Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

Transistor FET
JFET dan MOSFET

Transistor

Bipolar dinamakan demikian karena bekerja dengan 2 (bi) muatan yang berbeda yaitu elektron sebagai pembawa muatan negati dan !ole sebagai pembawa muatan positi " #da satu jenis transistor lain yang dinamakan FET (Field Efect Transistor)" Berbeda dengan prinsip kerja transistor bipolar$ transistor FET bekerja bergantung dari satu pembawa muatan$ apaka! itu elektron atau !ole" %arena !anya bergantung pada satu pembawa muatan saja$ transistor ini disebut komponen unipolar" &mumnya untuk aplikasi linear$ transistor bipolar lebi! disukai$ namun transistor FET sering digunakan juga karena memiliki impedansi input (input impedan'e) yang sangat besar" Terutama jika digunakan sebagai switch$ FET lebi! baik karena resistansi dan disipasi dayanya yang ke'il" #da dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction FET) dan MOSFET (metal-oxide semiconductor FET)" (ada dasarnya kedua jenis transistor memiliki prinsip kerja yang sama$ namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur dan karakteristiknya"

TRANSISTOR JFET )ambar dibawa! menunjukkan struktur transistor JFET kanal n dan kanal p" %anal n dibuat dari ba!an semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p" &jung atas dinamakan Drain dan ujung bawa! dinamakan Source" (ada kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe" Terminal kedua sisi implant ini ter!ubung satu dengan lainnya se'ara internal dan dinamakan Gate"

Struktur JFET (a) kanal-n (b) kanal-p *stila! field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini yang berkenaan dengan la isan de lesi (depletion layer)" +apisan ini terbentuk antara semikonduktor tipe n dan tipe p$ karena bergabungnya elektron dan !ole di sekitar daera! perbatasan" Sama seperti medan listrik$ lapisan deplesi ini bisa membesar atau menge'il tergantung dari tegangan antara gate dengan sour'e" (ada gambar di atas$ lapisan deplesi ditunjukkan dengan warna kuning di sisi kiri dan kanan"

Elektronika Lanjut

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

JFET kanal!n &ntuk menjelaskan prinsip kerja transistor JFET lebi! jau! akan ditinjau transistor JFET kanal,n" -rain dan Sour'e transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe n dan )ate dengan tipe p" )ambar berikut menunjukkan bagaimana transistor ini di beri tegangan bias" Tegangan bias antara gate dan sour'e adala! tegangan reverse bias atau disebut bias negati " Tegangan bias negati berarti tegangan gate lebi! negati ter!adap sour'e" (erlu 'atatan$ %edua gate ter!ubung satu dengan lainnya (tidak tampak dalam gambar)"

Lapisan deplesi jika gate-source biberi bias negatif -ari gambar di atas$ elektron yang mengalir dari sour'e menuju drain !arus melewati lapisan deplesi" -i sini lapisan deplesi ber ungsi sema'an keran air" Banyaknya elektron yang mengalir dari sour'e menuju drain tergantung dari ketebalan lapisan deplesi" +apisan deplesi bisa menyempit$ melebar atau membuka tergantung dari tegangan gate ter!adap sour'e" Jika gate semakin negati ter!adap sour'e$ maka lapisan deplesi akan semakin menebal" +apisan deplesi bisa saja menutup seluru! kanal transistor ba!kan dapat menyentu! drain dan sour'e" %etika keadaan ini terjadi$ tidak ada arus yang dapat mengalir atau sangat ke'il sekali" Jadi jika tegangan gate semakin negati ter!adap sour'e maka semakin ke'il arus yang bisa melewati kanal drain dan sour'e"

Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source =

!olt

Jika misalnya tegangan gate dari nilai negati perla!an,la!an dinaikkan sampai sama dengan tegangan Sour'e" Ternyata lapisan deplesi menge'il !ingga sampai suatu saat terdapat 'ela! sempit" #rus elektron mulai mengalir melalui 'ela! sempit ini dan terjadila! konduksi -rain dan Sour'e" #rus yang terjadi pada keadaan ini adala! arus maksimum yang dapat mengalir berapapun tegangan drain ter!adap sour'e" .al ini karena 'ela! lapisan deplesi suda! maksimum tidak bisa lebi! lebar lagi" Tegangan gate tidak bisa dinaikkan menjadi positi $ karena kalau nilainya positi maka gate,sour'e tidak lain !anya sebagai dioda"

Elektronika Lanjut

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

%arena tegangan bias yang negati $ maka arus gate yang disebut IG akan sangat ke'il sekali" -apat dimengerti resistansi in ut (input impedance) gate akan sangat besar" *mpedansi input transistor FET umumnya bisa men'apai satuan MO!m" Sebua! transistor JFET diketa!ui arus gate 2 n# pada saat tegangan re!erse gate / 0$ maka dari !ukum O!m dapat di!itung resistansi input transistor ini adala! 1 2in 3 /042n# 3 2555 Mo!m

Sim"ol JFET &ntuk mengambarkan JFET pada skema rangkaian elektronika$ bisa dipakai simbol seperti pada gambar di bawa! berikut"

Si"bol ko"ponen (a)JFET-n (b)JFET-p %arena struktur yang sama$ terminal drain dan sour'e untuk aplikasi rekuensi renda! dapat dibolak balik" 6amun biasanya tidak demikian untuk aplikasi rekuensi tinggi" &mumnya JFET untuk aplikasi rekuensi tinggi memper!itungkan kapasitansi ba!an antara gate dengan drain dan juga antara gate dengan sour'e" -alam pembuatan JFET$ umumnya ada perbedaan kapasitansi gate ter!adap drain dan antara gate dengan sour'e" JFET kanal! Transistor JFET kanal,p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal,n$ !anya saja kanal yang digunakan adala! semikonduktor tipe p" -engan demikian polaritas tegangan dan ara! arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal,n" Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama$ !anya saja dengan ara! pana! yang berbeda"

#ur$a Drain )ambar berikut adala! bagaimana transitor JFET diberi bias" %ali ini digambar dengan menggunakan simbol JFET" )ambar (a) adala! jika diberi bias negati dan gambar (b) jika gate dan sour'e di!ubung singkat"

Elektronika Lanjut

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

Tegangan bias transistor JFET-n Jika gate dan sour'e di!ubung singkat$ maka akan diperole! arus drain maksimum" *ngat jika %GS&' lapisan deplesi kiri dan kanan pada posisi yang !ampir membuka" (er!atikan 'onto! kur7a drain pada gambar berikut$ yang menunjukkan karakteristik arus drain ID dan te(an(an drain!source %DS" Terli!at arus drain *- tetap (konstan) setela! 0-S melewati suatu besar tegangan tertentu yang disebut %" (ada keadaan ini (%GS&') 'ela! lapisan deplesi !ampir bersingungan dan sedikit membuka" #rus * - bisa konstan karena 'ela! deplesi yang sempit itu men'ega! aliran arus * - yang lebi! besar" (erumpamaannya sama seperti selang air plastik yang ditekan dengan jari$ air yang mengalir juga tidak bisa lebi! banyak lagi" -ari sinila! dibuat istila! pinchoff voltage (te(an(an )e it) dengan simbol % " #rus *- maksimum ini di sebut IDSS yang berarti arus drain,sour'e jika gate di!ubung singkat ( shorted gate)" *ni adala! arus maksimum yang bisa di!asilkan ole! suatu transistor JFET dan karakteristik * -SS ini ter'antum di datas!eet"

kur!a drain #$S terhadap %$S JFET berlaku sebagai sumber arus konstan sampai pada tengangan tertentu yang disebut 0 -S(ma8)" Tegangan maksimum ini disebut breakdown voltage dimana arus tiba,tiba menjadi tidak ter!ingga" Tentu transistor tidakla! dimaksudkan untuk bekerja sampai daera! breakdown" -aera! antara 0 ( dan 0-S(ma8) disebut daera* acti$e (active region)" Sedangkan 5 7olt sampai tegangan 0p disebut daera* O*mic (Ohmic region)"

Elektronika Lanjut

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

Daera* O*mic (ada tegangan 0-S antara 5 7olt sampai tegangan pinchoff 0(3/ 7olt$ arus *- menaik dengan kemiringan yang tetap" -aera! ini disebut daera! O!mi'" Tentu suda! maklum ba!wa daera! O!mi' ini tidak lain adala! resistansi drain,sour'e dan termasuk 'ela! kanal diantara lapisan deplesi" %etika bekerja pada daera! o!mi'$ JFET berlaku seperti resistor dan dapat diketa!ui besar resistansinya adala! 1 2-S 3 0p4*-SS 2-S disebut oh"ic resistance$ sebagai 'onto! di dataseet diketa!ui 0( 3 /0 dan *-SS 3 95 m#$ maka dapat diketa!ui 1 2-S 3 /0495m# 3 /55 O!m

Te(an(an cutoff (ate -ari 'onto! kur7a drain di atas terli!at beberapa garis,garis kur7a untuk beberapa tegangan 0)S yang berbeda" (ertama adala! kur7a paling atas dimana * -SS395 m# dan kondisi ini ter'apai jika 0 )S35 dan per!atikan juga tegangan pinchoff 0(3/0" %emudian kur7a berikutnya adala! 0)S 3 ,90 lalu 0)S3,20 dan seterusnya" Jika 0)S semakin ke'il terli!at arus *- juga semakin ke'il" (er!atikan kur7a yang paling bawa! dimana 0 )S3,/0" (ada kur7a ternyata arus * - sangat ke'il sekali dan !ampir nol" Tegangan ini dinamakan tegangan cutoff (ate!source (gate source cutoff voltage) yang ditulis sebagai %GS(off)" (ada saat ini lapisan deplesi suda! bersingungan satu sama lain$ se!ingga arus yang bisa melewati ke'il sekali atau !ampir nol" Bukan suatu kebetulan ba!wa kenyataannya ba!wa 0 )S(o )3,/0 dan 0(3/0" Ternyata memang pada saat demikian lapisan deplesi bersentu!an atau !ampir bersentu!an" Maka di datas!eet biasanya !anya ada satu besaran yang tertera 0 )S(o diketa!ui !ubungan persamaan 1 0)S(o +a"rikasi JFET %alau sebelumnya suda! dijelaskan bagaimana struktur JFET se'ara teoritis$ maka gambar berikut adala! bagaimana sebenarnya transistor JFET,n dibuat"
) )

atau 0(" Ole! karena suda!

3 ,0(

Struktur pena"pang JFET-n Transistor JFET,n dibuat di atas satu lempengan semikonduktor tipe,p sebagai su"trat (subtrate) atau dasar (base)" &ntuk membuat kanal n$ di atas subtrat di,implant semikonduktor tipe n yaitu dengan memberikan doping elektron" %anal,n ini akan menjadi drain dan sour'e" %emudian di atas kanal,n dibuat implant tipe,p$ 'aranya adala! dengan memberi doping p ( hole)" *mplant tipe p ini yang menjadi gate" )ate dan subtrat disambungkan se'ara internal"

Elektronika Lanjut

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

TRANSISTOR MOSFET Mirip seperti JFET$ transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain$ sour'e dan gate" 6amun perbedaannya gate terisolasi ole! suatu "a*an oksida" )ate sendiri terbuat dari ba!an metal seperti aluminium" Ole! karena itula! transistor ini dinamakan "etal-o&ide" %arena gate yang terisolasi$ sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET" #da dua jenis MOSFET$ yang pertama jenis depletion-mode dan yang kedua jenis enhancementmode" Jenis MOSFET yang kedua adala! komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk *: (integrated circuit)$ u: ("icro controller) dan u( ("icro processor) yang tidak lain adala! komponen utama dari komputer modern saat ini"

MOSFET De letion!mode )ambar berikut menunjukkan struktur dari transistor jenis ini" (ada sebua! kanal semikonduktor tipe n terdapat semikonduktor tipe p dengan menyisakan sedikit 'ela!" -engan demikian di!arapkan elektron akan mengalir dari sour'e menuju drain melalui 'ela! sempit ini" )ate terbuat dari metal (seperti aluminium) dan terisolasi ole! ba!an oksida tipis SiO, yang tidak lain adala! ka'a"

struktur '(SFET depletion-"ode Semikonduktor tipe p di sini disebut subtrat p dan biasanya di!ubung singkat dengan sour'e" *ngat seperti pada transistor JFET lapisan deplesi mulai membuka jika 0)S 3 5" -engan meng!ubung singkat subtrat p dengan sour'e di!arapkan ketebalan lapisan deplesi yang terbentuk antara subtrat dengan kanal adala! maksimum" Se!ingga ketebalan lapisan deplesi selanjutnya !anya akan ditentukan ole! tegangan gate ter!adap sour'e" (ada gambar$ lapisan deplesi yang dimaksud ditunjukkan pada daera! yang berwarna kuning" Semakin negati tegangan gate ter!adap sour'e$ akan semakin ke'il arus drain yang bisa lewat atau ba!kan menjadi 5 pada tegangan negati tertentu" %arena lapisan deplesi tela! menutup kanal" Selanjutnya jika tegangan gate dinaikkan sama dengan tegangan sour'e$ arus akan mengalir" %arena lapisan deplesi muali membuka" Sampai di sini prinsip kerja transistor MOSFET depletion-"ode tidak berbeda dengan transistor JFET" %arena gate yang terisolasi$ tegangan kerja %GS "ole* ositif" Jika 0)S semakin positi $ arus elektron yang mengalir dapat semakin besar" -i sini letak perbedaannya dengan JFET$ transistor MOSFET depletion"ode bisa bekerja sampai tegangan gate positi " +a"rikasi MOSFET de letion!mode

Elektronika Lanjut

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

)ena"pang $-'(SFET (depletion-"ode) Struktur ini adala! penampang MOSFET depletion-"ode yang dibuat di atas sebua! lempengan semikonduktor tipe p" *mplant semikonduktor tipe n dibuat sedemikian rupa se!ingga terdapat 'ela! kanal tipe n" %anal ini meng!ubungkan drain dengan sour'e dan tepat berada di bawa! gate" )ate terbuat dari metal aluminium yang diisolasi dengan lapisan SiO 2 (ka'a)" -alam beberapa buku$ transistor MOSFET depletion-"ode disebut juga dengan nama D!MOSFET"

#ur$a drain MOSFET de eletion mode #nalisa kur7a drain dilakukan dengan men'oba beberapa tegangan gate 0 )S konstan$ lalu dibuat gra ik !ubungan antara arus drain *- ter!adap tegangan 0-S"

*ur!a drain transistor '(SFET depletion-"ode -ari kur7a ini terli!at jelas ba!wa transistor MOSFET depletion-"ode dapat bekerja (ON) mulai dari tegangan 0)S negati sampai positi " Terdapat dua daera! kerja$ yang pertama adala! daera* o*mic dimana resistansi drain,sour'e adala! ungsi dari 1 2-S(on) 3 0-S4*-S Jika tegangan 0)S tetap dan 0-S terus dinaikkan$ transistor selanjutnya akan berada pada daera* saturasi" Jika keadaan ini ter'apai$ arus * -S adala! konstan" Tentu saja ada tegangan 0 )S(ma8)$ yang diperbole!kan" %arena jika lebi! dari tegangan ini akan dapat merusak isolasi gate yang tipis alias merusak transistor itu sendiri" MOSFET En!an'ement,mode Jenis transistor MOSFET yang kedua adala! MOSFET enhance"ent-"ode" Transistor ini adala! e7olusi jenius berikutnya setela! penemuan MOSFET depletion-"ode" )ate terbuat dari metal aluminium dan terisolasi ole! lapisan SiO 2 sama seperti transistor MOSFET depletion,mode" +er"edaan struktur yang mendasar adala!$ subtrat pada transistor MOSFET enhance"ent-"ode sekarang dibuat sampai

Elektronika Lanjut

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

men-entu* (ate$ seperti terli!at pada gambar beritu ini" +alu bagaimana elektron dapat mengalir ;" Sila!kan terus menyimak tulisan berikut ini"

Struktur '(SFET enhance"ent-"ode )ambar atas ini adala! transistor MOSFET enhance"ent "ode kanal n" Jika tegangan gate 0 )S dibuat negati $ tentu saja arus elektron tidak dapat mengalir" Juga ketika 0 )S35 ternyata arus belum juga bisa mengalir$ karena tidak ada la isan de lesi maupun 'ela! yang bisa dialiri elektron" Satu,satunya jalan adala! dengan memberi tegangan %GS ositif" %arena subtrat ter!ubung dengan sour'e$ maka jika tegangan gate positi berarti tegangan gate ter!adap subtrat juga positi " Tegangan positi ini akan menyebabkan elektron tertarik ke ara! subtrat p" Elektron,elektron akan bergabung dengan !ole yang ada pada subtrat p" %arena potensial gate lebi! positi $ maka elektron terlebi! da!ulu tertarik dan menumpuk di sisi subtrat yang berbatasan dengan gate" Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat mengalir menuju gate karena terisolasi ole! ba!an insulator SiO2 (ka'a)" Jika tegangan gate 'ukup positi $ maka tumpukan elektron akan menyebabkan terbentuknya semacam la isan n -an( ne(atif dan seketika itula! arus drain dan sour'e dapat mengalir" +apisan yang terbentuk ini disebut dengan istila! inversion layer" %ira,kira terjema!annya adala! lapisan dengan tipe yang berbalikan" -i sini karena subtratnya tipe p$ maka lapisan in!ersion yang terbentuk adala! bermuatan negati atau tipe n" Tentu ada tegangan minimum dimana lapisan in!ersion n mulai terbentuk" Te(an(an minimun ini disebut tegangan threshold %GS(t*)" Tegangan 0)S(t!) ole! pabrik pembuat tertera di dalam datas!eet" -i sini letak perbedaan utama prinsip kerja transitor MOSFET enhance"ent-"ode dibandingkan dengan JFET" Jika pada tegangan 0)S 3 5 $ transistor JFET suda! bekerja atau O6$ maka transistor MOSFET en!an'ement,mode masi! OFF" -ikatakan ba!wa JFET adala! komponen normall- ON dan MOSFET adala! komponen normall- OFF"

+a"rikasi MOSFET en*ancement!mode Transistor MOSFET enhace"ent "ode dalam beberapa literatur disebut juga dengan nama E!MOSFET"

Elektronika Lanjut

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

)ena"pang E-'(SFET (enhance"ent-"ode) )ambar diatas adala! bagaimana transistor MOSFET enhance"ent-"ode dibuat" Sama seperti MOSFET depletion-"ode$ tetapi perbedaannya disini tidak ada kanal yang meng!ubungkan drain dengan sour'e" %anal n akan terbentuk ( enhanced) dengan memberi tegangan 0 )S diatas tegangan threshold tertentu" *nila! struktur transistor yang paling banyak di terapkan dalam *: digital"

#ur$a Drain MOSFET en*acement!mode Mirip seperti kur7a -,MOSFET$ kur7a drain transistor E,MOSFET adala! seperti yang ditunjukkan pada gambar berikut" 6amun di sini 0 )S semua bernilai positi " )aris kur7a paling bawa! adala! garis kur7a dimana transistor mulai O6" Tegangan 0)S pada garis kur7a ini disebut tegangan t!res!old 0)S(t!)"

*ur!a drain E-'(SFET

%arena transistor MOSFET umumnya digunakan sebagai saklar ( switch)$ parameter yang penting pada transistor E,MOSFET adala! resistansi drain,sour'e" Biasanya yang ter'antum pada datas!eet adala! resistansi pada saat transistor O6" 2esistansi ini dinamakan 2-S(on)" Besar resistansi ber7ariasi mulai dari 5"< O!m sampai pulu!an O!m" &ntuk aplikasi power switching$ semakin ke'il resistansi 2-S(on) maka semakin baik transistor tersebut" %arena akan memperke'il rugi,rugi disipasi daya dalam bentuk panas" Juga penting diketa!ui parameter arus drain maksimum ID(ma.) dan disipasi daya maksimum +D(ma.)"

Sim"ol transistor MOSFET

Elektronika Lanjut

"

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

)aris putus,putus pada simbol transistor MOSFET menunjukkan struktur transistor yang terdiri drain$ sour'e dan subtrat serta gate yang terisolasi" #ra! pana! pada subtrat menunjukkan type lapisan yang terbentuk pada subtrat ketika transistor O6 sekaligus menunjukkan type kanal transistor tersebut"

Simbol MOSFET$ (a) kanal,n (b) kanal,p %edua simbol di atas dapat digunakan untuk mengambarkan -,MOSFET maupun E,MOSFET"

NMOS dan +MOS Transistor MOSFET dalam berbagai re erensi disingkat dengan nama transistor MOS" -ua jenis tipe n atau p dibedakan dengan nama NMOS dan +MOS" Simbol untuk menggambarkan MOS tipe depletion,mode dibedakan dengan tipe en!an'ement,mode" (embedaan ini perlu untuk rangkaian,rangkaian rumit yang terdiri dari kedua jenis transistor tersebut"

Si"bol transistor (a)+'(S (b))'(S tipe depletion "ode

Si"bol transistor (a)+'(S (b))'(S tipe enhance"ent "ode Transistor MOS adala! tipe transistor yang paling banyak dipakai untuk membuat rangkaian gerbang logika" 2atusan ba!kan ribuan (er"an( lo(ika dirangkai di dalam sebua! *: ( integrated circuit) menjadi komponen yang 'anggi! seperti mikrokontroler dan mikroposesor" :onto! gerbang logika yang paling dasar adala! sebua! in$erter"

Elektronika Lanjut

10

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

,erbang +(T #n!erter '(S )erbang in7erter MOS di atas terdiri dari 2 bua! transistor =9 dan =2" Transistor =9 adala! transistor 6MOS depletion-"ode yang pada rangkaian ini berlaku sebagai beban 2 + untuk transistor =2" Seperti yang suda! dimaklumi$ beban 2+ ini tidak lain adala! resistansi 2 -S(on) dari transistor =9" Transistor =2 adala! transistor 6MOS enhance"ent-"ode" -i sini transistor =2 ber ungsi sebagai saklar (switch) yang bisa membuka atau menutup (O64OFF)" Transistor O6 atau OFF tergantung dari tegangan input" Jika tegangan input # 3 5 7olt (logik 5)$ maka saklar =2 membuka dan tegangan output > 3 0 -- (logik 9)" -an sebaliknya jika input # 3 0-- (logik 9) maka saklar menutup dan tegangan output > 3 5 7olt (logik 5)" *n7erter ini tidak lain adala! (er"an( NOT$ dimana keadaan output adala! kebalikan dari input" )erbang dasar lainnya dala! seperti gerbang NAND dan NOR" :onto! diagram berikut adala! gerbang 6#6- dan 6O2 yang memiliki dua input # dan B"

,erbang +-+$ transistor '(S

,erbang +(. transistor '(S

Elektronika Lanjut

11

Sistem Komputer 3KB03 Selasa 1/2 - D026

Bagaimana 'aranya membuat gerbang #6- dan O2" Tentu saja bisa dengan menamba!kan sebua! in7erter di depan gerbang 6#6- dan 6O2"

Transistor /MOS /MOS adala! e7olusi dari komponen digital yang paling banyak digunakan karena memiliki karakteristik konsumsi daya yang sangat ke'il" :MOS adala! singkatan dari omplementary MO!$ yang strukturnya terdiri dari dua jenis transistor (MOS dan 6MOS" %eduanya adala! transistor MOS ti e en*acement! mode" *n7erter gerbang 6OT dengan struktur :MOS adala! seperti gambar yang berikut ini" Beban 2+ yang sebelumnya menggunakan transistor 6MOS tipe depletion,mode$ digantikan ole! transistor (MOS en!an'ement,mode"

)erbang 6OT in7erter :MOS 6amun disini =9 bukan sebagai beban$ tetapi kedua transistor ber ungsi sebagai co"ple"entrar/ switch yang bekerja bergantian" Jika input 5 ( low) maka transistor =9 menutup dan sebaliknya =2 membuka$ se!ingga keluaran tersambung ke 0-- ( high)" Sebaliknya jika input 9 ( high) maka transistor =9 akan membuka dan =2 menutup$ se!ingga keluaran ter!ubung dengan ground 5 7olt ( low)"

+enutu Transistor FET termasuk perangkat yang disebut !oltage-controlled de!ice yang mana tegangan masukan (input) mengatur arus keluaran (output)" (ada transistor FET$ besar tegangan gate,sour'e (0 )S) menentukan jumla! arus yang dapat mengalir antara drain dan sour'e" Transistor MOSFET yang dikenal dengan sebutan transistor MOS umumnya gampang rusak" #da kalanya karena tegangan gate yang melebi!i tegangan 0)S(ma8)" %arena lapisan oksida yang amat tipis$ transistor MOS rentan ter*ada te(an(an statik ( static voltage) yang bisa men'apai ribuan 7olt" &ntuk itula! biasanya MOS dalam bentuk transistor maupun *: selalu dikemas menggunakan anti static"Terminal atau kaki,kakinya di !ubung singkat untuk meng!indari tegangan statik ini" Transistor MOS yang ma!al karena 2-S(on) yang ke'il$ biasanya dilengkapi dengan ?ener didalamnya" @ener diantara gate dan sour'e ini ber ungsi sebagai proteksi tegangan yang berlebi!" Aalapun ?ener ini sebenarnya akan menurunkan impedansi input gate$ namun 'ukup seimbang antara per orman'e dan !arganya itu"

Elektronika Lanjut

12