1

Bipolar Junction Transistor (BJT)

2
Stuktur divais dan cara kerja fisik

Struktur yang Disederhanakan dan Mode Operasi
Gambar 1. Struktur sederhana transistor npn
Gambar 2. Struktur sederhana transistor pnp
3
Cara Kerja Transistor npn Pada Mode Aktif
Mode EBJ CBJ
Cutoff Reverse Reverse
Active Forward Reverse
Reverse Active Reverse Forward
Saturation Forward Forward
Mode kerja BJT
Gambar 3: Aliran arus pada transistor npn pada mode aktif
4

Gambar 4: Profil pembawa muatan minioritas pada base dan
emitter pada transistor npn yang bekerja pada mode aktif.
( )
T BE
V v
p p
e n n
/
0
0 =
n
p
(0) = konsentrasi pembawa muatan minoritas (elektron)
pada base
v
BE
= tegangan forward bias base-emitter
V
T
= tegangan termal 25 mV pada suhu ruangan.
5
Pengurangan pembawa muatan minoritas menyebabkan
elektron yang disuntikkan ke base akan merembas
melalui base ke collector. Arus elektron ini sebanding
dengan koefisien arah dari profil konsentrasi
|
|
.
|

\
|
=
=
W
n
qD A
dx
x dn
qD A I
p
n E
p
n E n
) 0 (

) (
A
E
= luas penampang base-emitter junction
q = muatan elektron
D
n
= kemampuan difusi elektron pada base
W = lebar efektif base

Tanda (-) menunjukkan bahwa arah arus I
n
adalah dari
kanan ke kiri (arah x negatif).

Arus Collector
W N
n qD A
I
N n n
W n qD A I
e I i
A
i n E
S
A i p
p n E S
V v
S C
T BE
2
2
0
0
/
=
=
=
=
n
i
= kerapatan pembawa instrinsik
N
A
= konsentrasi doping pada base
6
Perhatikan: arus i
C
tidak tergantung dari v
CB
.

Arus jenuh I
S
berbanding terbalik dengan lebar base W.
I
S
sebanding dengan luas penampang EBJ scale
current.
I
S
mempunyai harga antara 10
-18
A sampai 10
-12
A.
I
S
sebanding dengan n
i
2
yang merupakan fungsi suhu,
kira-kira menjadi dua kali setiap kenaikan suhu 5C


Arus Base
Terdiri dari i
B1
yang disebabkan oleh holes yang
disuntikkan dari base ke emitter dan i
B2
yang
disebabkan oleh holes yang dicatu dari rangkaian luar
untuk menggantikan holes yang hilang akibat proses
rekombinasi
T BE
V v
p D
i p E
B
e
L N
n qD A
i
/
2
1
=
D
p
= kemampuan difusi holes di emitter
L
p
= panjang difusi holes di emitter
N
D
= konsentrasi doping di emitter
7
b
n
B
Q
i
t
=
2

b
= waktu rata-rata bagi sebuah elektron (minoritas) ber-
rekombinasi dengan sebuah holes (mayoritas) di base.
(disebut minority-carrier lifetime)
Q
n
= muatan pembawa minoritas yang ber-rekombinasi
dengan holes pada waktu
b


Pada gambar (4) Q
n
digambarkan dengan luas segitiga
di bawah distribusi garis lurus pada base.
( )
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
=
=
|
|
.
|

\
|
+ =
=
=
=
b n p D
A
n
p
V v
S
B
C
B
V v
b n p D
A
n
p
S B
V v
A b
i E
B
V v
A
i E
n
p E n
D
W
L
W
N
N
D
D
e
I
i
i
i
e
D
W
L
W
N
N
D
D
I i
e
N
qWn A
i
e
N
qWn A
Q
W n q A Q
T BE
T BE
T BE
T BE
t
|
|
|
t
t
2
/
/
2
/
2
2
/
2
2
1
2
1
1
2
1
2
1
2
0
8
adalah suatu konstanta untuk transistor tertentu.
Untuk transistor npn, harga berkisar antara 50 200.
Untuk divais khusus bisa mencapai 1000.
disebut penguatan arus common-emitter.

dipengaruhi oleh: lebar dari daerah base, W, dan
perbandingan doping daerah base dan daerah emitter
(N
A
/N
D
).


Arus Emitter

( )
o
o
|
o
|
|
o
o
|
|
|
|

=
=
+
=
=
+
=
+
=
+ =
1
1
1
1
/
/
T BE
T BE
V v
S E
E C
V v
S E
C E
B C E
e I i
i i
e I i
i i
i i i
9
1
Perubahan yang kecil pada menyebabkan perubahan
yang besar pada .
disebut penguatan arus common-base.

Karena dan menunjukkan karakteristik transistor
yang bekerja pada mode forward active, kadang
dituliskan sebagai
F
dan
F
.


Rekapitulasi dan Model Rangkaian Pengganti

Tegangan forward bias v
BE
menyebabkan arus i
C

mengalir ke collector mempunyai hubungan
eksponensial.
Arus i
C
tidak tergantung dari tegangan v
CB
selama CBJ
reverse bias, v
CB
0
Pada mode aktif, collector berkelakuan seperti sebuah
sumber arus ideal yang konstan di mana harga arus
ditentukan oleh v
BE
.
i
B
= 1/
F
x i
C

i
E
= i
B
+ i
C

Karena i
B
<< i
C
i
E
i
C

i
E
=
F
x i
C

F
1

10
Gambar 5: Model rangkaian pengganti sinyal besar untuk
BJT npn yang bekerja pada mode forward active.

11
Struktur Transistor
Gambar 6. Tampak melintang sebuah BJT jenis npn

Collector mengelilingi emitter sehingga sulit untuk
elektron yang disuntikkan ke base yang tipis untuk tidak
terkumpul pada collector
F
1 dan
F
besar.

Divais tidak simetris berarti jika collector dan emitter
ditukar dan transistor bekerja pada mode reverse
active, =
R
dan =
R
yang mempunyai harga yang
berbeda dengan
F
dan
F
.

Karena divais dirancang untuk bekerja optimum pada
mode forward active,
R
<<
F
dan
R
<<
F
.

R
berkisar antara 0,01 0, 5 dan
R
berkisar antara
0,01 1.
12
Gambar 7: Model transistor npn yang bekerja pada
mode reverse active.

Struktur pada gambar (6) terlihat bahwa CBJ
mempunyai luas yang lebih besar dari EBJ.

Pada gambar 7 dioda D
C
menunjukkan CBJ yang
mempunyai arus skala I
SC
>> arus skala I
SE
dari dioda
D
E
. Kedua arus ini berbanding lurus dengan luas
junction
.

F
I
SE
=
R
I
SC
= I
S


I
SC
yang besar mempunyai dampak bahwa untuk arus
yang sama, CBJ mempunyai penurunan tegangan yang
lebih kecil jika di-bias maju daripada penurunan
tegangan maju pada EBJ, V
BE.

13
Model Ebers-Moll
Gambar 8: Model Ebers Moll dari transistor npn

i
E
= i
DE

R
i
DC

I
C
= - I
DC
+
F
i
DE

I
B
=(1
F
) i
DE
+ (1
R
) i
DC
14
( )
( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
R
R
R
F
F
F
V v
R
S
V v
F
S
B
V v
R
S
V v
S C
V v
S
V v
F
S
E
V v
SC DC
V v
SE DE
T BC T BE
T BC T BE
T BC T BE
T BC
T BE
e
I
e
I
i
e
I
e I i
e I e
I
i
e I i
e I i
o
o
|
o
o
|
| |
o
o

|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=

|
|
.
|

\
|
=

|
|
.
|

\
|
=
=
=
1
1
1 1
1 1
1 1
1
1
Penggunaan pertama dari model EM adalah untuk
memperkirakan arus pada terminal dari transistor yang
bekerja pada mode forward active.
v
BE
positif antara 0,6 0,8 V dan v
BC
negatif.
T BC
V v
e kecil dan dapat diabaikan
15
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
~
|
|
.
|

\
|
+ ~
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
~
R F
S
V v
F
S
B
R
S
V v
S C
F
S
V v
F
S
E
I e
I
i
I e I i
I e
I
i
T BE
T BE
T BE
| | |
o
o o
1 1
1
1
1
1
Dari ketiga persamaan di atas, suku kedua dapat
diabaikan.

Selama ini, kondisi untuk cara kerja mode forward
active adalah v
CB
0 agar CBJ dalam keadaan
reverse bias. Pada kenyataannya, sebuah pn junction
tidak dalam keadaan forward bias jika tegangannya
tidak melebihi kira-kira 0,5 V.
Jadi cara kerja transistor npn pada mode forward
active masih tetap bisa dicapai bila v
CB
turun sampai
mencapai 0.4 V.
16
Gambar 9: Karakteristik i
C
v
CB
dari transistor npn yang
dicatu dengan arus I
E
yang tetap.

Pada gambar 9 terlihat, arus i
C
tetap konstan pada
F
i
E

untuk v
CB
sampai 0,4 V
Di bawah harga ini,CBJ akan on dan meninggalkan
mode forward active memasuki daerah kerja mode
jenuh, di mana i
C
menurun.
17
Cara Kerja pada Mode Jenuh

Pada gambar 9 terlihat jika v
CB
berkurang sampai di
bawah 0,4 V, BJT memasuki cara kerja mode jenuh.
Pada keadaan ideal, dalam mode forward active, v
CB
tidak mempengaruhi i
C
, tetapi pada mode jenuh,
dengan meningkatnya v
CB
ke arah negatif, i
C

berkurang.
T BC T BE
V v
R
S
V v
S C
e
I
e I i
|
|
.
|

\
|
=
o
Suku pertama adalah hasil dari forward-biased EBJ,
dan suku kedua adalah hasil dari forward-biased CBJ.
Jika v
BC
melebihi 0,4 V, i
C
akan berkurang dan akhirnya
mencapai nol.
18
Gambar 10: Profil konsentrasi pembawa muatan
minoritas (elektron) pada base dari sebuah transistor npn

Karena CBJ forward biased, konsentrasi elektron pada
sisi collector tidak nol, tapi sebanding dengan

Koefisien arah dari profil konsentrasi sebanding dengan
pengurangan i
C

T BE
V v
e
19
Transistor pnp
Gambar 11: Aliran arus pada transistor pnp untuk bekeja
pada mode forward active.
20
Gambar 12: Model sinyal besar untuk transistor pnp
yang bekerja pada mode aktif.

Hubungan arus tegangan pada transistor pnp sama
dengan pada transistor npn hanya v
BE
diganti dengan
v
EB
.

Gambar 12 menunjukkan rmodel angkaian pengganti
sinyal besar, yang juga mungkin digantikan dengan
sumber arus yang dikendalikan sumber arus, CCCS,

F
i
E
.

Transistor pnp dapat bekerja pada mode jenuh seperti
pada transistor npn
21
Karakteristik Arus Tegangan


Gambar 13: Simbol rangkaian BJT
Gambar 14: Polaritas tegangan dan aliran arus dalam
transistor yang di bias dalam mode aktif
22
T BE
T BE
T BE
V v
S C
E
V v
S C
B
V v
S C
e
I i
i
e
I i
i
e I i
|
.
|

\
|
= =
|
|
.
|

\
|
= =
=
o o
| |
Ringkasan hubungan arus tegangan dari BJT pada
mode aktif
Catatan: untuk transistor pnp, gantilah v
BE
dengan v
EB

( )
( )

1

1
1
1
1
+
=

=
+ = =
+
= = =
|
|
o
o
o
|
| |
|
o o
B E B C
E
E B E C
i i i i
i
i i i i
V
T
= tegangan termal = kT/q 25 mV pada suhu kamar
23
Konstanta n

Untuk BJT, konstanta n mendekati satu kecuali pada
kasus tertentu:
pada arus yang tinggi, hubungan i
C
v
BE
menunjukkan
harga n mendekati 2
pada arus yang rendah, hubungan i
B
v
BE

menunjukkan harga n mendekati 2

Jika tidak disebutkan n=1


Arus balik collector base (I
CBO
)
Adalah arus balik dari collector menuju base dengan
emitter hubung terbuka. Arus ini mempunyai harga
dalam orde nanoamper. I
CBO
mempunyai komponen
arus bocor, dan harganya tergantung dari v
CB
. I
CBO

sangat tergantung pada suhu, rata-rata harganya
menjadi dua kali lipat dengan kenaikan 10C.
24
Contoh soal 1:
Gambar 15: Rangkaian untuk contoh soal 1

Transistor pada gambar (15.a) mempunyai = 100 dan
v
BE
= 0,7 V pada i
C
=1mA.
Rancanglah rangkaian sehingga arus 2 mA mengalir
melalui collector dan tegangan pada collector = +5 V
25
Jawab:
V
C
= 5 V CBJ reverse bias BJT pada mode aktif
V
C
= 5 V V
RC
= 15 5 = 10 V
I
C
= 2 mA R
C
= 5 k

v
BE
= 0,7 V pada i
C
= 1 mA harga v
BE
pada i
C
= 2 mA:
V 717 , 0
1
2
ln 7 , 0 =
|
.
|

\
|
+ =
BE
V
V
B
= 0 V V
E
= -0,717 V

= 100 = 100/101 =0,99
mA 02 , 2
99 , 0
2
= = =
o
C
E
I
I
Harga R
E
diperoleh dari:
( )
O =
+
=

=
k 07 , 7
02 , 2
15 717 , 0

15
E
E
E
I
V
R
26
Penampilan Grafis dari Karakteristik Transistor
Gambar 16: Karakteristik i
C
v
BE
dari sebuah transistor
npn
T BE
V v
S C
e I i =
Karakteristik i
C
v
BE
identik dengan karakteristik i v
pada dioda.

Karakteristik i
E
v
BE
dan i
B
v
BE
juga exponensial
dengan I
S
yang berbeda: I
S
/ untuk i
E
dan I
S
/ untuk i
B
.
Karena konstanta dari karakteristik ekponensial, 1/V
T
,
cukup tinggi ( 40), kurva meningkat sangat tajam.
Untuk v
BE
< 0,5 V, arus sangat kecil dan dapat
diabaikan. Untuk harga arus normal, v
BE
berkisar antara
0,6 V 0,8 V. Untuk perhitungan awal, v
BE
= 0,7 V.
Untuk transistor pnp, karakteristik i
C
- v
BE
tampak identik,
hanya v
BE
diganti dengan v
EB
.
27
Gambar 17: Pengaruh suhu pada karakteristik i
C
v
BE


Seperti pada dioda silikon, tegangan pada junction
base - emitter

menurun 2 mV untuk setiap kenaikan
suhu 1C pada arus yang tetap.


Karakteristik Common Base

Gambar (18.a) menunjukkan cara kerja BJT dengan
membuat kurva i
C
v
CB
dengan i
E
yang berbeda.
Pada pengukuran ini tegangan base tetap dan base
berperan sebagai terminal bersama (common)
masukan dan keluaran.
Jadi kurva ini disebut juga kurva karakteristik common
base
28
Gambar 18: karakteristik i
C
v
CB
dari sebuah transistor npn
29
Dalam daerah aktif, v
CB
0,4 V, kurva i
C
v
CB

berbeda dengan yang diharapkan karena:
Kurva tidak tidak datar tapi menunjukkan koefisien
arah yang positif. Hal ini disebabkan adanya
ketergantungan i
C
terhadap v
CB

Pada harga v
CB
yang relatif besar, i
C
meningkat
dengan cepat, karena terjadinya breakdown

Pada gambar (18.b), setiap kurva karakteristik
memotong sumbu vertikal pada harga arus = I
E
(I
E

konstan untuk setiap kurva).
untuk sinyal besar = i
C
/i
E
yang merupakan penguatan
arus common-base.
untuk sinyal kecil i
C
/i
E
.

Dengan menggunakan persamaan Ebers-Moll, untuk
daerah jenuh: i
E
= I
E
:


T BC
V v
F
R
S E E C
e I I i
|
|
.
|

\
|
= o
o
o
1
CBJ lebih besar dari EBJ, penurunan tegangan v
BC

akan lebih kecil dari v
BE
, sehingga menghasilkan
tegangan v
CE
jenuh pada v
CE
= 0,1 V 0,3 V.
30
Ketergantungan i
C
pada tegangan collector
The Early effect
Gambar 19.(a): Rangkaian konseptual untuk mengukur
karakteristik i
C
v
CE
dari sebuah BJT
(b): Karakteristik i
C
v
CE
dari sebuah BJT
31

|
|
.
|

\
|
+ =
A
CE
V v
S C
V
v
e I i
T BE
1
Ketergantungan linier i
C
terhadap v
CE
:
Koefiisien arah dari kurva i
C
v
CE
yang tidak nol
menunjukkan bahwa resistansi keluaran dilihat ke arah
collector mempunyai harga tertentu ()
C
CE A
o
kons v
CE
C
o
I
V V
r
v
i
r
BE
+
=
(
(

c
c

=
1
tan
I
C
dan v
CE
adalah koordinat titik kerja BJT pada kurva
i
C
v
CE
.
T BE
V v
S C
C
A
o
e I I
I
V
r
=
=
'
'
32
Gambar 20: Model rangkaian pengganti sinyal besar dari
BJT npn yang bekerja di daerah aktif dalam konfigurasi
common-emitter.
33
Karakteristik Common-Emitter
Gambar 21: Karakteristik common-emitter
34
Penguatan arus common-emitter .

didefinisikan sebagai perbandingan antara total arus
pada collector dan total arus pada base.
mempunyai harga yang konstan untuk sebuah
transistor, tidak tergantung dari kondisi kerja.

Pada gambar 21, sebuah transistor bekerja pada
daerah aktif di titik Q yang mempunyai arus collector
I
CQ,
arus base I
BQ
dan tegangan collector emitter V
CEQ
.
Perbandingan arus collector dan arus base adalah
sinyal besar atau dc.
BQ
CQ
dc
I
I
|

dc
juga dikenal sebagai h
FE
.

Pada gambar 21 terlihat, dengan tegangan v
CE
tetap
perubahan i
B
dari I
BQ
menjadi (I
BQ
+ i
B
) menghasilkan
kenaikan pada i
C
dari I
CQ
menjadi (I
CQ
+ i
C
)
tan kons v
B
C
ac
CE
i
i
=
A
A
|

ac
disebut incremental.
35

ac
dan
dc
biasanya berbeda kira-kira 10% 20%.

ac
disebut juga sinyal kecil yang dikenal juga dengan
h
fe
.
sinyal kecil didefinisikan dan diukur pada v
CE
konstan,
artinya tidak ada komponen sinyal antara collector dan
emitter, sehingga dikenal juga sebagai penguatan arus
hubung singkat common-emitter.
Gambar 22: Ketergantungan pada I
C
dan suhu
36
Tegangan jenuh V
CEsat
dan Resistansi jenuh R
CEsat

Gambar 23: Karakteristik common-emitter pada daerah
jenuh

Pada daerah jenuh kenaikan lebih kecil dibandingkan
dengan di daerah aktif.

Perhatikan titik kerja X di daerah jenuh arus base I
B
,
arus collector I
Csat
dan tegangan collector emitter V
CEsat
.
I
Csat
<
F
I
B

37
Karena harga I
Csat
ditentukan oleh perancang rangkaian,
sebuah transistor jenuh dikatakan bekerja pada forced
F forced
B
Csat
forced
I
I
| |
|
<

Perbandingan antara
F
dan
forced
disebut overdrive
factor. Makin besar overdrive factor, makin dalam
transistor dipaksa ke daerah jenuh dan makin kecil
V
CEsat
.

Kurva i
C
v
CE
pada daerah jenuh cukup tajam
menunjukkan bahwa transistor jenuh mempunyai
resistansi collector emitter,R
CEsat
yang rendah:
Csat C
B B
I i
I i
C
CE
CEsat
i
v
R
=
= c
c

R
CEsat
mempunyai harga berkisar beberapa ohm sampai
beberapa puluh ohm.
38
Gambar 24. (a) transistor npn beroperasi pada mode
jenuh dengan arus base yang tetap I
B
.
(b) Kurva karakteristik i
C
v
CE
pada i
B
= I
B
dengan
koefisien arah 1/R
CEsat
.
(c) Rangkaian ekivalen transistor jenuh
(d) Model rangkaian ekivalen yang disederhanakan dari
transistor jenuh
39
Perhatikan pada gambar (24.b):
kurva memotong sumbu v
CE
pada V
T
ln (1/
R
). Harga
ini sama untuk semua kurva i
C
v
CE

tangent pada titik kerja X sama dengan 1/R
CEsat
. Jika
diekstrapolasikan, tangent ini akan memotong sumbu
v
CE
pada tegangan V
CEsat
yang mempunyai harga kira-
kira 0,1V.

Pada gambar (24.c) pada sisi collector, transistor
direpresentasikan dengan R
CEsat
diserikan dengan
sebuah batere V
CEsat
. Jadi:

V
CEsat
= V
CEoff
+ I
Csat
R
CEsat


Harga V
CEsat
berkisar antara 0,1V 0,3V.
Tegangan offset pada transistor jenuh menyebabkan
BJT kurang menarik untuk dijadikan saklar jika
dibandingkan dengan MOSFET.

Gunakan model Ebers-Moll untuk menurunkan ekspresi
analisis untuk karakteristik sebuah transistor jenuh.
( ) ( )
( ) ( ) 1 1
1 1

|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=

|
|
.
|

\
|
=
T BC T BE
T BC T BE
V v
R
S
V v
F
S
B
V v
R
S
V v
S C
e
I
e
I
i
e
I
e I i
| |
o
40
Gantikan i
B
= I
B
dan abaikan suku yang tidak
mempunyai fungsi eksponensial
T BC T BE
T BC T BE
V v
R
S
V v
S C
V v
R
S
V v
F
S
B
e
I
e I i
e
I
e
I
I
o
| |
=
+ =
Bagilah persamaan I
B
dengan persamaan i
C
dan tulis
v
BE
=v
BC
+v
CE
, sehingga diperoleh:
( )
|
|
|
|
.
|

\
|
+

=
R
F
V v
R
V v
B F C
T CE
T CE
e
e
I i
|
|
o
|
1
Ini adalah persamaan kurva karakteristik i
C
v
CE
yang
diperoleh jika base dipaksa dengan arus tetap I
B
.
41
Gambar 25: Plot i
C
(normalisasi) terhadap v
CE
untuk
transistor npn dengan
F
= 100 dan
R
= 0,1
42
Kurva dapat didekati dengan garis lurus pada titik

forced
/
F
= 0,5. Koefisien arah pada titik ini kira-kira
10 V
-1
, tidak tergantung dari parameter transistor.

R
CEsat
= 1/10
F
I
B


Ganti i
C
= I
Csat
=
forced
I
B
dan v
CE
= V
Csat
, diperoleh:

( )
( )
F forced
R forced
T CEsat
V V
| |
| |

+ +
=
1
1 1
ln
Transistor breakdown

Tegangan maksimum yang dapat dipasangkan pada
sebuah BJT dibatasi oleh efek breakdown pada EBJ
dan CBJ.

Pada konfigurasi common-base, karakteristik i
C
v
CB

menunjukkan bahwa untuk i
E
= 0 (emitter hubung
terbuka), CBJ breakdown pada tegangan BV
CBO
. Untuk
i
E
> 0, breakdown terjadi pada tegangan lebih kecil dari
BV
CBO
. Biasanya BV
CBO
> 50 V
43
Untuk konfigurasi common-emitter, breakdown terjadi
pada tegangan BV
CEO
. Harga BV
CEO
kira-kira setengah
harga BV
CBO
. Pada lembaran data transistor, BV
CBO

disebut sustaining voltage, LV
CEO


Breakdown pada CBJ baik pada konfigurasi common-
emitter atau common-base tidak merusak selama daya
disipasi pada divais masih dalam batas normal.

Breakdown pada EBJ yang disebabkan fenomena
avalanche terjadi pada tegangan BV
EBO
yang jauh lebih
kecil dari BV
CBO
. Biasanya BV
EBO
berkisar antara 6 V
8 V, dan breakdown ini merusak dalam arti dari
transistor berkurang secara permanen. Cara ini tidak
mencegah pemakaian EBJ sebagai sebuah dioda
zener untuk menghasilkan tegangan rujukan dalam
perancangan IC. Dalam aplikasi ini tidak dilihat sebagai
efek -degeneration.
44
Ringkasan Karakteristik arus tegangan dari BJT
Simbol rangkaian dan arah aliran arus
Transistor npn
Transistor pnp
Cara kerja pada mode aktif (untuk pemakaian sebagai
penguat)

Kondisi:
1. EBJ forward biased:
npn: v
BE
> V
BEon;
V
BEon
0,5 V
biasanya v
BE
= 0,7 V
pnp: v
EB
> V
EBon
; V
EBon
0,5 V
biasanya v
EB
= 0,7 V

45
2. CBJ reverse biased
npn: v
BC
V
BCon
: V
BCon
0,4 V v
CE
0,3 V
pnp: v
CB
V
CBon :
V
CBon
: 0,4 V v
EC
0,3 V

Hubungan arus tegangan:
T BE
V v
S C
e I i = npn:
pnp:
T EB
V v
S C
e I i =
1 1 +
=

=
= =
= =
|
|
o
o
o
|
o o
| |
C C C E
B C C B
i i i i
i i i i
Model rangkaian ekivalen sinyal besar

npn:
( )
T BE
T BE
T BE
V v
S A o
A
CE
V v
S C
V v
S
B
e I V r
V
v
e I i
e
I
i
=
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
=
1
|
46
( )
T EB
T EB
T EB
V v
S A o
A
EC
V v
S C
V v
S
B
e I V r
V
v
e I i
e
I
i
=
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
=
1
|
Model Ebers-Moll
( )
( ) 1
1
=
=
T BC
T BE
V v
SC DC
V v
SE DE
e I i
e I i
( )
( ) 1
1
=
=
T CB
T EB
V v
SC DC
V v
SE DE
e I i
e I i
pnp
npn
pnp
47
EBJ luas
CBJ luas
= =
= =
R
F
SE
SC
S SC R SE F
I
I
I I I
o
o
o o
Cara kerja pada mode jenuh
Kondisi:
1. EBJ forward biased:
npn: v
BE
> V
BEon
; V
BEon
0,5 V
biasanya v
BE
= 0,7 0,8 V
pnp: v
EB
> V
EBon
; V
EBon
0,5 V
biasanya v
EB
= 0,7 0,8 V

2. CBJ forward biased
npn: v
BC
V
BCon
: V
BCon
0,4 V
biasanya: v
BC
= 0,5 0,6 V
v
CE
= V
CEsat
= 0,1 0,2 V
pnp: v
CB
V
CBon
: V
CBon
0,4 V
biasanya: v
CB
= 0,5 0,6 V
v
EC
= V
ECsat
= 0,1 0,2 V

Arus: I
Csat
=
forced
I
B


forced

F

factor Overdrive =
forced
F
|
|
48
Rangkaian ekivalen
( )
(

+ +
=
F forced
F forced
T CEsat
V V
| |
| |
1
1 1
ln
Untuk:
forced
=
F
/2; R
CEsat
= 1/10
F
I
B

npn
pnp
49
BJT sebagai Penguat dan sebagai Saklar

Pemakaian BJT:
sebagai penguat:
BJT bekerja pada mode aktif.
BJT berperan sebagai sebuah sumber arus
yang dikendalikan oleh tegangan (VCCS).
Perubahan pada tegangan base-emitter,v
BE
,
akan menyebabkan perubahan pada arus
collector, i
C
.
BJT dipakai untuk membuat sebuah penguatan
transkonduktansi.
Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan
melalukan arus collector ke sebuah resistansi,
R
C
.
Agar penguat menjadi penguat linier, transistor
harus diberi bias, dan sinyal akan
ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal
yang akan diperkuat harus dijaga tetap kecil
sebagai saklar
BJT bekerja pada mode cutoff dan mode jenuh
50
Cara kerja sinyal besar Karakteristik Transfer
Gambar 26. (a) Rangkaian dasar penguat common
emitter
(b) Karakteristik transfer dari rangkaian (a)
51
Rangkaian dasar penguat common-emitter terlihat
pada gambar 26.
Tegangan masukan total v
I
(bias + sinyal) dipasang
di antara base dan emitter (ground)
Tegangan keluaran total v
O
(bias + sinyal) diambil
di antara collector dan emitter (ground)
Resistor R
C
mempunyai 2 fungsi:
Untuk menentukan bias yang diinginkan pada
collector
Mengubah arus collector, i
C
, menjadi tegangan
keluaran v
OC
atau v
O

Tegangan catu V
CC
diperlukan untuk memberi bias
pada BJT dan untuk mencatu daya yang diperlukan
untuk kerja penguat.

Karakteristik transfer tegangan dari rangkaian CE
terlihat pada gambar 26(b).

v
O
= v
CE
= V
CC
R
C
i
C


v
I
= v
BE
< 0,5 V transistor cutoff.
0 < v
I
< 0,5 V, i
C
kecil sekali, dan v
O
akan sama dengan
tegangan catu V
CC
(segmen XY pada kurva)
52
v
I
> 0,5 V transistor mulai aktif, i
C
naik, v
O
turun.
Nilai awal v
O
tinggi, BJT bekerja pada mode aktif yang
menyebabkan penurunan yang tajam pada kurva
karakteristik transfer tegangan (segmen YZ), Pada
segmen ini:
T I
T I
T EB
V v
S C CC O
V v
S
V v
S C
e I R V v
e I
e I i
=
=
~

Mode aktif berakhir ketika v
O
= v
CE
turun sampai 0,4 V di
bawah tegangan base (v
BE
atau v
I
) CBJ on dan
transistor memasuki mode jenuh (lihat titik Z pada kurva).
Pada daerah jenuh kenaikan v
BE
menyebabkan v
CE
turun
sedikit saja. v
CE
= V
CEsat
berkisar antara 0,1 0,2 V. I
Csat
juga konstan pada harga:
C
CEsat CC
Csat
R
V V
I

=
Pada daerah jenuh, BJT menunjukkan resistansi yang
rendah, R
CEsat
antara collector dan emitter. Jadi ada
jalur yang mempunyai resistansi rendah antara collector
dan ground, sehingga dapat dianggap sebagai saklar
tertutup.
53
Sedangkan ketika BJT dalam keadaan cut off, arus
sangat kecil (idealnya nol), jadi beraksi seperti saklar
terbuka, memutus hubungan antara collector dan
ground.
Jadi keadaan saklar ditentukan oleh harga tegangan
kendali v
BE
.


Penguatan Penguat.

Agar BJT bekerja sebagai penguat, maka harus diberi
bias pada daerah aktif yang ditentukan oleh tegangan
dc base emitter V
BE
dan tegangan dc collector
emitter V
CE
. Arus collector I
C
pada keadaan ini:
C C CC CE
V V
S C
I R V V
e I I
T BE
=
=
Jika sinyal v
i
akan diperkuat, sinyal ini
ditumpangkan pada V
BE
dan harus dijaga kecil
(lihat gambar 26(b)) agar tetap pada segmen yang
linier dari kurva transfer di sekitar titik bias Q.
Koefiesin arah dari segmen linier ini sama dengan
penguatan tegangan dari penguat untuk sinyal
kecil di sekitar titik Q.
54
Penguatan sinyal kecil A
v
:
CE CC RC
T
RC
T
C C
v
C
V V
S
T
v
V v
I
O
v
V v
S C CC O
V V V
V
V
V
R I
A
R e I
V
A
dv
dv
A
e I R V v
T BE
BE I
T i
=
= =
=

=
=
1
Perhatikan:
penguat CE: inverting, artinya sinyal keluaran
berbeda 180 dengan sinyal masukan.
peguatan tegangan dari penguat CE adalah
perbandingan antara penurunan tegangan pada
R
C
dengan tegangan termal V
T
.
untuk memaksimumkan penguatan tegangan,
penurunan tegangan pada R
C
harus sebesar
mungkin, artinya untuk harga V
CC
tertentu
penguatan harus bekerja pada V
CE
yang lebih
rendah.
55
pada gambar 26(b) terlihat, jika V
CE
lebih rendah
titik bias Q dekat pada ujung daerah aktif,
tidak mempunyai ruang yang cukup untuk
simpangan negatif tegangan keluaran tanpa
penguat memasuki daerah jenuh puncak
negatif dari gelombang v
O
akan terpotong. jadi
diperlukan ruang yang cukup untuk simpangan
sinyal keluaran yang menentukan posisi yang
efektif untuk titik bias Q pada segmen daerah aktif
YZ.
jika Q ditempatkan pada posisi yang terlalu tinggi
pada segmen ini, tidak hanya akan mengurangi
penguatan tapi juga membatasi simpangan positif
dari sinyal keluaran. Pada sisi positif, pembatasan
ini ditentukan oleh BJT memasuki cut off, pada
keadaan ini puncak positif akan terpotong pada
level V
CC
. Secara teoritis penguatan maksimum A
v

diperoleh dengan mem-bias BJT pada ujung
keadaan jenuh, tetapi tidak akan mempunyai
ruang untuk simpangan sinyal negatif.
T
CC
v
T
CEsat CC
v
V
V
A
V
V V
A
~

=
56
Contoh soal 2
Sebuah rangkaian CE menggunakan sebuah BJT
yang mempunyai I
S
= 10
-15
A, sebuah resistansi
collector R
C
= 6,8 k dan catu daya V
CC
= 10 V.
a. Tentukan harga tegangan bias V
BE
yang
diperlukan untuk mengoperasikan transistor
pada V
CE
= 3,2 V. Berapakah harga I
C
nya?
b. Carilah penguatan tegangan A
v
pada titik bias.
Jika sebuah sinyal masukan sinusoida dengan
amplitudo 5 mV ditumpangkan pada V
BE
,
carilah amplitudo sinyal keluaran sinusoida.
c. Carilah kenaikan positif v
BE
(di atas V
BE
) yang
mendorong transistor ke daerah jenuh, dimana
v
CE
= 0,3 V.
d. Carilah kenaikan negatif v
BE
yang mendorong
transistor ke daerah 1% cut off (v
O
= 0,99 V
CC
)

Jawab:
a.
mV 8 , 690
10 10 1
mA 1
8 , 6
2 , 3 10

15 3
=
=
=

=

BE
V V
C
CE CC
C
V
e
R
V V
I
T BE
57
b.
V 36 , 1 005 , 0 272
V/V 272
025 , 0
2 , 3 10

= =
=

=
.
o
T
CE CC
v
V
V
V V
A
c. Untuk v
CE
= 0,3 V
mA 617 , 1
8 , 6
3 , 0 10
=

=
C
i
Untuk menaikkan i
C
dari 1 mA ke 1,617 mA, v
BE
harus dinaikkan:
mV 12
1
617 , 1
ln
=
|
.
|

\
|
= A
T BE
V v
58
d. Untuk v
o
= 0,99 V
CC
= 9,9 V
mA 0147 , 0
8 , 6
9 , 9 10
=

=
C
i
Untuk menurunkan i
C
dari 1 mA ke 0,0147 mA, v
BE

harus diturunkan
mV 5 , 105
1
0147 , 0
ln
=
|
.
|

\
|
= A
T BE
V v
Analisis Grafis
Gambar 27 Rangkaian yang akan dianalisa
secara grafis
59
Perhatikan gambar 27 yang mirip dengan rangkaian
terdahulu hanya ada tambahan resitansi pada base, R
B
.
Analisis grafis dilakukan sebagai berikut:
1. Tentukan titik bias dc; set v
i
= 0 dan gunakan cara
seperti pada gambar 27 untuk menentukan arus dc
pada base I
B
.
2. Gunakan karakteristik i
C
v
CE
seperti yang terlihat
pada gambar 29. Titik kerja akan terletak pada kurva
i
C
v
CE
yang mempunyai arus base yang diperoleh
(i
B
= I
B
)
Gambar 28. Konstruksi grafis untuk menentukan arus
dc base pada rangkaian di gambar 27
60
Gambar 29. Konstruksi grafis untuk menentukan arus dc
collector I
C
dan tegangan collectoremitter V
CE
pada
rangkaian pada gambar 27
v
CE
= V
CC
i
C
R
C

CE
C C
CC
C
v
R R
V
i
1
=
Hubungan di atas adalah hubungan linier yang
digambarkan dengan sebuah garis lurus seperti pada
gambar 29. Garis ini dikenal dengan garis beban.
61
Gambar 30 (a). Penentuan grafis komponen sinyal v
be

dan i
b
ketika komponen sinyal v
i
ditumpangkan pada
tegangan dc V
BB
.
62
Gambar 30 (b). Penentuan grafis komponen sinyal v
ce

dan i
c
ketika komponen sinyal v
i
ditumpangkan pada
tegangan dc V
BB
.
63
Gambar 31. Pengaruh lokasi titik bias pada
simpangan sinyal
Pengaruh letak titik bias pada simpangan sinyal
64
Cara kerja sebagai saklar.

BJT bekerja sebagai saklar: gunakan mode cut off dan
mode jenuh.
Gambar 32: Rangkaian sederhana yang digunakan
untuk menunjukkan mode operasi yang berbeda dari
BJT.

Harga masukan v
I
bervariasi.
v
I
< 0,5 V i
B
= 0, i
C
= 0 dan v
C
= V
CC
simpul C
terputus dari ground saklar dalam keadaan terbuka.
v
I
> 0,5 V transistor on. Pada kenyataannya agar
arus mengalir, v
BE
harus sama dengan 0,7 V, dan v
I

harus lebih tinggi.
65
Arus base akan menjadi:
B
BE I
B
R
V v
i

=
Dan arus collector menjadi:
i
C
= i
B

Persamaan ini hanya berlaku untuk daerah aktif artinya
CBJ tidak forward bias atau v
C
> v
B
0,4 V.
v
C
= V
CC
R
C
i
C


Jika v
I
naik, i
B
akan naik, dan i
C
akan naik juga, Akibatnya
v
CE
akan turun. Jika v
CE
turun sampai v
B
0,4V, transistor
akan meninggalkan daerah aktif dan memasuki daerah
jenuh. Titik edge-of-saturation (EOS) ini didefinisikan:
C
CC
EOS C
R
V
I
3 , 0
) (

=
Dengan asumsi V
BE
0,7 V dan
|
) (
) (
EOS C
EOS B
I
I =
66
Harga v
I
yang diperlukan untuk mendorong transistor
ke EOS dapat ditentukan dengan persamaan:

V
I(EOS)
= I
B(EOS)
R
B
+ V
BE


Menaikkan v
I
> V
I(EOS)
menaikkan arus base yang
akan mendorong transistor ke daerah jenuh yang
semakin dalam. V
CE
akan sedikit menurun.
Asumsikan untuk transistor dalam keadaan jenuh, V
CEsat

0,2 V. Arus collector akan tetap konstan pada I
Csat

C
CEsat CC
Csat
R
V V
I

=
Memaksakan lebih banyak arus pada base mempunyai
pengaruh yang kecil pada I
CEsat
dan V
CEsat
. Pada
keadaan ini saklar tertutup dengan resistansi R
CEsat

yang rendah dan tegangan offset V
CEsat
yang rendah.

Pada keadaan jenuh, transistor dapat dipaksa bekerja
pada harga yang diinginkan.yang lebih rendah
harga normal.
B
CEsat
forced
I
I
~ |
Perbandingan antara I
B
dan I
B(EOS)
disebut faktor overdrive
67
Contoh soal 3:
Gambar 33
Transistor pada gambar 33 mempunyai berkisar
antara 50 150.
Carilah harga R
B
yang menyebabkan transistor pada
keadaan jenuh dengan faktor overdrive lebih besar dari
10.

Jawab:
Transistor dalam keadaan jenuh, tegangan collector:
V
C
= V
CEsat
0,2 V

Arus collector:
mA 8 , 9
1
2 , 0 10
=
+
=
Csat
I
68
Untuk membuat transistor jenuh dengan yang paling
rendah, diperlukan arus base paling sedikit:
mA 196 , 0
50
8 , 9
min
) (
= = =
|
Csat
EOS B
I
I
Untuk faktor overdrive = 10, arus base harus:
I
B
= 10 x 0,196 = 1,96 mA

Jadi R
B
yang

diperlukan:
O = =
=
+
k 2 , 2
94 , 1
3 , 4
96 , 1
7 , 0 5
B
B
R
R
69
Rangkaian BJT pada DC

Rangkaian BJT pada contoh-contoh soal berikut ini,
hanya tegangan DC yang akan dipasangkan.
Rangkaian-rangkaian ini akan menggunakan model
sederhana di mana |V
BE
| pada saat transistor on sama
dengan 0,7V dan |V
CE
| pada saat transistor jenuh sama
dengan 0,2 V, dan pengaruh tegangan Early diabaikan.

Dalam menganalisa sebuah rangkaian, langkah
pertama harus menentukan pada mode apa transistor
bekerja. Caranya:
asumsikan transistor beroperasi pada mode aktif.
tentukan harga-harga tegangan dan arus yang terkait.
periksa apakah hasil-hasilnya memenuhi syarat mode
aktif yaitu v
CB
dari transistor npn > 0,4 V (atau v
CB

dari transistor pnp < 0,4 V).
jika hasilnya memenuhi syarat itu, maka analisa
selesai.
jika tidak memenuhi syarat, asumsikan transistor
bekerja pada mode jenuh.
tentukan tegangan dan arus
periksa apakah hasilnya memenuhi syarat mode
jenuh yaitu dengan menghitung perbandingan I
C
/I
B
<
yang paling rendah.
70
Contoh soal 4:

Perhatikan gambar 34(a) dan 34(b). Analisa rangkaian
ini untuk menentukan tegangan semua simpul dan arus
pada semua cabang. Asumsikan = 100
Gambar 34
71
Jawab:

Asumsikan EBJ forward bias dengan tegangan V
BE
=
0,7V
V
E
= 4 V
BE
4 0,7 = 3,3 V
mA 1
3 , 3
3 , 3 0
= =

=
E
E
E
R
V
I
Asumsikan transistor dalam mode aktif.
I
C
= I
E

mA 99 , 0 1 99 , 0
99 , 0
101
100
1
= =
~ =
+
=
C
I
|
|
o
V
C
= 10 I
C
R
C
= 10 0,99 x 4,7 +5,3 V

Karena V
B
= 4 V, CBJ reverse biased dengan tegangan
1,3 V, jadi transistor dalam mode aktif.
mA 01 , 0
101
1
1
~ =
+
=
|
E
B
I
I
72
Contoh soal 5:

Perhatikan rangkaian pada gambar 35(a).
Gambar 35
73
Tentukan tegangan pada semua simpul dan arus pada
semua cabang. Rangkaian pada gambar 35 identik
dengan rangkaian pada gambar 34, kecuali tegangan
pada base = +6 V. Asumsikan transistor mempunyai
terkecil = 50.

Jawab:
Asumsikan transistor bekerja pada mode aktif
V 48 , 2 6 , 1 7 , 4 10 7 , 4 10
mA 6 , 1
3 , 3
3 , 5
V 3 , 5 7 , 0 6 6
= = + =
= =
= ~ + =
C C
E
BE E
I V
I
V V
Karena tegangan collector 3,52 V lebih rendah dari
tegangan base, maka transistor tidak mungkin bekerja
pada mode aktif. Berarti transistor bekerja pada mode
jenuh.
V ,5 5 2 , 0 3 , 5
mA 6 , 1
3 , 3
3 , 5
V 3 , 5 7 , 0 6 6
= + + = + =
= =
= ~ + =
CEsat E C
E
BE E
V V V
I
V V
74
5 , 1
64 , 0
96 , 0
mA 64 , 0 96 , 0 6 , 1
mA 96 , 0
7 , 4
5 . 5 10
= = =
= = =
=
+
=
B
C
forced
C E B
C
I
I
I I I
I
|
Karena
forced
<
min
, maka transistor memang bekerja
pada mode jenuh.


Contoh soal 6:
Tentukan tegangan pada semua simpul dan arus pada
semua cabang pada rangkaian pada gambar 36.
Catatan: rangkaian ini identik dengan rangkaian pada
contoh 4 dan contoh 5 kecuali tegangan base = 0 V.

Jawab:
Karena tegangan base = 0 dan emitter terhubung ke
ground melalui R
E
, maka EBJ tidak dapat on dan arus
emitter = 0. CBJ juga tidak dapat on karena collector
jenis n terhubung ke catu daya positif melalui R
C
dan
base jenis p terhubung ke ground. Jadi arus collector =
0. Arus base juga akan = 0, sehingga transistor bekerja
pada mode cutoff. Tegangan emitter = 0, tegangan
collector = +10 V, karena tidak ada penurunan tegangan
pada R
C
.
75
Gambar 36.
76
Contoh soal 7:

Hitung tegangan di semua simpul dan arus di semua
cabang pada rangkaian pada gambar 37.
Gambar 37
77
Jawab:
Pada transistor pnp, base terhubung ke ground dan
emitter terhubung ke catu daya positif (V
+
= +10 V)
melalui R
C
. Jadi EBJ forward biased dengan

V
E
= V
EB
= 0,7 V
mA 65 , 4
2
7 , 0 10
=

=
+
E
E
E
R
V V
I
Karena collector terhubung pada catu daya negatif
(lebih negatif daripada tegangan base) melalui R
C
,
maka dapat diasumsikan transistor bekerja pada mode
aktif.
I
C
= I
E


Asumsikan = 100 = 0,99

I
C
= 0,99 x 4,65 = 4,6 mA
V
C
= V
-

+ I
C
R
C

= -10 + 4,6 x 1 = -5,4 V

Jadi CBJ reverse biased dengan 5,6 V transistor
dalam mode aktif.
mA 05 , 0
101
65 , 4
1
~ =
+
=
|
E
B
I
I
78
Contoh soal 8:

Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus
pada semua cabang. Asumsikan = 100
Gambar 38
79
Jawab:
EBJ forward biased, jadi:
mA 043 , 0
100
7 , 0 5 5
=

=
+
=
B
BE
B
R
V
I
Asumsikan transistor bekerja pada daerah aktif:

I
C
= I
B
= 100 x 0,043 = 4,3 mA
V
C
= +10 I
C
R
C
= 10 4,3 x 2 = +1,4 V
V
B
= V
BE
= +0,7 V

Jadi CBJ reverse biased dengan tegangan 0,7 V
transistor bekerja pada aktif

I
E
= (+1)I
B
= 101 x 0,043 4,3 mA

Catatan:
Harga sangat berpengaruh pada harga I
B
.
Pada contoh soal 7, harga tidak terlalu berpengaruh
pada mode kerja transistor.
Pada contoh soal 8, kenaikan 10% akan
menyebabkan transistor memasuki mode jenuh.
Jadi dalam merancang rangkaian BJT harus
diperhatikan agar kinerja rangkaian diusahakan tidak
terlalu sensitif terhadap harga .
80
Contoh soal 9:

Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus
pada semua cabang. Harga minimum = 30
Gambar 39.
81
Jawab:
Asumsikan transistor bekerja pada mode aktif dan
abaikan arus base: V
B
0, V
E
+0,7 V, I
E
4,3 mA.
Arus collector maksimum yang dapat menunjang
transistor bekerja pada daerah aktif 0,5 mA, ternyata
transistor bekerja pada mode jenuh.

Asumsikan transistor bekerja pada mode jenuh.
V
E
=V
B
+ V
EB
V
B
+ 0,7

V
C
= V
E
V
ECsat
V
B
+ 0,7 0,2 = V
B
+ 0,5
V 13 , 3
2 , 1
75 , 3
55 , 0 1 , 0 1 , 0 3 , 4
mA 55 , 0 1 , 0
10
5 5 , 0
10
) 5 (
mA 1 , 0
10
mA 3 , 4
1
7 , 0 5
1
5
= =
+ + =
+ =
+ =
+ +
=

=
= =
=

=
+
=
B
B B B
C B E
B
B C
C
B
B
B
B
B E
E
V
V V V
I I I
V
V V
I
V
V
I
V
V V
I
82
mA 31 , 0
mA 86 , 0
mA 17 , 1
V 63 , 3
V 83 , 3
=
=
=
=
=
B
C
E
C
E
I
I
I
V
V
Jadi jelas transistor bekerja pada mode jenuh
8 , 2
31 , 0
86 , 0
~ =
forced
|

forced
<
83
Contoh soal 10:

Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus
pada semua cabang. Asumsikan = 100
Gambar 40
84
Jawab:
Gunakan teori Thvenin untuk menyederhanakan
rangkaian pada base.
( ) ( )
( ) | |
( )
V 57 , 4 3 29 , 1 7 , 0
mA 0128 , 0
101
29 , 1
mA 29 , 1
101 3 , 33 3
7 , 0 5
1
1
k 3 , 33 50 // 100 //
V 5
50 100
50
15 15
2 1
2 1
2
= + =
+ =
= =
=
+

=
+ +

=
+
=
+ + =
O = = =
+ =
+
=
+
+ =
E E BE B
B
E
BB E
BE BB
E
E
B
E E BE BB B BB
B B BB
B B
B
BB
R I V V
I
I
R R
V V
I
I
I
R I V R I V
R R R
R R
R
V
|
|
Asumsikan transistor bekerja pada mode aktif:

I
C
= I
E
= 0,99 x 1,29 = 1,28 mA
V
C
= +15 I
C
R
C
= 15 1,28 x 5 = 8,6 V

Jadi tegangan collector > 4,03 V dari tegangan base
transistor bekerja pada mode aktif
85
Contoh soal 11:

Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus
pada semua cabang. Asumsikan = 100
Gambar 41
86
Jawab:
Rangkaian ini identik dengan rangkaian pada contoh
soal 10. Perbedaannya ada transistor Q
2
dengan R
C2

dan R
E2
nya.

Asumsikan transistor Q
1
bekerja pada mode aktif.

V
B1
= +4,57 V I
E1
= 1,29 mA
I
B1
= 0,0128 mA I
C1
= 1,28 mA

Tegangan collector akan berbeda karena ada bagian
dari arus collector yang mengalir ke base Q
2
(I
B2
).
Asumsikan I
B2
<< I
C1
arus yang mengalir melalui R
C1

hampir sama dengan I
C1
.

V
C1
+15 I
C1
R
C1

= 15 1,28 x 5 = +8,6 V

Perhatikan transistor Q
2
, emitter terhubung pada +15V
melalui R
E2
. Jadi dapat diasumsikan EBJ Q
2
akan
forward biased. Jadi emitter Q
2
akan mempunyai
tegangan V
E2
.

V
E2
= V
C1
+ V
EB
|
Q2
8,6 +0,7 = +9,3 V
mA 85 , 2
2
3 , 9 15 15
2
2
2
=

=
+
=
E
E
E
R
V
I
87
Karena collector Q
2
terhubung dengan ground melalui
R
C2
, asumsikan Q
2
bekerja di mode aktif

I
C2
=
2
I
E2

= 0,99 x 2,85 = 2,82 ( asumsikan = 100)

V
C2
= I
C2
R
C2
= 2,82 x 2,7 = 7,62 V

Tegangan collector <0.98 V dari tegangan base.
Jadi transistor Q
2
bekerja dengan mode aktif.

Pada tahap ini kita harus memperbaiki kesalahan yang
muncul karena mengabaikan I
B2
.
mA 028 , 0
101
85 , 2
1
2
2
2
= =
+
=
|
E
B
I
I
Jadi harga-harga baru yang diperoleh:

I
RC1
= I
C1
I
B2
= 1,28 0,028 = 1,252 mA
V
C1
= 15 5 x 1,252 = 8,74 mA
V
E2
= 8,74 + 0,7 = 9,44 V
mA 78 , 2
2
44 , 9 15
2
=

=
E
I
88
I
C2
= 0,99 x 2,78 = 2,75 mA
V
C2
= 2,75 x 2,7 = 7,43 V
mA 0275 , 0
101
78 , 2
2
= =
B
I
Pada contoh-contoh ini kita gunakan harga yang
presisi untuk menghitung arus collector. Karena 1,
kesalahan akan kecil jika diasumsikan = 1 dan i
C
=
i
E
. Oleh karena itu kita dapat meng-asumsikan
=1, kecuali dalam perhitungan yang tergantung
dari harga (misal penghitungan arus base)
89
Contoh soal 12:

Tentukan harga tegangan pada semua simpul dan arus
pada semua cabang. Asumsikan = 100
Gambar 42
90
Jawab:
Transistor Q
1
dan Q
2
tidak akan sama-sama on.
Jadi jika Q
1
on maka Q
2
off, dan sebaliknya.

Asumsikan Q
2
on. Arus akan mengalir dari ground
melalui resistor beban 1 k ke emitter Q
2
. Jadi tegangan
base Q
2
akan negatif dan arus base akan mengalir
keluar dari base melalui resistor 10 k dan ke catu +5 V.
Keadaan ini tidak mungkin, karena jika tegangan base
negatif, arus pada resistor 10 k akan mengalir ke arah
base.
Jadi asumsi bahwa Q
2
on tidak benar Q
2
akan off
dan Q
1
akan on

Pertanyaan berikutnya: apakah Q
1
aktif atau jenuh.
Karena base dicatu oleh +5 V dan karena arus base
mengalir ke base Q
1
, maka tegangan base akan lebih
rendah dari +5V.Jadi CBJ Q
1
reverse biased dan Q
1

bekerja pada mode aktif.
Untuk menghitung tegangan dan arus, gunakan teknik
yang telah dipakai secara rinci. Hasilnya terlihat pada
gambar 42(b).
91
Pemberian bias pada rangkaian BJT

Masalah pemberian bias berkaitan dengan:
penentuan arus dc pada collector yang harus dapat
dihitung, diprediksi dan tidak sensitif terhadap
perubahan suhu dan variasi harga yang cukup besar.
penentuan lokasi titik kerja dc pada bidang i
C
v
CE

yang memungkinkan simpangan sinyal tetap linier.
Gambar 43. Pemberian bias pada BJT
(a) Menetapkan harga V
BE
yang tetap
(b) Menetapkan harga I
B
yang tetap
Contoh pemberian bias yang tidak baik
92
Cara klasik pengaturan bias untuk rangkaian diskrit
Gambar 44. Cara klasik pemberian bias untuk BJT
menggunakan sebuah catu daya.

Gambar 44(b) menunjukkan rangkaian yang sama
dengan menggunakan rangkaian ekivalen Thvenin-nya.
( ) 1
2 1
2 1
2 1
2
+ +

=
+
=
+
=
|
B E
BE BB
E
B
CC BB
R R
V V
I
R R
R R
R
V
R R
R
V
93
Untuk membuat I
E
tidak sensitif terhadap suhu dan
variasi , rangkaian harus memenuhi dua syarat
berikut:
1 +
>>
>>
|
B
E
BE BB
R
R
V V
Untuk memenuhi persyaratan di atas.
Sebagai rule of thumb, V
BB
V
CC
, V
CB
(atau V
CE
)
V
CC
dan I
C
R
C
V
CC

Pilih R
1
dan R
2
sehingga arus yang melaluinya
berkisar antara 0,1I
E
I
E
.

Pada rangkaian pada gambar 44, R
E
memberikan
umpan balik negatif sehingga dapat men-stabil-kan arus
dc emitter.

Jika I
E
V
RE
dan V
E
. Jika tegangan pada
base hanya ditentukan oleh pembagi tegangan R
1
,
R
2
, yaitu bila R
B
kecil, maka tegangan ini akan
tetap konstan, sehingga jika V
E
V
BE
I
C

(dan I
E
) .
94
Contoh soal 13:
Rancanglah rangkaian pada gambar 44 sehingga I
E
=
1 mA dengan catu daya V
CC
= +12V. Transistor
mempunyai harga nominal = 100.

Jawab:
Ikuti rule of thumb:
tegangan catu daya dialokasikan untuk tegangan
pada R
2
, lainnya untuk tegangan pada R
C
dan
sisanya untuk simpangan sinyal pada collector.

V
B
= +4 V
V
E
= 4 V
BE
3,3 V
O = = = k 3 , 3
1
3 , 3
E
E
E
I
V
R
Pilih arus pada pembagi tegangan = 0,1I
E
= 0,1 x 1
= 0,1 mA
Abaikan arus base, jadi
V 4
k 120
1 , 0
12
2 1
2
2 1
=
+
O = = +
CC
V
R R
R
R R
Jadi R
2
= 40 k dan R
1
= 80 k
95
Pada tahap ini, dapat dihitung I
E
yang lebih akurat
dengan memperhatikan arus base yang tidak nol.
( )( )
mA 93 , 0
101
40 // 80
) ( 3 , 3
7 , 0 4
=
O
+ O

=
k
k
I
E
Ternyata lebih kecil dari harga yang diinginkan. Untuk
mengembalikan I
E
ke harga yang diinginkan kurangi
harga R
E
dari 3,3 k dengan suku kedua dari penyebut
(0,267 k). Jadi harga R
E
yang lebih tepat adalah R
E
=
3 k yang akan menghasilkan I
E
= 1,01 mA 1 mA.

Disain 2:
jika diinginkan untuk menarik arus yang lebih tinggi dari
catu daya dan resistansi masukan penguat yang lebih
kecil, kita dapat menggunakan arus pada pembagi
tegangan sama dengan I
E
(yaitu 1 mA), maka R
1
= 8 k
dan R
2
= 4 k
mA 1 99 , 0
027 , 0 3 , 3
7 , 0 4
~ =
+

=
E
I
Pada disain ini harga R
E
tidak perlu diganti
96
O =

=
~ = = =

=
k 4
1
8 12
mA 1 mA 99 , 0 1 99 , 0
12
C
E C
C
C
C
R
I I
I
V
R
o
Cara klasik pengaturan bias dengan
menggunakan dua catu daya
Gambar 45. Pemberian bias pada BJT dengan
menggunakan dua catu daya
97
( ) 1 + +

=
|
B E
BE EE
E
R R
V V
I
Persamaan ini sama dengan persamaan sebelumnya
hanya V
EE
menggantikan V
BB
. Jadi kedua kendala tetap
berlaku.
Jika base dihubungkan dengan ground (konfigurasi
common-base), maka R
B
dihilangkan sama sekali.
Sebaliknya, jika sinyal masukan dihubungkan pada
base, maka R
B
tetap diperlukan.


Pemberian bias dengan menggunakan resistor
umpan balik collector-ke-base.

Gambar 46(a) menunjukkan sebuah rancangan
pemberian bias yang sederhana tapi efektif yang cocok
untuk penguat common-emitter.

Resistor R
B
berperan sebagai umpan balik negatif, yang
membantu kestabilan titik bias dari BJT
98
Gambar 46 Penguat common-emitter yang diberi bias
dengan resistor umpan balik R
B
.
( ) 1
1

+ +

=
+
+
+ =
+ + =
|
|
B C
BE CC
E
BE B
E
C E
BE B B C E CC
R R
V V
I
V R
I
R I
V R I R I V
Untuk mendapatkan I
E
yang tidak sensitif terhadap
variasi , R
B
/(+1) << R
C
. Harga R
B
menentukan
simpangan sinyal yang terdapat pada collector, karena
1 +
= =
|
B
E B B CB
R
I R I V
99
Pemberian bias dengan menggunakan sumber arus
Gambar 47(a) Sebuah BJT diberi bias dengan sumber
arus I.
(b) Implementasi rangkaian sumber arus I.

Rangkaian ini mempunyai keunggulan:
yaitu arus emitter tidak tergantung dari harga dan R
B

R
B
dapat dibuat besar resistansi masukan pada
base meningkat tanpa mengganggu kestabilan bias.
menyederhanakan rangkaian.
100
Implementasi sederhana dari sumber arus konstan I,
terlihat pada gambar 47(b). Rangkaian menggunakan
sepasang transistor yang matched Q
1
dan Q
2
, dengan
Q
1
dihubungkan sebagai dioda dengan menghubung
singkat collector dan base nya.
Jika diasumsikan Q
1
dan Q
2
mempunyai harga yang
tinggi, arus base dapat diabaikan. Jadi arus melalui Q
1

hampir sama dengan I
REF
.
( )
R
V V V
I
BE EE CC
REF

=
Karena Q
1
dan Q
2
mempunyai V
BE
yang sama, arus
collectornya akan sama
R
V V V
I I
BE EE CC
REF
+
= =
Dengan mengabaikan efek Early pada Q
2
, arus collector
akan tetap konstan selama Q
2
tetap pada daerah aktif.
Hal ini akan tetap terjaga jika tegangan collector lebih
tinggi dari tegangan base (-V
EE
+ V
BE
).

Hubungan Q
1
dan Q
2
seperti pada gambar 47(b) dikenal
sebagai current mirror
101
Cara kerja dan model sinyal kecil
Gambar 48 (a) Rangkaian konseptual untuk
menunjukkan cara kerja transistor sebagai penguat
(b) Rangkaian (a) tanpa sinyal v
be
untuk analisa DC (bias)

EBJ diberi forward bias oleh sebuah batere V
BE
. CBJ
diberi reverse bias oleh catu daya DC V
CC
melalui resistor
R
C
. Sinyal yang akan diperkuat, v
be
, ditumpangkan pada
V
BE
.

Langkah pertama keadaan bias DC dengan men-set v
be

sama dengan nol. (Lihat gambar 48(b))
102
Hubungan antara arus dan tegangan DC:
C C CC CE C
C B
C E
V V
S C
R I V V V
I I
I I
e I I
T BE
= =
=
=
=
|
o
Untuk bekerja pada mode aktif, V
C
harus lebih besar
dari (V
B
0,4) dengan harga yang memungkinkan
simpangan sinyal pada collector,


Arus collector dan transkonduktansi.

Jika sinyal v
be
dipasangkan seperti pada gambar 48(a)
total tegangan base emitter v
BE
menjadi

v
BE
=V
BE
+ v
be

,
Dan arus collector menjadi:
( )
( ) ( )
T be T BE
T be BE T BE
V v V V
S
V v V
S
V V
S C
e e I
e I e I I
=
= =
+

103
T be
V v
C C
e I i =
Jika v
be
<< V
T
maka:
|
|
.
|

\
|
+ ~
T
be
C C
V
v
I i 1
Persamaan (pendekatan) di atas hanya berlaku untuk
v
be
lebih kecil dari 10 mV, dan ini dikenal dengan
pendekatan sinyal kecil. Maka arus collector total:
c
be
m
be m c
be
T
C
c
be
T
C
C C
i
v
g
v g i
v
V
I
i
v
V
I
I i
=
=
=
+ =
g
m
disebut transkonduktansi
104
Gambar 49.Cara kerja linier dari transistor dengan
sinyal kecil
105
Transkonduktansi BJT sebanding dengan arus bias
collector I
C.
BJT mempunyai transkonduktansi yang cukup tinggi
dibandingkan dengan MOSFET, misal untuk I
C
= 1 mA,
g
m
40 mA/V

Interpretasi grafis g
m
dapat dilihat pada gambar 49, di
mana g
m
sama dengan kemiringan kurva karakteristik i
C

v
BE
pada i
C
= I
C
(titik bias Q). Jadi
C C
I i
BE
C
m
v
i
g
=
c
c
=
Pendekatan sinyal kecil amplitudo sinyal harus dijaga
cukup kecil transistor bekerja pada daerah terbatas
pada kurva i
C
v
BE
di mana segmen masih bisa
dianggap linier.

Untuk sinyal kecil (v
be
<< V
T
), transistor berperan seperti
sebuah sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan
(VCCS).
Terminal masukan VCCS : antara base dan emitter,
terminal keluaran di antara collector dan emitter.
Transkonduktansi dari VCCS ini: g
m
dan resistansi
keluaran tidak terhingga (untuk keadaan ideal). Pada
kenyataannya BJT mempunyai resistansi keluaran yang
terbatas karena ada efek Early.
106
Arus base dan resistansi masukan pada base

Untuk menentukan resistansi masukan, pertama hitung
total arus base i
B

be
m
b
T
C
m
be
T
C
b
C
B
b B B
be
T
C C C
B
v
g
i
V
I
g
v
V
I
i
I
I
i I i
v
V
I I i
i
|
|
|
| | |
=
=
=
=
+ =
+ = =
1
1
107
Resistansi masukan sinyal kecil antara base dan emitter,
melihat ke arah:base, disebut r

dan didefinisikan
sebagai
B
T
m
b
be
I
V
r
g
r
i
v
r
=
=

t
t
t
|
jadi r

berbanding lurus dengan dan berbanding

terbalik dengan arus bias I
C
.


Arus emitter dan resistansi masukan pada emitter

Total arus emitter i
E
dapat ditentukan dari
be
T
E
be
T
C c
e
C
E
e E E
c C C
E
v
V
I
v
V
I i
i
I
I
i I i
i I i
i
= = =
=
+ =
+ = =
o o
o
o o o
108
Resistansi masukan sinyal kecil antara base dan emitter,
melihat ke arah:emitter, disebut r
e
atau resistansi emitter
dan didefinisikan sebagai
m m
e
E
T
e
e
be
e
g g
r
I
V
r
i
v
r
1
~ =
=

o
Hubungan antara r

dan r
e
dapat diperoleh dengan
mengkombinasikan definisinya masing-masing

v
be
= i
b
r

= i
e
r
e

Jadi: r

= (i
e
/i
b
)r
e


r

= (+1)r
e

109
Penguatan tegangan

Untuk mendapatkan tegangan sinyal keluaran, maka
kita alirkan arus collector melalui sebuah resistor. Total
tegangan collector:

v
C
= V
CC
i
R
R
C

= V
CC
(I
C
+ i
c
)R
C

= (V
CC
I
C
R
C
) i
c
R
C

= V
C
i
c
R
C


V
C
adalah tegangan bias dc pada collector, dan
tegangan sinyal adalah:

v
c
= i
c
R
C
= g
m
v
be
R
C

= (g
m
R
C
)v
be


Jadi penguatan tegangan dari penguat, A
v
adalah
C m
be
c
V
R g
v
v
A =
g
m
sebanding dengan arus bias collector, jadi
T
C C
v
V
R I
A =
110
Memisahkan sinyal dengan harga-harga DC

Arus dan tegangan pada rangkaian penguat terdiri dari
dua komponen: komponen dc dan komponen sinyal.

Komponen DC ditentukan dari rangkaian dc pada
gambar 48(b), sedangkan cara kerja sinyal BJT dapat
diperoleh dengan menghilangkan sumber DC, seperti
pada gambar 50.

Gambar 50 Rangkaian penguat pada gambar 48
dengan sumber DC dihilangkan (di hubung singkat)
111
Model Hybrid -
Gambar 51 (a) BJT sebagai VCCS (penguat
transkonduktansi
Gambar 51 (b) BJT sebagai CCCS (penguat arus)
112
Pada gambar 51(a), BJT digambarkan sebagai VCCS
yang mempunyai resistansi masukan (melihat ke arah
base) r

, dengan sinyal kendali v

be
. Hubungan arus dan
tegangan pada rangkaian ini:
( )
( )
e be
be
be
m
be
be m
be
e
be
b
be m c
r v
r
v
r
v
r g
r
v
v g
r
v
i
r
v
i
v g i
=
|
|
.
|

\
|
+
= + =
+ = + =
=
=

1
1
1
|
|
t
t
t
t t
t
Pada gambar 51(b) BJT digambarkan sebagai CCCS,
dengan sinyal kendali i
b
. Hubungan arus sebagai
berikut:
( )
( )
b m
b m be m
i r g
r i g v g
t
t
=
=

113
Model T
Gambar 52 (a) BJT sebagai VCCS
Gambar 53 (b) BJT sebagai CCCS
Pada kedua gambar yang ada adalah r
e
, bukan r

114
Pada gambar 52(a), BJT digambarkan sebagai VCCS
yang mempunyai resistansi masukan (melihat ke arah
emitter ) r
e
dengan sinyal kendali v
be
Hubungan arus dan
tegangan pada rangkaian ini:
( )
( )
( )
t
|
|
|
o
r
v
r
v
r
v
r
v
r g
r
v
v g
r
v
i
be
e
be
e
be
e
be
e m
e
be
be m
e
be
b
=
+
=
|
|
.
|

\
|
+
= =
= =
1

1
1 1
1
Pada gambar 52(b) BJT digambarkan sebagai CCCS,
dengan sinyal kendali i
e
. Hubungan arus sebagai
berikut:
( )
( )
e e e m
e e m be m
i i r g
r i g v g
o = =
=

115
Aplikasi rangkaian ekivalen sinyal kecil.

Proses yang sistimatis dalam menganalisa penguat
transistor:
1. Tentukan titik kerja dc BJT, terutama arus
collector dc I
C
.
2. Hitung harga-harga parameter model sinyal kecil:
g
m
= I
C
/V
T
, r

= /g
m
dan r
e
= V
T
/I
E
= /g
m
.
3. Hilangkan semua sumber dc dengan mengganti
sumber tegangan dc dengan hubung singkat,
dan sumber arus dc dengan hubung terbuka.
4. Ganti BJT dengan salah satu model rangkaian
ekivalen.
5. Analisa rangkaian yang didapat untuk
menentukan penguatan tegangan, resistansi
masukan dan lain-lain.

116
Contoh soal 14:
Analisa penguat transistor pada gambar 53(a) dan
tentukan penguatan tegangannya. Asumsikan = 100
Gambar 53 (a) rangkaian (b) analisa dc (c) model
sinyal kecil
117
Tentukan titik kerja. Asumsikan v
i
= 0.
V 1 , 3 3 3 , 2 10
mA 3 , 2 023 , 0 100
mA 023 , 0
100
7 , 0 3

+ = + =
=
= = =
=

=
C C CC C
B C
BB
BE BB
B
R I V V
I I
R
V V
I
|
Karena V
B
(+0,7 V) < V
C
transistor bekerja pada mode
aktif.

Tentukan parameter model sinyal kecil:
( )
O = = =
= = =
O = = =
k 09 , 1
92
100
mA/V 92
mV 25
mA 3 , 2
8 , 10
mA 99 , 0 3 , 2
mV 25
m
T
C
m
E
T
e
g
r
V
I
g
I
V
r
|
t
118
Model rangkaian ekivalen terlihat pada gambar 53(c).
Perhatikan tidak ada sumber tegangan dc. Terminal
rangkaian yang terhubung ke sebuah sumber tegangan
dc yang konstan selalu dapat dianggap sebagai sinyal
ground.
V/V 04 , 3
04 , 3 3 011 , 0 92
011 , 0
09 , 101
09 , 1

= =
= =
=
= =
+
=
i
o
v
i i
C be m o
i i
BB
i be
v
v
A
v v
R v g v
v v
R r
r
v v
t
t
Tanda negatif menunjukkan pembalikan fasa.
119
Contoh soal 15:
Untuk mendapatkan pengertian yang lebih mendalam
dari cara kerja penguat transistor, kita akan melihat
bentuk gelombang pada berbagai titik pada
rangkaian yang telah dianalisa pada contoh
sebelumnya. Untuk hal ini asumsikan v
i

merupakan gelombang segitiga. Pertama tentukan
amplitudo maksimum dari v
i
yang dimungkinkan
pada rangkaian ini. Kemudian dengan amplitudo
ini, gambarkan bentuk gelombang pada i
B
(t),
v
BE
(t), i
C
(t) dan v
C
(t).

Jawab:
Satu kendala pada amplitudo sinyal adalah
pendekatan sinyal kecil, dimana v
be
tidak boleh
melebihi 10 mV.Jika digunakan bentuk gelombang
segitiga v
be
dengan 20 mV peak-to-peak dan bekerja
mundur,
V 91 , 0
011 , 0
10
011 , 0
= = =
.
.
be
i
V
V
120
Untuk memeriksa apakah transistor masih bekerja pada
mode aktif dengan v
i
beramplitudo V
i
= 0,91 V, periksa
harga tegangan collector. Tegangan pada collector akan
terdiri dari gelombang segitiga yang ditumpangkan pada
harga dc V
C
= 3,1 V. Tegangan puncak dari bentuk
gelombang segitiga:
V 77 , 2 04 , 3 91 , 0 penguatan = = =
. .
i c
V V
Pada saat simpangan negatif, tegangan collector
mencapai harga minimum:
V
Cmin
= 3,1 2,77 = 0,33 V
Tegangan ini lebih rendah dari tegangan base
kurang dari 0,4 V, jadi transistor masih bekerja
pada daerah aktif. Walaupun demikian kita akan
menggunakan harga amplitudo yang lebih rendah,
yaitu 0,8 V. Analisa selengkapnya adalah sebagai
berikut:
mA 008 , 0
09 , 1 100
8 , 0
=
+
=
+
=
.
.
t
r R
V
I
BB
i
b
Sinyal ini ditumpangkain pada arus base I
B
seperti yang
terlihat pada gambar 54(b)
121
Gambar 54. Bentuk gelombang sinyal.
122
Tegangan base emitter terdiri dari komponen
gelombang segitiga yang ditumpangkan pada tegangan
dc V
BE
= 0,7V. Puncak dari gelombang segitiga:
mV 6 , 8
09 , 1 100
09 , 1
8 , 0 =
+
=
+
=
. .
BB
i be
R r
r
V V
t
t
Total v
BE
terlihat pada gambar 54(c)

Sinyal arus segitiga pada collector akan mempunyai
puncak:
Arus sinyal akan ditumpangkan pada arus collector dc
I
C
(=2,3 mA), seperti yang terlihat pada gambar 54(d).

Tegangan sinyal pada collector dapat diperoleh dengan
mengalikan v
i
dengan penguatan tegangan
mA 8 , 0 008 , 0 100 = = =
. .
b c
I I |
V 43 , 2 8 , 0 04 , 3 = =
.
c
V
Tegangan total pada collector dapat dilihat pada gambar
54(e)
123
Contoh soal 16:
Analisa-lah rangkaian pada gambar 55(a) untuk
menentukan penguatan tegangan dan bentuk gelombang
pada berbagai titik. Kapasitor C adalah kapasitor coupling
yang berfungsi untuk menghubungkan sinyal v
i
dan mem-
block dc. Dengan cara ini bias dc hanya ditentukan oleh
V
+
dan V
-
serta R
E
dan R
C
. Untuk hal ini harga C
diasumsikan sangat besar, idealnya , sehingga akan
menjadi hubung singkat untuk frekuensi sinyal yang
diinginkan. Demikian juga kapasitor yang dipakai untuk
menghubungkan sinyal keluaran v
o
.

Jawab:
Tentukan titik kerja dc:
mA 93 , 0
10
7 , 0 10 10
=

=
+
=
E
E
E
R
V
I
Asumsikan = 100, = 0,99

I
C
= 0,99 I
E
= 0,92 mA
V
C
= 10 + R
C
I
C

= 10 + 0,92 x 5 = 5,4 V

Jadi transistor bekerja pada mode aktif
124
Gambar 55
125
Sinyal pada collector dapat mempunyai simpangan dari
5,4 V sampai +0,4 V (yaitu 0,4 V di atas tegangan
base) tanpa memasuki daerah jenuh. Tetapi 5,8 V
simpangan negatif pada tegangan collector akan
menyebabkan tegangan minimum collector menjadi
11, 2V. Tegangan ini lebih negatif dari tegangan catu
daya. Jika kita memaksakan untuk memasangkan
sebuah masukan yang akan menghasilkan sebuah
keluaran yang demikian, maka transistor akan cut off
dan puncak negatif akan terpotong, seperti yang terlihat
pada gambar 56. Bentuk gelombang pada gambar 56
tetap linier hanya saja puncak negatifnya terpotong;
yaitu pengaruh non linier tidak diperhitungkan. Hal ini
tidak benar, karena kita telah mendorong transistor ke
daerah cut off pada puncak sinyal negatif yang berarti
kita melebihi batas sinyal kecil.

Tentukan penguatan tegangan sinyal kecil. Gunakan
model rangkaian ekivalen T dan menghilangkan semua
sumber dc. (Lihat gambar 55(c)).
O = = =
=
27
mA 93 , 0
mV 25
99 , 0
E
T
e
I
V
r
o
126
Gambar 56. Sinyal terdistorsi karena cut off.
V/V 3 , 183 = = =
= =
=
e
C
i
o
v
i
e
C
C e o
e
i
e
r
R
v
v
A
v
r
R
R i v
r
v
i
o
o
o
127
Perhatikan penguatan tegangan positif berarti keluaran
mempunyai fasa yang sama dengan masukan yang
dipasangkan pada emitter.

Besaran sinyal yang diperbolehkan, perhatikan gambar
55(c) di mana v
i
= v
eb
. Jadi bila diinginkan kerja sinyal
kecil yang linier, maka puncak v
i
harus dibatasi kira-kira
10 mV. Dengan harga amplitudo ini, seperti terlihat pada
gambar 57, harga amplitudo V
c
:
V 833 , 1 01 , 0 3 , 183 = =
.
c
V
Gambar 57
128
Penambahan model sinyal kecil dengan
memperhatikan efek Early

Efek early menyebabkan arus collector tergantung tidak
hanya pada v
BE
, tetapi juga pada v
CE
. Ketergantungan
pada v
CE
dapat dimodelkan dengan menempatkan
resistansi keluaran r
o
.
C
A
C
CE A
o
I
V
I
V V
r ~
+
=
V
A
= tegangan Early; V
CE
dan I
C
adalah koordinat titik
kerja dc.

Pengaruh r
o
pada cara kerja transistor sebagai penguat
dapat dilihat pada persamaan berikut
( )
o C be m o
r R v g v // =
Jadi penguatan akan berkurang. Jika r
o
>> R
C
,
pengurangan penguatan ini dapat diabaikan. Secara
umum pengaruh r
o
diabaikan jika r
o
> 10R
C
.
129
Gambar 58. Model sinyal kecil hybrid- dengan r
o

130
Ringkasan Model Sinyal Kecil dari BJT

Model hybrid-
versi (g
m
v

) versi (i
b
)
Model T
versi (g
m
v

) versi (i
b
)
131
Parameter model sebagai fungsi arus bias dc
C
A
o
C
T
C
T
E
T
e
T
C
m
I
V
r
I
V
r
I
V
I
V
r
V
I
g
=
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
= =
=
|
o
t
Parameter model sebagai fungsi g
m

m
m
e
g
r
g
r
|
o
t
=
=
132
Parameter model sebagai fungsi r
e

( )
e
m
e
e
m
r r
g
r r
r
g
1 1
1
= +
+ =
=
t
t
|
o
Hubungan antara dan
o
|
|
|
o
o
o
|

= +
+
=

=
1
1
1
1
1
133
Penguat BJT satu tingkat

Struktur dasar
Gambar menunjukkan rangkaian dasar penguat BJT
dengan pemberian bias dengan arus yang konstan.
Yang perlu diperhatikan adalah memilih R
B
yang besar
untuk menjaga resistansi masukan pada base yang
besar. Tetapi penurunan tegangan dan pengaruh
pada R
B
harus dibatasi. Tegangan dc V
B
menentukan
simpangan sinyal yang dibolehkan pada collector.
Gambar 59. Struktur dasar rangkaian yang dipakai
untuk merealisasikan penguat BJT diskrit satu tingkat.
134
Penguat BJT satu tingkat

Struktur dasar
Gambar menunjukkan rangkaian dasar penguat BJT
dengan pemberian bias dengan arus yang konstan.
Yang perlu diperhatikan adalah memilih R
B
yang besar
untuk menjaga resistansi masukan pada base yang
besar. Tetapi penurunan tegangan dan pengaruh
pada R
B
harus dibatasi. Tegangan dc V
B
menentukan
simpangan sinyal yang dibolehkan pada collector.
Gambar 59. Struktur dasar rangkaian yang dipakai
untuk merealisasikan penguat BJT diskrit satu tingkat.
135
Karakterisasi Penguat BJT

Tabel 5. Parameter karateristik penguat

Rangkaian:.
Definisi:

Resistansi masukan tanpa beban:
=

L
R
i
i
i
i
v
R
Resistansi masukan:
i
i
in
i
v
R
136
Resistansi keluaran
0 =

sig
v
x
x
out
i
v
R
Penguatan tegangan hubung terbuka
=

L
R
i
o
vo
v
v
A
Penguatan tegangan
i
o
v
v
v
A
Penguatan arus hubung singkat
0 =

L
R
i
o
is
i
i
A
Penguatan arus
i
o
i
i
i
A
137
Penguatan tegangan menyeluruh hubung terbuka
sig
o
v
v
v
G
=

L
R
sig
o
vo
v
v
G
Penguatan tegangan menyeluruh
Transkonduktansi hubung singkat
0 =

L
R
i
o
m
v
i
G
Resistansi keluaran penguat proper
0 =

i
v
x
x
o
i
v
R
138
Rangkaian ekivalen

A.
B
C
139
Persamaan:
o m vo
o L
L
vo v
sig in
in
sig
i
R G A
R R
R
A A
R R
R
v
v
=
+
=
+
=
o L
L
vo v
vo
sig in
in
vo
o L
L
vo
sig in
in
v
R R
R
G G
A
R R
R
G
R R
R
A
R R
R
G
+
=
+
=
+ +
=
140
Contoh soal 17:
Sebuah penguat transistor dicatu oelh sebuah sumber
sinyal yang mempunyai tegangan hubung terbuka v
sig
=
10 mV dan mempunyai resistansi dalam R
sig
= 100 k.
Tegangan v
i
pada masukan penguat dan tegangan
keluaran v
o
diukur tanpa dan dengan resistansi
beban.R
L
= 10 k yang dihubungkan pada keluaran
penguat. Hasil pengukuran itu adalah sebagai berikut:

v
i
(mV) v
o
(mV)
Tanpa R
L
9 90
Dengan R
L
terhubung 8 70

Carilah parameter penguat.

Jawab:
Dengan data R
L
= , tentukan A
vo
dan G
vo

O =

+
=
+
=
= =
= =
k 900
10
10
9
V/V 9
10
90
V/V 10
9
90
i
i
i
vo
sig i
i
vo
vo
vo
R
R
R
A
R R
R
G
G
A
141
Dengan menggunakan data R
L
= 10 k tentukan A
v
dan
G
v

V/V 7
10
70
V/V 75 , 8
8
70
= =
= =
v
v
G
A
Harga A
v
dan A
vo
dapat dipakai untuk menentukan R
o

O =
+
=
+
=
k 43 , 1
10
10
10 75 , 8
o
o
o L
L
vo v
R
R
R R
R
A A
Harga G
v
dan G
vo
dapat dipakai untuk menentukan R
out

O =
+
=
+
=
k 86 , 2
10
10
9 7
out
out
out L
L
vo v
R
R
R R
R
G G
142
Harga R
in
dapat ditentukan dari
O =
+
=
+
=
k 400
100 10
8
in
in
in
sig in
in
sig
i
R
R
R
R R
R
v
v
Transkonduktansi hubung singkat G
m
dapat dihitung
seperti berikut
mA/V 7
43 , 1
10
= = =
o
vo
m
R
A
G
Penguatan arus A
i
dapat ditentukan sebagai berikut:
A/A 350
10
400
75 , 8 = = =
= =
L
in
v
L
in
i
o
in i
L o
i
R
R
A
R
R
v
v
R v
R v
A
143
Penguatan arus hubung singkat dapat ditentukan
sebagai berikut. Dari rangkaian ekivalen A, arus
keluaran hubung singkat adalah
o i vo osc
R v A i =
Untuk menentukan v
i
perlu diketahui harga R
in
yang
diperoleh dengan R
L
= 0. Dari rangkaian pengganti C,
arus keluaran hubung singkat adalah:
out sig vo osc
R v G i =
Dari kedua persamaan untuk i
osc
dan ganti G
ov
dengan:
vo
sig i
i
vo
A
R R
R
G
+
=
Dan v
i
dengan
sig
R
in
R
in
sig i
R R
R
v v
L
L
+
=
=
=
0
0
144
O =
(

|
|
.
|

\
|
|
|
.
|

\
|
+ =
=
k 81,8
1 1
0
out
o
i
sig
sig
R
in
R
R
R
R
R R
L
Maka:
V/V 572 43 , 1 / 8 , 81 10
0
= = =
=
=
i
osc
is
o
R
in i vo osc
i
i
A
R R i A i
L
145
Penguat Common Emitter
Gambar 60 (a) Struktur Penguat Common Emitter
(b) Model Rangkaian Pengganti Hybrid-
146
C
E
adalah kapasitor bypass yang mempunyai harga
cukup besar, yang fungsinya membuat ground untuk
sinyal atau ac ground pada emitter. Artinya untuk sinyal
ac, impedansi C
E
kecil sekali (idealnya nol), jadi arus
sinyal akan men-bypass resistansi keluaran dari sumber
arus I.

C
C1
dan C
C2
adalah kapasitor coupling yang fungsinya
menghubungkan sumber sinyal dan resistansi beban
dengan penguat tanpa mengganggu arus tegangan
bias. Jadi kapasitor ini akan memblock dc dan menjadi
hubung singkat untuk sinyal ac.

Untuk menentukan karakteristik terminal dari penguat
CE, yaitu resistansi masukan, penguatan tegangan dan
resistansi keluaran, gunakan model rangkaian
pengganti sinyal kecil hybrid-. Penguat ini penguat
unilateral, jadi R
in
= R
i
dan R
out
= R
o
. Analisa rangkaian
ini akan di mulai dari sisi masukan.
ib B
i
i
in
R R
i
v
R || =
R
ib
adalah resistansi masukan melihat ke arah base.
147
Karena emitter terhubung ke ground:
t
r R
ib
=
Biasanya dipilih R
B
>> r

, sehingga:
t
r R
in
~
Jadi resitansi masukan dari penguat CE biasanya
beberapa kilo-ohm.
Tegangan pada masukan penguat:
( )
( )
sig B
B
sig
sig in
in
sig i
R r R
r R
v
R R
R
v v
+
=
+
=
t
t
||
||

Untuk R
B
>> r

sig
sig i
R r
r
v v
+
~
t
t
Catatan:
i
v v =
t
148
Pada sisi keluaran penguat:
( )
L C o m o
R R r v g v || ||
t
=
Ganti v

dengan v
i
, maka penguatan tegangan penguat,
yaitu penguatan tegangan dari base ke collector:
( )
L C o m v
R R r g A || || =
Penguatan tegangan hubung terbuka diperoleh dengan
men-set R
L
=
( )
C o m vo
R r g A || =
Efek dari r
o
adalah mengurangi penguatan tegangan
sedikit saja karena r
o
>> R
C
, jadi
C m vo
R g A =
Resistansi keluaran diperoleh dengan melihat ke arah
terminal keluaran dengan menghubung singkat sumber
v
sig
. Hal ini akan menghasilkan v

= 0
o C out
r R R || =
149
Jadi r
o
mengurangi resistansi keluaran penguat hanya
sedikit saja karena biasanya r
o
>> R
C

C out
R R ~
Untuk penguat unilateral ini R
o
= R
out
, kita bisa
menggunakan A
vo
dan R
o
untuk mendapatkan
penguatan tegangan A
v

o L
L
vo v
R R
R
A A
+
=
Penguatan tegangan menyeluruh dari sumber ke
beban, G
v,
dapat diperoleh dengan mengalikan (v
i
/v
sig
)
dengan A
v

( )
( )
( )
L C o m
sig B
B
v
R R r g
R r R
r R
G || ||
||
||
+
=
t
t
Untuk R
B
>> r

( )
sig
L C o
v
R r
R R r
G
+
~
t
| || ||
150
Dari persamaan ini didapatkan jika R
sig
>> r

,
penguatan menyeluruh sangat tergantung dari . Hal ini
tidak diinginkan karena bervariasi.

Pada sisi lain, jika R
sig
<< r

, penguatan menyeluruh
akan menjadi:
( )
L C o m v
R R r g G || || ~
Yang sama dengan penguatan A
v
, yang tidak
tergantung dari .Biasanya penguat CE dapat
memberikan penguatan pada orde ratusan. Hanya
saja respon pada frekuensi tingginya agak terbatas.

Untuk menghitung penguatan arus hubung singkat, A
is

in m
i
os
is
in i i
m os
R g
i
i
A
R i v v
v g i
=
= =
=
t
t
Gantilah R
in
= R
B
|| r

. Jika R
B
>> r

, |A
is
| =
Kesimpulan: CE mempunyai penguatan tegangan dan
arus yang besar dengan R
in
rendah dan R
out
tinggi.
151
Penguat Common Emitter dengan Resistansi Emitter
Gambar 61(a) Penguat CE dengan resistansi emitter
(b) Model rangkaian pengganti T
152
Model rangkaian pengganti yang dipakai adalah model T
karena adanya resistansi emitter R
E
yang dapat
diserikan dengan r
e
.
Pada model rangkaian ini tidak disertakan resistansi
keluaran r
o
karena akan membuat analisa lebih rumit
dan pada rangkaian penguat diskrit pengaruh r
o
kecil.

R
in
adalah resistansi paralel antara R
B
dan R
ib

ib B in
R R R || =
R
ib
adalah resistansi pada base
( )
( )( )
e e ib
e e
i
e
e
e b
b
i
ib
R r R
R r
v
i
i
i i
i
v
R
+ + =
+
=
+
= =

1
1
1
|
|
o
Jadi, resistansi masukan melihat ke arah base sama
dengan (+1) kali resistansi total pada emitter. Faktor
(+1) disebut resistance-reflection rule.
153
Pada persamaan tersebut terlihat bahwa dengan
penambahan resistansi pada emitter akan menambah
R
ib
. Rasio penambahan pada R
ib
adalah
( )
( )
( )( )
( )
e m
e
e
e
e e
e ib
e ib
R g
r
R
r
R r
R R
R R
+ ~ + =
+
+ +
=
1 1
1
1
tanpa
dengan
|
|
Jadi, R
e
dapat dipakai untuk mengendalikan harga R
ib

yang juga merupakan harga R
in
. Agar pengendalian ini
menjadi efektif, R
B
harus jauh lebih besar dari R
ib
,
artinya R
ib
adalah resistansi masukan yang dominan.

Untuk menentukan penguatan tegangan:
( )
( )
( )
e e
L C
v
e e
L C
i
o
v
L C e
L C c o
R r
R R
A
R r
R R
v
v
A
R R i
R R i v
+
= ~
+
= =
=
=
||
1
||
||
||
o
o
o
Jadi, penguatan tegangan dari base ke collector sama
dengan perbandingan resistansi total pada collector
dengan resistansi total pada emitter.
154
Penguatan tegangan hubung terbuka: R
L
=
e m
C m
e e
C m
vo
e e
C
e
vo
e e
C
vo
R g
R g
r R
R g
A
r R
R
r
A
R r
R
A
+
=
+
=
+
=
+
=
1 1
1
o
o
Jadi, penambahan R
e
akan mengurangi penguatan
tegangan dengan faktor (1+g
m
R
e
) yang sama dengan
faktor penambahan resistansi masukan R
ib
.

Resistansi keluaran:
R
out
= R
C


Untuk penguat ini R
in
= R
i
dan R
out
=R
o

Penguatan arus hubung singkat:
( )
e e
B ib
is
i
e in
is
in i i
e os
R r
R R
A
v
i R
A
R v i
i i
+
=
=
=
=
|| o
o
o
155
Untuk R
B
>> R
ib

( )( )
|
| o
=
+
+ +
=
e e
e e
is
R r
R r
A
1
Penguatan tegangan menyeluruh dari sumber ke beban:
( )
e e
L C
in sig
in
v
sig
i
v
R r
R R
R R
R
A
v
v
G
+ +
= =
|| o
Ganti R
in
= R
B
||R
ib
dan asumsikan R
B
>>

R
ib

( )( )
( )
( )( )
e e sig
L C
v
e e ib
R r R
R R
G
R r R
+ + +
~
+ + =
1
||
1
|
|
|
Catatan: penguatan lebih kecil dari penguatan penguat
CE. Tetapi penguatan ini lebih tidak sensitif terhadap .

Dengan penambahan R
e
, penguat dapat menangani
sinyal masukan yang lebih besar tanpa menimbulkan
distorsi non linier, karena hanya sebagian kecil dari
sinyal masukan yang ada pada base, v
i
, yang nampak
antara base dan emitter
e m e e
e
i
R g R r
r
v
v
+
~
+
=
1
1
t
156
Jadi untuk v

yang sama, sinyal pada terminal masukan

penguat, v
i
, dapat lebih besar dengan faktor (1+g
m
R
e
)
jika dibandingkan dengan sinyal pada penguat CE.

Kesimpulan:
Dengan penambahan resistansi R
e
pada emitter,
penguat CE mempunyai karakteristik sebagai berikut:
1. Resistansi masukan R
ib
meningkat dengan faktor
(1+g
m
R
e
)
2. Penguatan tegangan dari base ke collector, A
v
,
berkurang dengan faktor (1+g
m
R
e
).
3. Untuk distorsi non linier yang sama, sinyal masukan
v
i
dapat meningkat dengan faktor (1+g
m
R
e
)
4. Penguatan tegangan menyeluruh tidak terlalu
tergantung dengan .
5. Respons terhadap frekuensi tinggi menjadi lebih
baik.

R
e
juga merupakan umpan balik negatif pada
rangkaian penguat.
R
e
juga disebut emitter degeneration resistance
157
Penguat Common Base

Base dihubungkan ke ground. Sinyal masukan
dipasangkan pada emitter dan sinyal keluaran
diambil dari collector. Base merupakan terminal
bersama.

Dengan terhubungnya base ke ground, tegangan
ac dan dc pada base sama dengan nol, maka R
B

tidak ada. Kapasitor C
C1
dan C
C2
berfungsi
sebagai kapasitor coupling.

Model rangkaian pengganti T terlihat pada gambar
62(b). Di sini r
o
tidak disertakan karena
pengaruhnya tidak terlalu besar pada kinerja
penguat CB diskrit.

Dari gambar 62(b) dapat ditentukan resistansi
masukan:
e in
r R =
r
e
mempunyai harga antara beberapa ohm sampai
beberapa kilo ohm. Jadi CB mempunyai resistansi
masukan yang kecil
158
Gambar 62(a) Rangkaian penguat Common Base
(b) Model rangkaian pengganti T
159
Untuk menentukan penguatan tegangan:
( )
( )
L C
e i
o
v
e
i
e
L C e o
R R
r v
v
A
r
v
i
R R i v
||
||
o
o
=
=
=
Penguatan tegangan hubung terbuka, R
L
=
C m vo
R g A =
Penguatannya sama dengan penguatan pada penguat
CE. Hanya tidak ada pembalikan fasa.
A
vo
sama dengan A
vo
pada penguat CE. Hanya tidak
ada pembalikan fasa.

Resistansi keluaran:
C out
R R =
160
Jika r
o
diabaikan, penguat CB adalah penguat unilateral,
maka R
in
= R
i
dan R
out
= R
o


Penguatan arus hubung singkat A
is
:
o
o o
=

=
e
e
i
e
is
i
i
i
i
A
sig e
e
sig i
i
sig
i
R r
r
R R
R
v
v
+
=
+
=
Walaupun penguatan dari penguat proper CB sama
dengan penguatan pada CE, penguatan
menyeluruhnya tidak demikian halnya. Dengan
resistansi masukan yang kecil, maka sinyal masukan
akan teredam cukup besar.
Kecuali pada kondisi R
sig
pada orde yang sama
dengan r
e
, faktor transmisi sinyal v
i
/v
sig
akan kecil
sekali.
Salah satu pemakaian rangkaian CB adalah
untuk memperkuat sinyak frekuensi tinggi yang
muncul pada kabel coaxial. Untuk menghindari
refleksi sinyal pada kabel, penguat CB harus
mempunyai resistansi masukan sama dengan
resistansi karakteristik kabel yang biasanya
berkisar antara 50 - 75 .
161
( )
( )
sig e
L C
L C m
sig e
e
v
R r
R R
R R g
R r
r
G
+
=
+
=
||

||
o
Penguatan menyeluruh, G
v

Karena 1, penguatan menyeluruh merupakan
perbandingan antara resistansi total pada rangkaian
collector dengan resistansi total pada rangkaian emitter.
Penguatan penyeluruh tidak tergantung dari harga .

Kesimpulan:
Penguat CB mempunyai resistansi masukan yang
rendah, penguatan arus hubung singkat yang hampir
sama dengan satu, penguatan tegangan hubung
terbuka yang positif (non inverting) dan resistansi
keluaran yang tinggi.
Penguat CB mempunyai respon yang baik pada
frekuensi tinggi.
Penggunaan penguat CB yang paling menonjol adalah
sebagai penguat arus dengan penguatan satu atau
disebut current-buffer. Artinya menerima arus sinyal
masukan dari resistansi masukan yang rendah dan
mengirimkan arus yang sama ke resistansi keluaran
yang tinggi pada collector.
162
Penguat Common Collector atau Emitter Follower
Gambar 63(a) Rangkaian penguat Emitter Follower
(b) Model rangkaian pengganti T dengan penambahan r
o

163
Gambar 63(c) Rangkaian pengganti seperti pada
gambar 63(b) dengan r
o
paralel dengan R
L
.

Pada penguat ini collector dihubungkan dengan
ground, jadi R
C
dihilangkan. Sinyal masukan
dipasangkan pada base, dan sinyal keluaran diambil
dari emitter yang dihubungkan melalui kapasitor
coupling ke resistansi beban.

Pada analisa sinyal resistansi beban R
L
diserikan
dengan emitter sehingga model rangkaian pengganti
yang digunakan adalah model T. Pada rangkaian ini
resistansi r
o
nampak paralel dengan resistansi beban
R
L
.(lihat gambar 63(c)).
164
Rangkaian emitter follower tidak unilateral, artinya
resistansi masukan tergantung dari R
L
dan resistansi
keluaran tergantung dari R
sig
.

Dari gambar 63(c) terlihat bahwa BJT mempunyai
sebuah resistansi (r
o
|| R
L
) yang diserikan dengan
resistansi emitter r
e
. Dengan menggunakan resistance-
reflection rule menghasilkan rangkaian seperti pada
gambar 64(a). (resistansi pada sisi base sama dengan
(+1) resistansi pada sisi emitter)

Resistansi masukan pada base, R
ib
:
( ) ( ) | |
L o e ib
R r r R || 1 + + = |
Resistansi masukan total:
ib B in
R R R || =
Untuk mendapatkan efek penuh dari kenaikan R
ib
,
dapat dipilih R
B
sebesar mungkin (dengan
memperhatikan titik kerja). Dan jika memungkinkan C
C1

dapat juga dihilangkan, jadi sumber sinyal dihubungkan
langsung dengan base.
165
Gambar 64(a) Rangkaian ekivalen emitter follower
dengan merefleksikan semua resistansi pada emitter ke
sisi base.
(b) Penggunaan teori Thvenin pada rangkaian masukan.


Penguatan menyeluruh G
v
:
( )( )
( ) ( ) ( ) | |
L o e B sig
L o
B sig
B
v
R r r R R
R r
R R
R
G
|| 1 ||
|| 1
+ + +
+
+
=
|
|
Perhatikan: penguatan tegangan lebih kecil dari satu.
Untuk R
B
>> R
sig
dan (+1)[r
e
+(r
o
|| R
L
)] >> (R
sig
|| R
B
),
penguatan menjadi mendekati satu. Jadi tegangan
pada emitter mengikuti tegangan pada masukan.Itulah
sebabnya disebut emitter follower
166
Gambar 65(a) Rangkaian ekivalen emitter follower
dengan merefleksikan semua resistansi pada base ke sisi
emitter.
(b) Penggunaan teori Thvenin pada rangkaian masukan

Alternatif lainnya, kita dapat merefleksikan resistansi
base ke sisi emitter. Agar tegangan tidak berubah, semua
resistansi di sisi base dibagi dengan (+1). Hasilnya
dapat dilihat pada gambar 65(a). Dengan menggunakan
teori Thvenin pada sisi masukan, diperoleh rangkaian
seperti pada gambar 65(b)
167
Penguatan tegangan menyeluruh, G
v
:
( )
( )
L o e
B sig
L o
B sig
B
v
R r r
R R
R r
R R
R
G
||
1
||
||
+ +
+
+
=
|
Untuk R
B
>> R
sig
dan r
o
>> R
L
:
L e
sig
L
sig
o
R r
R
R
v
v
+ +
+
~
1 |
Penguatan mendekati satu jika R
sig
/(+1) << R
L
atau
(+1)R
L
>> R
sig
. Hal ini adalah peran penyangga
(buffering action) dari emitter follower, yang akan
menghasilkan penguatan arus hubung singkat hampir
sama dengan (+1).

Tegangan keluaran hubung terbuka menjadi G
vo
v
sig
, di
mana G
vo
diperoleh dengan R
L
=
o e
B sig
o
B sig
B
v
r r
R R
r
R R
R
G
+ +
+
+
=
1
||
|
168
Catatan: biasanya r
o
besar dan suku kedua menjadi
hampir sama dengan satu. Suku pertama mendekati
satu jika R
B
>> R
sig
. Resistansi Thvenin adalah
resistansi keluaran R
out
. Kurangi v
sig
menuju nol, lihat
resistansi dari terminal emitter ke arah rangkaian
|
|
.
|

\
|
+
+ =
1
||
||
|
B sig
o o out
R R
r r R
Biasanya r
o
>> komponen yang diparalelkan dalam
tanda kurung dan dapat diabaikan, jadi
1
||
+
+ ~
|
B sig
o out
R R
r R
Jadi resistansi keluaran emitter follower rendah.
Rangkaian ekivalen Thvenin dari rangkaian keluaran
emitter follower dapat digunakan untuk mencari v
o
dan
G
v
untuk harga R
L
sembarang. (lihat gambar 66).

Kesimpulan: emitter foilower mempunyai resistansi
masukan yang tinggi, resistansi keluaran yang rendah,
penguatan tegangan yang lebih kecil dari satu dan
penguatan arus yang cukup besar.
169
Jadi pemakaian ideal dari emitter follower adalah untuk
menghubungkan sumber yang mempunyai resistansi
yang tinggi ke beban yang mempunyai resistansi yang
rendah, biasanya sebagai tingkat terakhir dari penguat
bertingkat (multistage amplifier) yang tujuannya bukan
untuk memperkuat tegangan tetapi untuk memberikan
penguat bertingkat ini resistansi keluaran yang rendah.
Gambar 66. Rangkaian ekivalen Thvenin dari rangkaian
keluaran emitter follower
170
Pada emitter follower hanya sebagian kecil dari sinyal
yang akan tampak antara base dan emitter. Jadi
emitter follower dapat bekerja secara linier untuk
variasi amplitudo sinyal yang cukup besar. Tetapi harga
absolut batas atas amplitudo tegangan keluaran
ditentukan oleh kondisi cut off dari transistor.

Perhatikan gambar 63(a) jika sinyal masukan adalah
gelombang sinusoida. Jika masukan negatif, keluaran
vo akan negatif dan arus pada R
L
akan mengalir dari
ground ke terminal emitter. Transistor akan cut off bila
arus ini menjadi sama dengan arus bias I. Jadi harga
amplitudo dari v
o
adalah:
L
o
L
o
IR V
I
R
V
=
=
.
.
Maka harga v
sig
menjadi:
v
L
sig
G
IR
V =
.
Jika amplitudo v
sig
lebih besar dari harga di atas,
tansistor akan cut off dan amplitudo negatif sinyal
gelombang keluaran akan terpotong
171
Kesimpulan dan perbandingan
1. Konfigurasi CE cocok digunakan untuk penguat
yang menghendaki penguatan yang besar.
2. Dengan menambahkan R
e
pada CE dapat
memperbaiki kinerja penguat tetapi penguatan akan
berkurang.
3. Konfigurasi CB dipergunakan sebagai penguat
frekuensi tinggi, karena mempunyai respon yang
baik pada frekuensi tinggi, hanya saja resistansi
masukannya kecil.
4. Emitter follower dipakai sebagai penyangga
tegangan, untuk menghubungkan sumber yang
mempunyai resistansi yang tinggi dengan beban
yang mempunyai resistansi rendah. Konfigurasi ini
digunakan juga sebagai tingkat keluaran dari
penguat bertingkat.

172
Tabel 5.Karakteristik dari penguat diskrit satu tingkat
Common Emitter
( )
( )
( )
( )
( )
( )
|
|
|
t
t
t
t
~ =
+
~
+
=
=
=
+ = =
in m is
sig
L C o
L C o m
sig B
B
v
C o out
L C o m v
e B B in
R g A
R r
R R r
R R r g
R r R
r R
G
R r R
R R r g A
r R r R R
|| ||

|| ||
||
||
||
|| ||
1 || ||
173
Common Emitter dengan Resistansi Emitter
Abaikan r
o

( )( )
( ) ( )
( )
( )( )
e m i
e e sig
L C
v
C out
e m
L C m
e e
L C
v
e e B in
R g v
v
R r R
R R
G
R R
R g
R R g
R r
R R
A
R r R R
+
~
+ + +
~
=
+

~
+
=
+ + =
1
1
1
||
1
|| ||
1 ||
t
|
|
o
|
174
Common Base
Abaikan r
o

( )
( )
o
o
~
+
=
=
=
=
is
e sig
L C
v
C out
L C m v
e in
A
r R
R R
G
R R
R R g A
r R
||
||
175
Common Collector atau Emitter Follower
( ) ( ) | |
( )
( )
( )
( )
1
||
1
||
||
1
||
||
||
||
|| 1 ||
+ ~
+ +
+
+
=
(

+
+ =
+
=
+ + =
|
|
|
|
is
L o e
B sig
L o
B sig
B
v
B sig
e o out
L o e
L o
v
L o e B in
A
R r r
R R
R r
R R
R
G
R R
r r R
R r r
R r
A
R r r R R
176
Inverter digital BJT
Gambar 67. Rangkaian dasar inverter digital BJT

Pada inverter logika, rangkaian bekerja pada
mode cutoff dan daerah jenuh.
Jika tegangan masukan v
I
high mendekati
tegangan catu daya V
CC
(menyatakan logika 1)
transistor akan terhubung dan dalam keadaan
jenuh (dengan memilih harga R
B
dan R
C
yang
tepat). Sehingga tegangan keluaran akan V
CEsat

0,2V, yang menyatakan logika 0.
Sebaliknya, jika tegangan masukan low pada
tegangan mendekati ground (misal V
CEsat
),
sehingga transistor cutoff, i
C
akan nol dan v
O
=
V
CC
, yang merupakan logika 1
177
Pemilihan keadaan cutoff dan jenuh sebagai
mode operasi dari BJT pada rangkaian
inverter didasari oleh 2 faktor:
1. Disipasi daya pada rangkaian relatif rendah
pada keadaan cutoff dan jenuh. Pada
keadaan cutoff semua arus sama dengan nol
dan pada keadaan jenuh tegangan pada
transistor juga rendah.
2. Level tegangan keluaran (V
CC
dan V
CEsat
)
terdifinisi dengan baik. Sebaliknya, jika
transistor bekerja pada daerah aktif, v
O
= V
CC

i
C
R
C
= V
CC
i
B
R
C
yang sangat tergantung
pada parameter .
178
Karakteristik transfer tegangan
Gambar 68. Karakteristik transfer tegangan rangkaian
inverter dengan R
B
=10 k, = 50 dan V
CC
= 5 V
179
1. Pada v
I
= V
OL
= V
CEsat
= 0,2 V, v
O
= V
OH
= V
CC
= 5 V

2. Pada v
I
= V
IL
, transistor mulai on V
IL
0,7 V

3. Untuk V
IL
< v
I
< V
IH
, transistor berada pada daerah
aktif dan beroperasi sebagai penguat dengan
penguatan sinyal kecil:
B
C
v B
B
C
i
o
v
R
R
A R r
r R
R
v
v
A
|
|
t
t
~ <<
+
=
4. Pada v
I
=V
IH
, transistor memasuki daerah jenuh V
IH

adalah harga yang menyebabkan transistor berada pada
ambang saturasi.
( )
|
C CEsat CC
B
R V V
I

=
Dengan harga-harga yang digunakan, I
B
= 0,096 mA dan
V
IH
= I
B
R
B
+ V
BE
= 1,66 V
180
5. Untuk v
I
= V
OH
= 5 V, transistor berada pada
keadaan jenuh yang dalam dengan v
O
= V
CEsat
=
0,2 V, dan
( )
( )
B BE OH
C CEsat CC
forced
R V V
R V V

= |
6. Noise margin:
NM
H
= V
OH
V
IH
= 5 1,66 = 3,34 V
NM
L
= V
IL
V
OL
= 0,7 0,2 = 0,5 V

7. Penguatan pada daerah transisi dapat dihitung dari
koordinat pada titik X dan Y
V/V 5
7 , 0 66 , 1
2 , 0 5
tegangan Penguatan =