PERCOBAAN EFEK HALL

Rony Pranata 1, Innayatul Mutmainna 2, Nurfadlia 3, Surmi 4 Laboratorium Fisika Modern Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Makassar
Abstrak. Eksperimen Efek Hall bertujuan untuk menentukan hubungan Antara arus Hall dan tegangan Hall, menentukan sensitivitas elemen Hall dari bahan semikonduktor GaAs serta menentukan kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan elemen Hall. Eksperimen ini dilakukan dengan menggunakan satu set alat Efek Hall produksi Lambda-Scientific. Eksperimen ini terdiri dari tiga kegiatan, akan tetapi hanya satu kegiatan yang dilakukan pada eksperimen kali ini. Hal tersebut disebabkan kesalahan teknis pada alat sehingga alat perlu di standarisasi ulang. Kegiatan pertama dilakukan dengan membuat medan magnet konstan, kemudian arus Hall di manipulasi sehingga dapat kita lihat perubahan pada tegangan Hall sehingga diperoleh hubungan antara Arus Hall dengan Tegangan Hall. Berdasarkan grafik dari data yang diperoleh kita memperoleh nilai Koefisien Hall sebesar 3,014 .106 mV m mA1 T 1 , sensitivitas elemen Hall sebesar 15,07 mV mA1 T 1 , pembawa muatan sebesar 2,07 . 1023 mA T mV 1 C 1 m1 dan resistivitas sebesar 0,88 mV m mA1 sehingga diperoleh kesimpulan bahwa arus Hall (IH) sebanding dengan tegangan Hall (UH).

KATA KUNCI: efek Hall, arus Hall, Tegangan Hall, Gaya Lorentz. PENDAHULUAN Efek Hall, ditemukan pada tahun 1879 oleh Edwin Herbert Hall yang merupakan seorang fisikawan yang pertama kali menemukan gejala terbentuknya sebuah medan listrik melintang dalam sebuah material padat ketika material tersebut mengangkut arus listrik dan terletak dalam sebuah medan magnet yang tegak lurus terhadap arus. Gejala ini kemudian dikenal sebagai efek Hall. Hall melakukan eksperimennya dengan meletakkan sebuah lembaran emas tipis di atas sebuah pelat kaca kemudian merekat lembaran emas tersebut pada titik-titik yang terletak di bagian panjang lembaran emas itu. Eksperimen ini dilakukan dengan menggunakan berbagai jenis material selain lembaran emas, dan merekatkannya pada pelat kaca pada berbagai titik perekatan. Penyelidikan tentang efek Hall sulit dilakukan karena tegangan Hall yang dapat dihasilkan nilainya sangat kecil. Tetapi dengan kemajuan teknologi semikonduktor dan pengembangan berbagai jenis bahan semikonduktor paduan, akhirnya dapat dihasilkan tegangan Hall dengan nilai orde magnitudo yang jauh lebih besar dibandingkan tegangan Hall yang dihasilkan pada material-material sebelumnya. Eksperimen ini bertujuan untuk menyelidiki hubungan antara Arus Hall dengan Tegangan Hall serta untuk menentukan sensitivitas elemen Hall. Jika medan magnet B diletakkan tegak lurus pada suatu pelat logam (konduktor atau semikonduktor) dengan cara menempatkan plat tersebut diantara mukamuka kutub sebuah elektromagnet. Medan ini akan mengarahkan gaya pembelok F pada plat sebagaimana dirumuskan dalam il x B , yang menunjukkan ke arah kanan. Oleh karena gaya yang mengarah ke samping pada plat tersebut adalah disebabkan oleh gaya pembawa muatan, yaitu q v x B. Pembawa-pembawa muatan positif (hole) atau negatif (electrone) akan cenderung mengarah ke kanan ketika pembawa muatan ini hanyut (drift) sepanjang plat logam. Hal inilah yang menyebabkan beda-beda potensial kecil V di antara sumbu x dan y. Secara keseluruhan fenomena ini disebut dengan Efek Hall. [1] Pada eksperimen kali ini, akan dibuktikan hasil dari percobaan Efek Hall sebelumnya, dan menghitung besaran-besaran yang berhubungan dengan percobaan efek Hall berdasarkan data yang diperoleh.

TEORI Bila arus listrik melewati sebuah konduktor pada arah tegak lurus dengan medan magnet luar, akan timbul beda potensial pada arah tegak lurus dengan arus listrik dan medan magnet tersebut. Gejala ini dikenal sebagai Efek Hall, ditemukan pada tahun 1879 oleh Fisikawan Amerika Hall. Efek Hall pada logam umumnya kecil akan tetapi pada bahan semikonduktor seperti germanium tipe-N, InSb, dan GaAs efek Hall cukup besar. Elemen GaAs

umumnya dipakai pada pengukuran medan magnetik karena kepekaan yang tinggi, rentang linier yang lebar, dan koefisien suhu yang rendah. Gambar 1 memperlihatkan arus listrik IH melewati elemen Hall tipe-P, arus hanyut pembawa muatan lubang (holes) sebesar v, medan magnet B menyebabkan gaya Lorentz F pada muatan bergerak.[1]

U H IH KH B

(5)

GAMBAR 1. Diagram terbentuknya Tegangan Hall

F q v B

(1)

Dalam hal ini q menyatakan muatan elektron. Gaya Lorentz akan membelokkan pembawa muatan kearah horizontal dan berkumpul pada tepi sampel dan menghasilkan medan listrik E. Pengumpulan terus berlangsung hingga meddan listrik (Fe=qE) dan medan magnet (FB) yang dikerahkan oleh pembawa muatan saling meniadakan, dalam hal ini:

Dalam hal ini koefisien KH=RH/d=1/pqd dan disebut sebagai sensitivitas elemen Hall, dinyatakan dalam satuan mV/(mAT). Secara umum, semakin besar KH semakin baik. Oleh karena KH berbanding terbalik dengan konsentrasi pembawa muatan p dan konsentrasi ini kecil dibandingkan di dalam logam, maka bahan semikonduktor lebih baik digunakan sebagai elemen Hall. Dari pers. (5) tampak bahwa dengan mengetahui KH, nilai IH dan UH dapat diukur. Seperti halnya dengan NMR, efek Hall dapat dipakai untuk mengukur medan magnetik AC dan DC dengan cepat dan sederhana. Gambar 2 memperlihatkan sumber DC yang menghasilkan arus magnetik IM yang dapat diatur besarnya melalui hambatan R1. Sumber E2 membangkitkan arus Hall IH ke elemen Hall melalui hambatan R2. Sumber E2 dapat berupa DC atau AC. Sebuah voltmeter digunakan untuk mengukur arus Hall IH dan tegangan Hall UH. [1]

q v B qE

(2)

Untuk sampel tipe p dengan konsentrasi pembawa muatan sebesar p, lebar w dan tebal d, arus yang melewati sampel adalah IH (IH=pqd), sehingga kecepatan pembawa muatan hole menjadi =IH/pqd. Maka dari persamaan (2) diperoleh,

GAMBAR 2. Rangkaian untuk mengukur Beda Potensial Hall. Semikonduktor umumnya terdiri atas tipe-n dan tipe-p dengan pembawa muatan yang berbeda tanda. Oleh karena itu, jika jenis bahan diketahui, arah medan magnetik dapat ditentukan dengan melihat tanda UH. Oleh karena waktu yang digunakan untuk menghasilkan medan listrik melalui efek Hall sangat singkat (10-12 10-14 s), maka arus AC atau DC dapat digunakan. Jika arus Hall dinyatakan sebagai IH=I0sin(t), maka diperoleh

E vB

IH B pq d

(3)

Jika kedua ruas pers. (3) dikalikan dengan maka diperoleh,

U H E I H B / pqd RH I H B / d

(4)

dengan RH=1/pq dan disebut sebagai koefisien Hall. Secara ringkas, persamaan(4) umumnya ditulis sebagai:

U H I H K H B I 0 K H B sin t

(6)

Potensial Hall bersifat bolak balik. Dalam kasus AC, persamaan(6) tetap valid akan tetapi nilai IH and UH merupakan nilai efektif. [1] METODOLOGI EKSPERIMEN Pada eksperimen Efek Hall ini akan digunakan satu set alat Efek hall produksi Lambda scientific untuk mengambil data. Dalam eksperimen kali ini akan dilakukan tiga kegiatan yaitu, yang pertama adalah menentukan hubungan antara arus Hall (IH) dan tegangan Hall (UH), yang kedua adalah mengukur sensitivitas (KH) dari elemen Hall GaAs dan yang ketiga adalah menentukan kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan elemen Hall. Sebelum melakukan eksperimen terlebih dahulu kita harus memeriksa seluruh komponen alat efek Hall terhubung dengan baik seperti pada Gambar 3 dan 4 berikut ini.

GAMBAR 3. Foto Alat Efek Hall produksi Lamda Scientific

GAMBAR 4. Diagram Rangkaian Listrik Alat Efek Hall Untuk kegiatan pertama yaitu menentukan hubungan antara IH dan UH. langkah pertama

pada kegiatan ini yaitu menghubungkan perangkat efek Hall ke sumber tegangan PLN, kemudian mastikan seluruh display menunjukkan angka 0. Setelah itu mengatur arus magnetisasi elektromagnet IM sebesar 400 mA, tidak boleh lewat dari 400 mA. Setelah itu mengatur arus Hall (Arus yang dialirkan ke elemen Hall) dengan memutar perlahan tombol Hall Current Adj. mulai dari 0,5 mA, 1,0 mA, 1,5 mA, 2,0 mA, dan 2,5 mA. (kegiatan ini dilakukan harus dengan pengawasan asisten karena arus ini tidak boleh melewati 5 mA karena akan menyebabkan Elemen hall terbakar). Menekan bolak balik reverse switch pada panel UH untuk mendapatkan nilai UH yang baik, kemudaian mengukur nilai UH untuk setiap nilai IH diatas. Dan yang terakhir yaitu memplot UH IH, dan memastikan hubungan linier antara keduanya. Selanjutnya untuk kegiatan kedua yaitu mengukur sensitivitas KH dari elemen Hall GaAs. Langkah pertama yaitu mempelajari bagaimana cara menggunakan sebuah Teslameter untuk mengukur kuat medan magnet. Peringatan: Probe teslameter sangat rapuh oleh karena itu perlu sangat berhati-hati. Kemudian mengatur dan mempertahankan arus Hall IH pada nilai 1.00 mA (input dari terminal 1&3).mengatur juga arus magnetisasi IM melalui tombol Current Adj. Pada nilai 50 mA, 100 mA, 150 mA, 200 mA, ..., 400 mA. Kemudian untuk setiap nilai IM, mencatatlah kuat medan magnetik B dengan Teslameter serta tegangan Hall UH pada sampel. Untuk menghilangkan efek samping saat pengukuran tegangan Hall UH, kedua saklar toggle sebaiknya digunakan untuk membalik polaritas secara berurutan dan data yang diperoleh sebaiknya dirata-ratakan. Selanjutnya menghitung sensitivitas elemen Hall dengan menggunakan persamaan (5). Selajutnya kegiatan ketiga dilakukan untuk menentukan kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan elemen Hall. Dalam hal ini, elemen Hall akan digunakan untuk mengukur kuat medan magnet B di celah elektromagnetik. Langkah yang pertama yaitu megatur arus Hall IH pada nilai 1 mA sambil merubah arus eksitasi IM from 0 to 400 mA dengan tahap kenaikan 100 mA. Kemudian pada setiap nilai IM, mencatatlah tegangan Hall voltage UH. untuk mengeliminasi efek samping gunakan kedua saklar toggle. Selanjutnya menghitung kuat medan magnet B untuk setiap nilai IM dengan pers. (5).

menggunakan nilai KH yang diperoleh pada pengukuran II dan yang terakhir memplot kurva B-IM curve.

Sehingga diperoleh nilai RH sebagai berikut RH B = 4,4 d 4,4 d RH = B (4,4 mV mA1 ) x 0,2 . 106 m = 292 .103 T = 3,014 .106 mV m mA1 T1 Untuk memperoleh nilai sensitivitas elemen Hall dilakukan dengan cara sebagai berikut : KH = RH d 3,014 .106 mV m mA1 T1 = 0,2 . 106 m = 15,07 mV mA1 T 1 nilai dari pembawa muatan

HASIL EKSPERIMEN DAN ANALISA DATA Setelah melakukan eksperimen Efek Hall sesuai dengan langkah-langkah kegiatan pertama diatas, diperoleh data sebagai berikut: TABEL 1. Hubungan Antara Arus Hall (IH) dengan Tegangan Hall (UH).
No 1 2 3 4 5 IH (mA) 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 UH (mV) 3,4 5,5 7,7 9,9 12,2

Dimana tebal dari elemen Hall yang digunakan yaitu 0,2 x 10-6 m, dengan Arus Magnetisasi yang dikonstankan sebesar 400 mA sehingga medan magnetnya pun ikut konstan yaitu sebesar 292 mT. Berdasarkan data diatas diperoleh grafik hubungan antara arus Hall dan tegangan Hall sebagai berikut :
14

Untuk diperoleh : KH =

Tegangan Hall (mV)

12 10 8 6 4 2 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

1 (15,07 mV mA1 T 1 ) (0,2 . 106 m) 1,6 1019 C = 2,07 . 1023 mA T mV 1 C1 m1 Selanjutnya nilai dari Resistivitas adalah sebagai berikut : = BR H = (292 . 103 T)(3,014 .106 mV m mA1 T 1 ) = 0,88 mV m mA1 Untuk kegiatan pertama pada eksperimen kali ini yaitu menentukan hubungan antara Arus Hall dan Tegangan Hall yang kemudian digambarkan ke dalam bentuk grafik sehingga diperoleh nilai Koefisien Hall sebesar 3,014 .106 mV m mA1 T1 , sensitivitas elemen Hall sebesar 15,07 mV mA1 T 1, pembawa muatan sebesar 2,07 . 1023 mA T mV 1 C 1 m1 dan resistivitas sebesar 0,88 mV m mA1. Berdasarkan data eksperimen dan grafik diatas dapat kita lihat bahwa arus Hall berbanding lurus dengan tegangan Hall dengan kata lain semakin besar arus Hall semakin besar pula Tegangan Hall begitupun sebaliknya. Dapat kita lihat bahwa

1 pqd 1 p = K H qd

y = 4.4x + 1.14 R = 0.9998

Arus Hall (mA)

GAMBAR 5. Grafik Hubungan Antara Arus Hall dengan Tegangan Hall. Berdasarkan grafik diatas, kita dapat menentukan Koefisien Hall (RH), Sensitivitas Elemen Hall (KH), Resistivitas () dan pembawa muatan (p) dengan analisis sederhana seperti dibawah ini: UH = (
RH B ) IH d

y = mx + c

hasil yang diperoleh pada eksperimen kali ini sesuai dengan teori yang ada. Sementara itu untuk kegiatan kedua dimana dan ketiga tidak dapat dilakukan pada saat percobaan dikarenakan kesalahan teknis pada alat sehingga alat perlu di standarisasi ulang. Kami mencoba mengambil data untuk kegiatan kedua dan kegiatan ketiga, akan tetapi karena alat yang kurang baik membuat datanya susah untuk diambil.

SIMPULAN Arus Hall sebanding dengan tegangan Hall dan nilai dari Sensitivitas elemen Hall adalah 15,07 1 T 1

REFERENSI [1]Subaer, dkk. 2013. Penuntun Praktikum Eksperimen Fisika I Unit Laboratorium Fisika Modern Jurusan Fisika FMIPA UNM.