Anda di halaman 1dari 17

1. JUDUL PRAKTIKUM Karakteristik FET (Field Effect Transistor). 2. TUJUAN PRAKTIKUM Mempelajari sifat-sifat dari FET. 3.

ALAT DAN KOMPONEN 2.1 Modul BEE 422C 2.2 Power Supply 2.3 Multimeter 4. DESKRIPSI FET merupakan salah satu peralatan semikonduktor yang memiliki tiga terminal. Seperti halnya pada transistor bipolar yang memungkinkan sinyal kecil (baik tegangan maupun arus) untuk membangkitkan atau mengendalikan sinyal besar pada output. Pada transistor bipolar yang menjadi pengendali adalah arus yang diberikan pada basis transistor. Hal ini pun sama pada FET. Tapi apakah semua FET akan sama seperti itu, hal inilah yang membedakan FET dengan transistor bipolar, FET dikendalikan oleh sinyal tegangan pada gate, tanpa arus yang mengalir pada gate (selain daripada kebocoran kecil dan mungkin arus kapasitansi). Namanama terminal pada transistor bipolar tidak sama dengan FET, jadi digunakan istilah lain. Adapun hubungan antara terminal FET dan bipolar adalah: FET Source Gate Drain Bipolar Emiter Basis Kolektor

Perbedaan gambar dan terminal-terminal yang ada pada FET dan transistor

diperlihatkan pada gambar di bawah ini :


D C B S E

Gambar 4.1 Field Effect Transistor (FET) adalah komponen semikonduktor yang bekerja berdasarkan pada pengendalian arus oleh medan listrik . Berbeda dengan transistor biasa, FET beroperasi tergantung pada aliran pembawa atau elektron-elektron bebas. Resistansi input FET tinggi silang dan tingkat desahnya rendah.
PEN G U RAS

mayoritas

bahkan MOSFET

resistansinya cukup tinggi. Pada frekuensi tinggi tidak menimbulkan modulasi

G ER BAN G
n
S iO 2

SUBSTR AT

SUM BER

Gambar 4.2 Mosfet Tipe Pengosongan Gambar 4.2 memperlihatkan FET saluran-n, sekeping bahan n penghantar dengan daerah p di sebelah kanan dan gerbang terisolasi di sebelah kiri. Electron bebas dapat mengalir dari sumber ke penguras melalui bahan n. daerah p disebut substrat. Secara fisik daerah ini mengurangi jalur penghantar menjadi saluran yang sempit. Electron yang mengalir dari sumber ke penguras harus melalui saluran yang sempit ini. Lapisan tipis silicon dioksida (SiO 2) ditempelkan pada sisi kiri saluran. Silikon dioksida sama seperti kaca, yang merupakan isolator (penyekat).

PEN G UR AS
n

G ER BAN G
n
G G

VDD

SU M BER

Gambar 4.3 Ragam Pengosongan Gambar 4.3 memperlihatkan sebuah FET dengan gerbang negative. Catu VDD memaksa electron bebas mengalir dari sumber ke penguras. Electron-elektron ini mengalir melalui saluran yang sempit pada sisi kiri dari substrat p. karena perilaku gerbang negatif tergantung pada pengosongan saluran dari elektron-elektron bebas, maka kita dapat menyebut operasi gerbang negatif sebagai ragam pengosongan. Tegangan gerbang positif menaikkan jumlah electron bebas yang mengalir melalui saluran. Makin positif tegangan gerbang, makin besar hantaran dari sumber ke penguras. Operasi FET dengan tegangan positif tergantung pada peningkatan konduktivitas saluran. Itulah sebabnya, operasi gerbang positif (gambar 3.3 b) disebut ragam peningkatan.
PEN G U R AS
n

G ER BAN G
n
G G

VDD

SUM BER

Gambar 4.4 Ragam Peningkatan Gambar 4.4 memperlihatkan lengkungan penguras khas untuk FET saluran-n, bersama-sama dengan garis beban dc untuk rangkaian sumber-sekutu.

Lengkungan yang di atas mempunyai VGS positif dan lengkungan di baeah mempunyai VGS negatif. Lengkungan penguras yang paling bawah adalah untuk VGS = VGS (put). Sepanjang lengkungan ini, arus penguras mendekati nol. Bila VGS ada diantara VGS
(put)

dan nol, maka kita akan mendapatkan operasi ragam

pengosongan. Sebaliknya, harg VGS yang lebih besar daripada nol memberikan operasi ragam peningkatan.
: Ada 2

tipe transistor yang ada yaitu

BJT (Bipolar Junction Transistor ) / Transistor bipolar (dwikutub) FET (Field Effect Transistor ) / Transistor Unipolar ( Tr.efek medan) Perbedaan utama antara JFET dengan BJT adalah apabila pada JFET

gerbang dibias mundur sedangkan pada BJT basis dibias maju. Hal ini berarti arus keluaran pada JFET dikendalikan oleh tegangan gerbang (VGS), sedangkan pada BJT arus keluaran dikendalikan oleh arus basis (Ib). Berdasarkan pembawa muatan mayoritasnya, JFET di bagi menjadi 2 tipe, yaitu: tipe n dan tipe p.

Table Perbandingan JFET Tipe-n dan Tipe-p

No

Keterangan

Kanal-n

Kanal-p

1.

Simbol

Kurva 2. Karakteristi k 3. Rumus Id

4.

Kurva Traser

5.

Mode Operasi

Depletion

5. PERCOBAAN Percobaan 1 Karakteristik DC dari JFET Tipe N 1. Aturlah kedua pengontrol berlawanan dengan jarum jam (pada set minimum) 2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1. Periksa kembali bahwa pengontrol benar benar dalam keadaan minimum, kemudian hidupkan switch pada posisi ON.

Gambar 1. Rangkaian JFET tipe N 3. Siapkan tabel seperti pada Gambar 2

Gambar 2. Data hasil percobaan JFET tipe N 1. Buat VGS pada posisi 0 V, aturlah VDS pada 0 V; 0,5 V; 1 V; 2 V; 5 V; 8V; 10 V untuk setiap percobaannya. 2. Untuk setiap harga VDS tadi amati dan catatlah harga ID. 3. Ulangi percobaan ini dengan harga VGS seperti pada gambar (tabel) 2. 4. Buatlah tabel dari hasil yang didapat seperti yang ditunjukkan pada gambar 3 dan gambarkan pula ID terhadap VGS untuk harga VDS = 10 V. 5. Hubungkan amperemeter pada skala A secara seri pada gate. Ukurlah arus yang melalui gate pada percobaan tersebut.

Percobaan 2 Karakteristik DC dari JFET tipe P Percobaan ini hampir sama dengan percobaan 1, tetapi polaritasnya yang diubah, perhatikan gambar 5.

Gambar 5. Rangkaian JFET tipe P Percobaan 3 Karakteristik DC pada MOSFET tipe N Percobaan ini menyerupai percobaan 1, tetapi kali ini gate dan drain memerlukan tegangan yang positif dari sumber, perhatikan gambar 6. Catat dan buatlah tabel seperti gambar 7.

Gambar 6. Rangkaian MOSFET tipe N

Gambar 7. Data hasil percobaan MOSFET tipe N Sebagai contoh bahwa hasil yang didapatkan akan berbeda dengan percobaan 1. Dalam hal ini tidak terdapat arus yang mengalir sehingga tegangan positif terdapat pada gate. Sebuah MOSFET dirancang hingga arus tidak mengalir sampai tegangan positif terdapat pada gate. Hal ini yang disebut dengan Enhancement Type. Terdapat pula MOSFET dengan Depletion Type dimana dioperasikan dengan potensial yang bervariasi pada gate termasuk harga harga yang mendekati nol. Arus gate pada MOSFET lebih stabil daripada arus bias pada JFET, kemudian bila sebelumnya masih terdapat arus bocor gate, tapi kali ini tidak terdapat lagi.

6. DATA HASIL PERCOBAAN Vgs (V) 0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3 0 0,5 0,05 0,04 0,02 0 0 0 0,5 2,74 2,1 1,34 0,55 0,03 0 0 1 4,68 2,8 1,88 0,72 0,04 0 0 Vds (V) 2 6,98 4 2,2 0,82 0,06 0 0 5 7,92 4,45 2.42 0,93 0,08 0,01 0,01 8 8,1 4,6 2,52 1 0,10 0,02 0,02 10 8,15 4.64 2,56 1,02 0,11 0,02 0,02

Tabel Data Hasil Percobaan JFET tipe N 7. PENGOLAHAN DATA Untuk Vds = 0 Gm1 = Gm2 = Gm3 = Gm4 = Gm5 = Gm6 =
I D 0,5 0,05 0,45 = = = 0,9 Vgs 0 ( 0,5) 0,5 I D 0,05 0,04 0,01 = = = 0,02 Vgs 0,5 ( 1) 0,5 I D 0,04 0,02 0,02 = = = 0,04 Vgs 1 ( 1,5) 0,5 I D 0,02 0 0,02 = = = 0,04 Vgs 1,5 ( 2 ) 0,5 I D 0 0 0 = = =0 Vgs 2 ( 2,5) 0,5 I D 0 0 0 = = =0 Vgs 2,5 ( 3) 0,5

Untuk Vds = 0,5 Gm1 =


I D 2,74 2,1 0,64 = = = 1,28 Vgs 0 ( 0,5) 0,5

Gm2 = Gm3 = Gm4 = Gm5 = Gm6 =

I D 2,1 1,34 0,76 = = = 1,52 Vgs 0,5 ( 1) 0,5 I D 1,34 0,55 0,79 = = = 1,58 ( ) Vgs 1 1,5 0,5 I D 0,55 0,03 0,22 = = = 0,44 Vgs 1,5 ( 2 ) 0,5 I D 0,03 0 0,03 = = = 0,06 Vgs 2 ( 2,5) 0,5 I D 0 0 0 = = =0 Vgs 2,5 ( 3) 0,5

Untuk Vds = 1 Gm1 = Gm2 = Gm3 = Gm4 = Gm5 = Gm6 =


I D 4,68 2,8 1,88 = = = 3,76 Vgs 0 ( 0,5) 0,5 I D 2,8 1,88 0,92 = = = 1,84 Vgs 0,5 ( 1) 0,5 ID 1,88 0,72 1,16 = = = 2,32 Vgs 1 ( 1,5) 0,5 I D 0,72 0,04 0,68 = = = 1,36 Vgs 1,5 ( 2 ) 0,5 I D 0,04 0 0,04 = = = 0,08 Vgs 2 ( 2,5) 0,5 I D 0 0 0 = = =0 Vgs 2,5 ( 3) 0,5

Untuk Vds = 2 Gm1 = Gm2 =


I D 6,98 4 2,98 = = = 5,96 Vgs 0 ( 0,5) 0,5 I D 4 2,2 1,8 = = = 3,6 Vgs 0,5 ( 1) 0,5

Gm3 = Gm4 = Gm5 = Gm6 =

I D 2,2 0,82 1,38 = = = 2,76 Vgs 1 ( 1,5) 0,5 I D 0,82 0,06 0,76 = = = 1,52 ( ) Vgs 1,5 2 0,5 I D 0,06 0 0,06 = = = 0,12 Vgs 2 ( 2,5) 0,5 I D 0 0 0 = = =0 Vgs 2,5 ( 3) 0,5

Untuk Vds = 5 Gm1 = Gm2 = Gm3 = Gm4 = Gm5 = Gm6 =


I D 7,92 4,45 3,47 = = = 6,94 Vgs 0 ( 0,5) 0,5 I D 4,45 2,42 2,03 = = = 4,06 Vgs 0,5 ( 1) 0,5 ID 2,42 0,93 1,49 = = = 2,98 Vgs 1 ( 1,5) 0,5 I D 0,93 0,08 0,85 = = = 1,7 Vgs 1,5 ( 2 ) 0,5 I D 0,08 0,01 0,07 = = = 0,14 Vgs 2 ( 2,5) 0,5 I D 0,01 0,01 0 = = =0 Vgs 2,5 ( 3) 0,5

Untuk Vds = 8 Gm1 = Gm2 = Gm3 =


I D 8 4,6 3,4 = = = 6,8 Vgs 0 ( 0,5) 0,5 I D 4,6 2,52 2,08 = = = 4,16 Vgs 0,5 ( 1) 0,5 ID 2,52 1 1,52 = = = 3,04 Vgs 1 ( 1,5) 0,5

Gm4 = Gm5 = Gm6 =

I D 1 0,1 0,9 = = = 1,8 Vgs 1,5 ( 2 ) 0,5 I D 0,1 0,02 0,08 = = = 0,16 ( ) Vgs 2 2,5 0,5 I D 0,02 0,02 0 = = =0 Vgs 2,5 ( 3) 0,5

Untuk Vds = 10 Gm1 = Gm2 = Gm3 = Gm4 = Gm5 =


ID 8,15 4,64 3,51 = = = 7,02 Vgs 0 ( 0,5) 0,5 I D 4,64 2,56 2,08 = = = 4,16 Vgs 0,5 ( 1) 0,5 ID 2,56 1,02 1,54 = = = 3,08 Vgs 1 ( 1,5) 0,5 I D 1,02 0,11 0,91 = = = 1,82 Vgs 1,5 ( 2 ) 0,5 I D 0,11 0,02 0,09 = = = 0,18 Vgs 2 ( 2,5) 0,5 I D 0,02 0,02 0 = = =0 Vgs 2,5 ( 3) 0,5

GmM6 =

8. TUGAS DAN JAWABAN PERTANYAAN 1. Aplikasi JFET dalam kehidupan sehari-hari! Aplikasi JFET dalam kehidupan sehari-hari sebagai penguat regulator (penyupply tegangan) pada televisi. JFET juga dapat digunakan sebagai JFET Tester. 2. Manfaat penggunaan MOSFET dalam kehidupan sehari-hari! a. Sebagai UPS (Uninterruptible Power Supply).

b. Sistem pengendali daya/motor-motor besar di bidang industri. c. Sebagai penguat amplifier pada televisi. d. Pada power amplifier sebagai penguat sinyal keluar untuk audio. e. Sebagai penstabil tegangan pada unverter (dari DC menjadi AC). 9. ANALISA PERCOBAAN Pada percobaan ini, alat-alat yang digunakan adalah multimeter yang terdiri dari amperemeter untuk mengukur arus listrik yang mengalir pada rangkaian dan voltmeter untuk mengukur tegangannya. Power supply berfungsi sebagai piranti elektronoika yang mengubah tegangan AC menjadi tegangan DC yang nilainya dapat ditentukan dengan batas-batas yang akan dipakai. Modul BEE 422C sebagai alat pelengkap untuk pembentuk rangkaian. Dari grafik dan data percobaan JFET tipe N, kita dapat menyimpulkan apabila Vds tetap, nilai Id akan besar, dan nilai Vgs juga semakin besar. Begitu juga, jika nilai Vgs yang tetap, maka nilai Id dan Vds akan bertambah besar. Dari data hasil percobaan, nilai Id yang paling besar saat Vds = 10 V, Vgs = 0 V dengan nilai Id = 8,15 dan yangt terkecil saat Vds = 0 V, Vgs = -2 V, -2,5 V, -3 V dengan nilai 0, tetapi saat Vds = 0,5 V,1 V dan 2 V, nilai Id juga 0. dari pengolahan data yang dicari, semakin besar Id yang didapat dan Vgs positif, maka nilai transkonduktansinya akan bernilai positif. 10. KESIMPULAN Kesimpulan dari percobaan FET (Field Effect Transistor), yaitu : a. FET dikendalikan oleh sinyal tegangan pada gate, tanpa arus yang mengalir pada gate. b. FET merupakan salah satu peralatan semikonduktor yang memiliki tiga terminal, yaitu source, gate dan drain. c. Berdasarkan pembawa mayoritasnya JFET dibagi menjadi tipe N dan tipe P. d. Perbedaan utama antara JFET dengan BJT adalah apabila pada JFET gerbang

dibias mundur sedangkan pada BJT basis dibias maju. Hal ini berarti arus keluaran pada JFET dikendalikan oleh tegangan gerbang (VGS), sedangkan pada BJT arus keluaran dikendalikan oleh arus basis (Ib). e. Karakterristik DC pada MOSFET tipe N digunakan sebagai switching. f. Karakteristik DC dari JFET tipe P digunakan sebagai penguat.

11. LAMPIRAN GRAFIK

12. LAMPIRAN GAMBAR ALAT

Gambar 1. Multimeter

Gambar 2. Modul BEE 422C

Gambar 3. Power Supply 13. DAFTAR PUSTAKA

http://en.wikipedia.org http://theproxy.us/index.php Malvino, Albert Paul. 1985. Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta : Erlangga. Millman, Jacob. 2000. Mikro Elektronika. Jakarta : Erlangga. Tim DE & RL. 2007. Modul Praktikum Dasar Elektronika. Jurusan Teknik Elektro, Universitas Sriwijaya.