DASAR DASAR SEMI KONDUKTOR

Disusun untuk melengkapi Tugas Elektronika I

Oleh: KELOMPOK I Adityo Mursitantyo Luh Eka Arisanti Nikita Pusparini Tomy Gunawan (NIM. 1108255003) (NIM. 1108255006) (NIM. 1108255005) (NIM. 1108255001)

JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS UDAYANA 2011

BAB I PENDAHULUAN

Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen komponen tersebut. Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnet, tetapi pada semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif. Tahanan jenis bahan semi konduktor antara sekitar 10 -3 Wm sampai dengan sekitar 10+3 Wm. Atom-atom bahan semi konduktor membentuk kristal dengan struktur tetrahedral, dengan ikatan kovalen. Bahan semi konduktor yang banyak dipakai dalam elektkronika adalah silikon (Si) dan Germanium (Ge). Pada 0K Si mempunyai lebar pita terlarang (energy gap) 0,785 eV, sedang untuk Ge 1,21 eV. Bahan - bahan logam seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas. Dapat ditebak, semikonduktor adalah unsur yang susunan atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Tentu saja yang paling semikonduktor adalah unsur yang atomnya memiliki 4 elektron valensi.

BAB II ISI
A. Semikonduktor Instrinsik Semikonduktor instrinsik (murni) adalah semi konduktor yang tidak ataupun belum terkotori oleh atom-atom asing. Pada 0 o K pita valensi penuh, pita konduksi kosong sehingga bersifat sebagai isolator. Pada suhu yang lebih tinggi misal pada suhu kamar ada elektron pada pita valensi yang energinya melebihi energi gap sehingga dapat meloncat dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas dengan meninggalkan kekosongan pada pita valensi. Kekosongan ini disebut hole (lubang) dan dianggap bermuatan positif sebesar muatan elektron. Semikonduktor intrinsik dibuat dengan metode khusus untuk meningkatkan kemurniannya setinggi mungkin, sehingga hasilnya bisa dianggap sebagai semikonduktor murni. Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat rendah, karena terbatasnya jumlah pembawa muatan yakni hole maupun elektron bebas tersebut.

Gambar 2.1 Struktur Kristal germanium dalam Dua Dimensi

Gambar 2.2 Struktur Kristal Germanium dengan Ikatan Kovalen yang rusak

B. Semikonduktor Ekstrinsik Semikonduktor ekstrinsik merupakan semikonduktor yang memperoleh pengotoran atau penyuntikan (doping) oleh atom asing. Semikonduktor ekstrinsik ada dua jenis atau tipe yaitu: 1. Semikonduktor Tipe N Jika bahan silikon didoping lima dengan bahan ketidakmurnian diperoleh bervalensi (penta-valens), maka

(impuritas)

semikonduktor tipe N. Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen (bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi). Dengan doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron. Kelebihan electron membentuk semikonduktortipe-n. Semikonduktor tipe-n disebut juga donor yang siap melepaskan elektron. Struktur kisi-kisi kristal bahan silikon type N dapat dilihat pada gambar di bawah ini :

Gambar 2.3 Struktur Semikondukton (Silikon) Tipe N

Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi mendapatkan pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron valensi yang kelima tidak mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron kelima ini dengan inti menjadi lemah dan mudah menjadi elektron bebas. Karena setiap atom depan ini menyumbang sebuah elektron, maka atom yang bervalensi lima disebut dengan atom donor. Dan elektron bebas sumbangan dari atom dopan inipun dapat dikontrol jumlahnya atau konsentrasinya. Meskipun bahan silikon type n ini mengandung elektron bebas (pembawa mayoritas) cukup banyak, namun secara keseluruhan kristal ini tetap netral karena jumlah muatan positip pada inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan elektronnya. Pada bahan type n disamping jumlah elektron bebasnya (pembawa mayoritas) meningkat, ternyata jumlah holenya (pembawa minoritas) menurun. Hal ini disebabkan karena dengan bertambahnya jumlah elektron bebas, maka kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi (bergabungnya kembali elektron dengan hole) semakin meningkat. Sehingga jumlah holenya menurun. Level energi dari elektron bebas sumbangan atom donor dapat digambarkan seperti pada gambar di bawah ini:

Gambar 2.4 Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe N

Jarak antara pita konduksi dengan level energi donor sangat kecil yaitu 0.05 eV untuk silikon dan 0.01 eV untuk germanium. Oleh karena itu pada suhu ruang saja, maka semua elektron donor sudah bisa mencapai pita konduksi dan menjadi elektron bebas. Karena atom-atom donor telah ditinggalkan oleh elektron valensinya (yakni menjadi elektron bebas), maka menjadi ion yang bermuatan positip. Sehingga digambarkan dengan tanda positip. Sedangkan elektron bebasnya menjadi pembawa mayoritas. Dan pembawa minoritasnya berupa hole.

Gambar 2.5 Bahan Semikonduktor Tipe N

2.

Semikonduktor Tipe P Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan

bahan impuritas (ketidak-murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor type p. Bahan dopan yang bervalensi tiga

tersebut misalnya boron, galium, dan indium. Struktur kisi - kisi kristal semikonduktor (silikon) type p adalah seperti gambar di bawah ini:
Gambar 2.6 Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe P

Karena atom dopan mempunyai tiga elektron valensi, dalam gambar tersebut adalah atom Boron (B) , maka hanya tiga ikatan kovalen yang bisa dipenuhi. Sedangkan tempat yang seharusnya membentuk ikatan kovalen keempat menjadi kosong (membentuk hole) dan bisa ditempati oleh elektron valensi lain. Dengan demikian sebuah atom bervalensi tiga akan menyumbangkan sebuah hole. Atom bervalensi tiga (trivalent) disebut juga atom akseptor, karena atom ini siap untuk menerima elektron. Seperti halnya pada semikonduktor type n, secara keseluruhan kristal semikonduktor type P ini adalah netral. Karena jumlah hole dan elektronnya sama. Pada bahan type p, hole merupakan pembawa muatan mayoritas. Karena dengan penambahan atom dopan akan meningkatkan jumlah hole sebagai pembawa muatan. Sedangkan pembawa minoritasnya adalah elektron. Level energi dari hole akseptor dapat dilihat pada gambar di bawah ini:

Gambar 2.7 Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe P

Jarak antara level energi akseptor dengan pita valensi sangat kecil yaitu sekitar 0.01 eV untuk germanium dan 0.05 eV untuk silikon. Dengan demikian hanya dibutuhkan energi yang sangat kecil bagi

elektron valensi untuk menempati hole di level energi akseptor. Oleh karena itu pada suhu ruang banyak sekali jumlah hole di pita valensi yang merupakan pembawa muatan. Karena atom-atom akseptor telah menerima elektron, maka menjadi ion yang bermuatan negatif. Sehingga digambarkan dengan tanda negatip. Pembawa mayoritas berupa hole dan pembawa minoritasnya berupa elektron. Bahan semikonduktor tipe p dapat dilukiskan seperti pada gambar di bawah ini:

Gambar 2.8 Bahan Semikonduktor Tipe P

C. Konduksi Dalam Semikonduktor Partikel yang menghantarkan arus dalam semikonduktor adalah: elektron dan hole. Ada dua jenis arus yang muncul akibat pergerakan partikel-partikel tersebut yaitu: 1. Arus Difusi Arus difusi adalah suatu arus I di dalam semikonduktor yang timbul akibat adanya pergerakan partikel-partikel bermuatan baik hole maupun electron sebagai akibat dari perbedaan (gradient) konsentrasi pembawa. 2. Arus Drift

Arus drift adalah sarus yang timbul pada semikonduktor akibat adanya pergerakan partikel-partikel bermuatan gaya F tarik dan tolak elektris dalam medan listrik (elektris).

Gambar 2.9 Arus dalam Semikonduktor

D. Perubahan Tegangan Pada Semikonduktor Dengan Doping Tak Merata Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini. Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang diharapkan akan dapat mengahantarkan listrik. Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut dopan. Doping sejumlah besar

ke semikonduktor dapat meningkatkan konduktivitasnya dengan faktor lebih besar dari satu milyar.

BAB III KESIMPULAN

Dari penjelasan materi di atas, dapat disimpulkan beberapa hal sebagai berikut: Semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara sifat-sifat konduktor dan isolator Terdapat dua jenis semikonduktor yaitu semikonduktor tipe N dan semikonduktor tipe P Bahan silikon yang didoping dengan bahan ketidak murnian (impuritas) bervalensi lima (penta-valens) menghasilkan semikonduktor tipe N. Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan impuritas (ketidakmurnian) bervalensi tiga, maka diperoleh semikonduktor type P.

DAFTAR PUSTAKA

Herman DS. 1996. Elektronika: Teori dan Penerapan. Yogyakarta: FPTK IKIP Yogyakarta. Tim Fakultas Teknik. 2001. Dasar Semikonduktor. Yogyakarta: Univ. Negeri Yogyakarta. . 2011. Semikonduktor. http://id.wikipedia.org/wiki/Semikonduktor

. 2008. Dasar Teori Semikonduktor. http://cnej.wordpress.com/2008/11/25/dasar-teori-semikonduktor3/