LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA DASAR 2

Karakteristik V I Semikonduktor
Nama NPM Fakultas Departemen Kode Praktikum Tanggal Praktikum : Desak Putu Dewi Chrisnanda Indrayuni : 1206262544 : Teknik : Metalurgi dan Material : LR-03 : 3 September 2013

Universitas Indonesia

I.

Tujuan
Mempelajari hubungan antara beda potensial (V) dan arus listrik (I) pada suatu semikonduktor.

II.

Peralatan
peralatan yang digunakan dalam percobaan ini antara lain: 1. Bahan semikonduktor 2. Amperemeter 3. Voltmeter 4. Variable power supply 5. Camcorder 6. Unit PC 7. DAQ dan perangkat pengendali otomatis

III.

Teori

Semikonduktor adalah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di antara isolator dan konduktor dan sering disebut sebagai bahan setengah penghantar listrik. Semikonduktor bersifar isolator pada saat temperatur yang sangat rendah, dan pada temperatur ruangan dapat bersifat konduktor. Bahan semikonduktor yang sering digunakan adalah silikon, germanium, dan gallium arsenide. Ada dua jenis semikonduktor yaitu intristik dan ekstrinsik. Untuk kelompok eksterinsik terdapat dua jenis atau tipe semikonduktor yaitu semikonduktor tipe-p dan semikonduktor tipe-n. Bahan semikonduktor yang banyak dipelajari dan secara luas telah dipakai adalah bahan silikon. Material semikonduktor, seperti juga material-material lainnya terdiri atas atom-atom yang berukuran sangat kecil. Atom-atom ini terdiri atas nukleus (inti) yang dikelilingi oleh sejumlah elektron. Nukleus sendiri terdiri atas neutron dan proton. Proton bermuatan positif, elektron bermuatan negatif, sedangkan neutron netral. Elektron - elektron yang mengelilingi nukleus ini tersebar pada beberapa

lapisan kulit dengan jarak tertentu dari nukleus, dimana energinya semakin meningkat seiring dengan meningkatnya jarak dari setiap lapisan kulit terhadap nukleus. Elektron pada lapisan terluar disebut elektron valensi. Aktifitas kimiawi dari sebuah unsur terutama ditentukan oleh jumlah elektron valensi ini. Unsur-unsur pada tabel periodik telah disusun sedemikian rupa berdasarkan jumlah elektron valensinya. Silikon (Si) dan Germanium (Ge) berada pada Grup IV karena memiliki empat elektron valensi pada kulit terluarnya, sehingga disebut juga semikonduktor dasar (elemental semiconductor). Sedangkan Gallium Arsenik (GaAs) masing-masing berada pada Grup III dan V, sehingga dinamakan semikonduktor gabungan (compound semiconductor). Sebuah bahan material bila dilewati oleh arus listrik akan menimbulkan disipasi panas. Besarnya disipasi panas adalah I2R. Panas yang dihasilkan oleh material ini akan mengakibatkan perubahan hambatan material tersebut. Jika pada material semi konduktor , pertambahan kalor / panas akan mengurangi nilai hambatan material tersebut. Peristiwa dispasi panas dan perubahan resistansi bahan semi konduktor ini saling berkaitan.

IV. Cara Kerja

Percobaan LR-03 dilakukan dengan sistem rLab hal ini dapat dilakukan dengan cara masuk ke web http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory kemudian masuk ke jadwal yang sudah ada lalu klik LR-03 yaitu karakteristik VI semikonduktor lalu terdapat link untuk masuk ke web rlab. Percobaan ini menggunakan sistem rLab dengan prosedur yaitu sebagai berikut: 1. Memperhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor. 2. Memberikan beda potensial dengan member tegangan V1. 3. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di sebelahnya. 4. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan. 5. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8. Catatan : data yang diperoleh adalah 5 buah data terakhir jika rangkaian diberi beda potensial tertentu ( misalkan V1) dengan interval 1 detik antara data ke satu dengan data berikutnya.

V.
Percobaan

Data Percobaan
Berdasarkan percobaanyang telah dilakukan, maka didapatkan data hasil percobaan. Data yang ditampilkan berupa tabel tegangan dan Arus.
V(volt) 0.12 0.12 0.12 0.13 0.13 I(Ma) 0.98 0.98 1.30 0.98 0.98

v1

v2

v3

v4

v5

v6

v7

v8

0.85 0.85 0.85 0.85 0.85 1.40 1.39 1.39 1.39 1.39 1.87 1.87 1.87 1.87 1.86 2.20 2.20 2.20 2.20 2.20 2.75 2.75 2.76 2.75 2.76 3.10 3.07 3.05 3.14 3.14 3.62 3.61 3.60 3.59 3.59

6.84 6.84 6.84 6.84 6.84 11.08 11.40 11.40 11.40 11.40 15.31 15.31 14.99 15.31 15.31 18.25 18.25 18.25 18.57 18.57 23.79 23.79 24.44 24.76 24.76 27.37 28.02 27.70 28.67 28.67 33.89 34.54 34.86 35.52 35.84

Berdasarkan data pada tabel tersebut, dapat diketahui bahwa arus berubah semakin besar pada saat tegangan diperbesar.

VI.

Pengolahan Data
Rata-rata beda potensial yang terukur tiap pengukuran: Rata-rata V1 = 0,12 + 0,12 + 0,12 + 0,13 + 0,13 / 5 = 0,124 V Rata-rata V2 = 0,85 + 0,85 + 0,85 + 0,85 + 0,85 / 5 = 0,85 V

Rata-rata V3 = 1,3 + 1,3 + 1,3 +1,3 + 1,3 / 5 = 6,5/5 = 1,3 V Rata-rata V4 = 1,87 + 1,87 + 1,87 +1,87 + 1,86 / 5 = 9,34/5 = 1,868 V Rata-rata V5 = 2,27 + 2,26 + 2,27 + 2,26 + 2,26 / 5 = 11,32/5 = 2,264 V Rata-rata V6 = 2,84 + 2,84 + 2,84 + 2,83 + 2,83 / 5 = 14,18/5 = 2,836 V Rata-rata V7 = 3,09 + 3,08 + 3,08 + 3,08 + 3,07 / 5 = 15,4/5 = 3,08 V Rata-rata V8 = 3,60 + 3,59 + 3,58 + 3,58 + 3,57 / 5 = 17,92/5 = 3,584 V Besar beda potensial rata ratanya: Rata-rata V = 0,36 + 0,91 + 1,3 + 1,868 + 2,264 + 2,836 + 3,08 + 3,584 = 16,202 / 8 = 2,02525 V Rata-rata arus yang terukur tiap pengukuran: Rata-rata I1 = 3,26 + 2,93 + 2,93 + 2,93 +2,93 = 14,98 / 5 = 2,996 mA Rata-rata I2 = 7,49 + 7,49 +7,49 + 7,49 +7,49 = 37,45 / 5 = 7,49 mA Rata-rata I3 = 10,75 + 10,75 + 10,75 + 10,75 +10,75 = 53,75 / 5 = 10,75 mA Rata-rata I4 = 15,64 + 15,97 + 15,97 + 15,97 +16,29 = 79,84 / 5 = 15,968 mA Rata-rata I5 = 19,88 + 19,88 + 19,88 + 20,20 +20,20 = 100,04 / 5 = 20,008 mA Rata-rata I6 = 26,39 + 26,39 + 26,39 + 26,72 +27,04 = 132,93 / 5 = 26,586 mA Rata-rata I7 = 29,33 + 29,33 + 29,33 + 29,65 +30,30 = 147,94 / 5 = 29,588 mA Rata-rata I8 = 35,52 + 36,17 + 36,82 + 37,15 + 37,80 = 183,46 / 5 = 36,692 mA Besar arus rata ratanya: Rata-rata I = 2,996 + 7,49 + 10,75 + 15,968 + 20,008 + 26,586 + 29,588 + 36,692 = 150,078 / 8 = 18,75975 mA Nilai hambatan yang didapat: R =V/I = 2, 02525 V / 18,75975 Ma = 0,10795 k

VII. Grafik hubungan V vs I

V=RI Y = mx + b X (I) 2,99 7,49 Y (V) 0,36 0,91 X2 8,97 56,10 Y2 0,12 0,82 XY 1,07 6,81

10,75 15,96 20,00 26,58 29,58 36,69 150,07

1,3 1,86 2,26 2,83 3,08 3,58 16,20

115,56 254,97 400,32 706,81 875.44 1338,68 3765,88

1,69 3,48 5,12 8,04 9,48 12,84 41,63

13,97 29,68 45,2 75,22 91,10 131,35 394,4

m = n x1y1 (x) (y) / n x2 (x)2 = 724,07 / 7534,04 = 0,096

b = x2 y - (x) (xy) / n x2 (x)2 = 1673,85 / 7534,04 = 0,222

40 35 30 25 20 15 10 5 0 1

Grafik V vs I
Y = 0,096 x + 0,222

VIII. Analisa
Analisa terdiri dari analisa percobaan, analisa data, analisa grafik dan analisa hasil Analisa percobaan Percobaan ini dilakukan dengan tujuan mempelajari hubungan anatar beda potensial (v) dan arus listrik (I) pada suatu semikonduktor. Pemberian tegangan yang berbeda-beda dapat menimbulkan perbedaan arus yang melewati semikonduktor. Percobaan ini menggunakan sistem rlab. Pada percobaan ini, dibutuhkan perangkat kendali percobaan berupa komputer yang terhubung ke jaringan internet.

Praktikan mengaktifkan webcam lalu mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan. Setelah mendapatkan semua data tersebut, praktikan akan mencari berapa nilai dari hambatan yang digunakan pada percobaan tersebut. Namun, pada saat percobaan video tidak bisa diaktifkan sehingga praktikan tidak dapat mengontrol besarnya beda potensial yang akan terukur. Pada percobaan ini, digunakan delapan tegangan yang berbeda dan dilakukan pengukuran arus lima kali pada setiap tegangan. Kelima nilai arus listrik yang didapatkan kemudian didapatkan nilai rata-rata arus. Arus rata-rata yang dieroleh kemudian diinput ke dalam grafik arus terhadap tegangan. Analisa Data dan Hasil Data yang saya dapat dari percobaan yang saya lakukan adalah sebagai berikut:
V(volt) 0.85 0.85 0.85 0.85 0.85 0.12 0.12 0.12 0.13 0.13 1.40 1.39 1.39 1.39 1.39 1.87 1.87 1.87 1.87 1.86 2.20 2.20 2.20 2.20 2.20 2.75 I(Ma) 6.84 6.84 6.84 6.84 6.84 0.98 0.98 1.30 0.98 0.98 11.08 11.40 11.40 11.40 11.40 15.31 15.31 14.99 15.31 15.31 18.25 18.25 18.25 18.57 18.57 23.79

Percobaan

v1

v2

v3

v4

v5

v6

v7

v8

2.75 2.76 2.75 2.76 3.10 3.07 3.05 3.14 3.14 3.62 3.61 3.60 3.59 3.59

23.79 24.44 24.76 24.76 27.37 28.02 27.70 28.67 28.67 33.89 34.54 34.86 35.52 35.84

Berdasarkan data yang didapatkan, dapat diketahui bahwa semakin besar tegangan yang diberikan, arus semakin besar. Naiknya tegangan mengakibatkan naiknya suhu. Hasil yang diatas diperoleh daari besar hambatan semikonduktor dengan memasukkan ke dalam persammaan hukum ohm. Hukum ohm adalah kuat arus yang melalui penghantar sebanding dengan beda potensial pada kedua ujung. Sehingga melalui rumus V = I.R diperoleh hasil 0,10795 k Pada semikonduktor dapat digunakan rumus pada hukum ohm karena semikonduktor dapat bersifat baik sebagai isolator dan konduktor semua itu bergantung pada suhu. Apabila sedang dalam kondisi sebagai konduktor maka pada semikonduktor itu terdapat hambatan. Pengaruh temperatur pada semikonduktor berpengaruh pada perhitungan konsentrasi daari elektron bebas. Analisa Grafik

40 35 30 25 20 15 10 5 0 1

Grafik V vs I

Berdasarkan grafik diatas dapat diketahui hubungan antara beda potensial dan arus. Nilai arus listrik berubah semakin besar pada saat tegangan dinaikan. Grafik tersebut merupakan kurva linier. Hal ini menyatakan bahwa arus berbanding lurus dengan beda potensial. Titik titik plot pada grafik membentuk garis linier dengan persamaan garis y = 0,096x + 0,222. Nilai gradiennya adalah 0,096. Nilai gradien menunjukan besar hambatan semikonduktor yang kita cari.

IX.

Kesimpulan
Berdasarkan percobaan yang dilakukan dapat disimpulkan: Pada suatu semikonduktor besar tegangan mempengaruhi arus. Untuk mencari besar hambatan pada semikonduktor dapat digunakan hukum ohm R = V / I Hubungan antara beda potensial dan arus adalah berbanding lurus. Semakin tinggi tegangan yang diberikan arus yang terukur semakin tinggi. Semikonduktor dipengaruhi oleh suhu. Semakin tinggi suhu maka sifat konduktor menjadi lebih kuat dan sebaliknya. Kurva graffik hubungan tegangan dan arus membentuk persamaan garis y = 0,096x + 0,222 Dapat diketahui nilai resistansi rata rata semi konduktor adalah 0,10795 k

X.

Referensi
Halliday, Resnick, David, Robert. 1984. Fisika Jilid 2. Edisi Ke-3. Jakarta: Erlangga. Giancoli, D.C. 2000. Physics for Scientists & Engeeners, Third Edition. NJ: Prentice Hall