PHOTODETECTOR

Ref : Keiser

Detektor Silikon PIN

Syarat foto detektor • • • • • • • High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber Murah Tahan lama .

.Detektor foto yg ada • Photomultiplier (photocathode + multiplier dlm vacum tube) • Pyroelectric detector (konversi photon ke panas Î konstanta dielektrik) • Semiconductor-based photoconductor (pin dan APD) cocok u fiber optik.

Detektor PIN Konfigurasi detektor PIN .

Sirkit dioda foto pin diberi tegangan mundur .

.Diagram pita energi dioda foto pin Photon datang memiliki energi ≥ energi band-gap Î photon akan memberikan energinya dan membangkitkan elektron (di depletion region) dr pita valensi ke pita konduksi Î photocarrier.

elektron selama tn dan hole selama tp. Waktu yg dibutuhkan berekombinasi disebut carrier lifetime. beberapa pasangan elektron-hole berekombinasi dan hilang. Elektron bergerak sejauh Ln sedang hole bergerak sejauh Lp. Ln = Lp = Dnτ n D pτ p Dn : koefisien difusi elektron Dp : koefisien difusi hole .Carrier bermuatan mengalir melalui material. Jarak tsb disebut panjang difusi.

dan Ge sekitar 1.6 μm .24 = Eg E g (eV ) Panj gel cutoff Si sekitar 1.Radiasi optis yg diserap material semikonduktor : P( x) = P0 (1 − e P0 : daya datang optis −α S ( λ ) x ) αs(λ) : koefisien absorbsi pd panj gel λ P(x) : daya optis diserap sejauh x Upper wavelength cutoff : λC ( μm) = hc 1.06 μm.

Koefisien absorbsi sbg fungsi panj gelombang .

43 Dioda-foto tidak akan beroperasi utk photon dng panjang gelombang lebih dari 869 nm .Contoh Dioda-foto terbuat dr GaAs.6 x10 J / eV Eg ( ( )( ) ) λC 1.24 = = 0.43eV ) 1.s 3x108 m / s hc = = = 0. memiliki energi band gap 1.867 μm 1.625 x10 −34 J .43 eV pd 300o K. Panjang gel cutoff : λC atau 6.869μm −19 (1.

maka daya diserap : P( w) = P0 (1 − e −α S w ) Jika memperhatikan reflektifitas permukaan diodafoto Rf. maka arus foto primer Ip : Ip q −α S w = P0 (1 − e )(1 − R f ) hf q : muatan elektron hf : energi photon .Jika daerah deplesi memiliki lebar w.

.Efisiensi kuantum : Jumlah elektron hole yg dibangkitkan η = -------------------------------------------------------.= Jumlah photon datang Ip / q P0 / hf Responsivitas : ℜ = Ip P0 = ηq hf [A/W] Parameter ini sangat berguna karena menspesifikasikan arus foto yg dibangkitkan tiap satuan daya.

Perbandingan responsivitas dan efisiensi kuantum sbg fungsi panj gel .

memiliki efisiensi kuantum 60 %.Contoh InGaAs pd panj gel 1100 nm < λ < 1600 nm. berapa arus foton yg dibangkitkan ? . Berapa responsivitasnya pd panj gel 1300 nm ? Jika daya optis yg datang 10 μW.

Dibawah tegangan breakdown jumlah carrier yg dibangkitkan tertentu. Phenomena tsb disebut efek avalanche.Avalanche Photodiode APD secara internal melipat gandakan arus foto sinyal primer sebelum memasuki sirkit penguat Î meningkatkan sensitifitas penerima. shg menguatkan energi utk impact ionization selanjutnya. Mekanisme pelipatgandaan elektron/hole disebut impact ionization. Carrier baru yg dibangkitkan juga dipercepat oleh medan listrik kuat. sedangkan diatas teangan breakdown carrier yg dibangkitkan dpt tak terbatas. .

Konstruksi p+πpn+ reach-through APD p-type : resistivitas tinggi p+ : heavily doped p-type n+ : heavily doped n-type π : bahan intrinsik tdk murni krn kurang hati2 shg tercampur p doping .

Elektron yg dibangkitkan oleh photon bergeser dr daerah π ke pn+ junction yg terdapat medan listrik kuat. Cahaya memasuki device mel daerah p+ dan diserap bahan π yg bekerja sbg daerah pengumpul carrier yg dibangkitkan oleh photon. . shg membangkitkan pasangan elektron-hole yg kemudiandipisahkan oleh medan listrik di daerah π. Saat diserap photon memberikan energi.Pd penggunaan normal RAPD bekerja pd modus depleted penuh. Pd daerah medan listrik kuat terjadi pelipat gandaan carrier.

Ionization rate : jumlah rata2 pasangan elektron-hole yg dibangkitkan persatuan jarak tempuh. Faktor multiplikasi : IM M = IP IM : rata2 arus keluaran multiplikasi total IP : arus foto tanpa multiplikasi primary Dlm praktek mekanisme avalanche adalah proses statistik. krn tidak semua pasangan carrier yg dibangkitkan dlm dioda menghasilkan multiplikasi sama == > M : harga rata2. Perbandingan k = β/α merupakan ukuran unjuk kerja photodetector. Responsivitas : ℜ APD = ηq hf M = ℜ0 M . Banyak bahan memiliki laju ionisasi elektron α berbeda dng laju ionisasi hole β.

Laju ionisasi carrier hasil percobaan .

50 μW menghasilkan arus foto multiplikasi 10 μA. Jika daya optis 0. berapa faktor multiplikasi M ? .Contoh Suatu APD memiliki efisiensi kuantum 65 % pd panj gel 900 nm.

Pengaruh teg bias thd penguatan arus .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful