Anda di halaman 1dari 40

Operasi Pemancar dan Penerima Serat Optik

Disusun Oleh :
2. Heru W. (0210630062)
3. Andi Mochamad M. (0410633013)
4. Firman Fajar O. (0410633033)
5. Priasmara Adi P. (0410633061)
6. Donny Kurniawan (0510633021)

17/04/09
Pemancar Optik

• Sumber Optik (Light Source) merupakan hal terpenting


dari sebuah Pemancar Optik.
• Syarat-syarat bagi sumber optik untuk transmisi serat
optik adalah :
1.Dapat langsung dimodulasi sampai frekuensi-
frekuensi tinggi dengan arus yang kecil dan tegangan
yang rendah.
2.Sebanyak mungkin daya optik dalam serat.
3.Panjang gelombang di daerah 850 nm; 1300 nm dan
1550 nm.
4.Lebar spektrum sempit.
5.Umur (lifetime) sumber sepanjang mungkin.
6.Temperatur, bentuk pelaksanaan dan harga.

17/04/09
• Ada 2 macam sumber optik yang dipakai :
1. Laser Dioda (LD).
2. High Radiance Light Emiting Diode (LED).

17/04/09
Blok Diagram Pemancar Optik

O p t ic a l
E le c r ic a l s ig n a l O u t
S ig n a l I n
P r e a m p lif ie r S ig n a l C o n d it io n e r V o lt a g e g a in L ig h t S o u r c e ( L E D o r L D )

B ia s C u r r e n t S o u r c e F ib e r P ig t a il

D r iv e r

Gambar 2 : Blok diagram Pemancar Optik


Sumber : Reference Manual for Telecommunications Engineering,
Second Edition. Roger L. Freeman

17/04/09
• Driver mempunyai fungsi :
1. Merubah sinyal elektrik ke sinyal optik.
2. Temperature Compensation, untuk memastikan arus
pada drive tidak melebihi kapasitas arus dari sumber
optik, terutama pada LD.
3. Bias Current Source untuk melindungi sumber optik
dan megoptimalisasi respon optik.

17/04/09
Laser Dioda (LD)

• Dipakai pada sistem moderat band sampai wideband.


• Mempunyai respon time yang cepat (kurang dari 1 ns).
• Mempunyai core yang kecil dan nilai NA (Numerical
Aperture) yang kecil pula.
• Panjang gelombang lebih sempit dibanding dengan LED,
yaitu : 1 nm.
• Life time sekitar 105 sampai 106 jam.

17/04/09
Laser Dioda (LD)

• Lebih mahal dari LED.


• Biasa digunakan untuk sumber bagi single-mode fiber.
• LD penting untuk pengkopelan pada serat-serat single
mode.
• Pada multi mode akan timbul desis mode yang
disebabkan karena adanya pola-pola interferensi
(berasal dari perbedaan fasa antara mode sumber dan
konektor-konektor yang ada di dalam serat).

17/04/09
Gambar 3 : Struktur Laser Diode
Sumber : www.google.co.id

17/04/09
Gambar 4 : Laser Diode
Sumber : www.google.co.id

17/04/09
High Radiance Light Emiting Diode (LED)

• Sebuah semikonduktor hasil recombining antara elektron


dan hole (lubang-lubang).
• LED lebih murah dibandingkan LD karena tidak
menggunakan thermal atau stabilisasi optik.
• Mempunyai lifetime yang lebih lama, yaitu : 106 sampai
107 jam.
• Mempunyai lebar spektrum yang lebih besar, yaitu 40
nm.
• Mempunyai input coupling yang rendah (efisien).
• Dapat dimodulasi sampai kecepatan-kecepatan yang
tinggi, walaupun daya optik akan berkurang dengan
bertambahnya kecepatan.

17/04/09
High Radiance Light Emiting Diode (LED)

• Ada 2 macam jenis LED, yaitu :


1. Radiator Luas Permukaan.
2. Radiator Tepi.
• Jenis LED ditentukan oleh tempat di bidang permukaan
yang memancar, sehingga terjadi pengkopelan pada
serat.
• Radiator luas permukaan mempunyai daya optik yang
lebih besar, tetapi efisiensi kopelnya dengan serat 50/125
µm lebih rendah dari radiator tepi.
• Rise time radiator tepi lebih kecil dari dari radiator
permukaan, sehingga memungkinkan didapatnya
kecepatan lebih tinggi.

17/04/09
Gambar 5 : LED radiator luas Gambar 6 : LED radiator tepi
permukaan
Sumber : www.google.co.id
Sumber :www.google.co.id
17/04/09
• Daya optik yang dibangkitkan LED dapat dihitung dengan
persamaan :

PLED = ηq . iD . VG (1)

dimana : PLED= daya optik dari LED (W)


ηq= efisiensi junction quantum (photos per elektron)
iD = arus LED (A)
VG= energy-gap pd P-N junction (eV)

17/04/09
• Dari daya yang diperoleh ada sedikit yg dikopel ke dalam fiber, yaitu
:
PF= PLED . T . (NA)2 (2)

dimana : PF= daya yang dikopel dalam fiber (W)


T = Transmission koefisien antara LED dan fiber

NA = Numerical Aperture dari fiber.

17/04/09
Gambar 7 : Struktur LED
Sumber : www.google.co.id

17/04/09
Gambar 8 : LED (Light Emiting Diode)
Sumber : www.google.co.id

17/04/09
Characteristic LED LD

Coupled Powera (µW)(max)(into 50- µm core) >50 3000

Radiant Power (mW)(max) 20 20

Spectral linewidth (nm) 30 to 150 <1 to 5

Waveleght (nm)(max) 1550 1550

Drive Current (mA) 10 to 200 10 to 200

Modulation Bandwidth (GHz)(max) 1 6

Lifetime (hours) 106 to 107 105 to 106

Cost Lower Higher

Tabel 1 : Komparasi LED dan LD


Sumber : Reference Manual for Telecommunications Engineering,
Second Edition. Roger L. Freeman
17/04/09
Penerima Optik

• Detektor Optik : perangkat untuk mengubah sinar optik


yang ditransmisikan menjadi sinyal listrik.
• Untuk transmisi serat optik ada 2 macam, yaitu :
1. Dioda PIN.
2. Avalanche Photo Diode (APD).

17/04/09
• Karakteristik dari suatu Detektor Optik adalah :
1. Responsivity : untuk mengukur dari arus keluar yang
diberikan pada power cahaya ke dalam diode
(ampere/watt).
2. Dark Current : kondisi arus yang dibangkitkan oleh
arus balik yang ada pada kondisi gelap dalam diode
(pada saat P-N junction dibias balik pada kondisi
gelap maka akan sedikit arus yang melewatinya.
3. Response Speed : untuk mengukur kemampuan
kecepatan maksimum data dari detektor.
4. Spectral Response : untuk mengukur responsivity
yang digeser relatif pada panjang gelombang.

17/04/09
Blok Diagram Penerima Optik

O p to E le c te r o n ic C ir c u ity

AG C

O p t ic a l S ig n a l
In

E le c t r i c a l S i g n a l O u t
P h o t o d io d e ( P I N o r
P r e a m p lif ie r V o lt a g e G a in F ilt e r B u ffe r
APD)

F ib e r P ig t a il

B ia s C u r r e n t S o u r c e

Gambar 9 : Blok Diagram Penerima Optik


Sumber : Reference Manual for Telecommunications Engineering, Second
Edition. Roger L. Freeman
17/04/09
Dioda PIN

• Adalah sebuah semikonduktor dengan bagian yang


didop P dan sebuah intrinsik dengan bagian yang didop
N.
• Serat Optik ditempatkan sedemikian agar cahaya jatuh
pada lapisan intrinsik dari material semikonduktor yang
diletakkan antara lapisan tipe n dan tipe p.
• Variasi arus yang mengalir pada Diode PIN tergantung
pada variasi intensitas cahaya yang masuk.
• Dioda PIN kebanyakan dipakai untuk untuk panjang
gelombang yang lebih besar dari 1000 nm.

17/04/09
Prinsip Kerja Dioda PIN

• Foto detektor PIN merupakan sambungan dari


PN.
• Pada keadaan normal, elektron bebas dan
lubang (hole) tidak dapat berpindah melewati
sambungan (junction), sehingga tidak ada arus
yang mengalir.
• Jika ada foton yang diserap pada sambungan
yang berasal dari lapisan P dan energinya lebih
besar atau sama dengan energi pita pemisah,
maka akan membangkitkan pergerakan elektron
dan lubang yang dapat menimbulkan arus.

17/04/09
Gambar 10 : Struktur Diode PIN
Sumber : www.google.co.id

17/04/09
Material Jangkauan Panjang Puncak Respon Puncak
Gelombang Panjang Gelombang Responsivitas
(m) (m) (A/W)

Silikon 0.3 - 1.1 0.80 0.5

Germanium 0.5 - 1.8 1.55 0.7

InGaAs 1.0 - 1.7 1.70 1.1

Tabel 2 : Perbedaan dan keunggulan berbagai PIN foto


dioda
17/04/09
Gambar 11 : Diode PIN
Sumber : www.google.co.id

17/04/09
• Rangkaian equivalent dari sebuah photodioda dapat
dilihat sebagai berikut :

i d = ( P ) ( R E i)

C d
R L

17/04/09
• REi merupakan arus responsivity yang dinyatakan dengan :
REi = iD / P = (ηe)(λ.10-9) / h.c
= (0,804.10-3) (η λ) (3)

Dimana :
iD = arus PIN (A)
P = daya optik yang dipakai (W)
η = quantum efficiency dr junction( elektron / photos)
silikon : 0,8 ; germanium : 0,55
λ = panjang gelombang (nm)
E = elektron charge 1,6.10-19
H = konstanta plank 6,63.10-34 (js)
C = kecepatan cahaya 3.108 (m/s)

17/04/09
• Tegangan responsivity dapat dihitung dgn :

REv = REi.RL (4)

dimana : REv = teg. Responsivity (V/A)


RL = resistansi beban (ohm)

• Output voltage dr rangkaian equivalent PIN diatas adalah :

VL= (P) (REi.RL) (5)

dimana : VL = tegangan beban (V)


RL = resistansi beban (ohm)

17/04/09
• Dengan hukum kirchoff maka tegangan yg lewat photodiode :

VD = VB – VL (6)

dimana VD = tegangan yg lewat photodiode


VB = tegangan bias

• Sehingga nilai daya optimum adalah :

Pmax=VB/ REi.RL (7)

17/04/09
• Dari rangkain equivalen, nilai rise time atau frequency response
dihitung oleh junction dr kapasitansi diode dan resistansi beban
dinyatakan dengan :
tC = 2,19.10-12 . CD . RL (8)

dimana : tC=circuit rise time (s)


CD=kapasitansi dioda (pF)
RL=resistansi beban(ohm)

• Kombinasi rise time dari dioda dan risetime rangkaian dapat


dihitung dengan :
tR = √ t D 2 + tC2 (9)

dimana : tR=receiver time constanta


tD=rise time dioda
17/04/09
• Nilai rise time terbatas pada bandwidth system.
• Untuk nilai bandwidth 3 dB, maka rise time dapat dihitung dengan :

fR = 0,35 / tR (10)

dimana : fR = receiver circuit 3-dB Bandwidth (Hz)

17/04/09
Avalanche Photo Diode (APD)

• Mempunyai konstruksi dan operasi yang mirip dengan


Diode PIN.
• APD tidak memerlukan penguat efek medan di dalam
modul penerima.
• APD mempunyai keuntungan sensivitas sebesar 5-10
dB dibanding Diode PIN.
• Internal gain yang membuat APD lebih sensitif, diperoleh
melalui penggunaan tegangan bias mundur yang tinggi
pada diode junctionnya.
• APD yang biasa digunakan adalah APD dengan panjang
gelombang 850 nm.

17/04/09
• Untuk panjang gelombang yang tinggi APD yang baik
belum tersedia, karena :
1. Adanya tegangan balik (reverse voltage) yang tinggi.
2. Desir mimis karena adanya efek Lowina.
3. Pengaruh dark current dan adanya arus bocor.

17/04/09
Prinsip Kerja APD

• Foton diserap di daerah pengosongan


(depletion), menimbulkan elektron bebas dan
lobang (hole) bebas.
• Gaya listrik yang besar pada bagian ini
menyebabkan perubahan percepatan yang
dapat membangkitkan energi kinetik.
• Energi kinetik ini meningkatkan elektron yang
menyebrang pita energi pemisah.
• Percepatan muatan pertama dapat
membangkitkan beberapa kali percepatan
muatan yang baru. Hal ini menyebabkan proses
pengalian (pelipatan) arus pada APD.

17/04/09
Gambar 12 : Struktur APD
Sumber : www.google.co.id

17/04/09
Gambar 13 : Avalanche Photo Diode (APD)
Sumber : www.google.co.id

17/04/09
Materi Struktur Panjang Responsivitas Arus gelap
Gelomb (nm) (A/W) ( nA)

Silikon PIN 300-1100 0,5 1

Germanium PIN 500-1800 0,7 200

InGaAs PIN 1000-1700 0,6 10

Silikon APD 400-1000 77 15

Germanium APD 1000-1600 30 700

Tabel 3 : Karakteristik beberapa foto detektor sambungan

17/04/09
Characteristic PIN Photo Diode APD

Sensivity (dBm for -30 to -45 -40 to -50


BER or SNR)
Spectral 200 to 1700 200 to 1700
Response Range
Noise Equivalent 1x10-10 to 27x10-14 1x10-14
Power (W/√Hz)
Cost Lower Higher

Tabel 4 : Komparasi Diode PIN dan APD


Sumber : Reference Manual for Telecommunications Engineering,
Second Edition. Roger L. Freeman
17/04/09
Repeater

• Memperkuat dan mensinkronisasi sinyal yang


ditransmisikan dengan merubah sinyal optik ke sinyal
elektrik kemudian dirubah ke sinyal optik kembali.
• Dapat dibayangkan sebagai receiver back-to-back
dengan transmitter, dengan perangkat pengontrol dan
pengkondisi sinyal.
• Beberapa dilengkapi dengan perangkat diagnosa untuk
mentransmisikan alarm status, monitor BER dan fungsi
lainnya.
• Jarak repeater bervariasi dari 15 km – 150 km
bergantung dari tipe serat, tipe pemancar dan penerima
yang digunakan dan bit rate yang ditransmisikan.

17/04/09
TERIMA KASIH

17/04/09