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LABORATORIO DE ELECTRNICA I

Coord. Ing. de Telecomunicaciones UNEFA Ncleo Maracay

PRCTICA N 5 POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON JFET

Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con JFET, observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la temperatura y reemplazo de transistores.

Materiales:

Q1 = 2N5454, Q2 = 2N5457 (es posible sustituir cualquier JFET por el MPF102) Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn.

Pre-Laboratorio: Obtenga de la Hoja de Datos de los JFETs las curvas caractersticas de entrada y de salida para cada transistor, as como tambin los valores Idss y Vp. Para los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2, si Vdd = 15 V, obtenga el valor de Rs para obtener la mxima excursin simtrica para Q1. Simule cada uno de los circuitos, ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada y salida. Mida Vgs, Vds e Id en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin. En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento presentado en el apartado anterior.

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Procedimiento: 1. Polarizacin Fija Monte el circuito de la figura 1

1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin. 2. Aplique calor al JFET durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su cobertura y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y comprela con la obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calrico, mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, comprelos con los obtenidos en el paso 1 y seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q. 3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.

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2. Polarizacin por Divisor de Tensin:

Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.

Post-Laboratorio: Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con calor. Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un JFET, dada su variabilidad en sus parmetros Idss y Vp. Justifique. Analice y concluya sobre el efecto del calor en los JFET, comprelos con los BJT.

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PRCTICA N 6 DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEA SEAL CON BJT

Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con BJT, verificando las caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores. Materiales: 2N3904 2N2222, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.

Pre-Laboratorio: Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin emisor comn (E-C) de la figura 1, para una ganancia de voltaje Av = Vo/Vb que indique su instructor. Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin seguidor de emisor (C-C) de la figura 2, para una impedancia de entrada Ri = Vb/Ii que indique su instructor. Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vbe, Vce e Ic en DC y grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin

distorsin y grafique las seales de entrada (Vb) y salida (Vo). Mida adems: Av, Ai, Ri y Ro.

Figura 1

Figura 2

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Procedimiento:

1. Amplificador con BJT en configuracin Emisor Comn (E-C)

Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin, indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra trabajando este transistor y por qu.

Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa. Ej. Vbe 0,6 V, Vce Vcc/2 e Ic 0.

Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.

Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya. Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia de salida Ro (ver observaciones).

2. Amplificador con BJT en configuracin Seguidor de Emisor (C-C)

Monte el circuito de la figura 2 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin, indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra trabajando este transistor.

Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa.

Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.

Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya. Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia de salida Ro (ver observaciones).

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Post-Laboratorio: Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos en la prctica. Compare los parmetros Av, Ai, Ri, Ro y fase de ambas configuraciones y concluya.

OBSERVACIONES Las mediciones se hacen en AC, a una frecuencia tal que la ganancia permanezca constante alrededor de la frecuencia de medicin, o dicho de otra forma, a frecuencias medias (f 1KHz). MTODOS PARA AMPLIFICADOR LA MEDICIN DE LOS PARMETROS DE UN CIRCUITO

Ganancia de tensin Av=Vo/Vb.

Es importante tener claro los lugares donde hay que medir las tensiones para poder obtener la ganancia deseada. Si se desea obtener la ganancia Vo/Vs, es necesario medir Vs del generador de seales en circuito abierto, de tal forma que se pueda medir solamente Vs, sin la carga del circuito Resistencia de entrada, Ri=Vb/is Un posible mtodo para hallar Ri es a travs de la medicin con carga y sin carga de Vb: a)Mida Vs. Para lograr esto, haga una medicin en vaco de Vs (tensin de la fuente de seales sin carga). b)Mida Vb con carga c)De la ecuacin Vb= Vs * Ri/(Ri + Rs), despeje Ri. Rs es la resistencia del generador (50 ) Ganancia de corriente Ai=io/ib No es normal medir la corriente con un ampermetro en circuitos de naturaleza resistiva, pues es mucho ms sencillo medir la tensin y luego dividirla entre el valor de la resistencia. a)Obtenga io como io=Vo/Rc

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b)Obtenga hie a travs de la expresin: Ri= Rb * hie/(Rb + hie) , Rb= R1* R2 /( R2) c)Obtenga ib como ib=Vb/hie y luego haga el cociente io/ib=Ai Resistencia de salida Ro, resistencia de Thevenin entre colector y tierra A pesar que el procedimiento terico para medir la resistencia de

salida es aplicar una fuente de tensin Vk entre colector y tierra, con la entrada cortocircuitada y luego hacer el clculo del cociente entre Vk e ik, donde ik es la corriente que circula por la fuente Vk, resulta ser poco prctico. Si el amplificador se puede representar como el circuito de la figura, a travs de la medicin de la tensin de colector Vc, con carga y sin carga, se puede determinar Ro siguiendo el procedimiento: a)Mida Vo en AC a travs de la tensin de colector en vaco (Sin RL) b)Cargue el circuito con una resistencia conocida RL entre colector y tierra (colocndole el capacitor Cc) y mida de nuevo la tensin de colector Vc en AC c)Despeje Ro, de la ecuacin: Vc= Vo* RL/ (Ro + RL)

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PRCTICA N 7 DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEA SEAL CON JFET

Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con JFET, verificando las caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores. Materiales: MPF102 2N5454, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.

Pre-Laboratorio: Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin fuente comn de la figura 1, para una ganancia Av= 2, RL=1k, VDD=20V Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin seguidor de fuente de la figura 2, para una impedancia de entrada que indique su instructor. Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vgs, Vds e Id en DC y grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de operacin. Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin

distorsin y grafique las seales de entrada (Vg) y salida (Vo). Mida adems: Av, Ai, Ri y Ro.

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Figura 1 Procedimiento:

Figura 2

1. Amplificador con JFET en configuracin Fuente Comn.

Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).

Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del amplificador. Fotografe Vo y Vg en conjunto.

Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya. Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia de salida Ro.

2. Amplificador con JFET en configuracin Seguidor de Fuente.

Monte el circuito de la figura 2 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).

Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del amplificador Av, Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia de salida Ro. Fotografe Vo y Vg en conjunto.

Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.

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Post-Laboratorio: Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos en la prctica. Compare los parmetros Av, Ai, Ri, Ro y fase de ambas configuraciones y concluya. gm=gmo.(ID/Idss); gmo=2.Idss / Vp

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PRCTICA N 8 ESTUDIO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS EN CONFIGURACIN CASCODE CON BJT Y CON JFET
Objetivo: Verificar experimentalmente las caractersticas de etapas amplificadoras en etapas cascode con BJT y con JFET.

Materiales - 2 transistores BJT 2N2222. - 2 transistores JFET MPF102. - Potencimetros varios, resistores varios, capacitores varios.

Pre-Laboratorio: Para el circuito de la figura 1, determine el valor de R para que los BJT posean una corriente de colector igual a 10 ma. Para el circuito de la figura 2, determine el valor de R para que los JFET posean una corriente de drenado igual a 6 ma. Realice las simulaciones de los dos circuitos, colocando en Vs la amplitud mxima que no genere distorsin a la salida y obtenga cada uno de los valores solicitados en el procedimiento de la prctica.

Procedimiento: Monte cada uno de los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2 y en el laboratorio obtenga: El punto Q de cada transistor (en DC). La ganancia de tensin: Vout/Va, Va/Vin, Vout/Vin (en AC). La ganancia de corriente: Iout/Ic, Ic/Iin, Iout/Iin (en AC). Grafique las seales de entrada y de salida

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Figura 2

Figura1

Post Laboratorio Compare todos los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones del prelaboratorio con los obtenidos en la prctica. Analice y concluya. Compare las ganancias de tensin y corriente de cada cascode y obtenga una aplicacin de esta configuracin. De acuerdo a los resultados obtenidos, esta configuracin sirve como amplificador de potencia, tensin o corriente? Justifique su respuesta.