Anda di halaman 1dari 9

MAKALAH DIODA SCHOTTKY

kELOMPOK 1 : INDAH ZAHROTUL ANSHORI 1111 100 020 KEVIN DEVALENTINO 1111 100 080 AZIZ NUGROHO 1111 100 082 WILDAN MANGGARA HIDAYATULLAH 1111 100 084

JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT TEKNOLOGI SEPULUH NOPEMBER SURABAYA

BAB I PENDAHULUAN

Seiring dengan perkembangan kemajuan teknologi, semakin banyak aplikasi-aplikasi yang membutuhkan divais dengan kecepatan operasi tinggi. Dioda Schottky sebagai sebuah divais dengan kecepatan operasi tinggi banyak dipakai dalam aplikasi-aplikasi seperti power converter, RF detectors dan mixers. Dioda Schottky yang dipakai sekarang ini masih menggunakan bahan semikonduktor konvensional seperti Silikon sebagai material dasarnya. Terdapat pada rangkaian-rangkaian dengan supply tegangan rendah seperti motherboard komputer, HP, regulator solar-cell, dan juga sebagai rectifier pada pada rangkaian switchingmode power-supply. Dioda schottky dengan tegangan yang lebih rendah sering digunakan untuk perlindungan sirkuit. Karena salah satu bahan dari dioda schottky adalah logam, peranti dengan resistansi yang lebih rendah dapat diproduksi. Dioda schottky dapat mencapai kecepatan pensakelaran yang jauh lebih tinggi daripada diode sambungan p-n, membuatnya lebih diutamakan untuk menyearahkan frekuensi.

BAB II DASAR TEORI


A. Pengertian Dioda Schottky Dioda Schottky (diambil dari nama seorang ahli fisika Jerman Walter H. Schottky pada tahun 1938[1], juga dikenal sebagai diode pembawa panas) adalah diode semikonduktor dengan tegangan rendah. Dioda schottky merupakan sebuah penghalang potensial yang terbentuk pada pertemuan logam-logam semikonduktor yang mempunyai karakteristik penyearah. Dioda Schottky adalah tipe khusus dari diode dengan tegangan yang rendah. Ketika arus mengalir melalui diode akan ditahan oleh hambatan internal, yang menyebabkan tegangannya menjadi kecil di terminal diode. Dioda normal antara 0.7-1.7 volt, sementara diode Schottky tegangan kira-kira antara 0.15-0.45 volt. Dioda Schottky menggunakan simpangan logam-semikonduktor sebagai sawar Schottky (dari sebuah simpangan semikonduktor-semikonduktor seperti dalam diode konvensional). Sawar Schottky ini dihasilkan dengan waktu kontak yang sangat cepat dan tegangan yang rendah.

Gambar 1. Grafik Perbedaan Dioda Schottky Dengan Dioda Konvensional

Perbedaan yang paling penting antara p-n dan diode Schottky adalah dari membalikkannya waktu pemulihan, ketika beralih dari keadaan tidak menghantarkan ke keadaan menghantarkan dan sebaliknya. Dimana dalam diode p-n waktu pemulihan balik dapat dalam orde ratusan nano-detik dan kurang dari 100 nano-detik untuk diode cepat. Masalah pengisian penyimpanan sambungan pn dapat dihilangkan ( atau minimalkan ) dalan diode schottky dengan mengatur potensial barrier dengan sebuah kotak antara metal dan semikonduktor. Sebuah lapisan metal didepositkan pada lapisan epitaksi tipis silikon tipe n. potensial barrier mensimulasikan perilaku sambungan pn .aksi penyearah tergantung pada pembawa mayoritas dan sebagai hasilnya tidak ada kelebihan pembawa minoritas untuk merekombinasi. Urutan

dooping (pengotor penambahan) merupakan urutan dari 1 bagian 10 atom. Dalam semikonduktor type -n, pembawa mayoritas elektron saat ini mayoritas saat ini elektron minoritas membawa menjadi lubang. Efek pemulihan semata-mata karena kapasitansi dari sambungan semikonduktor. Pengisian pemulihan diode schottky jauh lebih kecil dari pada sebuah diode sambungan pn yang ekuivalen. Jika hanya kapasitansi sambungan, pengisian pemulihan memiliki ketidaktergantungan yang besar dari di/dt mundur. Sebuah diode schottky memilki tegangan yang jatuh maju relative kecil. Arus bocor diode schottky lebih tinggi dari diode sambungan pn. Sebuah diode schottky dengan tegangan konduksi relative kecil memiliki arus bocor, dan sebaliknya. Sebagai hasil, tegangan maksimum yang diizinkan biasanya dibatasi pada 100 V. Tingkat arus diode schottky bervariasi dari 1 sampai 300 A. diode schottky ideal untuk arus tinggi tegangan rendah catu daya dc. Meskipun begitu, diode tersebut juga digunakan pada catun daya arus kecil untuk meningkatkan efisiensi.schootky penyearah ganda 20 dan 30 A[4]. B. Prinsip Kerja Dioda Schottky Dioda schottky adalah salah satu jenis dioda yang bekerja berdasarkan prinsip schottky barrier. Cara kerja dari dioda schottky ini memanfaatkan schottky barrier yang terbentu pada persambungan antara metal dan semikonduktor. Karakteristik schottky barrier ini bersifat rectifying (menyearahkan) dimana pada saat diberikan forward bias dapat dilewati oleh majority carriers namun pada saat diberikan reverse bias, schottky barrier yang terbentuk meghalangi perpindahan majority carriers sehingga tidak dapat dilewati arus.

Dioda schottky ini disebut juga sebagai majority carriers divais. Hal ini berarti, bila semikonduktor yang digunakan menggunakan doping tipe n, hanya carrier tipe n (elektron) yang berperan besar dalam operasi divais tersebut. Hal ini berbeda dengan dioda pn konvesional dimana proses penyearahan melibatkan rekombinasi antara elektron dan hole (majority carriers dan minority carriers) yang cukup lambat. Hal ini menyebabkan proses transisi divais dari kondisi ON ke OFF atau sebaliknya memiliki waktu yang cukup signifikan, hal ini yang disebut dengan switching time. Pada dioda pn, switching time ini dapat mencapai skala microseconds[2]. Berbeda dengan dioda pn, proses rekombinasi pada dioda schottky tidak terjadi, oleh sebab itu switching time pada dioda schottky dapat lebih cepat daripada dioda pn[1]. Karena tidak terdapat rekombinasi pn pada dioda schottky maka kecepatan operasi pada divais ini sangat dipengaruhi oleh kapasitansi yang terbentuk antara persambungan metal dan semikonduktor. Kapasitansi pada junction ini disebut juga parasitic capacitance[3]. Besar kapasitansi yang terdapat pada persambungan tersebut dirumuskan sebagai berikut[4]:

Cj =
dimana : Cj = kapasitansi persambungan (Farad) = permitivitas semikonduktor (F/m) A = luas permukaan junction (m2) W = lebar dari schottky barrier (m) Salah satu parameter yang digunakan untuk menentukan kualitas sebuah dioda schottky adalah dengan melihat nilai frekuensi cut-off dioda tersebut[6], dimana besar dari frekuensi cut-off sebuah dioda schottky dirumuskan sebagai berikut[7][8]:

dimana : fc = frekuensi cut-off (Hz) Rs = resistansi seri dioda schottky (Ohm)

Parameter frekuensi cut-off dari dioda schottky ini terkait langsung dengan performa sebuah dioda schottky dimana semakin besar nilai frekuensi cut-off ini maka dioda schottky tersebut akan mampu semakin cepat dalam beroperasi. Dioda schottky yang ada di pasaran saat ini mampu beroperasi pada skala gigahertzC. C. Aplikasi Dioda Schottky Aplikasi termasuk perlindungan muatan pada sel surya yang dihubungkan dengan batere timbal-asam dan dalam mode saklar-sumber listrik; dalam kedua kasus rendahnya tegangan akan meningkatkan efisiensi. Dioda silicon standar tegangan kira-kira sekitar 0.7 volt dan diode germanium 0.3 volt[1]. Terdapat pada rangkaianrangkaian dengan supply tegangan rendah seperti motherboard komputer, HP, regulator solar-cell, dan juga sebagai rectifier pada pada rangkaian switching-mode power-supply. Fungsi lain dari diode adalah proses pengubahan atau konversi cahaya matahari menjadi listrik ini dimungkinkan karena bahan material yang menyusun sel surya berupa semikonduktor. Lebih tepatnya tersusun atas dua jenis semikonduktor; yakni jenis n dan jenis p. Semikonduktor jenis n merupakan semikonduktor yang memiliki kelebihan elektron, sehingga kelebihan muatan negatif, (n = negatif). Sedangkan semikonduktor jenis p memiliki kelebihan hole, sehingga disebut dengan p ( p = positif) karena kelebihan muatan positif. Caranya, dengan menambahkan unsur lain ke dalam semkonduktor, maka kita dapat mengontrol jenis semikonduktor tersebut, sebagaimana diilustrasikan pada gambar di bawah ini. Pada awalnya, pembuatan dua jenis semikonduktor ini dimaksudkan untuk meningkatkan tingkat konduktifitas atau tingkat kemampuan daya hantar listrik dan panas semikonduktor alami. Di dalam semikonduktor alami (disebut dengan semikonduktor intrinsik) ini, elektron maupun hole memiliki jumlah yang sama. Kelebihan elektron atau hole dapat meningkatkan daya hantar listrik maupun panas dari sebuah semikoduktor. Misal semikonduktor intrinsik yang dimaksud ialah silikon (Si). Semikonduktor jenis p, biasanya dibuat dengan menambahkan unsur boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga) atau Indium (In) ke dalam Si. Unsur-unsur tambahan ini akan menambah jumlah hole. Sedangkan semikonduktor jenis n dibuat dengan menambahkan nitrogen (N), fosfor (P) atau arsen (As) ke dalam Si. Dari sini, tambahan elektron dapat diperoleh. Sedangkan, Si intrinsik sendiri tidak mengandung unsur tambahan. Usaha menambahkan unsur tambahan ini disebut dengan doping yang jumlahnya tidak lebih dari 1 % dibandingkan dengan berat Si yang hendak didoping.

BAB II PENUTUP
A. KESIMPULAN Dioda schottky dengan tegangan yang lebih rendah sering digunakan untuk perlindungan sirkuit. Karena salah satu bahan dari dioda schottky adalah logam, peranti dengan resistansi yang lebih rendah dapat diproduksi. Dioda schottky dapat mencapai kecepatan pensakelaran yang jauh lebih tinggi daripada diode sambungan pn, membuatnya lebih diutamakan untuk menyearahkan frekuensi. B. SARAN Penulisan makalah diperlukan penulisan lanjutan untuk meningkatkan ilmu pengetahuan. Dan, disarankan mencari referensi yang lebih luas lagi. Ssehingga pembahasan akan semakin mendalam dan lebih efektif.

DAFTAR PUSTAKA
[1] http://id.wikipedia.org/wiki/Dioda_schottky, diakses tanggal 8 mei 2013 jam 6.28 [2] http://www.powerdesigner.com/InfoWeb/design_center/articles/Diodes, diakses tanggal 18 Mei 2013 jam 16.10 [3] http://en.wikipedia.org/wiki/Parasitic-capacitance, diakses tanggal 18 Mei 2013 jam 16.13 [4] http://www.mtmi.vu.lt/pfk/funck_dariniai/diod/schottky.htm, diakses tanggal 18 Mei 2013 jam 16.15 [5] http://sndelektronik.blogspot.com/2013/01/dioda.html, diakses tanggal 18 Mei 2013 jam 16.29 [6] Peter J. Burke, Carbon Nanotube Devices for GHz to The Applications , Invited Paper, 2005 [7]Swaminathan Sankaran, Kenneth K.O, Schottky Barrier Diodes for Milimeter Wave Detection in a Foundry CMOS Process , Silicon Microwave Integrated Circuits and System Research Group (SiMICS) University of Florida, 2002 [8] Basic of Schottky Barrier Diodes, Application note [9]H. M. Manohara, E. W. Wong, E. Schlecht, B. D. Hunt, and P. H. Siegel, Carbon Nanotube Schottky Diodes Using Ti-Schottky and Pt-Ohmic Contacts for High Frequency Applications, Nano Letters. Vol. 5, No. 7, 1469-1474 (2005)