Elektronika - Teori Dan Penerapan-BAB1-Sc
Elektronika - Teori Dan Penerapan-BAB1-Sc
). Tegangan cut-in (V
) ini ki-
ra-kira sebesar 0.2 Volt untuk dioda germanium dan 0.6 Volt untuk dioda silikon. Dengan
pemberian tegangan baterai sebesar ini, maka potensial penghalang (barrier potential) pada
persambungan akan teratasi, sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat.
Bagian kiri bawah dari grafik pada gambar 1.14 merupakan kurva karakteristik dioda
saat mendapatkan bias mundur. Disini juga terdapat dua kurva, yaitu untuk dioda germanium
dan silikon. Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current) Is untuk dioda germa-
nium adalah dalam orde mikro amper dalam contoh ini adalah 1 A. Sedangkan untuk dioda
silikon Is adalah dalam orde nano amper dalam hal ini adalah 10 nA.
Apabila tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus, maka sua-
tu saat akan mencapai tegangan patah (break-down) dimana arus Is akan naik dengan tiba-
tiba. Pada saat mencapai tegangan break-down ini, pembawa minoritas dipercepat hingga
mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom. Ke-
mudian elektron ini juga dipercepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya se-
makin besar. Pada dioda biasa pencapaian tegangan break-down ini selalu dihindari karena
dioda bisa rusak.
Herman Dwi Surjono, Ph.D.
16
Hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan dalam per-
samaan matematis yang dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu:
.......(1.2)
dimana:
ID = arus dioda (amper)
Is = arus jenuh mundur (amper)
e = bilangan natural, 2.71828...
VD = beda tegangan pada dioda (volt)
n = konstanta, 1 untuk Ge; dan 2 untuk Si
VT = tegangan ekivalen temperatur (volt)
Harga Is suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur, tingkat doping dan geometri dioda. Dan
konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan parameter fisik dioda. Sedangkan harga VT
ditentukan dengan persamaan:
ID (mA)
Ge Si
Si Ge
VA-K (Volt)
Is(Si)=10nA
Is(Ge)=1A
0.2 0.6
Gambar 1.14 Kurva karakteristik dioda
ID = Is [e
(VD/n.VT)
- 1]
17
Bab 1. Dioda Semikonduktor
......................(1.3)
dimana:
k = konstanta Boltzmann, 1.381 x 10
-23
J/K
(J/K artinya joule per derajat kelvin)
T = temperatur mutlak (kelvin)
q = muatan sebuah elektron, 1.602 x 10
-19
C
Pada temperatur ruang, 25
o
C atau 273 + 25 = 298 K, dapat dihitung besarnya VT yaitu:
(1.381 x 10
-23
J/K)(298K)
VT =
1.602 x 10
-19
C
= 0.02569 J/C
26 mV
Harga VT adalah 26 mV ini perlu diingat untuk pembicaraan selanjutnya.
Sebagaimana telah disebutkan bahwa arus jenuh mundur, Is, dipengaruhi oleh bebera-
pa faktor seperti: doping, persambungan, dan temperatur. Namun karena dalam pemakaian
suatu komponen dioda, faktor doping dan persambungan adalah tetap, maka yang perlu men-
dapat perhatian serius adalah pengaruh temperatur. Gambar 1.15 menunjukan kurva bias ma-
ju untuk beberapa macam temperatur.
kT
VT =
q
Herman Dwi Surjono, Ph.D.
18
Apabila temperatur dioda dinaikkan, maka tegangan cut-in (V) turun. Sebaliknya bi-
la temperatur turun, maka V naik. Dengan asumsi bahwa ID tetap, hubungan antara tempe-
ratur dengan tegangan cut-in (V) dapat dinyatakan dengan persamaan:
.......(1-4)
dimana:
To = temperatur ruang, atau 25
O
C
T1 = temperatur dioda yang baru (
O
C)
V(T1) = tegangan cut-in pada temperatur ruang (volt)
V(To) = tegangan cut-in yang baru (volt)
k = koefisien temperatur dalam V/
O
C
Harga k umumnya oleh para ahli dianggap tetap, yaitu:
k = -2.5 mV/
O
C untuk dioda germanium
k = -2.0 mV/
O
C untuk dioda silicon
Selain mempengaruhi tegangan cut-in (V), temperatur dioda juga mempengaruhi arus
jenuh mundur, Is. Arus Is kira-kira naik dua kali lipat apabila temperatur dioda naik 10
O
C.
Gambar 1.16 menunjukkan perubahan kurva bias mundur untuk beberapa macam temperatur.
VD (Volt)
ID (mA)
0.66 0.68 0.70
45
o
C
25
o
C
35
o
C
untuk ID tertentu,
VD turun bila suhu
dinaikkan
Gambar 1.15 Pengaruh temperatur pada kurva bias maju
V(T1) - V(To) = k(T1 - To)
19
Bab 1. Dioda Semikonduktor
Secara matematis pengaruh temperatur terhadap arus Is dapat dinyatakan:
.......(1.5)
1.9 Resistansi Dioda
Karena kurva karakteristik dioda tidak linier, maka resistansi dioda berbeda-beda anta-
ra satu titik operasi ke titik operasi lainnya. Pemberian tegangan dc kepada suatu rangkaian
yang ada dioda semikonduktornya akan menentukan titik kerja dioda tersebut pada kurva ka-
rakteristik. Apabila tegangan dc yang diberikan tidak berubah maka titik kerja dioda juga ti-
dak berubah. Perbandingan antara tegangan pada titik kerja dengan arus yang mengalir pada
dioda disebut dengan Resistansi DC atau Resistansi Statis.
......................(1.6)
Resistansi dc pada daerah bias maju akan lebih kecil dibanding dengan resistansi pada
daerah bias mundur. Untuk lebih jelasnya dapat diperhatikan contoh 1.1 di bawah ini.
VD
ID
(A)
25
O
C
35
O
C
45
O
C
55
O
C
-1
-2
-4
-8
Gambar 1.16 Pengaruh temperatur terhadap kurva bias mundur
Is(T2) = Is(T1).2
(T2 - T1)/10
V
D
R
D
=
I
D
Herman Dwi Surjono, Ph.D.
20
Contoh 1.1:
Tentukan resistansi dc dioda dengan kurva karakteristik seper-
ti gambar 1.17 pada:
(a) I
D
= 2 mA
(b) I
D
= 20 mA
(a) V
D
= -10 V
Penyelesaian:
(a) Pada I
D
= 2 mA, V
D
= 0.5 V (dari kurva), maka
V
D
0.5V
R
D
= = = 250
I
D
2mA
(b) Pada I
D
= 20 mA, V
D
= 0.8 V (dari kurva), maka
V
D
0.8V
R
D
= = = 40
I
D
20mA
V
D
(Volt)
ID (mA)
-1A 0.5 0.8
-10 V
Gambar 1.17 Contoh 1.1
21
Bab 1. Dioda Semikonduktor
(a) Pada V
D
= -10 V, ID = Is = -1A (dari kurva), maka
V
D
10V
R
D
= = = 10 M
I
D
1A
Apabila sinyal sinus diberikan di sekitar titik kerja, maka titik kerja akan berayun ke
atas dan ke bawah. Perbandingan antara perubahan tegangan dengan perubahan arus disekitar
titik kerja disebut dengan Resistansi AC atau Resistansi Dinamik. Perubahan tegangan
maupun arus harus dibuat sekecil mungkin serta titik-Q merupakan titik tengahnya perubahan
tersebut.
Menetukan resistansi dinamik secara grafis seperti diuraikan di atas diperlukan adanya
kurva karakteristik dengan skala pengukuran yang benar. Cara lain untuk menentukan resis-
tansi dinamik adalah melalui persamaan matematis. Yaitu dengan mendiferensialkan persa-
maan 1.2, maka diperoleh:
d d
(i
D
) = {Is[e
(VD/n.VT)
- 1]}
dV
D
dV
D
V
d
r
d
=
I
d
I
d
V
d
titik-Q
karakteristik
dioda
Gambar 1.18 Menentukan Resistansi ac atau resistansi dinamik
Herman Dwi Surjono, Ph.D.
22
di
D
(i
D
+ Is)
=
dV
D
n.VT
Resistansi dinamik adalah kebalikan dari persamaan tersebut, yaitu:
n.VT
rd =
(i
D
+ Is)
Karena i
D
>> Is, dan dianggap n = 1 dan VT = 26mV, maka:
26 mV
rd =
i
D
.................(1.7)
Persamaan (1.7) ini akan valid (tepat) hanya untuk bagian kurva yang mendekati ver-
tikal. Apabila harga ID cukup kecil dan harga n = 2, maka hasilnya perlu dikalikan 2. Resis-
tansi total dari komponen dioda adalah rd ditambah dengan resistansi bahan semikonduktor
(bulk resistansi) serta resistansi karena hubungan konektor dengan bahan (contact resistansi).
1.10 Rangkaian Ekivalen Dioda
Rangkaian ekivalen adalah gabungan dari beberapa elemen yang dianggap paling me-
wakili karakteristik suatu komponen atau sistem yang sesungguhnya. Oleh karena itu suatu
komponen dapat diganti dengan rangkaian elkivalennya tanpa mempengaruhi keseluruhan sis-
tem dimana komponen tersebut berada. Dalam banyak hal, penggantian komponen dengan
ekivalennya akan memudahkan dalam analisis rangkain. Istilah rangkaian ekivalen dioda ini
sering juga disebut dengan model dioda.
Secara umum terdapat tiga macam pendekatan yang digunakan untuk membuat rang-
kaian ekivalen suatu dioda semikonduktor. Pendekatan yang paling sederhana adalah model
dioda ideal. Gambar 1.19 menunjukkan model dioda ideal dan karakteristiknya.
26 mV
rd =
i
D
23
Bab 1. Dioda Semikonduktor
Dioda ideal menyerupai suatu saklar, bila VD positip saklar akan menutup (dioda ON)
sehingga arus ID besar dan bila VD negatip saklar akan membuka (dioda OFF) sehingga arus
ID = 0. Model dioda ideal dipakai terutama dalam kondisi apabila tegangan dan resistansi ja-
ringan sangat besar, misalnya dalam power supply.
Pendekatan kedua adalah lebih lengkap dari model ideal yaitu model dioda sederhana.
Gambar 1.20 menunjukkan model dioda sederhana dan karakteristiknya. Rangkaian ekiva-
lennya terdiri atas dioda ideal yang diseri dengan tegangan baterai sebesar 0.7 V (untuk dioda
silikon). Tegangan baterai ini sebesar tegangan cut-in dari dioda yang bersangkutan.
Pendekatan ketiga adalah yang paling komplek yaitu rangkaian ekivalen piecewise-
linier. Meskipun rangkaian ekivalen ini dianggap paling akurat, namun bagian nonlinier dari
kurva bias maju tetap dianggap sebagai linier. Sehingga diperoleh seperti gambar 1.21.
I
D
V
D
0
I
D
+ V
D
-
(a)
(b)
Gambar 1.19 Model dioda ideal (a) dan karakteristiknya (b)
Herman Dwi Surjono, Ph.D.
24
1.11 Ringkasan
Dioda semikonduktor dibentuk dengan menyambungkan dua buah bahan semikonduk-
tor tipe P dan tipe N. Bahan semikonduktor tipe P mempunyai pembawa muatan mayoritas
hole, sedangkan pada tipe N pembawa muatan mayoritasnya adalah elektron. Dengan demi-
kian pada persambungan dua bahan tersebut timbul daerah pengosongan.
Apabila dioda semikonduktor diberi bias maju, maka arus akan mengalir. Namun
apabila dioda diberi bias mundur, maka dioda tidak mengalirkan arus, hanya terdapat arus
yang sangat kecil yang disebut dengan arus bocor.
(a
Gambar 1.20 Model dioda sederhana (a) dan karakteristik-
nya (b)
I
D
V
D
0 (b)
V=0.7
tegak lu-
rus
I
D
+ V
D
V=0.7V
dioda ideal
(a)
Gambar 1.21 Model dioda sederhana (a) dan karakteristiknya (b)
I
D
+ V
D
-
V=0.7V
dioda ideal
I
D
V
D
0 (b)
V=0.7V
rd
25
Bab 1. Dioda Semikonduktor
1.12 Soal Latihan
1. Jelaskan karakteristik bahan konduktor, semikonduktor, dan isolator!
2. Mengapa atom silikon dan atom germanium disebut dengan atom tetra-valen?
3. Jelaskan bahan semikonduktor intrinsik dan ekstrinsik!
4. Berapa joule energi yang dibutuhkan untuk memindahkan muatan sebesar 6 Coulomb
melalui beda potensial sebesar 3V?
5. Jelaskan bagaimana cara memperoleh bahan semikonduktor tipe N dan jelaskan karakte-
ristiknya!
6. Jelaskan bagaimana cara memperoleh bahan semikonduktor tipe P dan jelaskan karakte-
ristiknya!
7. Apa yang dimaksud dengan ikatan kovalen?
8. Jelaskan struktur dan karakteristik dioda semikonduktor!
9. Parameter dioda apa saja yang diperngaruhi oleh perubahan temperatur? Jelaskan!
10. Jelaskan definisi resistansi dinamik dioda!
Herman Dwi Surjono, Ph.D.
26
Sumber Pustaka
Boylestad and Nashelsky. (1992). Electronic Devices and Circuit Theory, 5th ed. Engelwood
Cliffs, NJ: Prentice-Hall, Inc.
Floyd, T. (1991). Electric Circuits Fundamentals. New York: Merrill Publishing Co.
Malvino, A.P. (1993). Electronic Principles 5th Edition. Singapore: McGraw-Hill, Inc.
Milman & Halkias. (1972). Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems.
Tokyo: McGraw-Hill, Inc.
Savant, Roden, and Carpenter. (1987). Electronic Circuit Design: An Engineering Approach.
Menlo Park, CA: The Benjamin/Cummings Publishing Company, Inc.
Stephen, F. (1990). Integrated devices: discrete and integrated. Englewood Cliffs, NJ: Pren-
tice-Hall, Inc.