P. 1
L=PHOTODETECTOR.pdf

L=PHOTODETECTOR.pdf

|Views: 2|Likes:
Dipublikasikan oleh Aneu Suladria
hbvdsmhbmnadebhdgmhedkybcf jhfekhgfjgjygdkagdkdgkdgmhadgjadgjeedhy
hbvdsmhbmnadebhdgmhedkybcf jhfekhgfjgjygdkagdkdgkdgmhadgjadgjeedhy

More info:

Published by: Aneu Suladria on May 17, 2013
Hak Cipta:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/29/2014

pdf

text

original

PHOTODETECTOR

Ref : Keiser

Detektor Silikon PIN

Syarat foto detektor • • • • • • • High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber Murah Tahan lama .

Detektor foto yg ada • Photomultiplier (photocathode + multiplier dlm vacum tube) • Pyroelectric detector (konversi photon ke panas Î konstanta dielektrik) • Semiconductor-based photoconductor (pin dan APD) cocok u fiber optik. .

Detektor PIN Konfigurasi detektor PIN .

Sirkit dioda foto pin diberi tegangan mundur .

.Diagram pita energi dioda foto pin Photon datang memiliki energi ≥ energi band-gap Î photon akan memberikan energinya dan membangkitkan elektron (di depletion region) dr pita valensi ke pita konduksi Î photocarrier.

elektron selama tn dan hole selama tp. Waktu yg dibutuhkan berekombinasi disebut carrier lifetime.Carrier bermuatan mengalir melalui material. beberapa pasangan elektron-hole berekombinasi dan hilang. Jarak tsb disebut panjang difusi. Elektron bergerak sejauh Ln sedang hole bergerak sejauh Lp. Ln = Lp = Dnτ n D pτ p Dn : koefisien difusi elektron Dp : koefisien difusi hole .

dan Ge sekitar 1.6 μm .Radiasi optis yg diserap material semikonduktor : P( x) = P0 (1 − e P0 : daya datang optis −α S ( λ ) x ) αs(λ) : koefisien absorbsi pd panj gel λ P(x) : daya optis diserap sejauh x Upper wavelength cutoff : λC ( μm) = hc 1.24 = Eg E g (eV ) Panj gel cutoff Si sekitar 1.06 μm.

Koefisien absorbsi sbg fungsi panj gelombang .

43 eV pd 300o K.Contoh Dioda-foto terbuat dr GaAs.43eV ) 1.625 x10 −34 J .867 μm 1. Panjang gel cutoff : λC atau 6.6 x10 J / eV Eg ( ( )( ) ) λC 1.43 Dioda-foto tidak akan beroperasi utk photon dng panjang gelombang lebih dari 869 nm .869μm −19 (1. memiliki energi band gap 1.24 = = 0.s 3x108 m / s hc = = = 0.

Jika daerah deplesi memiliki lebar w. maka arus foto primer Ip : Ip q −α S w = P0 (1 − e )(1 − R f ) hf q : muatan elektron hf : energi photon . maka daya diserap : P( w) = P0 (1 − e −α S w ) Jika memperhatikan reflektifitas permukaan diodafoto Rf.

.Efisiensi kuantum : Jumlah elektron hole yg dibangkitkan η = -------------------------------------------------------.= Jumlah photon datang Ip / q P0 / hf Responsivitas : ℜ = Ip P0 = ηq hf [A/W] Parameter ini sangat berguna karena menspesifikasikan arus foto yg dibangkitkan tiap satuan daya.

Perbandingan responsivitas dan efisiensi kuantum sbg fungsi panj gel .

Berapa responsivitasnya pd panj gel 1300 nm ? Jika daya optis yg datang 10 μW. berapa arus foton yg dibangkitkan ? . memiliki efisiensi kuantum 60 %.Contoh InGaAs pd panj gel 1100 nm < λ < 1600 nm.

shg menguatkan energi utk impact ionization selanjutnya. Dibawah tegangan breakdown jumlah carrier yg dibangkitkan tertentu. sedangkan diatas teangan breakdown carrier yg dibangkitkan dpt tak terbatas. . Phenomena tsb disebut efek avalanche. Mekanisme pelipatgandaan elektron/hole disebut impact ionization.Avalanche Photodiode APD secara internal melipat gandakan arus foto sinyal primer sebelum memasuki sirkit penguat Î meningkatkan sensitifitas penerima. Carrier baru yg dibangkitkan juga dipercepat oleh medan listrik kuat.

Konstruksi p+πpn+ reach-through APD p-type : resistivitas tinggi p+ : heavily doped p-type n+ : heavily doped n-type π : bahan intrinsik tdk murni krn kurang hati2 shg tercampur p doping .

Saat diserap photon memberikan energi. Pd daerah medan listrik kuat terjadi pelipat gandaan carrier. shg membangkitkan pasangan elektron-hole yg kemudiandipisahkan oleh medan listrik di daerah π.Pd penggunaan normal RAPD bekerja pd modus depleted penuh. . Elektron yg dibangkitkan oleh photon bergeser dr daerah π ke pn+ junction yg terdapat medan listrik kuat. Cahaya memasuki device mel daerah p+ dan diserap bahan π yg bekerja sbg daerah pengumpul carrier yg dibangkitkan oleh photon.

Banyak bahan memiliki laju ionisasi elektron α berbeda dng laju ionisasi hole β. Responsivitas : ℜ APD = ηq hf M = ℜ0 M .Ionization rate : jumlah rata2 pasangan elektron-hole yg dibangkitkan persatuan jarak tempuh. Faktor multiplikasi : IM M = IP IM : rata2 arus keluaran multiplikasi total IP : arus foto tanpa multiplikasi primary Dlm praktek mekanisme avalanche adalah proses statistik. krn tidak semua pasangan carrier yg dibangkitkan dlm dioda menghasilkan multiplikasi sama == > M : harga rata2. Perbandingan k = β/α merupakan ukuran unjuk kerja photodetector.

Laju ionisasi carrier hasil percobaan .

Contoh Suatu APD memiliki efisiensi kuantum 65 % pd panj gel 900 nm. Jika daya optis 0.50 μW menghasilkan arus foto multiplikasi 10 μA. berapa faktor multiplikasi M ? .

Pengaruh teg bias thd penguatan arus .

You're Reading a Free Preview

Mengunduh
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->