Anda di halaman 1dari 9

Karakteristik JFET

Muhajirin Heri Setiawan, Lilis Yuliana, Ita Purnamasari Fisika 2012


Abstrak Telah dilakukan praktikum tentang karakteristik JFET yang bertujuan memahami karakteristik dasar dan prinsip kerja JFET channel-N serta menentukan transkonduktansi dan tegangan penjepitan JFET channel-N. Dalam percobaan ini dilakukan pengukuran terhadap Arus drain (I D) dengan memanipulasi tegangan antara drain dan source (VDS) yang dipengaruhi oleh VGS. Ada dua macam

grafik yang dianalisis dalam praktikum ini yaitu hubungan IDD-VDS dan hubungan ID-VGS
Berdasarkan analisis grafik semakin kecil nilai VGS nya maka nilai ID nya pun ikut semakin kecil. Begitupun untuk nilai VDS nya, semakin besar nilai VDS nya semakin besar pula nilai ID nya. Adapun untuk nilai transkonduktansi dilihat dari kemiringan garis dari grafiknya yaitu perbandingan IDS dengan VP. Sedangkan utnuk tegangan penjepitan ditentukan pada saat ID = 0 dan pada saat VGS bernilai minimum. Dari hasil analisis tersebut semakin besar frekuensi sumber dan hambatan yang digunakan maka nilai kualitas frekuensi semakin kecil dan lengkung resonansi semakin melebar.

1. Metode Dasar Transistor efek medan , atau FET (Field Effect Transistor), adalah suatu transistor yang prinsip kerjanya berdasar atas pengaturan arus (keluaran) oleh tegangan (masukan). FET juga dinamakan transistor kutub tunggal (unipolar), karena yang berperan sebagai pembawa muatan hanya satu macam, yaitu pembawa muatan mayoritas (hole atau elektron). Ada dua jenis FET, yaitu JFET (Junction Field Effect Transistor) dan MOSFET (Metal Oxyde Semikonduktor FET). Pada JFET medan listrik pengatur arus terjadi pada sambungan pn, sedang pada MOSFET medan listrik terjadi pada dua lapisan (semikonduktor dan metal) yang disekat dengan suatu oksida (Oxyde) (Purwadi B. dan Abdulrahman Fadeli: 2001 ). Transistor efek medan atau FET terbentuk dari kanal (saluran) bahan tipe

p atau tipe n yang dikelilingi olehbahan dengan kutub berlawanan. Ujung-ujung saluran dimana konduksi berlangsung yang

membentukelektroda-elektroda

dikenal dengan sebagai sumber (Source) dan penguras (Drain). Lebar efektif dari saluran dikendalikan oleh potensial yang diberikan pada elektroda ketiga sebagai gerbang (Gate) (Bakri A. Haris dkk: 2008). Dalam pengoperasian FET saluran n, drain disambungkan positif terhadap source, sehingga elektron akan masuk ke dalam saluran dari source dan ke luar drain. Gate disambungkan dengan voltase negatif terhadap source

sehingga sambungan pn antara gate dan saluran n dibias balik. Ketika

sambungan pn tersebut dibias balik, lebar daerah pengosongan Lebarnya akan akan

bertambah.

tergantungdari voltase antara daerah

semikonduktor semikonduktor voltase,

p+ n.

dan Semakin lebar drain

daerah besar daerah positif

drain

dan

source

(VDS) drain

kenaikannya 0.5 Volt. b. Variabel respon; Arus

semakin Karena

pengosongan.

merupakan besarnya arus yang berasal dari rangkaian yang

terhadap source, maka voltase antara semikonduktor sambungan n dekat lebih dengan besar

terbaca pada Amperemeter akibat Amperemeter dirangkai seri

drainakan

daripada voltase yang dekat dengan sambungan source. Maka dekat dengan drain daerah pengosongan akan lebih lebar daripada dekat dengan source. Karena daerah pengosongan melebar sesuai dengan bertambahnya voltase gate-source, maka lebar dari saluran n akan berkurang sehingga resistivitas saluran n bertambah besar (Blocher, Richard: 2003). 2. Operasional Variabel a. Variabel manipulasi: Tegangan

dengan drain dan source dengan satuan mA. c. Variabel kontrol; 1) Tegangan sumber merupakan besarnya tegangan masukan yang dialirkan kedalam

rangkaian hingga 10 Volt. 2) Tegangan get source (VGS) merupakan besarnya

tegangan yang terdapat di antara get dan source yang terbaca pada Voltmeter yang dirangkai parallel dengan get dan Tegangan resistansi source akibat dari

drain source (VDS) dan tegangan gate source (VGS) b. Variabel Respon: Arus drain c. Variabel sumber potensiometer. 3. Definisi Operasional Variabel a. Variabel manipulasi:Tegangan Kontrol: dan

perubahan

potensiometer

yang satuannya adalah Volt. Dimana tegangan get dan source (VDS) Volt. 4. Alat dan Bahan a. Multimeter Digital, 2 buah b. JFET Channel N, 1 buah c. Potensiometer, 5 k dan 10 k d. Power supply dc, 2 buah e. Kabel penghubung. 5. Prosedur Kerja kenaikannya 1

drain source (VDS) merupakan besarnya tegangan yang terdapat di antara drain dan source yang terbaca pada Voltmeter yang

dirangkai parallel dengan drain dan source akibat dari perubahan potensiometer yang satuannya

adalah Volt. Dimana tegangan

a. Merangkai

dan

mempelajari

7 8 9 10 11 12 13

3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10

3.44 3.56 3.66 3.75 3.82 3.9 3.96 4.02 4.08 4.13 4.18 4.24 4.29 4.32 4.37

1.89 1.95 2 2.04 2.08 2.11 2.14 2.18 2.21 2.23 2.26 2.29 2.31 2.33 2.35

0.7 0.71 0.73 0.74 0.75 0.76 0.77 0.78 0.79 0.8 0.81 0.82 0.82 0.82 0.83

0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02

0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0

rangkaian uji FET kanal N b. Memastikan tegangan VGG tidak melebihi 10 V dan VDD 10 V. c. Memastikan setiap alat ukur yang digunakan terpasang dengan

polaritas yang benar mengacu pada polaritas masing-masing sumber tegangan. d. Memutar potensiometer VR2
14 15 16 17 18 19 20 21

sehingga nilai VDS naik menjadi 1 volt dan membaca nilai ID. e. Mengulangi kegiatan (5) dengan interval yang sama sampai nilai VDS = VDD. f. Memutar balik potensiometer VR2 hingga VDS sama dengan nol. g. Memutar potensiometer VR1 sehingga nilai VGS naik menjadi 2 volt. h. Mengulangi kegiatan (5) sampai (8) dengan interval yang sama hingga VGS = VP atau (ID = 0). 6. Data dan Analisis Hasil Praktikum a. Hasil Praktikum VS1 = VS2 = 10 volt
N o
1 2 3 4 5 6

VD
S

ID (mA) Untuk Nilai VGS 0


0 1.15 2.03 2.68 3.06 3.28

-1
0 0.78 1.31 1.59 1.73 1.82

-2
0 0.41 0.56 0.62 0.65 0.68

-3
0 0.01 0.01 0.01 0.02 0.02

-4
0 0 0 0 0 0

0 0.5 1 1.5 2 2.5

b. Analisis Data

5 4.5 4 3.5

IA 3.8

IDD (mA)

3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

IB 2.08

IC 0.75 IE 0 ID 0.02

Titik A (Vgs = 0 V)

Titik B (Vgs = -1 V)

VGS (V) Titik C (Vgs = -2 V)

Titik D (Vgs = -3 V)

Titik E (Vgs = -4 V)

Grafik 1. Hubungan antara VDSterhadap ID

b. Analisis Data 1). Secara Teori gmo =


2

= -.639 mS d. gm4 =
2 4.37 4

= gmE gmA = (-2.185 (-2.185)) mS = 0 mS

= -2.185 mS a. gmA = -gmo 1


0

2). Secara Praktikum a. gm1 = = =


( ) ( )

= -2.185 mS 1 4 = -2.185 mS b. gmB = -gmo 1


1 4

(3.82 2.08) 0 1

= 1.74 mS b. gm2 = = = =

( ) ( )

= -2.185 mS 1

= -2.185 mS x 0.75 = -1.638 mS c. gmC = -gmo 1


2

(3.82 0.75) 0 2 3.07 2

= 1.535 mS c. gm3 = = = =

( ) ( )

= -2.185 mS 1 4 = -2.185 mS x 0.5 = -1.092 mS d. gmD = -gmo 1


3 4

(3.82 0.02) 0 3 3.8 3

= 1.267 mS d. gm4 = = =
4 4

= -2.185 mS 1

( ) ( )

= -2.185 mS x 0.25 = -0.546 mS e. gmE = -gmo 1


(3.82 0) 0 4 3.82 4

= 0.955 mS 3). Analisis Keslahan a. %diff = = = =


1 1 1 1 1
1 + 1 2

= -2.185 mS 1 = -2.185 mS gm Selisih a. gm1 = gmB - gmA

100% 100%

= (-1.638 (-2.185)) mS = -0.547 mS b. gm2 = gmC - gmA = (-1.093(-2.185)) mS = -1.092 mS c. gm3 = gmD - gmA = (-0.546(-2.185)) mS b. %diff

0.547 1.74
0.547 +1.74 2

100%

1.193 1.144

100%

= 104% =
2 2 2

100%

= = =

2 2
2 + 2 2

100% 100%

1.093 1.535
1.093 +1.535 2

0.442 1.314

100%

= 33.63% c. %diff = = = =
3 3 3 3 3
3 + 3 2

x 100% x 100% 100%

1.639 1.267
1.639 +1.267 2

0.372 1.453

100%

= 25.60% d. %diff = = = =
4 4 4 4 4
4 + 4 2

100 x 100%

0 0.955
0 + 0.955 2

100%

0.955 0.4775

100%

= 200%

5 4.5 4.37 4

3.5
3 2.35 2.5 2 1.5 0.83 1 0.5 0 -4.5 -4 -3.5 0.02 0 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 -0.5 0

ID (mA)

VGS (V)

Grafik 2. Hubungan antara Tegangan Drain terhadap Tegangan Gate Source

Analisis grafik gm = gm = gm =

2 = 1 1

pengamatan semakin kecil nilai VGS nya maka nilai ID nya pun semakin kecil. Begitupun untuk nilai VDS nya, semakin besar nilai VDS nya semakin besar pula nilai ID nya. Adapun untuk nilai transkonduktansi dilihat dari kemiringan garis yang dilihat dari grafiknya yaitu perbandingan IDS dengan VP. Sedangkan untuk tegangan penjepitan ditentukan saat VP antara gate dan source dihubung singkat Adapun karakteristik drain source merupakan suatu kurva untuk nilai VGS yang bervariasi dari 0 V sampai maksimum (dalam arah minus atau balik) dan tegangan VGS maksimum ini selanjutnya disebut sebagai tegangan penjepitan Vp, dimana tidak ada lagi arus drain (ID = 0). 8. Kesimpulan Dari hasil praktikum ini dapat disimpulkan bahwa: a. JFET merupakan transistor
2

4.37 2.35 1 (0 ) 2.02 1

gm = -2.02 mS 7. Pembahasan Pada praktikum kali ini yaitu mengenai karakteristik JFT yang

merupakan divais pengendali tegangan yang berarti karakteristik keluaran dikendalikan oleh tegangan msukan. Namun yang akan ditentukan pada praktikum ini yaitu transkonduktor dengan tegangan penjepitan JFET channel-N karena Channel-N yang digunakan pada praktikum ini, Selain itu transistor JFET memiliki 3 kaki yang befungsi Source (S), Gate (G), dan drain (D). Data yang diperoleh secara teori yaitu gm1 = 0.547 mS, gm2 = 1.093 mS, gm3 = 0.089 mS, gm4 = 0, sedangkan berdasarkan praktikum

unipolar dengan pembawa muatan mayoritasnya hanya satu yaitu elektron jika tipe N dan hole jika tipe P. b. Cara menentukan transkonduktansi dilihat dari kemiringan garis yang terdapat pada grafik hubungan perbandingan antara IDS dan VP, sedangkan penjepitannya saat VGS tegangan ditentukan pada

diperoleh gm1 = 1.74 mS, gm2 = 1.535 mS, gm3 = 1.267 mS dan gm4 = 0.955 mS. Dari perbandingan ini pun terlihat besarnya perbedaan antara teori dengan praktikum. Hal ini

disebabkan karena praktikum juga tidak mengetahui dari mana penyebab besarnya kesalahan dari persen diff yang diperoleh. Untuk kurva grafik kedua besar gm yang diperoleh yaitu 2.02 mS. Berdasarkan Hasil

bernilai

minimum.

Tegangan

penjepitannya

ditentukan pada saat ID = 0 dan pada saat VGS bernilai minimum. 9. Daftar Pustaka Bakri, A. Haris. dkk. (2008).

Fadeli. (2001). Elektronika 1. Jakarta: Departemen Pendidikan dan

Kebudayaan DIRJEN DIKTI. Tim Elektronika Dasar. (2013).

Elektronika Dasar.Makassar: UNM. Blocher Richard. 2003. Elektronika Dasar. Yogyakarta: Andi Purwandi, Bambang dan Abdurrahman

Penuntun Praktikum Elektronika Dasar 1. Makassar: Laboratorium Unit

Elektronika dan Instrumentasi Fisika FMIPA UNM