Anda di halaman 1dari 5

MODUL 4 KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET

Agung Utama Putra (13210037) Asisten: Selia C. Tanggal Percobaan: 05/04/2012 EL2140-Praktikum Elektronika

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB
Abstrak Praktikum kali ini akan membahas tentang karakteristik transistor FET dan aplikasinya untuk penguat. Kata kunci: FET, MOSFET, transistor, karakteristik, penguat. 1. PENDAHULUAN
Gambar 2: Kurva karakteristik ID-VDS

Praktikum kali ini akan menunjukkan karakteristik transistor FET dan aplikasinya pada rangkaian penguat. Dalam praktikum ini, jenis transistor yang digunakan adalah MOSFET. Tujuan praktikum ini antara lain: Mengetahui dan mempelajari karakteristik transistor FET. Memahami penggunaan FET sebagai penguat untuk konfigurasi Common Source, Common Gate, dan Common Drain. Memahami resistansi input dan output untuk ketiga konfigurasi tersebut.

Untuk rangkaian penguat, mode kerja transistor yang digunakan adalah mode saturasi.

2.2
1. 2. 3.

PENGUAT FET
Common Source Common Gate Common Drain

Ada tiga konfigurasi penguat:

Ketiganya memiliki karakteristik yang berbedabeda dari faktor penguatan, resistansi input, dan resistansi output.
Common Source Rin Common Gate Common Source

2. 2.1

STUDI PUSTAKA TRANSISTOR FET

Transistor FET adalah transistor yang berkerja berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung terminalnya. FET berfungsi sebagai konverter tegangan ke arus. Karakteristik umum transistor MOSFET yang digunakan dibagi menjadi dua: karakteristik IDVGS dan ID-VDS.

Rout

Av | | | | ( )

Tabel 1: Perbedaan karakteristik penguat

3.

METODOLOGI
Sumber tegangan DC Generator sinyal Osiloskop Multimeter Kit Transistor sebagai Switch Breadboard (1 buah)
1

Alat dan Komponen (1 buah) (1 buah) (1 buah) (3 buah)

Gambar 1: Kurva karakteristik ID-VGS

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Potensiometer 1 M Potensiometer 10 k Potensiometer 1 k Resistor 1 M Kapasitor 100 F Kabel-kabel

(1 buah) (1 buah) (2 buah) (1 buah) (1 buah)


Tentukan daerah saturasi dan triode. Sinyal input 50 mVpp, f = 10kHz Buat rangkaian seperti Gambar 5 Atur VDD, RG, RD, RS, agar transistor berada pada daerah saturasi.

Buat rangkaian seperti Gambar 3

Atur tegangan VGS dan catat ID yang dihasilkan


Gunakan osiloskop untuk melihat sinyal pada gate dan drain. Tentukan penguatannya.

Tentukan tegangan threshold Vt

Buat plot kurva ID-VGS


Ukur resistansi output. Ukur resistansi input.

Bagan 1: Percobaan kurva ID-VGS

Lakukan dengan rangkaian pada gambar 6 dan 7.

Bagan 3: Pengukuran penguatan, resistansi input dan resistansi output.

Gambar 3: Percobaan kurva ID-VGS

Buat rangkaian seperti Gambar 4

Atur tegangan VGS, VDS, dan catat ID yang dihasilkan

Tentukan daerah saturasi dan triode.

Buat plot kurva ID-VDS

Gambar 5: Rangkaian penguat common source.

Bagan 2: Percobaan kurva ID-VDS

Gambar 4: Percobaan kurva ID-VDS

Gambar 6: Rangkaian penguat common gate.


Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Dari data, tegangan threshold:

Kemudian untuk ID-VDS:


VDS (V) 0 VGS =2 0 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,05 0,06 0,06 0,07 0,07 0,07 VGS = 2,5 0 0,27 0,36 0,39 0,41 0,41 0,43 0,44 0,44 0,43 0,45 0,47 VGS =3 0 0,48 0,74 1 1,06 1,09 1,07 1,1 1,12 1,11 1,12 1,15 ID(mA) VGS VGS =4 =5 0 0,78 1,41 2,68 2,97 3,19 3,15 3,09 3,21 3,24 3,27 3,25 0 1,06 1,78 4,24 5,54 5,83 5,9 5,99 6,14 6,13 6,06 6,19 VGS =7 0 1,37 2,7 6,66 10,78 12,96 13,19 13,35 13,51 13,45 13,52 13,54 VGS =9 0 1,43 3,46 8,53 15,33 19,89 21,56 22,07 22,22 22,16 22,21 22,01

Gambar 7: Rangkaian penguat common drain.

0,25 0,5 1 2 3 4 5 6 7 8 9

Karena waktu yang tidak mencukupi, semua percobaan diulang kembali dengan simulasi menggunakan Proteus Isis.

4.

HASIL DAN ANALISIS

Untuk percobaan kurva ID-VDS dan ID-VGS, hasil saat praktikum adalah sebagai berikut:

VGS (V) 0 1,5 2 2,5 3 4 5 7,5

ID (mA) 0 0 0,06 0,41 1,07 3,13 6,04 15,73

Tabel 3: Hasil percobaan ID-VDS

25 20 15 10 5 0 0 ID (mA)

Triode

Saturasi

ID(mA) VGS = 2 ID(mA) VGS = 2,5 ID(mA) VGS = 3 ID(mA) VGS = 4 ID(mA) VGS = 5

Tabel 2: Hasil percobaan ID-VGS

Kurva ID-VGS Hasil Percobaan (mA)


18 16 14 12 10 8 6 4 2 0 -2 0

10

Gambar 9: Kurva ID-VDS hasil percobaan

Untuk rangkaian penguat tidak sempat dicobakan. Karena itu, percobaan diulang dengan menggunakan simulasi, termasuk pengukuran tegangan threshold dan penentuan area saturasi. 5 10 Berikut adalah hasil simulasi.

Gambar 8: Kurva ID-VGS hasil percobaan

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

VGS (V) ID (mA) 0 0 1,5 0 2 0 2,5 0,06 3 0,24 4 0,91 5 1,97 7,5 6
Tabel 4: Hasil simulasi ID-VGS

14 12 10 8 6 4 2 0 0 5 10

Triode

Kurva IDVDS ID(mA) VGS = 2 Kurva IDVDS ID(mA) VGS = 2,5 Kurva IDVDS ID(mA) VGS = 3 Kurva IDVDS ID(mA) VGS = 4

Saturasi

ID (mA)
8 6 4 2 0 -2 0 5 10 ID (mA)

Gambar 11: Kurva ID-VDS hasil simulasi

Dari kurva ID-VDS diatas, dipilih Q point dengan VDD = 10 V, RD = 5k, RS = 1k. Penguat Common Source

Gambar 10: Kurva ID-VGS hasil simulasi

Maka bisa dihitung tegangan thresholdnya:

Gambar 12: Output (kuning), vertikal = 1 V/div. Input (biru), vertikal = 10 mV/div.

Penguatan didapatkan:

VDS (V) 0 0,25 0,5 1 2 3 4 5 6 7 8 9

VGS =2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

VGS = 2,5 0 0,04 0,06 0,06 0,06 0,06 0,06 0,06 0,06 0,06 0,06 0,06

VGS =3 0 0,09 0,17 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25 0,25

ID(mA) VGS VGS =4 =5 0 0,18 0,35 0,64 0,98 1 1 1 1 1 1 1 0 0,25 0,49 0,94 1,67 2,14 2,25 2,25 2,25 2,25 2,25 2,25

VGS =7 0 0,35 0,69 1,36 2,62 3,75 4,73 5,52 6,06 6,25 6,25 6,25

VGS =9 0 0,42 0,83 1,65 3,24 4,76 6,2 7,55 8,79 9,9 10,9 11,6

Gambar 13: Sinyal generator (ungu), vertikal = 10 mV/div. Input setelah dipasang Rvar (biru), vertikal = 10 mV/div.

Resistansi input didapatkan:

Tabel 5: Kurva ID-VDS hasil simulasi

Gambar 14: Output setelah diberi Rvar (kuning), vertikal = 1 V/div.

Resistansi output didapatkan:

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB

Penguat Common Gate

Gambar 20: Output setelah diberi Rvar (kuning), vertikal = 10 mV/div. Gambar 15: Output (kuning), vertikal = 1 V/div. Input (biru), vertikal = 10 mV/div.

Resistansi output didapatkan:

Penguatan didapatkan:

5.

KESIMPULAN
Antara penguat common source dan common gate, nilai penguatannya hampir sama, tetapi pada common source outputnya di-invert. Nilai resistansi input common source besar sementara pada common gate kecil. Keduanya memiliki nilai resistansi output yang hampir sama. Penguatan pada penguat common drain mendekati 1, sehingga lebih cocok digunakan sebagai buffer.

Gambar 16: Sinyal generator (biru), vertikal = 10 mV/div. Input setelah dipasang Rvar (ungu), vertikal = 10 mV/div.

Resistansi input didapatkan:

DAFTAR PUSTAKA [1]


Gambar 17: Output setelah diberi Rvar (kuning), vertikal = 1 V/div.

Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith, Microelectronic Circuits, ed 5, Hal. 235-320, Oxford University Press, USA, 2004. Mervin T. Hutabarat, Modul Praktikum Elektronika, Hal. 43-59, Penerbit ITB, Bandung, 2012

[2]

Resistansi output didapatkan: Penguatan Common Drain

Gambar 18: Output (kuning), vertikal = 10 mV/div. Input (biru), vertikal = 10 mV/div.

Penguatannya didapatkan mendekati 1.

Gambar 19: Sinyal generator (ungu), vertikal = 10 mV/div. Input setelah dipasang Rvar (biru), vertikal = 10 mV/div.

Resistansi input didapatkan:

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro STEI ITB