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PREPARACIÓN Y CARACTERIZACIÓN DE

RECUBRIMIENTOS Y LAMINAS DELGADAS

TEMA 7:

TECNICAS DE DEPOSICION QUIMICA


EN FASE VAPOR (CVD)

DR. J.M. ALBELLA

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TECNICAS DE DEPOSICION QUIMICA
EN FASE VAPOR (CVD)

CONTENIDO:

1.- ASPECTOS GENERALES

2. ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD


2.1. FUNDAMENTOS DE LA TÉCNICA DE CVD

3. CINÉTICA DE LAS REACCIONES DE CVD

4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD


4.1. CVD ACTIVADO TERMICAMENTE (APCVD y LPCVD)
4.2. CVD ASISTIDO POR PLASMA (PACVD)
4.3. CVD ASISTIDO POR LASER (LCVD)

5. EQUIPOS DE CVD PARA LA PRODUCCION


5.1. REQUERIMIENTOS BÁSICOS DE UN EQUIPO DE CVD
5.2. REACTORES DE CVD ASISTIDAS POR PLASMA

6. ALGUNAS VARIANTES DE LAS TÉCNICAS DE CVD


6.1. EPITAXIA DE CAPAS ATÓMICAS (ale)
6.2. CVD DE METALORGÁNICOS (mocvd)
6.3. CVD DE LECHO FLUIDIZADO (cvd-fb)

7. EJEMPLO DE DEPOSICIÓN DE MEDIANTE LA TÉCNICA DE


CVD: CAPAS DE SIO2

8. RESUMEN Y CONCLUSIONES

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1.- ASPECTOS GENERALES

• Características:

− Se trata de una técnica de síntesis de materiales en capa delgada


mediante reacción química en fase vapor partiendo de gases o
líquidos precursores.

− Existe una gran variedad de materiales que pueden ser depositados


mediante las técnicas de CVD, fundamentalmente metales y
compuestos metálicos

− Única técnica posible para depositar algunos materiales


compuestos.

− Posibilidad de controlar la composición de materiales (síntesis de


compuestos "a medida").

− Recubrimiento uniforme y "conforme" (piezas en tres dimensiones)


en una gran variedad de substratos.

− Tecnología simple cuando se trabaja a P atmosférica

− Deposición a temperaturas relativamente bajas (cuando existe


activación de los gases, p.e. láser, plasma, etc.)

− Ampliamente utilizada en la tecnología para la síntesis de


materiales en capa delgada:

ƒ Dispositivos Electrónicos y Magnéticos (a-Si, Células Solares,


Sensores, Superconductores, etc.)

ƒ Microelectrónica (capas conductoras, semiconductoras y


aislantes)

ƒ Recubrimientos Ópticos (Fibras Opticas, Películas Selectivas y


Antirreflectantes, etc.)

ƒ Recubrimientos Cerámicos (Herramientas, Reactores, Piezas


mecánicas, barreras térmicas, pilas de combustible, etc)

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1.- ASPECTOS GENERALES (Cont’n)

APLICACIONES DE LOS RECUBRIMIENTOS CERAMICOS

OBTENIDOS POR CVD

APLICACIONES MATERIALES TÍPICOS

a) Mecánicas:
Resistencia al desgaste C(diamante y cuasi-diamante)
BN, B4C, SiC, AIN, Si3N4
TiN, TiC, TiB2,
CrSi2, MoSi2, Mo2C,
Al2O3, ZrO2, BeO

Baja fricción MoS2, BN, BaF2/Ca2

Reducción de la corrosión Cr2O3, Al2O3, Si3N4, SiO2


CaSi4, MgAI2O4, MgO,

Protección térmica ZrO2(estabilizado, Mg o Ca)

b) Eléctricas y magnéticas:
Ferro- y piezoeléctricos BaTiO3, PbTiO3, LiNbO3

Ferrimagnéticos FeO3, Fe2O3, CrO2

c) Opticas:
Absorción selectiva BaF2/ZnS, CeO2, CdS, SnO2

Antirreflexión SiO2, Si3N4, Al2O3, Ta2O5

Guías de onda y fibras ópticas SiO2

Sensores SiO2, SnO2, ZrO2

d) Electrónicas
Semiconductores Si, GaAs, GaP, CdS
Aislantes SiO2, Si3N4
Conductoras Al, Cu, Au, W, SiTi2,
SiCo2, SiCr, SiTa2

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1.- ASPECTOS GENERALES (Cont’n)

Tabla II

MATERIALES OBTENIDOS POR CVD PARA APLICACIONES


DIVERSAS (Electrónicas, Opticas, Cerámicas, etc.)

AISLANTES SEMICONDUCTORES CONDUCTORES

Oxidos: Elementos: Metales:


SiO2 C (diamante, grafito, etc.) W
Al2O3 Si (policrist, amorfo, etc.) Mo
Ta2O5 Ge Al
Cr
Ni
Ta
Si dopado

Nitruros: Compuestos III-V: Siliciuros:


Si3N4 GaAs WSi2
SixNyHz GaP TiSi2
SiOxNy AlP TaSi2
BN AlAs MoSi2
AlGaAs
AlAsSb

Carburos: Compuestos II-VI: Superconductores:


ZnS NbN
SiC CdS Nb3Sn
TiC CdTe YBaCuO
etc.

Vidrios de Si: Oxidos: Ferro-electricos y


PSG SnO2 Magnéticos:
PBSG ZnO Niobatos,
BSG In2O3 Ga:YIG
V2O3 GdIG

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2. ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD

2.1. FUNDAMENTOS DE LA TÉCNICA DE CVD:

• Reacción de uno o varios compuestos en forma de gas o vapor para


dar un producto sólido (recubrimiento).

• Esquema del proceso:

Activación gases:
- térmica
- plasma
- fotones

Gases reacción

Substrato Recubrimiento

• Tipos de reacción por CVD:

Homogénea: fase gas → polvo cerámico


reacción CVD
Heterogénea: superficie → recubrimiento

Distinto a PVD (¡no hay reacción química!)

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2. ASPECTOS BASICOS DE LAS REACCIONES DE CVD (Cont’n)

Tabla II

EJEMPLOS DE DIFERENTES TIPOS DE REACCIONES DE CVD:

TIPOS REACCIONES

Pirólisis SiH4(g) → Si(s) + 2H2(g)

Reducción WF6(g) + 3H2(g) → W(s) + 6HF

Oxidación SiH4(g) + 4N2O(g) → SiO2(s) + 4N2 +2H2O

Hidrólisis Al2Cl6(g) + 3CO2(g) +3H2 →


Al2O3(s)+6ClH(g)+3CO(g)

Formac. nitruro 3SiH4(g) + 4NH3(g) → Si3N4(s) + 12H2(g)

Formac. carburo TiCl4(g) + CH4(g) → TiC(s) + 4HCl(g)

Desproporción 2GeI2(g) → Ge(s) + GeI4(g)

Reac. Organomet. (CH3)3Ga(g) + AsH3(g) → GaAs(s) +3CH4(g)

Transporte 6GaAs(s) + 6ClH(g) →


As(g)+As2(g)+GaCl(g)+3H2(g)

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3. CINÉTICA DE LAS REACCIONES DE CVD:

• Influencia de la capa límite (con velocidad cero) en el transporte de


gases hacia la superficie del substrato → Ver esquema:

(a) Transporte
hacia el sustrato
(f) Transporte al
Flujo gas
exterior

(e) Desorción Capa


b) Difusión en adátomo
Límite
la capa límite

Adsorción Difusión Reacción (d) Nucleación Substrato

(c)

• Etapas de la reacción:

(a) Transporte de los reactantes hacia la capa límite

(b) Difusión de los reactantes a través de la capa

(c) Adsorción/difusión en la superficie del substrato y reacción


química

(d) Nucleación de la película sobre el substrato

(e) Desorción de los subproductos

(f) Transporte de los subproductos hacia el exterior.

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3. CINÉTICA DE LAS REACCIONES DE CVD (cont’n):

• Posibles etapas determinantes:

(a) Control de transporte de gas hacia el sustrato:


Vdep = vel. de difusión de los gases en la capa límite

(b) Control por la cinética de reacción en superficie:


Vdep = vel. de absorción/desorción o reacción en superficie

(c) Control por el proceso de nucleación:


Vdep = vel. de nucleación de la película (poco frecuente)

La velocidad de deposición es igual a la velocidad de la


etapa más lenta, pero por efecto de la temperatura o de la
presión de los gases se puede pasar de una etapa a otra:

T baja : Vel. reacción baja < vel. difusión


→ control etapa (b)

T alta: Vel. reacción alta > vel. difusión


→ control etapa (a)

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3. CINÉTICA DE LAS REACCIONES DE CVD (cont’n):

• Efecto en la influencia de la temperatura y de la presión en la velocidad


de deposición, vdep del recubrimiento (diagrama de Arrhenius)

Difusión

log vdep P1
Control de
superficie
P2

P3

P1 < P2 < P3

Inverso de la temperatura (1/T)

• Notar: Al disminuir la presión, se favorece la difusividad de los gases a


través de la capa límite, y por tanto el control por efecto de la difusión
aparece a temperaturas más altas. Esto permite además ampliar el
margen de temperaturas de trabajo y favorece la reacción en la
superficie

De este modo es posible puede obtener recubrimientos


homogéneos sobre piezas con geometría compleja,
llevando a cabo la reacción de deposición a presiones
bajas (< 1 mbar) con objeto de que los gases se difundan
con facilidad a las regiones menos accesibles y el control
de la reacción sea la cinética de superficie.

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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD

• Con objeto de aumentar la velocidad de reacción de los gases es


preciso llevar las moléculas a un estado más energético y por tanto
más reactivo. Este proceso, denominado ‘activación de los gases’ se
puede llevar a cabo aportando energía extra a la reacción bien sea
mediante temperatura, descargas eléctricas o radiación
electromagnética (fotones):

TIPO DE DENOMINACIÓN
EQUIPO UTILIZADO
ACTIVACIÓN (*)
Calentamiento por resistencia,
TERMICA inducción de RF, radiación IR, CVD ó LPCVD
etc.
PLASMA Descarga eléctrica en cc o ca
PACVD
(+ calor) (RF, microondas, etc.)

FOTONES
(+ calor) Láser, lámpara de Hg, etc. LCVD

(*) LPCVD = Low Pressure CVD

PACVD = Plasma Assisted CVD

LCVD = Láser Assisted CVD

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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)

4.1. CVD ACTIVADO TERMICAMENTE (APCVD Y LPCVD)

• Fundamento: Activación de los gases de reacción por calentamiento,


generalmente bien sea mediante un horno externo (‘hot-wall reactor’) o
situado en el interior del reactor (‘cold-wall reactor’). Las temperaturas
de reacción suelen ser elevadas (> 500 ºC) para dar velocidades
apreciables

• La presión de los gases en el reactor tiene una influencia enorme en la


cinética de reacción:

− Presiones altas (APCVD):

· Presión de los gases ≈ p. atmosférica


· Reacción en fase gaseosa con velocidad alta →
· Problema: Formación de polvo (con tamaño de grano fino)
· Fácil de implementar (no necesita equipo de vacío)

− Presiones bajas (LPCVD):

· Difusión de gases alta:


→ Acceso de los gases a zonas no directamente
situadas en la línea de flujo

· Reacción de los gases en superficie (control cinético):


→ Recubrimientos muy homogéneos
→ Posibilidad de recubrimiento de piezas en 3D
→ Posibilidad de depositar sobre un gran número de
piezas o en superficies grandes
→ Economía del proceso (problemas de agotamiento
de gases en algunas regiones del reactor)

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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)

Tabla III

DATOS COMPARATIVOS DE DIFUSIVIDAD Y DE ESPESOR


DE LA CAPA LIMITE EN LAS TECNICAS DE APCVD Y LPCVD
(magnitudes relativas)

PARÁMETRO PRESIÓN BAJA PRESIÓN ALTA

Presión, P 1 1000

Difusividad, D 1000 1

Velocidad gases, v 10-100 1

Densidad gases, ρ 1 1000

Espesor capa límite, x 3-10 1

Velocidad depos., v dep ← comparables →

Consumo reactantes bajo Alto

Recubrimiento conforme ?

• Modelo:
Perfil de
Veloc., v velocidades

x = (μd/ρv)1/2

(μ = viscosidad
d gases)

Gases Flujo Laminar


Reactor

Capa límite, x

Muestras

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4. CLASIFICACIÓN DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)

4.2. CVD ASISTIDO POR PLASMA (PACVD)

• Fundamento: Activación de los gases de reacción mediante una


descarga eléctrica en forma de plasma, debido a la excitación de las
especies presentes en el plasma (iones, radicales, moléculas, etc.).

• Esquema de un reactor de PACVD:

Plasma
RF

Gases de Átomos o
reacción moléculas neutras

Iones positivos
Vacío Electrones

• Notar: Energía e- = 1-12 ev (T ≈ 104 - 105 K)


ne ≈ 109 -1012 cm-3

T gas ≈ 500 K = 0.04 eV


Nátomos ≈ 3,2 x 1016 cm-3 (1 torr)

Grado de ionización: 0.001 - 10 %

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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)

• Efecto de la frecuencia del campo eléctrico aplicado: Los plasmas de


corriente alterna de frecuencia elevada dan lugar a oscilaciones de los
e- del plasma, aumentando el grado de ionización del plasma. Los
rangos de frecuencia mas utilizados son: radiofrecuencia (13,56 MHz) y
microondas (2,45 GHz).

• A veces se añade un campo magnético H para obtener fenómenos de


resonancia en la frecuencia de giro de los e- alrededor del campo H →
Técnicas de ECR.

• Características de las técnicas de PACVD:

− Velocidad de deposición alta, incluso a T bajas


− Presión gases en el reactor baja → Recubrimiento ‘conforme‘
− Reacciones complejas en la fase gas → Atrapamiento de
especies excitadas en la película
− Difícil control de la composición (estequiometría) de la capa
depositada
− Daño por radiación sobre la capa y el substrato.

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4. CLASIFICACION DE LAS TÉCNICAS DE CVD (Cont’n)

4.3. CVD ASISTIDO POR LASER (LCVD)

• Fundamento: Deposición por CVD asistida por fotones →


Transferencia de energía a los reactantes mediante iluminación con láser
o lámpara de UV.

• Métodos de transferencia: - Sustrato: pirólisis (piro-CVD)


- Gas precursor: fotólisis (foto-CVD)

• Esquema de un reactor de LCVD:


Láser

Gases
reacción

Ventanas
Reacción de
fotólisis

Láser

Reacción de Porta-substratos
pirólisis

Vacío

• Características de las técnicas de LCVD → Similares a las de PACVD:

− Velocidad de deposición alta, incluso a T bajas


− Dificultad de adaptar la frecuencia de la radiación a la energía de
excitación de las moléculas→ reacciones complejas en fase gas.
− Atrapamiento de especies excitadas en la película
− Difícil control de la composición (estequiometría) de la capa
depositada
− Problemas de deposición en las ventanas

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5. EQUIPOS DE CVD PARA LA PRODUCCION

5.1. REQUERIMIENTOS BÁSICOS DE UN EQUIPO DE CVD

1. Sistema de transporte de los gases de reacción al reactor


(incluye gases de purga, control del flujo de gases, etc.)

2. Reactor + Sistema de activación de gases: Horno, descarga, etc.

3. Equipo de medida y control de la presión de los gases,


temperatura, etc. en el reactor.

4. Equipo de vacío (para evitar reacción de los gases con la


atmósfera del aire y extracción de subproductos de la reacción)

• Esquema de un sistema de LPCVD para la obtención de películas de


Si3N4 (ver página siguiente),

Control
presión
Filtro
Control flujo Manómetro Muestras partículas
Reactor
Horno

SiH4

NH3
Válvula
N2 mariposa

Válvula
H2
Control T electro-
Rotámetro neumática

N2 Bomba
(purga) Roots
Aliment. horno
Válvulas Flujómetros
todo/nada Bomba
rotatoria

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Sistema de LPCVD para la deposición de capas delgadas

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6. ALGUNAS VARIANTES DE LA TÉCNICA DE CVD
• Las técnicas de CVD son ampliamente utilizadas en la obtención de una
gran variedad de compuestos en capa delgada. En muchos casos es
preciso introducir variaciones en la técnicas convencionales para
conseguir capas con una estructura específica. Entre estas variantes
se encuentran las denominadas como:
− Epitaxia de capas atómicas (Atomic Layer Epitaxy o ALE)
− CVD de organometálicos (Metal organic CVD o MOCVD)
− CVD de lecho fluidizado (Fluidised Bed CVD o FBCVD)

6.1. EPITAXIA DE CAPAS ATÓMICAS (ALE)

• En la técnica de ALE, los gases de reacción (p.e.: A y B, para dar un


producto AB), se alimentan en el reactor de forma secuencial en un
proceso intermitente: i) primero uno de ellos, el gas A, con objeto de
que las moléculas queden adsorbidas sobre el substrato. ii) A
continuación se hace una purga del reactor con un gas inerte para
eliminar del reactor las moléculas no absorbidas. iii) Finalmente, se
añade después el gas B con objeto de que reaccione con las moléculas
A adsorbidas en la superficie del sustrato para dar el compuesto AB.
La repetición continuada de este proceso permite el crecimiento de
capas con una composición muy homogénea y con una estructura
cristalina de tipo epitaxial.
• La figura adjunta muestra un ejemplo del proceso de deposición capas
de ZnS a partir de HS y ZnCl2 como gases precursores.

H2S ZnCl2
ZnS

• Un aspecto crítico del proceso es la dosificación de cada uno de los


precursores, A y B, ya que tiene que ser la adecuada para formar una
monocapa de la superficie de la capa en crecimiento. Se dice que la
técnica es autolimitante en lo que se refiere a la ritmo de crecimiento
del depósito, ya que está limitada por la cantidad de reactante
suministrada en cada ciclo. En cualquier caso, la duración de un ciclo
completo suele ser del orden de 0,1 s, y se pueden conseguir un ritmo
de crecimiento de 500 nm/h

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• Se trata de una reacción en superficie en condiciones casi ideales (no
hay reacción en fase gas, por lo que el depósito puede crecerse en
condicione de epitaxia. Sin embargo, muy a menudo las capas
resultantes son cristalinas o amorfas.

6.2. CVD DE METALORGÁNICOS (MOCVD)

• El uso de compuestos orgánicos en forma de radicales de hidrocarburo


unidos a un metal ha sido usado frecuentemente en la tecnología de
circuitos integrados para el depósito de materiales metálicos y
semiconductores en capa delgada, como alternativa a los
correspondientes hidruros metálicos que presentan serios problemas
de seguridad debido a su carácter tóxico explosivo.
• Tanto en el caso de los metales como los semiconductores, los
compuestos más usados son aquellos que contienen un radical alquilo
(metil, etil, isopropil, etc). Normalmente se presentan en estado líquido
y tienen una alta presión de vapor. Aunque son relativamente
económicos, sin embargo es preciso purificarlos a niveles altos (sobre
todo en las aplicaciones en microelectrónica) y presentan serios
problemas de manejo, ya que tienen una alta afinidad por el oxígeno y
el vapor de agua. Por ello, el transporte del precursor al reactor se
hace a través de un frasco burbujeador empujando con un H2.
• Es frecuente utilizar también combinar los precursores con otros
precursores de elementos dopantes para formar el semiconductor.
• Una reacción típica de MOCVD para la obtención de GaAs mediante
trimetilgalio (TMGa) y AsH3 es la siguiente:
(CH3)3Ga + AsH3= GaAs + 3CH4
• Los reactores de MOCVD son muy similares a los que se utilizan en las
técnicas convencionales de LPCVD, trabajando además en condiciones
muy similares (rango de presiones medias o bajas). Sin embargo,
cuando se pretende obtener capas epitaxiales es preciso trabajar en
niveles de alto vacío.

6.3. CVD DE LECHO FLUIDIZADO (CVD-FB)

• Las técnicas de APCVD presentan ciertos problemas de homogeneidad


cuando se trata de recubrir grandes piezas de geometría compleja. El
uso de baja presión (LPCVD) tampoco resulta adecuado para grandes
series debido al elevado coste de la operación en vacío. Como
alternativa surgen las llamadas técnicas de CVD en lecho fluidizado
(CVD-fluidized bed, o CVD-FB), que operan también a presión
atmosférica.

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• Según se muestra en la figura, la muestra se encuentra suspendida en
el interior de un reactor vertical que contiene un lecho de partículas
que pueden se inertes a los gases de reacción (Al2O3, en el ejemplo) o
participar en la reacción para dar un depósito del mismo material. En la
parte inferior del reactor existe una placa porosa que permite el paso
de la mezcla de gases de reacción al interior distribuyéndose de forma
homogénea.
• La transferencia de calor a través de las partículas del lecho permite
que el sistema alcance rápidamente la temperatura de equilibrio, con lo
se pueden obtener recubrimientos muy uniformes, y con espesores
elevados
• La técnica es muy versátil, y puede ser utilizada para la obtención de
un gran número de recubrimientos. La técnica ha sido también
utilizada para el recubrimiento de polvos.

Salida gases

Lecho fluidizado
(partículas de Al)

Horno
Sistema
lavado
gases
Sustrato

Sistema
lavado Placa
porosa

Control flujo Control T

Ar
HCl
H2

• El ejemplo de la figura muestra un sistema de CVD-FB para la


deposición de recubrimientos de Al sobre aleaciones de Ti a partir de
una mezcla de gases precursores de HCl y H2, utilizando Ar como
portador. El lecho está formado por partículas metálicas de Al. La
reacción del HCl con las partículas de Al produce un producto
intermedio, AlCl3, que posteriormente se descompone sobre el
substrato para dar el depósito de Al

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7. EJEMPLO DE DEPOSICIÓN DE MEDIANTE LA
TÉCNICA DE CVD: CAPAS DE SIO2

• Características de las capas de SiO2:

PROPIEDADES APLICACIONES

Aislante eléctrico Aislante de circuitos integrados


Estabilidad química Recubrimientos protectores sobre
metales
Indice de refracción bajo Películas antireflectantes
Bajo coeficiente de difusión Máscaras para implantación
Empaquetamiento circuitos
Membranas cerámicas

• Métodos de deposición:

− Baja temperatura (300-500oC):

SiH4+O2 → SiO2+2H2 (CVD)


SiH4+N2O → SiO2+2N2+H2 (PACVD)

4 PH3 + 5 O2 → 2 P2O5 + 6 H2
Adición de
dopante

− Temperatura media (500-800oC)

Si(OC2H5)4 → SiO2 + subproductos (MOCVD, LPCVD)

− Temperatura alta (900oC)

SiCl2H2+N2O → SiO2 + 2N2 + 2HCl (LPCVD, PECVD)

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6. EJEMPLO DE DEPOSICIÓN DE MEDIANTE LA TÉCNICA DE CVD: CAPAS DE SIO2

Tabla IV

DATOS COMPARATIVOS DEL SiO2 OBTENIDO POR CVD A DIFERENTES


TEMPERATURAS

Parámetro Oxido térmico SiH4+O2 TEOS SiCl2H2+N2O


(100º C) (450ºC) (700ºC) (900ºC)

Composición SiO2 SiO2(H) SiO2 SiO2(Cl)

Densidad (grcm-3) 2.2 2.1 2.2 2.2

Indice refracción 1.46 1.44 1.46 1.46

Ruptura Dieléctr. >10 8 10 10


(106 Vcm-1)
Veloc. ataque 440 1200 450 450
(HF) (Åmin-')

Recubrimiento - no conforme conforme conforme


escalones

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7. RESUMEN Y CONCLUSIONES

• Técnicas de CVD bien establecidas en Cl de VLSI y ULSI (la


experiencia ganada se exporta a otras áreas tecnológicas).

• Características positivas:

− Versatilidad (aislantes, conductores, etc.)


− Compatibilidad con otros tratamientos y procesos
− Posibilidad de escalado a nivel industrial
− Posibilidad de controlar la composición del producto y obtener
capas de composición prefijada
− Homogeneidad de espesor

• Limitaciones:

− Factibilidad de la reacción
− Cinética de reacción compleja
− Formación de subproductos, reacción homogénea (polvo)
− Daño por radiación (PECVD, láser)
− Manejo de gases peligrosos:
− ¿Substitución por fuentes líquidas ?

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BIBLIOGRAFÍA

− MOROSANU, C. E.: “Thin Films by Chemical Vapour Deposition”,


Elsevier

− SHERMAN, A.: “Chemical Vapor Deposition for Microelectronics”.


Noyes Publications

− PIERSON, H. O.: “Handbook Of Chemical Vapour Deposition”. Noyes


Publications,

− HUIMIN, L.: “Diamond Chemical Vapour Deposition”. Noyes


Publications

− RICKERBY, D. S: “Advanced Surface Coatings” . Blackie

− SCHUEGRAF, K. K.: “Handbook Of Thin-film Deposition Processes and


Techniques”, Noyes Publications

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