Trabajo Prctico Diodos Gunnplexer

Junio de 2013

Contenido
Introduccin ...................................................................................................................... 2 Desarrollo ......................................................................................................................... 2 Parte 1: Dispositivos de estado slido ................................................................ 3 Parte 2: El diodo Gunn ....................................................................................... 3 El Efecto Gunn ............................................................................................ 4 La teora del Diodo Gunn ........................................................................... 4 Parte 3: El Gunnplexer ....................................................................................... 8 Parte 4:Aplicaciones ......................................................................................... 10 Vnculo de Microondas con Diodos Gunn en la Banda X (10 Ghz) .......... 11 Sistemas ...................................................................................................... 11 Descripcin y funcionamiento ..................................................................... 13 Sensores electromagnticos en vehculos (radar)....................................... 15 Estructura .................................................................................................... 17 Conclusiones ................................................................................................................... 18 Bibliografa ..................................................................................................................... 18

Introduccin
En el ao 1963, John Gunn, ingeniero de IBM, invent el corazn del sistema Gunnplexer, ste es el diodo Gunn, que lleva su nombre. La gran importancia de ste descubrimiento radica en la facilidad que se consigui a partir de l de generar microondas, tarea sumamente complicada por entonces debido a la dificultad prctica que generaba el hecho de disponer de todos los equipos para llevar a cabo esta tarea. Todo esto era especialmente complicado para las personas aficionadas al asunto. Con la introduccin del sistema Gunnplexer, el total del equipamiento para enviar y recibir seales en la banda de las microondas reduce en gran medida su tamao y complejidad, granando terreno sobre todo en sistemas de naturaleza mvil. Debido a la gran difusin de este dispositivo es que se realiza el presente trabajo prctico, de modo de exponer las caractersticas ms generales del sistema Gunnplexer, desde su principio de funcionamiento hasta posibles aplicaciones.

Desarrollo
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Parte 1: Dispositivos de estado slido

Existen bsicamente tres tipos de dispositivos de estado slido con caracterstica de resistencia negativa capaces de generar microondas, ellos son, el diodo tunnel, el diodo IMPATT y el diodo Gunn. El primero de ellos se caracteriza por su amplificacin de bajo ruido en la zona de microondas, por lo que es ampliamente usado en la primera etapa de amplificadores de radio frecuencia; debido a su baja potencia se usa en receptores. El diodo IMPATT por su parte, es un diodo de alta potencia del tipo BulkEffectOscilator (BEO). Se utilizan generalmente para generar pulsos de potencia en la regin de 100W (utilizndose principalmente en radares). La contraparte de estos diodos es que exhiben alto ruido, inestabilidad, escasa linealidad y por dems de sensibilidad a la temperatura. El diodo Gunn, presenta buena estabilidad en frecuencia bajo condiciones estables de temperatura y tensin, bajo ruido,y puede generar RF de aproximadamente15 mW de potencia, por estos motivos, es ampliamente utilizado en transmisores y receptores en bandas de frecuencia superiores a 10 GHz.

Figura 1.Curva caracterstica de los diodos Tunnel, IMPATT y Gunn respectivamente.

A partir del diodo Gunn, se construye lo que se denomina Sistema Gunnplexer. Este dispositivo, es un TX/RX de radiofrecuencias superiores a 10 GHz, utilizado en mltiples aplicaciones por su sencillez y es el objeto de estudio de este trabajo prctico.

Parte 2: El diodo Gunn

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El Efecto Gunn
En algunos materiales (compuestos del grupo III-V tales como el Arseniuro de Galio (GaAs) y Fosfuro de Indio (InP)), despus de que un campo elctrico en el material alcanza un nivel de umbral, la movilidad de los electrones disminuye a medida que ste campo se incrementa, produciendo de este modo resistencia negativa. Un dispositivo de dos terminales hecho de un material de este tipo puede producir oscilaciones de microondas, cuya frecuencia se determina principalmente por las caractersticas del tipo de material y no por cualquier circuito externo. En ciertos semiconductores, especialmente el Arseniuro de Galio, los electrones pueden existir en gran masa y a baja velocidad, as como en baja masa y alta velocidad,pudiendo ser forzados al estado de alta masa por un campo elctrico constante y de amplitud suficiente. En este ltimo estado los electrones se constituyen en clusters o dominios que atraviesan el campo a una velocidad (tasa) constante haciendo que la corriente fluya como una serie de pulsos. ste es el efecto Gunn y una forma de diodo la cual hace uso del nombrado efecto se compone de una capa epitaxial de GaAs de tipo N desplegada sobre un sustrato de GaAs. Un potencial de unos pocos voltios aplicado entre los contactos hmicos de la capa N y el sustrato produce el campo elctrico que permite conformar los clusters. La frecuencia de los pulsos de corriente as generados dependen del tiempo de trnsito a travs de la capa de N y por lo tanto de su espesor. Si el diodo est montado en una cavidad resonante, convenientemente sintonizada, los pulsos de corriente provocan oscilaciones por excitacin de choque y pueden obtenerse potencias de RF hasta 1 W a frecuencias entre 10 y 30 GHz.

La teora del Diodo Gunn

El diodo Gunn es un dispositivo denominado de transferencia de electrones. Los electrones son transferidos de un valle en la banda de conduccin a otro valle. Con el fin de comprender la naturaleza del efecto de transferencia de electrones exhibida por los diodos Gunn, es necesario tener en cuenta la velocidad de deriva del electrn versus el campo elctrico (o corriente frente a voltaje) cuya relacin para el GaAs se observa en la Figura 2. Debajo del campo umbral, Eth, de aproximadamente 0,32 V / m, el dispositivo acta como una resistencia pasiva. Sin embargo, por encima de Eth la velocidad de los electrones (corriente) disminuye a medida que el campo (tensin) aumenta, produciendo una regin de movilidad diferencial negativa, NDM (resistencia, NDR).

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Figura 2. Velocidad de deriva del electrn versus el campo elctrico

Esta es la caracterstica esencial que conduce a corrientes inestables y oscilaciones Gunn en un dispositivo activo y se debe a la especial estructura de bandas de conductancia de los semiconductores de band gap directo tales como el GaAs (vase la Figura 3).

Figura 3. Estructura de bandas del GaAs

La relacin energa-momento contiene dos niveles de energa en la banda de conduccin, y L (tambin conocidos como valles) con las siguientes propiedades:

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En el valle inferior , los electrones exhiben un pequea masa efectiva y muy alta movilidad, 1. En el valle satlite L, los electrones exhiben una gran masa efectiva y muy poca movilidad, 2. Los dos valles estn separados por una pequea brecha de energa, E, de aproximadamente 0,31 eV.

En el equilibrio a temperatura ambiente, la mayora de los electrones residen cerca de la parte inferior del valle . Debido a su alta movilidad (~ 8000 cm2V-1 s-1), ellos pueden fcilmente ser acelerados en un fuerte campo elctrico a energas en el orden de la separacin intervalle -L, E. Los electrones son entonces capaces de dispersarse hacia el valle satlite L, lo que resulta en una disminucin en la movilidad promedio de los electrones, , como se indica a continuacin: = (n11 +n22) / (n1 + n2) donde n1 = densidad de electrones en el valle y n2 = densidad de electrones en valle L Sobre el campo superior, EH, la mayora de los electrones residen en el valle L y el dispositivo se comporta como una resistencia pasiva (de mayor magnitud) una vez ms. En la prctica, en los diodos Gunn, los electrones son acelerados desde el ctodo por el campo elctrico que prevalece.Cuando ellos han adquirido suficiente energa, comienzan a dispersarse en la zona con baja movilidad, en el valle satlite y por ende reducen la velocidad. La cuestin de cmo exactamente el fenmeno NDR en el GaAs resulta en oscilaciones Gunn puede ser respondido ahora con la ayuda de la figura 4. Una muestra de GaAs con dopado uniforme de tipo N y de longitud L est polarizada con una fuente de tensin constante V 0. El campo elctrico es por lo tanto constante y su magnitud dada por E0= V0 / L. De la ltima grfica de la Figura 4, est claro que el flujo de electrones del ctodo al nodo es a una velocidad constante v3 (velocidad que corresponde a E0).

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Figura 4. Comportamiento de una muestra de GaAs polarizada.

Ahora suponemos que surge una pequea perturbacin local en la carga neta en el momento t = t0, indicado por la curva de trazo continuo en la Figura 3. Esta no uniformidad puede, por ejemplo, ser el resultado de la deriva trmica local de los electrones. Tambin se muestra la distribucin del campo elctrico resultante (curva de trazo continuo). Los electrones en el punto A, han experimentado un campo elctrico EL1, los cuales viajaran ahora al nodo con velocidad v4. Los electrones en el punto B estn sometidos a un campo elctrico EH1. Por lo tanto, se desplazarn hacia el nodo con velocidad v2 que es menor que v4.Por consiguiente, una acumulacin electrones se producir entre A y B, aumentando la carga negativa neta en esa Pgina 7 de 19

regin. La regin inmediatamente a la derecha de B quedar cada vez ms empobrecida de electrones, debido a su mayor velocidad de deriva hacia el nodo que las de B. La perturbacin en la carga inicial por lo tanto, se convertir en un dominio dipolo, conocido comnmente como un dominio-Gunn. Los dominios Gunn crecern mientras se propaguen los electrones hacia el nodo hasta que se haya formado un dominio estable. Un dominio Gunn estable se muestra en un instante de tiempo t> t0, indicado por la curva de trazos. En este instante de tiempo, el dominio ha crecido lo suficiente como para asegurar que los electrones en ambos puntos C y D se mueven a la misma velocidad, v1, como se desprende de la grfica inferior de la figura 4. Es importante tener en cuenta que la muestra tena que ser polarizada en la regin NDR para producir un dominio Gunn. Una vez que se ha formado un dominio, el campo elctrico en el resto de la muestra cae por debajo de la regin NDR y por lo tanto inhibe la formacin de un segundo dominio Gunn. Tan pronto como el dominio es absorbido por la regin de contacto del nodo, el campo elctrico promedio en la muestra crece y la formacin de otro dominio puede tener lugar de nuevo. La formacin sucesiva y la deriva de los dominios Gunn a travs de la muestra llevan a oscilaciones de corriente alterna, observadas en los contactos.

Parte 3: El Gunnplexer
Cuando se coloca un diodo Gunn en una cavidad resonante, calibrada para trabajar a una determinada frecuencia, se pueden obtener a la salida ondas electromagnticas de pequeas cantidades de potencia. La cavidad puede ser ajustada mecnicamente, o elctricamente mediante un varactor, esto es para ajustar la frecuencia de resonancia de la cavidad. Cabe aclarar que los ajustes elctricos son ms finos. Por su parte la potencia emitida, sale de la cavidad por un orificio llamado iris, el cual debe ajustarse de modo de lograr el mejor compromiso entre mxima potencia a la salida y aislacin de cambios en la impedancia del diodo y de la carga. Lo visto puede comprenderse ayudndose del siguiente esquema.

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Figura 5.Esquema de un gunnplexer[1].

En el sistema el diodo Gunn provee tanto la frecuencia del oscilador local como la potencia transmitida. El circulador de ferrita que se muestra en la figura, acopla una pequea cantidad de energa en el diodo mezclador Schottky y con esto asla la recepcin de la transmisin. Dado que el diodo Gunn funciona como oscilador local tanto en transmisor como en el receptor, el detector de frecuencia intermedia en cada extremo del enlace de comunicaciones debe estar sintonizado a la misma frecuencia, y las frecuencias de los osciladores Gunn en cada extremo del enlace deben estar separadas por una frecuencia intermedia. Por ejemplo, el Gunnplexer 1 se sintoniza en el centro de la banda de 10 GHz, a 10.250 MHz. Si se utiliza un receptor de frecuencia intermedia de 30MHz, el Gunnplexer 2 debe ser sintonizado ya sea 30 MHz mayor o menor que Gunnplexer 1. Si es sintonizado 30 MHz superiores, a 10280 MHz, su seal se mezclar con la del oscilador local menos 10.250 MHz en el Gunnplexer 1 para proporcionar una salida al receptor a 30 MHz. Por el contrario, el 10.250MHz de transmisin de seal de Gunnplexer 1 se mezclar con el 10280 menos la frecuencia del oscilador local en MHz en Gunnplexer 2 para proporcionar una salida a 30 MH z.

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Parte 4: Aplicaciones
Los diodos Gunn son fiables, relativamente fciles de instalar y los niveles inferiores de potencia de salida estn muy por debajo de los lmites de exposicin seguros. Son ideales para el uso en fuentes de bajo nivel de ruido, tales como osciladores locales, osciladores de bloqueo, aplicaciones en transmisores de baja y mediana potencia y sistemas deteccin de movimiento. Variedades de mayor potencia se pueden utilizar en osciladores de fijacin de fase o como amplificadores de reflexin en enlaces de comunicacin punto-a-punto y sistemas de telemetra. Estas fuentes de microondas tienen las ventajas sobre los detectores ultrasnicos de tamao y ancho de haz, y sobre los sistemas pticos de trabajar en ambientes con polvo y adversos. Los requisitos de baja tensin de los osciladores Gunn significan que puede utilizarse a batera o fuentes de alimentacin reguladas, (el consumo de la batera se puede reducir mediante el uso de dispositivos de baja corriente o por la operacin en un modo pulsado). Sin embargo, como desventaja, las microondas son reflejadas en superficies metlicas y parcialmente reflejadas desde muchas otras: por ejemplo ladrillo, asfalto y concreto, y son atenuados por el oxgeno, el agua y el vapor de agua. El rango de aplicacin de sensores Gunn para uso industrial y comercial es extenso y la siguiente es slo una pequea lista: Radar anticolisin. ABS en vehculos. Sensores analizadores de trfico. Radar de 'punto ciego' para vehculos. Sistemas de seguridad para peatones. Indicador de distancia recorrida. Identificacin automtica. Indicadores de presencia / ausencia. Sensores de movimiento. Medicin de distancias. Sensores de baja velocidad. Sensores de nivel. Actuadores de seales de trfico. Detectores de proximidad. Sensores de apertura de puertas. Dispositivos de control de proceso (conteo de objetos) Alarmas antirrobo. Proteccin perimetral. Pgina 10 de 19

Sensores descarrilamiento de trenes. Transductores de vibracin sin contacto. Tacmetros velocidad de rotacin Indicadores de distancia lineal Medicin de humedad.

A continuacin se describen dos sistemas particulares que se consideran representativos del mayor uso que se le da al Gunnplexer. Ellos son los sistemas de transmisin FM y el uso en radares.

Vnculo de Microondas con Diodos Gunn en la Banda X (10 Ghz)

Como ejemplo, mostraremos el desarrollo y construccin de un vnculo de microondas en la banda X (10GHz.) con dos transmisores-receptores con diodos Gunn con cavidades resonantes rectangulares y tecnologa de guas de ondas con potencias de 10 mW y modulacin de banda angosta 0,5 MHz.

Sistemas
Los sistemas transmisores-receptores tienen algunas diferencias en detalles de funcionamiento en lo que respecta a los receptores, un sistema hace la conversin a FI (downconverter) con un diodo y una sola antena transmisora receptora, en el otro caso la conversin se realiza con un diodo, un acoplador direccional y dos antenas, una transmisora y otra receptora. En la figura 6 se muestran los dos sistemas en forma esquemtica, y en las figuras 7 y 8 un dibujo con ms detalles.

Figura 6. Distintos sistemas transmisores-receptores

Para la frecuencia intermedia (FI) de conversin se ha buscado que sea del orden de los 100 MHz a fin de usar receptores comunes de FM y abaratar costos. Para esto, los generadores Pgina 11 de 19

de cada unidad son sintonizados, uno en 10 GHz y el otro en 9,9 GHz. Los generadores, son diodos Gunn que trabajan en cavidades resonantes rectangulares. Las antenas son dos bocinas (horn) de 17 db de ganancia y una antena Hog-Horn modelo BTF

Figura 7: Unidad 1 (Tx y Rx juntos).

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Figura 8. Unidad 2 (Tx y Rx separados).

Descripcin y funcionamiento
El sistema construido con la antena Hog-Horn denominado unidad uno (U1) de la figura 7, tiene un generador con diodo Gunn de 10 mW, con cavidad resonante rectangular sintonizado en 10 GHz. Es modulado en frecuencia mediante una seal moduladora de banda angosta. La salida del diodo Gunn a travs de un iris, excita una gua de onda WG 16 seguida de un atenuador continuo hasta 20 db, un conversor a diodo, una unidad de cambio de polarizacin y una antena HogHorn. Esta unidad trabaja como transmisor-receptor con una antena para las dos funciones en half-duplex. La energa del diodo Gunn a la frecuencia f1 = 10 GHz que es la frecuencia de transmisin de sta unidad, a la vez, tiene una derivacin que funciona de oscilador local para la unidad conversora, de modo tal que cuando recibe una seal en la frecuencia f2 = 9,9 GHZ, se produce la mezcla en la frecuencia f1 f2 = 100 MHz, esta frecuencia es la correspondiente a una frecuencia intermedia, y para este caso, se usa un receptor comn de FM que trabaja como amplificador en la frecuencia de conversin y hace la deteccin final de la seal enviada por la unidad dos (U2). El otro sistema, denominado unidad dos (U2) de la figura 8, usa un oscilador Gunn similar al de la U1 pero sintonizado en la frecuencia f2 = 9,9 GHz. En ambos casos, cuando se establece una comunicacin, una pequea porcin de la potencia de transmisin (Pd = -30db) es desviada hacia el diodo conversor y esa potencia Pd, funciona como oscilador local.

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Para este caso (U2), se utiliza un acoplador direccional que permite sumar Pd con la seal recibida en la antena receptora A2. Esta seal proviene de la U1 en la frecuencia f1, la mezcla produce la conversin en la frecuencia f = f1 f2.= 100 MHz.De igual forma que para U1, se usa un receptor comn de FM para la deteccin final de la informacin enviada por esa unidad. Como se puede ver en la figura 8, la unidad U2 requiere dos antenas, una transmisora A1 y otra receptora A2. En este caso son dos antenas bocina (Horn). Pudiendo suplantarse esto ltimo con una nica antena y un circulador de ferrita como muestra la figura 5. El sistema de modulacin de frecuencia en ambos casos es muy simple. El diodo Gunn en su zona de funcionamiento es un dispositivo de resistencia negativa y la frecuencia de oscilacin depende fundamentalmente de las dimensiones y forma de la cavidad resonante, pero adems, es dependiente de la corriente de funcionamiento. Es posible variar levemente esta corriente para producir a su vez, una variacin de la frecuencia. Este mtodo permite una modulacin en frecuencia de banda angosta que puede llegar hasta las decenas de megahertz. En la figura 9 se muestra la curva de funcionamiento del diodo Gunn y la desviacin de frecuencia, en la figura 10 el circuito de modulacin que produce modulacin de frecuencia, funcin de la seal 1 2 segn sea el caso. Se logra variando la tensin en el diodo Gunn, es decir, montando sobre la continua de umbral la seal a transmitir.

Figura 9.Relacin tensin Corriente de un diodo Gunn.

Figura 10.Circuito modulador

Es de resaltar que debido al uso de un receptor comn de FM, que por un lado abarata costos en el sistema, a su vez, reduce notablemente el ancho de banda total y queda as restringido a un ancho de banda mximo de 10 a 15 KHz. Para mayores anchos de banda, del orden de los MHz. es necesario modificar el receptor.

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Fig.11.Modelos experimentales de las unidades 1 y 2.

Sensores electromagnticos en vehculos (radar)

El radar lo consideramos como un sensor, pues mide la distancia, la velocidad relativa y la posicin lateral de los vehculos que marchan delante. Para ello el radar (RadiationDetecting and Ranging) emite paquetes de ondas milimtricas. Para su empleo en la circulacin por las principales marcas de automviles se ha autorizado la banda de frecuencias de 76...77 GHz (longitud de onda = 4 mm). Los paquetes de ondas emitidos son reflejados por las superficies de metal o material de alta dielectricidad y son detectados de nuevo por el mdulo receptor del radar. La duracin y/o frecuencia de las seales recibidas es comparada con la de las seales emitidas. A fin de que la comparacin pueda ser utilizada para las interpretaciones deseadas, el paquete de ondas que ha de ser emitido es conformado en funcin del transcurso frecuenciatiempo (modulacin). Los modos ms conocidos son la modulacin de impulsos, en la que se forman impulsos de una dimensin de 10...30 ns (lo que corresponde a una longitud de 3...10 m), y la modulacin de frecuencia, que en el momento de la emisin vara la frecuencia (momentnea) de las ondas en funcin del tiempo.

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Figura 12.Esquema de un sistema de deteccin en un automvil.

La seal recibida ha de ser demodulada para que pueda suministrar la informacin deseada.Si se trata de una seal de modulacin de impulsos, se mide el tiempo transcurrido entre la emisin y la recepcin puede ser determinada a partir de esta diferencia de tiempo y en relacin con la velocidad de la luz "c" (aproximadamente 300.000 km/s): d = t .c/2 El divisor 2 tiene en cuenta el recorrido de ida y vuelta de la seal (ejemplo: t = 1 s corresponde a una distancia de d = 150 m}. Si se trata de la modulacin de frecuencia, la variacin de la frecuencia tiene lugar durante la emisin. En caso de variacin lineal, la seal de impacto retardada en funcin del tiempo de recorrido presenta, en comparacin con la seal actual emitida, una diferencia de frecuencia que es proporcional a la distancia (para 100 MHz/ms y una distancia d = 150 m, la deferencia de frecuencia obtenida es de 100 kHz). Si bien la velocidad relativa del objeto de medicin se puede determinar a partir de mediciones sucesivas de la distancia, este parmetro se puede medir con una fiabilidad y precisin considerablemente mayores utilizando el efecto Doppler. En caso de un acercamiento aumenta la frecuencia de las ondas recibidas en 510 Hz por m/s de velocidad relativa (a 76 GHz).La posicin lateral del objeto del radar constituye la tercera dimensin de base buscada. Esta slo puede ser determinada si el haz del radar es dirigido en diferentes direcciones; partiendo de la intensidad de la seal, se determina la direccin que ofrece la reflexin ms fuerte. Para ello es necesario un rpido barrido ("scanear") mediante un haz o una configuracin multihaz. Con varias antenas.

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Estructura
La frecuencia de trabajo de 76 GHz (longitud de onda de aprox. 3,8 mm) hace posible una construccin compacta, requerida para el empleo en vehculos. Un oscilador Gunn (diodo Gunn dentro de una caja ecoica) alimenta en paralelo tres antenas patch dispuestas en yuxtaposicin, que sirven al mismo tiempo para la recepcin de las seales reflejadas (figura inferior). Una lente de plstico colocada delante (lente de Fresnel) concentra el haz de rayos de emisin dentro de una ventana angular de 5 en el plano horizontal y de 1,5 en el vertical, referida al eje del vehculo. Por el desplazamiento lateral de las antenas, la caracterstica de recepcin de stas (ancho de 6-dB : 4) seala en diferentes direcciones. Adems de la distancia de los vehculos que marchan delante y de su velocidad relativa, se puede averiguar de ese modo tambin la direccin en la que son detectados. Unos acopladores direccionales separan las seales emitidas de las seales recibidas. Tres mezcladores posconectados transponen la frecuencia de recepcin en bajas frecuencias casi hasta el cero (0...300 kHz), mediante su mezcla con la frecuencia de emisin. Las seales de baja frecuencia son digitalizadas para su ulterior evaluacin y sometidas a un rpido anlisis de Fourier para determinar la frecuencia.

Figura 13.Esquema del sensor.

La frecuencia del oscilador Gunn se compara continuamente con la de un oscilador estable de referencia DRO (DielectricResonanceOscillator), siendo regulada a un valor terico prefijado. A la vez se vara la tensin de alimentacin del diodo Gunn, hasta que corresponde de Pgina 17 de 19

nuevo al valor terico. Para la medicin, a travs de este bucle de regulacin se aumenta y reduce brevemente la frecuencia del oscilador Gunn cada 100 ms alrededor de 300 MHz en forma de dientes de sierra (FMCW FrequencyModulatedContinuous Wave). La seal reflejada en un vehculo que marcha delante sufre un retardo relacionado con el tiempo de propagacin de la onda (que se traduce en una disminucin de la frecuencia en el flanco ascendente y un aumento igual de la frecuencia en el flanco descendente). La diferencia de frecuencia es directamente proporcional a la distancia (p. ej. 2 kHz/m). Si los dos vehculos sealados no marchan a la misma velocidad, la frecuencia de recepcin aumenta entonces por razn del efecto Doppler, tanto en el flanco ascendente como en el descendente.

Conclusiones El espectro es un recurso escaso y preciado en el mundo de hoy, donde las telecomunicaciones cumplen un papel ms que importante en la vida de las personas, y por ello se busca cada vez aprovecharlo tanto en amplitud como en eficiencia. El sistema Gunnplexer proporciona soluciones en ambos aspectos, ya que permite la utilizacin de frecuencias altas a muy bajo costo y complejidad de los sistemas, obviamente comparado con otros sistemas de generacin de microondas como lo es por ejemplo un magnetrn. Si bien nada es gratis en la vida, este dispositivo permite con escasos recursos implementar un gran nmero de aplicaciones que hubiesen sido virtualmente imposibles en las pocas en las que no exista. En este trabajo se enumeraron varias alternativas de sistemas donde se utilizan los diodos Gunn para generar ondas milimtricas, y se vieron dos en particular, el transmisor de FM y el radar. Esto fue as ya que se pens que son las utilizaciones ms representativas de este sistema y se pudo notar la simpleza de implementacin as como la similitud entre ambos.

Bibliografa [1] J. B. Gunn, "Microwave Oscillation of Current in III-V Semiconductors", Solid State Commun., 1 88 (1963) [2] http://www.marconitech.com/microwave/data/anngunn.pdf Pgina 18 de 19

[3] http://www.ee.sun.ac.za/elec/wjperold/Research/Semiconductors/MC%20PDF/mtt98.PDF [4] http://www.st-and.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/RadCom/part5/page1.html [5] John Voelcker, The Gunneffect, IEEE Spectrum, p.24, July 1989. [6] B.G. Bosch, R.W.H. Engelmann, Gunn-effect Electronics, Pitman Publishing, London, 1975. [7] J.E. Carroll, Hot Electron Microwave Generators, Edward Arnold Publishers, London, 1970. [8] R.R. van Zyl, W.J. Perold, The Application of the Monte Carlo Method to Semiconductor Simulation, Trans. SAIEE, pp. 58-64, June 1996. [9] K. Tomizawa, Numerical Simulation of Submicron Semiconductor Devices, Artech House, London, 1993. [10] Z. Greenwaldetal, The Effect of a High Energy Injection on the Performance of mm Wave Gunn Oscillators, Solid-State Electronics, Vol. 31, No. 7, pp. 1211-1214, 1988. [11] Robert M. Richardson, The Gunnplexer Cookbook.

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