1

MOSFET
Struktur dan operasi fisik dari MOSFET jenis
enhancement
Gambar 1. Struktrur fisik transistor NMOS jenis enhancement
2
Cara kerja tanpa tegangan gate
Tanpa tegangan gate akan ada 2 dioda yang diserikan
secara back-to-back antara source dan drain. Kedua
dioda ini akan mencegah adanya arus dari drain ke
source jika v
DS
dipasang. Resistansi pada jalur antara
drain dan source sangat tinggi (pada orde 10
12
).

Membuat kanal untuk aliran arus.

Gambar 2. Transistor NMOS jenis enhancement dengan
tegangan positif pada gate
3
Pemasangan tegangan v
DS
yang kecil.


Gambar 3. Transistor NMOS dengan v
GS
> V
t
dengan
tegangan v
DS
terpasang


Konduktansi kanal sebanding dengan v
GS
v
t
Arus i
D
sebanding dengan v
GS
v
t
.
4
Gambar 4. Karakteristik i
D
v
DS
dari MOSFET

MOSFET bekerja seperti resistansi linier yang
dikendalikan oleh v
GS.
Untuk v
GS
V
t
, resistansinya tidak terhingga, dan
harganya menurun jika v
GS
melebihi V
t
.
Jadi, agar MOSFET terkonduksi harus ada kanal induksi.
Dengan bertambahnya v
GS
melebihi V
t
meningkatkan
kemampuan kanal, oleh karena itu MOSFET jenis ini
disebut MOSFET enchancement-type.
Arus yang meninggalkan source (i
s
) sama dengan arus
yang memasuki drain (i
D
), jadi arus gate i
G
= 0
5
Operasi bila v
DS
dinaikkan.

Gambar 5. Cara kerja transistor NMOS jenis
enhancement dengan meningkatnya v
DS

6
Gambar 6. Hubungan i
D
dengan v
DS
pada transistor
NMOS jenis enhancement yang beroperasi dengan v
GS
>
V
t



v
DSsat
= v
GS
- V
t

7
Gambar 7. Kenaikan v
DS
penyebabkan kanal menyempit
8
Perhatikan gambar dan sebuah strip pada gate yang
berjarak x dari source. Kapasitansi strip ini: C
ox
Wdx.
Untuk mendapatkan muatan pada strip ini, kalikan
kapasitansinya dengan tegangan efektif antara gate
dan kanal pada titik x yaitu: [v
GS
v(x) V
t
]; v(x)
adalah tegangan pada kanal di titik x.

dq = - C
ox
(W dx)[v
\GS
v(x) V
t
]

Tegangan v
DS
menghasilkan medan listrik sepanjang
kanal. Medan listrik pada titik x:
dx
x dv
x E
) (
) ( =
Medan listrik E(x) menyebabkan muatan elektron dq
bergerak ke arah drain dengan kecepatan:
| |
dx
x dv
V x v v W C i
dt
dx
dx
dq
dt
dq
i
dx
x dv
x E
dt
dx
t GS ox n
n n
) (
) (

) (
) (
=
=
=
= =

9
Hubungan i
D
- v
DS

ox
ox
ox
t
C
c
=
Gambar 8. Penurunan karakterisitk i
D
v
DS
pada
transistor NMOS
10
Walaupun dievaluasi pada titik tertentu, arus i harus
konstan pada semua titik di sepanjang kanal. i harus
sama dengan arus dari source ke drain dan
berlawan arah dengan arus dari drain ke source (i
D
)
| |
| |
| |
( ) ( ) | |
2
2
1
0 0
) ( ) (
) ( ) (
) (
) (
DS DS t GS ox n D
L
v
t GS ox n D
t GS ox n D
t GS ox n D
v v V v
L
W
C i
x dv V x v v W C dx i
x dv V x v v W C dx i
dx
x dv
V x v v W C i i
DS

|
.
|

\
|
=
=
=
= =
} }

Harga arus pada ujung daerah trioda atau permulaan

daerah jenuh dapat diperoleh dengan menggantikan
v
DS
=v
GS
V
t

( ) ( )
2
2
1
t GS ox n D
V v
L
W
C i
|
.
|

\
|
=

n
C
ox
disebut parameter transkonduktansi proses.
Dituliskan sebagai k
n
dan mempunyai dimensi A/V
2
k
n
=
n
C
ox

11
( ) | |
( ) jenuh) (daerah
ioda) (daerah tr
2
'
2
1
2
2
1
'
t GS n D
DS DS t GS n D
V v
L
W
k i
v v V v
L
W
k i
=
=
Jadi arus drain sebanding dengan perbandingan lebar
kanal dan panjang kanal, yang disebut aspect ratio
dari MOSFET
MOSFET kanal-p
MOSFET kanal-p jenis enchancement (PMOS), dibuat
pada substrate jenis n dengan daerah p
+
pada drain dan
source. Cara kerjanya sama dengan NMOS hanya saja
v
GS
, v
DS
dan V
t
negatif.
12
Complementary MOS atau CMOS
Gambar 9. Rangkaian terintegrasi CMOS

Pada teknologi CMOS, transistor NMOS diimplementasiikan
langsung pada substrate jenis p, sedangkan transistor
PMOS dibuat pada n-well. Kedua divais diisolasi satu
dengan lainnya dengan oksida yang tebal sebagai insulator.
13
Karakteristik arus dan tegangan.
Lambang rangkaian

Gambar 10. Lambang MOSFET kanal n jenis
enhancement

Pada FET kanal n: drain selalu positif dibandingkan
dengan source
14
Gambar 11(b) Karakteristik i
D
v
DS
untuk divais
dengan

k
n

(W/L) = 1.0mA/v
2

Gambar 11(a) MOSFET kanal n jenis enhancement
15
Kurva karakteristik menunjukkan 3 daerah kerja:
1. daerah cutoff
2. daerah trioda
3. daerah jenuh.

Daerah jenuh dipakai bila FET bekerja sebagai
penguat.
Daerah cutoff dan trioda digunakan bila FET bekerja
sebagai saklar.

FET pada daerah cutoff jika: v
GS
< V
t


Pada daerah trioda:
v
GS
V
t
(induced channel)
v
GD
> V
t
(continuous channel)

v
GD
= v
GS
v
DS
v
GS
v
DS
> V
t
v
DS
< v
GD
V
t
(continuous channel)


Jadi MOSFET kanal n jenis enchancement
berkerja di daerah trioda jika v
GS
lebih besar dari V
t

dan tegangan pada drain lebih rendah dari tegangan
gate minimal sebesar V
t
volt



16
( ) | |
ox n n
DS DS t GS n D
C k
v v V v
L
W
k i
=
=
'
2
2
1
'

Jika v
DS
cukup kecil, v
DS
2
dapat diabaikan.
( )
DS t GS n D
v V v
L
W
k i ~
'
r
DS
adalah resistansi linier yang dikendalikan oleh v
GS
.
Jika v
GS
= V
GS
, maka
( )
(

|
.
|

\
|
=

=
(

=

OV n DS
t GS OV
GS GS DS
t GS n
D
DS
DS
V
L
W
k r
V V V
V v v
V V
L
W
k
i
v
r
'
1
'
1
) dan kecil (untuk

V
OV
: gate-to-source overdrive volltage
17
Batas antara daerah trioda dan daerah jenuh:
v
DS
= v
GS
V
t

Arus i
D
pada keadaan jenuh
( )
2
'
2
1
t GS n D
V v
L
W
k i =
Pada keadaan jenuh:
arus i
D
tidak tergantung dari tegangan drain, v
DS

arus i
D
ditentukan oleh tegangan gate, v
GS

MOSFET menjadi sebuah sumber arus ideal yang
harganya dikendalikan oleh v
GS

Catatan: ini adalah model rangkaian ekivalen sinyal besar

Pada batas antara daerah trioda dan daerah jenuh:
2 '
2
1
DS n D
v
L
W
k i =
MOSFET bekerja di daerah jenuh jika:
v
GS
V
t
(induced channel)

v
GD
V
t
(pinched-off channel)
v
DS
v
GS
V
t
(pinched-off channel)

Jadi MOSFET kanal n jenis enhancement bekerja
pada daerah jenuh jika v
GS
lebih besar dari V
t
dan
tegangan drain tidak lebih kecil dari tegangan gate
melebihi V
t
volt
18
Gambar 12. karakteristik i
D
- v
GS
transistor NMOS jenis
enhancement pada keadaan jenuh (V
t
= 1 V dan
k
n
(W/L) = 1,0 mA/v
2
19
Gambar 13. Rangkaian ekivalen model sinyal besar dari
NMOS pada daerah jenuh
20
Gambar 14. Level relatif tegangan terminal transistor
NMOS yang beroperasi pada daerah trioda dan daerah
jenuh.
21
Resistansi keluaran pada keadaan jenuh
Gambar 15. Kenaikan v
DS
melebihi v
DSsat
yang
menyebabkan titik pinch-off sedikit menjauh dari drain

v
DS
naik melebihi v
DSsat
, titik pinched-off dari kanal
bergeser menjauhi drain menuju source, sehingga ada
daerah depletion antara drain dan ujung kanal. Akibatnya
panjang kanal akan berkurang.
Keadaan ini disebut channel-length modulation
Karena i
D
berbanding terbalik dengan panjang kanal,
maka i
D
naik dengan naiknya v
DS
.
Untuk menghitung ketergantungan i
D
pada v
DS
pada
keadaan jenuh, ganti L dengan (L L)
22
( )
( )
( )
( )
2
'
2
1
2
'
2
1
2
'
2
1
1
1
1

t GS n
t GS n
t GS n D
V v
L
L
L
W
k
V v
L L L
W
k
V v
L L
W
k i

|
.
|

\
|
A
+ ~

A
=

A
=
Diasumsikan (L/L) << 1
Jika L sebanding dengan v
DS
:

L = v
DS

parameter teknologi proses dengan dimensi m/V
( )
( ) ( )
DS t GS n D
t GS DS n D
v V v
L
W
k i
L
V v v
L L
W
k i

+ =
=

|
.
|

\
|
+ =
1
'
'
1
2
'
2
1
2
'
2
1
23
Gambar 15. Efek v
DS
pada i
D
pada daerah jenuh

Ektrapolasi garis lurus pada kurva karakteristik i
D
v
DS
akan memotong sumbu v
DS
pada titik v
DS
= - 1/ -V
A
.
v
A
= 1/
Untuk suatu proses tertentu, V
A
sebanding dengan
panjang kanal L.
V
A
= V
A
L
V
A
= 5 50 V/m

24
Gambar 17. Model rangkaian sinyal besar dari MOSFET
kanal -n pada keadaan jenuh dengan adanya resistansi
r
o

Catatan: divais dengan kanal yang lebih pendek lebih
terpengaruh dengan efek channel-length modulation.
25
Channel-length modulation menyebabkan adanya
resistansi keluaran (tidak ), r
o

( )
| |
D
A
o
D o
t GS
n
o
v
DS
D
o
I
V
r
I r
V V
L
W k
r
v
i
r
GS
~
~
(

=
(

c
c

=
1
1
2
'
1
2
konstan

Dimana I
D
adalah arus drain tanpa memperhitungkan
channel-length modulation
Resistansi keluaran berbanding terbalik dengan arus bias
dc, I
D

26
Karakteristik MOSFET kanal p
Gambar 18. MOSFET kanal p jenis enhancement
27
Untuk menginduksi sebuah kanal harus dipasang
tegangan pada gate lebih kecil dari V
t
.
v
GS
V
t
(induced channel)
v
SG
|V
t
|

Untuk bekerja di daerah trioda:
v
DS
v
GS
V
t
(continuous channel)
( ) | |
ox p p
DS DS t GS p D
C k
v v V v
L
W
k i
=
=
'
2
2
1
'

v
GS
, V
t
dan v
DS
negatif

p
= 0,25 0,5
n


Untuk bekerja di daerah jenuh:
v
DS
v
GS
V
t
(pinched-off channel)

( ) ( )
DS t GS p D
v V v
L
W
k i + = 1
2
'
2
1
v
GS
, V
t
, dan v
DS
negatif

28
Agar transistor PMOS bekerja, tegangan gate harus
dibuat lebih rendah dari tegangan source sedikitnya
sebesar |V
t
|. Untuk bekerja di daerah trioda, tegangan
drain harus lebih besar dari tegangan gate minimal
sebesar |V
t
|, jika tidak, PMOS bekerja di daerah jenuh.

Gambar 19. Level relatif tegangan terminal transistor
PMOS yang beroperasi pada daerah trioda dan daerah
jenuh.
29
Peranan substrate the body effect

Dalam banyak pemakaian:
substrate dihubungkan dengan source
pn junction antara substrate dan gate selalu off.
Pada keadaan ini substrate tidak berperan dalam kerja
rangkaian.

Pada IC, banyak MOS menggunakan substrate yang
sama. Agar junction antara substrate dan gate selalu
off:
Substrate dihubungkan ke tegangan yang paling
negatif untuk rangkaian NMOS
Substrate dihubungkan ke tegangan yang paling
positif untuk rangkaian PMOS

Akibatnya tegangan reverse-bias antara source dan
body (V
SB
pada divais kanal n) akan mempengaruhi
kerja divais.
Reverse bias ini akan:
Memperlebar daerah depletion
Mengurangi kedalaman kanal
Agar kedalaman kanal tetap sama, v
GS
harus
dinaikkan.
30
Efek dari V
SB
pada kanal dinyatakan dengan perubahan V
t

( )
f SB f t t
V V V | | 2 2
0
+ + =
V
t0
= tegangan ambang untuk V
SB
= 0

f
= parameter fisik; biasanya 2
f
= 0,6 V
= parameter proses pembuatan

OX
S A
C
qN c

2
=
q= 1,6 x 10
-19
C
N
A
= konsentrasi doping

S
= permitivitas silikon = 11,7
0
= 11,7 x 8,854 x 10
-12

31
Pengaruh suhu
V
t
dan k sensitif terhadap suhu
V
t
turun 2 mV/C
i
D
berkurang dengan naiknya suhu

Breakdown dan proteksi input
Breakdown terjadi jika tegangan drain naik mencapai
harga dimana pn junction antara drain dan substrate
mengalami breakdown avalanche.
Akibatnya akan ada peningkatan arus.
Keadaan ini terjadi pada tegangan 20 150 V.

Punch-through adalah efek lain dari breakdown.
Terjadi pada tegangan yang lebih rendah (20V).
Terjadi pada divais yang mempunyai kanal pendek
yaitu pada saat tegangan drain naik ke suatu titik di
mana daerah depletion sekitar drain melewati kanal
dan mencapai source.
Arus drain akan naik dengan cepat.
Punch-through tidak menyebabkan kerusakan yang
permanen.
32
Breakdown oksida gate terjadi bila tegangan melebihi 30V.
Breakdown ini menyebabkan kerusakan permanen
pada divais
Penyebabnya adanya akumulasi muatan statik pada
kapasitor gate yang dapat melebihi tegangan
breakdown-nya.

Untuk mencegah akumulasi muatan statik pada
kapasitor gate, dipasang alat proteksi pada terminal
masukan dari IC MOS yang terdiri dari rangkaian dioda
penjepit (clamping diodes)
33
Summary

Transistor NMOS:
Simbol
Tegangan overdrive:
v
OV
= v
GS
V
t

v
GS
=V
t
+ v
OV


Bekerja di daerah trioda:

Kondisi:
v
GS
V
t
v
OV
0
v
GD
V
t
V
DS
v
GS
V
t
v
DS
v
OV


34
( ) | |
2
2
1
DS DS t GS OX n D
v v V v
L
W
C i =
karakteristik i v


Untuk v
DS
<< 2(v
GS
V
t
) v
GS
<< 2 v
OV

( )
(

= ~
t GS OX n
D
DS
DS
V v
L
W
C
i
v
r 1
Bekerja di daerah jenuh:

Kondisi:
v
GS
V
t
v
OV
0
v
GD
V
t
v
DS
v
GS
V
t
v
DS
v
OV


Karakteristik i v
( ) ( )
DS t GS OX n D
v V v
L
W
C i + = 1
2
2
1
35
Model rangkaian ekivalen sinyal besar
( )
D
A
t GS OX n o
I
V
V V
L
W
C r =
(

=
1
2
2
1

dimana
( )
2
2
1
t GS OX n D
V V
L
W
C I =
Tegangan ambang:
( )
f SB f t t
V V V | | 2 2
0
+ + =
36
Parameter proses:
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( )
2
1
V 2
V 1
m V
V A
F/m
1
'
'
2
OX S A
A
A A
OX n n
OX OX OX
C qN
V
L V V
C k
t C
c

c
=
=
=
=
=

Konstanta:

0
= 8,854 x 10
-12
F/m

OX
= 3,9
0
= 3,45 x 10
-11
F/m

S
= 11,7
0
= 1,04 x 10
-10
F/m
q = 1,602 x 10
-19
C
37
Transistor PMOS

Simbol:
Tegangan overdrive:
v
OV
= v
GS
V
t

v
SG
=|V
t
| + |v
OV
|



Bekerja di daerah trioda:

Kondisi:
v
GS
V
t
v
OV
0 v
SC
|V
t
|
v
GD
|V
t
|

V
DS
v
GS
V
t
v
SD
|v
OV
|
38
Bekerja di daerah jenuh:

Kondisi:
v
GS
V
t
v
OV
0 v
SG
|V
t
|
v
DG
|V
t
| v
DS
v
GS
V
t
v
DS
|v
OV
|

Karakteristik i v
Mempunyai hubungan yang sama seperti pada
transistor NMOS kecuali:

n
, k
n
dan N
A
diganti dengan
p
, k
p
dan N
D
V
t
, V
t0
, V
A
, dan bernilai negatif


Model rangkaian ekivalen sinyal besar
( )
D
A
t SG OX p o
I
V
V V
L
W
C r =
(

=
1
2
2
1

( )
2
2
1
t SG OX p D
V V
L
W
C I =
39
Contoh soal:
Sebuah MOSFET mempunyai L
min
= 0,4m, t
OX
= 8
nm,
n
= 450 cm
2
/Vs dan V
t
= 0,7 V.
a. Carilah C
OX
dan k
n
.
b. Untuk MOSFET dengan W/L = 8 m/0,8m,
hitunglah harga V
GS
dan V
DSmin
yang diperlukan agar
transistor bekerja di daerah jenuh dengan arus dc I
D

= 100 A
c. Untuk MOSFET pada (b), carilah harga V
GS
yang
diperlukan agar MOSFET bekerja sebagai resistor
1000 untuk v
DS
yang sangat kecil

Jawab:
a.
2
6 -
2 2 '
2
2 3
9
11
A/V 194
(F/V.s) 10 194
) m (fF/ 4,32 V.s) / (cm 450
m fF/ 4,32
F/m 10 32 , 4
10 8
10 45 , 3

c
=
=
= =
=
=

= =

OX n n
OX
OX
OX
C k
t
C
40
Untuk bekerja di daerah jenuh:
( )
( )
V 32 , 0
V 02 , 1
V 32 , 0 7 , 0
7 , 0
8 , 0
8
194 100
min
2
2
1
2
'
2
1
= =
=
=
=
=
t GS DS
GS
GS
GS
t GS n D
V V V
V
V
V
V v
L
W
k I
Untuk MOSFET di daerah trioda dengan v
DS
sangat kecil:
( )
( )
( )
V 22 , 1
V 52 , 0 7 , 0
7 , 0 10 10 194
1
1000
1
6
'
'
=
=

=
(

=
~
~

GS
GS
GS
t GS n
kecil v
D
DS
DS
DS t GS n D
V
V
V
V V
L
W
k
i
v
r
v V v
L
W
k i
DS
41
Rangkaian MOSFET pada DC

Contoh soal

Rancanglah rangkaian seperti pada
gambar di samping ini sehingga
transistor bekerja pada I
D
= 0,4 mA
dan V
D
= +0,5 V. Transistor NMOS
mempunyai V
t
= 0,7 V,
n
C
OX
= 100
A/V
2
, L = 1m dan W = 32 m.
Abaikan pengaruh channel-length
modulation ( = 0)
Gambar 20. Contoh soal
42
Jawab:
V
D
= 0, 5 V > V
G
NMOS bekerja pada daerah jenuh.
( )
2
2
1
t GS OX n D
V V
L
W
C I =
V
GS
V
t
= V
OV
; I
D
= 0,4 mA = 400 A;

n
C
OX
= 100 A/V
2
dan W/L = 32/1
2
2
1
1
32
100 400
OV
V =
V
OV
= 0,5V
V
GS
= V
t
+ V
OV
= 0,7 + 0,5 = 1,2 V
V
G
= 0 V
S
= - 1,2 V
O =

=

=
k 25 , 3
4 , 0
) 5 , 2 ( 2 , 1

D
SS S
S
I
V V
R
Untuk mendapatkan V
D
= +0,5 V:
O =

=
k 5
4 , 0
5 , 0 5 2

,
I
V V
R
D
D DD
D
43
Rancang rangkaian seperti gambar 21 untuk
mendapatkan arus I
D
= 80 A. Cari harga R dan
tegangan DC V
D
.
Transistor NMOS mempunyai V
t
= 0,6 V,
n
C
OX
= 200
A/V
2
, L = 0,8 m dan W = 4. (asumsikan =0)
Gambar 21. Contoh soal
44
Jawab:
V
DG
= 0 V
D
= V
G
dan FET bekerja di daerah jenuh
( )
( )
( )
O =

=
= =
= + = + =
=

=
=
=
=
k 25
080 , 0
1 3

V 1
V 1 4 , 0 6 , 0
V 4 , 0
8 , 0 4 200
80 2

2

2
2
1
2
2
1
D
D DD
G D
OV t GS
OX n
D
OV
OV OX n
t GS OX n D
I
V V
R
V V
V V V
L W C
I
V
V
L
W
C
V V
L
W
C I

45
Rancanglah rangkaian pada gambar 22 agar tegangan
drain = 0,1V.
Berapakah resistansi antara drain dan source pada titik
kerja ini ? V
t
= 1 V dan k
n
(W/L) = 1 mA/V
2
.
Gambar 22. Contoh soal
46
( ) | |
( ) | |
O = = =
O =

=
=
=
=
253
395 , 0
1 , 0
k 4 , 12
395 , 0
1 , 0 5

mA 0,395
01 , 0 1 , 0 1 5 1
2
1
2
2
1
'
D
DS
DS
D
D DD
D
D
DS DS t GS n D
I
V
r
I
V V
R
I
V V V V
L
W
k I
Jawab:
V
D
= V
G
4,9 V dan V
t
= 1 V MOSFET bekerja di
daerah trioda. Jadi arus I
D
:
47
Analisa rangkaian pada gamabr 23(a) untuk
menentukan tegangan di semua node dan arus di
semua cabang. Diketahui V
t
= 1 V dan k
n
(W/L) = 1
mA/V
2
. (asumsikan = 0)
Gambar 23. Rangkaian contoh soal
48
Gambar 23 (b) Rangkaian dengan analisis terinci

Jawab:
Karena arus gate = 0, tegangan gate:
V 5
10 10
10
10
1 2
2
=
+
=
+
=
G G
G
DD G
R R
R
V V
49
V
G
> 0 transistor NMOS bekerja.
Asumsikan transistor bekerja di daerah jenuh.

V
G
= 5 V
V
S
= I
D
x R
S
= I
D
(mA) x 6 k = 6 I
D
V
GS
= V
G
V
S
= 5 6I
D

( )
( )
V 7 5 , 0 6 10
V 2 3 5
V 3 6 5 , 0
mA 5 , 0
: Jadi
off' ' transistor
V 34 , 5 89 , 0 6 mA 89 , 0
mA 5 , 0 mA; 89 , 0
0 8 25 18
1 6 5 1
1
2 1
2
2
2
1
2
'
2
1
+ = =
= =
+ = =
=
>
= = =
= =
= +
=
=
D
GS
S
D
G S
S D
D D
D D
D
t GS n D
V
V
V
I
V V
V I
I I
I I
I
V V
L
W
k I
Karena V
D
> V
G
V
t
, transistor bekerja di daerah jenuh
50
Rancang rangkaian seperti pada gambar 24 sehingga
transistor bekerja di daerah jenuh dengan I
D
= 0,5 mA dan
V
D
= +3 V. Transistor PMOS jenis enchancement
mempunyai V
t
= -1 V dan k
p
(W/L) = 1 mA/V
2
. Asumsikan
= 0. Berapa harga terbesar R
O
agar tetap bekerja di daerah
jenuh?
Gambar 24 Contoh soal
51
I
D
= 0,5 mA dan k
p
W/L = 1 mA/V
2
maka:
V
OV
= -1 V
(untuk PMOS V
t
negatif)

V
GS
= V
t
+ V
OV
= - 1 1 = - 2 V

V
S
=+5 V V
G
= +3 V

V
G
= +3 V dapat diperoleh dengan memilih harga R
G1

dan R
G2.
Salah satu kemungkinan R
G1
= 2 M dan R
G2

= 3 M
O = = = k 6
5 , 0
3
D
D
D
I
V
R
Bekerja pada mode jenuh: V
D
harus lebih besar dari V
G

sebanyak |V
t
|

V
Dmax
= 3 + 1 = 4 V

R
D
= 4/0,5 = 8 k
Jawab:
MOSFET bekerja di daerah jenuh:
( )
2 '
2
1
2
'
2
1

OV p
t GS p D
V
L
W
k
V V
L
W
k I
=
=
52
Gambar 25. Rangkaian contoh soal
53
Transistor NMOS dan PMOS mempunyai kesesuaian
dengan k
n
(W/L) = k
p
(W/L) = 1 mA/V
2
, V
tn
= -V
tp
= 1 V.
Asumsikan = 0 untuk kedua transistor. Carilah arus
drain i
DN
dan i
DP
dan v
O
untuk v
I
= 0 V, +2,5V dan -2,5V

Jawab:
Gambar (b) menunjukkan bila v
I
= 0V. Kedua transistor
matched dan bekerja pada |V
GS
| = 2,5V v
O
= 0V
Jadi Q
N
dan Q
P
bekerja dengan |V
GD
| = 0 V bekerja
pada daerah jenuh.
I
DN
= I
DP
= x 1 x (2,5 1)
2
= 1,125 mA

Gambar (c) menunjukkan bila v
I
= 2,5V. Transistor Q
P

mempunyai V
GS
= 0 V cutoff v
O
negatif V
GD
>
V
t
bekerja pada daerah trioda.
I
DN
= k
n
(W
n
/L
n
)(V
GS
V
t
)V
DS

= 1[(2,5 (-2,5) 1][v
O
(-2,5)]
I
DN
(mA) = (0 v
O
)/10 (k)
I
DN
= 0,244 mA ; v
O
= -2,44 V
V
DS
= -2,44 (-2,5) = 0,06 V

Gambar (d) menunjukkan bila v
I
= -2,5 V. Kasus ini
kebalikan dari kasus gambar (c). Transistor Q
N
akan
cutoff I
DN
= 0. Q
P
bekerja pada daerah trioda
dengan I
DP
= 2,44 mA dan v
O
=+2,44 V
54
MOSFET sebagai Penguat dan Saklar

MOSFET sebagai penguat:
Bekerja di daerah jenuh
Berperan sebagai sumber arus yang dikendalikan
oleh tegangan (VCCS). Perubahan pada tegangan
v
GS
akan mengubah arus drain i
D
.

MOSFET yang bekerja di daerah jenuh dapat
dipakai untuk membuat penguat transkonduktansi
(transconductance amplifier).

Yang diinginkan penguat linier; jadi harus ada
bias dc agar MOSFET bekerja pada V
GS
dan I
D

tertentu, kemudian ditumpangkan tegangan v
gs

yang akan diperkuat pada tegangan dc V
GS
.
Dengan menjaga v
gs
kecil arus drain, i
d
dapat
dibuat sebanding dengan v
gs

55
Cara kerja Sinyal Besar Karakteristik Transfer
Gambar 26(a) Struktur dasar rangkaian penguat common
source
(b) Grafik yang digunakan untuk menentukan karakteristik
transfer penguat pada gambar (a)
56
Gambar 26(c) Karakteristik transfer penguat pada titik
kerja Q
57
Penurunan karakteristik transfer secara grafis.
Pada rangkaian CS drain dihubungkan ke catu daya
V
DD
melalui R
D,
sehingga diperoleh hubungan i
D
dan
v
DS
sebagiai berikut:

DS
D D
DD
D
D D DD DS
v
R R
V
i
i R V v
1
=
=

Secara kuantitatif,rangkaian bekerja sebagai berikut:
v
I
= v
GS
.
Untuk v
I
< V
t
transistor cutoff, i
D
= 0, v
O
= v
DS
=
V
DD.
Transistor bekerja pada titik A.

v
I
> V
t
transistor on, i
D
meningkat, v
O
menurun.
Karena v
O
bermula dengan harga yang tinggi,
transistor bekerja dalam keadaan jenuh. Keadaan ini
ditunjukkan oleh garis beban antara titik A dan B.

Untuk titik Q tertentu, V
IQ
=V
GS
dan V
OQ
= V
DSQ
serta
arus = I
DQ
.

58

v
I
< V
t
v
DS
= v
GS
V
t
MOSFET memasuki daerah
kerja trioda. Pada kurva ditunjukkan dengan titik B yang
memotong garis beban dengan kurva garis terputus
yang mendefinisikan batas antara daerah jenuh dan
daerah trioda. Ttitk B didefinisikan sebagai:
V
OB
= V
IB
V
t


Untuk v
I
> V
IB
, transistor makin masuk ke daerah trioda.
Pada titik C, v
I
= V
DD
, v
OC
biasanya kecil sekali.

Titik-titik pada kurva hubungan i
D
v
DS
di gambar
26(b) menghasilkan kurva transfer pada gambar 26(c)

59
MOSFET Bekerja Sebagai Saklar.
Jika MOSFET dipakai sebagai saklar, MOSFET bekerja
pada titik-titik ekstrim dari kurva transfer.
MOSFET off bila v
I
< V
t
bekerja pada titiik antara X
dan A dengan v
O
= V
DD
.
Saklar on dengan v
I
mendekati V
DD
bekerja
mendekati titik C dengan v
O
sangat kecil.
Jadi CS MOS dapat digunakan sebagai inverter logik
dengan level tegangan low mendekati o danhigh
mendekati V
DD
.

MOSFET Bekerja Sebagai Penguat Linier
MOSFET sebagai penguat bekerja di daerah jenuh.
MOSFET diberi bias dc pada titik di tengah-tengah
kurva. Titik ini disebut titik kerja atau quiescent point.
Sinyal tegangan yang akan diperkuat, ditumpangkan
pada tegangan dc V
IQ
. (lihat gambar 26(c)).

Syarat linier:
v
i
harus dijaga tetap kecil


60
Faktor penguatan:
i
IQ
V v
i
o
v
dv
dv
A
=

Cara memilih titik kerja.

V
DSQ
harus lebih kecil dari V
DD
dan lebih besar dari V
OB
sehingga dapat mengakomodasi harga simpangan
maksimum dan simpangan minimum dari tegangan
keluaran.

Jika V
DSQ
terlalu dekat dengan V
DD
, harga simpangan
maksimum sinyal keluaran akan terpotong (clipped off).
Pada keadaan ini dikatakan penguat tidak mempunyai
cukup headroom.

Jika V
DSQ
terlalu dekat dengan batas trioda, harga
simpangan minimum sinyal keluaran akan terdistorsi.
Pada keadaan ini dikatakan penguat tidak mempunyai
cukup legroom.

61
Gambar 27. Dua garis beban dan titik kerjanya.
Titik Q
1
terlalu dekat dengan V
DD
, dan titik Q
2
terlalu
dekat dengan batas daerah trioda.
62
Karakteristik transfer secara analisis.

Daerah cutoff, segmen XA:
v
I
V
t
dan v
O
= V
DD

Daerah jenuh, segmen AQB:
v
I
V
t
dan v
O
v
I
V
t
.
asumsikan = 0
( ) ( )
( ) ( )
( )
t I OX n D v
V v
I
O
v
t I OX n D DD O
D D DD O
t I OX n D
V v
L
W
C R A
dv
dv
A
V v
L
W
C R V v
i R V v
V v
L
W
C i
IQ I
=

|
.
|

\
|
=
=

|
.
|

\
|
=
=

2
2
1
2
2
1
63
Jadi penguatan tegangan sebanding dengan harga R
D
,
parameter transkonduktansi k
n
=
n
C
OX
, aspect ratio
dari transistor W/L, dan tegangan overdrive pada titik
bias V
OV
= V
IQ
V
t

Pada titik Q: v
I
= V
IQ
dan v
O
= V
OQ\
, V
IQ
V
t
= V
OV
, jadi
( )
OQ DD RD
OV
RD
OV
OQ DD
V
V V V
V
V
V
V V
A
=
=

=
2
2
Pada titik ujung daerah jenuh:
V
OB
=V
IB
V
t


Daerah trioda, segmen BC
v
I
V
t
dan v
O
v
I
- V
t

( ) | |
( ) | |
( )
O t I OX n D DD O
O O t I OX n D DD O
D D DD O
O O t I OX n D
v V v
L
W
C R V v
v v V v
L
W
C R V v
i R V v
v v V v
L
W
C i
~
=
=
=

2
2
1
2
2
1
64
( )
( )
D DS
DS
DD O
t I OX n DS
t I OX n D DD O
R r
r
V v
V v
L
W
C r
V v
L
W
C R V v
+
=
(

=
(

+ =

1
1
Untuk v
O
yang kecil, MOSFET bekerja sebagai resistansi
r
DS
(yang harganya ditentukan oleh v
I
).
Biasanya r
DS
<< R
D
, jadi
D
DS
DD O
R
r
V v ~
65
Contoh numerik:
Pada rangkaian pada gambar (a), k
n
(W/L) = 1 mA/V
2
, V
t
=
1 V, R
D
= 18 k dan V
DD
= 10 V

Jawab:

( ) ( )
2
2
1
t I OX n D DD O
V v
L
W
C R V v
|
.
|

\
|
=
a) Titik X: v
I
= 0 V; v
O
= 10 V
b) Titik A: v
I
= 1 V; v
O
= 10 V
c) Titik B: v
I
= V
IB
= V
OB
+ V
t

= V
OB
+ 1
Masukan v
O
= V
OB
pada persamaan di atas
9 V
OB
2

+ V
OB
10 = 0
V
O
= 1 V
V
I
= 1 + 1 = 2 V

d)Titik C: gunakan persamaan berikut:
( )
( )
V 061 , 0
1 10 1 18 1
10
1
=
+
=
(

+ =
OC
t I OX n D DD O
V
V v
L
W
C R V v
66
Kemudian beri .bias agar penguat bekerja pada titik
kerja yang benar pada segmen daerah jenuh. Pada
daerah ini v
O
= 1 10 V. Dipilih titik kerja pada V
OQ
= 4
V. Titik ini memungkinkan simpangan tegangan yang
cukup pada kedua arah dan memberikan penguatan
tegangan yang lebih besar dibandingkan dengan titik
kerja yang terletak di tengah-tengah daerah jenuh
(misal pada V
OQ
= 5, 5V).

Agar penguat bekerja pada tegangan keluaran dc = 4 V
arus drain :
mA 333 , 0
18
4 10
=

=
D
OQ DD
D
R
V V
I
V 816 , 0
1
333 , 0 2
2 '
2
1
=

=
=
OV
OV n D
V
V
L
W
k I
Tegangan overdrive V
OV
:
Jadi MOSFET harus bekerja pada:
V
GS
= V
t
+ V
OV
= 1,816 V
67
Penguatan tegangan pada titik kerja ini:
( )
t I OX n D v
V v
L
W
C R A =
A
V
= - 18 x 1 x (1,816 1)
= -14,7 V/V

Dipasangkan sinyal masukan gelombang segitiga,v
i
=
150 mV (peak-to-peak) yang ditumpangkan pada
tegangan bias dc V
GSQ
= 1,816 V seperti pada gambar di
bawah ini
Gambar 28. Contoh soal
68
V
GS
terletak antara 1,741 V dan 1,891 V. Arus I
D
pada :
v
GS
= 1,741 i
D
= x 1 x (1,741 1)
2
= 0,275 V
v
GS
= 1,816 i
D
= x 1 x (1,816 1)2 = 0,333 V
v
GS
= 1,891 i
D
= x 1 x (1,891 1)2 = 0,397 V

Catatan: perbedaan pada arah negatif = (0,333 0,275) =
0,058 mA dan perbedaan pada arah positif = (0,397 0,333)
= 0,064 mA. Perbedaan ini tidak sama karena kurva i
D
v
GS

tidak linier sempurna.

Tegangan keluaran pada:
v
GS
= 1,741 i
D
= 0,275 V v
O
= 10 0,275 x 18 = 5,05 V
v
GS
= 1,891 i
D
= 0,397 V v
O
= 10 0,397 x 18 = 2,85 V

Jadi perbedaan pada arah positif = 1,05 V, sedangkan
perbedaan pada arah negatif = 1,15 V yang diakibatkan
karena ketidaklinieran karakteristik transfer.

Distorsi non linier v
O
dapat dikurangi dengan mengurangi
amplitudo sinyal masukan.

Catatan: pilihlah titik kerja di tengah-tengah daerah jenuh,
agar terjamin transistor tetap bekerja di daerah jenuh dan
distorsi non linier bisa diminimalkan.
69
Gambar 28 (b). Contoh soal
70
Bias pada rangkaian penguat.

Bias dengan menetapkan V
GS


Cara yang paling mudah untuk memberi bias pada
sebuah MOSFET ialah dengan menetapkan harga V
GS

pada suatu harga untuk mendapatkan harga I
D
yang
diinginkan.

Cara ini bukan cara yang baik untuk memberi bias
pada MOSFET.
Perhatikan:
( )
2
2
1
t GS OX n D
V V
L
W
C I =
Harga I
D
tergantung dari harga V
t
, C
OX
, dan W/L
V
t
dan
n
tergantung pada suhu.
Jadi jika harga V
GS
tetap, harga I
D
sangat tergantung
dari suhu.

Perhatikan gambar berikut ini.
71
Gambar 29. Penggunaan fixed bias pada jenis divais
yang sama.
72
Bias dengan menetapkan V
GS
dan menghubungkan
sebuah resistansi pada source
Gambar 30. Pemberian tegangan bias tetap, V
G
dan
sebuah resistor pada source.
(a). Rangkaian dasar
(b). Pengurangan perubahan pada I
D

73
Gambar 30(a) menunjukkan salah satu cara
pemberian bias untuk MOSFET diskrit yaitu
dengan memberikan tegangan dc pada gate, V
G
,
dan sebuah resistansi pada source.
V
G
= V
GS
+ R
S
I
D

Jika V
G
>> V
GS
, I
D
ditentukan oleh V
G
dan R
S
.
Jika V
G
tidak terlalu besar dibandingkan V
GS
,
resistor R
S
memberikan umpan balik negatif.yang
berperan untuk menstabilkan harga I
D
.

Pada persamaan di atas:
V
G
konstan jika I
D
naik V
GS
harus turun I
D

akan turun. Jadi R
S
bekerja untuk menjaga
kestabilan I
D
.

R
S
disebut degeneration resistance.
74
Contoh implementasi teknik ini:
Gambar 30(c) Implementasi praktis dengan menggunakan
satu catu daya
(d) Penggunakan kapasitor coupling, C
C
antara sumber
sinyal ke gate
(e) Implementasi praktis dengan dua catu daya
75
Rangkaian pada gambar 30(c) mendapatkan
tegangan V
G
dari sebuah catu daya V
DD
melalui
sebuah pembagian tegangan (R
G1
dan R
G2
)
Karena i
G
= 0, R
G1
dan R
G2
dapat dipilih besar sekali
(orde M), sehingga MOSFET nampak mempunyai
resistansi masukan yang besar.

Jadi sumber sinyal dapat terhubung ke gate melalui
kapasitor penghubung (coupling capacitor), seperti
terlihat pada gambar 30(d).
Kapasitor C
C1
mem-blok dc sehingga memungkinkan
untuk menghubungkan sinyal vsig ke masukan
penguat tanpa mengganggu titik bias dc dari
MOSFET.

Harga C
C1
dipilih cukup besar sehingga dapat
dianggap sebagai hubung singkat untuk semua
frekuensi sinyal yang diinginkan.

R
D
dipilih sebesar mungkin untuk memperoleh
penguatan yang besar tetapi cukup kecil untuk
memungkinkan simpangan sinyal pada drain dengan
menjaga MOSFET tetap dalam keadaan jenuh.



76
Rangkaian pada gambar 30(e) adalah contoh
pemakaian dua catu daya untuk memberikan bias pada
MOSFET.
Rangkaian ini adalah implementasi dari persamaan di
atas dengan menggantikan V
G
dengan V
ss
.
R
G
membuat ground dc pada gate dan memberikan
resistansi masukan yang tinggi yang dapat dihubungkan
ke sumber sinyal yang akan terhubung ke gate melalui
sebuah kapasitor penghubung.
77
Contoh soal:
Rancanglah rangkaian pada gambar 30(c) untuk
mendapatkan arus drain dc I
D
= 0,5 mA. MOSFET
mempunyai V
t
= 1 V dan k
n
W/L = 1 mA/V
2
(asumsikan
= 0). V
DD
= 15 V. Hitung berapa % perubahan harga
I
D
jika MOSFET diganti dengan MOSFET yang lain
yang mempunyai k
n
W/L yang sama tetapi V
t
= 1,5 V.

Jawab:
rule of thumb untuk merancang rangkaian bias,
pilihlah R
D
dan R
S
sehingga tegangan R
D
, tegangan
pada transistor dan tegangan R
S
masing-masing
adalah tegangan V
DD
. Untuk V
DD
= 15 V, V
D
= +10 V
dan V
S
= +5 V.
Diketahui I
D
= 0,5 mA, maka:

( )
V 1
1 5 , 0
k 10
5 , 0
5
k 10
5 , 0
10 15
2
2
1
2 '
2
1
=
=
=
O = = =
O =

=
OV
OV
OV n D
D
S
S
D
D DD
D
V
V
V L W k I
I
V
R
I
V V
R
78
V
GS
= V
t
+ V
OV
= 1 + 1 = 2 V
V
S
= 5 V V
G
= V
S
+ V
GS
= 5 + 2 = 7 V

Untuk mendapatkan V
G
= 7 V dipilih R
G1
= 8 M dan
R
G2
= 7 M.
Gambar 31, Rangkaian contoh soal
79
V
D
= +10 V simpangan maksimum sinyal positif +5V
(sampai V
DD
) dan simpangan maksimum sinyal negatif
-4 V (sampai (V
G
V
t
)).

Jika transistor NMOS diganti dengan NMOS yang
mempunyai V
t
= 1,5 V:
I
D
= x 1 x (V
GS
V
t
)
2

V
G
= V
GS
+ I
D
R
S

7 = V
GS
+ 10 I
D

I
D
= 0,455 mA
I
D
= 0,455 0,5 = -0,045 mA = 9%
80
Bias menggunakan resistor umpan balik drain-ke-gate
Gambar 32. Bias menggunakan resistor umpan
balik drain-ke-gate


Resistor R
G
(orde M) menyebabkan tegangan dc
pada gate (V
G
) sama dengan tegangan dc pada
drain (V
D
)

V
GS
= V
DS
= V
DD
R
D
I
D
V
DD
= V
GS
+ R
D
I
D

Jika I
D
meningkat V
GS
akan menurun I
D

menurun.

Jadi umpan balik negatif melalui R
G
akan menjaga
kestabilan harga I
D
.
81
Bias menggunakan sumber arus yang konstan.
Gambar 33 (a) Pemberian bias dengan menggunakan
sumber arus tetap

Bias seperti pada gambar 33(a) biasa digunakan pada
MOSFET yang diskrit. R
G
(dalam orde M) membuat
ground dc pada gate. R
D
akan membuat tegangan dc
pada drain pada harga tertentu yang memungkinkan
simpangan sinyal keluaran yang diinginkan dengan
menjaga MOSFET tetap dalam keadaan jenuh.
82
Gambar 33(b) Implementasi sumber arus konstan dengan
current mirror.

Intinya adalah transistor Q
1
yang drain-nya dihubungkan
ke gate-nya sehingga bekerja pada daerah jenuh.
( )
2
1
'
2
1
1 t GS n D
V V
L
W
k I
|
.
|

\
|
=
Dengan asumsi = 0
83
Arus drain Q
1
dicatu oleh V
DD
melalui resistor R.
R
V V V
I I
GS SS DD
REF D
+
= =
1
Arus melalui dianggap sebagai arus rujukann, I
REF
.
Dengan harga parameter dari Q
1
dan I
REF
yang diinginkan,
kedua persamaan di atas dapat digunakan untuk
menghitung harga R.

Pada transistor Q
2
, harga V
GS
sama dengan V
GS
pada Q
1
,

Asumsikan bekerja pada daerah jenuh, arus drain yang
sama dengan arus rujukan akan:
( )
( )
( )
1
2
2
2
'
2
1
2
L W
L W
I I
V V
L
W
k I I
REF
t GS n D
=

|
.
|

\
|
= =
Jadi perbandingan antara arus I dan arus rujukan
sebanding dengan aspect ratio dari Q
1
dan Q
2
.
Rangkaian ini dikenal dengan current mirror
84
Cara kerja dan model sinyal kecil
Gambar 34. Konsep rangkaian yang digunakan untuk
mempelajari cara kerja MOSFET sebagai penguat sinyal
kecil
85
Titik bias DC
Arus bias dc I
D
diperoleh dengan men-set sinyal v
gs
= 0
( )
2
'
2
1
t GS n D
V V
L
W
k I =
Asumsikan = 0
V
D
= V
DS
= V
DD
R
D
I
D

Agar bekerja pada daerah jenuh:
V
D
> V
GS
V
t


Arus sinyal pada terminal drain
v
GS
= V
GS
+ v
gs

( )
( ) ( )
2 '
2
1
'
2
'
2
1
2
'
2
1

gs n gs t GS n t GS n
t gs GS n D
v
L
W
k v V V
L
W
k V V
L
W
k
V v V
L
W
k I
+ + =
+ =
86
Suku pertama dari persamaan itu adalah arus bias dc,
I
D
. Suku kedua ada komponen arus yang sebanding
dengan sinyal masukan v
gs
Suku ketiga sebanding
dengan sinyal masukan kuadrat. Suku ini tidak
diinginkan karena menunjukkan adanya distorsi non
linier.
Untuk mengurangi distorsi non linier, sinyal masukan
harus dijaga tetap kecil, jadi:
( )
( )
t GS gs
gs t GS n gs n
V V v
v V V
L
W
k v
L
W
k
<<
<<
2
' 2 '
2
1
Jika keadaan ini terpenuhi, maka

i
D
I
D
+ i
d

( )
gs t GS n d
v V V
L
W
k i =
'
Parameter yang menghubungkan i
d
dan v
gs
adalah
transkonduktansi dari MOSFET (g
m
)
( )
t GS n
gs
d
m
V V
L
W
k
v
i
g = =
'
87
Gambar 35. Cara kerja sinyal kecil dari penguat
MOSFET jenis enhancement

g
m
adalah koefisien arah dari karakteristik i
D
v
GS
pada
titik bias atau titik kerja.
GS GS
V v
GS
D
m
v
i
g
=
c
c

88
Penguatan tegangan
( )
d D D D
d D D DD D
D D DD D
i R V v
i I R V v
i R V v
=
+ =
=
Komponen sinyal dari tegangan drain
gs D m d D d
v R g i R v = =
Pengutan tegangan:
D m
gs
d
R g
v
v
=
Tanda negatif menunjukkan bahwa v
d
berbeda fasa 180
dengan v
gs

89
Gambar 36. Tegangan total v
GS
dan v
D
untuk rangkaian
pada gambar 34

Agar MOSFET selalu bekerja di daerah jenuh:
Harga minimum dari v
D
harus lebih kecil dari v
G
,
minimum sebesar V
t

Harga maksimum dari v
D
harus lebih kecil dari V
DD

90
Pemisahan analisis DC dan analisis sinyal.

Untuk sinyal kecil, besaran sinyal ditumpangkan pada
besaran dc.
Misal: arus total pada drain i
D
sama dengan arus dc I
D

ditambah arus sinyal i
d
. Tegangan total pada drain v
D
=
V
D
+ v
d


Jadi untuk menyederhanakan analisis dapat dipisahkan
analisis dc dan analisis sinyal kecil.

Caranya:
cari titik kerja dan hitung semua komponen dc.
lakukan analisis sinyal kecil
91
Model rangkaian ekivalen sinyal kecil.
Gambar 37(a). Model sinyal kecil untuk MOSFET dengan
mengabaikan channel length modulation
(b) Memasukkan pengaruh channel length modulation

92
Model rangkaian ekivalen sinyal kecil.
Dilihat dari sisi sinyal, MOSFET berperan sebagai sumber
arus yang dikendalikan oleh tegangan (VCCS) dengan
sinyal masukan v
gs
antara gate dan source dan
menghasilkan arus g
m
v
sg
antara drain dan source.
Resistansi masukan sangat tinggi (ideal: ); resistansi
keluaran juga sangat tinggi (asumsikan: )

Gambar 37(a) adalah model rangkaian pengganti
MOSFET untuk sinyal kecil.

Dalam analisis sinyal kecil: semua sumber tegangan dc
diganti dengan hubung singkat dan semua sumber arus
dc diganti dengan hubung terbuka.

Pada gambar 37(a) diasumsikan arus drain pada
keadaan jenuh tidak tergantung dari tegangan drain.
Kenyataannya arus drain tergantung dari tegangan drain.
Hubungan ini dinyatakan dengan adanya resistansi
antara drain dan source.

93
D
A
o
I
V
r =
V
A
= 1/
Model rangkaian yang lebih akurat terlihat pada gambar
34(b).
( )
o D m
gs
d
r R g
v
v
// =
Catatan:
g
m
dan r
o
tergantung pada titik bias dc dari MOSFET
94
Transkonduktansi g
m

( )( )
t GS n m
V V L W k g =
'
g
m
sebanding dengan k
n
=
n
C
OX
dan perbandingan W/L.
Jadi untuk mendapatkan g
m
yang besar, divais harus
pendek dan lebar.

g
m
juga sebanding dengan V
OV
= V
GS
V
t
.
Catatan: jika V
GS
dinaikkan mengurangi simpangan
tegangan sinyal pada drain.


( )
( )
( )
( )
OV
D
GS
D
m
D n m
t GS
D
n
n
D
t GS
t GS n D
V
I
V V
I
g
I L W k g
V V
I
L
W
k
L W k
I
V V
V V
L
W
k I
2 2
2
2
2
'
2
'
'
2
'
2
1
=

=
=

=
=
=
95
Contoh soal:
Gambar 39 Contoh soal rangkaian penguat

Gambar 39(a) menunjukkan sebuah penguat MOSFET
CS yang mempunyai bias umpan balik drain ke gate.
Sinyal input, v
i
dihubungkan ke gate melalui kapasitor
yang besar. Sinyal keluaran pada drain dihubungkan ke
beban R
L
melalui sebuah kapasitor besar lainnya.
Transistor mempunyai V
t
= 1,5 V, k
n
(W/L) = 0,25 mA/V
2

dan V
A
= 50 V.
Hitunglah penguatan tegangan sinyal kecil, resistansi
masukan dan sinyal masukan maksimum. Anggap
kapasitor penghubung cukup besar sehingga akan
menjadi hubung singkat untuk frekuensi sinyal yang
diinginkan
96
Jawab:
Tentukan titik kerja dc:
I
D
= x 0,25 (V
GS
1,5)
2

Arus dc pada gate = 0 tidak ada penurunan
tegangan pada R
G
V
GS
= V
D

I
D
= x 0,25 (V
D
1,5)
2

V
D
= 15 R
D
I
D

I
D
= 1,06 mA dan V
D
= 4,4 V

( )
( )
O = = =
= =
=
k 47
06 , 1
50
mA/V 725 , 0 5 , 1 4 , 4 25 , 0
'
D
A
o
t GS n m
I
V
r
V V
L
W
k g
Gambar (b) : rangkaian pengganti sinyal kecil dari
penguat. Kapasitor penghubung diganti dengan hubung
singkat, dan catu daya dc diganti dengan hubung singkat
ke ground.
Karena R
G
besar sekali (10 M), arus yang melewatinya
dapat diabaikan.
97
v
o
- g
m
v
gs
(R
D
//R
L
//r
o
)
v
gs
= v
i

A
v
= v
o
/v
i
= - g
m
(R
D
//R
L
//r
o
)
= - 0,725(10//10//47) = -3,3 V/V
( )
( ) ( )
O = = =
= =
|
|
.
|

\
|
=
=
M 33 , 2
3 , 4
3 , 4
3 , 3 1
1
G
i
i
in
G
i
G
i
i
o
G
i
G o i i
R
i
v
R
R
v
R
v
v
v
R
v
R v v i
Gambar 39(b) Model rangkaian pengganti
98
Harga maksimum amplitudo v
i
agar MOSFET bekerja
di daerah jenuh:
v
DS
v
GS
V
t

v
DSmon
= v
GSmax
V
t

V 34 , 0
5 , 1 4 , 4 3 , 3 4 , 4
^
^ ^
^ ^
=
+ =
+ =
i
i i
t
i
GS i v DS
v
v v
V v V v A V
Catatan: pada arah negatif, amplitudo sinyal masukan:
v
GSmin
= 4,4 0,34 = 4,06 V lebih besar dari V
t
, jadi
transistor tetap on
99
Model Rangkaian Ekivalen T
Gambar 39 Model rangkaian pengganti T untuk MOSFET
100
Gambar 39(a): rangkaian ekivalen sinyal kecil tanpa r
o
.

Gambar 39(b): ditambahkan sumber arus g
m
v
gs
seri
dengan sumber arus semula.

Gambar 39(c): dibuat node baru, X, antara kedua
sumber arus dan dihubungkan dengan terminal gate,
G. Di sini ada sumber arus g
m
v
gs
di antara tegangan
v
gs
. Sumber arus ini dapat digantikan dengan sebuah
resistansi, 1/g
m
.

Gambar 39(d): rangkaian ekivalen T dengan i
g
= 0, i
d
=
g
m
v
gs
dan i
s
= v
gs
/(1/g
m
) = g
m
v
gs
.

Catatan: resistansi antara gate dan source, dilihat ke
arah gate adalah tidak terhingga.
101
Gambar 40(a): jika ada r
o
di antara drain dan source.

Gambar 40(b): model T alternatif dimana sumber arus
yang dikendalikan tegangan (VCCS) diganti dengan
sumber arus yang dikendalikan arus (CCCS)
102
Pemodelan Body effect

Pada MOSFET body effect terjadi bila substrate tidak
dihubungkan dengan source.

Untuk kanal n,substrate akan dihubungkan dengan
ground, sedangkan source tidak terhubung dengan
ground, sehingga ada tegangan v
bs
antara substrate dan
source.

Pada kondisi ini substrate beperan seperti gate kedua
atau backgate untuk MOSFET.

Jadi sinyal v
bs
akan menambah sebuah komponen pada
arus drain, g
mb
v
bs
. g
mb
disebut transkonduktansi body.
tan
tan
kons v
kons v
BS
D
mb
DS
GS
v
i
g
=
= c
c

i
D
tergantung dari V
t
dan V
t
tergantung dari V
BS
.
g
mb
= g
m

SB f
SB
t
V
V
V
+
=
c
c

_
2 2
Harga biasanya antara 0,1 0, 3
103
Gambar 41(b) adalah model sinyal kecil NMOS yang
dipakai jika substrate tidak dihubungkan dengan source.

Untuk PMOS, modelnya sama seperti di atas, hanya
yang dipakai |V
GS
|, |V
t
|, |V
OV
|, |V
A
|, |V
SB
|, ||, || dan
menggantikan k
n
dengan k
p
.
104
Ringkasan

Model rangkaian pengganti sinyal kecil untuk MOSFET.

Transistor NMOS:
Transkonduktansi
OV
D
D ox n OV ox n m
V
I
I
L
W
C V
L
W
C g
2
2 = = =
Resistansi keluaran
D D A o
I I V r 1 = =
Transkonduktansi body
m
SB f
m mb
g
V
g g
+
= =
|

_
2 2
Transistor PMOS
Semua persamaan untuk NMOS dapat dipakai untuk
PMOS dengan menggunakan |V
GS
|, |V
t
|, |V
OV
|, |V
A
|,
|V
SB
|, ||, || dan menggantikan
n
dengan
p
.
105
Model rangkaian pengganti sinyal kecil tanpa body effect
(|V
SB
| = 0)
Model rangkaian pengganti sinyal kecil tanpa body effect
(|V
SB
| 0)
106
Penguat MOSFET Satu Tingkat
Pada bagian ini yang akan dibahas adalah rangkaian
penguat diskrit dari MOSFET dimana source selalu
dihubungkan dengan substrate. Oleh karena itu
pengaruh body effect tidak akan diperhitungkan. Dan
juga dalam beberapa rangkaian r
o
akan diabaikan.

Struktur Dasar.
Gambar 42. Struktur dasar rangkaian penguat diskrit yang
menggunakan MOSFET
107
Parameter Karakteristik Penguat

Rangkaian:
Definisi:

Resistansi masukan tanpa beban
=

L
R
i
i
i
i
v
R
Resistansi masukan
i
i
i
i
v
R
108
Penguatan tegangan hubung terbuka:
=

L
R
i
o
vo
v
v
A
Penguatan tegangan:
i
o
v
v
v
A
Penguatan arus hubung singkat:
0 =

L
R
i
o
is
i
i
A
Penguatan arus:
i
o
i
i
i
A
Transkonduktansi hubung singkat:
0 =

L
R
i
o
m
v
i
G
109
Resistansi keluaran dari penguat
0 =

i
v
x
x
o
i
v
R
Resistansi keluaran
0 =

sig
v
x
x
out
i
v
R
110
Penguatan tegangan hubung terbuka menyeluruh
=

L
R
sig
o
vo
v
v
G
Penguatan tegangan menyeluruh
sig
o
v
v
v
G
Rangkaian pengganti

A.
111
B
C
112
Persamaan:
o L
L
vo v
vo
sig in
in
vo
o L
L
vo
sig in
in
v
o m vo
o L
L
vo v
sig in
in
sig
i
R R
R
G G
A
R R
R
G
R R
R
A
R R
R
G
R G A
R R
R
A A
R R
R
v
v
+
=
+
=
+ +
=
=
+
=
+
=
113
Contoh soal:
Sebuah penguat transistor dicatu dengan sebuah
sumber sinyal yang mempunyai tegangan hubung
singkat, v
sig
= 10 mV dan resistansi dalam R
sig
= 100
k. Tegangan v
i
pada masukan penguat dan tegangan
keluaran v
o
diukur dengan dan tanpa resistansi beban
R
L
= 10 k terhubung ke keluaran penguat, Hasil ukur
itu sbb:
v
i
(mV) v
o
(mV)
Tanpa R
L
9 90
Dengan R
L
8 70

Carilah: parameter penguat

Jawab:
Untuk R
L
=
V/V 9
10
90
V/V 10
9
90
= =
= =
vo
vo
G
A
114
O =

+
=
+
=
k 900
10
100
9
i
i
i
vo
sig i
i
vo
R
R
R
A
R R
R
G
Jika R
L
= 10 k dihubungkan dengan keluaran penguat:
V/V 7
10
70
V/V 75 , 8
8
70
= =
= =
v
v
G
A
O =
+
=
+
=
k 43 , 1
10
10
10 75 , 8
o
o
o L
L
vo v
R
R
R R
R
A A
115
A/A 350
10
400
75 , 8
mA/V 7
43 , 1
10
k 400
100 10
8
k 86 , 2
10
10
9 7
= = =
= =
= = =
O =
+
=
+
=
O =
+
=
+
=
L
in
o
L
in
i
o
in i
L o
i
o
vo
m
in
in
in
sig in
in
sig
i
out
out
out L
L
vo v
R
R
A
R
R
v
v
R v
R v
A
R
A
G
R
R
R
R R
R
v
v
R
R
R R
R
G G
116
o i vo osc
R v A i =
Dari rangkaian pengganti A:
A/A 572 43 , 1 8 , 81 10
k 8 , 81
1 1
0
0
0
0
= =
=
O =
(
(

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
+ =
+
=
+
=
=
=
=
=
=
i
osc
is
o
R
in i vo osc
o
out
sig
i
sig
R
in
sig
R
in
R
in
sig i
vo
sig i
i
vo
out sig vo osc
i
i
A
R R i A i
R
R
R
R
R R
R R
R
v v
A
R R
R
G
R v G i
L
L
L
L
Dari rangkaian pengganti A:
117
Penguat Common-Source (CS)
Gambar 43. Rangkaian penguat common source

Sinyal yang akan diperkuat adalah tegangan masukan
v
sig
, yang mempunyai resistansi masukan R
sig
.

C
C1
berfungsi untuk memblok dc dari sinyal masukan,
sehingga tidak mengganggu bias dc. Kapasitor ini
disebut coupling capacitor
Bila sumber sinyal dapat memberikan jalur dc ke
ground, gate dapat dihubungkan langsung dengan
sumber tegangan. Dalam hal ini R
G
dan C
C1
dapat
dihilangkan

118
C
s
adalah kapasitor bypass yang fungsinya untuk mem-
bypass resistansi keluaran dari sumber arus I.
Kapasitor ini juga membuat grounduntuk siinyal atau
ac ground.

C
C2
adalah coupling capacitor yang menghubungkan
sinyal keluaran dengan beban R
L
, jadi v
o
= v
d
.

R
L
dapat berupa resistansi beban atau resistansi
masukan dari tingkat penguat berikutnya bila penguat
yang akan dianalisa adalah salah satu penguat dari
rangkaian penguat bertingkat.

Untuk menentukan karakteristik dari penguat CS yaitu
resistansi masukan, penguatan tegangan dan
resistansi keluaran, gunakan rangkaian pengganti
sinyal kecil, seperti pada gambar (b).

119
Gambar 43(b). Rangkaian ekivalen penguat untuk analisis
sinyal kecil

Penguat ini bersifat unilateral. Oleh karena itu R
in
tidak
tergantung dari R
L
, jadi R
in
= R
i
. Dan R
out
tidak tergantung
dari R
sig
, jadi R
out
= R
o
.

Analisis:
i gs
sig i
sig G
sig G
G
sig
sig in
in
sig i
G in
g
v v
v v
R R
R R
R
v
R R
R
v v
R R
i
=
~
>>
+
=
+
=
=
= 0
120
( )
( )
L D o m v
L D o gs m o
R R r g A
R R r v g v
// //
// //
=
=
Penguatan menyeluruh dari sumber sinyal sampai beban:
( )
L D o m
sig G
G
v
sig in
in
v
R R r g
R R
R
A
R R
R
G
// //
+
=
+
=
Untuk menentukan resistansi keluaran penguat, v
sig
di-
set = 0. Jadi v
sig
dihubung singkat.
D o out
R r R // =
r
o
>> R
D
pengaruh r
o
dalam penguatan tegangan
sedikit berkurang dan adanya penurunan pada R
out

121
Gambar 43(c) Model sinyal kecil MOSFET yang
diterapkan langsung pada rangkaian yang memakai
simbol MOSFET.
122
Penguat Common-Source dengan Resistansi Source
Gambar 44(a) Penguat common source dengan
resistansi R
s
pada source
123
Gambar 44(b): Transistor diganti dengan rangkaian
pengganti model T

Untuk rangkaian yang mempunyai resistansi yang
terhubung source, rangkaian pengganti yang digunakan
adalah rangkaian pengganti model T, karena resistansi
source akan tampak seri dengan. 1/g
m


R
in
= R
i
= R
G

sig G
G
sig i
R R
R
v v
+
=
124
S m
i
S
m
m
i gs
R g
v
R
g
g
v v
+
=
+
=
1
1
1
Keuntungan menggunakan R
S
:
Harga R
S
dapat digunakan untuk mengendalikan
besaran sinyal v
gs
dan memastikan bahwa v
gs
tidak
terlalu besar.
Memperlebar bandwidth

R
S
berperan sebagai umpan balik negatif.

Kelemahan menggunakan R
S
: penurunan penguatan
tegangan.
S m
i m
S
m
i
d
R g
v g
R
g
v
i i
+
=
+
= =
1
1
R
S
mengurangi i
d
dengan faktor (1 + g
m
R
S
)
125
( )
( )
( )
( )
S m
L D m
sig G
G
V
S m
D m
vO L
S m
L D m
v
i
S m
L D m
L D d o
R g
R R g
R R
R
G
R g
R g
A R
R g
R R g
A
v
R g
R R g
R R i v
+ +
=
+
= =
+
=
+
=
=
1
//
1
1
//
1
//

//
R
S
mengurangi penguatan tegangan dengan faktor
(1+g
m
R
D
) source degeneration resistance

Penguatan dari gate ke drain adalah perbandingan
antara resistansi total pada drain, (R
D
//R
L
), dengan
resistansi total pada source [(1/g
m
) + R
S
]
126
Penguat Common-Gate
Gambar 45 (a) Rangkaian penguat common gate
127
Pada penguat Common-Gate (CG) gate dihubungkan ke
ground. Sinyal masukan dipasangkan di source dan
sinyal keluaran diambil dari drain, dan gate merupakan
terminal bersama masukan dan keluaran.

Gate dihubungkan ke ground:
tegangan ac dan dc sama dengan nol,
resistor R
\G
= 0

Kapasitor C
C1
dan C
C2
mempunyai fungsi yang sama
seperti pada penguat CS

Rangkaian pengganti untuk sinyal kecil menggunakan
model T. Model rangkaian pengganti ini dapat dilihat
pada gambar (b).

Pada rangkaian pengganti ini tidak ada r
o
.

Resistansi masukan:
m
in
g
R
1
=
128
Gambar 45(b) Rangkaian ekivalen sinyal kecil untuk
rangkaian pada gambar 45(a)

Karena rangkaian adalah unilateral: R
in
tidak tergantung
dari R
L
dan R
in
= R
i
.
Karena g
m
pada orde 1 mA/V, resistansi masukan dari
penguat CG relatif rendah (pada orde 1 k) dan jauh
lebih rendah dibandingkan dengan resistansi masukan
pada penguat CS.
Selanjutnya kehilangan sinyal yang cukup besar terjadi
pada coupling sinyal ke masukan penguat CG, karena
sig in
in
sig i
R R
R
v v
+
=
129
sig m
sig
sig
m
m
sig i
R g
v
R
g
g
v v
+
=
+
=
1
1
1
1
Untuk menjaga agar kehilangan kekuatan sinyal tetap
kecil, resistansi sinyal, R
sig
harus kecil.
( ) ( )
( )
D m vo
L D m v
i L D m L D d d o
i m i d
i m
m
i
in
i
i
m
sig
R g A
R R g A
v R R g R R i v v
v g i i i
v g
g
v
R
v
i
g
R
=
=
= = =
= = =
= = =
<<
//
// //
1
1
130
( )
D o out
sig m
L D m
v
sig m
v
v
sig
m
m
v
sig in
in
v
R R R
R g
R R g
G
R g
A
A
R
g
g
A
R R
R
G
= =
+
=
+
=
+
=
+
=
1
//
1
1
1
Penguat CG: non iverting
Resistansi masukan CG rendah
Penguatan tegangan penguat CG lebih kecil
dibandingkan CS dengan faktor (1 + g
m
R
sig
)

Perhatikan gambar (c):penguat CG dicatu dengan
sumber arus sinyal i
sig
yang mempunyai resistansi dalam
R
sig.
Ini adalah rangkaian ekivalen Norton dari sumber
sinyal yang dipakai pada gambar (a).
131
m
sig
sig
sig
in sig
sig
sig i
g
R
R
i
R R
R
i i
1
+
=
+
=
R
sig
>> 1/g
m
, jadi
sig i
i i ~
Gambar 45(c). Penguat common gate dicatu dengan
sinyal masukan
132
Rangkaian mempunyai resistansi masukan yang relatif
kecil, g
m
, ke sumber arus sinyal masukan, sehingga
menghasilkan peredaman sinyal yang sangat kecil
pada masukan. MOSFET akan menghasilkan kembali
arus ini pada terminal drain pada resistansi keluaran
yang lebih tinggi. Rangkaian berperan sebagai penguat
arus penguatan tunggal (unity-gain current amplifier)
atau current follower. Inilah pemakaian CG yang paling
populer yang dapat dipakai pada rangkaian cascode.

Penggunaan lainnya dari CG: memanfaatkan
kinerjanya pada frekuensi tinggi,
Resistansi masukan yang kecil dapat merupakan
keuntungan dalam pemakaian pada frekuensi sangat
tinggi, dimana hubungan sinyal masukan dapat
disamakan dengan sebuah saluran transmisi dan 1/g
m

resistansi masukan dari penguat CG dapat berfungsi
sebagai resistansi terminasi dari saluran transmisi.
133
Penguat Common-Drain atau Source-Follower

Input: antara gate dan drain
Output: antara source dan drain
Gambar 46(a) Penguat common drain atau source
follower

Karena drain berfungsi sebagai ground dari sinyal, maka
tidak ada R
D.
Sinyal masukan dihubungkan ke gate
MOSFET melalui C
C1
dan keluaran pada source
MOSFET dihubungkan ke resistor beban R
L
melalui C
C2
.
134
Karena R
L
terhubung seri dengan terminal source, maka
rangkaian pengganti model T yang digunakan, seperti
yang terlihat pada gambar 46(b)
sig i sig G
sig G
G
sig
sig in
in
sig i
G in
v v R R
R R
R
v
R R
R
v v
R R
~ >>
+
=
+
=
=
Gambar 46(b) Rangkaian pengganti sinyal kecil
135
( )
( )
m
o
o
vo
m
o L
o L
v
m
o L
o L
i o
g
r
r
A
g
r R
r R
A
g
r R
r R
v v
1
1
//
//
1
//
//
+
=
+
=
+
=
Biasanya r
o
>> 1/g
m
, sehingga penguatan tegangan
hubung terbuka dari gate ke source, A
vo
, hampir sama
dengan satu (unity). Jadi tegangan pada source
mengikuti tegangan pada gate. Oleh karena itu
rangkaian ini juga disebut source follower.
Pada rangkaian diskrit, r
o
>>R
L,
jadi:
m
L
L
V
g
R
R
A
1
+
~
136
Penguatan tegangan menyeluruh:
m
o L
o L
sig G
G
v
g
r R
r R
R R
R
G
1
//
//
+
+
=
G
v
mendekati satu untuk R
G
>>R
sig
, r
o
>>1/g
m
dan r
o
>>R
L

Gambar 46(c) analisis rangkaian yang dilakukan
langsung pada rangkaian source follower
137
Gambar 46(d) Rangkaian untuk menentukan resistansi
keluaran R
out

m
out m o
o
m
out
g
R g r
r
g
R
1
1
//
1
~ >>
=
138
Walaupun source-follower mempunyai umpan balik
dalam yang besar, R
in
tidak tergantung dari R
L
(R
i
= R
in
)
dan R
out
tidak tergantung dari R
sig
(R
o
= R
out
).

Kesimpulan:
Source follower mempunyai:
Resistansi masukan yang sangat besar
Resistansi keluaran yang relatif kecil
Penguatan yang mendekati satu
Dipakai sebagai unity-gain voltage buffer amplifier
yaitu menghubungkan sumber sinyal tegangan yang
mempunyai besaran yang cukup besar tetapi
mempunyai resistansi dalam yang sangat tinggi ke
resistansi beban yang rendah.
Dipakai sebagai tingkat keluaran pada penguat
bertingkat yang fungsinya memberikan penguat secara
keseluruhan resistansi keluaran yang rendah sehingga
memungkinkan untuk mencatu arus beban yang besar
tanpa menghilangkan penguatan.
139
Ringkasan dan Perbandingan Karakteristik Penguat
DIskrit MOS Satu Tingkat

Common Source
( )
( )
L D o m
sig G
G
v
D o out
L D o m v
G in
R R r g
R R
R
G
R r R
R R r g A
R R
// //
//
// //
+
=
=
=
=
140
Common Source dengan Resistansi Source
S m i
gs
S m
L D m
sig G
G
v
D out
S m
L D m
S
m
L D
v
G in
R g v
v
R g
R R g
R R
R
G
R R
R g
R R g
R
g
R R
A
R R
+
=
+ +
=
=
+
=
+
=
=
1
1
1
//
1
//
1
//
r
o
diabaikan:
141
Common Gate
( )
( )
L D m
sig m
v
D out
L D m v
m
in
R R g
R g
G
R R
R R g A
g
R
//
1
1
//
1
+
=
=
=
=
r
o
diabaikan:
142
Common-Drain atau Source Follower
m
L o
L o
sig G
G
v
m
o out
m
L o
L o
v
G in
g
R r
R r
R R
R
G
g
r R
g
R r
R r
A
R R
1
//
//
1
//
1
//
//
+
+
=
=
+
=
=
143
Kesimpulan:
1. Konfigurasi CS adalah konfigurasi yang
terbaik untuk mendapatkan penguatan yang
besar.
2. Dengan adanya R
S
pada source, CS
mendapatkan berbagai perbaikan, antara lain
penambahan lebar bidang frekuensi, tetapi
penguatannya akan berkurang
3. Penguat CG mempunyai resistansi masukan
yang kecil, kinerja yang baik sekali pada
frekuensi tinggi dan penguatan tunggal (unity
gain). Banyak dipakai pada penguat cascode.
4. Pemakaian source follower atau CD adalah
sebagai buffer tegangan yang menghubungkan
sumber dengan resistansi tinggi ke beban yang
mempunyai resistansi rendah dan sebagai
tingkat keluaran dari penguat bertingkat.

144
CMOS Digital Logic Inverter
Gambar 47 Inverter CMOS

Inverter CMOS terdiri dari 2 jenis MOSFET
enchancement yang matched, Q
N
dari jenis n dan Q
P

dari jenis p. Body dari masing-masing transistor
dihubungkan ke masing-masing source sehingga tidak
ada body-effect
145
Cara Kerja Rangkaian
Gambar 48 Cara kerja inverter CMOS jika v
i
tinggi
(a) Rangkaian dengan v
i
= V
DD
(level logika 1)
(b) Konstruksi grafis untuk menentukan titik kerja
(c) Rangkaian pengganti.
146
Gambar 48 menunjukkan keadaan ketika v
i
= V
DD
,
terlihat kurva karakteristik untuk Q
N
dengan v
GSN
= V
DD

(i
D
= i dan v
DSN
= v
O
.) Pada kurva karakteristik Q
N

ditumpangkan kurva beban, yaitu kurva i
D
v
SD
dari Q
P

untuk kasus v
SGP
= 0 V.
Karena v
SGP
< |V
t
|, kurva beban merupakan garis lurus
horizontal dengan level arus hampir nol. Titik kerja
adalah perpotongan antara kedua kurva. Terlihat bahwa
tegangan keluaran hampir nol ( < 10 mV) dan arus yang
melalui kedua divais juga hampir nol. Ini berarti disipasi
daya pada rangkaian kecil sekali (< 1 W)
Catatan: walaupun Q
N
bekerja dengan arus hampir nol
dan tegangan drain-source juga nol, titik kerja berada
pada segmen yang tajam pada kurva karakteristik i
D

v
DS
. Sehingga Q
N
menyediakan jalur beresistansi rendah
antara terminal keluaran dan ground. Besarnya
resistansi tersebut adalah
( )
(

|
.
|

\
|
=
tn DD
n
n DSN
V V
L
W
k r
'
1
Gambar 48(c) menunjukkan rangkaian ekivalen dari
inverter jika masukan tinggi.
v
O
V
OL
= 0 V dan disipasi daya = 0
147
Gambar 49 Cara kerja inverter CMOS jika v
i
rendah
(a) Rangkaian dengan v
i
= 0 V (level logika 0)
(b) Konstruksi grafis untuk menentukan titik kerja
(c) Rangkaian pengganti.
148
Gambar 49 menunjukkan keadaan ketika v
i
= 0 V.
Karakteristik i
D
v
DS
nya hampir merupakan garis lurus
horizontal dengan level arus hampir nol. Kurva beban
adalah karakteristik i
D
v
SD
dari divais kanal p dengan
v
SGP
= V
DD
. Terlihat pada gambar, pada itik kerja
tegangan keluaran hampir sama dengan V
DD
( 10 mV
lebih rendah dari V
DD
) dan arus yang melalui kedua
divais juga hampir nol. Ini berarti disipasi daya pada
rangkaian kecil sekali (< 1 W)
Di sini Q
P
menyediakan jalur beresistansi rendah antara
terminal keluaran dan catu dc V
DD
. Besarnya resistansi
tersebut adalah
( )
(
(

|
.
|

\
|
=
tp DD
p
p DSP
V V
L
W
k r
'
1
Gambar 49(c) menunjukkan rangkaian ekivalen dari
inverter jika masukan rendah.
v
O
V
OH
= V
DD
dan disipasi daya = 0

Q
N
disebut juga pull down divais karena dapat menarik
arus beban yang relatif besar, sehingga menarik
tegangan keluaran turun menuju nol
Q
P
disebut juga pull up divais karena dapat memberikan
arus beban yang relatif besar, sehingga menarik
tegangan keluaran naik menuju V
DD

149
Kesimpulan:
1.Tegangan keluaran adalah 0 dan V
DD
, jadi simpangan
sinyal maksimum noise margin yang lebar.
2. Disipasi daya statik untuk kedua keadaan sama
dengan nol
3. Ada jalur antara terminal keluaran dengan ground
(pada keadaan keluaran rendah) dan dengan V
DD
(pada
keadaan keluaran tinggi). Jalur beresistansi rendah ini
menjamin bahwa tegangan keluaran 0 V dan V
DD
tidak
tergantung harga perbandingan W/L atau parameter
divais lainnya. Resistansi keluaran yang rendah
membuat inverter kurang sensitif terhadap efek derau
dan gangguan lainnya.
4. Divais pull-up dan pull-down memberikan inverter
kemampuan driving yang tinggi pada kedua keadaan.
5. Resistansi masukan inverter adalah tidak terhingga (i
G

= 0). Jadi inverter dapat men-drive sejumlah inverter
sejenis tanpa berkurangnya level sinyal, tetapi akan
mempengaruhi kecepatan waktu perubahan (switching
time).
150
The Voltage Transfer Characteristic

Untuk Q
N

( ) | |
( ) untuk
untuk
2
'
2
1
2
2
1
'
tn I O tn I
n
n DN
tn I O O O tn I
n
n DN
V v v V v
L
W
k i
V v v v v V v
L
W
k i
>
|
.
|

\
|
=
s
|
.
|

\
|
=
Untuk Q
P

( )( ) ( ) | |
( ) untuk
untuk

2
'
2
1
2
2
1
'
tp I O tp I DD
p
p DP
tp I O
O DD O DD tp I DD
p
p DP
V v v V v V
L
W
k i
V v v
v V v V V v V
L
W
k i
s
|
.
|

\
|
=
>

|
.
|

\
|
=
Inverter CMOS biasanya dirancang untuk mempunyai
V
tn
= |V
tp
| = V
t
dan k
n

(W/L)
n
= k
p

(W/L)
p
.

151
Catatan:
p
= 0,3 0,5
n
, jadi untuk membuat k(W/L)
kedua divais sama, maka lebar divais kanal p dibuat
dua atau tiga kali lebar divais kanal n.
p
n
n
p
W
W

=
Dengan k(W/L) kedua divais sama maka inverter akan
mempunyai karakteristik transfer yang simetris dan
kemampuan current-driving yang sama untuk kedua arah
(pull-up dan pull-down)

Dengan Q
N
dan Q
P
matched, inverter CMOS
mempunyai VTC seperti pada gambar 50. Seperti yang
terlihat, kurva VTC mempunyai 5 segmen yang
berhubungan dengan kombinasi mode operasi yang
berbeda.dari Q
N
dan Q
P
.

Segmen BC: Q
N
dan Q
P
bekerja pada daerah jenuh.
Karena resistansi keluaran pada keadaan jenuh yang
terbatas diabaikan, maka inverter mempunyai penguatan
tidak terhingga pada segmen ini.
Dari sifat simetris, segmen vertikal terjadi pada v
I
= V
DD
/2
dan batas-batasnya adalah v
O
(B) = V
DD
/2 + V
t
dan v
O
(C)
= V
DD
/2 - V
t

152
Gambar 50. Voltage Transfer Characteristic dari
Inverter CMOS
153
Selain V
OL
dan V
OH
, ada dua titik lagi pada kurva yang
menentukan noise margin dari inverter, yaitu, V
IL
dan
V
IH
. Kedua titik ini didefinisikan sebagai titik di mana
penguatan sama dengan satu.

Untuk menentukan V
IH
: Q
N
pada daerah trioda dan Q
P

pada daerah jenuh.
( ) ( )
( ) ( )
( )
t DD IH
O IH I
DD
IH O
I O IH I
t I DD
I
O
O O
I
O
t I
t I DD O O t I
V V V
v V v
V
V v
dv dv V v
V v V
dv
dv
v v
dv
dv
V v
V v V v v V v
2 5
atas di persamaan dari dan
2
1 dan
8
1
2
2
1
2
2
1
=
=
=
= =
= +
=
V
IL
dapat ditentukan dengan cara yang sama, sehingga
diperoleh persamaan simetris:
( )
t DD IL
IL
DD DD
IH
V V V
V
V V
V
2 3
2 2
8
1
+ =
=
154
Noise margin dapat ditentukan sebagai berikut:
( )
( )
( )
( )
t DD
t DD
OL iL L
t DD
t DD DD
IH OH H
V V
V V
V V NM
V V
V V V
V V NM
2 3
0 2 3
2 3
2 5
8
1
8
1
8
1
8
1
+ =
+ =
=
+ =
=
=
Jadi, VTC yang simetris menghasilkan noise margin yang
sama.
Jika Q
N
dan Q
P
tidak matched, VTC tidak akan simetris
dan noise margin tidak akan sama.
155
Operasi dinamik

Kecepatan operasi sebuah sistem digital ditentukan oleh
waktu tunda propagasi dari gerbang logika yang
digunakan untuk membuat sistem tersebut.
Karena inverter adalah gerbang logika dasar dari
teknologi IC digital, waktu tunda propagasi inverter
merupakan parameter dasar dalam menentukan
karakteristik teknologi IC.
Gambar 51 Operasi dinamik dari inverter CMOS dengan
beban kapasitif
(a) rangkaian
(b) gelombang masukan dan keluaran
156
(c) Trayektori dari titik kerja bila input menuju level tinggi
dan kapasitor dikosongkan (discharge) melalui Q
N

(d) Rangkaian ekivalen selama kapasitor dikosongkan.


Pada gambar 51(a) kapasitor C merupakan jumlah
kapasitor dalam Q
N
dan Q
P
, kapasitor kawat
interkoneksi antara keluaran inverter dan masukan dari
gerbang logika lainnya dan kapasitor masukan total dari
beban ini.
Asumsikan inverter mempunyai masukan pulsa ideal
(waktu naik dan turun sama dengan nol) dan inverter
simetris.
157
Gambar 51(c) menunjukkan trayektori titik kerja pada
saat pulsa masukan naik dari V
OL
= 0 V ke V
OH
= V
DD

pada waktu t = 0.
Pada saat t = 0-, tegangan keluaran sama dengan V
DD
dan kapasitor terisi (charged) sampai tegangan V
DD
.
Pada t = 0, v
I
naik menuju V
DD
Q
P
off. Dari sini
rangkaian ekivalen seperti pada gambar 50(d) dengan
harga awal v
O
= V
DD
. Jadi titik kerja pada t = 0+ adalah
titik E, dimana Q
N
pada keadaan jenuh dan mengalirkan
arus yang besar. Ketika C dikosongkan, arus pada Q
N

tetap konstan sampai v
O
= V
DD
V
t
(titik F).
Sebutkan bagian selang pengosongan ini t
PHL1
:
( ) | |
( )
( )
2
'
2
1
2
'
2
1
1

t DD
n
n
t
t DD
n
n
t DD DD
PHL
V V
L
W
k
CV
V V
L
W
k
V V V C
t

|
.
|

\
|
=

|
.
|

\
|

=
Setelah titik F, Q
N
bekerja pada daerah trioda sehingga
arus sama dengan
( ) | |
2
2
1
'
O O tn I
n
n DN
v v V v
L
W
k i
|
.
|

\
|
=
158
Bagian selang pengosongan ini dapat dinyatakan sebagai:
O DN
Cdv dt i =
Ganti i
DN
dengan persamaan sebelumnya dan susun
kembali persamaan diferensial, diperoleh:
( )
( )
O O
t DD
O
t DD
n
n
v v
V V
dv
V V
dt
C
L
W
k

=
|
.
|

\
|
2
'
2
1
1
Untuk mendapatkan komponen waktu tunda t
PHL
pada
saat v
O
menurun dari (V
DD
V
t
) ke titik 50%, v
O
= V
DD
/2,
intregrasikan kedua sisi persamaan. Sebutlah
komponen waktu tunda ini t
PHL2
.
( )
( )
}
=
=

=
|
.
|

\
|
2
2
2
'
2
1
1 DD O
t DD O
V v
V V v
O O
t DD
O
t DD
PHL
n
n
v v
V V
dv
V V
t
C
L
W
k
Gunakan
|
.
|

\
|
=

}
ax x ax
dx 1
1 ln
2
159
Jadi:
( ) ( )
|
|
.
|

\
|

=
DD
t DD
t DD n n
PHL
V
V V
V V L W k
C
t
4 3
ln
'
2
Jumlahkan kedua komponen t
PHL
, maka diperoleh:
( ) ( )
(

|
|
.
|

\
|

+

=
DD
t DD
t DD
t
t DD n n
PHL
V
V V
V V
V
V V L W k
C
t
4 3
ln
2
2
1
'
Biasanya V
t
0,2 V
DD
. maka
( )
DD n n
PHL
V L W k
C
t
'
6 , 1
=
Dengan cara yang sama akan diperoleh t
PLH
:
( )
DD p p
PLH
V L W k
C
t
'
6 , 1
=
Waktu tunda propagasi sama dengan harga rata-rata
dari t
PHL
dan t
PLH

160
Untuk mendapatkan waktu tunda propagasi yang rendah,
yang berarti kecepatan operasi yang lebih tinggi:
-C harus minimum
-Gunakan parameter transkonduktansi proses k yang
lebih tinggi
-Perbandingan W/L dari transistor harus lebih besar
-V
DD
harus lebih tinggi.


Aliran arus dan disipasi daya
Gambar 52.Kurva arus-tegangan masukan pada inverter
CMOS
161
Pada saat inverter CMOS berpindah posisi, arus mengalir
melalui hubungan seri Q
N
dan Q
P
. Gambar 52
menunjukkan arus sebagai fungsi dari tegangan v
I
.
Arus mencapai puncaknya pada tegangan ambang
perpindahan (switching threshold), V
th
= v
I
= v
O
= V
DD
/2.
Arus ini menyebabkan disipasi daya dinamik dalam
inverter CMOS. Tetapi, komponen yang lebih penting dari
disipasi daya dinamik adalah dari arus yang mengalir
pada Q
N
dan Q
P
pada saat inverter diberi beban sebuah
kapasitor C.

Perhatikan gambar 51(a):
Pada t = 0-, v
O
= V
DD
dan energi yang tersimpan pada
kapasitor adalah V
DD
2
.
Pada t = 0, v
I
naik menuju V
DD
, Q
P
off dan Q
N
on.
Transistor Q
N
mengosongkan kapasitor, dan pada akhir
selang pengosongan, tegangan kapasitor akan berkurang
menuju nol. Jadi selama selang pengosongan, energi
V
DD
2

hilang dari kapasitor C dan didisipasikan pada
transistor Q
N
.
Pada setengah perioda lainnya ketika v
I
turun menuju
nol. Transistor Q
N
off dan Q
P
on dan mengisi kapasitor.
Arus yang dicatu oleh Q
P
pada C adalah i yang datang
dari catu daya V
DD
. Jadi energi yang diambil dari catu
daya selama perioda pengisian:
162
} }
= = Q V idt V idt V
DD DD DD
Q = muatan yang disuplai ke kapasitor.
Q = CV
DD

Jadi energi yang diambil dari catu daya sama dengan
CV
DD
2
. Pada akhir selang pengisian, tegangan kapasitor
akan menjadi V
DD
, jadi energi yang tersimpan pada
kapasitor menjadi CV
DD
2
Selama selang pengisian,
setengah energi yang diambil dari catu daya, CV
DD
2
,
didisipasikan pada Q
P
.
Dari penjelasan di atas terlihat pada setiap perioda
CV
DD
2
, didisipasikan pada Q
N
dan CV
DD
2

didisipasikan pada Q
P
.
Jika inverter berpindah kondisi dengan kecepatan f
siklus per detik, maka disipasi daya dinamik:
2
DD D
fCV P =
Frekuensi kerja berkaitan dengan waktu tunda propagasi.
Makin rendah waktu tunda propagasi, makin tinggi
frekuensi kerja rangkaian dan makin tinggi disipasi daya
pada rangkaian.
Salah satu nilai yang mengukur kualitas rangkaian adalah
delay-power product (DP)
163
DP = P
D
t
p
[joule]

DP biasanya konstan untuk rangkaian digital dengan
teknologi tertentu dan dapat dipakai untuk
membandingkan teknologi yang berbeda.
Makin kecil harga DP makin efektif teknologi yang
digunakan.
DP adalah energi yang didisipasikan pada satu siklus
kerja. Jadi untuk CMOS dimana hampir semua disipasi
daya adalah dinamik, DP = CV
DD
2
.


164
Ringkasan karakteristik penting dari sebuah inverter
logika CMOS

Resistansi keluaran gerbang
Ketika v
O
rendah
( )
(

|
.
|

\
|
=
tn DD
n
n DSN
V V
L
W
k r
'
1
Ketika v
O
tinggi
( )
(
(

|
.
|

\
|
=
tp DD
p
p DSP
V V
L
W
k r
'
1
Tegangan ambang gerbang
Titik pada VTC dimana v
I
= v
O

( )
( )
( )
n n
p p
tn tp DD
th
L W k
L W k
r
r
V V V r
V
'
'
1
=
+
+
=
165
Arus perpindahan dan daya disipasi
2
2
'
2
1
2
DD D
tn
DD
n
n peak
fCV P
V
V
L
W
k I
=
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
=
Noise margin
Untuk divais yang matched, yaitu
p
p
n
n
L
W
L
W
|
.
|

\
|
=
|
.
|

\
|

( )
( )
( )
t DD L H
t DD IH
t DD IL
DD th
V V NM NM
V V V
V V V
V V
2 3
2 5
2 3
2
8
1
8
1
8
1
+ = =
=
+ =
=
Waktu tunda propagasi
Untuk V
t
0,2 V
DD

( )
( )
DD p p
PLH
DD n n
PHL
V L W k
C
t
V L W k
C
t
'
'
6 , 1
6 , 1
~
~
166
MOSFET Jenis Depletion
Gambar 53(a):Lambang MOSFET jenis depletion
Gambar 53(b) Lambang MOSFET jenis depletion
dengan substrate terhubung ke source
167
MOSFET Jenis Depletion

MOSFET jenis depletion mempunyai struktur yang
mirip dengan jenis enchancement dengan satu
perbedaan utama yaitu MOSFET jenis depletion
mempunyai kanal yang secara fisik dibuat pada
substrate, Jadi tidak perlu menginduksi kanal, artinya
tanpa ada v
GS
, arus i
D
akan mengalir jika ada v
DS
.

Kedalaman kanal dan konduktivitasnya dapat
dikendalikan oleh v
GS
. Jika v
GS
positif, kanal akan
semakin kuat dengan menarik elektron lebih banyak,
jika v
GS
negatif, kanal akan semakin dangkal dan
konduktivitasnya menurun.

Tegangan v
GS
negatif mengurangi (deplete) pembawa
muatan pada kanal dan mode ini disebut depletion
mode.

Semakin negatif v
GS
, semakin berkurang pembawa
muatan pada kanal, sehingga mencapai harga dimana
kanal kehabisan semua pembawa muatannya dan i
D

sama dengan nol walaupun v
DS
tetap ada. Harga ini
adalah harga tegangan ambang untuk MOSFET kanal
n jenis deplesi.
168
MOSFET jenis depletion dapat bekerja dalam mode
enchancement dengan memasangkan tegangan v
GS

positif dan dalam mode depletion dengan
memasangkan v
GS
negatif. Karakteristik i
D
v
DS
nya
mirip dengan karakteristik i
D
v
DS
hanya kanal n jenis
depletion mempunyai V
t
negatif.
Gambar 54(a) Transistor dengan polaritas arus dan
tegangan seperti yang tertera
169
Gambar 54(b) karakteristik i
D
v
DS

170
Gambar 54(c) i
D
v
DS
pada keadaan jenuh baik dalam
mode kerja depletion dan enchancement.

Gambar 54(b) adalah karakteristik i
D
v
DS
dari MOSFET
kanal n jenis depletion dengan V
t
= - 4 V dan k
n
(W/L)
= 2 mA/V
2
.

MOSFET jenis depletion akan bekerja:
di daerah trioda selama tegangan drain tidak melebihi
tegangan gate sebanyak paling sedikit |V
t
|
di daerah jenuh jika tegangan drain lebih tinggi dari
tegangan gate sebanyak paling sedikit |Vt|

171
Gambar 54(c) menunjukkan karakteristik i
D
v
DS
pada
keadaan jenuh baik dalam mode kerja depletion dan
enchancement.

Karakteristik arus tegangan dari MOSFET jenis
depletion sama seperti karakteristik MOSFET jenis
enchancement, hanya untuk MOSFET kanal n jenis
depletion V
t
negatif. Dan harga I
D
mencapai jenuh pada
v
GS
= 0
2 '
2
1
t n DSS
V
L
W
k I =
MOSFET jenis depletion dapat dibuat pada chip yang
sama seperti divais jenis enchancement.

Transistor PMOS jenis depletion mempunyai cara kerja
seperti NMOS hanya saja semua tegangannya
mempunyai polaritas yang berlawanan dengan tegangan
pada NMOS. Dan pada divais kanal p arus mengalir
dari source ke drain.
172
Gambar 55 Level tegangan relatif pada terminal
transistor NMOS jenis depletion
173
Gambar 56. Sketsa karakteristik i
D
v
DS
untuk transistor
MOSFET jenis depletion dan enhancement