Anda di halaman 1dari 3

Metode Pendeposisian Cairan Kimia (Chemical Solution Deposition / CSD) Dalam pengolahan film tipis dengan metode CSD,

hasil yang diinginkan adalah untuk mengoptimalkan film untuk aplikasi yang spesifik. Untuk hasil yang efektif, diperlukan suatu pemahaman yang pokok tentang substrat, larutan kimia, dan efek dari proses termal pada evolusi struktural dari deposisi film untuk tingkatan kristalin keramik yang dibutuhkan [R. W. Schwartz, 1997]. Disini, substrat dicoating oleh cairan prekursor menggunakan spin coating atau dipcoating. Bahan yang biasanya mengunakan metode CSD adalah sol/gel dan dekomposisi metal organik (MOD) dengan lebar spektrum dari metode hibrid [C. Kugeler, 2006]. CSD didasarkan metode dekomposisi pada dasarnya dilakukan dengan beberapa tahap : 1. Persiapan larutan prekursor, 2. Pelapisan substrat, 3. Perlakuan panas untuk pirolisis film basah, 4. Terakhir dilakukan annealing Persiapan pertama dalam pembuatan prekursor secara kimiawi adalah menggunakan material keras seperti leadasetat, zirconium-n-propoksida atau titanium-i-propoksida, kemudian campur dengan bahan lain dan ditambah pelarut dan beri perlakuan suhu dengan cara yang tepat. Tahap kedua, film diberi beberapa tetes larutan prekursor di atas substrat, kemudian dirotasi dengan spin coater agar distribusi cairannya homogen. Dengan demikian ketebalan film bergantung pada viskositas dari prekursor dan kecepatan rotasi. Pada tahap yang ketiga film basah dikeringkan dan dipirolisis oleh pemanas pada temperatur sedang, misalnya penempatan substrat ditempat yang panas. Untuk menambahkan lapisan film pada tahap spinning dan pirolisis diulang beberapa kali tanpa merubah viskositas larutan prekursor. Akhirnya, film terkristalisasi pada peningkatan suhu (antara 600oC dan 800oC) [C. Kugeler, 2006]. Salah satu keuntungan metode CSD adalah sangat fleksibel untuk komposisi material apapun, sejak persiapan larutan prekursor prosesnya cepat dan tiap komposisi material yang diinginkan mungkin untuk dicampur pada komponen awal dengan rasio yang diinginkan. Selanjutnya, tidak diperlukan teknik khusus dan juga biayanya murah [C. Kugeler, 2006].

C. Kugeler and R.Wiedenbruck. Integration of Ferroelectric Thin Films into Silicon Based Microsystems, (2006) Pirolisis adalah dekomposisi kimia bahan organik melalui proses pemanasan tanpa atau sedikit oksigen atau reagen lainnya, di mana material mentah akan mengalami pemecahan struktur kimia menjadi fase gas. Pirolisis adalah kasus khusus termolisis. Pirolisis ekstrim, yang hanya meninggalkan karbon sebagai residu, disebut karbonisasi. Pirolisis adalah kasus khusus dari thermolysis terkait dengan proses kimia charring, dan yang paling sering digunakan untuk organik bahan.. Hal ini terjadi secara spontan pada temperatur tinggi (misalnya, di atas 300 C untuk kayu, itu berbeda untuk bahan lainnya), misalnya dalam kebakaran atau ketika vegetasi datang ke dalam kontak dengan lava dalam letusan gunung berapi. Secara umum, gas dan cairan menghasilkan produk dan meninggalkan residu padat kaya kandungan karbon. Extreme pirolisis, yang daun karbon sebagai residu, disebut karbonisasi. Hal itu tidak melibatkan reaksi dengan oksigen atau reagen lainnya, tetapi dapat terjadi dalam kehadiran mereka. Metode Chemical Solution Deposition Film BST murni yang memiliki ketebalan sekitar satu mikron ideal biasanya digunakan pada berbagai sensor. Pembuatan film BST murni ini dapat dilakukan dengan cara sputtering, metal organic vapour deposition (MOCVD) dan variasi metode chemical solution deposition. Metode chemical solution deposition (CSD) merupakan cara pembuatan film dengan pendeposisian larutan bahan kimia di permukaan substrat, yang dipreparasi dengan spin coating pada kecepatan putar tertentu,yang biasanya digunakan kecepatan putar 3000 rpm. Spin coating seperti yang terlihat pada Gambar 9 adalah cara yang mudah dan efektif dalam pelapisan film di permukaan substrat datar. Spin coating merupakan teknik pelapisan bahan dengan cara menyebarkan larutan ke permukaan substrat kemudian diputar dengan kecepatan tertentu yang konstan untuk memperoleh lapisan baru yang homogen. Spin coating melibatkan akselerasi dari genangan cairan di substrat yang berputar. Material pelapis di deposisi di tengah substrat. Proses spin coating dapat dipahami dengan reologi atau perilaku aliran larutan pada piringan substrat yang berputar. Mula-mula aliran volumetrik cairan dengan arah radial substrat yang bervariasi terhadap waktu. Pada saat t=0, penggenangan awal dan pembasahan menyeluruh pada permukaan substrat (tegangan permukaan diminimalisasi yakni tidak adanya getaran, noda kering dan sebagainya). Piringan lalu dipercepat dengan kecepatan rotasi yang spesifik sehingga menyebabkan bulk dari cairan terdistribusi secara merata [14]. Ilmu fisika yang melatarbelakangin melibatkan kesetimbangan antara gaya sentrifugal yang diatur oleh kecepatan putar dan viskositas. Beberapa parameter dalam spin coating adalah 1. viskositas larutan 2. kandungan padatan 3. kecepatan sudut 4. waktu putar

Proses pembentukan film dipengaruhi oleh dua parameter bebas yaitu kecepatan putar dan viskositas. Rentang ketebalan film yang dihasilkan oleh spin coating adalah 1200m. Salah satu keuntungan metode CSD adalah sangat fleksibel untuk komposisi material apapun, sejak persiapan larutan precursor prosesnya cepat dan tiap komposisi material yang diinginkanuntuk dicampur pada komponen awal dengan nisbah yang diinginkan. Selanjutnya tidak diperlukan teknik khusus dan biayanya juga murah [15].