Contoh Soal :

1. Hitung probabilitas suatu states dalam ban Konduksi ditempati suatu elektron di semikonduktor Si dan
hitung konsentrasi elektron dalam keadaan kesetimbangan thermal (thermal equilibrium) pada
temperatur T =300K. Diketahui level enerji Fermi, e
P
,0,25cI dibawah ban konduksi. Density of states
ban Konduksi Silikon, N
C
=2.8 x 10
19
[cm
-3
].

Solusi :

Probabilitas suatu states di ban Konduksi tempati elektron :
F(c) =
1
1+ e
(c-c
F
)
kT


Untuk c
C
- c
F
> 4kT = 4 x 0.026eV = 0.1eV e
(c-c
F
)
RT
=e
0.1
0.02S6
=e
3.9
=49.71 1 .
Dus, c
C
- c
F
=0.25eV >4kT=0.1eV, probabilitas Fermi Dirac, dapat diaproksimasi menjadi distribusi
Maxwell Boltzmann (M-B) :
F(c) =
1
1+ c
(c-c
F
)
RT
e
-
(c-c
F
)
RT
e
-
0.2S
0.02S6
e
- 10
5.74 x 10
-5

(probabilitas states di ban enerji konduksi ditempati elektron )






Konsentrasi elektron,





2. Diketahui temperatur di semikonduktor Si T
L
=400K. Diketahui level enerji Fermi, e
P
=0,25cI
diatas ban Valensi . Density of states ban valensi Si pada temperatur T=300K, N
C
=1.04 x 10
19
[cm
-3
].
Tentukan konsentrasi hole pada keadaan setimbang thermal.

Jawab :

Density of states (DOS) efektip ban valensi :
N

=cnsity o stotcs ccktip Ji Bon Iolcnsi = _

2n m
p

2
kI_
3
2

i
0.25eV >4kT

n
n
= N
c
cxp
-(
C
-
F)

kT
= 2.8 x 10
19
cxp
-2.S
0.02S6
=1.6x10
15
[cm
-3
]
(DOS) efektip ban valensi di temperatur T=400K

N

|
400K
= N

|
300K
_
400
300
_
3
2
=1.04 x 10
19
_
4
3
_
3
2
=1.6x 10
19

kI|
400K
=0.0256 x j
400
300
[
3
2
=0.0345cI
Konsentrasi hole :

p
p
|
400K
= N
v
400K
cxp
-(
F
-
v)

k1
400K
= 1.6 x 10
19
cxp
-0.27
0.0345
=6.39x10
15
[cm
-3
]

3. Diketahui semikonduktor Si di dop dengan Boron (akseptor) N
A
=10
16
cm
-3
. Diketahui mobilitas elektron dengan
hole pada konsentrasi tersebut perbandingannya 3 : 1. Resistivitas semikonduktor Si =10O-cm. Temperatur
kamar 27C.
SOLUSI :

(a) Tentukan level enerji Fermi, c
F
(20) :
p =p
I
exp

I

F
kT
;n
I
=p
I
=1.1 x 10
10
[cm
-3
]
p =N
A
=10
16
[cm
-3
] ;
p
p
i
= cxp [
s
i
-s
F
k1
ln
p
p
i
=
s
i
-s
F
k1
kI ln
p
p
i
= e

e
P

e

e
P
=kI ln
p
p

e
P
=0,0256 lnj
10
16
1,1 x 10
10
[ =0,0256 13.72 =0,35cI
(Fermi level 0.35eV dibawah enerji intrinsice

)

(b) Skets diagram ban enerji (25)







(c) Tentukan mobilitas elektron dan hole pada konsentrasi tersebut (30) :
Resisvitas : =10O-cm --------->Konduktivitas =o =
1
p
=0.1=q n p
n
+ q p p
p
q p p
p
;
n p , n =
n

2
p
=
1.21 x 10
20
10
16
=1.21 x10
4
p =10
16
[cm
-3
]
o =
1
p
=0.1=q p p
p
=1.6 x10
-19
x 10
16
x p
p
Hobilitos olc p
p
=
0.1
1.6 x 10
-3
=62.5 [
cm
2
v-s
]
Hobilitos clcktron p
n
=3 x p
p
=187.5 [
cm
2
v-s
]
(d) Bila sekarang Si didoping dengan Phospor dengan konsentrasi N
D
=m cm
-3
, level Fermi c
F
sekarang menjadi 0,3eV
diatas level enerji intrinsik,
I
. Tentukan doping Phosphor, mtersebut dan resistivitas sekarang (25) :

i
-
F
=0,35eV

C
e
P
e

=0.3 eV=kT ln
n
n

0.3
kI =0.0256
=ln
n
n

n =n

exp
0.3
0.0256
=1.1x10
10
x 122.853 =1.35x10
15
[cm
-3
]

oping Pospor yong Jipcrlukon n =N

N
A
N

=n +N
A
=1.35x10
15
+10
16
=1.135x10
16
[cm
-3
]


4. Diketahui wafer Si-tipe n intrinsik : L (panjang) =10m. | (dia) =4 inci. Si di-dop dengan Arsenik dengan konsentrasi
N
D
=5 x10
16
[cm
-3
]. Resistivitas Si : =5O-cm. Diketahui massa efektip elektron, m
n
*
=0.26m
o
. T=300K.

(a) Tentukan mobilitas elektron
n
dan waktu relaksasi elektron, t
n
(20)v
Konduktivitas : o =
1
p
=q [
n
n +
p
p q (
n
n);n =N

= 5x10
16
j
1
cm
3
[


n
=

qn
=
(
1
5
)
1,6 x 10
-19
x 5x10
16
=
(
1
5
)
1,6 x 10
-19
x 5x10
16
=
1000
1,6x5x5
=25_
cm
2
I Jctik
_


woktu rcloksosi
n
=
m
n

n
q
=
0.26 x 9.1 x 10
-28
x 25
1.6 x 10
-19

=37ns[Jctik]

(b) Bila antara permukaan atas dan bawah wafer Si-n dihubungkan batere V =1V, tentukan kecepatan drift. Dan
tentukan rapat arus drift, J
drift
dan besar arus drift, I
drift
(20) :

Kecepatan drift : v
drIIt
=25 x E =25j
10
-4
m
2
V-dctIk
[ x [
V
L
]=25.10
-4
x j
1
10 x 10
-6
[ j
m
dctIk
[ = 250 [
m
dctIk
]

Rapat arus drift : J
drift
=F =q [
n
n +
p
p E q n (
n
E); n p

J
drift
=F = [
1
5
j
F
L
[ =.2 xj
1
1 x 1
-
[ =2.10
6
j
A
m
2
[

Arus drift : I
d]t
=]
drIIt
x A (luas penampang) =2.10
6
x a r
2
=2.10
6
x10
-4
x (2x2.53)
2
=1.6 A



(c) Tentukan mode scattering yang dominan pada temperature kamar. Bila scattering mode phonon optik dan
phonon akustik, scattering rate t
PO
dan t
PA
berbanding 1 : 2, tentukan scattering rate dan mobilitas akibat phonon
akustik dan phonon optik (30):

Mobilitas elektron total merupakan kombinasi semua mode scattering : scattering dengan phonon optik
PO
,
mode phonon akustik (
PA
) dan scattering Coulombik (dengan ketidakmurnian,
KI
) :

n
= _
1

PA
+
1

PO
+
1

KI
_
-1


Pada temperatur kamar , mobilitas akibat ketidakmurnian
KI
jauh lebih tinggi dibandingkan mobilitas akibat
tumbukan dengan phonon :
KI

PA
,
PO
. Sehingga scattering mode phonon akustik dan optik dominan
dimana mobilitas total hanya ditentukan oleh scattering mode phonon :

n
= _
1

PA
+
1

PO
_
-1
;
1

PA
,
1

PO

1

KI


Mobilitas sebagai fungsi linier terhadap scattering rate
n

n
=
q :
n
m
n

;sehingga :

n
= _
1
q
PA
m
n

+
1
q z
PO
m
n

_
-1
=_
1
q z
PA
m
n

+
1
1
2
q z
PA
m
n

_
-1
=_
3
q z
PA
m
n

_
-1
=
q z
PA
3m
n

=
1
3

PA


PA
=3p
n
=3x 25 =75_
cm
2
Vdetik
_

PO
=
q
P0
m
n

=
1
2
q
PA
m
n

=
1
2

PA
=37.5_
cm
2
Vdetik
_

(d) Bila permukaan atas semikonduktor Si disinari cahaya, sehingga terjadi photogenerasi elektron dan hole, dengan
fungsi n =p =N
o
e
-ax
, dengan koefisien a=10 [m
-1
] dan N
O
=10
16
[cm
-3
]. Tentukan rapat arus difusi elektron dan hole
serta rapat arus total (dengan soal b) (30)
Konsentrasi photogenerasi : n =p =N
o
e
-ax
, (a=2 [m
-1
], N
O
=10
16
[cm
-3
])






D
n
=
k1
q

n
; pada temperature kamar (T=300K) tegangan thermal, V
T
=
k1
q
=0,0256I
Dus, koefisien difusi elektron , D
n
=
k1
q

n
=0,0256 x 25 =0,64j
cm
2
s
[
Dan, koefisien difusi hole : D
p
=
k1
q

p
;
p
tiJok Jikctoui tctopi umumnyo
1
3

n

Rapat arus difusi elektron dan hole :
J
dif
elektron==q D
n
Vn =q D
n
n
x
=q
n
N
o
o c
-ux
,
Di permukaan bawah : x =L =10m, Rapat arus difusi elektron : J
dif
elektron= -q
n
N
o
o c
-ux
=,
[
n
di]
=1,6 x 10
-19
x 0.64 x10
16
x 2 x 10
4
x c
-10.2
=2.048x 2.06.10
-9
=4.22 x10
-9
_
A
cm
2
_
J
drift
=2.10
2
j
A
cm
2
[ ;[
n
di]
J
drIIt
=J
n
dIt

Rapat arus difusi hole :
[
p
di]
=q D
p
Vp =qD
p
p
x
=q
p
N
o
o c
-ux

ph
=h
L=10m