alu m a d n
de
so
Pa ra u
iv
tt p
:/
w w
e rs
id
.u
c m
lu .e te s n se
os
de
la
M a
d ri
Tema 8
ndice
1. Circuitos recticadores de precisin
1.1. 1.2. 1.3. 1.4. Circuitos recticadores sencillos con diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Recticador de media onda de precisin o Superdiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3
3 4 5 6
Recticador de precisin de media onda con resistencias de realimentacin Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto
. . . . . . . . . . . . .
7
7 9 9
. . . . . . . . . . .
logartmicos/antilogartimicos
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
M a
Uso de transistores de efecto campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Celdas multiplicadoras con BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Divisin, potenciacin y races a base de multiplicadores
d ri
11
12 13 15
lu .e te s n se
la
4. Detectores de pico
de
e
. . . . . . . . . . . . . . .
15
os
C w w
alu m a d n
:/ / id
de
so
Pa ra u
Electrnica Analgica
tt p
iv
e rs
.u
c m
Tema 8
Un circuito muy sencillo que permite obtener la parte positiva de una seal alterna es aqul que utiliza una resistencia y un diodo (Fig. 1). Este circuito mantiene la parte positiva de la seal y
os
alu m a d n
de
so
tensin de codo,
Pa ra u
iv
w w
de saturacin
e rs
id
V , y existe una pequea corriente de fuga, ms o menos equivalente a la corriente inversa, IS . En primera aproximacin, se puede deducir que: V V si V > 0 IN IN I R si VIN < 0 S L
.u
Sin embargo, en la realidad se produce una pequea cada de tensin en el diodo, llamada
c m
de
la
rechaza la negativa, siendo llamado por ello recticador de media onda . En caso de que el diodo
lu .e te s n se
1.1.
M a
d ri
d
y
(1)
Siendo
RL
la resistencia de Fig. 1. Con mayor precisin an, la tensin de salida sera la solucin
de la ecuacin no lineal:
tt p
:/
(2)
VOU T = IS exp RL
Siendo
VIN VOU T N VT
(3)
el coeciente de idealidad del diodo. En caso de que deseramos recticar ambas partes
de la seal deberamos utilizar un recticador de onda completa , siendo el ms sencillo el puente de diodos (Fig. 2). En esta estructura, la salida sera si
VIN 2V
si
VIN > 2V
VIN 2V
VIN < 2V . Lamentablemente, aparece una zona muerta no recticable situada en el intervalo 2V < VIN < 2V en el que la tensin de salida es, aproximadamente, 0 V. Dado que el valor de
Electrnica Analgica Ingeniera Superior en Electrnica 3
Tema 8
es del orden de 0.6-0.8 V, se comprende que estos circuitos solo tienen utilidad cuando se aplican
os
seales de amplitud mucho mayores que este parmetro (p.e., conversin AC/DC utilizando la red
de calidad de la seal.
alu m a d n
de
so
Pa ra u
w w
e rs
sencillo. Imaginemos que la tensin aplicada en la entrada es positiva. En ese caso, si la realimentacin funciona correctamente, la salida del circuito, que es la entrada inversora,
id
.u
1.2.
c m
elctrica general de 220 V) o bien en aplicaciones en las que no importa excesivamente la prdida
de
lu .e te s n se
la
M a
VIN V ,
se encontrara a
iv
la misma tensin,
Imaginemos ahora que la tensin aplicada fuera negativa. En este caso, si el amplicador estuviera
tt p
amplicador, que actuara como un sumidero de corriente. Sin embargo, el diodo bloqueara el paso de esta corriente. Cul es entonces la solucin? Puesto que el diodo no est en conduccin ya que se llega a un absurdo, supondremos que est cortado. Sera entonces equivalente a un abierto y, al carecer de camino de realimentacin, el amplicador estara en saturacin. En estas circunstancias, apenas habra cada de tensin entre los extremos de la resistencia, corriente de fuga
:/
VIN .
VOU T
RL ,
debida simplemente a la
IS , y se cumplira que VOU T = VIN V = IS RL . Como VN IN V < 0, siendo NIN V la entrada no inversora del amplicador, ste ira a saturacin negativa haciendo VD VSAT . Estas
Electrnica Analgica
d ri
Tema 8
circunstancias son coherentes pues implicaran que el diodo est cortado, como se haba supuesto al principio. Cmo se puede ver de una manera ms rigurosa? Aceptando que la corriente
IL
es la que
atraviesa el diodo y que llega directamente a la resistencia independientemente de la tensin aplicada, puede demostrarse que:
IL =
Pero
VOU T = IS exp RL
VIN VOU T N VT
1 = ID
(4)
VD
motivo, la estructura anterior es conocida popularmente como Superdiodo . Qu ocurrira si invirtiramos los terminales del diodo? Simplemente, la corriente entrara en el
alu m a d n
1.3.
de
imentacin
so
Pa ra u
conectado a una resistencia de carga para permitir el paso de corriente necesaria para activar el
iv
Por ello, existen otras estructuras que utilizan varios diodos y resistencias para impedir que el amplicador operacional abandone la zona lineal. Una estructura tpica es el recticador inversor de media onda con salida negativa (Fig. 4). El estudio de esta estructura es sencillo. En primer lugar, debe suponerse que la entrada
tt p
:/
el signo de la seal por lo que, en general, su respuesta es bastante lenta. Por otra parte, la seal
diodo. En segundo lugar, el amplicador operacional pasa de zona lineal a saturacin al cambiar
w w
El superdiodo presenta dos problemas a la hora de utilizarlo. En primer lugar, necesita estar
e rs
id
.u
c m
diodo si
os
VIN < 0
de
la
V/A. Como A es enorme, esta tensin de codo ser del orden de unos cuantos microvoltios. Por este
lu .e te s n se
podemos deducir que el circuito recticador de media onda equivale a un diodo con tensin de codo
A1 . La consecuencia fsica de aquella ecuacin era la aparicin de una tensin de codo, V , que se puede suponer proporcional a N VT . Dado que la ecuacin del circuito recticador es equivalente salvo el factor de proporcionalidad,
Fijmonos que esta ecuacin es similar a Eq. 3 salvo por el factor
M a
VOU T = IS exp RL
1 = IS exp
VIN VOU T A1 N VT
d ri
d
1
(5)
VIN
es
bien positiva, bien negativa. A continuacin, deberan estudiarse las cuatro posibles combinaciones de estado de D1 y D2 llegando a las conclusiones siguientes. Si la entrada
VIN
VIN
es proporcionada
Electrnica Analgica
Tema 8
pues
RF
alu m a d n
de
cerrara a travs de las resistencias haciendo que sera negativa. Lgicamente, si hacemso
so
Pa ra u
La tensin de codo de esta estructura sera del orden de V/A permitiendo una recticacin
precisa y, por otro lado, dado que el amplicador operacional nunca abandona la zona lineal, la
iv
1.4.
Una manera sencilla de obtener estos circuitos sera construir un circuito que rectique la parte positiva, otro la negativa y, nalmente, sumarlas con un tercer amplicador operacional. Sin embargo, existen soluciones con menor nmero de diodos, de resistencias y de amplicadores operacionales. Un ejemplo de ello es el circuito de Fig. 5.
Electrnica Analgica
tt p
las capacidades de los diodos y por las propiedades del amplicador operacional en zona lineal
:/
frecuencia mxima de trabajo aumentara. As, la frecuencia de trabajo estara limitada ahora por
w w
e rs
id
= |VIN |).
.u
F VIN . Como VIN es positiva, la salida VOU T = R R RF = R, se consigue una recticacin perfecta, aunque
c m
lu .e te s n se
os
de
la
RF
M a
d ri
Tema 8
guraciones que permiten realizar estos dispositivos y se remite al estudiante a textos especializados para conocerlos.
Finalmente, debe researse que existe un mtodo alternativo basado en multiplexores y compara-
os
el canal 1 del multiplexor, que es la entrada tal cual, y si es negativa, se seleccional el canal 0, que es la entrada invertida. De este modo, a la salida siempre llega el valor absoluto de la seal. Esta
alu m a d n
el canal apropiado, que es transferido a la salida. De este modo, si la salida es positiva, se selecciona
de
so
Pa ra u
iv
precisa de seales alternas sino que facilita la realizacin de operaciones matemticas ms complejas como son el logaritmo y la exponenciacin. Adems, la posibilidad de disponer de estas dos funciones es un paso clave para realizar otras operaciones aritmticas como la multiplicacin, divisin, potencias y races.
2.1.
Los circuitos logartmicos ms sencillos que existen son similares al mostrado en Fig. 7. Puede verse que, para estabilizar el circuito, la realimentacin se realiza a travs del terminal inversor ya que, en el fondo, un diodo no es sino una resistencia fuertemente no lineal. Dado que la impedancia
Electrnica Analgica
tt p
:/
w w
e rs
id
.u
estructura es utilizada por algunos recticadores de precisin integrados, como el dispositivo AD630,
c m
dores. Fig. 6 muestra un ejemplo general. El comparador determina el signo de la seal y selecciona
lu .e te s n se
es negativa. En estas circunstancias, la salida es el valor absoluto de la entrada. Existen otras con-
de
la
DP
est activo y
DN
M a
d ri
Tema 8
ID =
Siendo por lo
M a
1
VIN VA = IS exp R
VA VOU T N VT
d ri
d
F
de entrada del amplicador es innita, toda la corriente que atraviesa la resistencia se deriva hacia
(6)
As, hemos conseguido que la salida sea proporcional al logaritmo de la entrada. El rango de
os
alu m a d n
valores de la entrada est limitado por varios factores. En primer lugar, se supone que el diodo debe estar polarizado en directa. Para ello, es necesario que
de
lu .e te s n se
IS y N parmetros caractersticos del diodo. Ocurre que el nudo A es una tierra virtual que VA = 0 y que, en general, el diodo estar polarizado en directa por lo que la anterior
VOU T = N VT ln
VIN RL IS
la
(7)
VIN > 0.
c m
VOU T = N VT ln
so
Pa ra u
directa es la suma de dos factores exponenciales, uno asociado a las corrientes de difusin y que ha
iv
con los de silicio. Sin embargo, esta opcin no es factible en muchos casos como, por ejemplo, en el diseo de circuitos integrados. En estas circunstancias, la solucin que se plantea es utilizar un transistor en lugar de un diodo. Fig. 8 muestra dos posibles conguraciones. Al polarizar los transistores de esta manera se comportan como diodos con una ventaja sobre la unin PN sencilla como podra ser la unin BE. Al intervenir la corriente de colector, la componente de difusin de la corriente
tt p
Por ello, para minimizar este efecto hay que recurrir a diversas alternativas. Una de ellas consiste en
:/
IB
w w
e rs
id
VIN RL IS
de
.u
(8)
Electrnica Analgica
Tema 8
os
Una vez conocidos los circuitos logartmicos, la creacin de circuitos exponenciales o antilogart-
alu m a d n
(Fig. 9). Debe remarcarse que la realimentacin se realiza a travs del terminal inversor para que la
de
so
id
.u
c m
micos no ofrece mayor dicultad pues basta con intercambiar la posicin de la resistencia y el diodo
2.2.
Pa ra u
iv
2.3.
Los circuitos anteriores tienen algunas limitaciones importantes. Una de ellas es la existencia de no idealidades en el amplicador como, por ejemplo, la tensin de oset y las corrientes de polarizacin de las entradas que afectan a la salida. As, por ejemplo, puede demostrarse que la salida de un circuito logartmico con entrada estrictamente positiva es:
Electrnica Analgica
tt p
recombinacin, siempre es posible utilizar transistores. Si estos fueran NPNs, algunos circuitos ex-
:/
fuga y obtener la forma exponencial. Para compensar los efectos de las corrientes de generacin-
El valor de la tensin de entrada debe ser positivo para despreciar el efecto de las corrientes de
w w
e rs
VOU T = RL IS exp
lu .e te s n se
de
la
VIN N VT
M a
d ri
d
(9) Ingeniera Superior en Electrnica
Tema 8
Figura 10: Amplicador exponencial para entrada positiva basados en transistores bipolares.
d ri
VOU T = VOS N VT ln
Siendo
d
(10) (11)
VOS
IB
del amplicador operacional. Sin embargo, estos problemas carecen de importancia en comparacin
d
T T0 T0
con el efecto de la temperatura. Los parmetros de un diodo son fuertemente dependientes de la temperatura. Por ejemplo, la corriente de saturacin inversa de un diodo,
lu .e te s n se
la
de
IS (T ) = exp IS (T0 )
T 1 T0
EG N kB T
M a
XT I/N
os
la temperatura de referencia,
EG
XT I
un parmetro especco de cada diodo que, en caso de una unin abrupta, se iguala a 3.
alu m a d n
kB
la constante de Boltzmann
c m
C.
Teniendo
de
so
Pa ra u
de la temperatura de tal modo que se encuentran amplicadores comerciales de ambos tipos. Para
iv
Una vez resuelto el problema del logaritmo y la exponenciacin, la realizacin de algunas operaciones aritmticas se convierte en algo muy sencillo de realizar (al menos sobre el papel). Imaginemos que deseamos realizar la siguiente operacin de forma general:
tt p
2.4.
:/
w w
conguraciones algo ms sosticadas que las mostradas en estos apuntes que minimizan los efectos
e rs
id
minimizar los efectos de la temperatura y hacer los dispositivos ables. Afortunadamente, existen
.u
en cuenta que la temperatura afecta a otros parmetros, es de entender la dicultad que existe para
VOU T =
Reescribmosla de la siguiente manera:
m n VX V Y p VZ
Electrnica Analgica
10
Tema 8
Ambas expresiones son iguales pero sta ltima es implementable mediante amplicadores operacionales. En primer lugar, se debe realizar el logaritmo de cada una de las entradas, multiplicarlas por el factor de proporcionalidad, sumarlas y obtener el exponencial de la suma. Evidentemente,
etc. Por otra parte, quizs no sea una opcin econmica ya que se necesitaran muchos ampli-
las entradas del multiplicador no pueden cambiar de signo ya que heredan esta desventaja de los amplicadores logartmicos y exponenciales.
os
alu m a d n
so
Pa ra u
sadores para la implementacin no solo de funciones aritmticas simples sino tambin de funciones
muy complicadas (Fig. 11). En esta gura, un microprocesador selecciona alternativamente el canal
binario, recogerlas, operar con ellas y transferirlas a un DAC. Evidentemente, de este modo se podran implementar funciones como la suma o resta pero sera un desperdicio de recursos materiales. No sera en cambio un problema si, el objetivo fuera, por ejemplo, obtener la media armnica las tensiones de entrada. El problema de esta conguracin es el coste y, sobre todo, el comportamiento en frecuencia, marcado por la frecuencia de trabajo del microprocesador y por la complejidad de los clculos que
1 Recordemos
que la media armnica es el inveso de la semisuma de los inversos:
de un multiplexor conectado a un ADC. As, puede muestrear cada una de las tensiones, pasarlas a
tt p
:/
iv
w w
e rs
deseados. Por ello, se pueden utilizar estrategias alternativas para implementar, de modo efectivo,
id
logaritmos y exponienciales. Sin embargo, esta tcnica es delicada y es posible que no d los frutos
.u
los amplicadores operacionales para realizar algunas operaciones aritmticas a travs del uso de
de
c m
de
la
las conguraciones del sumador/restador y las resistencias. Finalmente, debe tenerse en cuenta que
lu .e te s n se
cadores. Sin embargo, es posible anar el diseo eliminando bloques si escogemos apropiadamente
hay que corregir los trminos dependientes de la corriente de saturacin inversa, de las resistencias,
M a
d ri
d
1
de
1 2 1 A
1 =
1 B
Electrnica Analgica
11
Tema 8
algunas de las estrategias que se muestran en los apartados siguientes. Asimismo, la seal de salida siempre presentar ruido de cuantizacin, tanto mayor cuanto menor sea el nmero de bits empleados en la codicacin o la relacin entre las entradas de tensin y el valor de la referencia de tensin
3.1.
Los transistores de efecto campo tienen la peculiaridad de que la corriente que los atraviesa es funcin de la tensin de puerta y de drenador. Estas tensiones se multiplican entre s de tal modo
os
que los transistores pueden utilizarse para realizar multiplicaciones. En primer lugar, jmonos en el
lu .e te s n se
de
la
as, el transistor estar en zona lineal por lo que lo atraviesa una corriente:
alu m a d n
de
so
id
Pa ra u
iv
w w
e rs
Ha sido posible hacer esto ya que la fuente del transistor est conectada a la tierra virtual. Esta
.u
c m
circuito de Fig. 12. Veamos que funciona como un multiplicador siempre que
M a
d ri
realizar. En aplicaciones con una frecuencia de trabajo sucientemente alta, s tiene sentido utilizar
VX << VY .
Si esto es
(12)
(13)
tt p
:/
en zona lineal. Por otro lado, el transistor es de canal N con lo que la tensin de pincho debe ser forzosamente negativa. En concreto,
VX VP . Evidentemente, existen limitaciones en el valor de las lugar, VX no puede ser muy alto pues el transistor JFET debe estar VP = |VP | < VY < 0.
As, si deseramos que
VY
fuera
positiva, deberamos utilizar un transistor JFET de canal P. Ahora, jmonos en el circuito de Fig. 13. Como ya sabemos de temas anteriores, el transistor NMOS de la gura estar bien en corte, bien en saturacin. Como la fuente del transistor est conectada a la tierra virtual,
por lo que:
Electrnica Analgica
12
Tema 8
M a
De modo que:
d ri
(14)
(15)
Por tanto, con esta disposicin, podemos elevar una tensin desconocida al cuadrado teniendo en
os
alu m a d n
de
so
En primer lugar, recordemos que es posible implementar conversores de tensin a corriente por
Pa ra u
medio de amplicadores operacionales. Ejemplo de ello son los circuitos mostrados en Fig. 14. En ambos circuitos la transconductancia es
w w
e rs
id
.u
3.2.
c m
IDS
de
la
lu .e te s n se
cuenta que aparecen trminos lineales que deberan ser eliminados. Asimismo, en Fig. 13 podramos
(16)
iv
Una estructura muy popular para multiplicar corrientes es la estructura basada en el par diferencial
(Fig. 15).En esta estructura, hay un par diferencial que es polarizado por un espejo de corriente polarizado con una fuente de tensin
tt p
que tensiones.
:/
1 gM = R ,
VA .
VO =
Haciendo
(17)
VB = 0,
modo diferencial, se podra transformar en absoluta por medio de una amplicador diferencial o de instrumentacin con ganancia 1. Adems, podra aadirse circuitos adicionales para restar el trmino
Electrnica Analgica
13
Tema 8
VIN
en
IO . ZL
alu m a d n
de
so
Pa ra u
iv
Fig. 14 para eliminar la dependencia con este parmetro. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que la carga de Fig. 14 sera el espejo de corriente. Los emisores del par diferencial deberan cambiar
VEE
tt p
:/
dependiente de
V VB +
del circuito de la gura. Por otra parte, podran combinarse Fig. 15 con
w w
e rs
id
.u
c m
lu .e te s n se
os
de
la
VB
de los transistores del par debera ser, al menos, de 0.9 V. Otra estructura muy popular es la llamada Celda Gilbert, que tambin produce una salida en modo diferencial. Con ella, es posible realizar una multiplicacin sea cual sea el signo de las corrientes envueltas en la operacin pues, por ejemplo, en Fig. 15
VA
Electrnica Analgica
M a
d ri
d
14
Tema 8
Figura 16: Divisor de tensiones con multiplicador. Las entradas son interna del circuito.
VA
VB
siendo
VX
una tensin
3.3.
Una vez construido un multiplicador, es relativamente sencillo construir dispositivos capaces de realizar la divisin, potenciacin y races cuadradas. En algunos casos, es necesario utilizar ampli-
la
Divisin:
lu .e te s n se
entradas,
VOU T = k VA VB ,
cadores operacionales. As, si tenemos un circuito cuya salida es proporcional al producto de dos
os
B VA . VX = RB IA = R RA
de
.u
Raz cuadrada: El circuito que permite realizar una raz cuadrada es extremadamente sencillo
de
c m
Potenciacin: Se puede ver con facilidad que, si aplicamos la misma tensin a las dos entradas
alu m a d n
2 . VOU T = k VA
M a
RA
VA . VB
es
so
Pa ra u
iv
Otro de los usos tpicos de los amplicadores operacionales con diodos y transistores es la deteccin de picos o mximos de tensin. Es decir, mantener el valor de la tensin ms alta alcanzada por una seal variable en el tiempo. As, Fig. 17 muestra un par de ejemplos de circuitos que retienen la tensin en el condensador de tal modo que, si el valor de
tt p
4. Detectores de pico
U
:/
id
con
VB
VOU T
w w
e rs
k 1
VIN
Fig. 17b, el diodo entra en corte y la carga atrapada en el condensador mantiene la tensin mxima. El problema de esta estructura es que, en realidad, no atrapa el valor de
del codo del diodo, la tensin de salida es del orden de 0.7 V (V ) menor en Fig. 17a, y mayor en Fig. 17b. Para evitar este problema, existen estructuras basadas en amplicadores operacionales que
Electrnica Analgica
d ri
VA VOU T
d
B VOU T = R RA
y esto llevara a
15
Tema 8
resuelven este problema. En principio, las estructuras pueden estar basadas en diodos y transistores MOS.
os
podra utilizarse cualquier recticador de precisin de media onda, como el descrito en el apartado 1.3. Cada estructura heredar las ventajas e inconvenientes de su subcircuito generador.
alu m a d n
de
so
Pa ra u
Esta estructura tiene el inconveniente de que puede ser algo lenta debido al paso del amplicador
Ms an, el amplicador operacional podra ser, simplemente, un par diferencial CMOS. Podran utilizarse transistores BJT en lugar de los MOS? La respuesta es s aunque no tendra mucho sentido hacerlo. En el fondo, la unin BE de estos transistores estara funcionando como un diodo con lo que toda la estructura sera equivalente a las de Fig. 18.
Electrnica Analgica
a saturacin. Sin embargo, tiene la ventaja de que puede construirse fcilmente en tecnologa CMOS.
tt p
:/
VIN vuelve a rebasar el valor almacenado, el amplicador puede volver a zona directa, haciendo que VOP AM P VIN + VT H , siendo VOP AM P la tensin de salida del amplicador operacional. En caso de que se desee buscar
dejando la salida a una tensin constante de manera denida. Solo cuando
iv
w w
est jada por el condensador, se producir un paso a saturacin negativa que cierra el NMOS,
e rs
id
.u
Sin embargo, una solucin alternativa consiste en emplear un transistor MOS como llave. Fi-
VIN
c m
de Fig. 17 por superdiodos. As, se obtendran las estructuras de Fig. 18. Por supuesto, tambin
El detector de pico avanzado basado en diodo consiste, simplemente, en reemplazar los diodos
lu .e te s n se
Figura 18: Detectores de pico mximo (a) y mnimo (b) basados en el superdiodo.
de
la
M a
d ri
d
16
Tema 8
Figura 20: Aumento de corriente de salida en un op amp con transistores NPN y NMOS de potencia.
alu m a d n
de
so
Pa ra u
podra reemplazarse el amplicador operacional normal por uno de alta potencia, capaz de propor-
iv
cionar/absorber corrientes de varios amperios aunque, en general, pueden resultar bastante caros. En segundo lugar, puede incluirse algn transistor de potencia en el camino de realimentacin del
amplicador operacional discreto. Es necesario recordar que este transistor podra ser tambin un
Fig. 20 muestra dos ejemplos de como aumentar la corriente de salida de un amplicador operacional discreto. Estudiemos el caso del NPN. En primer lugar, se puede comprobar que el amplicador operacional est en zona lineal y que el NPN en zona activa directa siempre y cuando
VIN no se aproxime a VCC . En estas circunstancias, se cumplira que VOU T = V = VIN y VX = VOU T + V = VIN + V . En el caso de que el amplicador operacional pudiera proporcionar una corriente mxima de valor IO,M AX , la corriente que se proporcionara a la carga sera IL,M AX = hF E IO,M AX .
Electrnica Analgica
par Dalington.
tt p
:/
w w
e rs
el valor de la corriente de salida, se puede recurrir a una de estas dos estrategias. En primer lugar,
id
del orden de varias decenas de miliamperio. Sin embargo, en caso de que sea necesario aumentar
.u
c m
lu .e te s n se
os
de
la
M a
d ri
Figura 19: Detectores de pico mximo (a) y mnimo (b) basados en el un transistor MOS.
17
Tema 8
transistor est siempre en ZAD incluso sin conectar una carga. De este modo,
d ri
y un transistor de potencia. Se aade una resistencia pueden colocar resistencias muy bajas en la salida.
RQ ,
VOU T = VREF
Figura 21: Construccin de un regulador con una referencia de tensin, un amplicador operacional y se
VIN < 0, IL
proporcionar corriente y no absorberla. En el fondo, el sistema aumentara la corriente de salida a costa de comportarse como un recticador. Por ello, esta solucin suele utilizarse en reguladores de tensin (Fig. 21). Para solventar este problema, se podra aadir un transistor PNP de potencia que
os
los temas anteriores. Recordemos, sin embargo, que esta etapa podra aumentar la distorsin del
Qu ocurre con el equivalente NMOS de Fig. 20? Simplemente, el razonamiento sera similar
alu m a d n
de
ecuacin cuadrtica
IDS =
transistores NMOS discretos, el sustrato est conectado a la fuente por lo que no hay efecto sustrato.
so
id
.u
VIN RL
solo que, en este caso, la tensin de salida del amplicador operacional sera la solucin de la Recordemos que, en los
c m
amplicador.
de
complementara el transistor NPN. As, se creara una nueva etapa de salida como las mostradas en
Pa ra u
tendra donde ir ya que el drenador est conectado a la tensin ms alta del circuito y la puerta est protegida por el dielctrico. En consecuencia, no existe posibilidad de que
w w
e rs
lu .e te s n se
la
pero, lamentablemente, se topara con una unin PN en inversa. Por tanto, esta estructura solo podra
M a
VOU T
iv
:/
V. Esta situacin es coherente con el estado del amplicador. En estas circunstancias, la diferencia
que el amplicador estara en saturacin negativa. En consecuencia, la puerta estara polarizada con
tt p
lo que implicara
de corriente
conducido a ningn absurdo y es perfectamente coherente. Los circuitos mostrados en esta seccin se utilizan frecuentemente en electrnica de potencia pues constituyen la base de lo que se conoce como reguladores lineales de tensin , caracterizados por una tensin y consumo de corriente en reposo constante. Desde el punto de vista energtico, son menos ecientes que los reguladores de tensin conmutados aunque, por el contrario, son mucho menos ruidosos lo que los dota de gran popularidad.
Electrnica Analgica
VCC
IL ,
18