Anda di halaman 1dari 38

BAB 2 EFEK UKURAN PADA SIFAT MATERIAL

2.1 Efek Ukuran Partikel pada Laju Sintering Material nanostruktur memiliki sejumlah keunggulan dibandingkan dengan material struktur micrometer dan yang lebih besar. Pengamatan menunjukkan bahwa logam atau keramik dengan struktur nanometer memiliki sejumlah keunggulan dibandingkan dengan logam atau keramik dengan ukuran grain lebih besar. Keunggulan-keunggulan tersebut di antaranya: (1) memiliki kekuatan mekanik yang lebih besar (karena luas total permukaan partikel-partikel berukuran nanometer lebih besar), (2) dapat disinter (dipadatkan) pada suhu yang lebih rendah (suhu sintering menurun jika ukuran partikel lebih kecil) sehingga kepadatan penuh (fully densification) dapat dicapai pada suhu yang lebih rendah. Di samping itu sintering juga dapat dilakukan pada jangka waktu yang lebih cepat karena makin kecil ukuran partikel maka makin cepat laju sintering. Sifat-sifat tersebut melahirtkan sejumlah keuntungan seperti efisiensi penggunaan energi pada pembuatan keramik (karena suhu sintering rendah dan waktu sintering yang pendek) serta diperoleh keramik yang berkualitas tinggi. Kebergantungan laju densifikasi keramik yang terbuat dari

partikel-partikel pada ukuran partikel telah diramalkan secara teoretik oleh Frenkel dan Herring Laju densifikasi keramik yang dibuat dari partikel-partikel berbanding terbalik dengan ukuran partikel. Dengan demikian, reduksi ukuran

26

partikel bahan dasar keramik dari mikrometer ke nanometer akan menghasilkan laju sintering yang cepat pada suhu tertentu. Pembuktian ekperimental teori ini dilakukan oleh Rhodes ketika melakukan sintering nanopartikel zirconium dan Skandan dkk yang membuktikan bahwa nanopartikel titanium dapat disinter pada suhu sangat rendah ( 800
o

C). Hasil teori dan eksperimen tersebut

mengindikasikan bahwa dengan memulai dari material berskala nanometer pada pembuatan keramik, maka akan dihasilkan sejumlah keuntungan seperti kekuatan yang lebih besar, penurunan suhu sintering, pengurangan waktu sintering sehingga dapat dicegah pertumbuhan grain yang tidak diharapkan. Diamati juga sejumlah material logam maupun non-logam menunjukkan yield strength yang makin besar jika ukuran grain makin kecil. Masalah utama yang muncul pada nanosintering adalah bagaimana menghilangkan poros yang semula berada antara bulir-bulir (grain). Mayo memodifikasi hukum sintering yang berdasarkan pada termodinamika konvensional dan mendapatkan efek ukuran partikel dan poros pada laju sintering

d 1 1 1 Q n exp (1 ) dt d r RT

(2.1)

dengan massa jenis, d ukuran partikel, n konstanta gas umum, dan Q energi aktivasi.

konstan, r jari-jari poros, R

2.2 Efek Ukuran Partikel pada Titik Lebur Titik lebur logam juga bergantung pada ukuran partikel. Makin kecil ukuran partikel makin kecil pula titik leburnya. Dalam ukuran bulk emas melebur pada suhu

27

1 064 oC. Namun, titik lebur emas turun secara drastis menjadi sekitar 200 oC ketika ukurannya tereduksi menjadi sekitar 2 nm. Gambar 2.1 adalah contoh kebergantungan titik lebuh terhadap ukuran partikel untuk material Sn.

Gambar 2.1 Kebergantungan titik lebur pada ukuran untuk partikel Sn

Kebergantungan titik lebur logam pada ukuran partikel dapat diperlihatkan secara sederhana sebagai berikut. Hubungan antara suhu Debye, D, dan energi pembentukan logam closed-packed monovalency, Ef, dapat didekati dengan persamaan

Ef D = K MV 2 / 3

1/ 2

(2.2)

dengan K adalah konstnta, M massa atom, dan V volum atomik. Persamaan ini diusulkan oleh Mukherjee, dan untuk kebanyakan logam kesalahan ang muncul tidak lebih dari 10%. Ef memiliki korelasi dengan energi kohesif seperti yang diusulkan oleh Doyama and Kohler, yaitu Ef = 0,29Ecoh. Dengan demikian, suhu Debye dapat dinyatakan dalam energi kohesi sebagai berikut

E D = K ' coh 2/3 MV

1/ 2

(2.3)

dengan K` = (0,29)1/2 K. Karena titik lebur partikel menurun dengan mengecilnya ukuran maka 28

diharapkan energi ikat antar atom-atom penyusun partikel tersebut menurun dengan mengecilnya ukuran partikel. Akibatnya, energi kohesif juga berkurang dengan mengecilnya ukuran partikel. Untuk menghitung energi kohesif tersebut diperlukan pemahaman tentang gaya antar atom pembentuk partikel, yang umumnya menuntut perhitungan yang cukup kompleks. Pada pembahasan kali ini kita akan mengestimasi kebergantungan energi kohesi pada ukuran partikel dengan cara sederhana seperti yang diusulkan Qi dkk. Kita tinjau sebuah partikel yang memiliki jari-jari R. Luas permukaan partikel tersebut adalah So =4R2. Kita anggap partikel tersebut dapat dibagi atas

n buah atom yang berbentuk bola dan berjari-jari r dengan memberikan energi En.
Volume partikel asal sama dengan jumlah semua volum atom-atom hasil pembagian. Jumlah atom hasil pembagian memenuhi

n=

(4 / 3)R 3 R 3 = 3 (4 / 3)r 3 r

(2.4)

Luas permukaan n buah atom adalah S = n(4r2). Dengan demikian perubahan luas permukaan setelah pembagian partikel atas n buah atom adalah

S = n 4r 2 4R 2

(2.5)

En dapat dianggap sebagai energi kohesif total yang diperlukan untuk memisahkan n buah atom penyusun partikel. Energi ini sama dengan energi permukaan zat
seluas S pada suhu T = 0 K. Dengan demikian kita dapat menulis

29

E n = o S = 4 o nr 2 R 2

(2.6)

dengan o adalah energi per satuan luas permukaan pada T = 0 K. Energi kohesif per atom menjadi

E coh =

En R2 = 4 o r 2 R 2 / n = 4 o r 2 1 nr 2 n

(2.7)

Dengan mensubstitusi n dari persamaan (2.4) ke dalam persamaan (2.7) kita dapat menulis

r E coh = 4 o r 2 1 R

(2.8)

Kita telah menganggap atom berbentuk bola dengan jari-jari r. Namun, nilai ini mungkin berbeda dengan jari-jari riil atom tersebut. Jika kita ingin menggunakan jari-jari rill atom maka kita melakukan penskalaan pada nilai r di persamaan (2.8, yaitu mengganti r r, dengan adalah sebuah konstanta. Penskalaan ini menghasilkan bentuk akhir energi kohesi

r Ecoh = 4 o 2 r 2 1 R

(2.9)

di mana r di sini adalah jari-jari riil atom. Jika R , energi kohesi sama energi energi kohesif material bulk, atau, Ecoh() = 4o2r2, atau r = E coh () / 4 o . Dengan demikian, kebergantungan energi kohesif pada ukuran partikel dapat 30

ditulis menjadi

E coh () / 4 o E coh ( R ) = E coh () 1 R

(2.10)

Dengan menggabungkan persamaan (2.3) dan (2.10) kita dapatkan keergantungan suhu Debye pada ukuran partikel sebagai

E coh () / 4 o 2 2 D ( R ) = D ( ) 1 R

(2.11)

dengan D() adalah suhu Debye material dalam keadaan bulk. Untuk menentukan suhu lebur, kriterial Lindemann sering digunakan. Peoses peleburan terjadi ketika akar rata-rata kuadrat simpangan (msd) atom pada material, yaitu 2 lebih besar dari suatu fraksi tertentu dari jarak antar atom. Berdasarkan sejumlah eksperimen didapat bahwa msd atom-atom yang menempati permukaan partikel, yaitu 2(s), lebih besar daripada msd atom-atom yang menempati bagian teras partikel 2(b). Fraksi 2(s)/2(b) bisanya berada antara 1.5 sampai 2. Sejumlah perhitungan menunjukkan bahwa penyimpangan nilai

2(s) dari nilai 2(b) sangat besar pada dua atau tiga lapis terluar permukaan
partikel kemudian menurun secara cepat ketika memasuki lapisan yang lebih dalam. Oleh Karen itu sangat logis apabila dipandang dari nilai msd, partikel dibagi atas dua daerah: daerah permukaan dengan ketebalan h dan teras dengan jari-jari R-h. Daerah permukaan direpresentasikan oleh 2(s) dan (Ds ) ( R ) , sedangkan teras
b) ( R) . direpresentasikan oleh 2(b) dan (D

31

Rata-rata kuadrat pergeseran atom pada suhu T memenuhi persamaan umum

h (T , R ) = NM

g ( R, ) 1 1 + d exp (h / kT ) 1 2

(2.12)

dengan N adalah jumlah atom, g(R,) adalah distribusi frekuensi fonon dalam partikel yang memiliki jari-jari R, k konstanta Boltzmann, dan h konstanta Planck. Kita anggap bahwa g(R,)merupakan superposisi g(s)(R,) yang dimiliki lapisan kulit partikel dan g(b)(R,) yang dimiliki teras partikel. Fraksi volum teras dan kulit partikel masing-masing vb = (1-h/R)3 dan vs = 1- (1-h/R)3. Kita juga mengingat bahwa suhu Debye menentukan batas atas frekuensi gertaran kisi. Frekuensi getaran kisi hanya ada dalam jangkauan sari nol sampai batas maksimum kD/h. Dengan demikian kita dapat menulis

g (R, ) = (1 h / R ) g (R, ) + 1 (1 h / R ) g ( R, ) ( s )
3 (b ) 3

(2.13) (2.14)

g (R , ) =
(b )

2 9 Nh 3 , untuk 3 b) k 3 (D ( R)

b) ( R) k (D h

g (R, ) =
(s)

9 Nh 3 2 , untuk k 3 (Ds ) ( R ) 3

k (Ds ) ( R) h

(2.15)

Persamaan (2.12) selanjutnya dapat ditulis sebagai

h 1 (T , R) = 3 (b) Mk D ( R) R
2

9h 2T 2

b) 3 ( D ( R) /T

y dy exp ( y ) 1

32

h 3 D 1 1 + 3 Mk (Ds ) ( R ) R 9h 2T 2

(s)

(R) /T

y dy exp ( y ) 1
(2.16)

9h 2 4 Mk

3 h 3 1 1 h + 1 (s) 1 1 ( s ) R R R R ( ) ( ) D D

dengan y = h / kT . Untuk menentukan titik lebur kita menggunakan kriteria Lindemann, yaitu proses peleburan terjadi ketika terpenuhi

2 (Tm , R ) = a

(2.17)

dengan 0 < < 1 , dan a adalah jarak antar atom. Untuk atom yang tersusun dalam struktur body centered cubic, nilai sekitar 0,15. Dengan menggunakan

persamaan (2.17), persamaan (2.16) dapat ditulis

h a = 1 3 (b ) Mk D ( R ) R
2 2 2 9h 2Tm

b) 3 ( D ( R ) / Tm

y dy exp ( y ) 1
(s)

h 3 D 1 1 + 3 Mk (Ds ) ( R) R
2 9h 2Tm

( R ) / Tm

y dy exp ( y ) 1
(2.18)

9h 2 + 4 Mk

3 h 3 1 1 h + 1 1 ( s ) 1 ( s ) R D ( R) R D ( R )

Untuk material besar, titik lebur sangat besar dibandingkan dengan suhu Debye. Sebagai contoh, emas memiliki titik lebur 1338 K, namun suhu Debye hanya 33

165 K. Kita anggap kelakukan serupa terjadi pula pada partikel, yaitu titik lebur partikel jauh lebih besar daripada suhu Debyenya. Dengan demikian

b) (Ds ) ( R ) (D ( R) 0 , dan 0 Tm Tm

Batas integral pada suku pertama dan kedua di ruas kanan adalah dari nol sampai suatu bilangan yang mendekati nol. Variabel y yang berada dalam integrand mengambil nilai di sekitar nol saja sehingga kita dapat mengaproksimasi

b) ( D ( R ) / Tm

y dy exp ( y ) 1 y dy exp ( y ) 1

b) ( D ( R ) / Tm

y dy = (1 + y ) 1 y dy = (1 + y ) 1

b) ( D ( R ) / Tm

dy =
0

b) (D ( R) Tm

(2.19a)

s) ( D ( R ) / Tm

s) ( D ( R ) / Tm

s) ( D ( R ) / Tm

dy =
0

(Ds ) ( R ) Tm

(2.19b)

2a2

2 (b ) 9h 2Tm h D ( R) 1 + 3 3 b) Tm Mk (D ( R) R Mk (Ds ) ( R) 2 9h 2Tm 3

h 3 (Ds ) ( R) 1 1 Tm R

9h 2 4 Mk

3 h 3 1 1 h + 1 1 ( s ) 1 ( s ) ( ) ( ) R R R R D D

3 h 3 9h 2Tm h 1 1 1 + 2 2 b) Mk (D ( R ) R Mk (Ds ) ( R) R

9h 2Tm

9h 2 + 4 Mk

3 h 3 1 1 h + 1 1 ( s ) 1 ( s ) R D ( R) R D ( R )

(2.20)

34

Suku pertama dan kedua di ruas kanan persamaan (2.20) mengandung pembagian titik lebur dan suhu Debye yang nilainya jauh lebih besar daripada satu. Adanya pembagian tersebut yang tidak muncul di suku ketiga menyebabkan nilai suku ketiga jauh lebih kecil daripada nilai suku pertama dan kedua sehingga suku ketiga dapat diabaikan. Dengan demikian kita dapatkan bentuk aproksimasi

2a2

3 h 3 9h 2Tm h 1 1 1 + 2 2 b) Mk (D ( R) R Mk (Ds ) ( R) R

9h 2Tm

yang dapat disusun ulang sehingga kita dapatkan ungkapan untuk titik lebur sebagai berikut

b) Mk 2 a 2 (D ( R) Tm ( R) = 2 9h

3 3 h h 1 1 1 1 + 2 R R

(2.21)

dengan

b) = (D ( R) / (Ds ) ( R ) .

Kita

anggap

b) (D ( R)

dan

(Ds ) ( R)

memiliki

kebergantungan yang sama pada ukuran partikel seperti yang diberikan oleh
b) persamaan (2.11). Ini berarti, (D ( R ) ditentukan oleh energi kohesif atom-atom

di teras dan (Ds ) ( R) ditentukan oleh energi kohesif atom-atom di kulit partikel.
b) () / (Ds ) () , yaitu., tidak bergantung Dengan asumsi ini kita dapat menulis = (D

pada ukuran partikel. Nilai berada antara 0,7 sampai 0,8. Jarak antar atom mungkin berubah dengan ukuran partikel. Namun variasinya sangat kecil. Lambert dkk memperlihatkan bahwa untuk partikel palladium (a part abulk ) / abulk 35 hanya

sekitar 0.03% bagi partikel yang berukuran 1.4 nm. Oleh karena itu cukup dapat diteima jika dianggap a pada persamaan (2.21) tidak bergantung pada ukuran partikel. Akhirnya kita dapatkan

Tm ( R) = Tm ()

(1 r / R ) (1 h / R ) + [1 (1 h / R )3 ] 12
3

(2.22)

Beberapa

penulis

juga

mendapatkan

bentuk

yang

berbeda

untuk

kebergantungan titik lebur pada ukuran partikel, namun semuanya sampai pada kesimpulan yang sama, yaitu titik lebur berkurang dengan mengecilnya ukuran partikel. Contohnya, hubungan antara titik lebur partikel logam dengan ukuran dapat juga dinyatakan dengan persamaan

2 Tm ( R ) = Tm () 1 HR

(2.23)

dengan Tm() titik lebur emas dalam ukuran bulk, adalah konstanta, adalah massa jenis, R adalah jari-jari partikel, dan H adalah kalor latent fusi. Bentuk lain untuk memprediksi kebergantungan titik didih pada suhu adalah

Tm =

4voTb Ld

(2.24)

dengan Tm penurunan titik didih, tegangan permukaan, L kalor laten fusi, d diameter partikel, vo adalah volum molar zat padat, dan Tb titik lebur material bulk.

36

Penurunan titik lebur akibat mengeciulnya ukuran partikel dapat dipahami secara sederhana dari konsep ikatan antar atom. Atom-atom yang menempati posisi di dalam material mengalami ikatan dengan atom-atom lain dari segala arah sehingga ikatannya sangat kuat. Atom-atom yang berada di permukaan material hanya mengalami ikatan dengan atom lain dari arah dalam dan dari arah samping sehingga ikatan yang dialaminya lebih lemah. Makin kecil ukuran material maka makin banyak persentase atom-atom yang menempati permukaan material sehingga makin banyak persentase atom yang mengalami ikatan lemah. Akibatnya, energi ikatan rata-rata antar atom makin lemah yang berakibat pada menurunnya titik lebur material tersebut.

2.3 Efek Ukuran Partikel pada Konstanta Dielektrik Konstanta dielektrik material juga dipengaruhi oleh dimensi material. Makin kecil dimensi material maka makin kecil konstanta dielektrik material tersebut. Film yang sangat tipis memiliki konstanta dielektrik yang lebih kecil daripada material bulk (ukuran besar). Dan nanopartikel memiliki konstanta dielektrik yang lebih kecil lagi. Pengecilan konstanta dielektrik akibat ukuran partikel yang makin kecil dapat dipahami sebagai berikut. Konstanta dielekrik muncul akibat adanya dipole listrik, yaitu muatan posisif dan negatif yang terpisah pada jarak tertentu. Dalam material, jarak pisah muatan listrik negatif (elektron) dan positif (teras atom) sangat kecil, yaitu lebih kecil daripada jari-jari atom. Jika atom-atom menyusun material yang berukuran besar maka umumnya elektron yang dimiliki atom bersifat lebih mobil jika dibandingkan dengan elektron pada atom yang sama dalam keadaan terisolasi. Akibatnya, atom-atom yang menyusun material yang besar akan 37

menghasilkan momen dipole yang lebih besar jika diberikan medan listrik dibandingkan dengan atom-atom dalam keadaan terisolasi. Jika ukuran partikel sangat kecil, maka makin banyak atom berada di permukaan partikel. Atom-atom ini tidak sepenuhnya bersifat seperti atom-atom dalam material yang berukuran besar. Atom-atom di permukaan partikel akan mendekati sifat atom terisolasi sehingga memiliki momen dipole yang mendekati momen dipole atom yang berada dalam keadaan terisolasi. Momen dipole yang kecil yang dimiliki atom di permukaan ini berperan dalam menurunkan momen dipol partikel secara keseluruhan. Makin kecil ukuran partikel maka makin besar fraksi atom yang menempati permukaan partikel. Dengan demikian makin banyak atom yang menyumbangkan momen dipol yang kecil pada partikel. Sebagai ilustrasi kasar untuk memahami fenomena ini mari kita anggap sebuah partikel memiliki jari-jari R. Misalkan konstanta dielektik materil dalam keadaan bulk adalah b. Misalkan atom-atom di permukaan dengan ketebalan h, di mana h < R memberikan konstanta dielektrik p dengan p < b. Volum total partikel adalah V=(4/3)R3. Volume bagian kulit partikel yang memiliki ketebalan h adalah

Vp = (4/3)[R3-(R-h)3] sedangkan volum bagian teras partikel yang memiliki


konstnta dielektrik b adalah Vb=(4/3)(R-h)3. Konstanta dielektrin efektif dapat didekati dengan persamaan

ef =

Vp Vb b + p V V
(2.25)

3 3 h h = 1 b + 1 1 p R R

Metode yang lebih teliti untuk menghitung konstanta dielektrik telah 38

diperkenalkan oleh sejumlah peneliti. Salah satu bentuk kebergantungan konstanta dielektrik nanopartikel pada ukuran diberikan oleh persamaan

( R) = 1 +

( ) 1 1 + ( / R ) l

(2.26)

dengan () adalah konstanta dielektrin material dalam bentuk bulk, R adalah jari-jari partikrel, dan l adalah konstanta-konstanta. Khusus untuk silicon diperoleh b = 11,4, = 1,093 nm, dan l = 1. Gambar 2.2 adalah perbandingan prediksi konstanta dielektrik nanopartikel menggunakan persamaan (2.25) dan (2.26). Kebergantungan konstanta dielektrik terhadap ukuran nanopartikel memungkinkan pengembangan material yang memiliki konstanta dielektrik rendah (low dielectric constant materials) dengan membangun material tersebut sebagai komposisi dari sejumlah nanopartikel. Material dengan konstanta dielektrik rendah dipakai dalam pengembangan memori super cepat.

Gambar 2.2 Kebergantungan konstanta dielektrik partikel silicon terhadap jari-jari yang dihitung dengan persamaan (2.25) dan (2.26).

2.4 Efek Ukuran pada Lebar Celah Pita Energi Dalam bahan semikonduktor murni, energi yang dimiliki elektron hanya mungkin berada pada salah pita energi, yaitu pita valensi atau pita konduksi. Gambar 2.3 adalah ilustrasi pita valensi dan konduksi dalam bahan semikonduktor. Pada suhu yang sangat rendah, elektron hanya menempati tingkat energi pada pita valensi. Antara pita valensi dan pita konduksi terdapat nilai-nilai energi yang tidak 39

dapat dimiliki oleh elektron. Daerah tersebut disebut celah pita energi (energy band gap). Jika mendapat energi yang cukup misalnya dari foton, atau panas, atau tumbukan oleh partikel lain, elektron yang semula berada di pita velensi dapat meloncat ke pita konduksi. Energi yang diterima elektron minimal harus sama dengan celah pita energi. Loncatan tersebut meninggalkan keadaan kosong di pita konduksi. Keadaan kosong tersebut berperilaku seolah-olah sebagai sebuah partikel bermuatan positif dan dinamakan hole. Persyaratan bagi elektron agar dapat mencapai pita konduksi adalah energi yang diterima harus lebih besar dari celah pita energi, Eg. Misalkan eksitasi dilakukan dengan gelombang cahaya (frekuensi rendah), maka frekuensi cahaya pengeksitasi harus memenuhi hf > Eg dengan h konstanta Planck dan f adalah frekuensi cahaya pengeksitasi. Umumnya, cahaya yang digunakan untuk mengeksitasi elektron dari pita valensi ke pita konduksi adalah cahaya ulntaviolet karena hanya cahaya inilah yang memeiliki energi foton yang lebih besar daripada energi celah pita energi kebanyakan bahan semikonduktor. Sebagai contoh, untuk bahan semikonduktor dengan lebar celah pita energi 3,4 eV dapat dieksitasi dengan cahaya yang memiliki panjang gelombang di bawah 364 nm. Panjang gelombang ini berada di daerah ultraviolet.

Gambar 2.3 Ilustrasi pita valensi, pita konduksi, dan celah pita energi bahan semikonduktor

Keadaan tereksitasi bukan merupakan keadaan stabil. Elektron hanya bertahan beberapa saat di keadaan eksitasi dan setelah itu kembali ke keadaan awal mengisi kembali keadaan kosong yang semula ditinggalkannya di pita valensi. 40

Proses ini disebut deeksitasi atau rekombinasi. Disebut rekombinasi karena elektron bergabung kembali dengan hole sehingga hole menjadi hilang. Saat proses deeksitasi ini dilepaskan energi yang bisa berupa panas (getaran atom-atom dalam bahan) atau bisa berupa pemancaran cahaya. Deeksitasi yang disertai pelepasan panas disebut radiationless transition, sedangkan deeksitasi yang disertai pemancaran gelombang elektromagnetik disebut radiative transition. Pada transisi radiatif, energi gelombang elektromagnetik yang dipancarkan kira-kira sama dengan lebar celah pita energi, yaitu hf Eg. Dengan demikian, frekuensi gelombang elektromagnetik yang dipancarkan adalah f Eg/h. Karena frekuensi merepresentasikan warna, maka tampak di sini bahwa warna yang dihasilkan material ketika terjadi proses deeksitasi sangat bergantung pada lebar celah pita energi. Ini merupakan salah satu dasar rekayasa pita energi. Apabila kita memiliki kemampuan mengontrol lebar celah pita energi material maka kita dapat menghasilkan material yang menghasilkan warna yang berbeda-beda. Dan beruntunglah bahwa lebar celah pita energi bahan semikonduktor bergantung pada ukuran jika ukuran partikel hanya beberapa nanometer. Sebagai contoh, partikel HgSe dengan diameter 50 nm memiliki lebar celah pita energi 0.3 eV. Tetapi ketika diamaternya direduksi menjadi 3 nm, lebar celah pita energi membesar menjadi sekitar 3.2 eV. Fenomena ini kadang disebut efek ukuran kuantu (quantum size effect). Pengamatan efek ukuran kuantum tiga dimensi pertama diamati pada koloid CdS dan AgI dan dapat diterangkan dengan baik. Pengaruh dimensi partikel terhadap lebar celah pita energi dapat dipahami sebagai berikut. Ketika kita memindahkan elektron dari pita valensi ke pita kondukasi, yang dilakukan adalah melepaskan elektron dari ikatan oleh ion-ion positif di sekitarnya sehingga menjadi elektron yang lebih bebas. Elektron paling 41

sulit dilepas dari satu atom terisolasi. Energi yang diperlukan untuk melepas elektron dari atom terisolasi sama dengan energi ionisasi, dan nilainya sangat besar. Jika beberapa atom digabung menjadi material maka elektron-elektron dalam material tersebut menjadi lebih mobil. Akibatnya makin sedikit energi yang diperlukan untuk membuat elektron-elektron dalam material tersebut untuk menjadi elektron yang lebih bebas. Ini berarti, lebar celah pita energi yang dimiliki material yang tersusun dari sejumlah atom makin kecil. Makin banyak jumlah atom penyusun material maka makin kecil energi yang diperlukan untuk menghasilkan elektron-elektron yang hampir bebas, berarti makin kecil pula lebar celah pita energi. Sampai suatu saat, kebebasan elektron mencapai nilai saturasi di maka penambahan jumlah atom penyusun material tidak legi mengubah kekebasan elektron. Dalam keadaan ini lebar celah pita energi tidak lahi bergantung pada ukuran material. Lebar celah pita energi sama dengan lebar celah pita energi material dalam keadaan bulk. Kita dapat memprediksi bentuk kebergantungan lebar celah pita energi terhadap ukuran partikel sebagai berikut. Perhatikan Gbr 2.4. Misalkan terdapat satu atom terisolasi. Elektron sangat sulit keluar dari atom tersebut. Ini dapat dianalogikan dengan adanya barier potensial yang sangat tinggi yang ada di sekeliling elektron. Jika terdapat dua atom yang didekatkan maka barier potensial pada lokasi antara dua atom yang dialami elektron lebih rendah. Jika ada tiga atom, maka barier potensial antara atom yang dirasakan elektron makin rendah lagi dan lebih mudah bagi elektron berpindah antar atom-atom. Makin banyak atom penyusun material maka barrier potensial makin rendah. Dan ketika jumlah atom penyusun material sudah banyak sekali, yaitu menuju tak berhingga, maka barreir potensial yang dirasakan elektron mencapai nilai saturasi U. Jelas di sini bahwa 42

ketinggian barrier potensial makin kecil jika ukuran partikel makin besar. Salah pendekatan yang logis untuk menyatakan barrier potensial sebagai fungsi ukuran partikel adalah

U ( R) = U +

A R

(2.27)

dengan A dan adalah konstanta. Hubungan ini secara otomatis memberikan U jika R .

Gambar 2.4 Ilustrasi kebergantungan tinggi barrier potensial yang dirasakan elektron terhadap jumlah atom penyusun material

Tinggi barrier potensial secara langsung menentukan lebar celah pita energi. Hubungan antara lebar celah pita energi dengan ketinggian barrier potensial kira-kira memenuhi E g U . Dengan menggunakan persamaan (2.27) kita dapat mengaproksimasi kebergantungan lebar celah pita energi terhadap ukuran partikel sebagai

A E g ( R) U + R = E g ( ) + A' R
(2.28)

di mana A adalah konstanta dan Eg() adalah lebar celah pita energi material bulk.

Gambar 2.5 Elektron dan holeh terpisah hanya dalam jarak yang terbatas dalam
43

partikel nanometer yang berjari-jari R.

Ketika elektron tereksitasi, maka elektron hanya dapat meninggalkan lokasi awal (hole) dalam jarak yang sangat terbatas karena terbatasnya ukuran partikel. Ini diilustrasikan pada Gbr 2.5. Ini menyebabkan munculnya tarikan coulomb yang cukup kuat antara elektron dan hole yang pada akhirnya sedikit menurunkan lebar celah pita energi. Potensial tarikan antara elektron dan hole memenuhi

Ve h

1 R

(2.29)

dengan adalah konstanta dielektrik material. Dengan menggabungkan persamaan (2.28) dan (2.29) kita dapatkan bentuk umum kebergantungan lebar celah energi terhadap ukuran partikel adalah

E g ( R ) E g ( ) +

A' B R R

(2.30)

dengan B sebuah konstanta lain. Lebar celah pita energi nanopartikel semikonduktor terhadap ukuran partikel diturunkan secara sistematik oleh Brus dengan menggunakan pendekatan massa efektif. Brus mendapatkan persamaan

1 1 .8 e 2 E g ( R ) = E g ( ) + + * * R m mh 2R 2 e

2h2 1

(2.31)

44

dengan h adalah konstanta Planck, me* adalah massa efektif elektron, mh* adalah massa efektif hole, dan e adalah muatan elektron. Besaran yang memenuhi

1 1 + * * me m h

(2.32)

disebut mass tereduksi elektron dan hole. Persamaan (2.30) serupa dengan persamaan (2.31) jika diambil = 2. Tabel 2.1 adalah lebar celah pita energi dalam ukuran besar (bulk) dan massa effektif elektron dan hole dalam beberapa material semikonduktor. Gambar 2.6 adalah kebergantungan lebar celah pita energi terhadap ukuran nanokristal yang diperoleh dari sejumlah eksperimen.

Tabel 2.1 Lebar celah pita energi dalam ukuran besar (bulk) serta masse effektif elektron dan hole dalam beberapa material. Data massa efektif ditampilkan dalam satuan massa elektron (9,1 10-31 kg) Material Eg() dalam eV Massa elektron GaAs GaP GaSb InAs InP InSb CdS 1,4 2,3 0,7 0,4 1,3 0,2 2,6 0,07 0,12 0,20 0,03 0,07 0,01 0,21 0,09 0,50 0,39 0,02 0,69 0,18 0,80 efektif Massa efektif hole

45

CdSe CdTe ZnS ZnSe ZnTe ZnO PbS PbSe PbTe

1,7 1,5 3,6 2,7 2,3 3,44 0,4 0,3 0,3

0,13 0,14 0,40 0,10 0,10 0,24 0,25 0,33 0,22

0,45 0,37 5,41 0,60 0,60 0,45 0,25 0,34 0,29

Gambar 2.6 Kebergantunga lebar celah pita energi nanokristal silicon terhadap ukuran partikel yang diperoleh dari sejumlah eksperimen

Persamaan (2.31) cukup sesuai dengan hasil eksperimen jika ukuran partikel lebih besar dari 3 nm, tetapi agak menyimpang jika ukuran partikel kurang dari 3 nm. Hal ini disebabkan karena massa efektif tidak terlalu tepat digunakan jika ukuran partikel sangat kecil di mana partikel hanya mengandung ratusan atom. Pada persamaan (2.31) suku kedua muncul akibat keterbatasan ruang gerak elektron dan hole di dalam partikel (disebut confinemen effect). Efek ini memperbesar jarak antara pita valensi dan pita konduksi. Untuk material yang sagat besar (bulk) kita dapat mengambil R sehingga suku kedua nol, atau tidak ada efeknya pada jarak antar pita valensi dan konduksi. Suku ketiga muncul akibat adanya tarikan Coulomb antara elektron dan hole setelah elektron nengalami eksitasi. Karena ruang gerak elektron yang terbatas, maka jarak elektron dan hole tidak bisa jauh. Akibatnya, tarikan antara keduanya selalu ada yang berimbas pada 46

pengurangan energi yang dimiliki elektron setelah mengalami eksitasi. Jika ukuran partikel sangat besar (bulk) maka elektron dan hole dapat berpisah sangat jauh sehingga tarikan antara keduanya dapat dianggap nol. Akibatnya tidak ada pengurangan energi yang dimiliki elektron setelah meloncat ke pita valensi. Kebergantungan lebar celah pita energi terhadap ukuran partikel sebenarnya dapat diterima dengan mudah. Dari kuliah fisika kuantum yang dasar sekali kita sudah mempelajari bahwa tingkat energi partikel yang terperangkap dalam kotak dengan dimensi berhingga terkuantisasi dengan jarak antar tingkat energi berdekatan bergantung pada ukuran kotak. Agar lebih jelas, mari kita selidiki kembali fenomena ini dengan menganggap elektron ditempatkan dalam kotak satu dimensi yang panjangnya L. Potensial dalam kotak nol sedangkan potensial di luar kotak dari posisi dinding adalah tak berhingga seperti diilustrasikan pada Gb 2.7. Potensial pada semua posisi dapat diungkapkan secara matematis sebagai berikut
V ( x) = 0 jika x0

jika 0 < x < L jika xL

(2.33)

Gambar 2.7 Ilustrasi potensial partikel dalam kotak satu dimensi

Persamaan Schrodinger untuk fungsi gelombang elektron yang berada dalam kotak adalah

h2 d 2 = E 2m dx 2

(2.34)

47

dengan syarat batas yang harus dipenuhi oleh fungsi gelombang tersebut adalah

(0) = ( L) = 0

(2.35)

Solusi persamaan (2.34) dengan mengenakan syarat batas (2.35) memiliki bentuk umum

( x) = A cos(kx) + B sin( kx)

(2.36)

dengan

k2 =

2mE h2

(2.37)

dan A dan B adalah konstanta. Dengan menggunakan syarat batas (0) = 0 maka 0 = A 1 + B 0 yang menuntut bahwa A = 0. Jadi, persamamaan gelombang tereduksi menjadi

( x) = B sin( kx)

(2.38)

Kemudian, dengan menggunakan syarat batas ( L) = 0 diperoleh 0 = B sin( kL) . Kesamaan ini dipenuhi oleh sejumlah nilai k yang memenuhi

kL = n

(2.39) 48

atau

k=

n L

(2.40)

dengan n adalah bilangan bulat. Karena k memiliki nilai yang bergantung pada n maka akan lebih lengkap apabila menuliskan k disertai indeks n, yaitu

kn =

n L

(2.41)

Apabila persamaan (2.37) dan (2.41) digabung dan menerapkan indeks n juga pada energi, maka diperoleh tingkat-tingkat energi yang dapat dimiliki partikel adalah

En = n 2

2h 2
2mL2

(2.42)

Gambar 2.8 adalah skema tingkat-tingkat energi elektron dalam kotak potensial pada berbagai ukuran kotak. Jarak antar dua tingkat energi yang berdekatan, yaitu tingkat energi dengan indeks n dan n+1 adalah

E n = E n +1 E n = (2n + 1)

2h 2
2mL2

(2.43)

Tampak bahwa jarak antar tingkat energi bergantung pada ukuran kotak. Makin kecil ukuran kotak maka jarak antar tingkat energi berdekatan makin lebar. Ini adalah salah satu fenomena bahwa keadaan energi partikel sangat bergantung pada dimensi ruang di mana partikel tersebut berada. Juga tampak pada 49

persamaan (2.43) bahwa jarak antar tingkat energi berbanding terbalik dengan kuadrat dimensi kotak. Dengan demikian untuk material berbentuk partikel jarak antar tingkat energi pun diharapkan berubah secara kudrat terbalik terhadap dimensi partikel (jari-jarinya), yang pada akhirnya melahirkan kebergantungan lebar celah pita energi terhadap jari-jari partikel sebagai fungsi kebalikan pangkat dua jari-jari.

Gambar 2.8 Tingkat-tingkat energi elektron yang terperangkap dalam kotak sebagai fungsi ukuran kotak. Makin kecil ukuran kotak maka makin jauh jarak antara tingkat energi

Pengukuran yang lebih lengkap kebergantungan celah pita energi pada ukuran partikel ditampilkan pada Gbr 2.6 untuk patikel silicon. Hasil perhitungan secara teroretik berupa kurva juga ditampilkan. Tampak bahwa pengurangan ukuran partikel benar-benar memperbesar lebar celah pita energi. Carbon nanotube semikonduktor juga memperlihatkan kebergantungan lebar celah pita energi terhadap dimensi. Lebar celah pita energi membesar dengan mengecilnya diameter nanotube tersebut menurut persamaan

Eg =

2 o aC C d

(2.44)

dengan o = 2.5 eV, d adalah diameter carbon nanotube, dan aC-C adalah jarak antar atom karbon.

2.5 Efek Ukuran pada Reaktivitas Kimia 50

Jika ukuran partikel diperkecil ke dalam skala nanometer, reaktivitas material tersebut berubah secara drastis. Hal ini membuka peluang aplikasi baru yang tidak dapat diterapkan pada material berukuran besar. Sebagai contoh menarik adalah pengembangan elektroda negatif baterei litium-ion dengan menggunakan oksida logam transisi sebagai elektroda negatif. Penggunaan oksida logam transisi menuntut berlangsunya reaksi M + Li2O MO + 2 Li, dengan M adalah logam transisi. Namun, Li2O telah dibuktikan merupakan senyawa yang secara elektrokimia tidak aktif sehingga reaksi di atas sulit direalisasikan. Namun, Poizot dkk memperlihatkan bahwa jika ukuran partikel MO direduksi ke dalam orde nanometer, maka reaksi di atas dapat berlangsung, sehingga baterei lithium ion yang menggunakan oksida logam transisi sebagai elektoda negatif dapat diwujudkan. Dan dibuktikan, dengan menggunakan material ini sebagai elektroda negatif, maka sejumlah keunggulan dapat dicapai seperti kapasitas elektrokimia yang tinggi, kapasitas retention 100% hingga 100 siklus dan laju recharging yang tinggi. Reaktivitas kimia suatu partikel sangat bergantung pada jumlah atom yang ada para permukaan partikel karena atom-atom inilah yang akan melakukan kontak langsung dengan material pasangan. Misalkan sebuah partikel memiliki jari-jari R. Luas permukaan partikel adalah So = 4R2. Jika jari-jari efektif sebuah atom adalah a, maka luas penampang efektif satu atom adalah s = a2. Dengan demikian, jumlah atom yang menempati permukaan partikel adalah

S o 4R 2 Ns = = 2 s a

(2.45)

Volum partikel adalah Vo = (4/3)R3 dan volum satu atom adalah vo = (4/3)a3. 51

Dengan demikian jumlah atom yang terkandung dalam partikel berjari-jari R adalah

Vo R 3 N= = vo a 3

(2.46)

Akhirnya kita dapatkan fraksi atom yang menempati permukaan partikel adalah

N s 4a = N R

(2.47)

Tampak bahwa fraksi atom yang menempati permukaan partikel makin besar jika ukuran partikel makin kecil. Inilah sebab mengapa makin kecil ukuran partikel maka makin reaktif partikel tersebut terhadap rekasi kimia.

2.6 Efek Distribusi Ukuran pada Absorpsi Efek ukuran kuantum bergantung pada ukuran partikel. Oleh karena itu efek ukuran secara jelas dan unik akan termati jika kita bisa membuat partikel dengan ukuran seragam (monodisperse). Namun, nanopartikel yang benar-benar monodisperse hampir tidak mungkin dibuat. Dengan metode sintesis apa pun, yang dihasilkan selalu partikel dengan distribusi ukuran tertentu. Sejumlah metode mampu menghasilkan nanopartikel dengan distrubusi yang sangat sempit, sedangkan metode lainnya menghasilkan distribusi yang sangat lebar. Seringkali untuk menghasilkan partikel-partikel dengan distribusi yang sempit, perlakuan khusus dilakukan pada partikel yang telah dibuat seperti penyaringan (filter), sentrifuge, elektroforesis, dan sebagainya.

52

2.9 Contoh distribusi ukuran partikel: (kiri) partikel yang mengandung variasi ukuran yang sangat besar dan (kanan) partikel dengan ukuran yang mendekati seragam

Gambar 2.9 adalah contoh kurva distribusi partikel. Pada Gbr 2.9 kiri, partikel yang dibuat mengandung ukuran yang sangat bervariasi, dengan jangkauan ukuran yang sangat lebar. Sampel partikel semacam ini sering disebut polidispersi. Sebaliknya pada Gbr. 2.9 kanan, partikel memiliki ukuran-ukuran pada jangkauan yang sempit. Sampel semacam ini disebut monodisperse. Dalam literatur, jika disebut partikel monodispersi tidak bermakna ukuran partikel semuanya sama, tetapi variasi ukuran partikel sangat sempit. Dengan variasi ukuran partikel pada sampel yang dibuat maka secara otomatis sifat keseluruhan dari sampel merupakan kombinasi dari sifat-sifat partikel individual. Jika tidak ada interaksi antar partikel penyusun sampel maka sifat keseluruhan dari sampel harus merupakan superposisi sederhana dari sifat partikel individual. Sebagai contoh, jika (r) adalah sifat dari partikel tunggal dengan jari-jari r, maka sifat keseluruah dari sampel, , dapat ditulis secara sederhana sebagai

= f (r ) (r )dr
0

(2.48)

dengan f(r) adalaf frekuensi distribusi partikel dengan jari-jari r. Umumnya ukuran nanopartikel yang dibuat lebih sering memenuhi fungsi 53

distribusi log-normal daripada fungsi-fungsi distribusi lainnya. Dalam fisika aerosol, asumsi distribusi log-normal bagi ukuran partikel aerosol telah digunakan secara luas karena dari sejumlah pengamatan memang fungsi distribusi log-normal lebih mendekati realitas. Juga ukuran nanokristal dalam poros silikon juga dapat dijelaskan dengan baik menggunakan fungsi distribusi log-normal. Fungsi log-normal juga sering digunakan untuk mendeskripsi ukuran partikel dari hasil proses koagulasi. Menurut distribusi ini, konsentrasi partikel yang memiliki jari-jari antara r sampai r+dr memenuhi

ln 2 r / rg f (r ) dr = exp dr 2 2 r ln 2 ln N0

(2.49)

dengan adalah standar deviasi geometri dan rg adalah median jari-jari. Parameter mengukur sebaran ukuran partikel. Partikel disebut monodispersi jika

1. Median jari-jari rg adalah jari-jari di mana setengah dari jumlah partikel


memiliki jari-jari kurang dari rg dan setengahnya memiliki jari-jari lebih besar dari rg , atau

rg

f (r )dr =

f (r )dr =

rg

N 2

(2.50)

dengan N adalah jumlah total partikel. Untuk mendapatkan informasi bagaimana lebar sebaran ukuran partikel, kita bisa peroleh melalui parameter full width at half maximum (FWHM), seperti 54

diilustrasikan pada Gbr 2.10. Parameter ini menyatakan berapa lebar kurva pada ketinggian setengah dari ketinggian maksimum. Dapat dibuktikan bahwa FWHM memenuhi

FWHM = 2 rg exp ln 2 sinh ln ln 4

[ (

)]

(2.51)

Gambar 2.10 Ilustrasi FWHM untuk fungsi distribusi ukuran partikel

Gambar 2.11 (Kiri) spectrum absoprsi nanopartikel CdS yang dibuat di dalam matrik polimer oleh Yao dan Kitamura. Titik-titik adalah hasil pengukuran dan kurva adalah hasil fitting. (Kanan) Fungsi distribusi log-normal nanopartikel CdS yang digunakan untuk membuat kurva fitting pada gambar kiri.

Contoh aplikasi pendekatan ini dilakukan oleh Yao dan Kitamura memprediksi spektrum absorpsi nanopartilel CdS yang dibuat dalam matriks polimer menggunakan hubungan

( ) = k d ( ) f (d ) d ln(d )

(2.52)

dengan d ( ) adalah koefisien absorpsi partikel tunggal yang berdiameter d , k adalah sebuah konstanta, dan f (d ) adalah fungsi distribusi ukuran dalam bentuk log-normal. Gambar 2.11 kiri adalah spektrum absorpsi berbagai komposit nanopartikel dalam matriks polimer serta kurva fitting yang bersesuaian. Dalam membuat kurva fitting, distribusi log-normal untuk ukuran partikel telah 55

digunakan. Distribusi ukuran nanopartikel tampak pada Gbr. 2.11 kanan. Parameter-parameter fungsi distribusi tersebut adalah A: ( 2rg = 2.7 ; = 0.37 ); B: ( 2rg = 2.4 ; = 0.37 ); C: : ( 2rg = 2.4 ; = 0.31 ).

Efek Ukuran pada Piranti Elektronik

Masalah yang berkaitan dengan reduksi ukuran divais


Ketebalan gerbang oksida MOSFET dengan panjang kanal beberapa micrometer umumnya sekitar 100 nm. Dengan penggunaan tegangan gerbang sekitar 5 Volt maka dihasilkan medan listrik dalam oksida sekitar 5 Volt/100 nm = 5 107 V/m. Nilai medan tersebut cukup besar tetapi masih aman karena berada di bawah ambang batas avalenche breakdown material. Untuk merealisasikan divais MOS dengan panjang kanal submikrometer diperlukan ketebalan lapisan oksida di bawah 100 nm. Sebagai contoh, dengan menggunakan lapisan oksida yang memiliki ketebalan antara 20 sampai 30 nm maka penerapan tegangan gerbang sekitar 5 Volt menghasilkan medan listrik dalam oksida antara 1,7 109 sampai 2,5 109 V/m. Medan tersebut sangat besar sehingga meningkatkan peluang terjadinya avalenche breakdown material serta meningkatkan peluang terjadinya

penerobosan elektron (elektron tunneling) melewati oksida. Ke dua fenomena tersebut merusak performance MOS yang dibuat. Piranti mikroelektronik yang dikembangkan sekarang didasarkan pada asumsi bahwa atom dopan yang dimasukkan dalam bahan semikonduktor host tersebar secara merata. Untuk divais dengan ukuran besar, asumsi penyebaran yang merata tersebut dapat dianggap benar. Penyimpangan jumlah dopan hingga 10% tidak mempengaruhi sifat divais secara signifikan. Namun masalah muncul jika

56

ukuran piranti direduksi ke dalam ukuran pulunan nanometer. Masalah homogenitas sebaran atom dopan mulau timbul. Sebagai contoh, misalkan silicon tipa-p yang didop dengan boron dengan konsentrasi atom dopan sekitar 1022 atom/m3. Konsentrasi atom dopan per satuan luas adalah (1022)2/3 = 5 1014 atom/m2 = 500 atom/m2. Untuk transistor MOS yang memiliki ukuran kanal 1 m 1 m, jumlah atom boron pada gerbang sekitar 500 atom. Penyimpangan sekitar 50 atom saja dari nilai teoretik tersebut tidak mengubah sifat MOS secara signifikan. Tetapi jika ukuran kanal adalah 100 nm 100 nm = 0,1 m 0,1 m maka jumlah atom dopan dalam gerbang hanya sekitar 5 atom. Kesalahan penempatan dopan dapat menyebabkan jumlaha tom pada gerbang hanya 4 atau 6, atau 3 atau 7. Nilai-nilai tersebut secara relatif menyimpang sangat jauh dari 5. Dengan demikian, bisa jadi MOSFET yang dibuat tidak bekerja sesuai dengan yang diharapkan. Dan maasalah bertambah serisu jika ukuran kanal lebih kecil lagi. Disipasi panas juga menjadi masalah serius ketika ukuran divais elektronik direduksi ke skala nanometer. Reduksi ukuran divais berimplikasi pada peningkatan jumlah komponen yang ditempatkan dalam satu chip yang berarti pula terjadi peningkatan disipasi panas oleh chip tersebut. Sebagai ilustrasi, untuk gerbang logika dengan disipasi daya sangat rendah, yaitu sekitar 10-5 Watt per gerbang pun masih timbul masalah pada manajemen panas untuk chip. Pada VLSI CMOS canggih sekarang, jumlah gerbang dalam satu chip berkisar antara 106 sampai 107. Dengan demikian, kalor yang didisipasi chip tersebut berkisar antara 10 Watt hingga 100 Watt. Ini adalah nilai yang sangat besar dan perlu sistem pendingin canggih untuk menghindari kerusakan IC karena peningkatan suhu yang tidak terkontrol. Prosesor Intel Pentium IV yang ada melepaskan panas sekitar 80 Watt. 57

Piranti Nanoelektronik Kuatum


Pengembangan piranti nanoelektronik sebagai basis teknologi masa depan yang akan menggantikan teknologi mikroelektronik tidak lagi menggunakan konsep-konsep klasik dalam menjelaskan fenomena transfer muatan di dalam divais. Dalam dimensi yang sangat kecil, yaitu beberapaa nanometer, fenomena kuantum mulai muncul secara signifikan. Transfer muatan dalam divais dikontrol oleh prinsip-prinsip mekanika kuantum. Contoh fenomena yang diyakini akan berperan penting dalam pengembangan piranti nanoelektronik adalah penerobosan resonansi dan Coulomb blockade. Dengan memanfaatkan fenomena tersebut para peneliti mencoba mengembangkan divais penerobosan resonansi (resonance tunneling device, RTD), divais elektron tunggal (single elektron device, SED), dan titik kuatum (quantum dot, QD). RTD bekerja atas fenomena penerobosan elektron melalui penghalang kompleks yang memiliki keadaan intermediate. Sebagaimana dipelajari di kuliah fisika kuantum, jika elektron yang memeiliki energi E o bergerak menuju

penghalang potensial yang ketinggianya V , di mana V > E o maka elektron hampir tidak dapat melewati potensial tersebut. Dengan perkataan lain hampir tidak ada elektron yang ditransmisikan melalui penghalang potensial, seperti diilustrasikan pada Gbr 2.12.

Gambar 2.12 Penerobosan elektron pada penghalang potensial

Tetapi, jika penghalang potensial sangat tipis dalam orde kira-kira sama dengan

58

panjang gelombang de Briglie dari elektron, maka ada peluang elektron menerobos penghalang. Panjang gelombang de Broglie elektron adalah = h / p , dengan h konstanta Planck dan p adalah momentum elektron. Fenomena tersebut disebaut penerobosan atau tunneling. Peluang penerobosan makin besar jika penghalang potensial sangat tipis. Contoh penghalang potensial adalah lapisan oksida. Lapisan oksida adalah bahan isolator sehingga dapat dianalogikan sebagai penghalang potensial yang sangat tinggi. Jika oksida tersebut sangat tipis maka ada peluang elektron dari satu elektroda pindah ke elektroda lainnya menembus lapisan oksida tersebut.

Peluang elektron menerobos penglanag potensial memenuhi

Peluang e 2 kL

(2.53)

Dengan L tebal penghalang dan

k=

8 2 m (V E o ) h2

(2.54)

dengan m massa elektron. Fenomena menarik terjadi jika penghalang potensial memiliki sejumlah keadaan energi intermediate di mana minimal salah satu tingkat energi intermediate tersebut sama dengan energi elektron datang, seperti diilustrasikan pada Gbr. 2.13. Akan terjadi resonansi fungsi gelombang elektron di luar dan di dalam penghalang yang berimbas pada peningkatan secara dramatis probabilitas 59

penerobosan elektron melewati penghalang tersebut. Peluang penerobosan bahkan bisa mendekati satu. Fenomena ini telah diamati pada struktur GaAs/AlGaAs yang dibuat dengan metode molecular beam epitaxy (MBE).

Gambar 2.13 Material yang memiliki keadaan intermediate dapat menyebabkan transmisi elektron melalui penghalang potensial mendekati satu karena terjadi resonansi

Ide SED bermula dari penemuan fenomena Coulomb Blockade oleh Licharev dan Grabert & Devoret. Prinsip dari fenomena ini sangat sederhana sebagai berikut. Seperti diilustrasikan pada Gbr 2.14, transfer elektron antara dua partikel yang dipisahkan oleh jarak yang sangat kecil menciptakan potensial penghalang

E =

e2 2C

(2.55)

dengan e muatan elektron dan C aadalah kapasitansi partikel. Kapasitansi partikel dapat dihitung sebagai berikut. Misalkan sebuah partikel memiliki jari-jari R dan mengandung muatan Q. Dengan hukum coulomb kita dapat menghitung dengan sederhana potensial di permukaaan partikel, yaitu

V =

Q 4 o R
1

(2.56)

dengan o permitivitas listrik vakum dan konstanta dielektrik medium di 60

sekitar partikel. Kapasitansi yang dimiliki partikel menjadi

C=

Q = 4 oR V

(2.57)

Gambar 2.14 Transfer elektron menciptakan barrier potensial

Pada suhu T energi termal elekron adalah kT dengan k adalah konstanta Boltzmann. Jika jari-jari partikel sangat besar maka kapasitasi sangat besar sehingga penghalang potensial yang diciptakan akibat transfer satu elektron mendekati nol. Jika ketinggian penghalang potensial lebih kecil dari energi termal elektron maka elektron berikutnya tidak mengalami hembatan untuk berpindah ke partikel yang sudah ditempati oleh elektron sebelumnya. Sebaliknya, jika ukuran partikel sangat kecil maka kapasitansi partikel juga sangat kecil. Perpindahan elektron ke suatu partikel menciptakan penghalang potensial yang cukup tinggi. Jika penghalang potensial tersebut jauh lebih besar dari energi termal elektron, maka keberadaan satu elektron di suatu partikel mencegah kedatangan elektron lain ke partikel tersebut. Fenomena inilah yang disebut Coulomb Blockade. Dengan demikian satu partikel praktis hanya dapat diisi oleh satu elektron. Inilah prinsip kerja divais elektron tunggal. Fenomena Coulomb Blockade pertama kali diamati pada partikel indum dengan diameter 300 nm pada suhu 4,2 K. Untuk partikel dengan ukuran di bawah 5 nm, fenomena Coulomb blockasde dapat diamati hingga pada suhu kamar. Contonya adalah fenomena coulomb blockade pada partikel CdS yang berukuran 3 nm yang dibuat pada film LB. Dalam kondisi CB, transfer elektron antara dua elektroda di mana di 61

dalamnya ditempatkan nanopartikel secara assimetri (jarak nanopartikel ke masing-masing elektroda adalad d1 dan d2 di manna d1 d2), seperti diilustrasikan pada Gbr 2.15, memperlihatkan kurva perubahan arus terhadap potensial yang menyerupai tangga.

Gambar 2.15 Transfer elektron antara dua elektroda melalui nanopartikel yang dipasang secara asimetri

Ketika elektron dari satu elektroda pindah ke partikel maka tercipta potensial penglanag sebesar

V =

E e = e 2C

(2.58)

Ketika beda potensial aantara dua elektroda dinaikkan dari nol maka tidak ada arus yang mengalir selama V masih lebih kecil dari e/2C. Arus baru muncul tiba-tiba ketika V = e/2C. Arus ini dihasilkan oleh transfer satu elektron. Ketika potensial dinaikkan lagi maka arus tidak berubah selama potensial masih lebih kecil dari 2e/2C karena potensial tersebut belum memungkinkan terjanya transfer dua elektron. Arus meningkat secara tiba-tiba ketika potensial yang diberikan sama dengan 2e/2C di mana arus mengalir dihasilkan oleh transfer dua elektron. Peningkatan potensial lebih lanjut akan mempertahanan nilai arus hingga potensial menjadi 3e/2C yang diakibatkan oleh transfer tiga elektron. Begitu seterusnya. Dengan demikian, kurva arus sebagai fungsi potensial akan berupa tangga seperti pada Gbr 2.16.

62

Gambar 2.16 Kurva arus sebagai fungsi potensial yang berbentuk tangga

63