Anda di halaman 1dari 23

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln.

Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

BAB 1

PENDAHULUAN

1.1

LATAR BELAKANG

Pada awal perkembangan semikonduktor telah diketahui bahwa dioda dan transistor peka terhadap cahaya dan juga beberapa perangkat semikonduktor dapat mengeluarkan cahaya, karena proses rekombinasi. Dari gejala tersebut dapat dikembangkan perangkat-perangkat sensitif cahaya baik sebagai detektor ataupun pemancar. Fototansistor merupakan suatu jenis transistor yang sangat peka trahadap cahaya yang ada disekitarnya. Fototransistor merupakan penerima cahaya yang berasal dari sumber cahaya (transmitter). Alat ini akan mendeteksi cahaya yang dipancarkan oleh LED infra-red pada jarak tertentu. Tanpa cahaya masuk ke permukaan menyebabkan hanya sedikit arus yang mengalir. Karena sifatnya yang peka terhadap cahaya, maka fototransistor disebut sebagai detektor optik. Fototransistor didukung oleh banyak kelebihan jika dibanding dengan perangkat detektor optik lainnya (misalnya fotodioda). Kelebihan itu antara lain fototransistor lebih sensitif, memiliki penguatan yang cukup tinggi dan dapat bekerja pada frekuensi tinggi. Hal lain yang menjadi latar belakang adalah kesadaran bahwa kemajuan teknologi khususnya di bidang perangkat semikonduktor terus berkembang pesat, mengharuskan praktikan untuk terus-menerus mengadakan dan mengembangkan penelitian. Dilandaskan beberapa fakta, kelebihan-kelebihan fototransistor yang tidak dimiliki oleh benda padat tersebut itulah yang menjadi latar belakang. Sekaligus untuk mengetahui prinsip-prinsip ilmu mengenai fototransistor yang dapat dijadikan hal-hal baru (pengalaman baru) yang dapat diaplikasikan dalam kehidupan sehari-hari oleh praktikan.

1.2 TUJUAN 1. Untuk mengetahui karakteristik dari Fototransistor sebagai piranti zat padat yang peka cahaya. 2. Untuk mengetahui prinsip kerja dari Fototransistor. 3. Untuk mengetahui aplikasi dari Fototransistor. 4. Untuk mengetahui hubungan antara intensitas cahaya terhadap tegangan dan kuat arus.

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

BAB 2

TINJAUAN PUSTAKA

Transistor hubungan (junction transistor) merupakan salah satu alat semikonduktor yang paling penting. Transistor-transistor ini membentuk elemen kunci dalam komputer,pesawat angkasa dan satelit,dalam semua komunikasi modern dan sistem daya. Transistor hubungan merupakan versi benda padat dari triode tabung hampa. Transistor ini terdiri dari semikonduktor kristal tunggal (yaitu germanium atau silikon) di mana lapisan tipis jenis p di selipkan di antara dua jenis lapisan n. Struktur yang terbentuk disebut transistor n-p-n. transistor dapat pula terdiri dari lapisan jenis n yang di sisipkan di antara dua lapisan jenis p,dan susunan yang terbentuk dinamakan transistor p-n-p. Kedua jenis transistor tersebut dapat dijelaskan pada :

Gambar 2.1 Transistor n-p-n dan Transistor p-n-p Bagian tengah dinamakan basis (base) sedangkan dua ujungnya dinamakan emitter dan kolektor. Hubungan antara emitter dan basis dinamakan hubungan emitter-basis, atau hubungan emitter (JEB) saja, dan hubungan antara kolektor dan basis dinamakan hubungan kolektorbasis,atau hubungan kolektor (JCB) saja. Seluruh bahan semikonduktor ditutup rapat kedap terhadap kelembapan di dalam paket (kemasan) logam atau plastik dengan sambungan logam menonjol keluar untuk sambungan ke emiter, basis dan kolektor. Dalam transistor hubungan baik pembawa mayoritas maupun minoritas ikut serta dalam proses. Karena itu transistor-transistor hubungan dinamakan alat bipolar (dwikutub), atau transistor hubungan bipolar,atau cukup dengan transistor bipolar. Dalam operasi normal transistor,hubungan emitter-basis dicatu maju sedangkan hubungan kolektor-basis dicatu balik. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektot (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

keluaran tegangan dan arus output Kolektor. Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya Teknik berikut ini umumnya digunakan untuk pembuatan transistor : a. Dalam teknik penumbuhan (grown technique), suatu kristal tungggal ditarik dari lelehan silikon (atau germanium) yang mengandung pencampur jenis n. Selama proses penarikan jenis pencampur dari lelehan diubah dengan menambahkan mula-mula pencampur jenis p. Kemudian pencampuran jenis n ditambahkan lagi membentuk transistor jenis n-p-n. Demikian pula,transistor p-n-p dapat dibuat. b. Dalam teknik aloi atau teknik leleh (fused), bintik kecil indium (elemen aseptor) ditempatkan pada masing-masing sisi wafer tipis semikonduktor jenis n. Gabungan tersebut dipanaskan dalam waktu singkat pada temperatur tingggi. Selama proses tersebut indium meresap dan masuk ke dalam semikonduktor. Susunan pada waktu mendingin menjadi transistor p-n-p. dengan cara yang sama transistor n-p-n dapat dibuat. c. Dalam teknik difusi, semikonduktor ekstrinsik (katakan jenis n) berperan sebagai kolektor dipanaskan dalam pembakar berisi pencampur jenis p. Di sini pencampur dalam bentuk gas berdifusi masuk ke dalam permukaan semikonduktor membentuk daerah p yang kemudian akan digunakan sebagai basis transistor. Irisan ini kemudian di tutup dengan kedok (mask) dengan bukaan tertentu dan dipanaskan lagi dalam uap gas dari pencampur jenis n. Pada saat ini suatu lapisan jenis n terbentuk di atas lapisan jenis p. Lapisan n ini membentuk emitter dari transistor. Ini merupakan proses rombongan (batch) dan sejumlah besar transistor dapat dibuat dalam satu kali pembuatan. Dalam teknik difusi tebal irisan (kolektor), yang digunakan sebagai bahan awal, tidak dapat dibuat sangat tipis. Hal ini menyebabkan kolektor sangat resistif dan tidak cocok untuk penggunaan tertentu. d. Dalam teknik epitaksial, lapisan jenis n atau jeni p dari semikonduktor dikembangkan pada bahan semikonduktor yang diresapi (doping). Bahan diresapi berat ini dinamakan landasan yang terbentuk demikian dapat berperan sebagai kolektor, basis dan emitter dari transistor. Dapat disebutkan disini bahwa perkembangan terakhir dalam teknik ini memungkinkan menumbuhkan lapisan amat tipis dengan tebal beberapa puluh atau ratus amstrong. Kata epitaksi diambil dari kata yunani epi berarti pada dan taxis berarti susunan. Kalau suatu tegangan AC dihimpitkan ke tegangan DC VEE pada masukan,tinggi halangan pada hubungan emiter akan berubah secara periodik. Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Hal ini akan memberikan perubahan periodik arus emiter yang

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

selanjutnya menyebabkan perubahan periodik yang sama pada arus kolektor. Besarnya komponen bolak balik dari arus kolektor hampir sama (kenyataannya sedikit kurang daripada) komponen bersangkutan dari arus emiter. Komponen bolak-balik melewati resistansi beban (RL). Hal ini membentuk tegangan keluaran dari penguat transistor. Kalau kompenen ac dari arus emiter sama dengan ie, maka tegangan sinyal masuk Vin diberikan oleh : Vin = ie ac dari arus kolektor dan V0 adalah tegangan keluaran bolak-balik lewat RL, maka : Vo = - ic RL (2.2) Tanda negatif pada persamaan (2.2) muncul, karena kenaikan arus kolektor menyebabkan ujung bawah RL lebih positif dibandingkan dengan ujung atas. Polaritas acuan untuk tegangan keluaran lewat RL juga dapat kita ketahui melalui persamaan tersebut. Perolehan tegangan (voltage gain) Av dari penguat transistor didefinisikan sebagai perbandingan kompenen bolak-balik dari tegangan keluaran (Vo) ke komponen bolak-balik dari tegangan masuk (Vin). Karena itu Av diberikan oleh : Av = = (2.3) (2.1) Di mana rin adalah resistansi dinamis dari hubungan emiter-basis. Dan kalau ic adalah kompenen

Besaran ic/ie dinamakan perolehan arus (current gain) (A1) dar transistor.[1] Sebelum membahas lebih jauh mengenai transistor, terlebih dahulu diuraikan pengertian secara umum prinsip kerja transistor. Dengan mendapat gambran,anda dapat dengan mudah memahami tentang transistor. Semua orang pasti mengenal keran air. Sebuah alat yang berfungsi sebagai pintu keluarnya air dari pompa air atau perusahaan air minum. Apabila diinginkan air mengalir melalui keran maka tutup keran tersebut dibuka. Mengalirnya air dari keran tergantung dari lebarnya saluran yang dibuat oleh penutup keran. Apabila lubang saluran kecil,air yang mengalir sedikit dan apabila lubang saluran basar, air yag mengalir banyak. Keran mempunyai tiga peran penting, yaitu : tutup keran, saluran keluar dan saluran masuk. Apabila keran tersebut dibandingkan dengan transistor, persamaannya adalah tutup keran diibaratkan basis,saluran masuk diibaratkan emitor dan saluran keluar diibaratkan kolektor. Transistor adalah komponen alektronika yang mempunyai tiga buah terminal. Terminal ini disebut emitor,basis dan kolektor. Transistor seakan-akan dibentuk dari penggabungan dua buah dioda. Dioda satu dengan yang lain saling digabungkan dengan cara menyambungkan salah satu sisi dioda yang senama. Dengan cara penggabungan seperti ini dapat diperoleh dua buah dioda sehinggga menghasilakan transistor NPN. Bahan mentah yang digunakan untuk menghasilkan bahan N dan bahan P adalah silikon germanium. Oleh karena itu dikatakan :

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

a. Transistor germanium PNP b. Transistor silikon NPN c. Transistor silikon PNP d. Transistor germanium NPN Semua komponen di dalam bagan rangkaian transistor dinyatakan dengan symbol. Anak panah yang terdapat di dalam simbol menunjukkakan arah yang melalui transistor. Yang perlu dijadikan catatan dalam perbedaan simbol adalah : 1. Transistor PNP, anak panah di dalam simbol pada hubungan emitor menunjukkan ke dalam. 2. Transistor NPN, anak panah di dalam simbol pada hubungan emitor menunjukkan keluar. Anak panah di dalam simbol transistor dapat menjelaskan banyak keterangan. Adapun keterangan-keterangan tersebut adalah sebagai berikut : a. Untuk transistor PNP basis harus negatif terhadap emitor (atau kurang positif terhadap emitor). b. Emitor harus positif terhadap kolektor. Arusnya mengalir dari plus (+) ke minus (-). c. Untuk transitor NPN, basis harus positif terhadap emitor (atau kurang negatif terhadap emitor). d. Kolektor harus positif terhadap emitor. Satu hal yang amat penting dalam menentukan kaki basis transistor dengan multimetet adalah pada posisi ohmmeter, yaitu : 1. Kabel hitam (terminal - ) adalah (+) baterai ohmmeter. 2. Kabel merah (terminal + ) adalah (-) baterai ohmmeter. Untuk menentukan transistor tersebut silikon atau germanium dapat dilakukan dengan cara meletakkan posisi R x 1 K pada ohmmeter. Ukur antara kolektor dan emitor, apabila jarum bergerak bolak-balik berarti transistor germanium dan apabila tidak bergerak artinya transistor tersebut silikon. Transitor dapat berfungsi sebagai penguat, kalau mikrofon langsung kita sambungkan dengan pengeras suara (loudspeaker) dan kita berbicara di depan mikrofon, pengeras suara tidak mengeluarkan suara sedikit pun. Itu disebabkan daya getaran listrik yang dikeluarkan oleh mikrofon dan yang dimasukkkan pengeras suara terlampau lemah sehinggga tidak mampu menggetarkan pengeras suara. Daya listrik yang dikeluarkan mikrofon perlu terlebih dahulu dikuatkan sebelum diumpankan kepada pengeras suara. Guna keperluan penguatan itu dapat di pakai sbuah penguat (amplifier). Segi panjang berikut ini menujukkan sebuah alat penguat yang mempergunakan beberapa transistor. Apabila alat penguat ini bekerja baik,sinyal keluaran (output) adalah lebih kuat dari

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

pada sinyal masukan (input). Sinyalnya diperkuat. Perbandingan antara sinyal keluaran dan sinyal masukan dinamakan penguat (gain). Penguat yang paling sederhana terdiri dari satu transistor : a. Mula-mula pada penguat transistor diberi daya arus rata (dari sebuah baterai ataupun dari sebuah pemacu daya). b. Kemudian pada transistor kita umpankan (masukkan lewat sirkuit masukannya) getaran listrik. Getaran listrik lazim disebut sinyal listrik. Sinyal listrik berasal dari mikrofon atau alat pungut (pick up) lain. c. Transistor akan mengeluarkan sinyal yang lebih kuat ketimbang sinyal yang dimasukkan. Sinyal yang dimasukkan ke penguat disebut sinyal masukan (input signal) atau juga sinyal kemudi (control signal), sinyal yang dikeluarkan penguat disebut sinyal keluaran (output signal). d. Salah satu syarat penguat, yaitu sinyal keluar harus tepat bentuknya seperti sinyal masukan,hanya amplitudonya lebih tinggi. Kalau bentuk sinyal keluaran tidak sama dengan sinyal masukan,meskipun beda bentuk itu hanya kecil saja maka dapat dikatakan bahwa sinyal keluaran cacat. Hal itu tidak boleh terjadi. Bentuk sinyal dapat diperhatikan dengan osiloskop. Hal yang sesungguhnya terjadi di dalam penguatan transistor adalah : a. Sebenarnya penguat sudah mengubah daya arus rata menjadi daya arus bolak-balik. Tetapi bentuk daya bolak-balik yang dikeluarkan penguat harus memenuhi pola tertentu. Bentuk pola ditentukan oleh sinyal masukan apabila sinyal masukan berbentuk sinus pula. b. Penguat mengubah daya arus rata menjadi daya bolak-balik. Dalam praktek,tidak seluruh daya rata berubah menjadi daya bolak-balik. Sebagian ada yang hilang berupa panas. Perbandingan antara daya bolak-balik yang dikeluarkan penguat dan daya rata yang dicantumkan disebut daya guna atau efisiensi penguat. Dengan : Daya guna = (2.4)

Daya guna maksimum yang dapat dicapai adalah 50 %. Transistor dipakau sebagai sakelar, yaitu menghantar dengan jenuh dan dibuat menyumbat. Kalau transistor jenuh maka tegangan antara kolektor emitor (VCE) adalah nol. Hal itu berarti,perlawanan transistor sangat kecil sekali. Besar Ic ditentukan oleh pelawan Rc dan baterai Vcc. Namun jika transistor dipakai sebagai penguat, transistor tidak distel seperti yang diatas. Jadi, tidak boleh jenuh dan juga tidak boleh menyumbat dan arus I,distel pada harga antara 0 dan jenuh.[2] Transistor merupakan piranti sambungan yang memperkuat sinyal lemah untuk menghasilkan keluaran yang lebih kuat dan bermanfaat. Jenis transistor yang paling sederhana

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

adalah transistor efek-medan (FET,Field-effect transistor),memanfaatkan zona terkuras pembawa untuk memperkuat keluaran suatu rangkaian. Sambungan p-n dibias mundur oleh sinyal masukannya. Karena sinyal ini bervariasi, zona terkuras pembawa akan bervariasi ukurannya sehingga akan mengubah resistansi di antara sumber dan penerimanya. Selanjutnya, arus yang menuju ke keluaran akan mengalami perubahan yang lebih terkendali. Sinyal kecil akan menghasilkan fluktuasi arus yang signifikan. Jenis transistor kedua disebut transistor sambungan, memiliki dua sambungan yang terhubung seri. Dengan demikian transistor ini bisa p-n-p atau bisa juga n-p-n. yang pertama lebih sering digunakan pada masa lau. Namun kita akan membahas transistor n-p-n, karena akan lebih mudah memvisualkan perpindahan elektron,ketimbang perpindahan lubang. Prinsip-prinsip yang mendasari setiap jenis adalah sama. Sebelum kita menguraikan pembuatan transistor, ingatlah bahwa pada saat lubang berpindah melintasi sambungan dengan bias maju,lubanglubang elektron akan berkombinasi dengan elektron pada material jenis n. Serupa halnya, elektron-elektron bergabung dengan lubang pada saat elektron berpindah melampaui sambungan dan memasuki material jenis p. sesungguhnya pembawa positif dan negatif yang banyaknya berlebih dapat berpindah pada jarak yang cukup jauh dari sambungan. Banyaknya pembawa yang berlebihan dan yang tak berekombinasi merupakan fungsi eksponensial dari tegangan yang diberikan. Hal ini penting dalam operasi transistor. Sebuah transistor terdiri atas emiter, basis, dan kolektor. Untuk saat ini, perhatikan saja dulu sambungan emiter, yang dibias sedemikian rupa sehingga elektron-elektron berpindah memasuki basisnya (dan ke arah kolektor). Seperti yang kita ketahui, banyaknya elektron yang menyeberangi sambungan ini dan berpindah ke material jenis-p merupakan fungsi eksponensial dari tegangan emiter. Tentu saja elektron-elektron ini secara bersamaan mulai bergabung dengan lubang dibasisnya. Akan tetapi, jika basisnya sempit atau jika rekombinasi membutuhkan waktu yang cukup lama, elektron-elektron terus berpindah melalui bagian tebal dari basis. Begitu elktron berada pada sambungan kedua, sambungan kolektor, elektron-elektron itu bergerak bebas. Karena elektron-elektron ini, merupakan semikonduktor jenis n. Arus total yang berpindah melalui kolektor ini dikendalikan oleh tegangan emiter. Ketika tegangan emiter berfluktuasi, arus kolektor berubah secara eksponensial. Spesifikasi untuk semikonduktor sangat kritis. Pengotor harus dipertahankan sehingga benar-banar minimum. Kristal pada dasarnya harus bebas-cacat. Rangkaian alatnya harus diposisikan dalam ukuran micron, dan komposisinya ditentukan secara tepat. Sebagian pengotor menimbulkan donor dan pembawa negatif (jenis n), yang lain menimbulkan akseptor dan pembawa positif (jenis p). Bahkan ketika dopant-dopant (dopant), pengotor yang ditambahkan ke

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

semikonduktor ini dibutuhkan,jumlahnya dikendalikan. Oleh sebab itu, silikon (atau material semikonduktor lainnya) biasa dimurnikan dulu hingga ke tingkat yang setinggi mungkin,baru kemudian penambahan dopant dilakukan spresisi mungkin. Proses pemurnian-zona (zone refining) lazim digunakan untuk pemurnian silikon. Diagram fasa sangat diperlukan untuk proses ini. Anggaplah silikon mengandung satu persen alumunium. Jika seratus gram material seperti ini disetimbangkan pada 1300 o C,hasilanya ialah 5 gram cairan yang mengandung dua puluh persen Al dan 95 gram fasa yang mengandung kira-kira 0,02 persen Al. (nilai ini diperoleh dari interpolasi disepanjang garis solidus). Jika cairan ini di ambil dan dibuang, pengotor dalam silikon yang tersisa akan berkurang kira-kira sebanyak 50 kali. Berdasarkan teori, proses pemisahan ini dapat diulangi beberapa kali hinggga pengurangan ketakmurnian yang diinginkan tercapai. Pada prakteknya, cairan yang jumlahnya sangat sedikit tidak dapat dipisahkan secara menyeluruh. Pemurnian zona adalah salah satu alternative. Satu ujung dari sebuah batang silikon-takmurni dilebur dengan pemanasan frekuensi radio (r-f, radio-frequency). Kumparan r-f dan oleh sebab itu zona leburnya, digerakkkan secara perlahan disepanjang batang tersebut dan memadat pada bagian bawahnya. Komposisi padatan yang memadat dan komposisi cairan di atasnya ditentukan masing-masing oleh komposisi solidus dan likuidusnya. Dengan demikian,pada saat zonanya berpindah disepanjang batang tersebut, kandungan pengotor dari fase yang memadat itu selalu lebih rendah daripada yang ada di dalam cairan sebesar faktor CS/CL atau rasio pemurnian ialah CL/CS. Karena antar-muka padatan cairan memiliki muka yang rata, maka cairan tidak akan terjebak di dalam padatan. Ini dapat dilakukan beberapa kali, sampai kandungan pengotornya dapat diturunkan hingga begian per milyar. Proses pemurnian akan lebih menguntungkan apabila prose situ diatur agar berlangsung vertical. Zona leburnya dapat ditahan oleh padatan-padatan di dekatnya tanpa menggunakan dinding krusibel ataupun tanur, yang seandainya digunakan akan menyebabkan masukanya pengotor ke dalam cairan. Kristal tunggal dibutuhkan untuk sebagian besar aplikasi semikonduktor, karena batas butir mengurangi mobilitas pembawa dan menurunkan waktu rekombinasi pembawa yang berlebih. Penurunan waktu rekombinasi akan mempengaruhi kinerja banyak alat sambungan. Penumbuhan kristal tungggal umumnya menggunakan salah satu dari dua teknik dalam teknologi semikonduktor-metode penarikan kristal dan metoda zona mengambang. Untuk penarikan kristal, material semikonduktor mulamula dilebur. Kemudian suatu kristal benih kristal tunggal disentuhakn kepermukaanya dan secara perlahan-lahan ditarik sambil diputar. Jika suhu cairan hanya sedikit dia atas suhu leburnya, cairan ini akan membeku pada kristal benih ketika benih itu di tarik ke atas. Atom-atom memadat ini akan meneruskan struktur kristal dari benih tersebut. [3]

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

BAB 3

METODOLOGI PERCOBAAN

3.1 Peralatan 1. PSA Adjust Fungsi : Sebagai sumber tegangan DC. 2. Multimeter Digital (2 buah) Fungsi : Sebagai alat pengukur tegangan PSA Adjust dan arus kolektor (Ic dan Ico). 3. Lampu Pijar 200 watt Fungsi : Sebagai sumber energi cahaya 4. Pipa Paralon Fungsi : Pemfokus cahaya lampu pijar agar tetap jatuh pada fototransistor. 5. Statif Fungsi : Penyangga lampu pijar dan pipa paralon. 6. Penjepit buaya Fungsi : Menghubungkan peralatan dengan peralatan dan peralatan dengan komponen. 7. Penggaris 60 cm Fungsi : Alat mengukur jarak antara fototransistor dan sumber cahaya. 8. Kacamata hitam Fungsi : Alat pelindung mata dari cahaya lampu pijar. 9. Fototransistor Fungsi : Sebagai detektor cahaya yang dapat mengubah efek cahaya menjadi sinyal listrik.

3.2 Bahan dan Komponen 1. Resistor 2 K ohm Fungsi : Sebagai tahanan / penghambat dalam percobaan.

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

3.3 Prosedur A. Tanpa Lampu Pijar 1. Disiapkan peralatan dan komponen yang akan digunakan. 2. Dirangkaikan PSA Adjust dan multimeter digital (voltmeter) secara paralel, kemudian PSA Adjust, resistor, multimeter digital (ammeter), dan fototransistor dirangkai seri. 3. Dihidupkan PSA Adjust,multimeter digital (ammeter), multimeter digital (voltmeter) secara bersamaan. 4. Diatur tegangan awal 3 volt. 5. Dicatat arus yang dihasilkan pada multimeter digital (ammeter). 6. Diulangi percobaan dengan menaikkan tegangan untuk 6 volt, 7.5 volt, 9 volt, 12 volt dan 13.8 volt. 7. Dicatat data.

B. Dengan Menggunakan Lampu pijar 1. Disiapkan peralatan dan komponen yang akan digunakan. 2. Dirangkaikan PSA Adjust dan multimeter digital (voltmeter) secara paralel, kemudian PSA Adjust, resistor, multimeter digital (ammeter), dan fototransistor dirangkai seri. 3. Digantungkan lampu pijar di statif. 4. Diletakkan fototransistor tepat dibawah lampu. 5. Diatur jarak dari fototransistor ke lampu sejauh 15 cm. 6. Ditutup lampu dengan pipa paralon. 7. Dihidupkan PSA Adjust, multimeter digital (Ammeter), multimeter digital (voltmeter) dan lampu pijar secara bersamaan. 8. Diatur tegangan awal 3 volt. 9. Dicatat arus yang dihasilkan (Ic) pada multimeter digital (ammeter). 10. Diulangi percobaan dengan menaikkan tegangan untuk 6 volt, 7.5 volt, 9 volt, 12 volt dan 13.8 volt. 11. Dicatat data. 12. Diulangi percobaan dengan mengubah jarak dari fototransistor ke lampu sejauh 25 cm dan 35 cm. 13. Dicatat data.

3.4 Skema Rangkaian -

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

BAB IV

HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

4.1 Data Percobaan A. Tanpa Bola Lampu V (Volt) 0 5 10 15 20 25 30 Ico (mA) 0 0,05 0,05 0,05 0,04 0,04 0,04

B. Dengan Bola Lampu (d = 40 cm) V (Volt) 0 5 10 15 20 25 30 Ico (mA) 0,041 0,042 0,063 0,066 0,070 0,073 0,075

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

C. Dengan Bola Lampu (d = 30 cm) V (Volt) 0 5 10 15 20 25 30 Ico (mA) 0,146 0,150 0,157 0,164 0,170 0,176 0,184

D. Dengan Bola Lampu (d = 20 cm) V (Volt) 0 5 10 15 20 25 30 Ico (mA) 0,216 0,230 0,237 0,246 0,253 0,260 0,268

Medan, 6 April 2013 Asisten Praktikan

(Mangara Tua Sitanggang)

(Siti Nur Aini)

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

4.2 Analisa Data 1. Membuat tabel V, Ic, Ico, (Ic - Ico) dan (Ic - Ico)-1/2 pada masing-masing jarak d (cm) Vcc (volt) 0 5 10 40 15 20 25 30 Ic (mA) 0,041 0,042 0,063 0,066 0,070 0,073 0,075 Ico (mA) 0 0,05 0,05 0,05 0,04 0,04 0,04 Ic - Ico(mA) 0,041 -0,008 0,013 0,016 0,03 0,033 0,035 (Ic - Ico)-1/2 4,94 11,18 8,77 7,91 5,77 5,50 5,35

d (cm)

Vcc (volt) 0 5 10

Ic (mA) 0,146 0,150 0,157 0,164 0,170 0,176 0,184

Ico (mA) 0 0,05 0,05 0,05 0,04 0,04 0,04

Ic - Ico (mA) 0,146 0,1 0,107 0,114 0,13 0,136 0,144

(Ic - Ico)-1/2 2,62 3,16 3,06 2,96 2,77 2,71 2,64

30

15 20 25 30

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

d (cm)

Vcc (volt) 0 5 10

Ic (mA) 0,216 0,230 0,237 0,246 0,253 0,260 0,268

Ico (mA) 0 0,05 0,05 0,05 0,04 0,04 0,04

Ic - Ico (mA) 0,216 0,18 0,187 0,196 0,213 0,22 0,228

(Ic - Ico)-1/2 2,15 2,36 2,31 2,26 2,17 2,13 2,09

20

15 20 25 30

2. Membuat Grafik Grafik (Ic Ico) vs V Untuk d = 40 cm

Grafik (Ic Ico) vs V


0.05 0.04

(Ic Ico) mA

0.03 0.02 0.01 0 -0.01 -0.02 0 5 10 15 20 25 30

V (volt)

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

Untuk d = 30 cm

Grafik (Ic Ico) vs V


0.16 0.14 0.12 0.1 0.08 0.06 0.04 0.02 0 0 5 10 15 20 25 30

(Ic Ico) mA

V (volt)

Untuk d = 20 cm

Grafik (Ic Ico) vs V


0.25 0.2

(Ic Ico) mA

0.15 0.1 0.05 0 0 5 10 15 20 25 30

V (volt)

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

Grafik (Ic - Ico)-1/2 vs V Untuk d = 40 cm

Grafik (Ic - Ico)-1/2 - vs - V


12 10

(Ic-Ico)-1/2 (mA)

8 6 4 2 0 0 5 10 15 20 25 30 35

V (Volt)

Untuk d = 30 cm

Grafik (Ic - Ico)-1/2 - vs - V


3.5 3

(Ic-Ico)-1/2 (mA)

2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 5 10 15 20 25 30 35

V (Volt)

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

Untuk d = 20 cm

Grafik (Ic - Ico)-1/2 - vs - V


2.4 2.35

(Ic-Ico)-1/2 (mA)

2.3 2.25 2.2 2.15 2.1 2.05 0 5 10 15 20 25 30 35

V (Volt)

Grafik Ico vs V

Grafik Ico - vs - V
0.06 0.05

Ico (mA)

0.04 0.03 0.02 0.01 0 0 5 10 15 20 25 30 35

V (Volt)

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

BAB V

KESIMPULAN DAN SARAN

5.1 Kesimpulan 1. Sebagai piranti zat padat yang peka terhadap cahaya, fototransistor memiliki beberapa karakteristik antara lain : a. Dapat dikuatkan dari 100 hingga 1500. b. Menghantar arus hanya saat ada cahaya. c. Dapat bekerja pada frekuensi tinggi. d. Dapat bekerja dalam jarak lebar. e. Pendeteksi jarak dekat infra merah. f. Memiliki karakter sama dengan transistor, bedanya bagian kaki basis digantikan oleh cahaya. g. Respon waktu cukup cepat. h. Bisa dipasangkan dengan hampir semua penghasil cahaya atau cahaya yang dekat dengan infra merah. i. Dalam rangkaian jika menerima cahaya akan bertindak sebagai resistan. j. Dapat menerima pencahayaan redup. k. Penerimaan cahaya dilakukan pada basis. l. Memerlukan sumber tegangan yang kecil. m. Semakin tinggi intensitas cahaya yang diterima maka semakin besar arus yang dihasilkan.

2. Prinsip kerja fototransistor sama persis dengan kerja transistor sebagai saklar. Perbedaannya terletak pada denyut yang masuk ke dalam basis. Jika pada transistor biasa denyut yang diberikan berupa arus DC, maka pada fototransistor denyut yang dikenakan pada basis adalah intensitas cahaya. Dalam kondisi normal, kolektor mendapat bias balik (reverse bias), dan emitor mendapat bias maju (forward bias). Pada kaki kolektor akan selalu ada sedikit arus bocor (Ico), yaitu arus bocor antara kolektor dan basis. Ico selain dipengaruhi oleh temperatur juga dipengaruhi oleh intensitas cahaya yang datang pada

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

daerah deplesi antara kolektor dan basis. Saat fototransistor terkena cahaya dengan intensitas cahaya yang sesuai dengan karakteristik fototransistor tersebut, maka cahaya masuk akan menembus daerah deplesi. Terjadi perpindahan elektron di sekitar daerah deplesi yang akhirnya membentuk sebuah ikatan ion di sekitar daerah deplesi, sehingga daerah deplesi menyempit dan transistor akan bersifat menghantar . Peristiwa ini menyediakan arus basis untuk transistor, dengan demikian fototransistor akan memberikan penguatan arus demikian juga kolektor diharapkan mengalir arus yang cukup banyak.

3. Beberapa bidang aplikasi untuk fototransistor meliputi : Sirkuit logika komputer (Computer Logic Circuit). Misalnya webcam untuk sistem pemantauan ruang berbasis web, sensor track zero record pada floopy drive, kontrol margin pada printer, deteksi posisi pada layar sentuh, monitor posisi kertas pada mesin fotokopi, dan sebagainya. Kontrol pencahayaan (misalnya pada jalan raya dan sebagainya). Pada industry, misalnya lampu LED sumber pada pena cahaya, sistem keamanan, dan sebagainya. Pada bidang konsumen misalnya sensor joystick dan tag laser pada alat permaianan, audio visual remote controller, dan lainnya.

4. Sebagai detektor cahaya, maka kerja transistor bergantung pada intensitas cahaya. Intensitas cahaya yang besar akan menghasilkan tegangan dan kuat arus yang semakin besar pula. Semakin besar intensitas cahaya yang diberikan, maka akan semakin besar pula arus kolektor sebagai hasil dari dikuatkannya arus basis oleh transistor.

5.2 Saran 1. Diharapkan agar praktikan selanjutnya memahami tentang arus kolektor (Ic) dan kebocoran arus kolektor (Ico) pada fototransistor. 2. Diharapkan agar praktikan selanjutnya mengetahui jarak lampu pijar terhadap fototransistor dalam percobaan. 3. Diharapkan agar praktikan selanjutnya lebih teliti dalam merangkai peralatan dan komponen dalam percobaan.

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

DAFTAR PUSTAKA

[1] Chattopadhyay, D, 1989. Dasar Elektronika. Edisi Pertama. UI-Press : Jakarta . Hal. 134-140 [2] Daryanto, 2008. Pengetahuan Teknik Elektronika. Edisi Pertama. Bumi Aksara : Jakarta. Hal. 43-56 [3] H, Van Vlack Lawrence, 2004. Elemen-Elemen Ilmu dan Rekayasa. Edisi Keenam. Erlangga: Jakarta. Hal. 436-441

Medan, 6 April 2013 Asisten Praktikan

(Mangara Tua Sitanggang)

(Siti Nur Aini)

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

TUGAS PERSIAPAN FOTOTRANSISTOR

NAMA NIM KELOMPOK

: SITI NUR AINI : 100801004 : VI-B

1.

Bagaimana cara membuat transistor secara manual ? Jawab : a. Teknik Aloi, merupakan Transistor-alloy n-p-n, yaitu kolektor terbuat dari chip semikonduktor tipe-n dengan ketebalan kurang dari 1 mm2. Daerah basis dibuat dengan proses difusi kemudian dibuat kontak logam untuk dihubungkan dengan kaki basis. Daerah emitor dibuat dengan teknik alloy pada daerah basis. Sebagai hasilnya berupa sebuah pasangan sambungan p-n yang dipisahkan oleh daerah basis kira-kira setebal kertas. Dalam teknik aloi atau teknik leleh (fused), bintik kecil indium atau (elemen reseptor) ditempatkan pada masingmasing sisi wafer tipis semikonduktor jenis n. Gabungan tersebut dipanaskan dalam waktu singkat pada temperatur tinggi. Selama proses tersebut indium meresap dan masuk ke dalam semikonduktor. Susunan pada waktu mendingin menjadi transistor p-n-p. Dengan cara yang sama transistor n-p-n dapat dibuat. b. Teknik epitaksial, yaitu suatu lapisan tipe-n dengan tingkat doping rendah ditumbuhkan di atas substrat n+ (tanda positif menunjukkan tingkat doping sangat tinggi). Setelah melalui proses oksidasi pada permukaan, sebuah jendela (window) dibuka dengan proses penggerusan (etching) dan suatu pengotor (p) dimasukkan ke kristal dengan proses difusi untuk membentuk sambungan (junction). Sekali lagi setelah melalui reoksidasi, sebuah jendela kecil dibuka untuk proses difusi pembentukan daerah emitor (n). Sambungan Transistor Bipolar NPN Secara konvensional simbol transistor n-p-n diperlihatkan pada gambar diatas dilengkapi dengan tanda panah pada emitor yang menunjukkan aliran muatan positif. Walaupun sebuah transistor n-p-n akan bekerja dengan kedua daerah n dapat berfungsi sebagai emitor, namun karena kedua daerah mempunyai tingkay doping tinggi dan geometri yang berbeda, maka daerah n akan diberi label. c. Teknik penumbuhan (ground technique), suatu kristal tunggal ditarik dari lelehan silicon (germanium) yang mengandung, katakan, pencampur jenis n. Selama proses penarikan jenis pencampur dari lelehan diubah dengan menambahakan mulamula

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

pencampur jenis p. Kemudian pencampur jenis n ditambahkan lagi membentuk transistor jenis n-p-n. Demikian pula, transistor p-n-p dapat pula dibuat. d. Teknik difusi, semikonduktor ekstrinsik (katakan jenis n) berperan sebagai kolektor dipanaskan dalam pembakar berisi pencampur jenis p. Disini pencampur dalam bentuk gas berdifusi masuk kedalam permukaan semikonduktor membentuk daerah p yang kemudian akan digunakan sebagai basis transistor. Irisan ini kemudian ditutup dengan kedok (mask) dengan bukaan tertentu dan dipanaskan lagi dalam uap gas dari pencampur jenis n. Pada saat ini suatu lapisan bahan jenis n terbentuk diatas lapisan jenis p. Lapisan n ini membentuk emiter dari transistor. Ini merupakan proses rombongan (batch) sejumlah besar transistor dapt dibuat dalam satu kali pembuatan. Dalam teknik difusi tebal irisan (kolektor), yang digunakan sebagai bahan awal, tidak dapat dibuat sangan tipis. Hal ini menyebabkan kolektor sangat resistif dan tidak cocok untuk penggunaan tertentu. Jelaskan proses yang terjadi pada fototransistor sambungan basekolektor, jika disinari cahaya ! Jawab : Pada saat basis dari suatu fototransistor disinari cahaya dengan panjang gelombang cahaya yang tepat, maka pasangan elektron lubang akan terbentuk sehingga menyebabkan terjadinya arus basis, dimana arus tersebut berhubungan langsung dengan tingkat kecerahan cahaya.

2.

3.

Bagaimana fototransistor dipakai dalam teknologi computer ? Jawab : Pada Komputerisasi digunakan untuk : a. Track Zero detector - floppy drive b. Margin kontrol- printer c. Membaca posisi jari- layar sentuh d. Mendeteksi lubang- kartu komputer e. Memonitor posisi kertas- mesin fotokopi Pada Industri digunakan untuk : a. Lampu LED sumber- pena cahaya b. Keamanan sistem c. Perisai keselamatan d. Encoders-mengukur kecepatan dan arah

LABORATORIUM ZAT PADAT II/SOLAR ENERGI Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sumatera Utara Jln. Bioteknologi No.1 Kampus USU, Medan 20155

e. Fotoelektrik kontrol

4.

Bagaimana hubungan antara intensitas cahaya dan jarak sumber cahaya terhadap transistor dan tuliskan persamaan arus kolektornya ! Jawab : Dari persamaan : I = = Dapat disimpulkan bahwa intensitas cahaya sebanding dengan kuat arus yang melalui kolektor dan berbanding terbalik dengan jarak. Persamaan arus kolektornya : IC = . IC0