PHOTODETECTOR

Ref : Keiser

Detektor Silikon PIN

Syarat foto detektor • • • • • • • High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber Murah Tahan lama .

.Detektor foto yg ada • Photomultiplier (photocathode + multiplier dlm vacum tube) • Pyroelectric detector (konversi photon ke panas Î konstanta dielektrik) • Semiconductor-based photoconductor (pin dan APD) cocok u fiber optik.

Detektor PIN Konfigurasi detektor PIN .

Sirkit dioda foto pin diberi tegangan mundur .

.Diagram pita energi dioda foto pin Photon datang memiliki energi ≥ energi band-gap Î photon akan memberikan energinya dan membangkitkan elektron (di depletion region) dr pita valensi ke pita konduksi Î photocarrier.

Waktu yg dibutuhkan berekombinasi disebut carrier lifetime. Elektron bergerak sejauh Ln sedang hole bergerak sejauh Lp. elektron selama tn dan hole selama tp. Jarak tsb disebut panjang difusi. Ln = Lp = Dnτ n D pτ p Dn : koefisien difusi elektron Dp : koefisien difusi hole . beberapa pasangan elektron-hole berekombinasi dan hilang.Carrier bermuatan mengalir melalui material.

24 = Eg E g (eV ) Panj gel cutoff Si sekitar 1.Radiasi optis yg diserap material semikonduktor : P( x) = P0 (1 − e P0 : daya datang optis −α S ( λ ) x ) αs(λ) : koefisien absorbsi pd panj gel λ P(x) : daya optis diserap sejauh x Upper wavelength cutoff : λC ( μm) = hc 1. dan Ge sekitar 1.6 μm .06 μm.

Koefisien absorbsi sbg fungsi panj gelombang .

625 x10 −34 J .s 3x108 m / s hc = = = 0.43 Dioda-foto tidak akan beroperasi utk photon dng panjang gelombang lebih dari 869 nm .6 x10 J / eV Eg ( ( )( ) ) λC 1.43eV ) 1.867 μm 1.Contoh Dioda-foto terbuat dr GaAs. memiliki energi band gap 1.24 = = 0. Panjang gel cutoff : λC atau 6.43 eV pd 300o K.869μm −19 (1.

Jika daerah deplesi memiliki lebar w. maka daya diserap : P( w) = P0 (1 − e −α S w ) Jika memperhatikan reflektifitas permukaan diodafoto Rf. maka arus foto primer Ip : Ip q −α S w = P0 (1 − e )(1 − R f ) hf q : muatan elektron hf : energi photon .

.Efisiensi kuantum : Jumlah elektron hole yg dibangkitkan η = -------------------------------------------------------.= Jumlah photon datang Ip / q P0 / hf Responsivitas : ℜ = Ip P0 = ηq hf [A/W] Parameter ini sangat berguna karena menspesifikasikan arus foto yg dibangkitkan tiap satuan daya.

Perbandingan responsivitas dan efisiensi kuantum sbg fungsi panj gel .

Contoh InGaAs pd panj gel 1100 nm < λ < 1600 nm. berapa arus foton yg dibangkitkan ? . memiliki efisiensi kuantum 60 %. Berapa responsivitasnya pd panj gel 1300 nm ? Jika daya optis yg datang 10 μW.

Phenomena tsb disebut efek avalanche. shg menguatkan energi utk impact ionization selanjutnya. Carrier baru yg dibangkitkan juga dipercepat oleh medan listrik kuat. Dibawah tegangan breakdown jumlah carrier yg dibangkitkan tertentu. Mekanisme pelipatgandaan elektron/hole disebut impact ionization.Avalanche Photodiode APD secara internal melipat gandakan arus foto sinyal primer sebelum memasuki sirkit penguat Î meningkatkan sensitifitas penerima. . sedangkan diatas teangan breakdown carrier yg dibangkitkan dpt tak terbatas.

Konstruksi p+πpn+ reach-through APD p-type : resistivitas tinggi p+ : heavily doped p-type n+ : heavily doped n-type π : bahan intrinsik tdk murni krn kurang hati2 shg tercampur p doping .

Pd daerah medan listrik kuat terjadi pelipat gandaan carrier. . Saat diserap photon memberikan energi.Pd penggunaan normal RAPD bekerja pd modus depleted penuh. Elektron yg dibangkitkan oleh photon bergeser dr daerah π ke pn+ junction yg terdapat medan listrik kuat. shg membangkitkan pasangan elektron-hole yg kemudiandipisahkan oleh medan listrik di daerah π. Cahaya memasuki device mel daerah p+ dan diserap bahan π yg bekerja sbg daerah pengumpul carrier yg dibangkitkan oleh photon.

Ionization rate : jumlah rata2 pasangan elektron-hole yg dibangkitkan persatuan jarak tempuh. Responsivitas : ℜ APD = ηq hf M = ℜ0 M . Banyak bahan memiliki laju ionisasi elektron α berbeda dng laju ionisasi hole β. krn tidak semua pasangan carrier yg dibangkitkan dlm dioda menghasilkan multiplikasi sama == > M : harga rata2. Faktor multiplikasi : IM M = IP IM : rata2 arus keluaran multiplikasi total IP : arus foto tanpa multiplikasi primary Dlm praktek mekanisme avalanche adalah proses statistik. Perbandingan k = β/α merupakan ukuran unjuk kerja photodetector.

Laju ionisasi carrier hasil percobaan .

berapa faktor multiplikasi M ? .Contoh Suatu APD memiliki efisiensi kuantum 65 % pd panj gel 900 nm. Jika daya optis 0.50 μW menghasilkan arus foto multiplikasi 10 μA.

Pengaruh teg bias thd penguatan arus .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful