (T=300K) diperoleh kT = 25,8 meV.

15

3.2 Konsentrasi Elektron

Dengan memulai dari fungsi distribusi, persamaan konsentrasi kondisi kesetimbangan untuk elektron pada semikonduktor murni (intrinsic) dapat diturunkan sebagai berikut.

pita konduksi pita valensi rapat keadaan × Fungsi Fermi-Dirac = distribusi elektron dan lubang
pita konduksi
pita valensi
rapat keadaan
× Fungsi Fermi-Dirac =
distribusi elektron
dan lubang

Gambar 3.1 Distribusi elektron dan lubang pada semikonduktor murni (Sze, 1981).

Gambar 3.1 memperlihatkan diagram energi, fungsi rapat keadaan, fungsi Fermi untuk elektron dan lubang, dan fungsi distribusi elektron pada pita konduksi dan lubang, pada pita velensi. Seperti diperlihatkan pada gambar 3.1, konsentasi elektron dan lubang ditunjukan oleh luasan dari fungsi distribusi. Konsentrasi elektron dapat diperoleh dengan mengintegrasi fungsi distribusi (pers. 3.1) dengan batas bawah dari pita konduksi (E = E c ) sampai ke batas atas integral dapat diperpanjang sampai E = , sehingga:

n =

dengan substitusi

diperoleh

η =

() ()

ρ E

C

f

n

E

dE

E

C

=

8

8 2 ⋅

2

π

(

m

*

C

)

3/ 2

 

h

3

E

E

C

d

dE

=

 
 

kT

,

η

kT

,

(

kT

)

dE =

∞ η 3/ 2 ∫ 1 + exp ( η η − ) 0 F
η
3/ 2
1
+
exp
(
η η
)
0
F
kT dη

d

η

(3.9)

(3.10)

Dalam bentuk lain dapat ditulis sebagai

dimana

Dalam bentuk lain dapat ditulis sebagai dimana 16 (3.12) (3.13) merupakan jarak antara level energi Ferm
Dalam bentuk lain dapat ditulis sebagai dimana 16 (3.12) (3.13) merupakan jarak antara level energi Ferm

16

(3.12)

(3.13)

merupakan jarak antara level energi Fermi dan bagian atas energi gap dibagi kT, N c adalah rapat keadaan efektif pada pita konduksi, dinyatakan sebagai :

keadaan efektif pada pita konduksi, dinyatakan sebagai : (3.14) F ½ ( η F ) adalah

(3.14)

F ½ (η F ) adalah integral Fermi orde ½, dituliskan sebagai

η F ) adalah integral Fermi orde ½, dituliskan sebagai (3.15) Aproksimasi analitik dari solusi integral

(3.15)

Aproksimasi analitik dari solusi integral Fermi untuk interval η F tertentu adalah

integral Fermi untuk interval η F tertentu adalah (3.16) Gambar 3.2 memperlihatkan plot integral Fermi dengan

(3.16)

Gambar 3.2 memperlihatkan plot integral Fermi dengan aproksimasi seperti persamaan (3.16). Aproksimasi pertama dapat digunakan pada semikonduktor untuk

atau

aproksimasi seperti persamaan (3.16). Aproksimasi pertama dapat digunakan pada semikonduktor untuk atau (3.17) (3.18)
aproksimasi seperti persamaan (3.16). Aproksimasi pertama dapat digunakan pada semikonduktor untuk atau (3.17) (3.18)

(3.17)

(3.18)

17

Dalam hal ini tingkat Fermi harus paling tidak berada sejauh beberapa kT dari seluruh keadaan energi dimana elektron berada. Dengan kata lain tingkat Fermi harus berada pada energi gap dan paling tidak sejauh kT dari batas bawah pita konduksi. Dalam perhitungan biasanya tingkat Fermi tersebut berada sejauh 3kT dari batas pita konduksi.

Fermi tersebut berada sejauh 3kT dari batas pita konduksi. Gambar 3.2 Integral Fermi orde ½ dan

Gambar 3.2 Integral Fermi orde ½ dan pendekatannya (Sze, 1981)

Salusi dari aproksimasi di atas berlaku pada semikonduktor non-degenerate, dimana distribusi elektron pada pita konduksi mengikuti distribusi Maxwell-Baltzmann. Secara matematik, ekor dari distribusi Fermi-Dirac (pers. 3.5) yang berada pada pita valensi dapat didekati dengan fungsi eksponensial

pada pita valensi dapat didekati dengan fungsi eksponensial (3.19) Aproksimasi kedua dari pada persamaan (3.16)

(3.19)

Aproksimasi kedua dari pada persamaan (3.16) berkaitan dengan semikonduktor yang tergenerasi (highly degenereted) dimana tingkat energi Fermi berada jauh didalam pita konduksi. Semikonduktor semacam ini mempunyai sifat kelistrikan mirip dengan sifat logam. Kita akan banyak membicarakan semikondukstor non-degenerate, karenanya akan banyak menggunakan statistik Maxwll-Baltzmann. Pada semikonduktor murni kondisi seperti pada persamaan 3.17 dan 3.18 dapat dipenuhi. Dalam hal ini konsentrasi elektron pada pita konduksi dapat dinyatakan sebagai

3.17 dan 3.18 dapat dipenuhi. Dalam hal ini konsentrasi elek tron pada pita konduksi dapat dinyatakan

(3.20)

18

3.2 Konsentrasi Lubang

Dengan cara yang sama konsentrasi lubang pada pita valensi dapat diturunkan dengan mengintegrasi fungsi distribusi lubang (pers. 3.2) ke seluruh energi pita valensi

dari E=- ke E = E v pada puncak pita valensi.

E = - ∞ ke E = E v pada puncak pita valensi. dengan substitusi integral
E = - ∞ ke E = E v pada puncak pita valensi. dengan substitusi integral

dengan substitusi

ke E = E v pada puncak pita valensi. dengan substitusi integral persamaan (3.21) berubah menjadi

integral persamaan (3.21) berubah menjadi

dengan substitusi integral persamaan (3.21) berubah menjadi atau dimana (3.21) (3.22) (3.23) (3.24) (3.25) adalah jarak

atau

dimana

integral persamaan (3.21) berubah menjadi atau dimana (3.21) (3.22) (3.23) (3.24) (3.25) adalah jarak antara
integral persamaan (3.21) berubah menjadi atau dimana (3.21) (3.22) (3.23) (3.24) (3.25) adalah jarak antara

(3.21)

(3.22)

(3.23)

(3.24)

(3.25)

adalah jarak antara energi Fermi dan bagian bawah pita valensi dibagi kT. Dengan membandingkan harga ini dengan persamaan (3.13), kita dapat melihat bahwa arah referensi (positip) telah berubah. N v adalah rapat keadaan efektif (effective density of states) pada pita valensi dituliskan sebagai

(3.26) 19 Menggunakan aproksimasi pertama integral Fermi pada persamaan (3.16), konsentrasi lubang dapat dinyatakan

(3.26)

19

Menggunakan aproksimasi pertama integral Fermi pada persamaan (3.16), konsentrasi lubang dapat dinyatakan sebagai

(3.16), konsentrasi lubang dapat dinyatakan sebagai (3.27) Sekali lagi persamaan di atas hanya valid untuk

(3.27)

Sekali lagi persamaan di atas hanya valid untuk semikonduktor non-degenerate, berarti energi Fermi harus berada pada energi gap paling tidak beberapa kT dari batas atas pita valensi. Perhatikan bahwa perkalian konsentrasi elektron (pers. (3.20)) dan konsentrasi lubang (persamaan (3.27)) dalam kesetimbangan adalah

lubang (persamaan (3.27)) dalam kesetimbangan adalah (3.28) tidak tergantung pada posisi tingkat Fermi, tetapi

(3.28)

tidak tergantung pada posisi tingkat Fermi, tetapi berharga tetap pada temperatur tertentu. Pada persamaan di atas E G adalah lebar energi gap. Pada semikonduktor murni, pembawa muatan hanya terbentuk dari pasangan elektron-lubang, karenanya konsentrasi elektron sama dengan konsentrasi lubang. Jika fungsi rapat keadaan pada pita konduksi simetris dengan fungsi rapat keadaan pada pita valensi, maka distribusi elektron pada pita konduksi akan merupakan “bayangan” dari distribusi lubang pada pita valensi dengan bidang cermin berada pada pusat energi gap (gambar 3.1). Kita dapat membuktikan bahwa posisi energi Fermi berada ditengah energi gap. Ini berarti bahwa asumsi yang diambil dengan aproksimasi Statistik Fermi-Dirac secara eksak dengan distribusi Maxwell-Baltzman adalah benar. Dengan kata lain, energi Fermi berada dalam energi gap sejauh beberapa kT dari tepi energi gap. Pada kenyataannya, fungsi rapat keadaannya tidak simetris, tetapi untuk silikon, germanium dan galium arsenide, keadaan tidak simetri tersebut dapat diabaikan.

20

Untuk memberikan ilustrasi yang nyata, kita dapat menganalisa keadaan silikon

pada T = 300 K dimana harga E G = 1,12 eV. Probabilitas keadaan pada bagian bawah

pita konduksi terisi elektron diberikan oleh persamaan (3.5)

f

n

( E

C

) =

1

1

+

exp   E

C

E

F

k.T

=

1

1

+

exp

E

G

2.k.T

=

3,62

×

10

10 (3.29)

Walaupun probabilitas di atas sangat kecil, adanya rapat keadaan kuantum yang sangat

besar dapat menghasilkan konsentrasi elektron yang cukup besar. Sebagai contoh,

silikon pada suhu ruang mempunyai elektron bebas 10 10 cm -3 yang terjadi akibat

generasi termal pasangan elektron lubang.

Pada logam, energi Fermi biasanya didifinisikan sebagai tingkat energi tertinggi

yang terisi elektron pada suhu nol mutlak. Di atas temperatur nol, probabilitas energi

tersebut terisi sama dengan ½. Jelas bahwa definisi di atas tidak berlaku untuk

semikonduktor, karena energi Fermi berada pada energi gap, dimana tidak terdapat

elektron. Pada semikonduktor, energi tertinggi dimana elektron dapat menempati pada

suhu nol mutlak berada pada bagian paling atas pita valensi, E v . Jika kita berasumsi

bahwa tingkat Fermi berimpit dengan puncak pita valensi, maka fungsi Fermi pada

gambar 3.1 mengarah/berada di bagian bawah. Sebagai konsekuensinya, konsentrasi

lubang tidak sama dengan konsentrasi elektron. Hal ini bertentangan dengan pernyataan

di awal, karenanya kita dapat mendifinisikan kembali tingkat Fermi pada

semikonduktor dalam bentuk teori matematika.

Misalnya E F adalah suatu harga tingkat energi. Kita melihat bahwa tingkat E F +

E di dalam pita konduksi terisi elektron sebagai f ( E

tingkat

sebagai

F + dan probabilitas suatu

E )

n

di

dalam

pita

valensi

terisi

oleh

lubang

(tidak

terisi

elektron)

f

n

( E

F E ) . Jika probabilitas keduanya dalam kesetimbangan adalah sama maka,

probabilitas keduanya dalam kesetimbangan adalah sama maka, dengan demikian E F merupakan tingkat Fermi. Nampak

dengan demikian E F merupakan tingkat Fermi. Nampak jelas pada gambar 3.1 bahwa

energi Fermi merupakan sumbu simetri fungsi Fermi untuk elektron dan merupakan

bayangan cermin fungsi Fermi dari lubang.

21

Permasalahan 3.1

Jika distribusi yang berlaku mengikuti statistik Maxwell-Baltzmann, tentukan besarnya

energi dimana distribusi elektron pada pita konduksi dan distribusi lubang pada pita valensi mencapai harga maksimum.

Penyelesaian

Harga maksimum distribusi elektron pada pita konduksi tercapai pada

E

=

E

c

+

kT / 2

,

. Perlu diperhatikan

sedangkan distribusi lubang pada pita valensi pada

bahwa harga maksimum tidak tergantung pada posisi tingkat Fermi asal statistik Maxwell-Baltzmann diberlakukan.

E

=

E

c

kT / 2