Comunicaciones pticas Lseres DBR

[1]

Distributed Bragg Reflector:

Capas alternadas de diferente ndice de reflexin. Reflexin e interferencia constructiva. Para longitudes de onda aproximadamente 4 veces el espesor ptico de las capas.

Reflexin:

Banda de rechazo:

Distributed Bragg Reflector Laser:

La corriente no pasa por la zona activa. sta!ilidad respecto a la temperatura. "odulacin directa. Line#idth pe$ue%o.

La longitud de onda emitida depende de las corrientes de las re&illas

La estructura fsica de lser esta construida a partir del proceso de Deposicin de Vapor ediante !rocesos "umicos #r$anometlicos% & #V!'(

DBR

[)]

Capa acti*a +,-nm

'sta formada por .a/01 2s/0,! em3e3ido en -//nm de espesor de 2l/45-.a/4)-2s de capas de $uas de onda4 Las capas de re*estimiento estn formadas por 1/// nm de espesor de 2l/4+.a/4)2s

Distri3ucin espectral del lser +,-nm

!rue3as

!ara un dispositi*o con un resonador de lon$itud 1mm 6 ranurado de 1//um las caractersticas de corriente fueron medidas a 17890 1 us 6 arro:o los *alores de; <um3ral=1)-m2 >lope efficienc6 to > = /4+5 ?@20 'ficiencia diferencial= A-B Cemperatura um3ral de AD7

!ara lo$rar la reflecti*idad necesaria para el espe:o DBR0 la ancEura mnima de la re:illa 6 el espesor de la capa de3e ser a:ustada cuidadosamente4

Variacin de 1// a +//nm DBR -//um

Caractersticas importantes4

edicin de campo cercano

edicin de campo le:ano

edicin de intensidad en el campo le:ano4

Confia3ilidad de los L2>'R fa3ricados4

Bi3lio$rafia

[1] Ettp;@@FFF4f3E3erlin4de@pu3liGationen@freHuent@ /DIE63ridIdiodeIlaserImodules@tEemaIE63ridI diodeIlaserImodules [1] B4 >umpf0 J4 KricGe0 4 aiFald0 24 uller0 !4 Ressel0K4 Bu$$e0 .4 'r3ert and .4 CranGle4 ?a*elen$tE sta3iliLed +,- nm DBRIrid$e Fa*e$uide lasers FitE an output poFer of up to 11- m?4 >emiconductor >cience and CecEnolo$64 Vol 1A4 arLo 11 1/1D

[)] Ettp;@@en4FiGipedia4or$@FiGi@ etalor$anicM* apourMpEaseMepitaN6