Diodo Gunn: Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia.

A diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la zona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Eventualmente esta zona empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.

La frecuencia de la oscilacin obtenida a partir de este efecto, es determinada parcialmente por las propiedades de la capa o zona intermedia del diodo, pero tambin puede ser ajustada exteriormente. Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias an ms altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinacin con circuitos resonantes construidos con guas de ondas, cavidades coaxiales y resonadores YIG (mono cristal de granate Itrio e hierro, Yttrium Iron Garnet por sus siglas en ingls) y la sintonizacin es realizada mediante ajustes mecnicos, excepto en el caso de los resonadores YIG en los cuales los ajustes son elctricos.

Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. El dispositivo recibe su nombre del cientfico britnico, nacido en Egipto, John Battiscombe Gunn quien produjo el primero de estos diodos basado en los clculos tericos del profesor y cientfico britnico Cyril Hilsum.

Oscilador GUNN El diodo gunn, presenta la caracterstica de oscilar cuando se alcanza una determinada intensidad del campo elctrico. Esta regin de alta intensidad decampo se mueve en el camino catodo-nodo, donde desaparece generndose inmediatamente otra similar en el ctodo y as sucesivamente. Dimensiones menores en el camino darn lugar a menores tiempos de oscilacin, o lo que es lo mismo mayores frecuencias. Para mantener estable la oscilacin se debe acoplar el diodo a una cavidad resonante que ser en ltima instancia la que determine la frecuencia de resonancia del conjunto. Se puede generar as un amplio rango de frecuencias, entre 1 y ms de 100 GHz, con potencias de emisin entre 5 y 800 mW. Ventajas y desventajas Existen dispositivos amplificadores basados en el esquema de las vlvulas termoinicas, modulando el haz de electrones con un fuerte campo magntico y el diodo gunn es un dispositivo de estado slido utilizado para la modulacin por impulsos en alta frecuencia pero no es amplificador.

EL OSCILADOR DE GUNN

Una fuente Gunn consiste en un diodo Gunn colocado en una cavidad resonante. Dependiendo de la tcnica de fabricacin, los diodos Gunn pueden suministrar seales de microondas con potencias que van de 1mW a 5W. la eficiencia de estas fuentes puede variar de 0,2% a 20%, debido a que la mayor parte de la potencia se disipa como calor. Por lo tanto, para evitar que se quemen, los diodos Gunn requieren disipadores a fin de evacuar eficientemente el calor. Usualmente, las frecuencias de la seal de microondas generadas se encuentran dentro de un intervalo de 1 a 100 GHz, dependiendo del diodo utilizado y de la cavidad resonante asociada.

El termino diodo no es una denominacin correcta porque los diodos Gunn en realidad no los on. El trmino diodo se utiliza debido a que son dispositivos semiconductores de dos terminales y permiten la utilizacin del trmino nodo para su extremo positivo. El nombre Gunn viene de efecto Gunn que es el principio de base del funcionamiento del dispositivo.

A principios de los aos 60, J. B. Gunn descubri que algunos materiales semiconductores e podan utilizar para producir oscilaciones de microondas por medio del efecto que ahora lleva su nombre. El efecto Gunn solo es posible en algunos materiales semiconductores tipo N. los mas utilizados son el arseniuro de galio (GaAs) y el fosfuro de indio (InP), aunque el efecto fue demostrado empleando el teluro de cadmio (CdTe) y el arseniuro de indio (InAs). Estos materiales se comportan de manera algo diferente de los materiales semiconductores normales. Cuando se aplica un voltaje cc relativamente pequeo a travs de una porcin delgada de GaAs tipo N, los electrones fluyen formando una corriente que se dirige hacia el extremo positivo del material. Si se aumenta el voltaje, los electrones se desplazan ms rpidamente hacia el mismo extremo, aumentando la corriente. Cuando el voltaje se incremente de modo que el gradiente de potencial a travs de la porcin de material excede un umbral cercano a 3,3 kV/cm, la corriente comienza a disminuir y se dice que el material presenta una resistencia negativa. Finalmente si se vuelve a aumentar el voltaje, la corriente crecer nuevamente. La figura muestra la caracterstica de corriente en funcin de voltaje con un diodo Gunn. Debido a que para la mayora de los dispositivos semiconductores la resistencia negativa no existe, al aumentar el voltaje la corriente continuar creciendo hasta que las colisiones de los electrones dentro de la red del cristal semiconductor generen suficiente calor para destruirlo. En los materiales semiconductores tipo N, la resistencia negativa depende de sus propiedades internas, es decir, de la naturaleza del material. Los electrones de

estos semiconductores tipo N poseen una anda de conduccin de alto nivel de energa vaca y una banda de conduccin de bajo nivel de energa llena (o principalmente llena). Cuando se aplica el voltaje umbral, la energa que se imparte es suficiente para hacer pasar los electrones a la banda de alto nivel de energa y baja movilidad y la corriente disminuye. Finalmente, a medida que el voltaje sigue aumentando, los electrones abandona la banda de baja movilidad y la corriente comienza a aumentar nuevamente

Si el material semiconductor no fue dopado de manera uniforme, hay una regin del cristal con una concentracin de electrones relativamente baja, por lo que resulta menos conductiva que el resto del cristal. En esa regin el campo elctrico es ms intenso que en el resto del cristal, de manera que al aumentar el voltaje, se convierte en la primera regin que transfiere sus electrones hacia la banda de ms alto nivel de energa. Esos electrones son entonces obligados a fluir ms lentamente y la regin se transforma en un dominio de resistencia negativa. Los electrones que se encuentran delante y detrs de ese dominio, viaja ms rpido que los ubicados dentro del mismo. Los electrones que vienen por detrs del dominio, se agrupan disminuyendo el gradiente en su parte posterior. Los que se encuentran delante del domino se alejan rpidamente, dejando un rea de baja concentracin de electrones. De esta manera, el dominio se desplaza hacia el nodo a una velocidad de 107 cm/s, arrastrando los electrones agrupados. Cuando un dominio llega al nodo se liberan electrones y se forma un nuevo dominio de ctodo. Este dominio comienza su propia propagacin hacia el nodo. Esa creacin y propagacin de domino es lo que da origen a las oscilaciones de microondas. Las llegadas de los dominios al nodo es la responsable de las oscilaciones. Si un ciclo LC sintonizado o una cavidad se excita peridicamente por medio de una seal en fase, las oscilaciones se mantendrn. La banda de operacin del diodo Gunn est determinada por las dimensiones fsicas del cristal semiconductor, pero la frecuencia exacta de operacin depende del circuito sintonizado. La frecuencia de oscilacin tambin resulta afectada por el voltaje de alimentacin. Por lo tanto, es posible modular la fuente en frecuencia variando ese voltaje. Sin embargo, n voltaje demasiado elevado puede destruir el cristal semiconductor, por lo que l diodo Gunn se debe proteger contra los transitorio y los sobrevoltajes. A los osciladores de Gunn se les encuentra en los radares policiales, los radares Doppler de onda continua, los sistemas de alarma y en los osciladores locales de ciertos receptores.