Anda di halaman 1dari 30

PERCOBAAN I DIODE DAN RANGKAIAN DIODE I.

Tujuan Percobaan Memeriksa Kondisi Dioda Mempelajari karakteristik I = f (V), bias reverse dan bias forward

II.

Pendahuluan Dalam percobaan ini akan dipelajari karakteristik I = f (V)dari diode. Diode akan diberi bias forward dan bias reverse dengan tegangan bias dinaikan secara bertahap. Pada waktu tegangan bias dinaikkan, arus dan tegangan diode dicatat. Diode terbuat dari dua semikonduktor tipe P dan tipe N, pada kedua semikonduktor tersebut terdapat resistansi, r P (resistansi tipe P) dan rN (resistansi tipe N), jumlah kedua resistansi tersebut disebut resistansi Bulk.

III.
III.1

Tinjauan Pustaka
Sejarah Walaupun dioda kristal (semikonduktor) dipopulerkan sebelum dioda

termionik, dioda termionik dan dioda kristal dikembangkan secara terpisah pada waktu yang bersamaan. Prinsip kerja dari dioda termionik ditemukan olehFrederick Guthrie pada tahun 1873[1] Sedangkan prinsip kerja dioda kristal

ditemukan pada tahun 1874 oleh peneliti Jerman, keerl Karl Ferdinand Braun[2]. Pada waktu penemuan, peranti seperti ini dikenal sebagai penyearah (rectifier). Pada tahun 1919, William Henry Eccles memperkrnalkan istilah diode yang berasal dari diberarti dua, dan ode(dari ) berarti jalur.

3.2. Pengertian DIODA

Gambar 3.2.1 simbul Diode

Dalam elektronika, dioda adalah komponen aktif bersaluran dua (dioda termionik mungkin memiliki saluran ketiga sebagai pemanas). Dioda mempunyai dua elektroda aktif dimana isyarat dapat mengalir, dan kebanyakan dioda digunakan karena karakteristik satu arah yang dimilikinya. Dioda varikap (Variable Capacitor/kondensator variabel) digunakan sebagai kondensator terkendali tegangan. Sifat kesearahan yang dimiliki sebagian besar jenis dioda seringkali disebut karakteristik menyearahkan. Fungsi paling umum dari dioda adalah untuk memperbolehkan arus listrik mengalir dalam suatu arah (disebut kondisi panjar maju) dan untuk menahan arus dari arah sebaliknya (disebut kondisi panjar

mundur). Karenanya, dioda dapat dianggap sebagai versi elektronik dari katup. Dioda sebenarnya tidak menunjukkan kesearahan hidup-mati yang sempurna (benar-benar menghantar saat panjar maju dan menyumbat pada panjar mundur), tetapi mempunyai karakteristik listrik tegangan-arus taklinier kompleks yang bergantung pada teknologi yang digunakan dan kondisi penggunaan. Beberapa jenis dioda juga mempunyai fungsi yang tidak ditujukan untuk penggunaan penyearahan. Awal mula dari dioda adalah peranti kristal Cat's Whisker dan tabung hampa (juga disebut katup termionik). Saat ini dioda yang paling umum dibuat dari bahan semikonduktor seperti silikon atau germanium. Jenis Konduktor Semikonduktor Bahan Tembaga Silikon Resistivity 10-6 cm 50 x 103 cm

Germanium 50 cm Isolator Mika 1012 cm

Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat penting dalam elektronika. Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik dan mempunyai elektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan germanium berbentuk tetrahedral dengan setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi dengan atom-atom tetangganya. Gambar 3.2.2 memperlihatkan bentuk ikatan kovalen dalam dua dimensi. Pada temperature mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat dengan erat sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.

Gambar 3.2.2 Ikatan kovalen silikon dalam dua dimensi Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1 eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang (300K), sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas. Dioda termasuk komponen elektronika yang terbuat dari bahan semikonduktor. Beranjak dari penemuan dioda, para ahli menemukan juga komponen turunan lainnya yang unik.

Prinsip Kerja Prinsip kerja dioda termionik ditemukan kembali oleh Thomas Edison pada 13 Februari 1880 dan dia diberi hak paten pada tahun 1883 (U.S. Patent 307031), namun tidak dikembangkan lebih lanjut.Braun mematenkan penyearah kristal pada tahun 1899[3]. Penemuan Braun dikembangkan lebih lanjut oleh Jagdish Chandra Bose menjadi sebuah peranti berguna untuk detektor radio.

Dioda Termonik Dioda termionik adalah sebuah peranti katup termionik yang merupakan susunan elektroda-elektroda di ruang hampa dalam sampul gelas. Dioda termionik pertama bentuknya sangat mirip dengan bola lampu pijar.

Dalam dioda katup termionik, arus yang melalui filamen pemanas secara tidak langsung memanaskan katoda (Beberapa dioda menggunakan pemanasan langsung, dimana filamen wolfram berlaku sebagai pemanas dan juga sebagai katoda), elektroda internal lainnya dilapisi dengan campuran barium dan strontium oksida, yang merupakan oksida dari logam alkalin tanah. Substansi tersebut dipilih karena memiliki fungsi kerja yang kecil. Bahang yang dihasilkan menimbulkan pancaran termionik elektron ke ruang hampa. Dalam operasi maju, elektroda logam disebelah yang disebut anoda diberi muatan positif jadi secara elektrostatik menarik elektron yang terpancar. Walaupun begitu, elektron tidak dapat dipancarkan dengan mudah dari permukaan anoda yang tidak terpanasi ketika polaritas tegangan dibalik. Karenanya, aliran terbalik apapun dapat diabaikan. Dalam sebagian besar abad ke-20, dioda katup termionik digunakan dalam penggunaan isyarat analog, dan sebagai penyearah pada pemacu daya. Saat ini, dioda katup hanya digunakan pada penggunaan khusus seperti penguat gitar listrik serta peralatan tegangan dan daya tinggi.

Pengunaan
Demodulasi Dioda Penggunaan pertama dioda adalah demodulasi dari isyarat radio modulasi amplitudo (AM). Dioda menyearahkan isyarat AM frekuensi radio, meninggalkan isyarat audio. Isyarat audio diambil dengan menggunakan tapis elektronik sederhana dan dikuatkan. Pengubahan Daya Penyearah dibuat dari dioda, dimana dioda digunakan untuk mengubah arus bolak-balik menjadi arus searah. Contoh yang paling banyak ditemui adalah pada rangkaian adaptor. Pada adaptor, dioda digunakan untuk menyearahkan arus bolak-balik menjadi arus searah. Sedangkan contoh yang lain adalah alternator otomotif, dimana dioda mengubah AC menjadi DC dan memberikan performansi yang lebih baik dari cincin komutator dari dinamo.

Dioda Semikomduktor Sebagian besar dioda saat ini berdasarkan pada teknologi pertemuan p-n semikonduktor. Pada dioda p-n, arus mengalir dari sisi tipe-p (anoda) menuju sisi tipe-n (katoda), tetapi tidak mengalir dalam arah sebaliknya. Tipe lain dari dioda semikonduktor adalah dioda Schottky yang dibentuk dari pertemuan antara logam dan semikonduktor sebagai ganti pertemuan p-n konvensional. Jenis jenis diode semikomduktor Ada beberapa jenis dari dioda pertemuan yang hanya menekankan perbedaan pada aspek fisik baik ukuran geometrik, tingkat pengotoran, jenis elektroda ataupun jenis pertemuan, atau benar-benar peranti berbeda seperti dioda Gunn, dioda laser dan dioda MOSFET. 1.Doda biasa Beroperasi seperti penjelasan di atas. Biasanya dibuat dari silikon terkotori atau yang lebih langka dari germanium. Sebelum pengembangan dioda penyearah silikon modern, digunakan kuprous oksida dan selenium, ini memberikan efisiensi yang rendah dan penurunan tegangan maju yang lebih tinggi (biasanya 1.41.7 V tiap pertemuan, dengan banyak pertemuan ditumpuk untuk mempertinggi ketahanan tegangan terbalik), dan memerlukan benaman bahang yang besar (kadang-kadang perpanjangan dari substrat logam dari dioda), jauh lebih besar dari dioda silikon untuk rating arus yang sama. 2.Dioda Bandangan Dioda yang menghantar pada arah terbalik ketika panjar mundur melebihi tegangan dadal. Secara listrik mirip dengan dioda Zener, dan kadang-kadang salah disebut sebagai dioda Zener, padahal dioda ini menghantar dengan mekanisme yang berbeda yaitu efek bandangan. Efek ini terjadi ketika medan listrik terbalik yang membentangi pertemuan p-n menyebabkan gelombang ionisasi, menyebabkan arus besar mengalir, mengingatkan pada terjadinya bandangan. Dioda bandangan didesain untuk dadal pada tegangan terbalik tertentu tanpa menjadi rusak. Perbedaan antara dioda bandangan (yang mempunyai tegangan dadal terbalik diatas 6.2 V) dan dioda Zener adalah

panjang kanal yang melebihi rerata jalur bebas dari elektron, jadi ada tumbukan antara mereka. Perbedaan yang mudah dilihat adalah keduanya mempunyai koefisien suhu yang berbeda, dioda bandangan berkoefisien positif, sedangkan Zener berkoefisien negatif. 3.Dioda Arus Tetap Ini sebenarnya adalah sebuah JFET dengan gerbangnya disambungkan ke sumber, dan berfungsi seperti pembatas arus dua saluran (analog dengan Zener yang membatasi tegangan). Peranti ini mengizinkan arus untuk mengalir hingga harga tertentu, dan lalu menahan arus untuk tidak bertambah lebih lanjut. 4.Diode Gunn Dioda ini mirip dengan dioda terowongan karena dibuat dari bahan seperti GaAs atau InP yang mempunyai daerah resistansi negatif. Dengan penjar yang semestinya, domain dipol terbentuk dan bergerak melalui dioda, memungkinkan osilator gelombang mikro frekuensi tinggi dibuat. 1.2.1 Semikonduktor tipe-n Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom pengotor pentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon murni. Atom-atom pengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron valensi sehingga secara efektif memiliki muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom pentavalen menempati posisi atom silicon dalam kisi kristal, hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalen lengkap, dan tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan . Dengan adanya energi thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi electron bebas dan siap menjadi pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karena menghasilkan pembawa muatan negatif dari kristal yang netral. Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom pengotor ini disebut sebagai atom donor. Secara skematik semikonduktor tipe-n digambarkan seperti terlihat pada gambar1.2.2.

(a) (b) Gambar 1.2.2 (a) Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi lima menggantikan posisi salah satu atom silikon dan (b) Struktur pita energy semikonduktor tipe-n

1.2.3 Fungsi Dioda Dioda memiliki fungsi yang unik yaitu hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. Struktur dioda tidak lain adalah sambungan semikonduktor P dan N. Satu sisi adalah semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain adalah tipe N. Dengan struktur demikian arus hanya akan dapat mengalir dari sisi P menuju sisi N.

Gambar 1.2.4 Simbol dan struktur dioda

Gambar ilustrasi di atas menunjukkan sambungan PN dengan sedikit porsi kecil yang disebut lapisan deplesi (depletion layer), dimana terdapat keseimbangan hole dan elektron. Seperti yang sudah diketahui, pada sisi P banyak terbentuk hole-hole yang siap menerima elektron sedangkan di sisi N banyak terdapat elektron-elektron yang siap untuk bebas merdeka. Lalu jika diberi bias positif, dengan arti kata memberi tegangan potensial sisi P lebih besar

dari sisi N, maka elektron dari sisi N dengan serta merta akan tergerak untuk mengisihole di sisi P. Tentu kalau elektron mengisihole disisi P, maka akan terbentukhole pada sisi N karena ditinggal elektron. Ini disebut aliranhole dari P menuju N, Kalau mengunakan terminologi arus listrik, maka dikatakan terjadi aliran listrik dari sisi P ke sisi N.

Gambar 1.2.5 dioda dengan bias maju Sebalikya apakah yang terjadi jika polaritas tegangan dibalik yaitu dengan memberikan bias negatif (reverse bias). Dalam hal ini, sisi N mendapat polaritas tegangan lebih besar dari sisi P.

Gambar 1.2.6 dioda dengan bias negatif

Tentu jawabanya adalah tidak akan terjadi perpindahan elektron atau aliran hole dari P ke N maupun sebaliknya. Karena baik hole dan elektron masing-masing tertarik ke arah kutup berlawanan. Bahkan lapisan deplesi (depletion layer) semakin besar dan menghalangi terjadinya arus.

Demikianlah sekelumit bagaimana dioda hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja. Dengan tegangan bias maju yang kecil saja dioda sudah menjadi konduktor. Tidak serta merta diatas 0 volt, tetapi memang tegangan beberapa volt diatas nol baru bisa terjadi konduksi. Ini disebabkan karena adanya dinding deplesi (deplesion layer). Untuk dioda yang terbuat dari bahan Silikon tegangan konduksi adalah diatas 0.7 volt. Kira-kira 0.2 volt batas minimum untuk dioda yang terbuat dari bahan Germanium.

Gambar 1.2.7 grafik arus dioda Sebaliknya untuk bias negatif dioda tidak dapat mengalirkan arus, namun memang ada batasnya. Sampai beberapa puluh bahkan ratusan volt baru terjadi breakdown, dimana dioda tidak lagi dapat menahan aliran elektron yang terbentuk di lapisan deplesi.

1.2.4 Karakteristik Umum Diode Karakteristik dioda pada garis besarnya dapat dibedakan atas karakteristik forward dan karakteristik reverse. Untuk membuat karakteristik dioda yang menunjukkan besarnya arcs pada bermacam-macam harga tegangan yang diberikan digunakan rangkaian seperti pada gambar

10

Gambar 1.2.8 skema untuk membuat karakteristik diode Percobaan dengan rangkaian ini terdiri dari dua bagian, bagian pertama untuk mendapatkan karakteristik forward dan bagian kedua reverse. Bagian pertama memerlukan tahanan R = 50 ohm yang terpasang seri seperti pada gambar, gunanya.untuk membatasi arus forward; bila tidak dioda akan rusak jika tegangan 1,5 volt langsung dihubungkan padanya. Tegangan maksimum Yang boleh diberikan adalah 1,5 volt dan voltmeter harus mampu membaca dari 0 sampai 1,5 volt dengan selang 0,1 volt. Miliamperemeter (mA) harus mempunyai skala maksimum 50 mA. Tegangan dinaikkan secara bertahap mulai dari nol sampai J ,S volt dengan selang kenaikkan 0,1 volt, arus I yang ditunjukkkan oleh mA dicatat, Bila data-data tcrsebut dinyatakan dalam grafik akan diperoleh karakteristik forward seperti pada gambar di bawah.

11

Gambar 1.2.9 Karakteristik Untuk membuat karakteristik reverse pertama-tama polaritas batere harus dibaiik. Untuk percobaan yang kedua ini diperlukan sumber tegangan yang lebih besar ialah sekitar 10 volt. Batas ukur voltmeter diperbesar ialah sekitar 10 volt. Besarnya arus reverse sangat kecil hanya beberapa persepuluhan microampere akibat tahanan reverse yang mencapai beberapa megaohm. U1eh karena itu meter mA harus sanggup membaca dari 0 samoai 0.1 rnicroampere dengan selang 0,01 microampere. Bila karakteristik forward ini diperhatikan tampak hahwa mula-mula lengkungnya berbentuk parabola yaitu pada tegangan VD yang kecil, begitu VD mulai membesar arus forward ID akan naik dengan cepat praktis secara linier. Pada daerah linier ini perubahan tegangan yang kecil saja akan mengakibatkan perubahan arus yang besar. Bentuk karakteristik reverse berbeda dengan karakteristik forwardnya, mula, mula arus naik secara parabola kernudian setelah niencapai harga tertentu, arus reverse ini akan tetap konstan walaupun tegangan reverse VD dinaikkan, hal ini disebabkan oleh terbatasnya minority carriers sehingga arus tak dapat naik lagi. Tetapi bila tegangan reverse dinaikkan terus, suatu saat arus reverse akan naik dengan tiba-tiba menjadi besar sekali. Peristiwa semacam ini disebut breakdown dan tegangan pada saat mana teriadi breakdown disebut tegangan breakdown. Pada umumnya tegangan reverse maksimum yang diijinkan(V DM) selalu lebih kecil dari tegangan breakdownnya, kecuali pada zener diode. Karakteristik diode umumnya dinyatakan dengan grafik hubungan antara tegangan pada diode versus arus yang melewatinya sehingga disebut karakteristik tegangan-arus(V-I) Secara teoritis, hubungan antara tegangan dan arus diode dinyatakan oleh persamaan:

12

Keterangan: ID=arus diode, positif jika didalam diode arahnya dari anode ke katode Is=arus mundur jenuh(10-8s.d. 10-14A) VT=tegangan kesetaraan suhu=

Pada T=300oK, VT=26mV dan pada T=273oK, VT=25mV= koefisien emisi, antara1 sampai dengan 2 dan untuk silikon pada arus normal mendekati 2e= bilangan natural=2,72)

1.2.5 Zener

Gambar 1.2.10 Simbol Zener Phenomena tegangan breakdown dioda ini mengilhami pembuatan komponen elektronika lainnya yang dinamakan zener. Sebenarnya tidak ada perbedaan sruktur dasar dari zener, melainkan mirip dengan dioda. Tetapi dengan memberi jumlah doping yang lebih banyak pada sambungan P dan N, ternyata tegangan breakdown dioda bisa makin cepat tercapai. Jika pada dioda biasanya baru terjadibreakdow n pada tegangan ratusan volt, pada zener bisa terjadi pada angka puluhan dan satuan volt. Di datasheet ada zener yang memiliki tegangan Vz sebesar 1.5 volt, 3.5 volt dan sebagainya. biasanya berguna pada bias negatif (reverse bias). Ini adalah karakteristik zener yang unik. Jika dioda bekerja pada bias maju maka zener

13

Zener diode atau juga dikenal sebagai voltage regulation diode adalah silicon PN junction. yang. bekerja pada reverse bias yang di daerah breakdown. Simbol dari suatu zener diode ditunjukkan pada gambar a dan karakteristik reverse biasnya (gambar b) ternyata sama dengan dioda lainnya.

Gambar 1.2.11 (a) simbol zener dioda (b) Karakteristik Tegangan zener Vz adalah tegangan reverse di mana terjadi breakdown. Bila tegangan reverse VD kurang dari VZ tahanan zener diode di sekitar 1 megaohm atau lebih. Bila VD naik sedikit saja di atas Vz arus reverse akan naik dengan cepat, oleh karena itu di dalam pernakaian zener diode selalu digunakan suatu tahanan seri untuk mencegah terjadinva arus yang berlebihan. Bila tegangan reverse dihubungkan pada PN-junction, lebar depletion layer akan bertambah karena elektron dan hole tertolak dari junction. Lebar depletion layer tergantung dari kadar doping, bila digunakan silicon dengan doping tinggi akan dihasilkan depletion layer yang tipis. Sehingga bila tegangan reverse dihubungkan akan menimbulkan medan listrik yang kuat di dalam dioda dan jika tegangan reverse mencapai tegangan zener Vz maka medan listrik yang dibangkitkan demikian kuatnya sehingga sejunilah besar elektron akan terlepas dan daya tarik intinya diikuti dengan kenaikan arus reverse secara mendadak. Peristiwa inilah yang disebut dengan Zener breakdown. Jadi zener diode sebenarnya adalah PN junction dengan doping tinggi hingga menghasilkan depletion layer tipis; biasanya zener breakdown terjadi di bawah tegangan 5 volt dan masih tergantung pada temperatur. Di bawah

14

pengaruh medan listrik yang kuat, atom-atom lebih mudah melepaskan elektronnya menjadi ion-ion bila temperatumya naik. Jadi Vz turun bila temperatur zener diode naik. PN junction diode yang dibuat dengan doping rendah depletion iayernya lebiih, lebar. Medan listrik harus lebih kuat untuk menghasilkan zener breakdown. Tetapi sebelum zener breakdown terjadi elektron-elektron minority carriers sudah akan mcmperoleh tenaga kinetik demikian besarnya hingga pada saat menabrak atom akan menimbulkan ionisasi yang menimbulkan elektron baru. Elektronelektron baru akan ikut bergerak akibatnya tabrakan akan berlangsung secara berantai sehingga makin banyak elektron yang dihasilkan dan arus reverse naik dengan cepat. Peristiwa semacam ini disebut avalanche breakdown. Bila temperatur dioda naik laju gerakan. elektron dalam depletion layer menurun sehingga diperlukan tegangan yang lebih besar untuk memberikan kecepatan yang cukup bagi elektron-elektron. Jadi kita mengenal zener breakdown yaitu ionisasi karena kekuatan medan listrik dan avalanche breakdown yaitu ionisasi karena tubrukan. Yang pertama terjadi pada bahan dengan tahanan jenis rendah (doping tinggi) yang dipisahkan oleh depletion layer tipis yaitu untuk Vz di bawah 5 volt. Yang kedua terjadi pada bahan dengan tahanan jenis tinggi (doping rendah) yang dipisahkan oleh depletion . layer lebar untuk Vz di atas 5 volt. Meskipun demikian dalam prakteknya kedua type di atas tetap dinamakan zener diode. Membeloknya karakteristik pada saat breakdown ("knee") pada dioda silicon lebih tajam (gambar a) dibandingkan dengan dioda germanium (gambar b).

15

Gambar 1.2.12 (a) Knee dari dioda silikon (b) knee dari dioda germanium

Karena alasan inilah maka zener diode dibuat dari silikon. Data-data zener diode yang perlu diketahui adalah: 1. Tegangan zener Vz terletak antara 3,3 Volt sampai 200 Volt. Tiap zener mempunyai Vz.tertentu dengan toleransi 5 sampai 10 prosen. 2. Arus zener Iz ialah arus yang mengalir pada saat breakdown. Iz minimum adalah besarnya Iz tepat pada knee. Iz maksimum adalah arus yang tidak boleh dilampaui, karena dapat menimbulkan panas yang berkelebihan. Misalkan sebuah zener diode dengan: Vz = 5,8 volt, Iz min = 1 mA dan Iz mak = 50 mA pada temperatur 40 C. 3. Tahanan zener rz ialah suatu nilai yang menunjukkan perbandingan perubahan tegangan zener (Vz) terhadap perubahan arus zener (Iz).

rZ =
Tahanan zener minimum sekitar 10 ohm bila VZ nya sckitar 6 volt. Tahanan ini akan naik bila Vz lebih atau kurang dari 6 volt. Hubungan antara VZ dan rZ ini dapat dilihat pada gambar dibawah.

Gambar 1.2.13 Hubungan antara tahanan zener (rz) dan tegangan zener (vz)

16

Oleh karena itu penggunaan zener sebagai stabilisator Vz yang terbaik adalah sekitar 6 volt. Bila tegangan yang akan distabilkan lebih dari 6 volt dapat digunakan bcberapa zener yang dihubungkan seri.

1.2.6 LED

Gambar 1.2.14 Simbol LED LED adalah singkatan dari Light Emiting Dioda, merupakan komponen yang dapat mengeluarkan emisi cahaya.LED merupakan produk temuan lain setelah dioda. Strukturnya juga sama dengan dioda, tetapi belakangan ditemukan bahwa elektron yang menerjang sambungan P-N juga melepaskan energi berupa energi panas dan energi cahaya. LED dibuat agar lebih efisien jika mengeluarkan cahaya. Untuk mendapatkna emisi cahaya pada semikonduktor, doping yang pakai adalah galium, arsenic dan phosporus. Jenis doping yang berbeda menghasilkan warna cahaya yang berbeda pula. Pada saat ini warna-warna cahaya LED yang banyak ada adalah warna merah, kuning dan hijau.LED berwarna biru sangat langka. Pada dasarnya semua warna bisa dihasilkan, namun akan menjadi sangat mahal dan tidak efisien. Dalam memilih LED selain warna, perlu diperhatikan tegangan kerja, arus maksimum dan disipasi daya-nya. Rumah (chasing) LED dan bentuknya juga bermacam- macam, ada yang persegi empat, bulat dan lonjong. LED terbuat dari berbagai material setengah penghantar campuran seperti misalnya gallium

17

arsenida fosfida (GaAsP), gallium fosfida (GaP), dan gallium aluminium arsenida (GaAsP). Karakteristiknya yaitu kalau diberi panjaran maju, pertemuannya mengeluarkan cahaya dan warna cahaya bergantung pada jenis dan kadar material pertemuan. Ketandasan cahaya berbanding lurus dengan arus maju yang mengalirinya. Dalam kondisi menghantar, tegangan maju pada LED merah adalah 1,6 sampai 2,2 volt, LED kuning 2,4 volt, LED hijau 2,7 volt. Sedangkan tegangan terbaik maksimum yang dibolehkan pada LED merah adalah 3 volt, LED kuning 5 volt, LED hijau 5 volt. LED mengkonsumsi arus sangat kecil, awet dan kecil bentuknya (tidak makan tempat), selain itu terdapat keistimewaan tersendiri dari LED itu sendiri yaitu dapat memancarkan cahaya serta tidak memancarkan sinar infra merah (terkecuali yang memang sengaja dibuat seperti itu). Cara pengoperasian LED yaitu :

Gambar 1.2.15 Cara pengoperasian LED Selalu diperlukan perlawanan deretan R bagi LED guna membatasi kuat arus dan dalam arus bolak balik harus ditambahkan dioda penyearah. 1.2.7 Penyearah Diode Setengah Gelombang Rangkaian pada gambar 1.2.16-a, dimana sumber masukan sinusoida dihubungkan dengan beban resistor melalui sebuah diode. Untuk sementara dianggap keadaan ideal, dimana hambatan masukan sinusoida sama dengan nol dan diode dalam keadaan hubung singkat saat berpanjar (bias) maju dan keadaan hubung terbuka saat berpanjar (bias) mundur. Besarnya keluaran akan mengikuti masukan saat masukan berada di atas tanah dan berharga nol saat

18

masukan di bawah tanah seperti diperlihatkan pada gambar 1.2.16-b. Jika kita ambil harga rata-rata bentuk gelombang keluaran ini untuk beberapa periode, tentu saja hasilnya akan positif atau dengan kata lain keluaran mempunyai komponen DC. Kita juga melihat komponen AC pada keluaran. Kita akan dapat mengurangai komponen AC pada keluaran jika kita dapat mengusahakan

keluaran positif yang lebih besar, tidak hanya 50% seperti terlihat pada gambar 1.2.16-b. Gambar 1.2.16 Penyearah setengah gelombang

1.2.7 Penyearah Diode Gelombang Penuh Terdapat cara yang sangat sederhana untuk meningkatkan kuantitas keluaran positip menjadi sama dengan masukan (100%). Ini dapat dilakukan dengan menambah satu diode pada rangkaian seperti terlihat pada gambar 1.2.17. Pada saat masukan berharga negatif maka salah satu dari diode akan dalam keadaan panjar maju sehingga memberikan keluaran positif. Karena keluaran berharga positif pada satu periode penuh, maka rangkaian ini disebut penyearah gelombang penuh. Pada gambar 1.2.17 terlihat bahwa anode pada masing-masing diode dihubungkan dengan ujung-ujung rangkaian sekunder dari transformer. Sedangkan katode masing- masing diode dihubungkan pada titik positif keluaran. Beban dari penyearah dihubungkan antara titik katode dan titik center-tap (CT) yang dalam hal ini digunakan sebaga referensi atau tanah.

19

Gambar 1.2.17 Rangkaian penyearah gelombang penuh

Mekanisme terjadinya konduksi pada masing-masing diode tergantung pada polaritas tegangan yang terjadi pada masukan. Keadaan positif atau negatif dari masukan didasarkan pada referensi CT. Pada gambar 1.2.18 nampak bahwa pada setengah periode pertama misalnya, v1 berharga positif dan v2 berharga negatif, ini menyebabkan D1 berkonduksi (bias maju) dan D2 tidak berkonduksi (bias mundur). Pada setengah periode ini arus iD1 mengalir dan menghasilkan keluaran yang akan nampak pada hambatan beban. Pada setengah periode berikutnya, v2 berharga positif dan v1 berharga negatif, menyebabkan D2 berkonduksi dan D1 tidak berkonduksi. Pada setengah periode ini mengalir arus iD2 dan menghasilkan keluaran yang akan nampak pada hambatan beban. Dengan demikian selama satu periode penuh hambatan beban akan dilewati arus iD1 dan iD2 secara bergantian dan menghasilkan tegangan keluaran DC.

Gambar 1.2.18 Keluaran dari penyearah gelombang penuh

20

1.2.8 Penyearah Gelombang Penuh Model Jembatan Penyearah gelombang penuh model jembatan memerlukan empat buah diode. Dua diode akan berkondusi saat isyarat positif dan dua diode akan berkonduksi saat isyarat negatif.,Untuk model penyearah jembatan ini kita tidak memerlukan transformator,yang memiliki center-tap.,Seperti ditunjukkan pada gambar 8.4, bagian masukan AC dihubungkan pada,sambungan D1-D2 dan yang lainnya pada D3-D4. Katode D1 dan D3 dihubungkan, dengan keluaran positif dan anode D2 dan D4 dihubungkan dengan keluaran negative (tanah). Misalkan masukan AC pada titik A berharga positif dan B berharga negatif, maka diode D1 akan berpanjar maju dan D2 akan berpanjar mundur. Pada sambungan bawah D4 berpanjar maju dan D3 berpanjar mundur. Pada keadaan ini elektron akan mengalir dari titik B melalui D4 ke beban , melalaui D1 dan kembali ke titik A. Pada setengah periode berikutnya titik A menjadi negatif dan titik B menjadi positif. Pada kondisi ini D2 dan D3 akan berpanjar maju sedangkan D1 dan D4 akan berpanjar mundur. Aliran arus dimulai dari titik A melalui D2, ke beban, melalui D3 dan kembali ke titik B. Perlu dicatat di sini bahwa apapun polaritas titik A atau B, arus yang mengalir ke beban tetap pada arah yang sama.

Gambar 1.2.19 Penyearah gelombang penuh model jembatan

21

Rangkaian jembatan empat diode dapat ditemukan di pasaran dalam bentuk paket dengan berbagai bentuk. Secara prinsip masing-masing bentuk mempunyai dua terminal masukan AC dan dua terminal masukan DC.

1.2.9 Aplikasi Lain Zener banyak digunakan untuk aplikasi regulator tegangan (voltage regulator). Zener yang ada dipasaran tentu saja banyak jenisnya tergantung dari teganganbreakdw on-nya. Di dalam datasheet biasanya spesifikasi ini disebut Vz (zener voltage) lengkap dengan toleransinya, dan juga kemampuan dissipasi daya.

Gambar 1.2.20 LED array

LED sering dipakai sebagai indikator yang masing-masing warna bisa memiliki arti yang berbeda. Menyala, padam dan berkedip juga bisa berarti lain. LED dalam bentuk susunan (array) bisa menjadi display yang besar. Dikenal juga LED dalam bentuk 7segm ent atau ada juga yang 14segm ent. Biasanya digunakan untuk menampilkan angka numerik dan alphabet.

22

23

IV.

Alat alat Percobaan

1. Modul elektronika dasar 2. 1 buah multimeter 3. Penjepit buaya 4. Osiloskop 5. Mistar / penggaris 6. Milimeterblock 7. Disket / flashdisk

8. Pulpen / pensil

V.

Percobaan

V.1 Memeriksa Keadaan Diode Gunakan alat ukur multimeter untuk memeriksa diode diode yang ada. Pada saat pengukuran R maju gunakan range yang paling kecil (ohm) dan range yang besar untuk R mundur (10 K ohm), untuk multimeter analog. Pada multimeter digital gunakan range untuk mengukur. Catat hasil pengukuran anda pada table 1.1.

Table 1.1 Pemeriksaan baik buruknya diode No 1 Jenis dan tipe dioda Dioda penyearah Multimete r Digital Resistansi Dioda Forward Reverse Keadaan diode Baik Buruk Ket

Digital Diode zener Digital V.2 Karakteristik V I (dengan multimeter) 2 1. Buatlah rangkaian seperti gambar 1.2, untuk pengukuran Vd gunakan multimeter digital dan Id dengan multimeter analog. 2. Atur Vs agar didapat harga seperti pada table 1.2 (untuk bias forward). Dan harga Vd sesuai dengan table 1.2 (untuk bias reverse). 3. Lakukan untuk diode Si, Ge, dan zener.

24

Gambar 1.1 Rangkaian diode pada karakteristik V I diukur dengn multimeter Table 1.2 Pengukuran diode pada karakteristik V I dengan multimeter No VD (V) ID (mA) Bias Forward Voltage (V) Diode Diode LED penyearah Zener Bias Reverse Voltage (V) Diode Diode LED penyearah Zener ket

0,0 0,0 0.1 0.2 0.3 . . . . . . . 5,0 5,0 V.3 Karakteristik V I (dengan osiloskop) 1. Buatlah rangkaian seperti gambar 1.3 2. Atur range I/div osiloskop pada x y. 3. Atur Vs sesuai table 1.2 untuk bias maju dan mundur, Atur pula V/div (CH1 dan CH2), sehingga didapatkan gambar yang cukup baik, dan gambarlah pada kertas millimeter. 4. Lakukan percobaan tersebut untuk diode si, Ge, dan Zener.

1 2 3 4 . . . . . .

25

Gambar 1.2 Rangkaian diode pada karakteristik V I diukur dengn osiloskop V.4 Penyearah Setengah Gelombang Dengan 1 diode 1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.4, untuk pengukuran V RL gunakan multimeter digital. dan IRL

2. Hubungkan Vsi pada 18 Vrms, kemudian ukur besarnya I RL (arus DC), dan VRL1 (tegangan DC), catat pada table 1.4. 3. Hubungkan VSi pada 25 Vrms, kemudian ukur besarnya I RL1 (arus DC), dan VRL (tegangan DC), catat pada table 1.4. 4. Ulangilah langkah langkah diatas untuk RL1 1020W dan RL2 10020W. 5. Catatlah hasil pengukuran anda pada table 1.3.

Gambar 1.3 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 1 diode Table 1.3 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 1 diode Vp Rms (V) Vs(V) Dengan RL 10;20 W 100;20 W Pengukuran Multimeter Digital IRL 220 VRL VD(CE) V
A

Perhitungan IRL VRL PRL Keteranga n

Gambar OSC VS VA VRL

26

Dengan 2 diode 1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.5, untuk pengukuran V RL gunakan multimeter. dan IRL

2. Vsi pasang pada 18 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL (arus DC), dan VRL1 (tegangan DC), catat pada table 1.5. 3. VSi pasang pada 25 Vrms, kemudian ukur besarnya IRL1 (arus DC), dan VRL (tegangan DC), catat pada table 1.5. 4. Ulangilah langkah langkah diatas untuk RL1 1020W dan RL2 10020W.

Gambar 1.4 Rangkaian diode penyerah setengah gelombang dengan 2 diode

Table 1.4 Pengukuran diode penyearah setengah gelombang dengan 2 diode Vp Rms (V) Vs(V) Dengan RL 10;20 W 100;20 W 18 25 Pengukuran Multimeter Digital IRL 220 VRL VD(CE) V
A

Perhitungan IRL VRL PRL Keteranga n

Gambar OSC VS VA VRL

27

V.5 Penyearah Gelombang Penuh 4.5.1 Menggunakan 2 dioda 1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.5. 2. Kemudian isialah table 1.5 untuk RL sama dengan RL11020W dan RL210020W

Gambar 1.5 Diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode Table 1.5 Pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 2 diode Vp Rms (V) 220 Vs(V ) 18 25 RL () IRL 10 100 10 100 Pengukuran Multimeter Gambar Osc VA VRL VD VA VRL VD Vs Perhitungan VRL PRL Ket f

4.5.2 Menggunakan 4 dioda 1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 1.6. 2. Kemudian isilah table 1.6, untuk RL sama dengan RL 1 1020W dan RL2 10020W

28

Gambar 1.6 Diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode Table 1.6 pengukuran diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode Vp Rms (V) 220 Vs(V ) 18 25 RL () IRL 10 100 10 100 Pengukuran Multimeter Gambar Osc VA VRL VD VA VRL VD Perhitungan VRL PRL Ket f

Vs

4.5.3 Pengenalan IC regulator pada power supply. 1. lakukan percobaan berikut. 2. ukur berapakah keluaran IC tersebut.

78XX

29

79xx Gambar 1.7 percobaan menggunakan IC regulator VP rms (V) 220 Jenis IC regulator 7805 7812 7912 Vin Pengukuran Multimeter Digital Vout Ket

5. Tugas Pendahuluan 1. Tambahkan dasar teori minimal 20 lengkap denga daftar pustaka! 2. Cari gambar rangkaian yg menngunakan diode zener dan diode varaktor masing-masing 2,jelaskan cara kerja dan kegunaannya! 6. Pertanyaan 1. Dari percobaan karakteristik V I (dengan multimeter) buatlah grafik Id terhadap Vd dan bandingkan dengan gambar dari osiloskop, dan bandingkan pula dengan karakteristik diode ideal. Jelaskan komentar anda dan beri alasannya! 2. Bagaimana cara untuk mengetahui baik buruknya diode ,(diode si,Ge, dan Zener)? 3. Untuk percobaan setengah gelombang dan penyearah gelombang penuh hitunglah factor rippelnya untuk masing masing harga RL? 4. Jelaskan cara kerja rangkaian Diode penyearah gelombang penuh dengan 4 diode? 5. Bandingkan semua hasil pengukuran dengan hasil perhitungan, dan terangkan menurut analisa anda? halaman dari sumber yang berbeda

30