Rangkaian Bias Transistor

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR

Rangkaian rangkaian Transistor linear beroperasi dengan dioda emitter yang dibias forward dan dioda kolektor dibias reverse. reverse . Untuk menghasilkan perubahan dalam arus dan tegangan maka kita menggerakkan Transistor tersebut dengan tega ngan ac ac. . Untuk mencegah tegangan ac ini membias reverse dioda emitter, atau membias forward dioda kolektor, mula mula kita harus men set titik operasi stasioner ( Q ). Maka, jika sinyal ac tidak terlalu besar Transistor tetap dalam daerah aktif untuk seluruh siklus. siklus.

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

TIPE TIPE PEMBIASAN TRANSISTOR :

7-1 Bias Basis 7-2 Bias Pembagi Tegangan 7-3 Bias Umpan balik kolektor 7-4 Bias Emitter

next 07/11/2009 Copyright (JS) 2006

7-1 Bias Basis

Penjenuhan Q VCC
C

Titik sumbat 0 VCE VCC Gambar 7-1. ( b ) Garis beban dc

Menurut hukum kirchoff jatuh tegangan pada resistor RB adalah VBB VBE. Penguatan Transistor : IC dc = hFE = IB IC = IE = 0,95 1 maka IC = IE

dan

dc

Hukum Ohm memberikan arus basis ( IB ) : IB = VBB - VBE RB (7-1)

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Garis Beban dc
Dalam rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda kolektor Melalui RC. Hukum tegangan kirchoff : VCE = VCC - IC . RC IC = dc . IB VCC dan RC adalah konstan, VCE dan IC adalah variabel. Dari persamaan ( 7 2 ) kita dapatkan : VCE RC VCC RC (7-2)

IC

= -

(7-3)

Gambar 7 1b. Menunjukkan grafik dari persamaan ( 7 3 ) yaitu garis beban dc Perpotongan garis beban dc dengan arus basis adalah titik operasi transistor. Perpotongan vertikal adalah : Perpotongan horizontal adalah : Kemiringannya adalah : RC VCC RC VCC 1

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Titik sumbat ( Cut off ) dan Penjenuhan ( Saturation )

Titik dimana garis beban memotong kurva IB = 0 disebut titik sumbat ( cut off ) Parameter transistor dalam keadaan menyumbat : IB = 0 IC = kecil sehingga dapat diabaikan ( hanya arus bocor kolektorkolektor-emitter / ICEO ) VCE ( cut off ) = VCC (7-4)

Perpotongan garis beban dan kurva IB = IB (sat) disebut penjenuhan ( saturation ) Parameter transistor dalam keadaan jenuh : VCC IC ( SAT ) = RC IC
( SAT )

(7-5)

IB ( SAT ) =

(7-6)

dc VCE = VCE
( SAT )

Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari Transistor. menu 07/11/2009 Copyright (JS) 2006

7-2 Bias Pembagi Tegangan

Sistem pembiasan ini paling banyak dipakai pada rangkaian diskrit linier. Pembagi tegangan ( Voltage divider ) dibentuk oleh R1 dan R2. Arus basis ( IB ) kecil sekali dibandingkan arus R1 dan R2. sehingga tegangan pada R2 :

(7-7)

tegangan emitter ( VE ) : (7-8) arus emitter ( IE ) : (7-9)

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Tegangan Kolektor Emitter ( VCE )

Dengan menentukan tegangan kolektor ke ground, tegangan emitter ke ground dan Karena IC IE maka : ( 7 - 10 ) ( 7 - 11 ) ( 7 - 12 )

Transistor beoperasi dalam daerah jenuh dengan arus IC sebesar : ( 7 - 13 )

Transistor beoperasi dalam daerah titik sumbat dengan tegangan VCE : VCE ( cut off ) = VCC ( 7 - 14 )

Titik Q ( stasioner ) ditentukan oleh persamaan ( 7 9 ) dan ( 7 12 ).

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Analisa dengan rangkaian thevenin

Menurut Malvino jika :

Maka : menu

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

7-3 Bias Umpan balik - kolektor

Konsep umpan balik
Mengurangi efek dc terhadap titik kerja transistor ( Q ) dengan Memasukkan umpanbalik RB menggunakan VC.

( 7 - 20 )

dc

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

0,95 1

( 7 - 19 )

Resistansi basis yang menset bias titik tengah ( midpoint bias ) adalah : ( 7 - 21 ) Artinya : Jika RB = dc . RC ; VCE hampir sama VCC Bias titik tengah ( VCE = VCC / 2 ) berarti titik Q berada ditengah Garis beban dc. Rata rata geometris dari dc untuk menentukan titik Q : ( 7 - 22 ) menu 07/11/2009 Copyright (JS) 2006

7-4 Bias Emitter

Bias Emitter menggunakan power supply simetris ( split ). ( 7 - 22 )

( 7 - 22 )

( 7 - 22 )

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Bila tegangan VEE sangat lebih besar dari VBE : Dan tahanan emitter sangat lebih besar dari RB / :

Nama bias emitter digunakan karena catu negatif VEE membias forward dioda emitter melalui RE. sedangkan catu VCC membias reverse dioda kolektor.

menu 07/11/2009 Copyright (JS) 2006

7-5 Rangkaian Bias pnp

Perbedaan antara rangkaian yang dibias menggunakan transistor npn dan pnp adalah : untuk npn supply + VCC di kolektor karena lebih positif dari emitter. untuk pnp supply + VCC di emitter karena lebih positif dari kolektor. Transistor pnp merupakan komplemen ( pengimbang ) dari npn. untuk mendapatkannya balikkan semua arus dan tegangan.

Analisa rangkaian pnp

Jika kita menggunakan besarnya ( magnitude ), semua rumus yang diturunkan untuk rangkaian npn berlaku untuk rangkaian yang menggunakan transistor pnp.

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Besaran besaran pnp negatif dibanding dengan npn :

Kita dapat mendefinisikan arah positif dari tegangan dan arus

+ VC -

sebagai transistor npn yang dibias forward. Kurva garis beban berada pada kuadran I.

(a)
-

Sedangkan tegangan dan arus dalam sebuah transistor pnp yang dibias forward adalah negatif terhadap arah npn.
VC +

Kurva garis beban berada pada kuadran III.

(b)

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

76 Pentanahan berpindah - pindah

Beberapa jenis pentanahan untuk rangkaian transistor :
+ 20

Gambar 7-18a-e.
20

1 mA dc = 100

1 mA

(a)

(c)

Ketiga arus transistor ( IE ; IC ; IB ) dan tiga tegangan transistor ( VBE ; VCE ; VCB ) dalam gambar a e mempunyai harga yang sama.

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

7-7 Konvensi terbalik untuk transistor pnp

-

Gambar 77-19 diperlukan untuk penggam baran schematic diagram oleh disainer.

IE

(a)
+

IE

Gambar 77-19.

(d)

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

7-8 Arus titik sumbat ( Cut off ) Kolektor

ICBO adalah arus balik dalam dioda kolektor, dimana sebagian disebabkan oleh pembawa ( carriers ) yang ditimbulkan karena panas, dan sebagian karena bocoran sepanjang permukaan.

Hampir semua lembar data sheet mendaftar harga ICBO pada temperatur 25 C. Atau secara kasar ICBO berlipat dua setiap kenaikan 10 C.

Gambar 77-21. Arti dari ICBO

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Efek dari ICBO kepada rangkaian yang dibias basis

VTH = VBB + ICBO.RB RTH = RB

Gambar 77-22. Penelusuran efek ICBO terhadap bias

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Karena ICBO bervariasi dari transistor yang satu dengan yang lain, kita dapat mengabaikan. Dengan memenuhi syarat :

VBB >> ICBO.RB

( 7 - 31 )

Rangkaian bias yang lain V2 >> ICBO.RTH

( 7 - 32 )

VCC >> ICBO.RB

( 7 - 33 )

VEE >> ICBO.RB

Gambar 77-23.

( 7 - 34 )

07/11/2009

Copyright (JS) 2006

Ringkasan

Tipe
Bias basis Pembagi tegangan Umpan Balik kolektor Bias emitter

Keuntungan
Sederhana Titik Q stabil Respons frekuensi rendah Titik Q stabil

Kerugian
Peka terhadap Perubahan dc Memerlukan Empat resistor Sebagian tergantung Pada dc Memerlukan catu daya terbagi

Penggunaan
Rangkaian Digital dan saklar Penguat Serba guna Penguat Sinyal kecil Penguat Serba guna

Selesai

07/11/2009

Copyright (JS) 2006