Table des matires................................................................................................................................................. 1 Introduction........................................................................................................................................................... 3 Principe de fonctionnement.................................................................................................................................. 5 La jonction PN .................................................................................................................................................... 5 quilibre sans gnrateur ................................................................................................................................ 6 Avec un gnrateur en sens direct................................................................................................................... 7 Avec un gnrateur en sens inverse ................................................................................................................ 8 Caractristiques lectriques................................................................................................................................. 9 Caractristique lectrique................................................................................................................................ 9 Caractristique directe (Vd > 0) ...................................................................................................................... 9 Autour de zro :............................................................................................................................................. 11 quation : ...................................................................................................................................................... 11 Effet de la temprature :................................................................................................................................ 12 Schma quivalent............................................................................................................................................... 13 Modlisation n1 : la diode idale ............................................................................................................... 13 Modlisation n2 : diode avec seuil .................................................................................................................. 14 Modlisation n3 : diode avec seuil et rsistance.............................................................................................. 15 Exemple dutilisation des 3 modles de la diode .............................................................................................. 16 Premier cas : E = 200 V et R = 1000 ......................................................................................................... 17 Deuxime cas : E = 2 V et R = 1000 ......................................................................................................... 18 Troisime cas : E = 2 V et R = 2 . .............................................................................................................. 20 Utilisation.......................................................................................................................................................... 22 Paramtres essentiels des diodes ....................................................................................................................... 22 Diodes de redressement..................................................................................................................................... 23 Caractristiques physiques ............................................................................................................................ 23 Redressement simple alternance ................................................................................................................... 24 Redressement double alternance ................................................................................................................... 25 Avec transfo double enroulement ou transformateur point milieu ......................................................... 25 Avec pont de Gratz...................................................................................................................................... 26 Filtrage .......................................................................................................................................................... 27 Redressement simple alternance ............................................................................................................... 27 Redressement double alternance ............................................................................................................... 29 Fonctionnement des diodes et transformateurs ............................................................................................. 31 Alimentations doubles symtriques .............................................................................................................. 31 Doubleur de tension .......................................................................................................................................... 32 Diodes Zener........................................................................................................................................................ 33 Caractristique .............................................................................................................................................. 33 Schma quivalent : ...................................................................................................................................... 34 Modle hydraulique de la diode Zener.......................................................................................................... 35 Rgulation de tension........................................................................................................................................ 36 Diodes avalanche contrle............................................................................................................................ 39 Caractristiques physiques ............................................................................................................................ 39 Protection contre les surtensions ................................................................................................................... 39 Mise en srie de diodes ................................................................................................................................. 39 Diodes de redressement rapides ........................................................................................................................ 40 Notions de charge recouvre ......................................................................................................................... 40 Utilisation...................................................................................................................................................... 40 Diodes de signal ................................................................................................................................................ 41 Caractristiques physiques ............................................................................................................................ 41 Dtecteur de crte.......................................................................................................................................... 41 Dtection AM.................................................................................................................................................... 42 crtage des surtensions ................................................................................................................................... 43 Diodes lectroluminescentes ............................................................................................................................. 43 1
Caractristique .............................................................................................................................................. 43 Utilisation...................................................................................................................................................... 43 Autres diodes................................................................................................................................................. 44 Les symboles des diffrentes diodes................................................................................................................... 45 Exercices .............................................................................................................................................................. 46 Solutions............................................................................................................................................................... 57
Introduction
La diode est le composant lectronique de base : on ne peut pas combiner du silicium dop plus simplement. Son fonctionnement macroscopique est celui d'un interrupteur command par une tension (Vd) qui ne laisse passer le courant que dans un seul sens.
Figure 1 Analogie hydraulique de la diode Cette proprit lui ouvre un champ d'applications assez vaste en lectronique dont les plus courantes sont : Le redressement du courant alternatif issu du secteur ; la rgulation de tension laide de diodes Zener, qui ont un comportement de source de tension quasi idale. La fonction diode a exist bien avant l'arrive du silicium : on utilisait alors des diodes vide (les lampes ou tubes, voir Figure 2) dont le fonctionnement tait bas sur l'effet thermolectronique. Le silicium a apport une amlioration de la fiabilit du composant, une rduction de son encombrement, une plus grande simplicit d'utilisation et une rduction de prix.
La jonction PN est un lment fondamental de llectronique. En modifiant certains paramtres (concentration en impuret, gomtrie de la jonction, etc.) on obtient des composants diversifis utilisables dans de nombreux domaines dont le classement succinct est le suivant : Diodes de redressement et de llectronique de puissance o Diodes de redressement classique, o Diodes avalanche contrle, o Diodes rapides de commutation et de rcupration, o Diodes haute tension, etc. Diodes de signal dans le domaine gnral 1 o Diodes rapides o Diodes faible courant de fuite, etc. Diodes utilises en avalanche inverse o Diodes stabilisatrices de tension (diodes Zener ), o Diodes de rfrence, o Diodes de protection, etc. Diodes de llectronique rapide o Diodes tunnel et backward, o Diodes Schottky, o Dioses varicap, o Diodes PIN, o Diodes gunn, o Dioses Impatt, etc. Diodes de loptolectronique o Diodes lectroluminescentes LED, o Diodes laser, o Photodiodes, o Photopiles, o Cellules photovoltaques, etc. Autres dispositifs o Thermistance, o Varistances, o Cellules photorsistantes, o Cellules de Hall, etc.
Dans les pages qui suivent, nous nous intresserons seulement aux diodes de redressement et aux diodes Zener.
Les diodes rapides de signal peuvent travailler des frquences leves aussi bien en rgime de petits signaux quen rgime de commutation. 4
Principe de fonctionnement
La jonction PN
Figure 3 Jonction PN Un matriau semi conducteur est compos datomes qui possdent 4 lectrons sur la couche extrieure (atome quadrivalent). Le matriau semi conducteur le plus employ lheure actuelle est le silicium. Considrons un petit morceau de silicium. Si on en dope une partie avec des atomes 5 lectrons priphriques, le semi conducteur devient de type N, c'est--dire que les des porteurs majoritairement prsents dans la maille cristalline sont des lectrons. Si lon dope l'autre partie avec des atomes 3 lectrons priphriques, le silicium devient de type P, c'est--dire que les charges mobiles majoritaires sont des trous (positifs) dans cette rgion du silicium. On a cre une jonction PN, qui est la limite de sparation entre les deux parties. Nous avons fabriqu une diode jonction.
Figure 4 quilibre au niveau de la jonction PN sans champ lectrique extrieur. Au voisinage de la jonction, les trous de la zone P vont neutraliser les lectrons libres de la zone N (il y a diffusion des charges). Ce phnomne va s'arrter quand le champ lectrique Eint cr par les atomes donneurs ou accepteurs (qui vont devenir respectivement des charges + et -) va tre suffisant pour contrarier le mouvement des charges mobiles. Ceci constitue une barrire de potentiel pour les porteurs majoritaires. Par contre, cette barrire de potentiel va favoriser le passage des porteurs minoritaires (conduction lectrique). Les deux courants antagonistes (diffusion des majoritaires et conduction des minoritaires) s'quilibrent et leur somme est nulle en rgime permanent et en l'absence de champ lectrique extrieur.
Figure 5 Jonction PN soumise un champ lectrique extrieur : passage du courant La barrire de potentiel interne empche donc toute circulation de courant. Si on applique un champ externe l'aide d'un gnrateur en branchant le ple + sur la zone P et le ple - sur la zone N, on peut annuler les effets du champ interne et permettre au courant de circuler : le phnomne d'attraction des lectrons libres de la partie N par les trous de la partie P (diffusion) n'est plus contrari, et le gnrateur va pouvoir injecter des lectrons dans la zone N et les repomper par la zone P. Le courant de conduction constitu par les porteurs minoritaires prend une valeur If indpendante du champ extrieur. Le courant total est la somme des deux courants, soit pratiquement le courant direct d aux porteurs majoritaires ds que la tension atteint la centaine de mV. La diode est alors polarise dans le sens direct, et un courant relativement intense peut circuler : de quelques dizaines de milliampres pour des diodes de signal quelques ampres pour des diodes de redressement standard, voire des centaines d'ampres pour des diodes industrielles de trs forte puissance.
Figure 6 Jonction PN soumise un champ extrieur : blocage Si on branche le gnrateur dans le sens inverse du cas prcdent, on renforce le champ lectrique interne, et on empche le passage des porteurs majoritaires : les lectrons libres sont repousss dans la zone N et les trous dans la zone P ; on accentue la sparation des charges (zone de dpltion). Par contre, les porteurs minoritaires (trous pour la zone N et lectrons libres pour la zone P) peuvent traverser la jonction et reboucler par le gnrateur : ils forment le courant inverse If qui dpend essentiellement de la temprature. Le champ extrieur repousse les charges qui vont se trouver une distance sensiblement proportionnelle |V|, crant ainsi une capacit proportionnelle cette distance, donc |V|. Cette capacit est inhrente toute jonction de semi conducteurs, et va constituer la principale limitation (en rgime linaire tout du moins) au fonctionnement haute frquence des composants lectroniques (diodes, transistors et circuits intgrs les employant).
Caractristiques lectriques
Caractristique lectrique
Cest la caractristique globale courant/tension. On a vu prcdemment que le courant tait ngligeable pour une tension Vd = Vp-Vn ngative (ceci est vrai jusqu' une tension Vc dite tension de claquage). Au dessus d'un certain seuil Vo de tension Vd positive, le courant direct croit trs rapidement avec Vd. Le seuil Vo (barrire de potentiel) dpend du semi conducteur intrinsque de base utilis. Il est d'environ 0,2V pour le germanium et 0,6V pour le silicium. La caractristique a la forme suivante :
IAK
VAK = Vd
Figure 8 Caractristique directe d'une diode. Sur ce type de diode au silicium, le courant croit assez rapidement au del de 0,7V. C'est une diode de redressement supportant 1 A en direct et 600 V en tension inverse. 9
La caractristique d'une diode semi-conductrice est illustre par les courbes de la Figure 9. Afin de bien mettre en vidence la dpendance du courant par rapport la tension applique, des chelles diffrentes ont t utilises. On notera en particulier (Figure 9 c et d) que l'allure de la caractristique est pratiquement la mme pour des courants faibles ou levs ; seule la tension a chang en passant d'environ 0.6 V pour ID = 1mA environ 0.8 V pour ID = 100 mA.
Figure 9 Caractristiques dune diode a) en polarisation inverse, b) pour de faibles tensions c) pour de faibles courants, d) pour de forts courants La connaissance de cette caractristique non linaire, fondamentale pour dcrire le comportement des diodes, ne nous permet malheureusement pas de rsoudre analytiquement un circuit constitu simplement d'un gnrateur, une rsistance et une diode. Les quations dcrivant ce circuit sont en effet non linaires et ne peuvent pas tre rsolues simplement :
U g = RI D + U D I U D = nVT ln D IS
Seule la donne de modles linaires approchant aussi bien que possible la caractristique de la diode permet de calculer le courant circulant dans le circuit.
10
Autour de zro :
La caractristique passe par l'origine. Pour Vd ngatif, le courant tend rapidement vers la limite -If (courant de fuite), car le courant de diffusion d aux porteurs majoritaires va s'annuler. Caractristique inverse (Vd < 0), phnomne de claquage : Quand la tension applique dpasse la valeur spcifie par le fabricant, le courant dcrot (attention : il est dj ngatif !) trs rapidement. S'il n'est pas limit par des lments externes, il y a destruction rapide de la diode due deux phnomnes : phnomne davalanche : quand le champ lectrique au niveau de la jonction devient trop intense, les lectrons acclrs peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libre d'autres lectrons qui sont leur tour acclrs Il y a divergence du phnomne, et le courant devient trs important en un temps extrmement court. phnomne Zener : les lectrons sont arrachs aux atomes directement par le champ lectrique dans la zone de transition et crent un courant qui devient vite intense quand la tension Vd atteint une valeur Vz dite tension Zener. Si on construit la diode pour que le phnomne Zener l'emporte sur le phnomne d'avalanche (en s'arrangeant pour que la zone de transition soit troite), on obtient une diode Zener. On utilise alors cette diode en polarisation inverse. L'effet Zener n'est pas destructif dans ce cas. Ces diodes sont trs utilises pour la rgulation de tension.
quation :
Figure 10 Linarit de Log (I) fonction de V. La courbe de la Figure 7 ( l'exception de la zone de claquage) rpond assez bien la formule suivante, explique par la thermodynamique statistique :
qVd I d = I f e k T 1 [1]
o : If est le courant de fuite ; q la charge de l'lectron = 1,6E-19C ; k constante de Boltzman = 1,38E-23 J/K; T temprature absolue (en degr Kelvin). 11
La loi logarithmique [1] est bien illustre par : la Figure 8, la Figure 9, et la Figure 10. La courbe exprimentale s'loigne toutefois de la thorie lorsque le courant anode cathode devient important car le modle ne tient pas compte d'autres phnomnes dont les chutes de tension ohmiques dans le semi conducteur. A noter que sur la Figure 10, le courant maximum reprsent est gal au 1/10me admissible par cette diode.
Effet de la temprature :
Pour Vd positif, la diode a un coefficient de temprature ngatif gal -2mV/K. Cette drive en temprature est suffisamment stable pour qu'on puisse utiliser des diodes comme thermomtres. Pour Vd ngatif, le courant de fuite If varie trs rapidement avec la temprature. Il est plus important pour le germanium que pour le silicium, et crot plus vite, ce qui devient rapidement gnant. Dans le silicium, ce courant double tous les 6C.
Figure 11 Rsistance dynamique. La rsistance dynamique tant l'inverse de la pente de la caractristique en un point donn, on peut la dduire par drivation de la formule [1] :
rd =
k T [2] q Id
C'est la rsistance dynamique au point de fonctionnement (Vd , Id). Elle est fonction du courant de polarisation Id au point tudi. La Figure 11 donne la valeur de rd en fonction de la tension de la diode : les variations sont trs importantes.
12
Schma quivalent
La reprsentation de la diode par sa loi logarithmique est un peu complexe pour l'emploi de tous les jours. Plusieurs schmas quivalents simplifis peuvent tre employs en lieu et place avec profit. Pour tablir ces schmas, on linarise plus ou moins grossirement la caractristique lectrique de la diode, puis on cherche quels composants permettent dobtenir ces caractristiques linaires.
VAK = Vd
Figure 12 Caractristique idale. Cette modlisation consiste effectuer une linarisation la serpe de la caractristique lectrique de la diode. Ainsi modlise, la diode est un interrupteur command par la tension anode-cathode VAK (Vd). Si VAK > 0, linterrupteur est ferm et le courant anode-cathode passe. Si VAK < 0, alors linterrupteur est ferm et le courant anode-cathode est nul (quelques pico ampres en ralit). Ce schma est utilis pour expliquer le principe de fonctionnement des montages ainsi que dans le, domaine du redressement ou de la commutation. Si les diodes sont employes dans des circuits o les tensions sont leves (plus de 10 V) : la tension de coude (0,7 V pour les diodes au Si) est alors ngligeable.
13
A A
K K K 0,7 V
0,7 V
VAK = Vd
Figure 13 Caractristique avec seuil. Du point de vue de lanalogie hydraulique de la diode, la force contre lectromotrice du schma quivalent correspond la contre pression exerce par le ressort qui maintient le clapet sur son sige. Cette f.c..m. est de 0,7 V (environ, elle est comprise entre 0,6 et 0,7 V) pour les diodes au silicium. Les diodes au germanium, qui sont rares, ont une f.c..m. de 0,3 V. Les diodes lectroluminescentes ont des f.c..m. variables, avec la longueur donde mise, entre 1,3 et 3,8 V. Ce schma est le plus utilis pour les calculs o lon recherche une certaine prcision. Il est donc utiliser si la source dlivre une tension infrieure une dizaine de volts ou dans le domaine de llectronique du signal lorsque le courant reste faible devant le courant maximum.
14
Figure 14 Caractristique avec seuil et rsistance. La linarisation de la caractristique lectrique est plus fine, les morceaux de droite pousent mieux la courbe. Du point de vue de lanalogie hydraulique de la diode, en plus de prendre en compte la force contre lectromotrice V0 = 0,7 V ( contre pression exerce par le ressort qui maintient le clapet sur son sige), on prend en compte la rsistance dynamique de la diode. Cette rsistance dynamique peut tre interprte comme la rsistance au passage du fluide introduite par le rtrcissement du tuyau du au sige du clapet. Comme lanalogie hydraulique le laisse supposer, cette rsistance est petite, au alentour de 20 . On parle de rsistance dynamique car elle varie avec lintensit qui traverse la diode. La pente de la caractristique lectrique nest pas constante comme dans le cas dune rsistance ohmique . La rsistance dynamique est la drive de la caractristique lectrique en un point :
Rd =
d (u = f (i )) di
u i
Attention : Dans le cas de la diode, on considre souvent que la rsistance dynamique est constante. Cela n'est vrai que si la variation du signal alternatif est trs petite autour du point de polarisation en continu. Cette caractristique est utilise dans le domaine du redressement, lorsquon travaille avec de faibles tensions de source et des forts courants. 15
uD
e(t)
uR
VR(RMS) IO
35
70
140
280 1.0
420
560
700
V A
TJ Tstg
65 to +175
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop, (iF = 1.0 Amp, TJ = 25C) Maximum FullCycle Average Forward Voltage Drop, (IO = 1.0 Amp, TL = 75C, 1 inch leads) Maximum Reverse Current (rated DC voltage) (TJ = 25C) (TJ = 100C) Symbol vF VF(AV) IR Typ 0.93 0.05 1.0 Max 1.1 0.8 10 50 Unit V V A
Maximum FullCycle Average Reverse Current, (IO = 1.0 Amp, TL = 75C, 1 inch leads)
IR(AV)
30
16
Le tableau ELECTRICAL CHARACTERISTICS indique sur sa premire ligne une chute de tension maximum de 1,1 V pour 1 A 25C. La diode 1N4006 est une diode au silicium, on a donc une tension de seuil de 0,6 V 25C et la rsistance dynamique peut tre calcule par :
Rd =
1,1 0, 6 = 0,5 . 1
Afin dillustrer lutilisation des trois modles de la diode, nous allons reprsenter les graphes de la tension uD = f(t) et uR = f(t) pour trois cas diffrents. Pour le circuit utilis, la loi des mailles donne :
e ( t ) = uD ( t ) + uR ( t )
uD = 0 et u R = e ( t )
uD = 0
e(t) > 0
uR = e ( t )
e ( t ) 0 , la diode est bloque et est remplace par un interrupteur ouvert. Le courant est nul,
nous avons : o
u D = e ( t ) et uR = 0
i=0
uD = e ( t )
e(t) < 0
uR = 0
17
200
0.005
0.01
0.015
0.03
0.035
0.04
0.005
0.01
0.03
0.035
0.04
0.005
0.01
0.015
0.03
0.035
0.04
Figure 16
plus ngliger la tension de seuil. Cependant, le courant restant faible, nous utiliserons le modle n2. La diode est quivalente, soit un rcepteur idal de tension, soit un interrupteur ouvert. Le passage dun modle lautre de ces deux modles se fait pour e(t) = 0,6 V. La Figure 17 donne les courbes obtenues pour les tensions aux bornes de la diode et de la rsistance.
e ( t ) 0, 6 V , la diode conduit et est remplac par un rcepteur idal de tension 0,6 V, nous
obtenons : o
uD = 0, 6 V et u R = e ( t ) 0, 6
D i +
uD = 0, 6 V
e(t) > 0,6 V
u R = e ( t ) 0, 6
R=2
18
u D = e ( t ) et uR = 0
i=0 D
uD = e ( t )
e(t) < 0,6 V
uR = 0
2 1 0 -1 -2
0.005
0.01
0.015
0.025
0.03
0.035
0.04
1 0,6 V 0
-1
-2
0.005
0.01
0.03
0.035
0.04
0.005
0.01
0.015
0.025
0.03
0.035
0.04
Figure 17
19
Rd + R uR = R i uD = Rd i + 0, 6
i=
e ( t ) 0, 6
2sin (t ) 0, 6 2,5
imax =
2 0, 6 = 0,56 A 2,5
uD
e(t) > 0,6 V
uR
R=2
u D = e ( t ) et uR = 0
i=0
uD = e ( t )
e(t) < 0,6 V
uR = 0
20
La Figure 18 montre les tensions aux bornes de la diode et de la rsistance R dans le cas n3.
2 1 0 -1 -2
0.005
0.01
0.015
0.025
0.03
0.035
0.04
1 0,6 V 0
-1
-2
0.005
0.01
0.03
0.035
0.04
0.005
0.01
0.015
0.025
0.03
0.035
0.04
Figure 18
21
Utilisation
Il existe divers types de diodes correspondant des technologies diffrentes. Chaque technologie prsente le meilleur compromis pour une utilisation donne. Nous allons balayer les applications des diodes en les classifiant par groupe technologique.
Ces symboles sont ceux gnralement employs par les diffrents constructeurs, mais il peut y avoir des variantes, et il est toujours sage de se reporter la documentation du constructeur pour savoir comment sont spcifis les paramtres, et quoi ils correspondent exactement.
22
Diodes de redressement
Une des principales applications de la diode est le redressement de la tension alternative du secteur pour faire des gnrateurs de tension continue destins alimenter les montages lectroniques (entre autres). Il y a deux types principaux de diodes de redressement : la diode standard pour le redressement secteur classique, et la diode rapide pour les alimentations dcoupage.
Caractristiques physiques
Les diodes de redressement standard sont les moins sophistiques, et ne font l'objet d'aucun traitement particulier, les conditions d'utilisations tant peu contraignantes. Elles ont des tensions VR comprises entre 50 et 1000V environ, et les courants IF vont de 1A plusieurs centaines d'ampres. Avant le systme de redressement, on a presque toujours un transformateur qui sert abaisser la tension secteur (les montages lectroniques fonctionnent souvent sous des tensions de polarisation allant de quelques volts quelques dizaines de volts), et qui sert aussi isoler les montages du secteur. Caractristiques lectriques : - courant : 1 10 A ; - tension : 50 3 000 V ; - temps de recouvrement : de lordre de 20 s. Caractristiques lectriques des diodes de puissances : - tension : 50 3 200 V ; - courant : 5 800 A.
23
Figure 19 Redressement avec une diode. Quand la tension aux bornes du transformateur devient infrieure la tension de seuil, la diode est bloque ; il ne subsiste que le courant de fuite, qui est ngligeable en comparaison du courant direct. La tension aux bornes de la diode est alors gale celle aux bornes du transformateur : il faudra choisir une diode avec une tension VR au minimum gale la tension crte du secondaire du transformateur.
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Figure 20 Redressement avec transfo double sortie. Le montage prcdent prsente l'inconvnient de ne laisser passer que la moiti du courant que peut dlivrer le transformateur. Pour remdier cela, on utilise un transformateur avec deux enroulements secondaires que l'on connecte de manire ce qu'ils dlivrent des tensions en opposition de phase. Dans ce cas, tout se passe comme si on avait deux montages identiques celui de la Figure 19 qui fonctionnent l'un pour l'alternance positive, l'autre pour l'alternance ngative. On vrifie bien (Figure 21 et Figure 22) que le courant dans la charge est toujours orient dans le mme sens.
Figure 22 Alternance ngative. On notera la chute de tension dans les diodes : elle devient non ngligeable quand les tensions alternatives sont faibles, en dessous dune vingtaine de volts.
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Les diodes sont plus sollicites que pour le montage simple alternance : en effet, la diode qui ne conduit pas devra supporter en plus de la tension aux bornes de son secondaire de transformateur, la tension aux bornes de la rsistance. Au total, elle devra supporter une tension VR double de celle requise dans le montage simple alternance, soit deux fois la tension crte prsente sur chacun des secondaires.
Figure 23 Fig.13. Redressement avec pont de diodes. Il existe une autre manire de faire du redressement double alternance, ne ncessitant pas un transformateur double enroulement : on utilise 4 diodes montes en pont, dit pont de Gratz . Des ponts tous faits sont disponibles dans le commerce, permettant de rduire le nombre de composants du montage. Lorsque la tension aux bornes du transformateur est positive, D1 et D4 conduisent, et quand elle est ngative, D2 et D3 conduisent (Figure 24 et Figure 25).
Figure 25 Alternance ngative. Chaque diode n'a supporter qu'une fois la tension crte du secondaire du transformateur (contre deux fois pour le montage prcdent), mais en revanche, on a deux tensions directes de diode en srie. La puissance totale dissipe dans les diodes est double par rapport la solution prcdente.
26
Quelle solution choisir ? Quand on en aura la possibilit, on prfrera la solution transformateur point milieu, pour plusieurs raisons : - le transformateur n'est pas plus cher que celui secondaire simple. - avec un transformateur un seul secondaire, on ne peut pas faire d'alimentation double symtrique en redressement double alternance. Ce type de transformateur est moins universel. - le fait que les diodes aient tenir une tension double n'est pas un problme dans la plupart des cas, car les tensions redresses sont trs souvent bien infrieures aux tensions VR minimum des diodes disponibles dans le commerce. - dans le montage en pont, la charge est flottante par rapport au transformateur, ce qui peut tre gnant dans certains cas.
Filtrage
Les montages prcdents dlivrent des tensions redresses continues mais ondules. Pour obtenir une tension quasiment lisse, il suffit de mettre un gros condensateur en parallle avec la charge.
Ici, la charge est absolument quelconque, et peut tre un montage lectronique complexe ayant une consommation en courant alatoire.
Figure 26 Redressement simple alternance et filtrage. Sur le graphique du bas de la Figure 26, on voit en pointill la tension redresse telle qu'elle serait sans condensateur. En traits pleins pais, on voit la tension filtre. Sur ce graphe, le courant de dcharge du condensateur est linaire : il correspond l'hypothse de dcharge courant constant. Le fonctionnement est simple : quand la tension aux bornes du transformateur est suprieure la tension aux bornes du condensateur additionne de la tension directe de la diode, la diode conduit. Le transformateur doit alors fournir le courant qui va alimenter la charge et le courant de recharge du condensateur.
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Quand la tension du transformateur devient infrieure celle du condensateur plus la tension de coude de la diode, la diode se bloque. L'ensemble condensateur-charge forme alors une boucle isole du transformateur. Le condensateur se comporte comme un gnrateur de tension, et il restitue l'nergie accumule dans la phase prcdente. A noter que la tension aux bornes du condensateur tant en permanence voisine de la tension crte positive du transformateur, lorsque celui-ci fournit la tension de crte ngative, la diode doit supporter deux fois la tension crte dlivre par le transformateur : on perd le seul avantage (hormis la simplicit) du montage redressement simple alternance. Calcul du condensateur : dans la littrature, on trouve classiquement le calcul du condensateur pour une charge rsistive. La dcharge est alors exponentielle et le calcul inutilement compliqu. Ce calcul est assez loign des besoins rels : en gnral, on ne fait pas des alimentations continues pour les faire dbiter dans des rsistances ! Trs souvent, ces alimentations redresses et filtres sont suivies d'un rgulateur de tension. La charge est frquemment un montage complexe ayant une consommation variable au cours du temps. Pour faire le calcul du condensateur, on prendra donc une dcharge courant constant, le courant servant au calcul tant le maximum (moyenn sur une priode du secteur) consomm par la charge. Le critre de choix ne sera pas un taux d'ondulation qui n'a souvent aucune utilit pratique, mais une chute de tension maximum autorise sur le condensateur pour que le montage connect en aval fonctionne correctement. Avec ces hypothses, le calcul du condensateur devient trs simple : On considre que le condensateur C se dcharge courant Imax constant pendant un temps T et que la chute de sa tension est infrieure V. On a alors la relation :
C V = I max T [3]
Le temps T choisi va tre la priode du secteur. En pratique, le condensateur va se dcharger moins longtemps (Figure 26), le calcul effectu conduit donc le surdimensionner lgrement. En fait, l'erreur commise est trs faible compare la dispersion que l'on aura sur le rsultat due la dispersion de la valeur des composants, et notamment des condensateurs de filtrage : on utilise des condensateurs chimiques qui ont des tolrances trs larges (-20% / +80% en gnral). Les transformateurs possdent, eux aussi, des caractristiques assez disperses, ce qui fait qu'au final, mieux vaut prvoir large pour viter les mauvaises surprises ! Pour un redressement simple alternance, on aura un T de 20ms, qui correspond l'inverse de la frquence secteur 50 Hz. La valeur du condensateur est alors :
C=
I max [4] f V
Il faudra veiller choisir un condensateur supportant au moins la tension crte du transformateur vide (la tension sera plus faible en charge du fait des chutes de tensions diverses (impdance du transformateur, diode ).
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Redressement double alternance Les hypothses seront les mmes que prcdemment. La seule diffrence viendra du temps T ; vu qu'on a un redressement double alternance, la frquence du courant redress est double de celle du secteur. La formule de calcul du condensateur devient donc :
C=
I max [5] 2 f V
Comme dans la formule [4], f est la frquence secteur (50Hz en France). A chute de tension gale, le condensateur sera donc deux fois plus petit que pour le redressement simple alternance, ce qui est intressant, vu la taille importante de ces composants. La diode aura tenir deux fois la tension crte dlivre par chaque enroulement du transformateur.
Figure 27 Redressement double alternance et filtrage. Exemple de calcul de condensateur : On ralise une alimentation continue dont la tension de sortie est gale 20 V. Elle peut dlivrer un courant maximum de 100 mA. Son schma est celui de la Figure 27. Dterminons la valeur du condensateur de filtrage afin dobtenir une ondulation crte crte de 1 V (aux bornes du condensateur). Le courant fournit par le condensateur dans sa phase de dcharge est voisin de Imax. La formule [5] permet dcrire : C =
La Figure 27 montre londulation de la tension aux bornes du condensateur pour une valeur trop faible de ce dernier et la Figure 28 montre le rsultat correspondant au rsultat du calcul (C = 1 mF). Chaque secondaire du transformateur doit fournir une tension crte de 20 + 1 + 0,7 = 21,7 V. Le rapport de transformation (indispensable spcification du transformateur) peut tre obtenu de manire approche en faisant le quotient des valeurs crtes :
m