Laporan Praktikum

Nama / NPM Fakultas / Prog. Studi Grup & Kawan Kerja Nomor & Nama Praktek Tanggal Praktek Nama Asisten

: Erlangga Yudha Pratama / 0906529754 : FMIPA / Fisika : 8 / Ferina Nughrahitasari : 4 / KARAKTERSISTIK TRANSISTOR : 11 Maret 2010 :

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS INDONESIA

A. Tujuan 1. Menentukan nilai , membuat garis beban, dan menentukan titik Q. 2. Menganalisis rangkaian AC dan DC B. Teori Transistor merupakan suatu piranti semikonduktor yang mempunyai sifat khusus. Secara ekuivalensi transistor dapat dibandingkan dengan dua diode yang dihubungkan dengan suatu konfigurasi. Walaupun sifat sifat transistor tersebut tidak sama dengan diode. Transistor ada yang bersifat UNIPOLAR (misal : FET), ada yang BIPOLAR (PNP dan NPN). Pada dasarnya transistor bekerja berdasarkan prinsip pengendalian arus kolektor dengan menggunakan arus basis. Dengan kata lain arus basis mengalami penguatan hingga menjadi sebesar arus kolektor. Penguatan ini bergantung pada factor penguatan dari masing masing transistor ( dan ) konfigurasi dasar dari rangkaian. Transistor sebagai penguat adalah Common Base, Common Emitter, dan Common Collector. Sifat dari transistor yang akan saturasi pada nilai tegangan tertentu antara basis dan emitter menjadikan transistor daoat berfungsi sebagai saklar elektronik. Nilai penguat arus dari transistor dapat dinaikkan dengan menggunakan konfigurasi Darlington. Transistor Darlington adalah rangkaian elektronika yang terdiri dari sepasang transistor bipolar (dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri). Sambungan seri seperti ini dipakai untuk mendapatkan penguatan (gain) yang tinggi, karena hasil penguatan pada transistor yang pertama akan dikuatkan lebih lanjut oleh transistor kedua. Keuntungan dari rangkaian Darlington adalah penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian dua buah transistor biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama. Penguatan arus listrik atau gain dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi atau hFE. Dengan konfigurasi darlington maka akan diperoleh hfe sebesar:

Hfe =H fe Q1 x H fe Q2

Perbedaan utama antara Bipolar dan Unipolar adalah:

- Bipolar

a. Arus pada koil dapat berbolak balik untuk mengubah arah putar motor b. Lilitan motor hanya satu dan dialiri arus dengan arah bolak-balik

- Unipolar

a. Arus mengalir satu arah , dan perubahan arah putar motor tergantung dari lilitan (koil) yang dialiri arus b. Lilitan terpisah dalam 2 bagian dan masing-masing bagian hanya dilewati arus dalam satu arah saja.

Kelemahan jenis Bipolar adalah bahwa rangkaian drivernya lebih kompleks, karena harus dapat mengalirkan arus dalam 2 arah (bolak-balik) lewat koil yang sama. Inti rangkaian sebenarnya adalah sebuah buffer arus yang berfungsi menguatkan arusarus logika dan MCU yang menggerakkan motor stepper. Buffer ini dibentuk dengan menggunakan 2 transistor Bipolar NPN dalam konfigurasi Darlington untuk menghasilkan penguat arus (hfe) yang tinggi.

Sebuah transistor mempunyai 3 daerah yang sudah didoping yaitu emitter, basis dan kolektor.

Gambar 1. Transistor

Pn junction muncul diantara basis dan emitter, disebut sebagai dioda emitter. Sementara pn junction lainnya berada diantara basis dan kolektor, disebut dioda kolektor. Kedua junction ini ada pada transistor nonbias dan pada setiap dioda mempunyai potensial penghalang yang mendekati 0,7 V pada 15C untuk transistor silikon. Telah disebutkan diatas ada transistor yang bipolar yaitu PNP dan NPN. Transistor npn mempunyai daerah p yang berada diantara dua daerah n. Sementara transistor pnp mempunyai daerah n yang berda diantara dua daerah p.

(a)

(b)

Gambar 2. Tiga arus transistor, (a) Aliran arus konvesional; (b) Aliran elektron

Gambar diatas menjelaskan mengenai arah arus yang melewati transistor. Ada aliran arus konvensional dan aliran elektron yang berlawanan arahnya seperti terlihat pada gambar diatas. Ada tiga jenis arus yang melewati transistor yaitu arus emitter IE, arus basis IB dan arus kolektor IC. Hubungan antara ketiga arus tersebut adalah: IE,= IC. + IB Akan tetapi karena arus basis sangat kecil maka arus kolektor mendekati nilai arus emitter: IC. = IE, Dan arus basis sangat kecil sekali dibanding arus kolektor: IB << IC. Pada transistor terdapat penguat arus yang disebut beta dc (dc). Penguat arus diartikan sebagai perbandingan antara arus dc kolektor dan arus dc basis:

dc =

IC IB

Untuk transistor yang mempunyai daya rendah (dibawah 1 W), penguat arus biasanya bernilai dari 100 sampai 300. Transistor dengan daya tinggi (diatas 1 W) biasanya mempunyai penguat arus sebesar 20 sampai 100. Transistor memiliki daerah aktif, daerah jenuh, daerah cut off serta daerah breakdown. Daerah aktif digunakan pada penguatan linear, sedang daerah jenuh dan cut off digunakan pada rangkaian digital. Transistor memiliki daerah pengoperasian tegangan, arus dan daya maksimum. Transistor untuk sinyal kecil, dapat membuang daya 1 W atau kurang, sedang transistor daya akan membuang daya lebih dari 1 W. Harga-harga karakteristik transistor dapat berubah karena faktor suhu. Daya maksimum akan berkurang seiring dengan pertambahan suhu.

C. Komponen 1. Transistor 2. Resistor BC 108 3.6 k 3k 2.2 k 1 k 600 300 10 k 1 k 0.1 F 1 F 1 1 1 1 1 1 1 2 1 2 1

3. Potensiometer 4. Kapasitor

D. Prosedur Percobaan 1. Menentukan nilai a. Menyusun rangkaian seperti gambar 4.1 b. Atur R variasi agar Vi bervariasi dari 0 12 Volt dengan interval kenaikan sebesar 1 volt c. Mencatat Vi, VBE, dan VCE

Gambar 4.1 Rangkaian Transistor Sederhana

Gambar 4.2 Rangkaian Menentukan Titik Beban

2. Menetukan garis beban dan titik Q a. Menyusun rangkaian seperti gambar 4.2. b. Mengukur tegangan VCE.

3. Analisis Rangkaian DC a. Menyusun rangkaian ekuivalen DC dari gambar 4.3. b. Mengukur tegangan VA, VBE, VC dan VE. 4. Analisis rangkaian AC a. Menyusun rangkaian ekuivalen AC dari gambar 4.3. b. Memberikan input SG sebesar 10 mVpp. c. Mengukur dan menggambarkan bentuk tegangan VA, VBE, VC, dan VE.

Gambar 4.3 Rangkaian Common Emitor

E. Tugas Pendahuluan 1. Memperhatikan gambar 4.1 dengan mengacu BC108 dari data sheet, kemudian melengkapi tabel berikut beserta penurunan rumusnya
Vi 0-12 V int 1 V V BE IB IC VC

2. Membuat kurva hubungan antara IC dan VCE dari data pada soal nomor 1, kemudian menentukan titik saturasi dan titik cutoff. 3. Memperhatikan gambar 4.2 lalu menentukan titik Q dari rangkaian tersebut. 4. Menggambar rangkaian ekivalen DCndar rangkaian 4.3 5. Memperhatikan gambar 4.3 dengen menggunakan analisis DC, kemudian menentukan nilai VA, VBE,, VC, dan VE 6. Bila rangkaian pada gambar 4.3 diberikan sinyal input AC dengan tegangan 10 mV PP, berapakah nilai dan fase tegangan dari VA, VBE,, VC, dan VE.

Jawaban Tugas Pendahuluan 1. Penurunan rumus : IB =

VBB VBE RB

IC = dc.IB VCE = VCC IC.RC

Data Sheet
Vi (V) 0 1 2 3 4 5 6 VBE (V) 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 IB (A) 0 2,49 12,48 22,46 32,43 42,39 52,37 IC (mA) 0 0,28 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 VC (V) 12 9,25 0 0 0 0 0

7 8 9 10 11 12

0,75 0,75 0,75 0,75 0,75 0,75

62,35 72,34 82,35 92,37 102,42 112,5

1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2

0 0 0 0 0 0

2. ICE dan VCE Saat VCE = 0 IC SAT =

VCC 12 = = 1,2 mA RC 10k

Saat IC = 0 VCE cut off = VCC = 12 V

3. Titik Q Q point ideal IB =

12 0,75 100k

= 112,5 A IC = 110.112,5 A = 12,38 mA Karena arus saturasi sama dengan 1,2 mA maka IC = 1,2 mA VCE = 12V 1,2mA.10k = 0V

4. Gambar Rangkaian Ekivalen DC

5. Nilai VA, VBE, VC, VE IC = =

VCC R1 R2

12 = 0,98 mA 10k 2, 2k

VB = V2 = IR2 = nilai pada VA = 0,98 mA.2,2k = 2,156V

VE = VBVBE = 2,156V 0,7V = 1,456V

IE = =

VE RE

1, 456V = 1,456mA 1k

VC = VCC ICRC

= 12V (1,456mA.3,3k) = 7,2V VCE = VCVE = 7,2V 1,456V = 5,744V

6. Berapakah nilai dan fase tegangan VA, VBE, VC dan VE

Input AC 10 mVpp VA 7.5 mV VBE 7 mV VC 0V VE 0V

rc =R C // R L re ' = 25 mV IE

Zin base =Brc ' Zin =R 1//R 2 //Zin base ig = vg R G +Zin vb Zin base

v b =i g Zin ib =

i c =Bi b v c =i c rc