THYRISTOR&SILICONCONTROLRECTIFIER(SCR) Thyristor merupakan salah satu tipe devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah banyak

digunakan secara ekstensif pada rangkaian daya . Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil, beroperasi antara keadaan non konduksi ke konduksi. Pada banyak aplikasi, thyristor dapat diasumsikan sebagai saklar ideal akan tetapidalamprakteknyathyristormemilikibatasankarakteristiktertentu. KaraktristikTyristor Thyristor adalah suatu bahan semikonduktor yang tersusun atas 4 lapisan (layer) yang berupa susunan PNPN junction, sehingga thyristor ini disebut juga sebagai PNPN diode.
ANODE
A

PINTU

P N P N
KATODE

J1 J2 J3

P P N P N P

IA IB1 IGn IC1 IGp IB2 IK IC2

Seperti tampak pada gambar 1. ketika tegangan anode dibuat lebih positif

Gambar1.Strukturfisikdarithyristordansimbolnya

dibandingkandengantegangankatode,sambunganJ1danJ3beradapadakondisi forward bias, dan sambungan J2 berada pada kondisi reverse bias sehingga akan mengalir arus bocor yang kecil antara anode dan katode. Pada kondisi ini thyristor dikatakan forward blocking atau kondisi offstate, dan arus bocor dikenal sebagai arus offstate ID. Jika tegangananodekekatodeVAKditingkatkanhinggasuatutegangantertentu,sambunganJ2 akanbocor.Halinidikenaldengan avalance breakdowndanteganganVAKtersebutdikenal sebagai forward breakdown voltage, VBO. Dan karena J1 dan J3 sudah berada pada kondisi forward bias, maka akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas melewati ketiga sambungan , yang akan menghasilkan arus anode yang besar. Thyristor pada kondisi

tersebut berada pada kondisi konduksi atau keadaan hidup. Tegangan jatuh yang terjadi dikarenakan oleh tegangan ohmic antara empat layer dan biasanya cukup kecil yaitu sekitar1V.Padakeadaanon,arusdarisuatunilaiyangdisebutdengan latching cVRrent IL, agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan bebas yang melewati sambungan sambungan , jika tidak maka akan kembali ke kondisi blocking ketika tegangan anode ke katode berkVRang. Latching cVRrent ( IL ) adalah arus anode minimum yang diperlukan agar membuat thyristor tetap kondisi hidup, begitu thyristor dihidupkan dan sinyal gerbang dihilangkan. Ketika berada pada kondisi on, thyristor bertindak sebagai diode yangtidakterkontrol.Devaisiniterusberadapadakondisionkarenatidakadanyalapisan deplesi pada sambungan J2 karena pembawa pembawa muatan yang bergerak bebas. Akan tetapi, jika arus maju anode berada dibawah suatu tingkatan yang disebut holding cVRrentIH,daerahdeplesiakanterbentukdisekitarJ2karenaadanyapengVRanganbanyak pembawamuatanbebasdanthyristorakanberadapadakeadaan blocking.HoldingcVRrent terjadipadaordemiliamperedanlebihkecildari latchingcVRrentIL,IH>IL.HoldingcVRrent IH adalah arus anode minimum untuk mempertahankan thyristor pada kondision. Ketika tegangankatodelebihpositifdibandingdengananode,sambunganJ2terforwardbias,akan tetapi sambungan J1 dan J3 akan terreverse bias. Hal ini seperti diode diode yang terhubung secara seri dengan tegangan balik bagi keduanya. Thyrstor akan berada pada kondisi reverse blocking dan arus bocor reverse dikenal sebagai reverse cVRrent IR. Thyristor akan dapat dihidupkan dengan meningkatkan tegangan maju VAK diatas VBO, tetapikondisiinibersifatmerusak.dalamprakteknya,teganganmajuharusdipertahankan dibawahVBOdanthyristordihidupkandenganmemberikanteganganpositfantaragerbang katode. Begitu thyristor dihidupkan dengan sinyal penggerbangan itu dan arus anodenya lebih besar dari arus holding, thyristor akan berada pada kondisi tersambung secara positif balikan, bahkan bila sinyal penggerbangan dihilangkan . Thyristor dapat dikategorikansebagailatchingdevais. sebagaiberikut: IB1=IC2+IGn IB2=IC1+IGp Thyristor dapat bertingkah seperti dua transistor dengan penurunan rumus

Adapun karaktristik tegangan versus arus dapat dilihat pada gambar 2 sebagai berikut:
iD
III

II

VR

IH Vbo I
I

VD

Gambar2.KarakteristikThyristor 1. 2. 3. PadadaerahI,thyristorsamasepertidiode,dimanapadakeadaaninitidakadaarus yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan tembus (Vr). Pada daerah II terlihat bahwaarustetaptidakakanmengalirsampaidicapainyabatasteganganpenyalaan(Vbo). Apabila tegangan mencapai tegangan penyalaan, maka tiba tiba tegangan akan jatuh menjadikecildanadaarusmengalir.Padasaatinithyristormulaikonduksidaniniadalah merupakan daerah III. Arus yang terjadi pada saat thyristor konduksi, dapat disebut sebagai arus genggam (Ih = Holding Current). Arus Ih ini cukup kecil yaitu dalam orde penyalaan. miliampere. Untukmembuatthyristorkembalioff,dapatdilakukandenganmenurunkan arusthyristortersebutdibawaharusgenggamnya(Ih)danselanjutnyadiberikantegangan Karaktristik tegangan versus arus ini diperlihatkan bahwa thyristor mempunyai 3 Keadaanpadasaatteganganbalik(daerahI) Keadaanpadasaatteganganmaju(daerahII) Keadaanpadasaatthyristorkonduksi(daerahIII) keadaanataudaerah,yaitu:

SCR(Si iliconCon ntrolRect tifier)

T Thyristor dik kembangkan n oleh Bell Laboratorie es tahun 1950-an dan mulai m digun nakan secara ko omersial ole eh General Electric E tahu un 1960-an. Thyristor at tau SCR (Si ilicon Contr rolled Rectifier) termasuk dalam kom mponen elek ktronik yang g banyak di ipakai dalam m aplikasi listrik l industri, salah satu alasannya a ad dalah memil liki kemamp puan untuk bekerja dala am tegangan n dan g besar. Thy yristor mem miliki tiga ka aki, yaitu an noda, katoda a dan gate. Fungsi F gate pada arus yang thyristor menyerupai i basis pada transistor, dengan d meng gatur arus g gate IG yang g besarnya antara a 1 mA sam mpai terbesa ar 100 mA, maka m tegang gan keluaran dari Anoda bisa diaturR. Tegangan yang mampu diat d ur mula ai dari 50 Vo olt sampai 5.000 Volt da an mampu mengat m ur ar rus 0,4 A sa ampai dengan 1.500 A.

G Gambar 2. Bentuk B fisik dari d SCR

Gambar 3. 3 Struktur R StruktVR R dasar thyri istor adalah struktVR 4 layer PNPN N seperti yan ng ditunjukk kan pada gam mbar3a. Jika dipilah, stru uktVR ini da apat dilihat sebagai dua a buah strukt tVR junction PNP dan NPN yang ters sambung di tengah t seper rti pada gam mbar-3b. Ini tidak t lain adalah dua bua ah transistor r PNP dan NPN N yang tersam mbung pada a masing-masing kolekto or dan base. Jika divisua alisasikan seb bagai

transistor r Q1 dan Q2, Q maka str ruktVR thyri istor ini dap pat diperliha atkan seperti pada gamb bar 4 yang beri ikut ini.

G Gambar. 4 : visualisasi v d dengan trans sistor T Terlihat di sin ni kolektor transistor t Q1 1 tersambung g pada base transistor Q2 Q dan sebali iknya kolektor transistor Q2 Q tersambun ng pada base e transistor Q1. Q Rangka aian transisto or yang dem mikian menunjuk kkan adanya a loop peng guatan arus di d bagian te engah. Jika misalnya m ad da arus sebes sar Ib yang men ngalir pada base transist tor Q2, mak ka akan ada arus Ic yang g mengalir pada p kolektor Q2. Arus kol lektor ini me erupakan aru us base Ib pada transisto or Q1, sehin ngga akan muncul m pengu uatan pada pad da arus kolektor transist tor Q1. Arus s kolektor tr ransistor Q1 1 tidak lain adalah arus base bagi tran nsistor Q2. Demikian D sete erusnya sehi ingga makin n lama sambu ungan PN da ari thyristor ini di bagian te engah akan mengecil m dan n hilang. Ter rtinggal hany yalah lapisan n P dan N dibagian d luar r. Jika keadaan ini tercapai, maka strukt tVR yang de emikian tida ak lain adalah h struktVR dioda d PN (an nodakatoda) yang y sudah dikenal. Pad da saat yang g demikian, disebut bah hwa thyristo or dalam kea adaan ON dan dapat d menga alirkan arus dari d anoda menuju m katod da seperti lay yaknya sebu uah dioda. K Karakteristik Thyristor memperlihat m tkan dua va ariabel, yaitu u tegangan forward VF F dan tegangan n reverse VR R, dan variab bel arus for rward IF dan arus rever rse IR pada gambar 5. Pada tegangan n forward VF F, jika arus gate g diatur da ari 0 mA sam mpai di atas 50 mA, mak ka Thyristor akan cut-in da an mengalirk kan arus forw ward IF. Teg gangan rever rse untuk Th hyristor VR sekitar 600 Volt. Agar Th hyristor tetap p ON, maka a ada arus yang tetap dipertahank kan disebut arus holdin ng IH sebesar 5 mA. Sebagai cont toh, thyristo or TIC 106 6 D sesuai dengan dat ta sheet me emiliki bebe erapa paramete er penting, yaitu: teganga an gate-kato ode = 0,8 V, arus gate mi inimal 0,2 mA, m agar thyristor tetap pos sisi ON dipe erlukan arus holding = 5 mA. Tegan ngan kerja yang y diizink kan pada ano oda =

400 V dan dapat mengalirkan arus nominal = 5 A. Aplikasi thyristor yang paling banyak sebagai penyearah tegangan AC ke DC yang dapat diatur.

Gambar 5. Karakteristik dan nilai batas thyristor SCRdapatdihidupkandenganaruspenyulutsingkatmelaluiterminalGate,dimana arus gate ini akan mengalir melalui junction antara gate dan kathoda dan keluar dari kathodanya. Arus gate ini harus positif besarnya sekitar 0,1 sampai 35 mA sedangkan tegangan antara gate dan kathodanya biasanya 0,7 volt. Jika arus anoda ke kathoda turun dibawah nilai minimum (Holding Current = IHO), maka SCR akan segera mati (Off). Untuk SCR yang berkemampuan daya sedang, besar IHO sekitar 10 mA. Tegangan maksimum arah maju (UBRF) akan terjadi jika gate dalam keadaan terbuka atau IGO = 0. Jika arus gate diperbesar dari IGO, misal IG1, maka tegangan majunya akan lebih rendah lagi. Hal ini diperlihatkan pada gambar berikut.

Gambar 6. Pengendalian gate SCR Gambar 7. memperlihatkan salah satu cara penyulutan SCR dengan sumber searah (dc), dimana SCR akan bekerja dengan indikasi menyalanya lampu dengan syarat saklar PB1 dan PB2 di ON kan terlebih dahulu.

Gambar 7. Penyulutan SCR dengan sumber dc TriggeringuntukpenyulutanSCRdengansumberdcinitidakperludilakukansecaraterus menerus,jikasaklarPB1dibuka,makalampuakantetapmenyala ataudenganperkataan lain SCR tetap bekerja. Gambar 8. Memperlihatkan cara penyulutan SCR dengan sumber bolakbalik(ac).

Gambar8.PenyulutanSCRdengansumberac Dengan mengatur nilai R2 (potensiometer), maka kita seolah mengatur sudut penyalaan (firing delay) SCR. Untuk penyulutan SCR dengan sumber arus bolak-balik, harus dilakukan secara terus menerus, jadi saklar S jika dilepas, maka SCR akan kembali tidak bekerja. Gambar9.memperlihatkanbentuktegangandanpadaterminalSCRdanbeban. PengendaliansumberdayadenganSCRterbatashanyadari00sampai900.

 Gambar9.Bentukgelombangtegangandanbeban Kondisi SCR dapat diuji dengan menggunakan sebuah ohmmeter seperti layaknya dioda, namun dikarenakan konstruksinya, pengujian SCR ini harus dibantu dengan penyulutan kaki gate dengan pulsa positip. Jadi dengan menghubung singkat kaki anoda dengan gate, kemudian diberikan sumber positip dari meter secara bersama dan katoda diberisumbernegatipnya,makaakantampakgerakanjarumohmmeteryangmenujunilai rendah penunjukkan ohm dan kondisi ini menyatakan SCR masih layak digunakan. Sedangkan jika penunjukkan jarum menunjuk pada nilai resistansi yang tinggi, maka dikatakankondisiSCRmenyumbatataurusak.