Analiza oscilatoarelor LC (aproximativa) se face in urmatoarele etape:

I. Se deseneaza schema de curent alternativ (semnal mic), separand circuitul rezonant LC de

restul oscilatorului (tranzistoare, rezistente de polarizare, sarcina sau pierderi). Rezulta un
circuit liniar.

II. Se analizeaza circuitul rezonant LC, plecand de la presupunerea unui factor de calitate in
sarcina foarte mare (aceasta presupunere, frecvent intalnita in realitate este dificil de
verificat prin calcule simple). Se determina frecventa de rezonanta a circuitului cu relatia:
C L 2
1
f
o
t
=
In aceasta formula, L si C pot reprezenta bobine sau condensatoare conectate in serie. Pentru
determinarea corecta a frecventei de rezonanta trebuie parcurs cu grija paragraful din curs
Oscilatoare in trei puncte (vezi oscilatoare Hartley, Colpitts, Clapp).
In functie de tipul circuitului rezonant (serie sau derivatie) se determina impedanta
echivalenta la borne la frecventa de rezonanta (in absenta pierderilor aceasta este zero, respectiv
infinita).
Se tine cont de tipul de rezonanta pentru a determina o relatie intre marimile electrice de la
bornele circuitului rezonant. De exemplu, pentru un circuit rezonant derivatie, a carui latura
capacitiva (Colpitts) sau inductiva (Hartley) este formata din doua componente in serie, curentul
care trece prin cele doua componente este practic acelasi (si foarte mare ca amplitudine). Aceasta
relatie constituie o prima ecuatie de analiza a oscilatorului.

III. Este analizat amplificatorul format, de regula, cu un singur tranzistor activ (bipolar sau cu
efect de camp). Se utilizeaza relatiile pentru amplificarea in tensiune, rezultand astfel o a
doua ecuatie. Din sistemul format impreuna cu prima ecuatie, prin eliminarea marimilor
electrice (tensiuni sau curenti) rezulta o relatie care reprezinta conditia de oscilatie.
In cazul unui singur tranzistor activ, solutia conditiei de oscilatie este panta critica a
tranzistorului g
m,cr
.

IV. Analiza oscilatorului se bazeaza pe rezultatele anterioare. Frecventa de oscilatie este
aproximata cu frecventa de rezonanta (lucru valabil pentru un factor de calitate in sarcina al
circuitului rezonant de cateva zeci):
o osc
f f ~
Conditia de oscilatie, in cazul unui singur tranzistor activ in circuitul oscilator, se
interpreteaza dupa cum urmeaza. Se determina panta de semnal mic a tranzistorului, pe baza
circuitului de polarizare. Aceasta panta este g
m,o
in cazul TECJ si g
m
= 40 I
C
in cazul tranzistorului
bipolar. Oscilatiile sunt amorsate (startate) in circuit daca:

cr , m m
g g >
Pentru determinarea amplitudinii de oscilatie V
osc
este utilizata teoria cvasiliniara a
oscilatoarelor LC care introduce panta de semnal mare G
m
. Se considera:

cr , m m
g G =
Se calculeaza valoarea functiei:
( )
m
m
g
G
x = (tranzistor bipolar) ( )
o , m
m
g
G
x = (TECJ)
Din graficul sau tabelul functiei se determina valoarea lui x. Se calculeaza amplitudinea tensiunii
baza-emitor sau poarta-sursa cu:
1


q
T k
x V
be
= (tranzistor bipolar)
T gs
V x V = (TECJ)
Deoarece circuitul este liniar, se determina V
osc
pornind de la amplitudinea acestei tensiuni.
Tabelul de mai jos prezinta, orientativ, rezultatele teoriei cvasiliniare.

Tranzistor bipolar

x 0 0.5 1 2 3 5 7 10
(x) 1 0.97 0.893 0.698 0.54 0.357 0.246 0.190

TECJ

x 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
(x) 1 0.48 0.22 0.13 0.075 0.05 0.04

L
10uH
C
100pF
CB
10uF
Q1 Q2
R4 R3
940k
R2
5k
R1
940k
+VCC
20V


OLC.1. Sa se determine frecventa de oscilatie si
valoarea rezistentei R
4
pentru amorsarea
oscilatiilor pentru circuitul de mai jos.
Condensatorul C
B
este de tipul C

. Se considera
V
BE
= 0.6 V si | = 100.


+VCC
+20V
C3
10uF
C2
0.25nF
C1
27nF
L1
10uH
Q3 Q2
Q1
RL
5k
R4
8.2k
R3
860k
R2
1.5k
R1
3k

OLC.2. Pentru circuitul din figura sa se
determine:
a) valoarea curentului I
C1,cr
pentru amorsarea
oscilatiilor in circuit
b) frecventa de oscilatie.
c) amplitudinea oscilatiilor in colectorul lui Q1
Tranzistoarele sunt identice si au parametrii: V
BE

= 0.6 V; | = 100.






2






+VDD
+20 V
L
1uH
C2
100pF
C1
400pF
CG 100nF
CL
100nF
LRF
1mH
Q
RG
100k
RL
2k


OLC.3. Pentru circuitul din figura sa se
determine:
a) Frecventa de oscilatie a circuitului.
b) Amorsarea oscilatiilor in circuit.
c) Amplitudinea oscilatiilor pe rezistenta de
sarcina RL.
Tranzistorul are parametrii: I
DSS
= 8 mA; V
T

= - 4 V.


L2
10uH
L1
1mH C5
100nF
C4
100nF
C3
1uF
C2
25pF
C1
1nF
+V
VCC
20V
Q1
R4
0.8k
R3
4k
R2
6k
R1
6k


OLC.4. Pentru circuitul din figura sa se
determine frecventa de oscilatie, verificarea
amorsarii oscilatiilor si amplitudinea oscilatiilor.
Tranzistorul are parametrii V
BE
= 0.6 V; | =
100.


+VDD
+10V
CL
100nF
L
1uH
LRF
1mH
C1
360pF
C2
120pF
CG
10nF
Q
RL
15k
RG
500k



OLC.5. Pentru circuitul din figura sa se
determine frecventa de oscilatie, verificarea
amorsarii oscilatiilor si amplitudinea oscilatiilor.
Tranzistorul are parametrii: I
DSS
= 8 mA; V
T

= - 4 V.



3