The percentage of non-absorbed sunlight (AM 1.5) in a 200 m thick solar cell made of silicon is approximately 10%.

1941, divais fotovoltaik pertama dibuat berdasarkan prinsip grown-in junctions hasil pemisahan pengotor selama proses rekristalisasi. Efisiensi diperkirakan dibawah 1% Sel sulit difabrikasi karena sulit mengatur lokasi sambungan.

Pengembangan teknik penumbuhan kristal dalam hal pendopingan mendasari Pearson, Fuller dan Chapin dari Bell Laboratories mengembangkan sel surya modern pertama pada 1954. Sel ini menggunakan difusi Lithium sebagai dopan diperoleh efisiensi sekitar 4.5%. Difusi Lithium digantikan Boron, efisiensi meningkat hingga 6%. Sel ini menggunakan dua kontak belakang (rear contact)

Awal 1960an dengan menggunakan terrestrial sunlight, efisiensi dilaporkan sekitar 14% dengan perbaikan kontak dibagian atas. Absorber silikon tipe-p (hasil doping boron) karena keunggulannya dalam ketahanan terhadap radiasi matahari. Sudah mengguanakan Lapisan Antirefleksi yaitu Silikon Monoksida.

Awal 1970an beberapa inovasi diperkenalkan. alloying aluminium into the rear of the cell menghasilkan heavily doped p-type layer pada permukaan belakang sel. Proses dikenal sebagai back surface field. Contact Finger dibuat lebih halus Sudah menggunakan surface texturing berupa piramid random diatas permukaan sel surya. Efisiensi didapatkan sekitar 17%