grafik yang dianalisis dalam praktikum ini yaitu hubungan IDD-VDS dan hubungan ID-VGS
Berdasarkan analisis grafik semakin kecil nilai VGS nya maka nilai ID nya pun ikut semakin kecil. Begitupun untuk nilai VDS nya, semakin besar nilai VDS nya semakin besar pula nilai ID nya. Adapun untuk nilai transkonduktansi dilihat dari kemiringan garis dari grafiknya yaitu perbandingan IDS dengan VP. Sedangkan utnuk tegangan penjepitan ditentukan pada saat ID = 0 dan pada saat VGS bernilai minimum. Dari hasil analisis tersebut semakin besar frekuensi sumber dan hambatan yang digunakan maka nilai kualitas frekuensi semakin kecil dan lengkung resonansi semakin melebar.
1. Metode Dasar Transistor efek medan , atau FET (Field Effect Transistor), adalah suatu transistor yang prinsip kerjanya berdasar atas pengaturan arus (keluaran) oleh tegangan (masukan). FET juga dinamakan transistor kutub tunggal (unipolar), karena yang berperan sebagai pembawa muatan hanya satu macam, yaitu pembawa muatan mayoritas (hole atau elektron). Ada dua jenis FET, yaitu JFET (Junction Field Effect Transistor) dan MOSFET (Metal Oxyde Semikonduktor FET). Pada JFET medan listrik pengatur arus terjadi pada sambungan pn, sedang pada MOSFET medan listrik terjadi pada dua lapisan (semikonduktor dan metal) yang disekat dengan suatu oksida (Oxyde) (Purwadi B. dan Abdulrahman Fadeli: 2001 ). Transistor efek medan atau FET terbentuk dari kanal (saluran) bahan tipe
p atau tipe n yang dikelilingi olehbahan dengan kutub berlawanan. Ujung-ujung saluran dimana konduksi berlangsung yang
membentukelektroda-elektroda
dikenal dengan sebagai sumber (Source) dan penguras (Drain). Lebar efektif dari saluran dikendalikan oleh potensial yang diberikan pada elektroda ketiga sebagai gerbang (Gate) (Bakri A. Haris dkk: 2008). Dalam pengoperasian FET saluran n, drain disambungkan positif terhadap source, sehingga elektron akan masuk ke dalam saluran dari source dan ke luar drain. Gate disambungkan dengan voltase negatif terhadap source
sambungan pn tersebut dibias balik, lebar daerah pengosongan Lebarnya akan akan
bertambah.
p+ n.
drain
dan
source
(VDS) drain
semakin Karena
pengosongan.
terhadap source, maka voltase antara semikonduktor sambungan n dekat lebih dengan besar
drainakan
daripada voltase yang dekat dengan sambungan source. Maka dekat dengan drain daerah pengosongan akan lebih lebar daripada dekat dengan source. Karena daerah pengosongan melebar sesuai dengan bertambahnya voltase gate-source, maka lebar dari saluran n akan berkurang sehingga resistivitas saluran n bertambah besar (Blocher, Richard: 2003). 2. Operasional Variabel a. Variabel manipulasi: Tegangan
dengan drain dan source dengan satuan mA. c. Variabel kontrol; 1) Tegangan sumber merupakan besarnya tegangan masukan yang dialirkan kedalam
tegangan yang terdapat di antara get dan source yang terbaca pada Voltmeter yang dirangkai parallel dengan get dan Tegangan resistansi source akibat dari
drain source (VDS) dan tegangan gate source (VGS) b. Variabel Respon: Arus drain c. Variabel sumber potensiometer. 3. Definisi Operasional Variabel a. Variabel manipulasi:Tegangan Kontrol: dan
perubahan
potensiometer
yang satuannya adalah Volt. Dimana tegangan get dan source (VDS) Volt. 4. Alat dan Bahan a. Multimeter Digital, 2 buah b. JFET Channel N, 1 buah c. Potensiometer, 5 k dan 10 k d. Power supply dc, 2 buah e. Kabel penghubung. 5. Prosedur Kerja kenaikannya 1
drain source (VDS) merupakan besarnya tegangan yang terdapat di antara drain dan source yang terbaca pada Voltmeter yang
dirangkai parallel dengan drain dan source akibat dari perubahan potensiometer yang satuannya
a. Merangkai
dan
mempelajari
7 8 9 10 11 12 13
3.44 3.56 3.66 3.75 3.82 3.9 3.96 4.02 4.08 4.13 4.18 4.24 4.29 4.32 4.37
1.89 1.95 2 2.04 2.08 2.11 2.14 2.18 2.21 2.23 2.26 2.29 2.31 2.33 2.35
0.7 0.71 0.73 0.74 0.75 0.76 0.77 0.78 0.79 0.8 0.81 0.82 0.82 0.82 0.83
0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02 0.02
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
rangkaian uji FET kanal N b. Memastikan tegangan VGG tidak melebihi 10 V dan VDD 10 V. c. Memastikan setiap alat ukur yang digunakan terpasang dengan
polaritas yang benar mengacu pada polaritas masing-masing sumber tegangan. d. Memutar potensiometer VR2
14 15 16 17 18 19 20 21
sehingga nilai VDS naik menjadi 1 volt dan membaca nilai ID. e. Mengulangi kegiatan (5) dengan interval yang sama sampai nilai VDS = VDD. f. Memutar balik potensiometer VR2 hingga VDS sama dengan nol. g. Memutar potensiometer VR1 sehingga nilai VGS naik menjadi 2 volt. h. Mengulangi kegiatan (5) sampai (8) dengan interval yang sama hingga VGS = VP atau (ID = 0). 6. Data dan Analisis Hasil Praktikum a. Hasil Praktikum VS1 = VS2 = 10 volt
N o
1 2 3 4 5 6
VD
S
-1
0 0.78 1.31 1.59 1.73 1.82
-2
0 0.41 0.56 0.62 0.65 0.68
-3
0 0.01 0.01 0.01 0.02 0.02
-4
0 0 0 0 0 0
b. Analisis Data
5 4.5 4 3.5
IA 3.8
IDD (mA)
IB 2.08
IC 0.75 IE 0 ID 0.02
Titik A (Vgs = 0 V)
Titik B (Vgs = -1 V)
Titik D (Vgs = -3 V)
Titik E (Vgs = -4 V)
= -.639 mS d. gm4 =
2 4.37 4
(3.82 2.08) 0 1
= 1.74 mS b. gm2 = = = =
( ) ( )
= -2.185 mS 1
= 1.535 mS c. gm3 = = = =
( ) ( )
= 1.267 mS d. gm4 = = =
4 4
= -2.185 mS 1
( ) ( )
(3.82 0) 0 4 3.82 4
100% 100%
= (-1.638 (-2.185)) mS = -0.547 mS b. gm2 = gmC - gmA = (-1.093(-2.185)) mS = -1.092 mS c. gm3 = gmD - gmA = (-0.546(-2.185)) mS b. %diff
0.547 1.74
0.547 +1.74 2
100%
1.193 1.144
100%
= 104% =
2 2 2
100%
= = =
2 2
2 + 2 2
100% 100%
1.093 1.535
1.093 +1.535 2
0.442 1.314
100%
= 33.63% c. %diff = = = =
3 3 3 3 3
3 + 3 2
1.639 1.267
1.639 +1.267 2
0.372 1.453
100%
= 25.60% d. %diff = = = =
4 4 4 4 4
4 + 4 2
100 x 100%
0 0.955
0 + 0.955 2
100%
0.955 0.4775
100%
= 200%
5 4.5 4.37 4
3.5
3 2.35 2.5 2 1.5 0.83 1 0.5 0 -4.5 -4 -3.5 0.02 0 -3 -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 -0.5 0
ID (mA)
VGS (V)
Analisis grafik gm = gm = gm =
2 = 1 1
pengamatan semakin kecil nilai VGS nya maka nilai ID nya pun semakin kecil. Begitupun untuk nilai VDS nya, semakin besar nilai VDS nya semakin besar pula nilai ID nya. Adapun untuk nilai transkonduktansi dilihat dari kemiringan garis yang dilihat dari grafiknya yaitu perbandingan IDS dengan VP. Sedangkan untuk tegangan penjepitan ditentukan saat VP antara gate dan source dihubung singkat Adapun karakteristik drain source merupakan suatu kurva untuk nilai VGS yang bervariasi dari 0 V sampai maksimum (dalam arah minus atau balik) dan tegangan VGS maksimum ini selanjutnya disebut sebagai tegangan penjepitan Vp, dimana tidak ada lagi arus drain (ID = 0). 8. Kesimpulan Dari hasil praktikum ini dapat disimpulkan bahwa: a. JFET merupakan transistor
2
gm = -2.02 mS 7. Pembahasan Pada praktikum kali ini yaitu mengenai karakteristik JFT yang
merupakan divais pengendali tegangan yang berarti karakteristik keluaran dikendalikan oleh tegangan msukan. Namun yang akan ditentukan pada praktikum ini yaitu transkonduktor dengan tegangan penjepitan JFET channel-N karena Channel-N yang digunakan pada praktikum ini, Selain itu transistor JFET memiliki 3 kaki yang befungsi Source (S), Gate (G), dan drain (D). Data yang diperoleh secara teori yaitu gm1 = 0.547 mS, gm2 = 1.093 mS, gm3 = 0.089 mS, gm4 = 0, sedangkan berdasarkan praktikum
unipolar dengan pembawa muatan mayoritasnya hanya satu yaitu elektron jika tipe N dan hole jika tipe P. b. Cara menentukan transkonduktansi dilihat dari kemiringan garis yang terdapat pada grafik hubungan perbandingan antara IDS dan VP, sedangkan penjepitannya saat VGS tegangan ditentukan pada
diperoleh gm1 = 1.74 mS, gm2 = 1.535 mS, gm3 = 1.267 mS dan gm4 = 0.955 mS. Dari perbandingan ini pun terlihat besarnya perbedaan antara teori dengan praktikum. Hal ini
disebabkan karena praktikum juga tidak mengetahui dari mana penyebab besarnya kesalahan dari persen diff yang diperoleh. Untuk kurva grafik kedua besar gm yang diperoleh yaitu 2.02 mS. Berdasarkan Hasil
bernilai
minimum.
Tegangan
penjepitannya
ditentukan pada saat ID = 0 dan pada saat VGS bernilai minimum. 9. Daftar Pustaka Bakri, A. Haris. dkk. (2008).
Elektronika Dasar.Makassar: UNM. Blocher Richard. 2003. Elektronika Dasar. Yogyakarta: Andi Purwandi, Bambang dan Abdurrahman