MODUL 5 TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

Agung Utama Putra (13210037) Asisten: Imran S. Tanggal Percobaan: 9/4/2012 EL2140-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak Praktikum kali ini memperlihatkan fungsi transistor BJT dan MOSFET sebagai switch dan karakterisitiknya ketika beroperasi sebagai saklar. Kata kunci: transistor, BJT, MOSFET, n-MOS, CMOS, switch. 1. PENDAHULUAN

2.3

MOSFET SEBAGAI SWITCH

Untuk kedua tipe MOSFET, n-MOS bekerja dengan memberikan tegangan positif pada gate, sementara p-MOS bekerja dengan memberikan tegangan negatif pada gate. Transistor n-MOS berlaku sebagai switch dengan membuatnya bekerja pada daerah saturasinya.

Praktikum kali ini memperlihatkan aplikasi transistor sebagai switch. Tujuan praktikum ini: Mengetahui dan mempelajari transistor sebagai switch. fungsi

Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja BJT ketika beroperasi sebagai saklar. Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja MOSFET tipe n-MOS dan CMOS ketika beroperasi sebagai saklar.

Gambar 2: (a) Rangkaian dengan transistor n-MOS, (b) daerah kerja transistor MOSFET

2. 2.1

STUDI PUSTAKA SWITCH IDEAL

2.4

RANGKAIAN CMOS

Sebuah switch ideal pada keadaan off harus tidak mengalirkan arus sama sekali, dan pada keadaan on tidak mempunyai keadaan drop.

Rangkaian CMOS adalah rangkaian yang menggunakan transistor n-MOS dan p-MOS digabungkan. Agar CMOS bekerja sebagai switch, daerah kerjanya harus diubah-ubah antara cut-off dan saturasi.

2.2

TRANSISTOR BJT SEBAGAI SWITCH

BJT berfungsi sebagai switch dengan menggunakan titik kerja derah saturasi (untuk kondisi on) dan cut-off (untuk kondisi off). Walaupun begitu, switch ini tidak ideal.

Gambar 3: Rangkaian inverter dan grafik input-output-nya

3.
Gambar 1: Daerah kerja BJT

METODOLOGI
Sumber tegangan DC
1

Alat dan Komponen

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Osiloskop Kit Transistor sebagai Switch Multimeter Analog dan Digital Kabel-kabel

Percobaan MOSFET sebagai Switch Cara Multimeter

Putar Rvar untuk menaikkan tegangan gate secara perlahan hingga lampu menyala. Catat IG, ID, VGS, VDS.

Percobaan BJT sebagai Switch

Susun rangkaian seperti Gambar 4. VCC = 12 V. Rvar minimum. Catat VCE awal. Putar Rvar untuk menaikkan tegangan base secara perlahan hingga lampu menyala. Catat IB, IC, VBE, VCE.

Susun rangkaian seperti Gambar 5. VDD = 5 V. Rvar minimum. Catat VDS dan ID awal.

Turunkan Rvar perlahan hingga lampu padam. Catat IG, ID, VGS, VDS.

Pada tiga nilai pengukuran antara lampu menyala sampai potensiometer maksimum, catat IG dan I D.

Turunkan Rvar perlahan hingga lampu padam. Catat IB, IC, VBE, VCE.

Pada tiga nilai pengukuran antara lampu menyala sampai potensiometer maksimum, catat IB dan I C.

Ulangi untuk VDD lain.

Bagan 2: Percobaan MOSFET sebagai Switch.

Ulangi untuk VCC lain.

Bagan 1: Percobaan BJT sebagai Switch

Gambar 5: Percobaan MOSFET sebagai Switch

Gambar 4: Rangkaian percobaan BJT sebagai switch.

Cara osiloskop

Susun rangkaian seperti Gambar 6. VDD = 5 V.

Gunakan generator sinyal sebagai Rin dengan fungsi gelombang segitiga 0-5 V. Hubungkan ke osiloskop.

Hubungkan Vout ke osiloskop.

Bagan 3: Percobaan MOSFET sebagai Switch cara osiloskop.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Susun rangkaian seperti Gambar 8. VDD = 5 V.

Gunakan generator sinyal sebagai Rin dengan fungsi gelombang segitiga 0-5 V. Hubungkan ke osiloskop.

Ganti VOUT1 dengan VOUT2 di osiloskop. Lihat dalam mode x-y.

Hubungkan Vout1 ke osiloskop. Lihat dalam mode x-y.

Gambar 6: Percobaan MOSFET sebagai Switch cara osiloskop.

Inverter CMOS Cara Multimeter

Putar Rvar untuk menaikkan tegangan gate secara perlahan hingga lampu menyala. Catat IG, ID, VGS, VDS.

Bagan 5: Percobaan Inverter CMOS cara osiloskop.

Susun rangkaian seperti Gambar 7. VDD = 5 V. Rvar minimum. Catat VDS, IS, dan ID awal.

Turunkan Rvar perlahan hingga lampu padam. Catat IG, ID, VGS, VDS.

Pada tiga nilai pengukuran antara lampu menyala sampai potensiometer maksimum, catat IG dan I D.

Gambar 8: Percobaan Inverter CMOS cara osiloskop.

4.

HASIL DAN ANALISIS

Percobaan BJT sebagai Switch

VCC = 12 V IC IB 0,05 0,5 0,75 1 0,013 VCE 3,48 10,3 VBE 0,65 0,61 IC 1,71 2,208 2,208 2,21 0,32 VCC = 11 V IB 0,05 0,5 0,75 2 0,016 VCE 2,55 9,46 VBE 0,66 0,6

Ulangi untuk VDD = 10 V.

Nyala 1 1,746 2,392 2,394 2,394 0,34

Bagan 4: Percobaan Iverter CMOS cara multimeter.

2 3 Mati

VCC = 10 V IC Nyala 1 2 3 Mati 1,688 2,006 2,008 2,008 0,36 IB 0,05 1 1,5 2 0,018 VCE 1,46 8,23 VBE 0,664 0,62 IC 1,704 1,812 1,812 1,812 0,334

VCC = 9 V IB 0,05 1 1,5 2 0,017 VCE 0,55 7,41 VBE 0,672 0,62

Tabel 1: Hasil percobaan 1

Gambar 7: Percobaan Iverter CMOS cara multimeter.

Cara Osiloskop

Dari data, bisa disimpulkan bahwa VBE minimum yang menyebabkan saturasi (lampu menyala) adalah 0.65 V dan VBE minimum yang menyebabkan cut-off (lampu mati) adalah 0.6 V. Bisa terlihat ada rentang sekitar 0.05 V yang kondisinya tidak bisa ditentukan dengan pasti. Percobaan n-MOS sebagai Switch
3

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB


VCC (V)

Cara Multimeter.
Awal VDS (V) ID (mA) -0,03 -0,03 -0,03 -0,02 IG (mA) 0 0 0 0 Ada arus drain ID (mA) 0,01 0,01 0,01 0,01 VGS (V) 1,87 1,89 1,88 1,865 VDS (V) 5,23 5,99 7,43 8,95

sehingga VOUT jadi sama dengan tegangan ground (0 V). Sebelum tegangan 3 V, transistor n-MOS masih dalam keadaan cut-off sehingga VOUT = VDD. Inverter CMOS Cara Multimeter
VCC = 5 V IS (mA) Ada arus 1 0,01 0,06 0,21 0 IG (mA) 0 0 0 0 VGS [VA] 1,88 2 3 4 VDS [Vout] 5,24 5,2 0,087 0 IS (mA) 0,01 1,21 5,42 1,18 VCC = 10 V IG (mA) 0 0 0 0 VGS [VA] 1,873 3 5 7 VDS [Vout] 10 3,73 1,422 0,133

5 6 7,5 9

5 6 7,5 9

Tabel 2: Hasil percobaan 2

Kurva ID-VGS
7 6

2 3

Tabel 3: Hasil percobaan 4

12 5 4 3 2 1 0 -1 0 5 10 ID (mA) 10 8 6 4 2 0 -2 0 2 4 6
VDS [Vcc = 5] VDS [Vcc = 10]

Gambar 9: Kurva hubungan VGS-ID

Gambar 11: Grafik hubungan Vout dengan Vin

Dari data bisa dilihat seberapapun nilai VDD yang digunakan, switch dengan n-MOS baru akan aktif saat tegangan VGS melewati batas tertentu (memasuki daerah saturasi). Cara Osiloskop

Dari grafik, bisa terlihat bahwa saat VCC = 5 V, inverter bekerja dengan benar. Saat Vin low (mendekati 0 V), Vout high (mendekati nilai VCC), dan kebalikannya. Untuk VCC = 10 V, data yang dikumpulkan kurang banyak, tetapi cukup menggambarkan bahwa inverter bekerja dengan benar. Cara Osiloskop

Gambar 10: Kurva hasil percobaan 3. Skala horizontal dan vertikal = 1 V/div.

Dari grafik didapat:

Gambar 12: Kurva hasil percobaan 5. Skala horizontal dan vertikal = 1 V/div.

Maka tegangan threshold-nya: Itu berarti, apabila tegangan input sudah melebih 3 V, transistor n-MOS akan masuk pada saturasi

Dengan cara osiloskop, hasil yang didapatkan cukup mirip dengan percobaan 3. Tetapi, terlihat bahwa grafik lebih curam sehingga daerah yang tidak terdefinisi bisa lebih kecil. Dari grafik didapat:
4

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Maka tegangan threshold-nya:

5.

KESIMPULAN
Aplikasi switch bisa menggunakan transistor BJT dan MOFET. Pada rangkaian switch dengan BJT dan nMOS, rangkaian akan memberikan tegangan output mendekati VCC pada saat transistor cut-off, yaitu saat tegangan input mendekati 0. Tegangan output mendekati 0 saat transistor saturasi, yaitu saat tegangan input melewati batas tegangan threshold, sehingga tegangan output akan sama dengan tegangan ground. Pada rangkaian inverter, pada saat tegangan mendekati 0 V, transistor p-MOS akan saturasi dan n-MOS cut-off, sehingga tegangan output sama dengan VCC. Pada saat tegangan input melewati batas tegangan threshold, transistor p-MOS akan cut-off dan n-MOS saturasi, sehingga tegangan output sama dengan ground (0V).

DAFTAR PUSTAKA [1] Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith, Microelectronic Circuits, ed 5, Oxford University Press, USA, 2004. Mervin T. Hutabarat, Modul Praktikum Elektronika, Hal. 53-59, Penerbit ITB, Bandung, 2012

[2]

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB