Anda di halaman 1dari 7

LAPORAN TEKNIK DIGITAL PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

MEMORY

NAMA KELAS

: SOBAR WILMAN : TT 2A

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO POLITEKNIK NEGERI JAKARTA

MEMORY

1.

MEMORY SEMIKONDUKTOR Secara umum memori semikonduktor dibagi dalam beberapa bagian yaitu : 1. 2. 3. 4. Menurut Fungsinya, dibedakan menjadi Memori Baca - Tulis dan Hanya Dibaca. Menurut cara Aksesnya, yaitu Memori yang diakses secara acak dan memori yang yang diakses secara serie. Menurut jenis Sel Memori, dapat dibedakan menjadi Statis RAM dan Dinamis RAM. Menurut Teknologinya, dibedakan menjadi Bipolar Memori dan MOS Memori. Keempat ciri ini mempunyai ketergantungan satu dengan yang lain sehinga secara teoritis ada 2 = 16 type memori yang berbeda - beda. Memori Baca Tulis yang dalam pemakaian sehari-sehari disebut RAM. Dengan menunjuk lokasi sel memori melalui jalur alamat ( address ) informasi 1 atau 0 dapat dituliskan, disimpan dan sewaktu-waktu dapat dibaca kembali selama RAM bekerja dalam keadaan normal. Segera setelah sumber tegangan dimatikan informasi yang telah tersimpan akan hilang. Pada Memori yang Hanya Dapat Dibaca, data yang telah tersimpan di dalamnya akan tetap tersimpan walaupun sumber tegangan yang terpasang dimatikan.
4

1.1

RAM (Random Acces Memory) Untuk semua sistem mikrokomputer harus mempunyai sejumlah tempat penyimpanan data yang biasanya digunakan adalah memori baca - tulis atau disebut RAM. Tempat penyimpanan data di dalam RAM tidak hanya dapat ditulisi dan dibaca sesuai yang kita inginkan tetapi juga digunakan untuk penyimpan variabel-variabel dan hasil-hasil sementara dari suatu proses. RAM juga disebut Volatile Memory karena jika sumber tegangan yang ada padanya dimatikan maka semua data yang telah tersimpan di dalam RAM akan hilang. Di dalam kenyataannya RAM

dibedakan antara Statis dan Teknik Mikroprosessor Memori Semikonduktor 8 8 Dinamis RAM. Sebuah SRAM elemen penyimpannya terdiri dari bistabile Flip-Flop, sedangkan DRAM elemen penyimpannya terdiri dari elemen Kondensator. 1.2 ROM (Read Only Memory Apabila informasi yang disimpan tidak boleh hilang walaupun tegangan dimatikan maka informasi tersebut disimpan di dalam ROM. Perubahan program atau program bagian yang lain tidak mungkin lagi dilakukan di dalam memori jenis ini. Dalam sistem komputer ROM biasanya digunakan untuk menyimpan program monitor. Program yang akan disimpan di ROM biasanya program pesanan dari komunitas tertentu, sedangkan pemrogramannya dilakukan di tempat pabrik pembuatnya. ROM biasanya juga berisi program yang dapat dipakai secara umum misalnya karakter Generator, Dekoder atau fungsi fungsi lain yang lazim dipakai. Jenis memori ini tidak memungkinkan diisi program oleh pengguna 1.3 PROM (Programmable Read Only Memory) Memori jenis ini hanya memberikan kesempatan kepada pengguna untuk memprogram sekali saja. Jika terjadi kesalahan data atau kesalahan penempatan alamat maka tidak mungkin lagi melakukan perubahan karena setiap bit pada masing - masing lokasi memori tidak mungkin dapat dihapus oleh karena hal tersebut maka memori jenis ini di pasaran secara umum tidak lagi digunakan. 1.4 EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory) Memori jenis ini memberi kesempatan kepada para pemakai untuk melakukan pemrograman ulang secara total. Pemrograman di lakukan dengan Eprom Writer, dalam keadaan memori kosong ( isinya telah dihapus terlebih dahulu ). Pada EPROM menghilangkan / menghapus isi program dengan cara menyinari cendela yang ada padanya dengan sinar Ultra Violet ( UV ), sedangkan pada EEPROM dengan cara memberikan tegangan yang ditetapkan pada kaki yang telah ditetapkan.

1.5 EAPROM (Erasable Alterable Programmable Read Only Memory) Memori jenis ini memungkinkan untuk dirubah isinya yang berada di setiap sel memori tanpa harus menghapus semua isinya terlebih dahulu. Bentuk dan rangkaian dari memori ini sangat jarang ditemui. Memori inti-magnetik Memori inti-magnetik adalah bentuk dominan dari random-access memory komputer selama 20 tahun (sekitar tahun 1955-1975). Menggunakan toroids kecil magnetik (cincin), core, di mana kabel yang berulir untuk menulis dan membaca informasi. Setiap inti merupakan salah satu bit informasi. Core dapat magnet dalam dua cara berbeda (searah jarum jam atau berlawanan) dan bit yang tersimpan dalam inti adalah nol atau satu tergantung pada arah magnetisasi yang inti itu. Kabel disusun untuk memungkinkan inti individu harus ditetapkan ke salah satu "satu" atau "nol", dan magnetisasi untuk diubah, dengan mengirimkan tepat arus listrik pulsa melalui kabel yang dipilih. Proses membaca inti menyebabkan inti untuk diatur ulang ke "nol", sehingga menghapusnya. Ini disebut pembacaan destruktif. Memori seperti ini seringkali hanya disebut memori inti, atau, informal, inti. Meskipun memori inti telah digantikan oleh memori semikonduktor pada akhir 1970-an, memori kadang-kadang masih disebut "inti", khususnya, sebuah file merekam isi memori setelah kesalahan sistem biasanya disebut core dump .

Untuk membaca sedikit memori inti, sirkuit mencoba untuk flip sedikit ke polaritas ditugaskan ke 0 negara, dengan mengemudi X dipilih dan garis Y yang berpotongan pada inti yang.

Jika bit sudah 0, keadaan fisik inti tidak terpengaruh. Jika bit sebelumnya 1, maka inti perubahan polaritas magnetik. Perubahan ini, setelah penundaan, menginduksi pulsa tegangan ke jalur Sense.

Deteksi pulsa tersebut berarti bahwa sedikit itu paling baru berisi 1. Tidak adanya denyut nadi berarti bahwa bit telah mengandung 0. Keterlambatan dalam penginderaan pulsa tegangan disebut waktu akses memori inti. Setelah setiap membaca tersebut, sedikit mengandung 0. Ini menggambarkan mengapa akses memori inti disebut destruktif baca: Setiap operasi yang membaca isi dari menghapus inti mereka isi, dan mereka harus segera diciptakan. Untuk menulis sedikit memori inti, sirkuit mengasumsikan telah terjadi operasi baca dan sedikit berada dalam keadaan 0.

Untuk menulis 1 bit, X dipilih dan garis Y didorong, dengan arus dalam arah yang berlawanan seperti untuk operasi read. Seperti membaca, inti di persimpangan X dan garis Y mengubah polaritas magnetik. Untuk menulis bit 0 (dengan kata lain, untuk menghambat penulisan 1 bit), jumlah yang sama saat ini juga dikirim melalui Menghambat line. Hal ini mengurangi arus bersih yang mengalir melalui inti masing-masing dengan setengah pilih saat ini, perubahan menghambat polaritas.

Waktu akses ditambah waktu untuk menulis ulang adalah waktu siklus memori. Kabel Rasa hanya digunakan selama membaca, dan Menghambat wire digunakan hanya selama write. Untuk alasan ini, sistem kemudian inti menggabungkan dua menjadi kawat tunggal, dan menggunakan sirkuit dalam memory controller untuk beralih fungsi dari kawat. Kontroler memori inti yang dirancang sedemikian rupa sehingga setiap membaca segera diikuti oleh menulis (karena membaca memaksa semua bit ke 0, dan karena menulis diasumsikan ini telah terjadi). Komputer mulai mengambil keuntungan dari fakta ini. Sebagai contoh, sebuah nilai dalam memori dapat dibaca dengan pasca-kenaikan hampir secepat itu bisa dibaca, perangkat keras hanya bertambah nilai antara fase membaca dan menulis tahap dari siklus memori tunggal (mungkin menandakan memory controller untuk jeda sebentar di tengah-tengah siklus). Ini mungkin dua kali lebih cepat proses perolehan nilai dengan siklus baca-tulis, incrementing nilai dalam beberapa daftar prosesor, dan kemudian menulis nilai baru dengan yang lain siklus baca-tulis.

Bentuk lain dari memori inti

10,8 10,8 cm bidang memori inti magnetik dengan 64 x 64 bit (4 Kb), seperti yang digunakan dalam CDC 6600 . Inset menunjukkan arsitektur baris kata dengan dua kabel per bit Firman baris memori inti sering digunakan untuk menyediakan memori mendaftar. Nama lain untuk jenis yang linear dan pilih 2-D. Bentuk memori inti biasanya menenun tiga kabel melalui setiap inti di pesawat, kata membaca, menulis kata, dan sedikit rasa / menulis. Untuk membaca atau kata-kata yang jelas, saat ini penuh diterapkan ke satu atau lebih kata membaca baris; ini membersihkan inti dipilih dan apapun yang sandal menginduksi tegangan pulsa dalam arti sedikit mereka / menulis baris. Untuk membaca, biasanya hanya satu kata membaca baris akan dipilih, tetapi untuk yang jelas, beberapa kata membaca baris dapat dipilih sedangkan bit akal / menulis baris diabaikan. Untuk menulis kata, saat setengah diterapkan ke satu atau lebih baris menulis kata, dan setengah saat ini diterapkan pada setiap rasa bit / menulis baris untuk sedikit harus ditetapkan. Dalam beberapa desain, kata membaca dan menulis baris kata yang digabungkan dalam satu kawat tunggal, menghasilkan array memori dengan hanya dua kabel per bit. Untuk menulis, menulis beberapa baris kata bisa dipilih. Ini menawarkan keunggulan kinerja atas X / Y garis bertepatan-saat ini dalam beberapa kata bisa dibersihkan atau ditulis dengan nilai yang sama dalam satu siklus. Register Sebuah mesin khas ditetapkan biasanya digunakan hanya satu pesawat kecil dari bentuk memori inti. Beberapa kenangan yang sangat besar yang dibangun dengan teknologi ini, misalnya diperpanjang Inti Storage (ECS) memori tambahan di CDC 6600 , yang hingga 2 juta kata 60-bit. Bentuk lain dari memori inti disebut memori tali inti tersedia read-only storage . Dalam hal ini, core, yang memiliki bahan magnetik lebih linier, yang hanya digunakan sebagai transformator , tidak ada informasi yang sebenarnya disimpan magnetis dalam inti

individu. Setiap bit kata memiliki satu inti. Membaca isi alamat memori yang diberikan menghasilkan pulsa arus di kawat sesuai dengan alamat tersebut. Setiap kawat alamat yang berulir baik meskipun inti untuk menandakan biner [1], atau sekitar bagian luar inti yang, untuk menandakan biner [0]. Seperti yang diharapkan, inti yang jauh lebih besar secara fisik daripada baca-tulis memori inti. Memori jenis ini adalah sangat handal. Sebuah contoh adalah Komputer Bimbingan Apollo digunakan untuk pendaratan di bulan.