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Manual de Engenharia

para
Sistemas Fotovoltaicos
Manual de Engenharia
para
Sistemas Fotovoltaicos
Organizadores:
Joo Tavares Pinho
Marco Antonio Galdino
CEPEL CRESESB
Edio Revisada e Atualizada
Rio de Janeiro Maro 2014
COORDENAO E ORGANIZAO DESTA
EDIO
Joo Tavares Pinho - UFPA
Marco Antonio Galdino - Cepel
ELABORAO:
Adriano Moehlecke - PUC-RS
Alexandre de Albuquerque Montenegro - UFSC
Alexandre Jos Bhler - UFRGS
Ana Paula Cardoso Guimares - Cepel
Andr Ricardo Mocelin - USP
Arno Krenzinger - UFRGS
Ary Vaz Pinto Junior - Cepel
Bruno Eduardo Montezano PUC-RJ
Cesar Wilhelm Massen Prieb - UFRGS
Chigueru Tiba - UFPE
Claudio Moises Ribeiro - UFES
Claudomiro Fbio de Oliveira Barbosa - UFPA
Edinaldo Jos da Silva Pereira - UFPA
Eduardo Filippo Oliveira Allatta - CBEM
Elielza Moura de Souza Barbosa - UFPE
Fabiano Perin Gasparin - UFRGS
Giuliano Arns Rampinelli - UFRGS
Izete Zanesco - PUC-RS
Joo Tavares Pinho - UFPA
Jos Geraldo de M. Furtado - Cepel
Leonardo dos Santos R. Vieira - Cepel
Lucas Rafael do Nascimento - UFSC
Luis Carlos Macedo Blasques - UFPA
Marcia da Rocha Ramos - Cepel
Marco Antonio Galdino - Cepel
Marcos Andr Barros Galhardo - UFPA
Maria das Graas Pimentel de Figueiredo CBEM
Marta Maria de Almeida Olivieri - Cepel
Naum Fraidenraich - UFPE
Olga de Castro Vilela - UFPE
Osvaldo Lvio Soliano Pereira - CBEM
Patrcia de Castro da Silva - Cepel
Philippe Cedraz Lopes CBEM/UNIFACS
Rafael Haag - UFRGS
Renan Cleberson Carneiro Silva CBEM/UNIFACS
Ricardo Rther - UFSC
Roberto Zilles - USP
Srgio Roberto F. C. de Melo - PUC-RJ
Tereza Virginia Mousinho Reis - CBEM
Wilson Negro Macdo - UFPA
COLABORADORES DAS EDIES
ANTERIORES:
Ana Paula C. Guimares - UFMG
Claudio M. Ribeiro - Cepel
Fernando A. A. Prado Jr. - Cesp
Joo Jorge Santos - Chesf
Joaquim Paim Marzulo - CEEE
Leonildo de Souza Silva - Ministrio da Aeronutica
Leopoldo E. G. Bastos - UFRJ
Lus Srgio do Carmo - Cemig
Luiz C. G. Valente - Cepel
Maria Julita G. Ferreira - Cesp
Osvaldo L. S. Pereira - Coelba
Patrcia C. da Silva Cresesb
Paulo M. A. Craveiro - Coelce
Rosimeri X. de Oliveira Light
Ruberval Baldini - BRSOLAR
Srgio Beninc - SOLTEC ENG. ENERGIA
Teresa V. Mousinho Reis - Coelba
REVISO DAS EDIES ANTERIORES:
Ana Paula C. Guimares - UFMG
Arno Krenzinger - UFRGS
Claudio M. Ribeiro - Cepel
Elizabeth M. D. Pereira - PUC-MG
Hamilton Moss de Souza - Cepel
Joo T. Pinho - UFPA
Lcio Csar de S. Mesquita - Agncia Energia
Marco A. F. C. Ribeiro - The New World Power do
Brasil
Marco Antnio Galdino - Cepel
Maria Julita G. Ferreira - Cesp
Mrio H. Macagnan - UFRGS
Patrcia C. da Silva - Cresesb
Ricardo M. Dutra - Cresesb
Roberto Zilles USP
Apresentao
O Manual de Engenharia para Sistemas Fotovoltaicos foi uma iniciativa do Grupo de
Trabalho de Energia Solar (GTES), criado em 1992 a partir da necessidade de fomentar,
discutir e difundir questes ligadas tecnologia solar fotovoltaica no Brasil. Destinava-
se a auxiliar o pessoal tcnico envolvido com projetos de sistemas fotovoltaicos, tendo
sido concebido de forma a atender a necessidade bsica de se ter, poca, literatura
sobre o assunto na lngua portuguesa e em conformidade com a realidade brasileira.
A verso original da publicao, editada em 1996, foi reproduzida na forma de apostila,
tendo sido distribudos, atravs de fotocpias, mais de mil exemplares em todo o pas.
Em 1999, o Centro de Referncia para Energia Solar e Elica Srgio de Salvo Brito
(Cresesb), do Cepel, lanou a primeira edio da publicao na forma de livro, com
contedo revisado e atualizado, cujo enfoque era, prioritariamente, voltado para
aplicaes de sistemas fotovoltaicos isolados de pequeno porte.
Considerando, entretanto, o constante interesse na aquisio desta publicao, a grande
evoluo da tecnologia fotovoltaica no perodo de 1999 a 2014 e a crescente utilizao
de sistemas fotovoltaicos conectados rede no Brasil, o Cepel/Cresesb dedicou-se, mais
uma vez, a realizar uma reformulao completa do documento.
neste contexto que a nova edio do Manual traz muitas novidades. Com mais de 500
pginas, a publicao traa um histrico do caminho da energia fotovoltaica no Brasil,
com exemplos de projetos instalados nos ltimos anos. Juntamente com informaes
sobre o uso de sistemas fotovoltaicos conectados rede, so includos tpicos
relacionados s normas e regulamentos aplicveis ao setor, alm de aspectos
econmicos.
A partir da perspectiva de aumento do uso de sistemas fotovoltaicos de energia no pas -
seja como uma opo para atender aos desafios da universalizao dos servios de
energia eltrica, seja como uma alternativa de gerao distribuda conectada rede
eltrica convencional - esta nova edio do Manual, totalmente revisada, atualizada e
ampliada, visa a promover uma melhor qualificao tcnica dos profissionais
envolvidos na rea. Esta qualificao deve abranger os conceitos bsicos, o
conhecimento das tecnologias atualmente empregadas, assim como a orientao para
elaborao de projeto e os procedimentos de instalao e manuteno dos
equipamentos.
Com recursos do Ministrio de Minas e Energia (MME), oriundos do Convnio de
Cooperao Tcnica e Financeira n
o
721906/2009, esta publicao resultado de um
trabalho conjunto com a Universidade Federal do Par (UFPA) tendo contado, tambm,
com a colaborao de diversos professores e pesquisadores, de outras instituies, de
reconhecida competncia tcnica na rea. O MME espera, com esta iniciativa, estimular
o desenvolvimento de formas sustentveis de gerao de energia, com baixa emisso de
gases de efeito estufa, contribuindo, assim, para a manuteno de uma matriz eltrica
fortemente baseada em fontes renovveis.
O MME e o Cepel tm a satisfao de publicar esta nova edio do Manual de
Engenharia para Sistemas Fotovoltaicos, documento j considerado um clssico da
literatura fotovoltaica no Brasil, sendo visto como um valioso instrumento didtico e de
difuso de informao tcnica especializada, voltado ao treinamento e formao de
pessoal qualificado na rea de energia solar.
Jorge Paglioli Jobim
Diretor do Departamento de Desenvolvimento Energtico do MME

Ary Vaz Pinto Junior
Chefe do Departamento de Tecnologias Especiais do Cepel


SUMRIO

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
LISTA DE FIGURAS
LISTA DE QUADROS E TABELAS
GLOSSRIO
CAPTULO 1 INTRODUO
1.1 Energia solar trmica
1.2 Energia solar fotovoltaica
1.2.1 Histria e situao atual da energia solar fotovoltaica no mundo
1.2.2 Breve histrico da energia solar fotovoltaica no Brasil
1.3 Referncias
CAPTULO 2 RECURSO SOLAR
2.1 O Sol e suas caractersticas
2.2 Geometria Sol-Terra
2.3 Radiao solar sobre a terra
2.3.1 Distribuio da irradiao solar mdia diria no mundo
2.4 Instrumentos de medio da radiao solar
2.5 Potencial solar e sua avaliao
2.6 Tratamento e anlise dos dados solarimtricos
2.6.1 Avaliao da qualidade dos dados medidos
2.6.2 Tratamento dos dados primrios e sua anlise
2.7 Bases de dados solarimtricos e programas computacionais
2.7.1 Informaes a partir de medies de superfcie
2.7.2 Informaes a partir de medies por satlites
2.7.3 Programas computacionais para acessar e tratar dados de irradiao solar
2.7.4 Comparao entre dados de irradiao solar de diversas fontes
2.8 Referncias
2.9 Pginas de interesse
CAPTULO 3 CLULAS E MDULOS FOTOVOLTAICOS
3.1 Breve histrico
3.2 Princpios de funcionamento da clula fotovoltaica
3.3 Caractersticas eltricas das clulas fotovoltaicas
3.3.1 Curva I-V
3.3.2 Parmetros eltricos
3.3.3 Resistncias srie e paralelo de clulas fotovoltaicas
3.3.4 Associaes de clulas e mdulos fotovoltaicos
3.3.4.1 Associao em srie
3.3.4.2 Associao em paralelo
3.3.5 Parmetros externos que afetam as caractersticas eltricas
3.3.5.1 Influncia da irradincia solar
3.3.5.2 Influncia da temperatura
3.4 Clulas e mdulos fotovoltaicos de Silcio cristalino
3.4.1 Garantias de mdulos fotovoltaicos de c-si
3.5 Clulas e mdulos fotovoltaicos de filmes finos
3.6 Clulas fotovoltaicas para concentrao e multijuno
3.7 Clulas orgnicas e de corantes
3.8 Normas para mdulos fotovoltaicos
3.9 Referncias
CAPTULO 4 COMPONENTES BSICOS DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
4.1 Mdulos fotovoltaicos
4.1.1 Caractersticas construtivas dos mdulos fotovoltaicos
4.1.2 Caractersticas eltricas dos mdulos
4.1.3 Fatores que afetam as caractersticas eltricas dos mdulos
4.1.3.1 Efeito da irradincia solar
4.1.3.2 Efeito da temperatura
4.1.3.3 Temperatura nominal de operao
4.1.4 Identificao das caractersticas eltricas dos mdulos
4.1.4.1 Registro Inmetro
4.1.5 Caixa de conexes
4.1.6 Terminais
4.1.7 Mdulos fotovoltaicos com microinversores integrados
4.2 Associao de mdulos fotovoltaicos
4.2.1 Mdulos fotovoltaicos conectados em srie
4.2.2 Mdulos fotovoltaicos conectados em paralelo
4.2.3 Efeitos de sombreamento
4.2.4 Diodo de desvio (by-pass)
4.2.5 Diodo de bloqueio
4.2.6 Fusveis de proteo da srie fotovoltaica
4.3 Baterias
4.3.1 Terminologia
4.3.2 Baterias recarregveis
4.3.2.1 Profundidade de descarga, nmero de ciclos e temperatura
4.3.2.2 Tcnica e modo de operao do controle de carga
4.3.2.3 Manuteno peridica do estado de carga
4.3.3 Baterias Chumbo-cido
4.3.3.1 Baterias abertas com liga de baixo-Antimnio nas placas positivas
4.3.3.2 Baterias sem manuteno
4.3.3.3 Baterias seladas
4.3.3.4 Baterias estacionrias com placas tubulares (OPzS e OPzV)
4.3.3.5 Efeito da temperatura
4.3.3.6 Sulfatao
4.3.3.7 Hidratao
4.3.3.8 Sedimentao
4.3.3.9 gua para baterias
4.3.4 Baterias Nquel-Cdmio e Nquel-hidreto metlico
4.3.4.1 Efeito da temperatura em baterias Ni-Cd
4.3.5 Baterias Li-on
4.3.6 Caractersticas ideais para uso de baterias em sistemas fotovoltaicos isolados
4.3.7 Transporte, descarte e reciclagem de baterias
4.3.8 Salas de baterias
4.4 Outros sistemas de armazenamento
4.5 Controladores de carga
4.5.1 Tipos de controladores de carga
4.5.2 Detalhamento das caractersticas e funes de controladores de carga
4.5.3 Controladores de carga baseados em tenso
4.5.4 Controladores de carga baseados em estado de carga da bateria
4.5.5 Carga em 3 estgios
4.5.6 Controlador SPPM
4.5.7 Registro do Inmetro
4.5.8 Controladores de carga para outros tipos de baterias
4.6 Inversores
4.6.1 Classificao dos inversores
4.6.1.1 Dispositivos semicondutores utilizados em inversores
4.6.1.2 Inversores comutados pela rede (para SFCR)
4.6.1.3 Inversores autocomutados
4.6.2 Princpio de funcionamento dos conversores c.c.-c.a.
4.6.3 Caractersticas dos inversores
4.6.4 Inversores para SFCRs
4.6.5 Critrios de qualidade de um inversor
4.6.6 Registro do Inmetro
4.7 Conversores c.c.-c.c.
4.8 Seguimento do ponto de potncia mxima (SPPM)
4.8.1 Algoritmos de seguimento do ponto de potncia mxima
4.9 Dispositivos de proteo, superviso e controle, e aquisio e armazenamento de dados
4.9.1 Proteo
4.9.2 Superviso e controle, aquisio e armazenamento de dados
4.9.2.1 Sistema de coleta de dados operacionais (SCD)
4.10 Referncias
CAPTULO 5 APLICAES DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
5.1 Sistemas fotovoltaicos isolados
5.1.1 Sistemas isolados individuais
5.1.2 Sistemas isolados em minirrede
5.2 Sistemas de bombeamento de gua
5.2.1 Tipos de bombas
5.2.1.1 Bombas centrfugas
5.2.1.2 Bombas volumtricas
5.2.2 Tipos de motores
5.2.2.1 Motores c.c.
5.2.2.2 Motores c.a.
5.2.3 Qualidade da gua
5.3 Sistemas de telecomunicaes e monitoramento remoto
5.4 Outras aplicaes
5.4.1 Proteo catdica
5.4.2 Cerca eltrica
5.4.3 Dessalinizao da gua
5.5 Sistemas conectados rede
5.5.1 Micro e minigerao fotovoltaica
5.5.1.1 Medio bidirecional de registros independentes
5.5.1.2 Medies simultneas
5.5.2 Sistemas fotovoltaicos integrados a edificaes
5.5.3 Usinas fotovoltaicas (UFVs)
5.6 Referncias
CAPTULO 6 PROJETO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
6.1 Etapas preliminares de projeto de um sistema fotovoltaico
6.1.1 Avaliao do recurso solar
6.1.2 Localizao
6.1.3 Escolha da configurao
6.1.4 Levantamento da demanda e do consumo de energia eltrica
6.1.4.1 Estimativa da curva de carga
6.2 Dimensionamento de sistemas fotovoltaicos isolados pelo mtodo do ms crtico
6.2.1 Projeto de sistemas isolados para gerao de energia eltrica segundo a RN 493/2012
6.2.1.1 SIGFI
6.2.1.2 MIGDI
6.3 Projeto de sistemas fotovoltaicos para bombeamento de gua
6.3.1 Estimativa de consumo de gua
6.3.2 Dimensionamento do sistema de gerao
6.4 Projeto de sistemas fotovoltaicos conectados rede
6.4.1 Dimensionamento do gerador fotovoltaico
6.4.2 Dimensionamento do inversor
6.4.3 Compromisso entre forma e funo dos SFCRs
6.5 Projeto eltrico
6.6 Ferramentas computacionais para projeto de sistemas fotovoltaicos
6.6.1 Homer
6.6.2 Hybrid2
6.6.3 RETScreen
6.6.4 Insel
6.6.5 PV- Design Pro
6.6.6 PV-Sol
6.6.7 PVSyst
6.6.8 SolarPro
6.6.9 SolEm
6.6.10 PV F-CHART
6.6.11 PVSIZE
6.7 Apresentao do projeto
6.7.1 Projeto bsico
6.7.2 Projeto executivo
6.7.3 Termos de garantia
6.8 Referncias
CAPTULO 7 INSTALAO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS E RECOMENDAES
DE SEGURANA
7.1 Recomendaes gerais sobre segurana
7.2 Mdulos fotovoltaicos
7.2.1 Recomendaes sobre segurana no manuseio e instalao de mdulos fotovoltaicos
7.2.2 Localizao do gerador fotovoltaico
7.2.3 Orientao e inclinao do gerador fotovoltaico
7.2.4 Montagem da estrutura de suporte dos mdulos
7.3 Instalao do sistema de armazenamento
7.3.1 Recomendaes sobre segurana no manuseio e instalao de baterias
7.3.2 Compartimento das baterias
7.3.3 Montagem do banco de baterias
7.4 Instalao dos componentes de condicionamento de potncia
7.5 Instalao dos componentes de proteo
7.6 Aterramento
7.7 Instalao dos componentes de superviso e controle, e aquisio e armazenamento de dados
7.8 Instalao de outros componentes, cabos, conexes e acessrios
7.9 Comissionamento de sistemas fotovoltaicos
7.10 Referncias
CAPTULO 8 OPERAO E MANUTENO
8.1 Recomendaes sobre segurana
8.2 Procedimentos e cuidados de operao
8.3 Procedimentos de manuteno preventiva de sistemas fotovoltaicos isolados (SFIs)
8.3.1 Gerador fotovoltaico
8.3.1.1 Aspectos fsicos
8.3.1.2 Aspectos eltricos
8.3.2 Baterias
8.3.2.1 Aspectos fsicos
8.3.2.2 Aspectos eltricos
8.3.3 Componentes de condicionamento de potncia
8.3.3.1 Controladores de carga
8.3.3.2 Inversores de SFIs
8.3.4 Cargas
8.3.5 Cabeamento e dispositivos de segurana
8.3.6 Sistema de aquisio de dados
8.3.7 Elaborao de plano de inspeo e manuteno
8.4 Procedimentos de inspeo e manuteno corretiva de sistemas fotovoltaicos
8.5 Manuteno de sistemas fotovoltaicos conectados rede (SFCRs) - microgerao
8.6 Manuteno de centrais fotovoltaicas
8.7 Manuteno de sistemas fotovoltaicos de bombeamento de gua
8.8 Anlise de dados de desempenho de um sistema fotovoltaico
8.9 Referncias
APNDICE 1 NORMAS E REGULAMENTOS
APNDICE 2 ASPECTOS ECONMICOS
APNDICE 3 EXEMPLOS DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS INSTALADOS NO BRASIL
APNDICE 4 ESPECIFICAO DE EQUIPAMENTOS PRINCIPAIS PARA SISTEMAS
FOTOVOLTAICOS ISOLADOS E PLANILHAS AUXILIARES PARA DIMENSIONAMENTO
APNDICE 5 PLANILHA PARA INSPEO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS


LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS
-Si Micro-crystalline Silicon (Silcio Microcristalino)
ABENS Associao Brasileira de Energia Solar
Abinee Associao Brasileira da Indstria Eltrica e Eletrnica
ABNT Associao Brasileira de Normas Tcnicas
ACL Ambiente de Contratao Livre
ACR Ambiente de Contratao Regulada
AM Air Mass (Massa de Ar)
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica
a-Si Amorphous Silicon (Silcio Amorfo)
BID Banco Interamericano de Desenvolvimento
BIG Banco de Informaes de Gerao
BIPV Building Integrated Photovoltaic (Sistema Fotovoltaico Integrado a Edificaes)
BOS Balance of System (Balano do Sistema)
BSF Back Surface Field (Campo Retrodifusor)
c.a. Corrente Alternada
c.c. Corrente Contnua
CBEE Centro Brasileiro de Energia Elica
CBENS Congresso Brasileiro de Energia Solar
CB-Solar Centro Brasileiro para Desenvolvimento da Energia Solar Fotovoltaica
CCC Conta de Consumo de Combustveis
CCEE Cmara de Comercializao de Energia Eltrica
CCEI Contrato de Compra de Energia Incentivada
CDE Conta de Desenvolvimento Energtico
CdS Sulfeto de Cdmio
CdTe Telureto de Cdmio
Ceal Companhia Energtica de Alagoas (ou Eletrobras Distribuio Alagoas)
Ceam Companhia Energtica do Amazonas (ou Eletrobras Amazonas Energia)
CEB Central Energtica de Braslia
CEEE Companhia Estadual de Energia Eltrica
Celesc Centrais Eltricas de Santa Catarina
Celg Companhia Energtica de Gois
Celpa Centrais Eltricas do Par
Celpe Companhia Energtica de Pernambuco
Cemig Companhia Energtica de Minas Gerais
Cepel Centro de Pesquisas de Energia Eltrica
Ceron Companhia Energtica de Rondnia (ou Eletrobras Distribuio Rondnia)
Cesp Companhia Energtica de So Paulo
CETEC-MG Fundao Centro Tecnolgico de Minas Gerais
CIGS Disseleneto de Cobre, ndio e Glio
CIS Disseleneto de Cobre e ndio
CLP Controlador Lgico Programvel
CNPq Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico
Coelba Companhia de Eletricidade do Estado da Bahia
Coelce Companhia Energtica do Cear
COFINS Contribuio para o Financiamento da Seguridade Social
Copel Companhia Paranaense de Energia
Cosern Companhia Energtica do Rio Grande do Norte
CPFL Companhia Paulista de Fora e Luz
CPV Concentrated Photovoltaics (Fotovoltaica com Concentrao)
Cresesb Centro de Referncia para Energia Solar e Elica Srgio de Salvo Brito
c-Si Crystalline Silicon (Silcio Cristalino)
CSI Current Source Inverter (Inversor de Fonte de Corrente)
CSP Concentrated Solar Power (Potncia Solar Concentrada)
CSTR Centro de Sade e Tecnologia Rural
CTA Centro Tecnolgico de Aeronutica (atual Centro Tcnico Aeroespacial)
CTEEP Companhia de Transmisso de Energia Eltrica Paulista
Chesf Companhia Hidroeltrica do So Francisco
DIC Durao de Interrupo Individual por Unidade Consumidora
DOE Department of Energy (Departamento de Energia dos Estados Unidos da Amrica)
DPS Dispositivo de Proteo Contra Surtos
DSSC Dye-Sensitized Solar Cell (Clula Solar Sensibilizada por Corante)
DSV Dispositivo de Seccionamento Visvel
Eletrobras Centrais Eltricas Brasileiras
Eletronorte Centrais Eltricas do Norte do Brasil
Eletrosul Centrais Eltricas do Sul do Brasil
Emater Empresa de Assistncia Tcnica e Extenso Rural
Embrapa Empresa Brasileira de Pesquisa Agropecuria
Emepa Empresa Estadual de Pesquisa Agropecuria da Paraba
EPE Empresa de Pesquisa Energtica
EPIA European Photovoltaic Industry Association (Associao Europeia da Indstria
Fotovoltaica)
EUA Estados Unidos da Amrica
EVA Acetato de Etil-Vinila
Fapeu Fundao de Amparo Pesquisa e Extenso Universitria da UFSC
FDI Fator de Dimensionamento de Inversores
FF Fator de Forma
Fies Fundo de Incentivo em Energia Solar
Finep Financiadora de Estudos e Projetos
Fundeci Fundo de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico
FV Fotovoltaico
GaAs Arseneto de Glio
GEDAE Grupo de Estudos e Desenvolvimento de Alternativas Energticas
Geinfra Gerncia de Infraestrutura do Estado do Maranho
GIZ Deutsche Gesellschaft fr Internationale Zusammenarbeit (Agncia Alem de
Cooperao Internacional) (antiga GTZ)
HIT Heterojunction with Intrinsic Thin Layer (Heterojuno com Camada Fina Intrnseca)
Homer Hybrid Optimization Model for Electric Renewable
HSP Horas de Sol Pleno
IBC Interdigitated Back Contact (Contato Posterior Interdigital)
ICG Interesse Exclusivo de Centrais de Gerao para Conexo Compartilhada
ICMS Imposto sobre Circulao de Mercadorias e Prestao de Servios
Ideal Instituto para o Desenvolvimento de Energias Alternativas na Amrica Latina
Ider Instituto de Desenvolvimento Sustentvel e Energias Renovveis
IEC International Electrotechnical Commission (Comisso Eletromecnica Internacional)
IEE Instituto de Energia e Ambiente (antigo Instituto de Eletrotcnica e Energia)
IEEE Institute of Electrical and Electronics Engineers (Instituto de Engenheiros Eletricistas e
Eletrnicos)
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
II Imposto de Importao
IME Instituto Militar de Engenharia
IncCond Incremental Conductance (Condutncia Incremental)
Infraero Empresa Brasileira de Infraestrutura Aeroporturia
InGaAs Arseneto de ndio e Glio
InGaP Fosfeto de ndio e Glio
INMET Instituto Nacional de Meteorologia
Inmetro Instituto Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia
InP Fosfeto de ndio
INPE Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais
INSEL Integrated Simulation Environment Language
INT Instituto Nacional de Tecnologia
IPCC Intergovernmental Panel on Climate Change (Painel Intergovernamental de Mudanas
Climticas)
ISO International Standards Organization (Organizao Internacional de Padres)
ISS Imposto Sobre Servios
LABSOL Laboratrio de Energia Solar
LED Light Emitting Diode (Diodo Emissor de Luz)
Li-ion Ion de Ltio
LpT Programa Luz para Todos
LSF Laboratrio de Sistemas Fotovoltaicos
LVD Low Voltage Disconnect (Desconexo por Baixa Tenso)
MBE Molecular Beam Epitaxy (Epitaxia por Feixe Molecular)
MCT Ministrio da Cincia e Tecnologia (atual Ministrio da Cincia, Tecnologia e Inovao
- MCTI)
MIGDI Microssistema Isolado de Gerao e Distribuio de Energia Eltrica
MME Ministrio de Minas e Energia
MOCVD Metalorganic Chemical Vapour Deposition (Deposio Qumica de Organometlicos
em Fase Vapor)
MODES Modelos de Sistemas de Energia
MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (Transistor de Efeito de Campo
Metal-xido-Semicondutor)
MPPT Maximum Power Point Tracking (na terminologia brasileira: Seguidor do Ponto de
Potncia Mxima - SPPM)
m-Si Mono-crystalline Silicon (Silcio Monocristalino)
MTE Ministrio do Trabalho e Emprego
NaNiCl Cloreto de Nquel e Sdio
NASA National Aeronautics and Space Administration (Administrao Nacional de
Aeronutica e Espao)
NBR Norma Brasileira
NEA Ncleo de Energias Alternativas
Nepa Ncleo de Estudos e Pesquisas em Alimentao
NiCd Nquel-Cdmio
NiMH Hidreto Metlico de Npiquel
NOCT Nominal Operating Cell Temperature (Temperatura Nominal de Operao da Clula)
NR Norma Regulamentadora
NREL National Renewable Energy Laboratory (Laboratrio Nacional de Energias Renovveis
dos Estados Unidos da Amrica)
n-Si Nano-crystalline Silicon (Silcio Nanocristalino)
O&M Operao e Manuteno
OLADE Organizao Latino Americana de Energia
OPV Organic Photovoltaics (Fotovoltaica Orgnica)
OPzS Ortsfest Panzerplatte Spezial (Bateria Estacionria com Placas Tubulares, Eletrlito
Fluido e Separadores Especiais)
OPzV Ortsfest Panzerplatte Verschlossen (Bateria Estacionria com Placas Tubulares,
Eletrlito em Gel e Vlvula de Segurana)
Org. Organizao
P&D Pesquisa e Desenvolvimento
P&O Perturb & Observe (Perturbar & Observar)
Pb-cido Chumbo-cido
PBE Programa Brasileiro de Etiquetagem
PCH Pequenas Centrais Hidreltricas
PET Tereftalato de polietileno
Petrobras Petrleo Brasileiro S.A.
PIE Produtor Independente de Energia
PIS Programa de Integrao Social
PRC Plano de Revitalizao e Capacitao do Prodeem
Procel Programa Nacional de Conservao de Energia Eltrica
Prodeem Programa de Desenvolvimento Energtico de Estados e Municpios
PRODIST Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica da Aneel
p-Si Poli-crystalline Silicon (Silcio Policristalino, ou Multicristalino)
PTU Programa do Trpico mido
PUC-RS Pontifcia Universidade Catlica do Rio Grande do Sul
PVC Polyvinyl Chloride (Cloreto de Polivinila)
PVF Polyvinyl Fluoride (Fluoreto de Polivinila)
PWM Pulse Width Modulation (Modulao por Cdigo de Pulso)
RAM Bateria Alcalina Recarregvel de Mangans
RGR Reserva Global de Reverso
RMS Root Mean Square (Raiz Mdia Quadrtica)
RN Resoluo Normativa
SBFV Sistema de Bombeamento Fotovoltaico
SFCR Sistema Fotovoltaico Conectado Rede
SFD Sistema Fotovoltaico Domiciliar
SFH Sistema Fotovoltaico Hbrido
SFI Sistema Fotovoltaico Isolado
SFIE Sistema Fotovoltaico Integrado a Edificao
SFV Sistema Fotovoltaico
Si-Cz Silcio por Czochralski
Si-FZ Silcio por Fuso Zonal
SIGFI Sistema Individual de Gerao de Energia Eltrica com Fonte Intermitente
SIN Sistema Interligado Nacional
SLI Starting, Lighting, Ignition (Partida, Iluminao, Ignio)
SNESF Simpsio Nacional de Energia Solar Fotovoltaica
SONDA Sistema de Organizao Nacional de Dados Ambientais
SPDA Sistema de Proteo Contra Descargas Atmosfricas
SPPM Seguidor do Ponto de Potncia Mxima
SSE Surface Meteorology and Solar Energy (Meteorologia de Superfcie e Energia Solar)
ST Sistema Trmico
STC Standard Test Conditions (Condies Padro de Ensaio)
Sudesb Superintendncia dos Desportos do Estado da Bahia
SWERA Solar and Wind Energy Resource Assessment (Levantamento de Recursos Energticos
Solar e Elico)
TCO Transparent Conductive Oxide (xido Condutivo Transparente)
TD Taxa de Desempenho (em ingls, Performance Ratio PR)
TF Tarifa de Fornecimento
TIR Taxa Interna de Retorno
TUSD Tarifa de Uso do Sistema de Distribuio
TUST Tarifa de Uso do Sistema de Transmisso de Energia Eltrica
TV Televisor
UA Unidade Astronmica
UC Unidade Consumidora
UFCG Universidade Federal de Campina Grande
UFMA Universidade Federal do Maranho
UFPA Universidade Federal do Par
UFPE Universidade Federal de Pernambuco
UFRGS Universidade Federal do Rio Grande do Sul
UFSC Universidade Federal de Santa Catarina
UFV Usina Fotovoltaica
UNICAMP Universidade Estadual de Campinas
UPS Uninterruptible Power Supply (Fonte de Potncia Ininterrupta)
USAID United States Agency for International Development (Agncia Americana para o
Desenvolvimento Internacional)
USCA Unidade de Superviso em Corrente Alternada
USP Universidade de So Paulo
VN Valor Normativo
VSI Voltage Source Inverter (Inversor de Fonte de Tenso)
WMO World Meteorological Organization (Organizao Meteorolgica Mundial)
Wp Watt-pico
WRC World Radiation Center (Centro Mundial de Radiao)

LISTA DE FIGURAS
CAPTULO 1 - INTRODUO
Figura 1.1 Evoluo do Mercado Brasileiro de Aquecimento Solar.
Figura 1.2 Desenvolvimento das clulas fotovoltaicas.
Figura 1.3 Representao dos eventos-chave no desenvolvimento das clulas fotovoltaicas.
Figura 1.4 Produo mundial de clulas fotovoltaicas.
Figura 1.5 Evoluo da potncia instalada em sistemas fotovoltaicos no mundo.
Figura 1.6 Distribuio da produo mundial de clulas fotovoltaicas em 2012.
CAPTULO 2 RECURSO SOLAR
Figura 2.1 Estrutura do Sol.
Figura 2.2 rbita da Terra em torno do Sol, com seu eixo N-S inclinado de um ngulo de 23,45,
indicando as estaes do ano no hemisfrio Sul.
Figura 2.3 Variao da irradincia solar extraterrestre (I
0,ef
) ao longo do ano.
Figura 2.4 Ilustrao dos ngulos
Z
, e
S
(representando a posio do Sol em relao ao plano
horizontal) e da orientao de uma superfcie inclinada em relao ao mesmo plano: ngulos , ,
S
e .
Figura 2.5 Irradincia direta incidente sobre uma superfcie horizontal e Irradincia direta incidente
sobre uma superfcie inclinada.
Figura 2.6 Equao do tempo ao longo do ano.
Figura 2.7 Fluxo de potncia global (em W/m
2
).
Figura 2.8 Componentes da radiao solar.
Figura 2.9 Distribuio espectral da irradincia no topo da atmosfera; da irradincia ao incidir
perpendicularmente sobre uma superfcie inclinada (37) ao nvel do mar e voltada para a linha do
Equador; e da irradincia aps atravessar uma massa de ar de 1,5.
Figura 2.10 Mapa mundial de irradiao solar em mdia anual.
Figura 2.11 Mapa brasileiro de irradiao solar em mdia anual.
Figura 2.12 Mapa europeu de irradiao solar em mdia anual.
Figura 2.13 Piranmetro termoeltrico.
Figura 2.14 Piranmetro fotovoltaico.
Figura 2.15 Resposta espectral dos piranmetros.
Figura 2.16 Desenho esquemtico de um pirelimetro.
Figura 2.17 Pirelimetro montado em um rastreador solar.
Figura 2.18 Banda de sombreamento com ajuste manual.
Figura 2.19 Disco de sombreamento com rastreamento em dois eixos.
Figura 2.20 Interface de utilizao do programa RADIASOL2.
Figura 2.21 Mdias mensais e anual da radiao solar mdia diria incidente sobre um coletor
inclinado de 10N na regio de Rio Branco.
Figura 2.22 Mdias mensais e anual da radiao solar mdia diria incidente sobre um coletor
inclinado de 10N na regio de Manaus.
CAPTULO 3 CLULAS E MDULOS FOTOVOLTAICOS
Figura 3.1 Distribuio das tecnologias usadas na produo industrial de clulas fotovoltaicas.
Figura 3.2 Estrutura de bandas de energia em condutores, semicondutores e isolantes.
Figura 3.3 Gerao de pares eltron-lacuna pela incidncia de ftons no material semicondutor.
Figura 3.4 Nveis de energia em materiais tipo n e p.
Figura 3.5 Juno pn no escuro em equilbrio trmico, mostrando a barreira de potencial (
q
V
0
) as
correntes de difuso (I
d
) e de deriva (i
D
) de portadores.
Figura 3.6 Estrutura bsica de uma clula fotovoltaica de silcio.
Figura 3.7 Corrente fotogerada na juno pn iluminada (clula fotovoltaica).
Figura 3.8 Fatores que limitam a eficincia de uma clula fotovoltaica.
Figura 3.9 Corrente eltrica em funo da diferena de potencial aplicada em uma clula fotovoltaica de
silcio de 156 mm x 156 mm, sob condies-padro de ensaio.
Figura 3.10 Circuito equivalente bsico para uma clula fotovoltaica (modelo com um diodo).
Figura 3.11 Smbolo de mdulo fotovoltaico.
Figura 3.12 Potncia eltrica em funo da tenso eltrica de uma clula fotovoltaica de silcio cristalino
de 156 mm x 156 mm, sob condies-padro de ensaio.
Figura 3.13 Efeito da resistncia srie (R
s
) na curva I-V de uma clula fotovoltaica, sendo todas as
curvas para a mesma temperatura e irradincia (STC), considerando em aberto a resistncia paralelo
(R
p
=).
Figura 3.14 Efeito da resistncia paralelo (R
p
) na curva I-V de uma clula fotovoltaica, sendo todas as
curvas para a mesma temperatura e irradincia (STC), considerando nula a resistncia srie (R
s
=0).
Figura 3.15 Obteno das resistncias srie e paralelo pela curva I-V de uma clula.
Figura 3.16 Curvas I-V de duas clulas fotovoltaicas de silcio cristalino conectadas em srie e em
paralelo.
Figura 3.17 Influncia da variao da irradincia solar na curva caracterstica I-V de uma clula
fotovoltaica de silcio cristalino na temperatura de 25 C.
Figura 3.18 Influncia da temperatura da clula fotovoltaica na curva I-V (para irradincia de 1.000
W/m
2
, espectro AM1,5).
Figura 3.19 Estrutura bsica de uma clula fotovoltaica de silcio cristalino.
Figura 3.20 Clula fotovoltaica de silcio cristalino.
Figura 3.21 Fabricao de tarugos (lingotes) de m-Si pelas tcnicas de Float-Zone (FZ) e
Czochralski.
Figura 3.22 Clulas m-Si coloridas; clula p-Si verde e dourada.
Figura 3.23 Esquema dos componentes de um mdulo fotovoltaico com clulas de silcio cristalino.
Figura 3.24 Degradao mxima de mdulos, de acordo com 3 diferentes formas de garantia.
Figura 3.25 Vistas em corte de clulas fotovoltaicas de filmes finos.
Figura 3.26 Corte simplificado mostrando como feita a definio das clulas fotovoltaicas, bem como
sua conexo em srie, em um mdulo fotovoltaico de filme fino de a-Si.
Figura 3.27 Esquema simplificado de uma clula fotovoltaica com corante e eletrlito.
CAPTULO 4 COMPONENTES BSICOS DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Figura 4.1 Curva caracterstica I-V e curva de potncia P-V para um mdulo com potncia nominal
de 100 Wp.
Figura 4.2 Definio do fator de forma.
Figura 4.3 Efeito causado pela variao da irradincia solar sobre a curva caracterstica I-V para um
mdulo fotovoltaico de 36 clulas de silcio cristalino (c-Si) a 25 C.
Figura 4.4 Efeito causado pela variao da temperatura das clulas sobre a curva caracterstica I-V
para um mdulo fotovoltaico de 36 clulas de silcio cristalino (c-Si) sob irradincia de 1.000 W/m
2
.
Figura 4.5 Modelo de etiqueta do Inmetro afixada nos mdulos.
Figura 4.6 Caixa de conexes e diagrama de ligaes de um mdulo de 240 Wp, com 60 clulas em
srie (20 para cada diodo), onde V
OC
= 36,9 V.
Figura 4.7 Conectores de engate rpido MC4 para conexo srie de mdulos fotovoltaicos.
Figura 4.8 Curvas I-V para um mdulo de 220 W
p
, 2 mdulos idnticos associados em srie e 4
mdulos idnticos associados em srie.
Figura 4.9 Curvas I-V para a conexo em paralelo dos mesmos mdulos fotovoltaicos da Figura 4.8.
Figura 4.10 Curva I-V para 4 mdulos conectados em srie e sem sombreamento; curva I-V para os
mesmos 4 mdulos na situao de sombreamento de uma de suas clulas; curva I-V com o mesmo
sombreamento, mas com a utilizao de diodos de desvio.
Figura 4.11 Diagrama mostrando a ligao de diodos de desvio nos mdulos fotovoltaicos.
Figura 4.12 Operao de um diodo de desvio.
Figura 4.13 Diagrama com 4 sries fotovoltaicas conectadas em paralelo usando diodos de bloqueio;
diodo de bloqueio evitando o fluxo de corrente da bateria para o mdulo, quando o controlador no
desempenha esta funo.
Figura 4.14 Diagrama com 4 sries fotovoltaicas que utilizam fusveis fotovoltaicos de proteo.
Figura 4.15 Capacidade de uma bateria Chumbo-cido em funo da taxa de descarga, referenciada
capacidade em C/20.
Figura 4.16 Curvas tpicas do efeito da profundidade de descarga e da temperatura na vida til da
bateria.
Figura 4.17 Perfil tpico da tenso durante o carregamento de uma clula Chumbo-cido aberta, com
vrias taxas de carga.
Figura 4.18 Perfil tpico da tenso durante o processo de descarga de uma clula Chumbo-cido
aberta, com vrias taxas de descarga.
Figura 4.19 Modelo de circuito de um elemento de bateria.
Figura 4.20 Vista explodida mostrando as principais partes constituintes de uma clula
eletroqumica.
Figura 4.21 Vista em corte de uma bateria do tipo OPzV.
Figura 4.22 Modelo de etiqueta do Inmetro para baterias.
Figura 4.23 Sinalizao aplicvel a baterias Chumbo-cido.
Figura 4.24 Esquema de um SFI domiciliar.
Figura 4.25 Controlador paralelo (shunt) com LVD opcional.
Figura 4.26 Controlador srie com LVD opcional.
Figura 4.27 Modelo de etiqueta do Inmetro para controladores de carga.
Figura 4.28 Tipos de inversores classificados de acordo com o princpio de funcionamento.
Figura 4.29 Smbolos de componentes utilizados em inversores.
Figura 4.30 Formas de onda de tenso (V) e corrente (I) sobre um dispositivo semicondutor em
chaveamento e conduo e potncia dissipada em um dispositivo semicondutor em chaveamento e
conduo.
Figura 4.31 Inversor de um estgio e inversor de dois estgios.
Figura 4.32 Inversor de dois estgios.
Figura 4.33 Inversor de meia ponte e ponte completa monofsica.
Figura 4.34 Possveis formas de onda da tenso de sada de um conversor c.c.-c.a.
Figura 4.35 Estratgia de controle PWM para um conversor cc-ca tenses de controle V
caref
e V
tri
e
tenso na sada V
carga
.
Figura 4.36 Ponte trifsica.
Figura 4.37 Forma de onda quadrada modificada trifsica.
Figura 4.38 Estratgia de controle do chaveamento para PWM trifsico.
Figura 4.39 Curvas de eficincia para cargas resistivas de alguns inversores para uso em sistemas
fotovoltaicos isolados.
Figura 4.40 Curvas I-V e P-V de um gerador de seis mdulos de 72 clulas em srie, mostrando a
ocorrncia de mximos locais na curva de potncia em decorrncia de sombreamentos parciais.
Figura 4.41 Exemplo de sistemas fotovoltaicos que utilizam SPPM.
Figura 4.42 Desenho de uma instalao tpica de dispositivos de proteo para um SFCR.
Figura 4.43 Diagrama eltrico de um SIGFI30 de um projeto da Eletrobras Distribuio Acre.
Figura 4.44 Pontos de superviso, controle e aquisio de dados em um SFI.
CAPTULO 5 APLICAES DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Figura 5.1 Configurao bsica de um SFI.
Figura 5.2 Exemplo de sistema hbrido.
Figura 5.3 Sistema fotovoltaico conectado rede.
Figura 5.4 Diagrama unifilar de um sistema fotovoltaico domiciliar em c.c.
Figura 5.5 Diagrama simplificado do sistema fotovoltaico domiciliar em c.c.
Figura 5.6 SFD no municpio Xapuri, na comunidade extrativista Dois Irmos, no Acre.
Figura 5.7 Esquema unifilar de SFD com atendimento exclusivamente em c.c.
Figura 5.8 Esquema unifilar de SFD com atendimento c.c. e c.a.
Figura 5.9 SFD constitudo por um nico inversor alimentando todas as cargas da instalao.
Figura 5.10 Sistema MIGDI fotovoltaico da comunidade de Sobrado no Amazonas.
Figura 5.11 Diagrama esquemtico de um sistema fotovoltaico de abastecimento de gua.
Figura 5.12 Regio de aplicao dos SBFVs.
Figura 5.13 Tipos de motobombas para SBFVs em funo da profundidade e da vazo.
Figura 5.14 Configuraes utilizadas para sistemas de bombeamento fotovoltaico.
Figura 5.15 Vista em corte de uma bomba centrfuga.
Figura 5.16 Corte de uma bomba tipo parafuso.
Figura 5.17 Diagrama expandido de uma bomba de deslocamento positivo tipo diafragma.
Figura 5.18 Proteo catdica com anodo galvnico.
Figura 5.19 Proteo catdica por corrente impressa (sistema com fonte eltrica convencional).
Figura 5.20 Perfil da tenso ao longo de uma tubulao protegida por um sistema de proteo
catdica.
Figura 5.21 Diagrama de um sistema fotovoltaico para proteo catdica.
Figura 5.22 Diagrama genrico para cerca eltrica com alimentao fotovoltaica.
Figura 5.23 Esquema de dessalinizao fotovoltaica por osmose reversa.
Figura 5.24 Sistema fotovoltaico instalado no estdio Pituau, BA.
Figura 5.25 Medio bidirecional de registros independentes com a utilizao de um medidor
bidirecional e com a utilizao de dois medidores unidirecionais.
Figura 5.26 Medies simultneas.
Figura 5.27 Sistemas de grande porte.
Figura 5.28 UFV Tanquinho.
CAPTULO 6 PROJETO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Figura 6.1 Diagrama de blocos de sistemas fotovoltaicos isolados.
Figura 6.2 Diagrama de blocos de sistemas fotovoltaicos: Microgerao conectada rede.
Figura 6.3 Exemplo de perfis de radiao solar diria com valores equivalentes de HSP.
Figura 6.4 Mdia mensal da irradincia global diria no plano horizontal para os perodos
especificados - vila de So Tom (Par).
Figura 6.5 Exemplo de uma curva de carga de uma comunidade da Amaznia.
Figura 6.6 Exemplo de curva de carga estimada para uma dada localidade.
Figura 6.7 Configurao bsica de um sistema fotovoltaico de abastecimento de gua.
Figura 6.8 Nveis de interesse em um SBFV.
Figura 6.9 Exemplos de grficos fornecidos por fabricantes para determinao da potncia FV
necessria para cada aplicao.
Figura 6.10 Taxa de desempenho (TD) de 527 SFCRs instalados na Europa ocidental entre 1991 e
2005.
Figura 6.11 Exemplos de cargas mecnicas impostas por trs mdulos FV distintos.
Figura 6.12 Curvas I-V de um gerador FV em funo da temperatura e a compatibilidade, com as
janelas de tenso do SPPM e de operao do inversor.
Figura 6.13 Grfico de eficincia do inversor em funo do nvel de carga e da tenso de operao.
Figura 6.14 Planta Piloto do Megawatt Solar - Eletrosul - Florianpolis - 11,97 kWp.
Figura 6.15 Vista em planta da distribuio eltrica dos geradores fotovoltaicos da planta-piloto.
Figura 6.16 Sistema FV plano inclinado a 27 N, com 10,24 kWp, integrado ao Centro de Cultura e
Eventos da UFSC (Sistema de referncia).
Figura 6.17 Comparao da produtividade entre a Planta Piloto (subsistemas 1, 2 e 3) e o Sistema de
Referncia.
CAPTULO 7 INSTALAO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS E RECOMENDAES DE
SEGURANA
Figura 7.1 Exemplo de placa de advertncia de risco de choque eltrico.
Figura 7.2 Exemplo de placa de advertncia de acesso restrito.
Figura 7.3 Exemplo de placa de advertncia de risco de choque eltrico devido gerao prpria de
sistemas conectados rede.
Figura 7.4 Fator de espaamento versus latitude do local da instalao do gerador fotovoltaico.
Figura 7.5 Ilustrao para definio do espaamento mnimo entre gerador fotovoltaico e obstculo,
para evitar sombreamento.
Figura 7.6 Orientao da face dos mdulos fotovoltaicos para o norte verdadeiro em um dado local
no hemisfrio Sul.
Figura 7.7 Exemplo de correo para uma declinao magntica local de 20 negativos.
Figura 7.8 ngulo de inclinao dos mdulos fotovoltaicos.
Figura 7.9 Exemplo de uma estrutura de sustentao de mdulos fotovoltaicos.
Figura 7.10 Formas usuais de instalao de mdulos fotovoltaicos.
Figura 7.11 Sistema fotovoltaico residencial instalado em localidade isolada do Rio Grande do Sul.
Figura 7.12 Detalhe de sistema de fixao em parede de residncia.
Figura 7.13 Principais tipos de fundaes utilizadas.
Figura 7.14 Fixao da estrutura no solo com fundao tipo bloco de cimento.
Figura 7.15 Fixao da estrutura diretamente no solo.
Figura 7.16 Geradores fotovoltaicos instalados sobre uma plataforma flutuante.
Figura 7.17 Sistema de ventilao de uma sala de baterias.
Figura 7.18 Detalhe de compartimento para baterias com orifcios na parte superior para ventilao.
Figura 7.19 Vista de baterias no interior de uma caixa especialmente construda para seu
acondicionamento.
Figura 7.20 Abrigo de baterias bem ventilado e instalado na lateral de uma escola.
Figura 7.21 Abrigo de madeira devidamente ventilado e isolado e com tela para impedir a entrada de
pequenos insetos e animais.
Figura 7.22 Armrio de baterias.
Figura 7.23 Banco de baterias em MIGDI da Celpa, na Ilha de Araras (Maraj-PA).
Figura 7.24 Forma de conexo de banco de baterias.
Figura 7.25 Exemplos de controladores de carga e inversores instalados na parede da sala de
controle.
Figura 7.26 Exemplo de controladores de carga e inversor instalados dentro de uma caixa.
Figura 7.27 Exemplo de edificao em madeira para instalao de banco de baterias, equipamentos
de condicionamento de potncia e de proteo - MIGDI da Ilha de Araras, Par.
Figura 7.28 Exemplo de uma chave fusvel NH disponvel comercialmente.
Figura 7.29 Pontos de instalao dos componentes de proteo, monitorao e controle de um SFV
para atendimento em c.c.
Figura 7.30 Pontos de instalao dos componentes de proteo, monitorao e controle de um SFV
para atendimento em c.a.
Figura 7.31 Pontos de instalao dos componentes de proteo, monitorao e controle de um SFCR.
CAPTULO 8 OPERAO E MANUTENO
Figura 8.1 Inclinmetro.
Figura 8.2 Exemplo de medio da tenso de circuito aberto do gerador fotovoltaico em um sistema
com baterias.
Figura 8.3 Termmetro infravermelho.
Figura 8.4 Exemplo de medio da tenso de circuito aberto de um mdulo.
Figura 8.5 Exemplo de medio da corrente de curto-circuito do gerador.
Figura 8.6 Solarmetro porttil.
Figura 8.7 Exemplo de medio da corrente de curto-circuito de um mdulo.
Figura 8.8 Anomalias na curva I-V de um painel fotovoltaico.
Figura 8.9 Fotografia com cmera termogrfica.
Figura 8.10 Cmera termogrfica infravermelha.
Figura 8.11 Densmetro.
Figura 8.12 Tenso de circuito aberto (volts) e densidade especfica (g/dm
3
) do eletrlito em funo
do estado de carga para baterias de chumbo-cido de tenso nominal de 12 V a 30C.
Figura 8.13 Exemplo de densmetro integrado em bateria sem manuteno.
Figura 8.14 Exemplo de medio da tenso de circuito aberto do banco de baterias.
Figura 8.15 Exemplo de medio da tenso de circuito aberto de uma bateria com elementos de 2V
com conexes externas.
Figura 8.16 Analisador digital de baterias.
Figura 8.17 Detectando um curto-circuito entre cabos.
Figura 8.18 Detectando uma falta terra.

LISTA DE QUADROS E TABELAS
CAPTULO 2 RECURSO SOLAR
Tabela 2.1 Principais caractersticas do Sol.
Tabela 2.2 Unidades para a radiao solar (irradincia e irradiao) e fatores de converso.
Tabela 2.3 Valores tpicos de albedo para diferentes tipos de superfcies.
CAPTULO 3 CLULAS E MDULOS FOTOVOLTAICOS
Tabela 3.1 Bandas proibidas E
g
para diversos materiais semicondutores temperatura de 300 K.
Tabela 3.2 Propriedades do silcio temperatura de 300 K e baixas concentraes de dopantes.
Tabela 3.3 Nveis de energia de ionizao para impurezas utilizadas como dopantes tipos p e n em
silcio.
Tabela 3.4 Eficincia das melhores clulas fotovoltaicas fabricadas em laboratrios at 2012.
Tabela 3.5 reas ocupadas por de mdulos de diferentes tecnologias.
Tabela 3.6 Eficincias de clulas fotovoltaicas coloridas.
Tabela 3.7 Normas e regulamentos sobre mdulos fotovoltaicos.
CAPTULO 4 COMPONENTES BSICOS DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Tabela 4.1 Dados tcnicos que constam na etiqueta do mdulo.
Tabela 4.2 Dados tcnicos adicionais que podem constar na folha de dados do mdulo.
Tabela 4.3 Classes de eficincia de mdulos fotovoltaicos no Brasil.
Tabela 4.4 Dados tcnicos de catlogos de baterias recarregveis disponveis comercialmente.
Tabela 4.5 Densidade do eletrlito H
2
SO
4
(valores tpicos a 25 C).
Tabela 4.6 Exemplos de resistncias internas (Ri) de dois modelos de baterias sem manuteno.
Tabela 4.7 Tenses caractersticas de clulas e baterias de chumbo-cido.
Tabela 4.8 Reduo da vida til de baterias Chumbo-cido tipo VRLA em funo da temperatura
mdia anual de operao.
Tabela 4.9 Valores mximos admissveis de impurezas em gua para baterias.
Tabela 4.10 Concentrao mxima de impurezas permitida na gua destilada e/ou deionizada.
Tabela 4.11 Tenses caractersticas de clulas e baterias de nquel-cdmio.
Tabela 4.12Exemplo de especificaes para os pontos de ajuste um controlador de carga on-off
baseado em tenso.
Tabela 4.13 Caractersticas de dispositivos semicondutores de chaveamento.
Tabela 4.14 Lgica de acionamento de uma ponte trifsica (6 tempos).
Tabela 4.15 Exemplo de especificaes de potncia de pico e de limitaes trmicas da potncia de
um inversor.
Tabela 4.16 Comparao de caractersticas de inversores para conexo rede com e sem
transformador.
CAPTULO 5 APLICAES DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Tabela 5.1 Especificao dos SIGFIs, segundo RN Aneel 493/2012.
Tabela 5.2 Condutividade e salinidade das guas.
Tabela 5.3 Condutividade da gua de poos na regio Nordeste.
Tabela 5.4 Densidade de corrente para proteo catdica.
CAPTULO 6 PROJETO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Tabela 6.1 Exemplo de clculo de consumo dirio de energia (mdia semanal).
Tabela 6.2 Valores estimados de consumo mdio mensal de alguns equipamentos eltricos.
Tabela 6.3 Exemplos de equipamentos eltricos que devem ser evitados ou proibidos em sistemas
isolados de pequeno porte.
Tabela 6.4 Disponibilidades mensais de energia por unidade consumidora.
Tabela 6.5 Estimativa de consumo mdio de gua por uso final.
Tabela 6.6 Perda de carga em tubulaes de PVC.
Tabela 6.7 Perdas de carga em conexes de PVC.
Tabela 6.8 Eficincias de SBFVs.
Tabela 6.9 Nveis de tenso considerados para conexo de micro e minicentrais geradoras.
Tabela 6.10 Requisitos mnimos em funo da potncia instalada.
Tabela 6.11 Principais caractersticas dos programas pesquisados e suas respectivas pginas na
internet.
CAPTULO 7 INSTALAO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS E RECOMENDAES DE
SEGURANA
Tabela 7.1 Normas nacionais recomendadas para consulta.
Tabela 7.2 Normas internacionais recomendadas para consulta.
Tabela 7.3 Vantagens e desvantagens das diferentes formas de instalao.
Tabela 7.4 Componentes de Proteo (chaves, disjuntores, DPS e fusveis).
CAPTULO 8 OPERAO E MANUTENO
Quadro 8.1 Aes recomendadas em caso de acidente com cido de baterias.
Quadro 8.2 Gerador Fotovoltaico.
Quadro 8.3 Baterias.
Quadro 8.4 Controladores de carga.
Quadro 8.5 Inversor.
Quadro 8.6 Cargas.
Quadro 8.7 Verificaes tpicas de sistemas de microgerao conectados rede.
Tabela 8.1 Falhas tpicas dos sistemas do programa alemo 1.000 Telhados.
Tabela 8.2 Recomendaes de equipe e sistema de monitoramento em funo do tamanho da central
FV.

GLOSSRIO
Aerogerador Dispositivo responsvel por converter a energia cintica contida nos ventos em
energia mecnica e, em seguida, em eletricidade.
Albedo Parte da radiao solar que chega superfcie da Terra e refletida pelo
ambiente do entorno (solo, vegetao, obstculos, terrenos rochosos etc.).
Ano Meteorolgico
Padro (ou Tpico)
Determinao estatstica dos dados meteorolgicos locais ao longo dos meses
de vrios anos.
Ampermetro Instrumento usado para medir a corrente eltrica.
Armrio de baterias Local onde comumente so abrigadas as baterias que formam o sistema de
armazenamento.
Arquitetura bioclimtica Aplicao das condicionantes impostas pelo clima local ao projeto
arquitetnico (adaptaes por meios naturais).
Aterramento eltrico Ligao intencional de estruturas ou instalaes com a terra, visando garantir o
funcionamento correto da instalao e, principalmente, proporcionar um
caminho preferencial s correntes eltricas indesejveis, de forma a evitar
riscos para as pessoas e os equipamentos.
Atlas solarimtrico Coletnea de informaes sobre os recursos solares existentes na forma de
cartas de isolinhas de radiao solar, insolao, em tabelas numricas, etc.
Banco de baterias Conjunto de baterias conectadas (srie/paralelo) entre si para armazenamento
de energia.
Bateria Acumulador de energia eltrica mais utilizado nos sistemas fotovoltaicos.
Autodescarga Descarregamento gradual da bateria quando no est em uso, devido a
processos qumicos internos.
Capacidade Quantidade de amperes-hora (Ah) que pode ser retirada da bateria quando
esta apresenta carga plena.
Carga Converso de energia eltrica em potencial eletroqumico no interior da
clula.
Clula Unidade eletroqumica bsica da bateria.
Ciclo Sequncia de carga-descarga da bateria at uma determinada profundidade de
descarga.
Descarga Converso de potencial eletroqumico em energia eltrica no interior da
clula.
Eletrlito Material condutor (geralmente fludo ou gel), onde a passagem de eletricidade
tem lugar na bateria, e que suporta as reaes qumicas necessrias.
Sobrecarga Fornecimento de corrente a bateria aps a mesma ter atingido a carga plena.
Tenso nominal Tenso mdia da bateria durante o processo de descarga com uma
determinada taxa de descarga a uma determinada temperatura.
Vida til Quantidade de vezes que a bateria pode carregar-descarregar ou o perodo de
tempo no qual sua capacidade reduz significativamente.
Bomba centrfuga Mquina hidrulica na qual a movimentao do fludo ocorre pela ao de
foras que se desenvolvem na massa do mesmo, em consequncia da rotao
de um eixo, que acoplado um disco (rotor, impulsor) dotado de ps (palhetas,
hlice), o qual recebe o fludo pelo seu centro e o expulsa pela periferia (ao
da fora centrfuga).
Bomba volumtrica Mquina hidrulica na qual a movimentao do fludo causada diretamente
pela ao do rgo de impulso da bomba, que obriga o fludo a executar o
mesmo movimento a que est sujeito este impulsor (mbolo, engrenagens,
lbulos, palhetas).
Bssola Instrumento usado para verificar o ngulo azimutal do gerador fotovoltaico,
isto , a orientao correta do mesmo.
Carga Potencia nominal de um equipamento, ou soma das potncias nominais dos
equipamentos eltricos em condies de entrar em funcionamento.
Clula a combustvel Dispositivo eletroqumico que converte a energia qumica em energia eltrica e
calor, tendo como combustvel o hidrognio.
Clula fotovoltaica Dispositivo elementar especificamente desenvolvido para realizar a converso
direta da energia solar em energia eltrica.
Corrente de curto-circuito Mxima corrente que a clula (ou mdulo) fotovoltaica pode produzir quando
a tenso eltrica em seus terminais igual a zero, considerando as condies
padro de teste.
Eficincia Relao entre a potncia eltrica produzida pela clula fotovoltaica e a
potncia da energia solar incidente (irradincia).
Fator de forma Relao entre a mxima potncia da clula (ou mdulo) fotovoltaica e o
produto entre a tenso de circuito aberto e a corrente de curto-circuito.
Mxima potncia Mximo valor de potncia que a clula (ou mdulo) fotovoltaica pode
produzir, considerando as condies padro de teste.
Tenso de circuito aberto Mxima tenso entre os terminais da clula (ou mdulo) fotovoltaica quando
no h corrente eltrica circulando, considerando as condies-padro de
teste.
Centrais fotovoltaicas Sistemas fotovoltaicos de mdio e grande porte, composto por vrios geradores
fotovoltaicos interligados rede eltrica por um ou mais inversor. Em geral,
so operados por empresas de gerao, sendo sua conexo rede eltrica feita
em mdia tenso.
Central hidroeltrica Instalao na qual a energia potencial e cintica contida em um fluxo de gua
convertida em energia mecnica e, em seguida, em energia eltrica.
Choque eltrico Efeito que se manifesta no organismo humano quando percorrido por uma
corrente eltrica. Em geral este efeito indesejvel.
Coletor solar Dispositivo responsvel pela captao da energia solar, converso em energia
trmica e, por fim, aquecimento de um fluido.
Condies padro de teste Condies nas quais a clula (ou mdulo) fotovoltaica submetida para
determinao dos seus parmetros eltricos. As condies so: irradincia solar
de 1.000 W/m
2
, distribuio espectral padro para a massa de ar de 1,5 e
temperatura de clula de 25 C.
Constante solar Irradincia solar incidente num plano perpendicular direo de propagao
no topo da atmosfera terrestre. Valor: 1.367 W/m
2
.
Controlador de carga Dispositivo responsvel por regular e gerenciar o fluxo energtico dos
geradores fotovoltaicos para as baterias, bem como proteg-las de uma
descarga profunda decorrente de um longo perodo sem gerao.
Conversores c.c.-c.c. Em geral, utilizado como controlador de carga de baterias a partir da energia
gerada por geradores fotovoltaicos.
Corrente alternada Corrente cuja polaridade e intensidade variam periodicamente no tempo.
Corrente contnua Corrente cuja polaridade e intensidade so constantes.
Curva de carga Grfico que mostra a evoluo no tempo da quantidade de potncia solicitada
por uma carga ou um conjunto de cargas.
Datalogger Dispositivo eletrnico responsvel pela aquisio e armazenamento de dados
ao longo do tempo.
Declinao Magntica Diferena entre a direo do Norte Verdadeiro e do Norte Magntico.
Declinao solar ngulo formado entre as linhas imaginrias do Equador e a que liga o centro
da Terra ao Sol.
Demanda Mdia das potncias eltricas ativas ou reativas, solicitadas ao sistema eltrico
pela parcela da carga instalada em operao na unidade consumidora, durante
um intervalo de tempo especificado.
Densmetro Instrumento que indica o estado de carga da bateria por determinao da
densidade do eletrlito.
Dessalinizao Retirada de sais da gua salgada ou salobra, tornando-a doce e prpria para o
consumo humano.
Dessalinizador Equipamento que realiza a dessalinizao da gua.
Diodo de bloqueio Conectados entre os mdulos FV e as baterias para impedir que aqueles atuem
como carga para as baterias em perodos onde no haja gerao de energia.
Esses diodos impedem, tambm, que, em um gerador FV, mdulos operando
em condies normais injetem correntes elevadas em grupos de mdulos em
condies de funcionamento anormais.
Diodo de desvio ou by-
pass
Conectados em paralelo com os mdulos para impedir que, em uma associao
srie, o mau funcionamento de um dos mdulos (devido a defeitos de
fabricao ou condies de sombreamento) influencie negativamente no
desempenho de todo o gerador.
Efeito fotovoltaico Converso direta da energia da luz (espectro visvel) em energia eltrica. A
clula fotovoltaica o elemento que realiza esta converso.
Eletrificador Dispositivo que transforma um sinal de tenso em pulsos eltricos de alta
intensidade e curta durao.
Energia Capacidade dos corpos de desenvolver uma fora ou produzir um trabalho.
Energia cintica Energia que est associada ao movimento.
Energia eltrica a fonte de energia mais verstil e utilizada no mundo, estando presente em
todos os usos energticos finais.
Energia elica Energia cintica presente na deslocao do ar (vento) que pode ser convertida
em energia mecnica para acionamento de bombas, moinhos e geradores de
energia eltrica.
Energia mecnica Energia que pode ser usada diretamente para realizao de trabalho, seja ela
potencial ou cintica.
Energia solar Fonte primria de todas as fontes de energia.
Energia solar fotovoltaica Converso direta da energia solar radiante em energia eltrica corrente
contnua.
Energia solar trmica Converso direta da energia solar radiante em calor utilizvel.
Equador a linha imaginria que divide o planeta em Hemisfrio Norte e Hemisfrio
Sul, sendo equidistante dos plos Norte e Sul.
Equincio Momento em que o Sol, durante seu movimento aparente, cruza o plano do
equador celeste. Os equincios ocorrem duas vezes por ano: em setembro e em
maro. Os dias e noites so iguais em durao.
Equipamentos de
condicionamento de
potncia
Equipamentos cuja funo principal otimizar o controle gerao/consumo
visando ao aproveitamento timo do recurso solar, aliado qualidade e
continuidade na entrega da energia ao usurio.
Equipotencializao Procedimento que consiste na interligao de elementos da instalao, visando
obter a equipotencialidade necessria para os fins desejados.
Estao meteorolgica Constitudas por uma srie de sensores utilizados com a finalidade de realizar a
monitorao continuamente, em intervalos de tempo predeterminados, das
variveis meteorolgicas (vento, irradincia, temperatura, etc.).
Fiao ou cabeamento Conjunto de cabos ou fios destinados distribuio da energia eltrica para um
determinado fim.
Fonte de energia Recurso energtico renovvel ou no.
Gerador fotovoltaico Constitudo por mdulos fotovoltaicos em diferentes associaes (srie/paralela)
e pelo cabeamento eltrico que os interliga, alm de outros acessrios.
Grupo gerador diesel Equipamento que utiliza o diesel como combustvel para acionar uma mquina
motriz, cuja energia mecnica do seu eixo convertida em energia eltrica por
um gerador.
GW
th
Unidade de potncia usada para caracterizao de equipamentos para
resfriamento ou aquecimento.
Horas de Sol Pleno Nmero de horas por dia em que a radiao solar deve permanecer constante e
igual a 1.000 W/m
2
.
Inclinmetro Instrumento usado para medir o ngulo de inclinao do gerador fotovoltaico.
Inversor Dispositivo responsvel pela converso de uma tenso contnua (c.c.),
proveniente dos geradores renovveis, ou do banco de baterias, para uma
tenso alternada (c.a.), com amplitude e frequncia determinadas.
Eficincia Relao entre a potncia de sada e a potncia de entrada do inversor.
Fator de dimensionamento
de inversor
Relao entre a potncia nominal c.a. do inversor e a potncia pico do
gerador fotovoltaico (potncia na condio padro de teste).
Forma de onda Tipificao do inversor segundo as caractersticas da forma de onda
(quadrada, quadrada modificada ou senoidal).
Frequncia Frequncia da tenso c.a. de sada do inversor, geralmente 50 ou 60 Hz.
Potncia nominal Potncia que o inversor fornece carga em regime contnuo.
Tenso de entrada Funo da potncia nominal fornecida pelo inversor s cargas c.a.
Tenso de sada Regulada na maioria dos inversores, e sua escolha depende da tenso de
operao das cargas c.a.
Irradiao difusa Irradiao solar que atinge a superfcie aps sofrer espalhamento pela
atmosfera terrestre
Irradiao direta Irradiao solar que incide diretamente sobre a superfcie, sem sofrer qualquer
influncia.
Irradiao global Quantidade resultante da soma da irradiaes solares direta e difusa, e albedo.
Irradiao solar Energia incidente por unidade de superfcie de um dado plano, obtida pela
integrao da irradincia durante um intervalo de tempo, normalmente uma
hora ou um dia.
Irradincia extraterreste Irradincia solar que atinge o topo da camada atmosfrica da Terra.
Irradincia solar Potncia radiante (radiao solar) incidente por unidade de superfcie sobre um
dado plano.
LED Componente eletrnico constitudo por um material semicondutor que quando
submetido a uma determinada corrente eltrica emite luz.
Massa de ar Efeito de uma atmosfera translcida sob a luz do Sol.
Medidor bidirecional Dispositivo que registra a entrada e a sada de energia eltrica em uma unidade
consumidora.
Medidor unidirecional Dispositivo que registra a entrada ou a sada de energia eltrica em uma
unidade consumidora.
Microgerao distribuda Central geradora de energia eltrica, com potncia instalada menor ou igual a
100 kW e que utilize fontes com base em energia hidrulica, solar, elica,
biomassa ou cogerao qualificada, conforme regulamentao da ANEEL,
conectada na rede de distribuio por meio de instalaes de unidades
consumidoras.
Microssistema isolado de
gerao e distribuio de
energia eltrica
Sistema isolado de gerao e distribuio de energia eltrica com potncia
instalada total de gerao de at 100 kW.
Minigerao distribuda Central geradora de energia eltrica, com potncia instalada superior a 100 kW
e menor ou igual a 1 MW para fontes com base em energia hidrulica, solar,
elica, biomassa ou cogerao qualificada, conforme regulamentao da
ANEEL, conectada na rede de distribuio por meio de instalaes de unidades
consumidoras.
Minirrede ou Microrede
de distribuio
Rede de distribuio de energia eltrica que pode operar isoladamente do
sistema de distribuio, atendida diretamente por uma unidade de gerao
distribuda.
Mdulo fotovoltaico Unidade bsica do gerador fotovoltaico formada por um conjunto de clulas
solares, interligadas eletricamente e encapsuladas, com o objetivo de gerar
energia eltrica.
Caixa de conexes Local onde so abrigados os diodos de desvio e as conexes dos conjuntos de
clulas em srie.
Estrutura de suporte Estrutura concebida para se adaptar ao terreno, ou estrutura do prdio, s
caractersticas dos mdulos e estratgia de ajuste de inclinao e
orientao.
Piranmetro Instrumento destinado a medir a irradiao solar global.
Pirelimetro Instrumento destinado a medir a irradiao solar direta.
Potncia Quantidade de trabalho realizado por unidade de tempo.
Radiao solar Energia procedente do sol sob a forma de onda eletromagntica.
Rastreador solar Suporte mecnico ativo que permite o apontamento da superfcie do gerador
fotovoltaico na direo do Sol, com intuito de maximizar a produo de
energia. Idealmente tal dispositivo deve manter o ngulo de incidncia da luz
solar sempre prximo da normal superfcie do gerador.
Seguidores do ponto de
mxima potncia
Dispositivo utilizado para maximizar a potncia disponvel do gerador
fotovoltaico. Permite encontrar e regular os pontos de mxima potncia
(produto I-V) em todos os estados de funcionamento.
Semicondutor Material que, quando aquecido ou combinado com outros materiais, capaz de
conduzir eletricidade. Semicondutores em clulas fotovoltaicas so, por
exemplo, o Silcio, Telureto de cdmio (CdTe) e Disseleneto de cobre (CIS)
Silcio Segundo elemento qumico mais frequente no mundo. Material base na
indstria dos semicondutores e matria-prima para a fabricao de clulas
solares.
Amorfo Forma alotrpica no cristalina do silcio.
Monocristalino Formado por uma estrutura cristalina homognea ao longo de todo o material.
Policristalino Formado por pequenos cristais, colados uns aos outros e que tm um tamanho
que vai desde alguns milmetros at alguns centmetros.
Sistema de
armazenamento
Sistema responsvel em acumular energia eltrica, para a distribuio no
momento oportuno e na medida requerida.
Sistema de proteo Sistema responsvel em minimizar ou at mesmo eliminar falhas que possam
prejudicar a segurana das pessoas e dos equipamentos. Composto por:
disjuntores, chaves seccionadoras, dispositivos de proteo contra surtos
(DPS), sistemas de aterramento e sistemas de proteo contra descargas
atmosfricas (SPDA).
Sistema fotovoltaico Sistema de converso da radiao solar em energia aproveitvel sob a forma de
eletricidade. constitudo por um bloco gerador, um bloco de
condicionamento de potncia e, opcionalmente, um bloco de armazenamento.
Sistema fotovoltaico
conectado rede
Sistema fotovoltaico com funcionamento dependente da rede eltrica, tendo a
produo de energia entregue diretamente a mesma.
Sistema fotovoltaico de
bombeamento de gua
Sistema fotovoltaico utilizado exclusivamente para o acionamento de
motobomba para bombeamento de gua.
Sistema fotovoltaico
domiciliar
Sistema fotovoltaico isolado utilizado para ao atendimento de domiclios
individuais.
Sistema fotovoltaico
integrados a edificaes
Sistema fotovoltaico que pode ser aplicado em edificaes novas ou j
existentes sobre os telhados ou fachadas, servindo no apenas como fontes de
energia, mas como elementos de sombreamento e diferencial arquitetnico da
prpria construo.
Sistema fotovoltaico
isolado ou autnomo
Sistema fotovoltaico com funcionamento independente da rede eltrica, isto ,
no conectado. Em geral, utiliza baterias para armazenamento de energia.
Sistema hbrido de
energia
Sistema que utiliza mais de uma fonte primria de energia (renovvel ou no),
dependendo da disponibilidade dos recursos, para gerar energia eltrica de
forma coordenada e com custos mnimos, dada a possibilidade de se explorar a
complementaridade entre as fontes, permitindo assim que o mesmo opere com
o mnimo de interrupes, o que garante uma boa qualidade no atendimento de
cargas especificas.
Sistema individual de
gerao de energia
eltrica com fonte
intermitente
Sistema de gerao de energia eltrica, utilizado para o atendimento de uma
nica unidade consumidora, cujo fornecimento se d exclusivamente por meio
de fonte de energia intermitente.
Sol Sol a estrela mais prxima da Terra, sendo sua principal fonte de energia.
Sol (concentrao) Irradincia solar correspondente a 1.000 W/m
2
.
Solstcio Momento em que o Sol, durante seu movimento aparente, atinge a maior
declinao em latitude, medida a partir da linha do equador. Os solstcios
ocorrem duas vezes por ano: em dezembro e em junho. No vero, os dias so
mais longos. No inverno, as noites so mais longas.
Tabela Price um sistema de amortizao do saldo devedor cuja principal caracterstica a
apresentao de parcelas iguais no pagamento de um determinado
financiamento.
Tabela SAC um sistema caracterizado pela amortizao constante do saldo devedor e,
principalmente, pelo valor decrescente na parcela de um financiamento.
Temperatura nominal da
clula nas condies de
operao
Temperatura nominal atingida pelas clulas quando o mdulo exposto em
circuito aberto a seguintes condies: irradincia na superfcie da clula igual a
800 W/m
2
, temperatura do ar a 20 C e velocidade de vento incidente a igual 1
m/s.
Unidade Astronmica Distncia mdia entre o Sol e a Terra; cerca de 150 milhes de km.

Vento Movimento do ar na atmosfera terrestre devido ao aquecimento heterogneo
provocado pela radiao solar nas diferentes regies da superfcie terrestre.
Voltmetro Instrumento usado para medir a tenso eltrica.
Wp (watt-pico) Unidade de potncia de sada de uma clula, mdulo ou gerador fotovoltaico,
considerando as condies padro de teste.
CAPTULO 1
INTRODUO
CAPTULO 1 INTRODUO
O aproveitamento da energia gerada pelo Sol, inesgotvel na escala terrestre de tempo, tanto
como fonte de calor quanto de luz, hoje uma das alternativas energticas mais promissoras para
prover a energia necessria ao desenvolvimento humano. Quando se fala em energia, deve-se lembrar
de que o Sol responsvel pela origem de praticamente todas as outras fontes de energia na Terra. Em
outras palavras, as fontes de energia so, em ltima instncia, derivadas, em sua maioria, da energia do
Sol.
a partir da energia do Sol que se d a evaporao, origem do ciclo das guas, que possibilita o
represamento e a consequente gerao de eletricidade (hidroeletricidade). A radiao solar tambm
induz a circulao atmosfrica em larga escala, causando os ventos. Assim, tambm a energia elica
uma forma indireta de manifestao da energia solar, j que os ventos se formam a partir da converso
da radiao solar em energia cintica, em funo de um balano diferenciado nas diferentes latitudes
entre a radiao solar incidente e a radiao terrestre emitida. Petrleo, carvo e gs natural foram
gerados a partir de resduos de plantas e animais que originalmente obtiveram do recurso solar a
energia necessria ao seu desenvolvimento. tambm atravs da energia do Sol que a matria
orgnica, como a cana-de-acar, realiza a fotossntese e se desenvolve para, posteriormente, ser
transformada em combustvel nas usinas. Entretanto, neste manual tratar-se- apenas do que se pode
chamar de energia solar direta.
O Relatrio Especial sobre Fontes Renovveis de Energia e Mitigao da Mudana Climtica,
publicado pelo IPCC (Intergovernmental Panel on Climate Change), agregou a energia solar direta em
cinco grandes blocos: 1) solar passiva, onde se insere a arquitetura bioclimtica; 2) solar ativa, onde se
inserem o aquecimento e a refrigerao solares; 3) solar fotovoltaica, para produo de energia eltrica
com e sem concentradores, sendo esta ltima o objeto deste manual; 4) a gerao de energia eltrica a
partir de concentradores solares trmicos para altas temperaturas e; 5) um processo inspirado na
fotossntese atravs do qual, em um reator alimentado por dixido de carbono (CO
2
), gua e metal ou
xido metlico, exposto radiao solar, produz-se hidrognio, oxignio e monxido de carbono.
Neste caso, o hidrognio seria o combustvel solar a alimentar clulas a combustvel, no mais
produzido a partir de gs natural, mas da quebra da molcula da gua atravs da luz solar. Ressalta-se
que a tcnica mencionada ainda no se mostrou eficiente na produo do combustvel solar e continua
em desenvolvimento.
De forma mais simplificada, para fins de engenharia, pode-se falar da energia solar trmica e
energia solar fotovoltaica. Algumas formas de utilizao da energia solar so apresentadas a seguir.

47
1.1 Energia Solar Trmica
Neste caso, o interesse na quantidade de energia que um determinado corpo capaz de
absorver, sob a forma de calor, a partir da radiao solar incidente no mesmo. A utilizao dessa forma
de energia implica no somente em saber capt-la, mas tambm em como armazen-la. Os
equipamentos mais difundidos com o objetivo especfico de se utilizar a energia solar trmica so
conhecidos como coletores solares.
Os coletores solares so aquecedores de fluidos (lquidos ou gasosos) e so classificados em
coletores concentradores e coletores planos, em funo da existncia ou no de dispositivos de
concentrao da radiao solar. O fluido aquecido pode ser mantido em reservatrios termicamente
isolados at o seu uso final. Os coletores concentradores esto associados a aplicaes em
temperaturas superiores a 100
o
C, podendo alcanar temperaturas de at 400
o
C para o acionamento de
turbinas a vapor e posterior gerao de eletricidade. J os coletores planos so utilizados
fundamentalmente para aplicaes residenciais e comerciais em baixa temperatura (por volta de 60
o
C),
tais como: gua aquecida para banho, ar quente para secagem de gros, aquecimento de piscinas, gua
aquecida para limpeza em hospitais e hotis, etc.
Os coletores solares planos so largamente utilizados para aquecimento de gua em residncias,
hospitais, hotis, etc., visando reduo do consumo de energia eltrica ou de gs. Em termos globais,
o Relatrio da Situao Global das Renovveis 2012 estima que a potncia instalada acumulada no
mundo, apenas para aquecimento de gua e gerao de calor, atingiu 232 GW
th
1
ao final de 2011, o
que representa o uso de uma rea aproximada de 330 milhes de m
2
. O mesmo relatrio estima que
mais de 200 milhes de residncias no mundo usam coletores solares para aquecimento de gua. No
Brasil, a rea acumulada atingiu 8,49 milhes de m
2
, o que supera 5,7 GW
th
, sendo 1,15 milho de m
2

acrescentados apenas em 2012. A Figura 1.1 apresenta a evoluo do setor de aquecimento solar no
mercado brasileiro ao longo da ltima dcada.


1
GW
th
Gigawatt trmico. Unidade de potncia usada para caracterizao de equipamentos para resfriamento, como
condicionadores de ar, ou aquecimento, como coletores solares, centrais termeltricas ou turbinas.
48

Figura 1.1 - Evoluo do Mercado Brasileiro de Aquecimento Solar. Fonte: (DASOL, 2013).
Uma tendncia que se observa nessa rea, no exterior, a instalao de grandes sistemas solares
integrados para aquecimento de gua e ambiente, bem como para refrigerao, alm da implantao de
sistemas urbanos de aquecimento (district heating). Em 2011 foi construda uma planta de 25 MW
th

para aquecimento de gua em Riad, na Arbia Saudita, capaz de atender 40.000 estudantes
universitrios, constituindo-se na maior planta instalada no mundo para esta finalidade.
Plantas de mdio e grande porte utilizando sistemas pticos (lentes, espelhos) para concentrao
da radiao solar e aquecimento de fluidos a altas temperaturas so denominadas de CSP
(Concentrated Solar Power). Quatro tecnologias CSP so usadas: cilindros parablicos, torres solares,
coletores lineares de Fresnel e concentradores (discos) parablicos. Nas trs primeiras tecnologias,
normalmente o calor captado usado na produo de vapor e posterior acionamento de turbinas para
fins de gerao de energia eltrica. Na ltima, a energia eltrica gerada em motores stirling. As
tecnologias apresentam diferentes nveis de maturidade, variando desde a viabilidade comercial dos
cilindros parablicos que dominam o mercado com 90% da potncia instalada, passando por plantas
pilotos comerciais com torres solares, a projetos pilotos com concentradores de Fresnel. As potncias
destas plantas podem variar de uma dezena de kW, nos sistemas stirling, at centenas de MW, em
plantas com cilindros parablicos.
Em 2013, as instalaes CSP de diferentes tecnologias de concentradores solares atingiram uma
potncia instalada global da ordem de 2,8 GW, onde aproximadamente 90% das instalaes se
encontravam em operao. A Espanha responsvel por aproximadamente 65% do total das plantas
em operao no mundo.
Uma grande vantagem dos sistemas solares trmicos a possibilidade de serem acoplados a
sistemas de armazenamento de calor para uso em outros horrios, que no coincidem com a incidncia
49
solar. Isso traz uma maior flexibilidade no despacho de energia eltrica, em comparao aos sistemas
fotovoltaicos, alm de maior eficincia no processo de converso de energia e de uma gama de
aplicao mais ampla. Outra vantagem a possibilidade de integrao com outras aplicaes que
necessitem de energia trmica.
Um dos grandes desafios que se coloca para o segmento industrial solar trmico a queda
significativa dos preos dos mdulos fotovoltaicos
2
, que tornam estes mais competitivos.
Quanto energia solar trmica passiva, a arquitetura bioclimtica estuda formas de harmonizar
as construes ao clima e caractersticas locais, pensando no homem que habitar ou trabalhar nesses
ambientes, e tirando partido de correntes convectivas naturais e de microclimas criados por vegetao
apropriada. Trata-se da adoo de solues arquitetnicas e urbansticas adaptadas s condies
especficas (clima e hbitos de consumo) de cada lugar, utilizando, para isso, a energia que pode ser
diretamente obtida das condies locais e beneficiando-se da luz e do calor provenientes da radiao
solar incidente, bem como da ventilao natural. O uso da luz solar, que implica em reduo do
consumo de energia eltrica para iluminao, condiciona o projeto arquitetnico quanto sua
orientao espacial, quanto s dimenses das janelas e suas propriedades pticas, altura do teto, etc.
Por outro lado, a administrao do calor proveniente do Sol conseguida pela alterao da orientao
espacial da edificao e pela seleo dos materiais adequados (isolantes ou no, conforme as condies
climticas) para paredes, vedaes e coberturas, dentre outros fatores.
A arquitetura bioclimtica no se restringe a caractersticas arquitetnicas adequadas. Preocupa-
se, tambm, com o rendimento dos equipamentos e sistemas que so necessrios ao uso da edificao
(aquecimento de gua, circulao de ar e de gua, iluminao, conservao de alimentos, etc.) e com o
uso de materiais de contedo energtico to baixo quanto possvel.
1.2 Energia Solar Fotovoltaica
A energia solar fotovoltaica a energia obtida atravs da converso direta da luz em eletricidade
(Efeito Fotovoltaico), sendo a clula fotovoltaica, um dispositivo fabricado com material
semicondutor, a unidade fundamental desse processo de converso.
As principais tecnologias aplicadas na produo de clulas e mdulos fotovoltaicos so
classificadas em trs geraes. A primeira gerao dividida em duas cadeias produtivas: silcio
monocristalino (m-Si) e silcio policristalino (p-Si), que representam mais de 85% do mercado, por ser

2
Mdulo fotovoltaico uma unidade bsica, formada por um conjunto de clulas fotovoltaicas, interligadas eletricamente e
encapsuladas, com o objetivo de gerar energia eltrica, e se constitui na unidade comercial do gerador fotovoltaico. Ver
item 3.4.
50
considerada uma tecnologia consolidada e confivel, e por possuir a melhor eficincia comercialmente
disponvel.
A segunda gerao, comercialmente denominada de filmes finos, dividida em trs cadeias
produtivas: silcio amorfo (a-Si), disseleneto de cobre e ndio (CIS) ou disseleneto de cobre, ndio e
glio (CIGS) e telureto de cdmio (CdTe). Esta gerao apresenta menor eficincia do que a primeira e
tem uma modesta participao do mercado, competindo com a tecnologia c-Si
3
. Existem dificuldades
associadas disponibilidade dos materiais, vida til, rendimento das clulas e, no caso do cdmio, sua
toxicidade, que retardam a sua utilizao em maior escala.
A terceira gerao, ainda em fase de Pesquisa e Desenvolvimento (P&D), testes e produo em
pequena escala, dividida em trs cadeias produtivas: clula fotovoltaica multijuno e clula
fotovoltaica para concentrao (CPV Concentrated Photovoltaics), clulas sensibilizadas por corante
(DSSC Dye-Sensitized Solar Cell) e clulas orgnicas ou polimricas (OPV Organic
Photovoltaics). A tecnologia CPV, por exemplo, demonstrou ter um potencial para produo de
mdulos com altas eficincias, embora o seu custo ainda no seja competitivo com as tecnologias que
atualmente dominam o mercado.
A Figura 1.2 apresenta a evoluo da eficincia das clulas fotovoltaicas verificada no perodo
de 1990 a 2010, mostrando a melhor eficincia obtida para clulas de pequena rea (0,5 a 5,0 cm
2
)
fabricadas em laboratrio, usando diferentes tecnologias. Clulas multijuno para concentrao (III-V
MJ Conc)
4
foram fabricadas com dupla juno at 1995 e, posteriormente, com junes triplas. Na
Figura 1.2, a eficincia da clula a-Si MJ (multijuno com silcio amorfo) refere-se ao valor j
estabilizado aps exposio prolongada luz.

3
Denominao genrica das tecnologias de silcio cristalino, m-Si e p-Si.
4
Clulas com Concentradores Multijuno, tambm conhecidas por III-V MJ Conc, utilizam na sua fabricao
semicondutores dos antigos grupos III e V da tabela peridica.
51

Figura 1.2 - Desenvolvimento das clulas fotovoltaicas. Fonte: Adaptada de (GREEN et al., 2011).
Um desafio paralelo para a indstria o desenvolvimento de acessrios e equipamentos
complementares para sistemas fotovoltaicos, com qualidade e vida til comparveis s dos mdulos
(fabricantes de mdulos de silcio cristalino garantem os seus produtos por 25 anos). Sistemas de
armazenamento de energia e de condicionamento de potncia tm sofrido grandes avanos no sentido
de aperfeioamento e reduo de custos, embora ainda no tenham atingido o grau de desenvolvimento
desejado.
1.2.1 Histria e situao atual da energia solar fotovoltaica no mundo
Os principais eventos associados ao desenvolvimento dos equipamentos de converso da energia
solar fotovoltaica podem ser visualizados na Figura 1.3.
O efeito fotovoltaico, primeiramente descoberto por Edmond Becquerel, em 1839, implica no
aparecimento de uma diferena de potencial nos terminais de uma clula eletroqumica causada pela
absoro de luz. Em 1876 foi concebido o primeiro aparato fotovoltaico advindo dos estudos da fsica
do estado slido e, apenas em 1956, iniciou-se a produo industrial, seguindo o crescimento da rea
de eletrnica.
Inicialmente, o desenvolvimento da tecnologia apoiou-se na busca, por empresas do setor de
telecomunicaes, de fontes de energia para sistemas instalados em localidades remotas. O segundo
agente impulsionador foi a chamada corrida espacial. A clula fotovoltaica era, e continua sendo, o
meio mais adequado (menor custo, peso e segurana) para fornecer a quantidade de energia necessria
para longos perodos de alimentao de equipamentos eletroeletrnicos no espao.

52

Figura 1.3 - Representao dos eventos-chave no desenvolvimento das clulas fotovoltaicas. Fonte: Adaptado de
(FERREIRA, 1993).
53
A crise do petrleo de 1973 renovou e ampliou o interesse em aplicaes terrestres para a
energia solar fotovoltaica. Porm, para tornar economicamente vivel essa forma de converso de
energia, seria necessrio, naquele momento, reduzir em at 100 vezes o custo de produo das clulas
fotovoltaicas em relao ao custo daquelas clulas usadas em aplicaes espaciais. Adicionalmente, o
perfil das empresas envolvidas no setor tambm foi modificado. Nos Estados Unidos, algumas
empresas de petrleo resolveram diversificar seus investimentos, incluindo a produo de energia a
partir da radiao solar em suas reas de negcios.
Em 1978, a produo da indstria fotovoltaica no mundo j ultrapassava a marca de
1 MWp/ano
5
. Os Estados Unidos foram lderes mundiais na produo dessa tecnologia durante a maior
parte da dcada de 1990. No final dessa dcada, polticas de governo na Alemanha e no Japo
resultaram em aumentos substanciais no desenvolvimento desse mercado. Essas polticas foram
impulsionadas, em parte, por um forte compromisso com a reduo de CO
2
, conforme previsto pelo
Protocolo de Kyoto, e em parte para desenvolver o mercado dessa tecnologia para exportao.
Em 1998, a produo mundial de clulas fotovoltaicas atingiu a marca de 150 MWp, sendo o
silcio quase absoluto dentre os materiais utilizados. O grande salto no desenvolvimento do mercado
fotovoltaico resultou do rpido aumento da produo chinesa, observado desde 2006. Em 2003, a sia
no figurava entre os dez maiores fabricantes do mundo, entretanto, em 2008, trs destes eram da
China e um de Taiwan e, em 2009, a China j ocupava a liderana na fabricao de mdulos.
Embora abundante na Terra, a energia solar para produo de energia eltrica ainda pouco
utilizada. Nos pases desenvolvidos este cenrio vem mudando, porque fortes incentivos foram
concedidos para a instalao de sistemas fotovoltaicos. A Figura 1.4 apresenta a evoluo da produo
mundial de clulas fotovoltaicas, tendo sido produzidos, em 2012, cerca de 36,2 GWp. Esta potncia
equivale a mais de duas vezes e meia a potncia da usina hidroeltrica de Itaipu, a maior central de
produo de energia eltrica do Brasil. Nos ltimos onze anos, o crescimento anual mdio da indstria
de clulas e mdulos fotovoltaicos foi de 54,2%.

5
Wp (watt-pico) a unidade de potncia de sada de um gerador fotovoltaico, sob as condies padro de ensaio.
54

Figura 1.4 - Produo mundial de clulas fotovoltaicas. Fonte: Modificado de (Roney 2013).
A Figura 1.5 apresenta a potncia instalada em sistemas fotovoltaicos no mundo no perodo de
2000 a 2012. O maior mercado de mdulos fotovoltaicos tem sido a Alemanha, seguida da Itlia,
sendo que, apenas na Europa, encontram-se instalados aproximadamente 74% da produo mundial.
Em 2011, a energia eltrica produzida pelos sistemas fotovoltaicos correspondeu a 2% do consumo
europeu, com destaque para a Itlia, onde este nmero foi da ordem de 5%. Na ltima dcada, a
potncia instalada em sistemas fotovoltaicos nos pases europeus somente foi menor que a instalada
em centrais elicas e a gs natural. Depois da Europa, os maiores mercados para sistemas fotovoltaicos
esto no Japo e nos Estados Unidos. Vale ressaltar que, at 2012, a potncia instalada acumulada
global superou os 100 GWp, sendo 32,3 GWp na Alemanha e 16 GWp na Itlia.
55

Figura 1.5 - Evoluo da potncia instalada em sistemas fotovoltaicos no mundo. Fonte: (EPIA, 2013).
Outros mercados esto surgindo, principalmente na sia, podendo-se citar, dentre outros pases,
o expressivo crescimento verificado na China e na ndia, devido a polticas favorveis, preos baixos
de mdulos fotovoltaicos e programas de eletrificao rural em larga escala. Na China, mais do que
incentivar o uso da tecnologia atravs de programas governamentais, a poltica mais agressiva est
voltada para a produo e exportao de clulas e mdulos fotovoltaicos. A Figura 1.6 apresenta a
distribuio percentual da produo mundial de clulas segundo o pas ou regio, em 2012. A China,
que fabricou 23 GWp em mdulos fotovoltaicos, deteve 64% da produo mundial desse ano. As
indstrias instaladas em pases asiticos, no necessariamente com tecnologia desenvolvida
nacionalmente, dominam o mercado, com 85%. Em 2012, na Europa foram produzidos 11% dos
mdulos fotovoltaicos e nos Estados Unidos, 3%, mas deve-se observar que muitas empresas
europeias e norte-americanas deslocaram suas fbricas para a sia, em busca de reduo de custos de
produo, em funo da existncia de uma cadeia produtiva estabelecida, mo de obra qualificada e
barata, e incentivos por meio de fontes de financiamento para implantao de fbricas.
O grfico da Figura 1.6 mostra os principais pases fabricantes de mdulos fotovoltaicos do
mundo em 2012.
56

Figura 1.6 - Distribuio da produo mundial de clulas fotovoltaicas em 2012. Fonte: (GTM RESEARCH, 2013)
O custo das clulas fotovoltaicas , ainda hoje, um grande desafio para a indstria e o principal
empecilho para a difuso dos sistemas fotovoltaicos em larga escala. No entanto, a tecnologia
fotovoltaica est se tornando cada vez mais competitiva, em razo, tanto dos seus custos decrescentes,
quanto dos custos crescentes das demais formas de produo de energia, inclusive em funo da
internalizao de fatores que eram anteriormente ignorados, como a questo dos impactos ambientais.
No final de 2013, para venda em maior escala, o preo do mdulo fotovoltaico de c-Si encontrava-se
em cerca de 0,60 /Wp na Europa, de 0,65 U$/Wp nos EUA e menos de 3 R$/Wp no Brasil.
1.2.2 Breve histrico da energia solar fotovoltaica no Brasil
O territrio brasileiro recebe elevados ndices de irradiao solar, quando comparado com pases
europeus, onde a tecnologia fotovoltaica disseminada para a produo de energia eltrica. Constata-
se, entretanto, que o avano tecnolgico no Brasil tem passado por fases de crescimento, bem como
por perodos de vrias dificuldades.
Nos anos 50, iniciou-se o desenvolvimento de mdulos fotovoltaicos no Instituto Nacional de
Tecnologia (INT) e no Centro Tecnolgico de Aeronutica (CTA) hoje Centro Tcnico
Aeroespacial, sendo realizado, em 1958, o Primeiro Simpsio Brasileiro de Energia Solar. O incio do
desenvolvimento de clulas fotovoltaicas de silcio cristalino na Universidade de So Paulo (USP) teve
por base o conhecimento em microeletrnica. As atividades foram focadas no desenvolvimento de
lingotes de silcio monocristalino com o mtodo Czochralski (Si-Cz), que, utilizados para a fabricao
de clulas fotovoltaicas, resultaram em dispositivos com eficincia da ordem de 12,5%.
O desenvolvimento de tecnologias de filmes finos comeou na dcada de 1970, no Instituto
Militar de Engenharia (IME), localizado no Rio de Janeiro, com colaborao internacional. Foi
montada uma linha completa para processamento de clulas fotovoltaicas de Cu
2
S/CdS (sulfeto de
57
cobre/sulfeto de cdmio) com dimenses de 5 x 5 cm. Um dos principais resultados obtidos foi a
produo de um mdulo fotovoltaico de 30 x 30 cm com 5% de eficincia. A tecnologia evoluiu
inicialmente para clulas fotovoltaicas de filmes finos CIS, mas atualmente o grupo atua na tecnologia
de clulas CdTe.
Nos anos 70, o desenvolvimento tecnolgico no Brasil, no setor de energia solar fotovoltaica,
iniciado duas dcadas antes, equiparava-se ao que ocorria nos pases de vanguarda no mundo,
incentivado pela crise internacional do petrleo. No final dos anos 70 e incio da dcada de 80, duas
fbricas de mdulos fotovoltaicos de silcio cristalino foram estabelecidas no pas. Porm, nos anos 80,
vrios grupos de pesquisa direcionaram os seus trabalhos para outras reas, devido falta de
incentivos, e as fbricas reduziram a sua produo significativamente, ou foram extintas. Atualmente
h apenas uma fbrica para encapsulamento de mdulos fotovoltaicos em funcionamento no Brasil
(Empresa Tecnometal, localizada em Campinas).
A Associao Brasileira de Energia Solar (ABENS) foi criada em 1978 e possua escritrios
regionais em vrios estados brasileiros. Porm, uma dcada mais tarde, as atividades foram
interrompidas temporariamente. Muitos anos depois, com o aumento do nmero de especialistas e das
atividades de pesquisa no pas, iniciou-se, durante o II SNESF - Simpsio Nacional de Energia Solar
Fotovoltaica, ocorrido em 2005 no Cepel (Rio de Janeiro, RJ), uma discusso entre os pesquisadores
atuantes na rea, para reorganizao da ABENS. Aps a sua reestruturao, o primeiro congresso
promovido pela ABENS (I CBENS - Congresso Brasileiro de Energia Solar) foi realizado em 2007 em
Fortaleza, CE. At 2012 foram realizados trs outros congressos: II CBENS em novembro de 2008
(Florianpolis, SC); III CBENS em setembro de 2010 (Belm, PA) e IV CBENS em setembro de 2012
(So Paulo, SP).
Nos anos 80 e 90 houve o desenvolvimento, em escala de laboratrio e piloto, de vrias
tecnologias relacionadas purificao de silcio para uso em clulas fotovoltaicas e fabricao destas
clulas, em vrias universidades e centros de pesquisa pblicos, bem como em empresas privadas.
No incio dos anos 90, clulas fotovoltaicas de silcio cristalino foram desenvolvidas para serem
testadas no primeiro satlite brasileiro. Atualmente, no Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais
(INPE), localizado em So Jos dos Campos, SP, esto sendo testadas e usadas clulas de tripla
juno, para aplicaes espaciais.
No final dos anos 90, iniciou-se o desenvolvimento de clulas fotovoltaicas de CdS/CdTe e de
silcio amorfo hidrogenado em vrios centros de pesquisa, sendo obtidas eficincias da ordem de 6% e
7%, respectivamente. Mais recentemente, na dcada atual, clulas fotovoltaicas sensibilizadas por
corantes e em materiais orgnicos tambm esto sendo desenvolvidas em universidades e centros de
58
pesquisa, como o Instituto de Qumica da Universidade de So Paulo e o Laboratrio de
Nanotecnologia e Energia Solar da UNICAMP, com eficincias da ordem de 2%.
Nos anos 90, a difuso da tecnologia fotovoltaica no Brasil ficou defasada em relao ao que
ocorria na Alemanha, Japo e outros pases europeus onde os incentivos estavam direcionados ao
desenvolvimento tecnolgico e industrial e, principalmente, para aplicaes associadas ao uso da
energia solar em residncias. Como marco, pode-se citar o Programa de 1.000 Telhados Fotovoltaicos,
iniciado em 1990, na Alemanha.
Em 1994, o Centro de Referncia para as Energias Solar e Elica Srgio de Salvo Brito
(Cresesb) foi criado por meio de um Convnio entre o Centro de Pesquisas de Energia Eltrica (Cepel)
da Eletrobras e o Ministrio de Minas e Energia (MME), com apoio do Ministrio da Cincia e
Tecnologia (MCT), atual Ministrio da Cincia, Tecnologia e Inovao (MCTI). As principais
atividades do Cresesb (www.cresesb.cepel.br) destinam-se ao apoio de programas do Governo Federal,
divulgao de informaes, edio de publicaes, realizao de cursos e manuteno de biblioteca
especializada, sendo, assim, um instrumento para difuso de conhecimento tcnico e qualificado nas
reas de energia solar e elica.
No incio do sculo XXI, com o avano industrial na fabricao de clulas e mdulos
fotovoltaicos, verificado principalmente na China, e aumento do nmero de instalaes de sistemas
fotovoltaicos interligados rede eltrica, o Brasil no conseguiu acompanhar a evoluo que estava
ocorrendo no mundo. Em 2001, entretanto, uma iniciativa do Governo Federal, caracterizada pela
criao do Fundo Setorial de Energia (CT-ENERG), resultou em um crescimento das atividades de
P&D em energia solar fotovoltaica e na formao de grupos de pesquisa e programas de ps-
graduao.
Nesse contexto, em 2004, foi criado em Porto Alegre, RS, o Centro Brasileiro para
Desenvolvimento da Energia Solar Fotovoltaica (CB-Solar), por meio de um Termo de Cooperao
Tcnico-Cientfica entre entidades dos governos Federal (Ministrio da Cincia e Tecnologia),
Estadual (Secretaria Estadual de Energia, Minas e Comunicaes) e Municipal (Secretaria Municipal
da Produo, Indstria e Comrcio), em conjunto com a Companhia Estadual de Energia Eltrica
(CEEE) e a Pontifcia Universidade Catlica do Rio Grande do Sul (PUC-RS). Duas aes do CB-
Solar podem ser destacadas:
1) a promoo do I e II Simpsio Nacional de Energia Solar Fotovoltaica (SNESF), realizados,
respectivamente, em 2004 e 2005 em parceria com o Cresesb, universidades, centros de
pesquisas, rgos governamentais e empresas;
59
2) o desenvolvimento de tecnologias em escala piloto para fabricao de clulas fotovoltaicas de
silcio cristalino e de mdulos fotovoltaicos, incluindo uma anlise tcnico-econmica da sua
produo em escala industrial.
Atualmente, no Brasil h laboratrios e equipes de especialistas em universidades pblicas e
privadas, centros de pesquisa e empresas, atuando no desenvolvimento de tecnologias de purificao
de silcio, clulas e mdulos fotovoltaicos, inversores e controladores de carga, bem como no estudo
de aplicaes dessas tecnologias. Porm, ainda no foi atingido o nvel de aperfeioamento
tecnolgico dos pases desenvolvidos nesta rea e, portanto, esforos devem ainda ser realizados por
todos os atores do setor.
No que concerne s aes efetivas para aproveitamento da energia fotovoltaica, foram instalados
diversos sistemas fotovoltaicos isolados e sistemas hbridos para fornecimento de energia em ilhas e
localidades afastadas da rede eltrica em todo o territrio brasileiro. Em 1994, o Governo Federal, por
meio do Ministrio de Minas e Energia, criou um programa para promover a eletrificao rural,
baseado principalmente nos sistemas fotovoltaicos, denominado Prodeem (Programa de
Desenvolvimento Energtico de Estados e Municpios), envolvendo universidades, centros de
pesquisa, secretarias estaduais de energia e concessionrias federais e estaduais, atravs do qual foram
adquiridos mais de 8.500 sistemas fotovoltaicos.
No ano de 2002, a Aneel (Agncia Nacional de Energia Eltrica) iniciou estudos para
estabelecimento de regulamentao das especificaes tcnicas necessrias instalao dos SIGFIs
(Sistemas Individuais de Gerao de Energia Eltrica com Fontes Intermitentes), destinados ao
fornecimento de energia eltrica aos consumidores isolados da rede eltrica de distribuio, que
resultou na publicao da Resoluo Normativa n 83/2004, posteriormente revogada e substituda pela
Resoluo Normativa n 493/2012, a qual regulamenta tambm o fornecimento de energia por meio
dos MIGDIs (Microssistemas Isolados de Gerao e Distribuio de Energia Eltrica).
Em 2003, foi institudo pelo Governo Federal o Programa Nacional de Universalizao do
Acesso e Uso da Energia Eltrica - Programa Luz para Todos (LpT), atravs do Decreto n 4.873/2003,
e alterado pelo Decreto n 6.442/ 2008, que tem por objetivo prover o acesso energia eltrica a todos
os domiclios e estabelecimentos do meio rural. Os agentes executores do LpT so as concessionrias
de energia, que podem utilizar recursos subsidiados no investimento dos sistemas de atendimento. O
processo de universalizao tem ocorrido majoritariamente por meio de extenso de rede, mas tambm
contempla a instalao de sistemas fotovoltaicos. Neste contexto, milhares de SIGFIs foram instalados
nos estados da Bahia e de Minas Gerais, pelas distribuidoras estaduais Coelba e Cemig,
respectivamente.
60
Ainda no mbito do LpT, a Eletrobras, em parceria com a agncia alem de cooperao tcnica
GIZ (Deutsche Gesellschaft fr Internationale Zusammenarbeit, antiga GTZ) e a Eletrobras
Distribuio Acre, desenvolveu um projeto piloto de implantao de 103 SIGFIs em uma reserva
extrativista localizada no municpio de Xapuri, AC. Sistemas tipo MIGDIs tambm foram utilizados
no mbito do LpT pelas distribuidoras do Amazonas e do Par , em parceria com a Eletrobras, para
fornecimento de energia eltrica a comunidades ribeirinhas remotas.
Em 2009, foi publicada a Lei n 12.111 que dispe sobre os servios de energia eltrica nos
Sistemas Isolados. Essa lei um marco para a universalizao do atendimento de energia eltrica pois
autoriza a utilizao de subsdio governamental para reembolsar o custo de gerao, incluindo
investimentos e custos de operao e manuteno, de qualquer sistema eltrico - e no mais s aqueles
a base de combustveis fsseis - para atendimento de reas isoladas ao SIN (Sistema eltrico
Interligado Nacional). Com isso assegurado recurso para a universalizao mesmo com a extino do
Programa LpT em 2014. A Celpa e distribuidoras da Eletrobras elaboraram projetos para atendimento
de algumas comunidades remotas com base unicamente em sistemas fotovoltaicos. Em 2013 o MME,
com apoio do EPE, da Eletrobras e do Cepel, elaborou um relatrio (em fase de reviso) intitulado
Especificaes dos Projetos de Referncia no mbito do Programa Luz para Todos com critrios
para orientar as distribuidoras na elaborao de seus projetos para os leiles previstos na Lei n 12.111
e que utilizem recursos de investimento do Programa LpT. Em maio de 2013 a Celpa efetuou o
primeiro leilo de energia nestes termos, que resultou em fracassado pois os proponentes no
conseguiram atestar a capacidade tcnica requerida. A estimativa que em 2014 a Celpa lance de novo
o leilo e tambm a Eletrobras Amazonas Energia e a Eletrobras Distribuio Acre lancem os seus.
Com o aumento do nmero de instalaes de sistemas fotovoltaicos no pas, o Inmetro (Instituto
Nacional de Metrologia, Qualidade e Tecnologia) criou um grupo de trabalho (GT-FOT) para atuar
nesta rea, como parte do Programa Brasileiro de Etiquetagem (PBE), formado por especialistas de
universidades e centros de pesquisa, representantes de rgos pblicos e de empresas privadas. O GT-
FOT estabeleceu requisitos para a etiquetagem dos componentes utilizados em sistemas fotovoltaicos
(mdulos, inversores, controladores de carga e baterias), descritos no documento intitulado Requisitos
de Avaliao da Conformidade para Sistemas e Equipamentos para Energia Fotovoltaica, publicado
pela Portaria Inmetro N
o
4/2011, bem como identificou um conjunto de laboratrios habilitados a
efetuar os ensaios. Atualmente, diversos componentes disponveis no mercado nacional j se
encontram etiquetados, conforme as tabelas disponibilizadas pelo Inmetro. Adicionalmente, para
serem comercializados, tais equipamentos necessitam ainda do registro do Inmetro, conforme
Resoluo Conmetro n 05, de maio de 2008.
O COBEI (Comit Brasileiro de Eletricidade, da ABNT) tambm criou um grupo tcnico sobre
sistemas fotovoltaicos que foi responsvel pela elaborao, entre outras, das Normas NBR 16149
61
Sistemas Fotovoltaicos (FV) - Caractersticas da interface de conexo com a rede eltrica de
distribuio e NBR 16150 Sistemas Fotovoltaicos (FV) - Caractersticas da interface de conexo com a
rede eltrica de distribuio - procedimento de ensaio de conformidade, com base nas normas IEC. Em
dezembro de 2013, a norma Sistemas fotovoltaicos conectados rede Requisitos mnimos para
documentao, ensaios de comissionamento, inspeo e avaliao de desempenho foi submetida
consulta pblica (Projeto 03:082.01-005).
Os primeiros sistemas fotovoltaicos conectados rede eltrica foram instalados no Brasil no final
dos anos 90 em concessionrias de energia eltrica, universidades e centros de pesquisa. A Chesf
(Companhia Hidroeltrica do So Francisco) foi pioneira nesta rea ao instalar um sistema fotovoltaico
de 11 kWp em 1995, em sua sede em Recife, PE. Outros sistemas pioneiros foram instalados na USP
(So Paulo, SP), na UFSC (Florianpolis, SC), na UFRGS (Porto Alegre, RS) e no Cepel (Rio de
Janeiro, RJ).
A regulamentao para sistemas fotovoltaicos conectados rede de distribuio, associados a
unidades consumidoras, foi definida em 2012 pela Aneel, a partir da publicao da Resoluo
Normativa n 482/2012, que trata da micro e mini gerao distribuda, correspondendo,
respectivamente, a potncias iguais ou inferiores a 100 kWp, e superiores a 100 kWp at 1 MWp. A
regulamentao prev o sistema de compensao de energia eltrica, de acordo com o qual feito um
balano entre a energia consumida e a gerada na unidade consumidora (modelo net metering).
No que se refere instalao de Usinas Fotovoltaicas (UFV) no Brasil, a primeira planta, um
empreendimento da iniciativa privada com potncia de 1 MWp, foi inaugurada em 2011 no Municpio
de Tau, CE. O Apndice 3 apresenta alguns sistemas fotovoltaicos instalados no Brasil.
Em 2011, a Aneel lanou a chamada no 13/2011 para um Projeto Estratgico de P&D,
denominado Arranjos Tcnicos e Comerciais para Insero da Gerao Solar Fotovoltaica na Matriz
Energtica Brasileira. No escopo desta chamada, foram selecionados 18 projetos de sistemas
fotovoltaicos centralizados conectados rede eltrica (UFVs), com potncia instaladas na faixa de
0,5 MWp e 3 MWp, resultando numa potncia instalada total de cerca de 24 MWp, com custo
aproximado de R$ 400 milhes. A maioria dos projetos ser executada pelas concessionrias de
energia eltrica pblicas e privadas localizadas em diferentes regies do Brasil, com previso para
entrada em operao at 2015.
Em novembro de 2013 ocorreu o primeiro Leilo de Energia (A-3) cujos empreendimentos de
gerao fotovoltaicos com potncia igual ou superior a 5MW - foram habilitados pelo EPE. O leilo
foi destinado compra de energia de novos empreendimentos de gerao elica, solar e termeltrica a
biomassa ou a gs natural em ciclo combinado, para incio de suprimento a partir de janeiro de 2016,
com custo marginal de referncia de R$ 126,00/MWh. Entretanto nenhum empreendimento
62
fotovoltaico, nem usinas trmicas a biomassa ou pequenas centrais hidreltricas apresentou proposta
contemplando este valor, de forma que todos os projetos contratados foram de plantas elicas,
totalizando 867,6 MW de capacidade e preo mdio final de R$ 124,43/MWh.
Atualmente a capacidade de sistemas fotovoltaicos instalados no Brasil, incluindo sistemas
isolados e conectados rede, da ordem de 30 a 40MWp (Abinee, 2012). O mercado brasileiro ainda
no apresenta atratividade para a instalao no pas de indstrias de mdulos fotovoltaicos, que
precisam de um mercado anual da ordem de centenas de MWp. H algumas poucas fbricas de
inversores fotovoltaicos de pequeno porte (300 a 500 W) para SIGFIs, mas no de controladores ou
inversores de maior potncia ou de inversores para conexo a rede. Por causa desse mercado ainda
incipiente, o nmero de empresas domsticas de projetos e instalaes de sistemas fotovoltaicos
pequeno e, na sua maioria, com pouca experincia. Sem polticas pblicas de incentivo, estima-se que
o mercado fotovoltaico brasileiro ir crescer timidamente alguns megawatts ao ano.
Segundo a Abinee (Associao Brasileira da Indstria Eltrica e Eletrnica), em seu relatrio
publicado em 2012 (Abinee, 2012), esse ritmo de crescimento da demanda nacional continuar lento,
devido a vrios fatores: o custo de gerao do sistema fotovoltaico ainda no competitivo, o
investimento para instalaes residenciais elevado, as distribuidoras mostram restries micro e
minigerao por receio de perda de mercado, h falta de polticas especficas de financiamentos e de
modelos de comercializao e, finalmente, os consumidores tm pouco conhecimento sobre a fonte
fotovoltaica como opo de gerao de energia eltrica.
1.3 Referncias
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65
CAPTULO 2
RECURSO SOLAR
66
CAPTULO 2 RECURSO SOLAR
O Sol a principal fonte de energia para a Terra. Alm de ser responsvel pela manuteno da
vida no Planeta, a radiao solar constitui-se numa inesgotvel fonte energtica, havendo um enorme
potencial de sua utilizao por meio de sistemas de captao e converso em outra forma de energia,
como por exemplo, a trmica e a eltrica.
2.1 O Sol e suas Caractersticas
O Sol basicamente uma enorme esfera de gs incandescente, em cujo ncleo acontece a
gerao de energia atravs de reaes termonucleares. Sua estrutura, apresentada na Figura 2.1,
composta pelas principais regies: ncleo, zona radiativa, zona convectiva, fotosfera, cromosfera e
coroa (ou s vezes chamada de corona).

Figura 2.1 - Estrutura do Sol. Fonte: (http://theuniversalmatrix.com/pt-br/artigos/wp-content/uploads/2011/12/Sol-
Estrutura-Interna.png)
O ncleo, com temperatura de cerca de 15 milhes de kelvin, a regio mais densa e onde a
energia produzida por reaes termonucleares. Logo acima se encontra a zona radiativa, onde a
energia produzida no ncleo transferida para as regies superiores atravs da radiao.
A zona convectiva possui este nome em funo dos processos de conveco que dominam o
transporte de energia das regies mais internas do Sol para a superfcie solar.
67
A fotosfera, primeira regio da atmosfera solar, com 330 km de espessura e temperatura prxima
de 5.800 K, a camada visvel do Sol. Esta zona tem a aparncia da superfcie de um lquido em
ebulio, repleta de bolhas, que so chamadas de grnulos fotosfricos. Estes grnulos tm em torno de
1.500 km de dimetro e duram cerca de 10 minutos cada. Estas zonas granulares representam os
processos convectivos do gs quente, que emerge da camada convectiva para a fotosfera. As regies
mais escuras entre os grnulos so zonas onde o gs mais frio e mais denso flui novamente para o
interior do Sol. A fotosfera a fonte da maior parte da radiao visvel que emitida pelo Sol. Um dos
fenmenos fotosfricos mais notveis o das manchas solares, que so regies mais frias que a
fotosfera solar, possuindo uma temperatura de cerca de 3.800 K na regio central, chamada de umbra e
pouco mais elevada na parte perifrica, denominada de penumbra. As manchas solares so indicadoras
da intensa atividade magntica presente no Sol e seguem um ciclo de onze anos em que o nmero de
manchas varia entre mximos e mnimos. Este ciclo provoca alteraes na irradiao emitida pelo Sol
e tambm apresenta consequncias na Terra, alterando o comportamento da sua atmosfera.
A cromosfera do Sol normalmente no visvel, porque a intensidade da irradiao muito mais
baixa do que aquela relativa regio da fotosfera. A temperatura na cromosfera varia, na sua base, de
4.300 K a mais de 40.000 K, e sua altura de aproximadamente 2.500 km.
A camada mais externa e rarefeita da atmosfera solar chamada de coroa. Apesar do brilho da
coroa solar ser equivalente ao da lua cheia, ela somente visualizada na ocorrncia de um eclipse, em
virtude do alto brilho da fotosfera.
Em funo dos gradientes de temperatura e da presena de vrias linhas de emisso e absoro
encontrados na atmosfera solar, o espectro de emisso do Sol pode ser considerado apenas semelhante
ao de um corpo negro de temperatura de aproximadamente 5.800 K. No Sol a energia liberada a
partir de reaes termonucleares, onde quatro prtons so fundidos em um ncleo de hlio, com a
liberao de energia. Estima-se que o Sol tenha reserva de hidrognio suficiente para alimentar as
reaes nucleares por mais 5 bilhes de anos (NASA, 2013a, 2013b).
As principais caractersticas do Sol esto descritas na Tabela 2.1.







68
Tabela 2.1 - Principais caractersticas do Sol. Fonte: (OLIVEIRA FILHO e SARAIVA, 2004).
Principais caractersticas do Sol
Massa 1,989 x 10
30
kg
Raio 696.000 km
Densidade mdia 1.409 kg m
-3

Densidade central 1,6 10
5
kg m
-3

Distncia 1 UA ou 1,499 10
8
km
Potncia Luminosa 3,83 10
26
W
Temperatura efetiva 5.785 K
Temperatura central 1,5 x 10
7
K
Composio qumica principal
Hidrognio = 91,2 %
Hlio = 8,7 %
Oxignio = 0,078 %
Carbono = 0,043 %

Perodo rotacional no Equador 25 dias
Perodo rotacional na latitude 60 29 dias
2.2 Geometria Sol-Terra
A Terra, em seu movimento anual em torno do Sol descreve uma trajetria elptica com uma
pequena excentricidade (c ~ 0,017). O seu eixo, em relao ao plano normal elipse, apresenta uma
inclinao de aproximadamente 23,45. Essa inclinao, juntamente com o seu movimento de
translao, d origem s estaes do ano. Observando-se o movimento aparente do Sol, ao meio dia
solar, ao longo do ano, verifica-se que o ngulo entre os seus raios e o plano do Equador varia entre
+23,45 em torno do dia 21 de junho (solstcio de inverno no hemisfrio Sul), e -23,45 em 21 de
dezembro (solstcio de vero no hemisfrio Sul). Este ngulo, denominado Declinao Solar (o),
positivo ao Norte e negativo ao Sul do Equador. Nos dias 21 de setembro (equincio de primavera) e
21 de maro (equincio de outono) os raios solares se alinham com o plano do Equador (o = 0). A
Figura 2.2 (a) ilustra o movimento da Terra em torno do Sol e as estaes do ano para o hemisfrio Sul
e a Figura 2.2 (b) mostra a Declinao Solar (o) em quatro posies da Terra ao longo do ano.

(a)
69

(b)
Figura 2.2 (a) e (b) rbita da Terra em torno do Sol, com seu eixo N-S inclinado de um ngulo de 23,45, indicando as
estaes do ano no hemisfrio Sul.
Na Figura 2.2 (b) possvel observar a variao da durao dos dias ao longo do ano para uma
determinada localidade, resultante da inclinao do eixo da Terra. Verificam-se dias mais longos, por
exemplo, em localidades no hemisfrio Sul, no solstcio de vero e dias mais curtos no solstcio de
inverno. No Equador terrestre a durao dos dias sempre igual e nas suas proximidades as variaes
so pequenas ao longo do ano. possvel tambm observar que nos equincios, as duraes dos dias
so as mesmas para qualquer localidade.
Considerando-se as convenes para a declinao solar e a latitude, positivas ao Norte e
negativas ao Sul do Equador, a diferena entre a declinao e a latitude determina a trajetria do
movimento aparente do Sol para um determinado dia em uma dada localidade na Terra.
A declinao solar pode ser calculada utilizando-se a Equao 2.1.
(

+ |
.
|

\
|
= o ) 10 (
25 , 365
360
cos ) 45 , 23 ( ) ( n sen sen (2.1)
onde n representa o dia juliano, contado de 1 a 365 a partir de 1 de janeiro (i.e. 01/jan n = 1;
02/jan n = 2;...; 31/dez n = 365).
O termo radiao solar usado de forma genrica e pode ser referenciado em termos de fluxo
de potncia, quando especificamente denominado de irradincia solar, ou em termos de energia por
unidade de rea, denominado, ento, de irradiao solar. Existem diversas unidades para se representar
valores de radiao solar. A Tabela 2.2 mostra algumas destas unidades e os fatores de converso.

70
Tabela 2.2 - Unidades para a radiao solar (irradincia e irradiao) e fatores de converso
Para converter de: Para: Multiplique por:
cal/cm
2
.min W/m
2
697,8
W/m
2
cal/cm
2
.min 0,0014331
W/m
2
mcal/cm
2
.s 0,023885
MJ/m
2
.dia kWh/m
2
.dia 0,27778
Langley/dia kWh/m
2
.dia 0,01163
cal/cm
2
J/cm
2
4,1868
cal/cm
2
kWh/m
2
0,01163
J/cm
2
cal/cm
2
0,23885
J/cm
2
kWh/m
2
0,0027778
kWh/m
2
cal/cm
2
85,985
kWh/m
2
J/cm
2
360
Langley cal/cm
2
1
A irradincia solar que atinge a Terra, no topo da camada atmosfrica, denominada irradincia
extraterreste. A constante solar (I
0
) definida como o valor da irradincia extraterrestre que chega
sobre uma superfcie perpendicular aos raios solares na distncia mdia Terra-Sol, e tem valor
aproximado de 1.367 W/m (adotado pelo WRC World Radiation Center). A excentricidade da
elipse que descreve a trajetria da Terra em torno do Sol resulta em uma variao no valor da
irradincia extraterrestre ao longo do ano. A Figura 2.3 mostra o comportamento anual da irradincia
extraterrestre, ou irradincia extraterrestre efetiva (I
0,ef
)

Figura 2.3 Variao da irradincia solar extraterrestre (I
0,ef
) ao longo do ano.
Verifica-se na Figura 2.3 que o valor mnimo de I
0,ef
de aproximadamente 1.322 W/m
2
(aflio)
e encontra-se prximo do solstcio de inverno para o hemisfrio Sul, e o valor mximo de
71
aproximadamente 1.412 W/m
2
(perilio) prximo ao solstcio de vero. Nesta figura tambm
apresentada uma equao para o clculo do I
0,ef
em funo da constante solar (I
0
), e do dia juliano (n).
ngulos da Geometria Solar
As relaes geomtricas entre os raios solares, que variam de acordo com o movimento aparente
do Sol e a superfcie terrestre, so descritas atravs de vrios ngulos, os quais esto apresentados na
Figura 2.4 e definidos a seguir:
- ngulo Zenital (u
Z
): ngulo formado entre os raios do Sol e a vertical local (Znite).
- Altura ou Elevao Solar (o): ngulo compreendido entre os raios do Sol e a projeo dos
mesmos sobre o plano horizontal (horizonte do observador).
Verifica-se que os ngulos mencionados acima so complementares (Figura 2.4 (a)), ou seja: (u
Z

+ o = 90).
- ngulo Azimutal do Sol (
s
): tambm chamado azimute solar, o ngulo entre a projeo dos
raios solares no plano horizontal e a direo Norte-Sul (horizonte do observador). O deslocamento
angular tomado a partir do Norte (0) geogrfico
1
, sendo, por conveno, positivo quando a projeo
se encontrar direita do Sul (a Leste) e negativo quando se encontrar esquerda (a Oeste).
-180 s
s
s 180
- ngulo Azimutal da Superfcie (): ngulo entre a projeo da normal superfcie no plano
horizontal e a direo Norte-Sul. Obedece s mesmas convenes do azimute solar.
- Inclinao da superfcie de captao (|): ngulo entre o plano da superfcie em questo e o
plano horizontal [0 90].
- ngulo de incidncia (u): ngulo formado entre os raios do Sol e a normal superfcie de
captao.

1
Tambm denominado de Norte verdadeiro por alguns autores.
72

(a)


(b)
Figura 2.4 (a) Ilustrao dos ngulos u
Z
, o e
S
, representando a posio do Sol em relao ao plano horizontal; (b)
Ilustrao da orientao de uma superfcie inclinada em relao ao mesmo plano: ngulos |, ,
S
e u.
Outros ngulos de igual importncia, que no esto representados na Figura 2.4, so:
- ngulo Horrio do Sol ou Hora Angular (e): deslocamento angular Leste-Oeste do meridiano
do Sol, a partir do meridiano local, e devido ao movimento de rotao da Terra. Conforme apresentado
na Equao 2.2, cada hora solar (H
s
) corresponde a um deslocamento de 15. So adotados, como
73
conveno, valores negativos para o perodo da manh, positivos para o perodo da tarde, e zero ao
meio dia solar (momento em que o Sol cruza o meridiano local).

(2.2)
O ngulo (u
Z
) pode ser calculado em funo da declinao solar (o), do ngulo horrio (e) e da
latitude local (|), utilizando-se a Equao 2.3.
| o | e o u sen sen
z
. cos . cos . cos cos + = (2.3)
Uma informao interessante que pode resultar da equao acima o valor da durao do dia em
uma determinada localidade e poca do ano. Para tanto, considera-se o ngulo zenital igual a 90 graus
(u
Z
= 90) e calcula-se o ngulo horrio que, neste caso, igual hora angular do pr-do-sol (e
s
).
Considerando-se que o comprimento angular do dia varia entre -e
s
e +e
s
, ao duplicar o valor de e
s
e
converter a hora angular para hora solar (15 = 1 h), obtm-se o nmero terico de horas de sol para o
dia e local em questo.
O ngulo horrio do pr-do-sol pode ser obtido da Equao 2.3, sendo igual a:

(2.4)
Ento, o nmero terico de horas de sol calculado como:

(2.5)
O ngulo de incidncia (u), entre os raios do Sol e uma superfcie com orientao () e inclinao
(|) qualquer, pode ser obtido utilizando-se a Equao 2.6.
| o |
| e o | e o |
| o | | e o | u
cos . . cos .
. cos . cos . cos . . cos . .
. . cos cos . cos . cos . cos cos
sen sen
sen sen sen sen sen
sen sen

+ +
+ =
(2.6)
Os ngulos (u
Z
) e (u) permitem calcular a componente direta da irradincia que incide
normalmente a um plano horizontal (G
d,h
) ou a qualquer superfcie inclinada (G
d,
), desde que
conhecida a componente direta da irradincia incidente sobre a superfcie, conforme Equao 2.7. Essa
informao necessria para os clculos de irradincia solar direta coletada por dispositivos de
converso de energia solar. A Figura 2.5 indica o ngulo de incidncia da irradincia solar direta sobre
uma superfcie horizontal e sobre uma superfcie inclinada.

(2.7)
74

Figura 2.5 (a) Irradincia direta incidente sobre uma superfcie horizontal; (b) Irradincia direta incidente sobre uma
superfcie inclinada.
Hora solar e hora oficial
Os clculos em energia solar so baseados na hora solar, a qual definida pelo ngulo horrio
(e), conforme descrito anteriormente.
Para a converso da hora oficial, tambm chamada de hora civil (a do relgio), em hora solar,
considera-se, como primeira etapa, a diferena de longitudes entre o meridiano do observador e o
meridiano padro no qual a hora oficial est baseada; a segunda etapa dada pela Equao do Tempo
(E), que uma correo relacionada a dois fatores principais, a inclinao do eixo da Terra com
relao ao plano da sua rbita (eclptica) e a excentricidade da rbita da Terra (c).
A Equao 2.8 fornece a diferena entre hora solar e hora oficial (em minutos).
E L L oficial Hora solar Hora
loc st
+ = ) ( 4 (2.8)
onde L
st
e

L
loc
representam a longitude padro do fuso e a longitude local, respectivamente, o fator 4
utilizado para converter os valores de longitude (em graus) para tempo (em minutos). O parmetro E
o valor resultante da Equao do Tempo (apresentada na Equao 2.9), sendo fornecido em minutos. A
Figura 2.6 mostra a variao da Equao do Tempo ao longo do ano.

(2.9)
onde,
(2.10)
sendo n o dia juliano.
75

Figura 2.6 Equao do tempo ao longo do ano.
Verifica-se que o maior valor positivo de E em torno de 16 minutos, entre outubro e novembro,
e o maior valor negativo 14 minutos em fevereiro (Figura 2.6). Embora as diferenas devidas
Equao do Tempo sejam relativamente pequenas, as diferenas entre hora oficial e hora solar podem
ser bastante significativas dependendo da diferena entre os meridianos local, e padro (Equao 2.8).
2.3 Radiao Solar sobre a Terra
Como mencionado anteriormente, a densidade mdia anual do fluxo energtico proveniente da
radiao solar (irradincia solar), quando medida num plano perpendicular direo da propagao
dos raios solares no topo da atmosfera terrestre recebe o nome de constante solar e corresponde ao
valor de 1.367 W/m
2
.
Considerando que o raio mdio da Terra 6.371 km, e considerando o valor da irradincia de
1.367 W/m
2
incidindo sobre a rea projetada da Terra, conclui-se que a potncia total disponibilizada
pelo Sol Terra, no topo da atmosfera, de aproximadamente 174 mil TW (terawatts).
Observaes peridicas feitas a partir do espao permitem anlises mais qualitativas dos fluxos
de energia na Terra. Trenberth et al. (2009) atualizaram o diagrama de fluxo de potncia global (Figura
2.7), com base em medies de maro de 2000 a novembro de 2005. Segundo esse diagrama, cerca de
54 % da irradincia solar que incide no topo da atmosfera, refletida (7 %) e absorvida (47 %) pela
superfcie terrestre (os 46 % restantes so absorvidos ou refletidos diretamente pela atmosfera). Ou
seja, da potncia total disponibilizada pelo Sol Terra, cerca de 94 mil TW chegam efetivamente
superfcie terrestre.
76

Figura 2.7 - Fluxo de potncia global (em W/m
2
). O valor da irradincia solar incidente no topo da atmosfera aqui
apresentado um fluxo mdio anual recebido ao longo das 24 horas de um dia (341,3 W/m
2
) no topo da atmosfera. Fonte:
(Trenberth et al., 2009).
O consumo mundial de energia primria no ano de 2011 foi cerca de 143 mil TWh, ento, no
intervalo de duas horas a quantidade de energia solar recebida na superfcie terrestre (multiplicando 94
mil TW por duas horas, resultando em 188 mil TWh) superior ao consumo energtico anual da
humanidade.
Considerando a radiao solar que chega superfcie terrestre e incidente sobre uma superfcie
receptora para gerao de energia, tem-se que ela constituda por uma componente direta (ou de
feixe) e por uma componente difusa. A radiao direta aquela que provm diretamente da direo do
Sol e produz sombras ntidas. A difusa aquela proveniente de todas as direes e que atinge a
superfcie aps sofrer espalhamento pela atmosfera terrestre.
Mesmo num dia totalmente sem nuvens, pelo menos de 20 % da radiao que atinge a superfcie
difusa. J em um dia totalmente nublado, no h radiao direta, e 100 % da radiao difusa.
Notadamente, se a superfcie estiver inclinada com relao horizontal, haver uma terceira
componente refletida pelo ambiente do entorno (solo, vegetao, obstculos, terrenos rochosos, etc.).
O coeficiente de reflexo destas superfcies denominado de albedo. A Tabela 2.3 apresenta valores
tpicos de albedo para diferentes tipos de superfcies.
77
Tabela 2.3 - Valores tpicos de albedo para diferentes tipos de superfcies. Fonte: (MARKVART e CASTAER,
2004).
Superfcie Albedo
Gramado 0,18 0,23
Grama seca 0,28 0,32
Solo descampado 0,17
Asfalto 0,15
Concreto novo (sem ao de intempries) 0,55
Concreto (em construo urbana) 0,2
Neve fresca 0,8 0,9
gua, para diferentes valores de altura solar:
> 45
o
= 30
o
= 20
o
= 10
o


0,05
0,08
0,12
0,22
A Figura 2.8 apresenta as trs componentes citadas da radiao solar sobre uma superfcie
receptora, sendo que a quantidade resultante da soma das parcelas direta, difusa e devida ao albedo
(quando a superfcie inclinada) denominada de radiao global.

Figura 2.8 - Componentes da radiao solar. Fonte: (PINHO et al., 2008).
Antes de atingir o solo, as caractersticas da radiao solar (intensidade, distribuio espectral e
angular) so afetadas por interaes com a atmosfera, devidas aos efeitos de absoro e espalhamento.
Estas modificaes so dependentes da espessura da camada atmosfrica, tambm identificada por um
coeficiente denominado Massa de Ar (AM, do ingls Air Mass), e, portanto, do ngulo zenital do sol,
da distncia Terra-Sol e das condies atmosfricas e meteorolgicas.
78
A massa de ar pode ser interpretada tambm como o comprimento relativo que a radiao solar
direta percorre at atingir a superfcie terrestre. Para ngulos zenitais entre 0
o
e 70 a massa de ar ao
nvel do mar pode ser definida matematicamente pela Equao 2.11, que considera a Terra plana. Para
ngulos zenitais maiores, os efeitos da curvatura da Terra devem ser levados em considerao.

(2.11)
Denomina-se de AM1 quando a massa de ar igual a 1, ou seja, o Sol encontra-se no znite
(ngulo zenital igual a 0
o
). Outras denominaes so dadas, por exemplo, AM2, quando o ngulo
zenital igual a 60
o
e AM0 (sem massa atmosfrica para a radiao solar atravessar), definida como a
massa de ar no topo da atmosfera (radiao extraterrestre).
A Figura 2.9 mostra o espectro da irradincia solar em trs condies: no topo da atmosfera da
Terra (AM0); ao atingir perpendicularmente uma superfcie ao nvel do mar inclinada a 37 (AM1,3) e
voltada para a linha do Equador (global inclinada); e aps atravessar uma espessura de atmosfera 50 %
maior que quando o Sol encontra-se no znite, incidindo sobre uma superfcie ao nvel do mar (AM1,5
(irradincia direta + circunsolar).
O Sol emite luz com uma distribuio semelhante ao que seria esperado a partir de um corpo
negro a 5.800 K (5.527 C), que aproximadamente a temperatura de sua superfcie. Quando a luz
atravessa a atmosfera, parte absorvida por gases com bandas de absoro especficas. O oznio (O
3
),
por exemplo, absorve numa banda na faixa do UV (Ultravioleta) em comprimentos de onda inferiores
a 300nm. O vapor dgua (H
2
O) e o dixido de Carbono e (CO
2
) absorvem em vrias bandas na faixa
do IR (infravermelho) em comprimentos de onda superiores a 1000nm (por isso o CO
2
um gs que
causa efeito estufa).
Outra parte da radiao incidente na atmosfera interage com esta e espalhada em todas as
direes, constituindo a radiao difusa.
O espalhamento da luz pelas molculas dos gases da atmosfera denominado de espalhamento.
de Rayleigh. A teoria do espalhamento de Rayleigh se aplica a partculas esfricas de dimenses
pequenas em relao ao comprimento de onda incidente, ou seja, quando r < 0,1 ( raio da partcula
menor do que 1/10 do comprimento de onda), o que se refere s molculas dos gases presentes na
atmosfera. Ainda de acordo com a teoria, o espalhamento () uma funo contnua do da freqncia
(ou comprimento de onda) e proporcional sua quarta potncia, ou seja,
4
, de forma que sua
intensidade maior para a regio do azul e do violeta. Assim, o espalhamento a principal razo pela
qual o cu azul.
79
O material em suspenso na atmosfera (particulado) e as nuvens tambm causam espalhamento
da luz, mas de forma igual para todos os comprimentos de onda (espalhamento de Mie), ou seja,
espalham a luz branca.
As perdas do fluxo de potncia entre o espectro da irradincia incidente no topo da atmosfera e o
espectro da irradincia global que atinge a superfcie inclinada citada so de aproximadamente 27 %,
resultando em cerca de 1.000 W/m
2
incidentes sobre a referida superfcie, cabendo ressaltar que este
nvel de irradincia considerado como valor padro para a especificao da potncia nominal de uma
clula ou de um mdulo fotovoltaico.

Figura 2.9 - Distribuio espectral da irradincia no topo da atmosfera; da irradincia ao incidir perpendicularmente sobre
uma superfcie inclinada (37) ao nvel do mar e voltada para a linha do Equador; da irradincia aps atravessar uma massa
de ar de 1,5. Fonte: [NREL, 2012].
2.3.1 - Distribuio da irradiao solar mdia diria no mundo
A Figura 2.10 mostra a distribuio espacial da irradincia solar mdia anual (W/m
2
) que incide
sobre a superfcie da Terra. Esses dados foram estimados a partir de imagens de satlites
meteorolgicos obtidos no perodo de 1990 a 2004. Para obter, a partir destes dados, a irradiao solar
na base temporal diria mdia anual, em kWh/m.dia, deve-se multiplicar por 24h.
Esse mapa particularmente til para os profissionais envolvidos no desenvolvimento e
aplicao de tecnologias para converter energia solar em eletricidade. Os projetos de sistemas
80
fotovoltaicos normalmente exigem uma irradiao de no mnimo 3 a 4 kWh/(m
2
.dia) (125 a 166 W/m
no mapa), valores estes disponveis para quase todas as reas entre os trpicos.
O valor da irradiao solar incidente em um plano orientado na direo do Equador e com uma
inclinao igual latitude local permite calcular a energia eltrica que pode ser convertida por um
sistema fotovoltaico fixo instalado nessas condies. As Figuras 2.11 e 2.12 apresentam mapas
mostrando a irradiao mdia anual do Brasil e de pases da Europa. Pode-se observar como o
potencial disponvel no Brasil maior quando comparado com pases da Europa, onde a converso
fotovoltaica j utilizada largamente. Alm do tamanho do pas, observa-se que em todo o territrio
brasileiro h disponibilidade de irradiao solar equivalente ou melhor que nos pases do Sul da
Europa e superando pases como, por exemplo, a Alemanha, pas com capacidade instalada
significativa de sistemas de gerao fotovoltaica.

81

Figura 2.10 - Mapa mundial de irradiao solar em mdia anual. Fonte: (http://www.soda-
is.com/eng/map/maps_for_free.html).

82


Figura 2.11 - Mapa brasileiro de irradiao solar em mdia anual. Fonte: (PEREIRA, 2006).

83


Figura 2.12 - Mapa europeu de irradiao solar em mdia anual. Fonte: (PVGIS, 2013).
84
2.4 Instrumentos de Medio da Radiao Solar
A medio da radiao solar, tanto da global como das componentes direta e difusa, na superfcie
terrestre de grande importncia para o estudo das influncias das condies climticas e
atmosfricas, como tambm para o desenvolvimento de projetos que visam a captao e a converso
da energia solar. Com um histrico dessas medidas, pode-se viabilizar a instalao de sistemas
fotovoltaicos em uma determinada regio, garantindo o mximo aproveitamento do recurso ao longo
do ano, onde as variaes da intensidade da radiao solar sofrem significativas alteraes.
Desta forma, o conhecimento do recurso solar a varivel de maior peso para o desenvolvimento
de um projeto de sistema de aproveitamento da energia solar, sendo necessria a obteno de dados de
medio para:
- Identificao e seleo da localizao mais adequada para instalao do sistema fotovoltaico;
- Dimensionamento do gerador fotovoltaico;
- Clculo da produo de energia anual, mensal ou diria;
- Estabelecimento de estratgias operacionais e dimensionamento do sistema de
armazenamento (para sistemas isolados).
O objetivo da medio dos dados solares a obteno experimental do valor instantneo do
fluxo energtico solar (irradincia) ou integrado (irradiao) ao longo de tempo (minuto, hora, dia ou
ano). de interesse da Engenharia Solar, o conhecimento dos valores da irradincia ou irradiao
global e de suas componentes direta e difusa incidentes em uma superfcie.
Existem dois instrumentos comumente utilizados para a mensurao da irradiao solar: o
piranmetro e o pirelimetro, o primeiro para medidas da irradiao global e o segundo para medidas
da irradiao direta.
Existem dois tipos principais de piranmetro: piranmetro termoeltrico e piranmetro
fotovoltaico. O piranmetro termoeltrico, apresentado na Figura 2.13, utilizado para medir a
irradincia solar global (direta + difusa), normalmente no plano horizontal (campo hemisfrico), tem
como sensor uma termopilha colocada no interior de duas semiesferas de vidro concntricas. A
termopilha construda com mltiplos termopares em srie, com a juno quente enegrecida faceando
o sol e a juno fria na parte inferior.
85

Figura 2.13 Piranmetro Termoeltrico.
O piranmetro do tipo fotovoltaico (FV), mostrado na Figura 2.14, composto por uma clula
fotovoltaica de pequenas dimenses e apresenta como vantagem custo muito mais baixo e como
desvantagem o fornecimento de medidas com menor preciso. A principal origem da impreciso deste
tipo de piranmetro a sua resposta espectral (Figura 2.15), a qual est limitada entre 400 a 1.100 nm
para aqueles que adotam clulas de c-Si, introduzindo incertezas que podem chegar a 5 % em relao
ao piranmetro termoeltrico (que responde at 2.500 nm). Porm, sua vantagem inerente o tempo de
resposta praticamente instantneo e linear com a irradincia.

Figura 2.14 Piranmetro Fotovoltaico.
86

Figura 2.15 Resposta espectral dos piranmetros. 1 Distribuio espectral da irradincia solar na superfcie da Terra. 2
Resposta do piranmetro termoeltrico. 3 Resposta do piranmetro FV (silcio). Fonte: (ALADOS-ARBOLETA et al.,
1995).
O pirelimetro um instrumento utilizado para medir a irradincia direta com incidncia normal
superfcie. A irradincia difusa bloqueada instalando-se o sensor termoeltrico dentro de um tubo
de colimao (Figura 2.16), com paredes enegrecidas e apontado diretamente ao Sol (dispositivo de
rastreamento). O instrumento caracteriza-se por apresentar uma pequena abertura de forma a
"visualizar" apenas o disco solar e a regio vizinha denominada circunsolar. O sistema de medio da
irradincia direta com o uso do pirelimetro pode ser com o rastreamento solar em 1 ou 2 eixos, sendo
a escolha determinada pela anlise da relao de custo-benefcio em uma utilizao particular (Figura
2.17).
87

Figura 2.16 Desenho esquemtico de um pirelimetro.

Figura 2.17 Pirelimetro montado em um rastreador solar.
O valor da irradincia difusa medido com um piranmetro ao qual acoplado uma banda ou
um disco de sombreamento para bloquear a componente direta, como apresentado nas Figuras 2.18 e
2.19. Ao combinar os valores medidos pelo piranmetro bloqueado com outro sem o dispositivo de
bloqueio pode-se obter a componente direta pela subtrao dos valores da irradincia global e da sua
componente difusa. A banda de sombreamento necessita de ajuste manual de acordo com a declinao
solar, diferentemente do disco de sombreamento, que dotado de rastreador que acompanha o
movimento aparente do Sol em dois eixos de forma automtica. Em ambos os casos so necessrias
88
correes das medies, que envolvem a compensao do sombreamento do cu causado pelo anel ou
disco, bem como da anisotropia do cu.

Figura 2.18 Banda de sombreamento com ajuste manual.

Figura 2.19 Disco de sombreamento com rastreamento em dois eixos.
Os instrumentos de medio da radiao solar global, direta e difusa so classificados conforme
a sua preciso. De acordo com a norma ISO 9060, os instrumentos so classificados em trs categorias:
padro secundrio, primeira classe e segunda classe. Segundo a WMO (World Meteorological
Organization), os instrumentos podem ser classificados em: alta qualidade (erro mximo de 2 %
admitido na irradiao diria), boa qualidade (5 %) e qualidade razovel (10 %). O piranmetro
fotovoltaico classificado como de qualidade razovel e os piranmetros termoeltricos utilizados
normalmente em medies no campo possuem classificao de boa qualidade. Os pirelimetros so
classificados como de alta (erro mximo de 0,5 % admitido na irradiao diria) e boa qualidade (1%).

89
A manuteno da qualidade das medidas requer a calibrao in-situ dos sensores piranomtricos
ou pireliomtricos com periodicidade de no mximo 18 meses. Essas calibraes so feitas conforme
as normas da ISO (International Standards Organization):
ISO 9847 (1992) - que normatiza os procedimentos de calibrao de um piranmetro de campo
(pertencente a uma rede de medio) por comparao, in-situ com um piranmetro de referncia
(padro secundrio),
ISO 9059 (1990) que normatiza os procedimentos de calibrao de um pirelimetro de campo
(pertencente a uma rede de medio) por comparao, in-situ com um pirelimetro de referncia.
2.5 Potencial Solar e sua Avaliao
A radiao solar incidente na superfcie terrestre medida com instrumentos descritos na seo
anterior. Apesar dos instrumentos terem capacidade de medir a radiao solar de forma instantnea
(irradincia), historicamente os dados de radiao solar so armazenados pelo total da irradiao de um
dia, e muitas vezes apenas em mdias mensais. H correlaes que permitem estimar a irradiao
mensal a partir de outras variveis meteorolgicas, como o nmero de horas de insolao (nmero de
horas de brilho solar) e a nebulosidade. Tambm as estimativas de irradiao solar obtidas atravs de
dados de satlites podem apresentar boa exatido quando relatadas em mdias mensais. Apesar de ser
possvel obter dados em intervalos curtos de tempo, essas estimativas contm muitas incertezas,
devidas aos dos modelos matemticos utilizados. Como avaliao anual da disponibilidade de
irradiao solar mais vlido observar a irradiao mdia sobre um plano com inclinao igual
latitude e voltado para o Equador. A Figura 2.11 mostra um mapa com esta distribuio segundo o
Atlas Brasileiro de Energia Solar.
Para avaliar o potencial da converso fotovoltaica em um determinado lugar, seria muito til
dispor de dados confiveis da irradiao solar disponvel em intervalos horrios. H poucas estaes
meteorolgicas no Brasil que registram sistematicamente o valor da irradiao solar incidente em
intervalos horrios. A informao obtida na base temporal horria importante porque os mdulos
fotovoltaicos so geralmente instalados em planos inclinados e, como a posio solar varia a cada
instante, a converso de um dado de irradincia no plano horizontal para um plano inclinado tambm
diferente a cada instante.
Um dos mecanismos que pode ser utilizado para solucionar este impasse utilizar mtodos
computacionais para sintetizar sequencias de dados de radiao solar em intervalos horrios a partir de
dados geogrficos e de informaes sobre a incidncia da radiao solar em mdia mensal. Dados
horrios de irradiao sobre a superfcie horizontal so normalmente utilizados para calcular a
90
irradincia sobre uma superfcie de orientao qualquer. As origens dos dados iniciais do processo
podem ser de medies terrestres ou estimativas obtidas de satlites.
2.6 Tratamento e Anlise dos Dados Solarimtricos
A obteno de dados medidos relacionados ao recurso solar necessria para fins de Engenharia
em trs aspectos essenciais e complementares:
- O uso direto das medies realizadas (fonte primria) para desenvolvimento de projetos e
avaliao de sistemas solares instalados em um dado local;
- Para os casos em que necessria a mudana de base temporal dos dados ou medida apenas
a radiao solar global no plano horizontal e se requer a sua transposio para um plano de
incidncia qualquer local (inclinao e orientao em que ser instalado o gerador
fotovoltaico), h a necessidade de utilizar modelos que, a partir das medies no plano
horizontal, forneam a radiao solar global e as componentes direta e difusa no plano
definido;
- A sua utilizao para validao de modelos de estimativa da radiao solar onde no existam
informaes medidas. Nesse caso so modelagens que realizam a interpolao e extrapolao
espacial e temporal.
Portanto, o projeto de um sistema fotovoltaico requer o conhecimento e a cuidadosa utilizao de
dados de radiao solar de um determinado lugar em particular (levantados por instrumentos de
medio, modelos de estimativa por dados terrestres ou por dados de imagem de satlite).
2.6.1 Avaliao da qualidade dos dados medidos
A avaliao sobre a consistncia e a qualidade dos dados obtidos de radiao solar crucial para
o desenvolvimento do projeto e para a anlise de desempenho operacional dos sistemas fotovoltaicos.
Na fase de projeto, por que permitir um trabalho mais bem elaborado com menores incertezas e riscos
e, portanto, mais barato, e no momento da sua operao, por que permitir monitorar de forma correta
o desempenho do sistema ou dos subsistemas.
Existem diversos procedimentos de avaliao de dados brutos e, de forma geral, a qualificao
dos dados em uma rede solarimtrica pode ser feita mediante critrios crescentemente mais elaborados,
tais como:
1. Se o valor medido est contido dentro dos limites fsicos da varivel;
2. Se existe consistncia entre sensores diferentes;
3. Se h consistncia histrica entre as componentes direta, difusa e total;
91
4. Comparao com valores estimados por modelos.
2.6.2 Tratamento dos dados primrios e sua anlise
Os dados primrios resultantes das medies so filtrados, conforme os critrios do item anterior,
e, posteriormente, so reduzidos, iniciando-se com o clculo dos valores mdios para as diversas
escalas de tempo (minuto, hora, dia, ms) e das variabilidades sazonais. Outra forma de representao
e anlise do recurso solar pode ser obtida por meio de curvas de distribuio de frequncia da
irradincia. De posse dos dados tratados, caso se deseje realizar a avaliao comparativa da radiao
solar em dois ou mais locais diferentes, considera-se que:
- Para um dado ms ou ano, o local com maior mdia em principio melhor;
- Para um dado ms ou ano, o local com maior varincia precisar de maior sistema de
armazenamento;
- Conforme a anlise da curva da distribuio acumulada, o local que possuir tempo fracional
mensal maior para um dado ndice de claridade
2
, ser superior em termos de recurso solar.
Conforme citado, a otimizao e anlise de um sistema fotovoltaico requer o conhecimento da
radiao solar incidente durante o ano em um plano com orientao qualquer. A modelagem da
transposio da radiao solar incidente para um plano com orientao qualquer requer, por sua vez, o
conhecimento da radiao direta e difusa. Porm, normalmente existem somente medidas da radiao
solar global no plano horizontal. Para tanto, o primeiro passo a obteno de correlaes entre a
radiao solar global e a difusa. As correlaes obtidas dependem da escala temporal, e podem ser do
tipo linear, polinomial ou exponencial. Para as escalas dirias as correlaes mais conhecidas so as
propostas por Liu e Jordan (1960), e Collares-Pereira e Rabl (1979). Para escalas horrias as mais
conhecidas so as propostas por Erbs (1982), e Dal Pal e Escobedo (2012).
2.7 Bases de Dados Solarimtricos e Programas Computacionais
A partir do que foi visto nas sees anteriores, pode-se deduzir que, para o correto
dimensionamento de um SFV, necessrio conhecer os valores dos dados de radiao solar incidentes
no local da instalao e no plano dos mdulos. Existem informaes que podem ser acessadas pela
internet, alm de publicaes especializadas. Entretanto, as medies sistemticas devem ser
continuadas, para garantir a composio de sries histricas contendo dados cada vez mais confiveis e
com mais detalhes.


2
Razo entre a irradiao global que atinge a superfcie terrestre e a irradiao que incide no topo da atmosfera.
92
2.7.1 Informaes a partir de medies de superfcie
Um dos primeiros estudos publicados para o Brasil foi realizado por Nunes et al. (1979) com
mapas de irradiao solar obtidos a partir de correlaes com dados do nmero de horas de insolao.
Em 1987 a OLADE - Organizao Latino Americana de Energia publicou novos mapas com dados
tambm derivados de correlaes a partir das informaes sobre o nmero de horas de insolao,
registrados nas estaes do Instituto Nacional de Meteorologia e outras estaes brasileiras. Alm dos
mapas, a publicao inclua tabelas impressas. Um extensivo trabalho na Universidade de
Massachusetts, Lowell (Estados Unidos) compilou dados de irradiao solar de quase todo o planeta.
Os dados brasileiros foram extrados principalmente da base da OLADE. Com os dados digitalizados,
sua difuso foi ampliada, e logo os mesmos dados foram incorporados base de dados de uma
organizao espanhola, CENSOLAR, sendo possvel acess-los a partir do programa SunData (ver
item 2.7.3).
Dados meteorolgicos compilados em mdias mensais de 30 anos (entre 1961 e 1990) so
apresentados na publicao denominada Normais Climatolgicas do Instituto Nacional de
Meteorologia. Dentre os dados desta publicao inclui-se o valor mdio do nmero de horas de
insolao, atravs do qual se pode estimar a irradiao solar. Informaes dos valores dirios do
nmero de horas de insolao em mdia mensal podem ser acessadas pela internet no site do INMET
Instituto Nacional de Meteorologia, www.inmet.gov.br.
Novas compilaes de dados permitiram a edio do Atlas Solarimtrico do Brasil, o qual estima
a irradiao solar no pas a partir da interpolao e extrapolao de dados obtidos em estaes
meteorolgicas distribudas em vrios pontos do territrio nacional. A publicao inclui, alm dos
mapas, um CD-ROM com acesso base de dados.
A rede SONDA (Sistema de Organizao Nacional de Dados Ambientais) disponibiliza dados de
um nmero limitado de estaes para determinados perodos de tempo, os quais podem ser acessados
na pgina http://sonda.ccst.inpe.br. A rede foi implantada em 2004 e tem como principal objetivo o
estabelecimento de uma infraestrutura fsica e de recursos humanos destinada montagem e
melhoramento da base de dados de superfcie necessria ao levantamento dos recursos de energia solar
e elica no Brasil e consequente planejamento de seu uso.
2.7.2 Informaes a partir de medies por satlites
O nmero de estaes de medio de dados que podem ser usados para estimar a radiao solar
ainda reduzido, considerando a extenso do territrio brasileiro. Tcnicas para estimar a radiao solar
a partir de imagens de satlites tm sido aprimoradas, permitindo uma cobertura muito mais
abrangente. Estudos demonstram que os dados medidos na superfcie, mesmo quando so apresentados
em mdias mensais, tem pouco alcance de extrapolao espacial. Se o ponto de utilizao da instalao
93
estiver afastado de 50 km ou mais da estao de origem dos dados, as estimativas oriundas das anlises
de dados de satlite so mais precisas do que uma extrapolao.
O primeiro produto resultante da utilizao de modelos que utilizam imagens de satlite para
estimar a irradiao solar no Brasil foi o Atlas de Irradiao Solar no Brasil utilizando um modelo
fsico de transferncia da radiao solar atravs da atmosfera denominado BRASIL-SR. Em 2006 foi
publicado o Atlas Brasileiro de Energia Solar, com o mesmo modelo aperfeioado e utilizando
imagens de mais satlites. Essa publicao compara dados de irradiao diria medida na superfcie
com os dados equivalentes estimados pelo modelo e encontra um desvio mdio entre 5 % e 7 %,
mostrando uma pequena superestimativa nos resultados do Atlas. Essa publicao tambm
acompanhada de um CD-ROM com dados de irradiao solar e faz parte do Programa SWERA das
Naes Unidas (Solar and Wind Energy Resource Assessment).
Mapas e dados compilados sobre a irradiao solar no Brasil no Programa SWERA podem ser
encontrados na pgina: http://swera.unep.net/. Nesse local podem ser acessados os dados e mapas
referentes ao Atlas Brasileiro de Energia Solar e dados da Amrica Latina desenvolvidos pelo NREL
(National Renewable Energy Laboratory do Departamento de Energia dos Estados Unidos) e
disponveis para cada ms com ndices de latitude e longitude.
Outro banco de dados com base na anlise de dados de muitos satlites o SSE da NASA,
(Surface Meteorology and Solar Energy), que pode ser acessado pela pgina:
http://eosweb.larc.nasa.gov/sse/. Este banco de dados permite acessar valores mdios da irradiao
solar em qualquer localidade do mundo, em uma resoluo de 1 x 1 de latitude e longitude, fazendo
uso de dados coletados ao longo de 22 anos.
Mais uma opo de obteno de dados com origem em imagens de satlites a pgina
http://www.soda-is.com/, onde h produtos venda, mas tambm h dados gratuitos, com gerao de
sries de radiao solar.
2.7.3 Programas computacionais para acessar e tratar dados de irradiao solar
H programas computacionais que podem auxiliar na consulta aos dados de radiao solar
incidente em uma dada localidade. As bases de dados geralmente contm dados da radiao solar sobre
uma superfcie horizontal, mas os painis dos SFV so geralmente instalados em planos inclinados
com diferentes orientaes. Alm disto, h programas que utilizam algoritmos adequados para
sintetizar computacionalmente sequncias de dados meteorolgicos que, na ausncia de dados
sequenciais medidos, podem alimentar programas de simulao computacional de sistemas
fotovoltaicos em operao.
94
O programa SunData, desenvolvido pelo Cepel, uma ferramenta para apoio ao
dimensionamento de um SFV. O mesmo baseado no banco de dados CENSOLAR (alm de outras
fontes), contendo valores de irradiao diria mdia mensal no plano horizontal para cerca de 350
pontos no Brasil e em pases limtrofes. O SunData apresenta os dados mensais para planos inclinados
em trs ngulos de inclinao, orientados para o Equador. Para saber a irradiao solar global diria
mdia mensal de uma localidade basta entrar com as suas coordenadas geogrficas. Esse programa
pode ser acessado atravs da pgina do Cresesb: www.cresesb.cepel.br.
O programa RADIASOL 2, desenvolvido no LABSOL da UFRGS, permite que o usurio defina
o ngulo de inclinao e o ngulo de orientao azimutal do plano dos mdulos. O usurio deve entrar
com dados de irradiao diria em mdia mensal sobre um plano horizontal e dados de temperatura em
base mensal (ou utilizar dados incorporados na instalao do programa) e selecionar a localizao e
orientao do plano em estudo. O programa ento sintetiza dados horrios de irradiao global, divide
esses dados em valores de radiao direta e difusa para cada hora ao longo de um ano, e calcula a
irradiao horria sobre o plano inclinado. Como resultado, possvel observar em grfico ou exportar
dados mensais ou horrios de radiao solar e suas componentes direta e difusa e dados de temperatura
ambiente necessrios para uma simulao. Quando o usurio no possui os dados mensais de um local
de interesse, pode buscar no banco de dados incorporado ao programa, o qual contm dados do Atlas
Solarimtrico, e do programa SWERA, e utilizar ferramentas de interpolao ou de busca pelos dados
do Atlas Brasileiro de Energia Solar atravs do posicionamento do mouse sobre o mapa. O programa
RADIASOL 2 est disponvel para download gratuito na pgina: www.solar.ufrgs.br.
A Figura 2.20 mostra a interface da seleo do estado do Brasil para iniciar o programa
RADIASOL 2. Arrastando o mouse pelo mapa do Brasil possvel ver uma estimativa das diferenas
climticas, e selecionando-se um crculo vermelho escolhe-se um estado. A partir da pode-se
selecionar uma estao com dados existentes ou inserir novas localidades, ou ainda editar os dados a
qualquer momento.
95

Figura 2.20 - Interface de utilizao do programa RADIASOL2.
O programa METEONORM um software comercial desenvolvido por METEOTEST (Sua)
que possui uma base de dados climatolgicos para vrios locais no mundo e de uso em aplicaes para
aproveitamento energtico. O programa tambm apresenta facilidades de clculo de radiao incidente
sobre planos inclinados e tambm incorpora um mecanismo de sintetizao de sries de dados.
2.7.4 Comparao entre dados de irradiao solar de diversas fontes
Os dados de irradiao solar disponveis para o territrio brasileiro nas diversas fontes citadas
podem apresentar discrepncias apreciveis. A ttulo de exemplo, as Figuras 2.21 e 2.22 mostram as
mdias dirias mensais e a mdia anual incidente sobre um painel inclinado de 10 em relao ao
plano horizontal e orientado na direo do Norte geogrfico, para duas localidades na regio Norte do
pas: Rio Branco-AC (~10S 68W) e Manaus-AM (~3S 60W), segundo diversas fontes.
96

Figura 2.21 - Mdias mensais e anual da radiao solar mdia diria incidente sobre um coletor inclinado de 10N na regio
de Rio Branco. A mdia anual de cada srie est mostrada por um smbolo sobre o eixo vertical no "ms zero". Cada srie
proveniente de um banco de dados diferente. Fonte: (SOARES et al., 2010).

Figura 2.22 - Mdias mensais e anual da radiao solar mdia diria incidente sobre um coletor inclinado de 10N na regio
de Manaus. A mdia anual de cada srie est mostrada por um smbolo sobre o eixo vertical no "ms zero". Cada srie
proveniente de um banco de dados diferente. Fonte: (SOARES et al., 2010).

Radiao solar mdia diria no coletor inclinado de 10
o
N - Rio Branco/AC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Ms
R
a
d
i
a

o

s
o
l
a
r

m

d
i
a

d
i

r
i
a

(
k
W
h
/
m
2
)
Atlas-SWERA
NASA
Sundata
Atlas-UFPE
Atlas-SWERA-mdia anual
NASA-mdia anual
Sundata-mdia anual
Atlas-UFPE-mdia anual
Radiao solar mdia diria no coletor inclinado de 10
o
N - Manaus/AM
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
Ms
R
a
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o

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o
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m

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a

(
k
W
h
/
m
2
)
Atlas-SWERA
NASA
Sundata
Atlas-UFPE
Atlas-SWERA-mdia anual
NASA-mdia anual
Sundata-mdia anual
Atlas-UFPE-mdia anual
97
Face a estas diferenas, surge o problema de quais dados de irradiao se deve adotar para o
dimensionamento de sistemas fotovoltaicos. A Eletrobrs, por exemplo, vem adotando os dados do
Atlas-SWERA para o dimensionamento dos sistemas tipo SIGFI no mbito do LpT.
Caso se faa o dimensionamento de um determinado sistema considerando um valor nico de
irradiao solar, e se opte por uma atitude conservadora, o valor adotado para o dimensionamento seria
o pior ms dentre todas as fontes a que se tiver acesso, o que, na Figura 2.21, por exemplo,
corresponde ao ms de fevereiro no Atlas-UFPE.
Por outro lado, caso se necessite a sequencia de valores mensais de irradiao para o
dimensionamento, como seria o caso de utilizar algum software de simulao, ento a atitude mais
conservadora seria compor uma sequencia utilizando os piores valores para cada ms (pior janeiro,
pior fevereiro etc.) disponveis em todas as fontes. No caso da Figura 2.21, por exemplo, seria uma
composio entre os valores do SunData e do Atlas-UFPE.
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http://eosweb.larc.nasa.gov/sse/ - SSE da NASA, Surface Meteorology and Solar Energy
http://www.solar.ufrgs.br - RADIASOL-2.
http://swera.unep.net/ - SWERA
http://www.soda-is.com/ - SODA, Solar Data.
http://www.cresesb.cepel.br - Cresesb.

101
CAPTULO 3
CLULAS E MDULOS FOTOVOLTAICOS
102
CAPTULO 3 CLULAS E MDULOS FOTOVOLTAICOS
3.1 Breve Histrico
O efeito fotovoltaico foi descoberto por Becquerel
1
em 1839, quando observou que ao iluminar uma
soluo cida surgia uma diferena de potencial entre os eletrodos imersos nessa soluo. Em 1876,
W. G. Adams e R. E. Day observaram efeito similar em um dispositivo de estado slido fabricado com
selnio. Os primeiros dispositivos que podem ser denominados de clulas solares ou clulas fotovoltaicas
foram fabricados em selnio e desenvolvidos por C. E. Frits em 1883. Nos anos 1950, ou seja, mais de 110
anos aps a descoberta de Becquerel, foram fabricadas nos Laboratrios Bell, nos Estados Unidos, as
primeiras clulas fotovoltaicas baseadas nos avanos tecnolgicos na rea de dispositivos semicondutores.
Estas clulas fotovoltaicas foram fabricadas a partir de lminas de silcio cristalino e atingiram uma eficincia
de converso de energia solar em eltrica, relativamente alta para a poca, de 6%, com potncia de 5 mW e
rea de 2 cm
2
.
Na dcada de 1970, um watt-pico (potncia nas condies-padro de ensaio) era vendido na Europa e
Estados Unidos por US$ 150,00. No entanto, ao fim da primeira dcada do novo milnio atingiu-se uma
produo mundial anual de clulas fotovoltaicas da ordem de magnitude da potncia da central hidroeltrica
de Itaipu. No final de 2013, para venda em maior escala, o preo do mdulo fotovoltaico de c-Si
encontrava-se em cerca de 0,60 /Wp na Europa, de 0,65 U$/Wp nos EUA e menos de 3 R$/Wp no
Brasil.
Diversas tecnologias de fabricao de clulas fotovoltaicas foram desenvolvidas nos ltimos 60 anos e
as clulas fotovoltaicas fabricadas a partir de lminas de silcio cristalino (monocristalino ou policristalino)
dominam o mercado mundial atualmente. A Figura 3.1 mostra que esta tecnologia vem respondendo sempre
por mais de 81% da produo mundial desde 2000, e em 2011 atingiu 87,9% deste mercado. As outras
tecnologias comercializadas so baseadas em filmes finos de telureto de cdmio (CdTe), disseleneto de cobre
ndio e glio (CIGS), silcio amorfo hidrogenado (a-Si:H), silcio microcristalino (c-Si) e silcio crescido em
fitas (Si-fitas). Clulas fotovoltaicas multijuno de alta eficincia, clulas baseadas em corantes (DSSC
Dye Sensitized Solar Cells) ou polmeros tambm esto sendo desenvolvidas.

1
Alexandre-Edmond Becquerel (1820-1891), cientista francs.
2
A termalizao pode ocorrer tambm para as lacunas na banda de valncia, embora seja mostrada na figura somente para os
103

Figura 3.1 - Distribuio das tecnologias usadas na produo industrial de clulas fotovoltaicas.
Legenda: m-Si - silcio monocristalino, p-Si - silcio policristalino, CdTe - telureto de cdmio; a-Si - silcio amorfo, CIS -
disseleneto de cobre ndio, CIGS - disseleneto de cobre ndio glio, e Si-Fitas - fitas de silcio. Fonte: (HERING, 2012a).
3.2 Princpios de Funcionamento da Clula Fotovoltaica
Existem na natureza materiais classificados como semicondutores, que se caracterizam por
possurem uma banda de valncia totalmente preenchida por eltrons e uma banda de conduo vazia
(sem eltrons) na temperatura do zero absoluto (0 K). Assim sendo, um semicondutor comporta-se como
um isolante a 0 K.
Na tabela peridica, os elementos semicondutores pertencem principalmente aos grupos 14 a 16
(antigos grupos IV A a VI A), incluindo Carbono (C), Silcio (Si), Germnio (Ge), Arsnio (As), Fsforo
(P), Selnio (Se) e Telrio (Te). Alm destes, existe um grande nmero de compostos binrios, ternrios e
at quaternrios, incluindo elementos de diversos grupos da tabela peridica, que tambm so
semicondutores. Uma forma comum de denominao destes compostos feita pelos grupos (da
classificao antiga) a que pertencem os elementos que os formam. Assim, por exemplo, o Arsenieto de
Glio (GaAs) e o Nitreto de Glio (GaN) so conhecidos como um semicondutores do tipo III-V, o
104
Telureto de Cdmio (CdTe) como do tipo II-VI e o Disseleneto de Cobre-ndio como I-III-(VI)
2
. Como
exemplo de semicondutores quaternrios, pode-se citar o InGaAsP e o AlInGaN, utilizados para a
fabricao de LEDs.
A separao entre as duas bandas de energia permitidas dos materiais semicondutores, denominada
de banda proibida (bandgap, ou simplesmente gap) e representada por E
g
, pode atingir at 3 eV (eltron-
volt), diferenciando estes materiais dos materiais considerados isolantes, onde a banda proibida supera
este valor. A Figura 3.2 apresenta a estrutura de separao de bandas de energia para condutores,
semicondutores e isolantes.
(a) (b) (c)
banda de conduo
banda proibida
banda de valncia
condutor semicondutor isolante
< 3eV > 3eV

Figura 3.2 - Estrutura de bandas de energia em (a) condutores, (b) semicondutores e (c) isolantes.
As bandas so, na realidade, compostas por um conjunto de inmeros valores discretos permitidos
de energia bastante prximos, por isso muitas vezes so consideradas como contnuas. A Tabela 3.1
disponibiliza os valores de E
g
para diversos materiais semicondutores.
Tabela 3.1 Bandas proibidas E
g
para diversos materiais semicondutores temperatura de 300 K.
Material Grupo E
g
(eV) Material Grupo E
g
(eV)
Si elemento 1,12 GaP III-V 2,26
Ge elemento 0,66 CdS II-IV 2,42
GaAs III-V 1,43 PbS II-IV 0,35
InSb III-V 0,18 PbTe II-IV 0,30
InP III-V 1,35 CdTe II-IV 1,45
Em funo da existncia de bandas de energia, uma caracterstica importante dos semicondutores o
aumento da condutividade com a temperatura, proporcionado pela excitao trmica de eltrons da banda
de valncia para a banda de conduo, deixando na banda de valncia as lacunas, as quais constituem
portadores de carga positiva, cuja mobilidade, todavia, cerca de um tero da dos eltrons na banda de
conduo. Assim, para temperaturas superiores a 0 K, h sempre no semicondutor um certo nmero de
105
eltrons ocupando a banda de conduo e o mesmo nmero de lacunas na banda de valncia, denominados
portadores intrnsecos, cuja concentrao pode ser expressa pelas Equaes 3.1 e 3.2. Para o Si o valor de
n
i
citado pela literatura de 1,45x10
10
/cm
3
na temperatura de 300K.

.
(3.1)
= =

(3.2)
Onde:

- concentrao de portadores intrnsecos;


- concentrao de portadores negativos (eltrons);
- concentrao de portadores positivos (lacunas);
- constante de Boltzmann (1,381 x 10
-23
J/K);

Energia do gap do material (1,12eV para o silcio);


- Temperatura absoluta (K)
- Constante aproximada para os semicondutores (~10
39
/cm
6
)
Os eltrons preenchem os nveis de energia vagos a partir do fundo da banda de conduo para
cima. As lacunas, contudo, ocupam os nveis a partir do topo da banda de valncia para baixo. A
compreenso deste comportamento dos portadores pode ser auxiliada pela seguinte analogia fsica: as
lacunas se comportam na banda de valncia como bolhas num meio lquido mais denso, por isso flutuam
na superfcie do lquido, enquanto que os eltrons na banda de conduo so como bolas mais densas que
o lquido, por isso se acumulam no fundo.
Alm da gerao trmica, h ainda a possibilidade de gerao de portadores por meio de energia
cintica de partculas (prtons, nutrons etc.) que atinjam o material, a chamada ionizao por impacto.
Mas a propriedade fundamental que permite a fabricao de clulas fotovoltaicas a possibilidade de
ftons incidentes no material, com energia superior E
g
do gap, tambm gerarem pares eltron-lacuna,
conforme mostrado na Figura 3.3.
A energia de um fton associada cor da luz, de acordo com a equao:
f h E
f
= (3.3)
Onde:
E
f
energia do fton (J);
h constante de Planck (J.s);
freqncia da luz (Hz).
106

Figura 3.3 Gerao de pares eltron-lacuna pela incidncia de ftons no material semicondutor, chamado efeito
fotocondutivo: E
c
nvel inferior de energia da banda de conduo; E
v
nvel mximo de energia na banda de valncia; E
fe

Nvel de Fermi; E
g
valor da energia do gap (E
g
= E
c
E
v
). Fonte: adaptado de (OLDENBURG, 1994).
A absoro de ftons com energia superior ao E
g
resulta em dissipao da energia em excesso (h -
E
g
) como calor no material, no fenmeno denominado termalizao
2
, tambm mostrado na Figura 3.3. O
nvel de energia de Fermi, E
fe
na Figura 3.3, corresponde ao nvel mdio de energia dos portadores no
material, e, para os semicondutores intrnsecos, se situa no meio da banda proibida.
Estes eltrons e lacunas fotogerados podem mover-se dentro do material e aumentam sua
condutividade eltrica, o que denominado de efeito fotocondutivo. Este efeito aproveitado para
fabricao de componentes eletrnicos denominados fotoclulas ou fotorresistores (LDRs
3
), no qual a
resistncia eltrica varia em funo da luminosidade incidente. Contudo, para o aproveitamento de
corrente e tenso eltricas necessrio aplicar um campo eltrico, a fim de separar os portadores, o que se
consegue atravs da chamada juno pn. Para constru-la, necessrio introduzir de forma controlada
impurezas no semicondutor, ou seja, realizar a dopagem, que consiste na introduo de pequenas

2
A termalizao pode ocorrer tambm para as lacunas na banda de valncia, embora seja mostrada na figura somente para os
eltrons na banda de conduo.
3
LDR light dependent resistor.
107
quantidades de outros elementos, denominados impurezas ou dopantes, que mudam drasticamente as
propriedades eltricas do material intrnseco (material sem dopagem, denominado de tipo i).
Para compreenso dos conceitos bsicos descreve-se aqui uma clula fotovoltaica monojuno de
silcio (Si) cristalino, que o material semicondutor mais usado na fabricao de clulas e cujas
propriedades so apresentadas na Tabela 3.2. Outros materiais e tipos de clulas so apresentados nos
itens 3.5 e 3.6, entre elas as clulas multijuno e heterojuno.
Tabela 3.2 Propriedades do silcio temperatura de 300 K e baixas concentraes de dopantes.
Propriedades do silcio
Nmero atmico (Z) 14
Configurao eletrnica 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2

Valncia 4
Estrutura cristalina CFC
Bandgap (E
g
) 1,12 eV
Distncia interatmica (a) 5,4
Ponto de fuso 1.420C
Constante dieltrica (/
o
) 11,8
Concentrao intrnseca de portadores (n
i
) 1,5 x 10
10
/cm
3

Mobilidade dos eltrons (
n
) 1.350 cm
2
/V.s
Mobilidade das lacunas (
p
) 480 cm
2
/V.s
Coeficiente de difuso de eltrons (D
n
) 35 cm
2
/s
Coeficiente de difuso de lacunas (D
p
) 12,5 cm
2
/s
Os tomos de Si so tetravalentes, ou seja, caracterizam-se por possurem 4 eltrons de valncia que
formam ligaes covalentes com os tomos vizinhos, resultando em 8 eltrons compartilhados por cada
tomo, constituindo uma rede cristalina.
Ao se introduzir nesta estrutura um tomo pentavalente, como, por exemplo, o fsforo (P), haver
um eltron em excesso fracamente ligado a seu tomo de origem, uma vez que ocupa um nvel de energia
no interior da banda proibida apenas ~0,044 eV abaixo do limite inferior da banda de conduo (nvel E
d

na Figura 3.4). Como sua energia de ligao muito baixa, na temperatura ambiente a energia trmica
suficiente para libertar este eltron fazendo com que salte para a banda de conduo, deixando seu tomo
de origem como uma carga fixa positiva. Alm do fsforo (P), podem ainda ser usados arsnio (As) e
antimnio (Sb), que so chamados de impurezas doadoras de eltrons, ou dopantes tipo n ou, ainda,
impurezas tipo n. O Nvel de Fermi para o semicondutor tipo n localiza-se acima do ponto mdio da banda
proibida, prximo banda de conduo.
Se, por outro lado, na rede cristalina for introduzido um tomo trivalente, como o boro (B), haver a
falta de um eltron para completar as ligaes com os tomos de Si da rede. Esta falta de um eltron
denominada lacuna ou buraco e ocupa um nvel de energia no interior da banda proibida apenas
~0,045 eV acima do limite superior da banda de valncia (nvel E
a
na Figura 3.4). Na temperatura
108
ambiente a energia trmica de um eltron de uma ligao vizinha suficiente para faz-lo passar a esta
posio, correspondendo ao movimento da lacuna no sentido inverso, tornando o tomo uma carga fixa
negativa. Alm do boro (B), podem ser usados alumnio (Al), glio (Ga) e ndio (In), denominados
impurezas aceitadoras de eltrons ou dopantes tipo p. No semicondutor tipo p, o Nvel de Fermi fica
abaixo do ponto mdio da banda proibida, prximo banda de conduo.
A Figura 3.4 esclarece sobre os nveis de energia em materiais semicondutores tipo n e tipo p.

Figura 3.4 Nveis de energia em materiais tipo n e p: E
a
nvel de energia dos eltrons faltantes dos tomos de impurezas
aceitadoras; E
d
- nvel de energia nos eltrons no emparelhados dos tomos de impurezas doadoras. Fonte: adaptado de
(OLDENBURG, 1994).
A Tabela 3.3 mostra os nveis de energia de ionizao alguns dos elementos normalmente utilizados
como dopantes para o silcio.
Tabela 3.3 Nveis de energia de ionizao para impurezas utilizadas como dopantes tipos p e n em silcio E
v
a energia
correspondente ao topo da banda de valncia; E
c
a energia correspondente ao fundo da banda de conduo. Fonte (SZE,
1981).
Elemento
tipo p
Energia
(eV)
Elemento
tipo n
Energia
(eV)
B E
v
+ 0,045 Li E
c
0,033
Al E
v
+ 0,067 Sb E
c
0,039
Ga E
v
+ 0,072 P E
c
0,045
In E
v
+ 0,16 As E
c
0,054
Tl E
v
+ 0,3 Bi E
c
0,069
Na temperatura ambiente existe energia trmica suficiente para que praticamente todos os eltrons
em excesso dos tomos de Fsforo (P) estejam livres, bem como para que todas as lacunas criadas pelos
tomos de Boro (B) possam se deslocar. Usualmente a dopagem do tipo p feita numa concentrao (N
a
)
de ~1:10
7
, ou seja, cerca de um tomo de B para 10 milhes de tomos de Si. J a concentrao dos
tomos de P (N
d
) na dopagem tipo n muito superior, atingindo ~1:10
3
. As concentraes dos dopantes
(N
d
e N
a
) so deliberadamente feitas vrias ordens de grandeza superiores s dos portadores intrnsecos na
109
temperatura ambiente, de forma a criar regies com predominncia de cargas livres negativas ou positivas,
denominadas, respectivamente, regies tipo n e tipo p.
Por isso, na regio tipo n, os portadores negativos (eltrons) so denominados portadores
majoritrios, cuja concentrao aproximadamente igual concentrao do dopante (N
d
), enquanto que
ali as lacunas so os portadores minoritrios. Neste caso, valem as seguintes equaes:

(3.4)

(3.5)
Onde:

- concentrao de portadores intrnsecos;


- concentrao de portadores negativos (eltrons);
- concentrao de portadores positivos (lacunas);

Concentrao do dopante tipo n.


Para a regio tipo p, a situao dos portadores se inverte, de forma anloga.
Por outro lado, se numa metade de uma lmina de Si inicialmente puro forem introduzidos tomos
de B e na outra metade tomos de P, ser ento formada a juno pn, conforme mostram as Figuras 3.5 e
3.6, o que a estrutura tpica de um diodo retificador semicondutor.
Na interface entre os dois tipos de dopagem, o excesso de eltrons da regio n se difunde para a
regio p, dando origem a uma regio com cargas eltricas positivas fixas no lado n, que so ons P
+
, pois
os tomos de Fsforo perdem um eltron. Os eltrons que passam do lado n para o lado p encontram as
lacunas, fazendo com que esta regio fique com cargas negativas fixas, que so ons B
-
, pois os tomos de
B recebem um eltron. Estas correntes de difuso de portadores de carga no continuam indefinidamente,
porque o excesso de cargas positivas e negativas na juno das regies n e p produz um campo eltrico
que impede a passagem de eltrons do lado n para o lado p, assim como impede a passagem de lacunas da
regio p para a n.
Estabelecido o equilbrio, forma-se uma zona com cargas positivas e negativas, denominada de zona
de carga espacial ou zona de depleo, gerando um campo eltrico na juno pn e uma barreira de
potencial. A zona de depleo recebe este nome por l praticamente no existirem portadores, ou seja n
0 e p 0.
Atravs da juno pn no escuro, sem tenso externa de polarizao, existe uma corrente de
portadores gerados termicamente que se anula, num estado de equilbrio dinmico, de acordo com o
conjunto de Equaes 3.6. A corrente pode ser divida em duas partes, corrente de deriva (i
D
), e corrente de
difuso (i
d
), conforme pode-se visualizar na Figura 3.5.
110
A primeira parte acorrente de deriva (i
D
), que a corrente de portadores que se movem por efeito
do campo eltrico das regies em que so minoritrios para as regies em que so majoritrios. Esta
corrente tem duas componentes: a corrente de lacunas que se movem do lado n para o lado p (I
Dp
) e a
corrente de eltrons que se movem do lado p para o lado n (I
Dn
).
A outra parte a corrente de difuso (i
d
), resultante da diferena de concentraes de eltrons e
lacunas nos dois lados da juno pn. As componentes so: corrente de lacunas do lado p para o lado n (i
dp
)
e corrente de eltrons do lado n para o lado p (i
dn
). Estes portadores se deslocam por difuso das regies
em que so majoritrios para as em que so minoritrios, onde se recombinam.
i
D
= i
Dp
+ i
Dn
I
d
= i
dn
+ i
dp
i = i
D
= I
d
= 0 (3.6)
A barreira de potencial que surge na juno pn tambm pode ser visualizada na Figura 3.5,
correspondendo a uma energia qV
o
, onde V
o
a diferena de potencial e q a carga fundamental (carga
do eltron).
A diferena de potencial entre as regies p e n pode ser entendida como resultado das diferenas no
Nvel de Fermi (E
fe
) nos dois materiais. Quando estes materiais entram em contato, a situao de
equilbrio alcanada quando os nveis de Fermi se igualam, o que ocorre pelo fluxo inicial de portadores
e pelo estabelecimento do campo eltrico e da diferena de potencial, que a responsvel por impelir a
corrente fotogerada.

Figura 3.5 Juno pn no escuro em equilbrio trmico, mostrando a barreira de potencial (qV
0
) as correntes de difuso (I
d
) e
de deriva (i
D
) de portadores: i
dn
corrente de difuso de eltrons; i
dp
corrente de difuso de lacunas; i
Dn
corrente de deriva
de eltrons; I
Dp
corrente de deriva de lacunas. Fonte: adaptado de (OLDENBURG, 1994).
111
A diferena de potencial na juno pn sem polarizao externa (em equlbrio), em funo da
temperatura, pode ser calculada pela Equao 3.7.

()

ln

(3.7)
Onde:

() diferena de potencial na juno;

- concentrao de portadores intrnsecos no material;

Concentrao do dopante tipo n;

Concentrao do dopante tipo p;


q carga do eltron (1,6x10
-19
C);
k constante de Boltzmann (1,38x10
-23
J/K);
T temperatura absoluta (K).

A Figura 3.6 mostra a estrutura fsica de uma juno pn de uma clula fotovoltaica.

Figura 3.6 - Estrutura bsica de uma clula fotovoltaica de silcio destacando: (1) regio tipo n; (2) regio tipo p, (3) zona de
carga espacial, onde se formou a juno pn e o campo eltrico; (4) gerao de par eltron-lacuna; (5) filme antirreflexo; (6)
contatos metlicos. Fonte: Adaptada de (MOEHLECKE e ZANESCO, 2005).
Na prtica, para se obter a juno pn da clula parte-se, por exemplo, de uma lmina de silcio
cristalino j previamente dopada, em sua fabricao, com tomos do tipo p e se introduzem tomos do tipo
112
n, de forma a compensar a regio previamente dopada e obter uma regio tipo n na lmina (por isso a
maior concentrao do dopante tipo n). Isto feito na prtica por meio da introduo do material em um
forno a alta temperatura contendo um composto de Fsforo em forma gasosa. Da mesma maneira, tambm
se pode formar a juno pn em uma lmina de silcio tipo n, com introduo posterior de tomos tipo p.
Se um material semicondutor dotado de uma juno pn for exposto a ftons com energia maior que
a do gap (E
f
> E
g
), ento ocorrer a fotogerao de pares eltron-lacuna, da mesma forma como j
explicado para o material intrnseco, na Figura 3.3. Porm, se tais portadores de carga forem gerados no
interior da regio de carga espacial, ento sero separados pelo campo eltrico, sendo os eltrons
acelerados para o lado n e as lacunas para o lado p, gerando assim uma corrente eltrica (tambm de
deriva) atravs da juno no sentido da regio n para a regio p. Observe-se que esta corrente fotogerada
I
L
tem sentido inverso corrente de polarizao direta de um diodo e tem duas componentes (eltrons e
lacunas). O processo de absoro de ftons da juno pn e a corrente fotogerada podem ser observados na
Figura 3.7.
Porm, se os portadores de carga forem fotogerados fora da zona de carga espacial, ento os
portadores minoritrios, isto , lacunas em regio tipo n e eltrons em regio tipo p, devero ter um tempo
de vida ou comprimento de difuso mnimo para eventualmente alcanarem a juno pn e serem
coletados, sem que ocorra recombinao, contribuindo assim tambm para a I
L
.
A recombinao pode ser direta, tambm chamada banda a banda, na qual o eltron volta
diretamente da banda de valncia banda de conduo. Neste caso, a energia pode ser emitida sob forma
de fton, na chamada recombinao irradiante (mostrada em cor lils na Figura 3.7), que o efeito
utilizado para fabricao de LEDs, emitindo, as clulas de c-Si, radiao de baixssima intensidade na
faixa de 950 nm a 1250 nm (IR). A recombinao indireta, por outro lado, feita com o eltron passando
por nveis de energia intermedirios introduzidos no interior da banda proibida por defeitos na estrutura
cristalina.
113

Figura 3.7 Corrente fotogerada na juno pn iluminada (clula fotovoltaica): (1) par eltron-lacuna gerado na regio de carga
espacial; (2) par gerado fora da regio de carga espacial; (3) recombinao, sendo mostrada direita a recombinao direta, e
esquerda a recombinao indireta. Fonte: adaptado de (OLDENBURG, 1994).
Esta separao dos portadores de carga pela juno pn d origem ao efeito fotovoltaico, que a
converso de energia luminosa em energia eltrica associada a uma corrente eltrica e uma diferena de
potencial. Este efeito na verdade ocorre em qualquer diodo semicondutor que for exposto radiao,
portanto, as clulas fotovoltaicas podem ser entendidas essencialmente como diodos de grande rea
otimizados para o aproveitamento do efeito fotovoltaico.
Para completar a clula fotovoltaica, so ainda necessrios um contato eltrico frontal (malha
metlica) na regio n, assim como um contato traseiro na regio p. Se esses contatos forem conectados
externamente por meio de um condutor, haver uma circulao de eltrons. Alm do processo de gerao
de pares eltron-lacuna, tambm ocorrem processos de recombinao dos portadores de carga minoritrios
gerados. A recombinao pode ocorrer tanto na superfcie quanto no volume do dispositivo.
Os fatores que limitam a eficincia de converso de uma clula fotovoltaica so: 1) reflexo na
superfcie frontal; 2) sombra proporcionada pela rea da malha metlica na face frontal; 3) absoro nula
de ftons de energia menor que do que o gap (E
f
< E
g
); 4) baixa probabilidade de coleta, pela juno pn,
dos portadores de carga gerados fora da zona de carga espacial; 5) recombinao dos portadores de carga,
isto , o reencontro dos eltrons e lacunas em impurezas e defeitos do material e 6) resistncia eltrica
no dispositivo e nos contatos metal-semicondutor, bem como possveis caminhos de fuga da corrente
eltrica (resistncia em paralelo). A Figura 3.8 esquematiza os fatores acima citados.
114

(a) (b)
Figura 3.8. Fatores que limitam a eficincia de uma clula fotovoltaica: a) Perdas por reflexo, transmisso (ftons com energia
menor que o gap), recombinao de portadores de carga minoritrios e sombreamento proporcionado pela malha metlica
frontal. b) Perdas por resistncia em srie nas junes metal-semicondutor (R4 e R1) existentes nos contatos metlicos frontal e
traseiro, perdas nas trilhas metlicas (R5 e R6) e nas regies n (R3) e p (R2) e perdas por resistncia em paralelo entre o contato
metlico frontal (malha metlica) e a regio tipo p (R7), e entre os contatos metlicos frontal e traseiro (R8). Adaptada de
(MOEHLECKE e ZANESCO, 2005).
A Tabela 3.4 apresenta a eficincia das melhores clulas fotovoltaicas fabricadas com diferentes
materiais e tecnologias. A mxima eficincia foi obtida com clulas fotovoltaicas multijuno, atingindo o
valor de 37,7%. Estas clulas so compostas de elementos dos grupos 13, 14 e 15 da tabela peridica (ou
IIIA, IVA e VA da antiga classificao dos elementos na tabela peridica) e a combinao dos materiais
permite absorver os ftons de grande parte do espectro solar. Para clulas de uma nica juno, o limite
terico da ordem de 30% (Limite de Schokley-Queiser) e as melhores clulas fotovoltaicas de Si
fabricadas em laboratrio atingiram a eficincia de 25%.




115
Tabela 3.4 - Eficincia das melhores clulas fotovoltaicas fabricadas em laboratrios at 2012 [GREEN et al., 2013].
Tecnologia Eficincia (%)
Silcio
Monocristalino 25,0 0,5
Policristalino 20,4 0,5
Filmes finos transferidos
4
20,1 0,4
Compostos III A-VA (ou
13-15)
GaAs (filme fino) 28,8 0,9
GaAs (policristalino) 18,4 0,5
InP (monocristalino) 22,1 0,7
Calcognios Compostos
II B-VI A (ou 12-16)
CIGS (CuIn
x
Ga
(1-x)
Se
2
)
(filme fino)
19,6 0,6
CdTe (filme fino) 18,3 0,5
Silcio amorfo /
nanocristalino
Amorfo (a-Si)
(filme fino)
10,1 0,3
Nanocristalino (nc-Si) 10,1 0,2
Clulas Sensibilizadas por Corantes (DSSC) 11,9 0,4
Clulas Orgnicas (filme fino) 10,7 0,3
Multijuno
InGaP/GaAs/InGaAs 37,7 1,2
a-Si/nc-Si/nc-Si
(filme fino)
13,4 0,4
3.3 Caractersticas Eltricas das Clulas Fotovoltaicas
3.3.1 Curva I-V
A corrente eltrica em uma clula fotovoltaica pode ser considerada como a soma da corrente de uma
juno pn no escuro (diodo semicondutor) com a corrente gerada pelos ftons absorvidos da radiao solar.
Esta corrente em funo da tenso no dispositivo, denominada de curva I-V ou curva caracterstica, pode ser
descrita pela seguinte equao, derivada da Equao de Schockley
5
, do diodo ideal:
(

|
.
|

\
|
= 1 exp
0
nkT
qV
I I I
L
(3.8)
Onde:
I
L
- corrente fotogerada (A);
I
0
-

corrente de saturao reversa do diodo (A);
n - fator de idealidade do diodo, nmero adimensional geralmente entre 1 e 2, obtido por ajuste de dados
experimentais medidos;

4
Filmes finos transferidos tecnologia onde inicialmente so fabricadas estruturas de filme fino metal/polmero sobre suporte
de vidro reutilizvel para posterior transferncia para um substrato que pode ser de diamante, silicone, nitreto de alumnio,
placa de circuito impresso etc.
5
William Bradford Schockley (1910-1989), cientista norte-americano, ganhador do Prmio Nobel de Fsica em 1956.
116
q carga do eltron (1,6x10
-19
C);
k constante de Boltzmann (1,38x10
-23
J/K);
T temperatura absoluta (K).
Por inspeo da Equao 3.8, observa-se que no escuto (I
L
= 0) a clula fotovoltaica tem o
comportamento idntico ao de um diodo.
A corrente de saturao reversa I
0
pode ser calculada teoricamente pela Equao 3.9, a partir de
propriedades do material e detalhes da construo da juno pn. I
0
pode ser determinada experimentalmente
pela aplicao da tenso V
oc
clula no iluminada (no escuro), ou ainda obtida numericamente por meio de
ajuste de uma curva experimental medida.

(3.9)
Onde:
I
0
-

corrente de saturao reversa do diodo (A);
A


rea da seo reta da juno (rea da clula);

- concentrao de portadores intrnsecos no material;

Concentrao dos dopantes tipo n e tipo p, respectivamente;

Coeficientes de difuso de lacunas e eltrons, respectivamente, no material (ver Tabela 3.2);

Comprimentos de difuso de lacunas e de eltrons;


q carga do eltron (1,6x10
-19
C);

Na Figura 3.9 apresenta-se a curva I-V tpica de uma clula fotovoltaica de Si. Deve-se observar que,
apesar de ser normalmente apresentada no primeiro quadrante, fisicamente a curva I-V se situa na realidade
no quarto quadrante, por se tratar de um gerador, onde, conforme j explicado, a corrente tem sentido inverso
( negativa).
Considerando que, conforme discutido no item 3.2, em uma clula fotovoltaica h resistncia em srie
devido a: juno metal-semicondutor, malhas metlicas, regies dopadas etc., assim como resistncias em
paralelo devido a pontos de curto-circuito na juno pn, conforme esquematizado na Figura 3.8-b, a equao
da curva caracterstica de uma clula fotovoltaica torna-se:
P
S S
L
R
IR V
nkT
IR V q
I I I
+

|
.
|

\
| +
= 1
) (
exp
0
(3.10)
onde R
S
a resistncia em srie e R
P
a resistncia em paralelo.
117

Figura 3.9 - Corrente eltrica em funo da diferena de potencial aplicada em uma clula fotovoltaica de silcio de 156 mm x
156 mm, sob condies-padro de ensaio. Os principais parmetros eltricos esto destacados. I
SC
a corrente eltrica de curto-
circuito, V
OC
a tenso de circuito aberto, P
MP

(6)
a potncia mxima ou de pico e I
MP
e V
MP
so, respectivamente, a corrente e a
tenso no ponto de potncia mxima.
A Figura 3.10 apresenta o circuito equivalente para uma clula fotovoltaica, onde o diodo, D,
representa a participao da juno pn no escuro. R
s
e R
p
representam resistncias em srie e paralelo (ver
item 3.3.4).

Figura 3.10 Circuito equivalente bsico para uma clula fotovoltaica (modelo com um diodo).
Para as clulas fotovoltaicas de uso terrestre sem concentrao da energia solar, a curva I-V medida
em condies-padro de ensaio: irradincia de 1.000 W/m
2
, espectro solar AM1,5 e temperatura da clula
fotovoltaica de 25C. Para essa medio, geralmente, utiliza-se um simulador solar e um sistema de medio
automatizado.
Segundo a norma NBR10899, o mdulo fotovoltaico uma unidade bsica formada por um conjunto
de clulas fotovoltaicas, interligadas eletricamente e encapsuladas, com o objetivo de gerar energia
eltrica. O smbolo da Figura 3.11 pode ser utilizado para representar um mdulo fotovoltaico.

6
A notao para o ponto de potncia mxima P
MP
no padronizada e diferentes autores e fabricantes utilizam outras formas,
como P
PM
, P
PP
, P
MPP
, P
m
. O mesmo vale em relao a I
MP
e V
MP
.
118

Figura 3.11 Smbolo de mdulo fotovoltaico.
3.3.2 Parmetros eltricos
A partir da curva I-V mostrada na Figura 3.9, podem ser determinados os parmetros eltricos que
caracterizam as clulas ou mdulos fotovoltaicos: tenso de circuito aberto, corrente de curto-circuito, fator
de forma e eficincia, descritos a seguir.
- Tenso de circuito aberto (V
oc
): a tenso entre os terminais de uma clula fotovoltaica quando no
h corrente eltrica circulando e a mxima tenso que uma clula fotovoltaica pode produzir. Pode ser
medida diretamente com um voltmetro nos terminais do mdulo. V
oc
depende da corrente de saturao (I
0
),
da corrente eltrica fotogerada (I
L
) e da temperatura, de acordo com a equao abaixo, derivada da Equao
3.8:

ln

+1 (3.11)
Por depender da corrente de saturao (I
0
), V
oc
est relacionada com a recombinao dos portadores de
carga minoritrios no dispositivo. O valor de V
oc
varia conforme a tecnologia utilizada nas clulas: c-Si
(0,5 V 0,7 V), CdTe (0,857 V), a-Si (0,886 V), DSSC (0,744 V), InGaP/GaAs/InGaAs (3,014 V).
- Corrente de curto-circuito (I
sc
): a mxima corrente que se pode obter e medida na clula
fotovoltaica quando a tenso eltrica em seus terminais igual a zero. Pode ser medida com um ampermetro
curto-circuitando os terminais do mdulo. I
sc
depende da rea da clula fotovoltaica, da irradincia solar e de
sua distribuio espectral, das propriedades pticas e da probabilidade de coleta dos pares eltron-lacuna
formados. A densidade de corrente de curto-circuito (J
sc
) calculada dividindo-se I
sc
pela rea do dispositivo.
Valores da densidade de corrente variam conforme a tecnologia empregada, tais como: c-Si (38 mA/cm
2

42,7 mA/cm
2
), CdTe (26,95 mA/cm
2
), a-Si (16,75 mA/cm
2
), InGaP/GaAs/InGaAs (14,57 mA/cm
2
),
DSSC (22,47 mA/cm
2
).
- Fator de forma (FF): a razo entre a mxima potncia da clula e o produto da corrente de curto
circuito com a tenso de circuito aberto. O FF definido pela equao:
119
SC OC
MP MP
I V
I V
FF = (3.12)
Quanto menores forem as perdas resistivas (srie e paralelo), mais prxima da forma retangular ser a
curva I-V. A definio de FF est representada graficamente na Figura 3.9, como a razo entre a rea dos dois
retngulos destacados. Embora FF possa ser relacionado empiricamente com V
OC
, as resistncias em srie e
em paralelo (ver item 3.3.4) so os parmetros mais relevantes na sua variao. Valores de FF dependem da
tecnologia usada, como por exemplo: c-Si (80,9% 82,8%), CdTe (77%), a-Si (67,8%), DSSC (71,2%),
InGaP/GaAs/InGaAs (86%).
- Eficincia (): o parmetro que define quo efetivo o processo de converso de energia solar em
energia eltrica. Representa a relao entre a potncia eltrica produzida pela clula fotovoltaica e a potncia
da energia solar incidente e pode ser definida como segue:
% 100 .
.
% 100 .
.
. .
G A
P
G A
FF V I
MP oc sc
= = q (3.13)
onde A (m
2
) a rea da clula e G (W/m
2
) a irradincia solar incidente. A unidade da potncia da clula e
do mdulo fotovoltaico o W
p
(watt-pico), que associada s condies-padro de ensaio (STC). As
melhores eficincias de clulas so mostradas na Tabela 3.4.
A partir dos dados da curva I-V, pode ser determinada a curva da potncia em funo da tenso,
denominada curva P-V, conforme a curva na cor vermelha da Figura 3.12, onde se destaca o ponto de
mxima potncia (P
MP
), como sendo aquele no qual a sua derivada em relao tenso nula (

= 0).

Figura 3.12 - Potncia eltrica em funo da tenso eltrica de uma clula fotovoltaica de silcio cristalino de 156 mm x 156 mm,
sob condies-padro de ensaio. Os principais parmetros eltricos esto destacados.
120
A equao da potncia da clula fotovoltaica no permite determinar analiticamente o ponto de
potncia mxima P
MP
, o qual, portanto, s pode ser calculado de forma aproximada ou numericamente.
3.3.3 Resistncias srie e paralelo de clulas fotovoltaicas
As resistncias srie e paralelo de uma clula fotovoltaica, representadas no modelo de circuito da
Figura 3.10, tem influncia importante na curva I-V da clula, conforme mostram, respectivamente as Figuras
3.13 e 3.14, contribuindo ambas para reduzir o FF da clula, e, portanto, sua eficincia.
A Figura 3.8 (b), por sua vez, mostra, de forma auto-explicativa, a origem destas resistncias na
estrutura da clula fotovoltaica.
A resistncia srie (R
s
) se origina na resistncia do prprio material semicondutor, nos contatos
metlicos e na juno metal-semicondutor. Observando-se a Figura 3.13, nota-se que a R
s
contribui para
reduzir a I
sc
e o FF da clula, mas no afeta sua V
oc
. Para valores elevados de R
s
a curva da clula perde o
formato caracterstico e se reduz a uma reta cuja inclinao 1/R
s
.

Figura 3.13 Efeito da resistncia srie (R
s
) na curva I-V de uma clula fotovoltaica, sendo todas as curvas para a mesma
temperatura e irradincia (STC), considerando em aberto a resistncia paralelo (R
p
=).
Por outro lado, na Figura 3.14, nota-se o efeito da R
p
, que consiste em reduzir a V
oc
e o FF, sem influir
na I
sc
. A R
p
causada por impurezas e defeitos na estrutura, principalmente prximo s bordas, que produzem
um caminho interno para uma corrente de fuga, reduzindo assim a corrente efetivamente produzida pelo
dispositivo (no vale para a I
sc
). Para baixos valores de R
p
, outra vez se perde a curvatura do diodo e a
caracterstica I-V se torna uma reta de inclinao 1/R
p
.
121

Figura 3.14 Efeito da resistncia paralelo (R
p
) na curva I-V de uma clula fotovoltaica, sendo todas as curvas para a mesma
temperatura e irradincia (STC), considerando nula a resistncia srie (R
s
=0).
Observa-se que a sensibilidade da clula, em particular do FF e da P
MP
, muito maior para variaes
na R
s
do que para variaes na R
p
. Assim, a manuteno da R
s
em um valor baixo decisiva para o
desempenho da clula, e obtida por meio de projeto e fabricao adequados. Isto ainda mais importante em
clulas para concentrao, as quais operam em densidades de corrente mais elevadas.
A Figura 3.15 mostra uma forma de estimar graficamente os valores de R
s
e R
p
, a partir da curva I-V de
uma clula.

Figura 3.15 Obteno das resistncias srie e paralelo pela curva I-V de uma clula.
122
3.3.4 Associaes de clulas e mdulos fotovoltaicos
Dispositivos fotovoltaicos podem ser associados em srie e/ou em paralelo, de forma a se obter os
nveis de corrente e tenso desejados. Tais dispositivos podem ser clulas, mdulos ou arranjos fotovoltaicos.
Os arranjos so constitudos por um conjunto de mdulos associados eletricamente em srie e/ou paralelo, de
forma a fornecer uma sada nica de tenso e corrente.
3.3.4.1 Associao em srie
Na conexo em srie, o terminal positivo de um dispositivo fotovoltaico conectado ao terminal
negativo do outro dispositivo, e assim por diante. Para dispositivos idnticos e submetidos mesma
irradincia, quando a ligao em srie, as tenses so somadas e a corrente eltrica no afetada, ou seja:
V = V
1
+ V
2
+ ....+ V
n
(3.14)
I = I
1
= I
2
= ....= I
n
(3.15)
Este resultado est ilustrado na Figura 3.16(a), por meio da caracterstica I-V. Se os dispositivos so
idnticos e encontram-se sob as mesmas condies de irradincia e temperatura, ento, as correntes eltricas
individuais so iguais. No caso de se associarem os dispositivos em srie com diferentes correntes de curto-
circuito, a corrente eltrica da associao ser limitada pela menor corrente. Entretanto, a associao de
mdulos de correntes diferentes no recomendada na prtica, pois pode causar superaquecimento.
3.3.4.2 Associao em paralelo
Na associao em paralelo, os terminais positivos dos dispositivos so interligados entre si, assim como
os terminais negativos. A Figura 3.16 (b) ilustra o resultado da soma das correntes eltricas em clulas ideais
conectadas em paralelo. As correntes eltricas so somadas, permanecendo inalterada a tenso. Ou seja:
I = I
1
+ I
2
+ ... + I
n
(3.16)
V = V
1
= V
2
= ...= V
n
(3.17)
123

(a)

(b)
Figura 3.16 Curvas I-V de duas clulas fotovoltaicas de silcio cristalino conectadas (a) em srie e (b) em paralelo.
3.3.5 Parmetros externos que afetam as caractersticas eltricas
O desempenho das clulas fotovoltaicas influenciado pela irradincia incidente e sua distribuio
espectral, bem como pela temperatura de operao da clula, inclusive em condies de irradincia de at
1 sol (ou 1 X), que corresponde a 1.000 W/m
2
. Em condies de concentrao da radiao solar, o que
implica na utilizao de dispositivos pticos (lentes ou espelhos) para obteno de nveis de irradincia
superiores aos naturais, a eficincia das clulas fotovoltaicas pode aumentar, se a temperatura for controlada.
Nos casos de alta irradincia, a resistncia srie (R
s
) torna-se um fator que pode reduzir a eficincia, se a
clula fotovoltaica no for projetada para essas condies. Por outro lado, quando incidem baixos valores de
radiao solar, a resistncia paralelo (R
p
) pode reduzir ainda mais a potncia eltrica gerada.
124
Ressalta-se que a eficincia do mdulo no deve ser utilizada como indicador de qualidade do mesmo.
A escolha de um mdulo fotovoltaico deve se basear em diversos fatores, como, custo, durabilidade,
reputao do fabricante etc. Em princpio, a eficincia no deve nortear a escolha do mdulo a no ser que a
rea disponvel para instalao do painel fotovoltaico seja um fator restritivo. A Tabela 3.5 apresenta as
potncias mdias por unidade de rea no estgio atual do desenvolvimento de mdulos fotovoltaicos de vrias
tecnologias.
Tabela 3.5 reas ocupadas por de mdulos de diferentes tecnologias.
Tecnologia
Potncia/rea
(W
p
/m
2
)
Si monocristalino - m-Si 150
Si policristalino - p-Si 135
Si amorfo - a-Si 85
Disseleneto de Cobre-ndio (e
Glio) - CI(G)S
100
Telureto de Cdmio - CdTe- 110
3.3.5.1 Influncia da irradincia solar
A Figura 3.17 mostra como a irradincia solar incidente afeta a curva I-V de uma clula fotovoltaica de
silcio, mantida na temperatura de 25 C. A corrente eltrica gerada por uma clula fotovoltaica aumenta
linearmente com o aumento da irradincia solar incidente, enquanto que a tenso de circuito aberto (V
oc
)
aumenta de forma logartmica (pela Equao 3.11), se mantida a mesma temperatura.
A I
sc
de uma clula (e de um mdulo) pode ser relacionada irradincia incidente pela Equao 3.18.

(3.18)
Onde:
I
sc
(A) corrente de curto-circuito do mdulo, para a irradincia G e uma temperatura de 25 C;
I
sc-stc
(A) corrente de curto circuito do mdulo nas STC;
G (W/m
2
) irradincia incidente sobre o mdulo;
1000 (W/m
2
) irradincia nas STC.
125

Figura 3.17 - Influncia da variao da irradincia solar na curva caracterstica I-V de uma clula fotovoltaica de silcio cristalino na
temperatura de 25 C.
3.3.5.2 Influncia da temperatura
As variaes da irradincia solar incidente e da temperatura ambiente afetam a temperatura de operao
das clulas fotovoltaicas que compem os mdulos fotovoltaicos. A Figura 3.18 mostra curvas I-V para
diversas temperaturas da clula fotovoltaica, com irradincia de 1.000 W/m
2
. O aumento da irradincia
incidente e/ou da temperatura ambiente produz um aumento da temperatura da clula e, consequentemente,
tende a reduzir a sua eficincia. Isto se deve ao fato de que a tenso da clula diminui significativamente com
o aumento da temperatura, enquanto que sua corrente sofre uma elevao muito pequena, quase desprezvel.
Em uma clula de silcio cristalino, um aumento de 100 C na temperatura produz uma variao da ordem de
-0,2 V (-30%) em V
OC
e de +0,2% em I
SC
. Determinados mdulos fotovoltaicos de filmes finos apresentam
uma menor influncia da temperatura na potncia de pico, embora tambm sofram reduo no seu
desempenho.
Maiores detalhes sobre a influncia da temperatura em clulas e mdulos so encontrados nos itens
4.1.3.2 e 4.1.3.3.
126
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
Tenso eltrica (V)
0
2
4
6
8
10
C
o
r
r
e
n
t
e

e
l

t
r
i
c
a

(
A
)
100
o
C
70
o
C
50
o
C
25
o
C
0
o
C

Figura 3.18 - Influncia da temperatura da clula fotovoltaica na curva I-V (para irradincia de 1.000 W/m
2
, espectro AM1,5).
3.4 Clulas e Mdulos Fotovoltaicos de Silcio Cristalino
As clulas de c-Si corresponderam em 2011 a 87,9% do mercado mundial. Para sua fabricao, a
matria prima utilizada o silcio ultrapuro. Pode ser utilizada a mesma matria prima da indstria eletrnica
(chips) o chamado silcio grau eletrnico (Si-gE), com uma pureza de 99,9999999%, tambm denominada
9N (nove noves), ou ento o silcio grau solar (Si-gS), com 99,9999% (6N), de menor custo (este ltimo no
pode ser usado na indstria eletrnica).
O SI-gE obtido, por meio de uma rota denominada processo Siemens, a partir do silcio impuro, que
o silcio grau metalrgico (Si-gM), com pureza de ~99%. J o Si-gS obtido por meio do processo chamado
Siemens modificado, ou por meio de outras rotas alternativas.
O Si metalrgico (Si-gM),por sua vez, obtido da slica (SiO
2
) em fornos a arco eltrico numa
temperatura que pode atingir 1780 C, utilizando como matria prima quartzo ou areia e o carvo, de acordo
com a reao abaixo.
SiO
2
+ 2C Si(s) + 2CO(g)
A Figura 3.19 resume a estrutura bsica da clula fotovoltaica industrial de c-Si tipo p, constituda de:
1) lmina de silcio cristalino tipo p dopada com boro, 2) regio n
+
dopada com fsforo (o ndice
+
significa
que a concentrao de dopante superior a 1 x 10
19
tomos/cm
3
), 3) regio p
+
dopada com alumnio, para
reduzir a recombinao na face posterior, denominada de campo retrodifusor ou BSF (back surface field), 4)
malha metlica frontal fabricada com prata, 5) barras coletoras ou malha metlica traseira de alumnio-prata,
6) filme antirreflexivo (AR) e 7) filme para passivao.
127
As pastas de alumnio para formar o BSF, a de prata para produzir a malha metlica frontal, e a de
alumnio-prata para formar o contato posterior so depositadas por serigrafia e processadas em forno de
esteira. Na Figura 3.20 apresentada uma clula fotovoltaica tpica.

Figura 3.19 - Estrutura bsica de uma clula fotovoltaica de silcio cristalino.

Figura 3.20 - Clula fotovoltaica de silcio cristalino.
O silcio usado na fabricao das clulas fotovoltaicas pode ser monocristalino (m-Si) ou
policristalino (p-Si). O primeiro obtido pelo mtodo Czochralski (Si-Cz) ou tambm pela tcnica de
fuso zonal flutuante (Si-FZ, Float Zone), conforme a Figura 3.21. No silcio policristalino (p-Si), em vez
de se formar um nico cristal, o material solidificado em forma de um bloco composto de pequenos
cristais, com dimenses da ordem de centmetros. A partir do corte de um bloco de p-Si ou lingotes de m-
Si tipo Si-Cz ou Si-FZ, so obtidas lminas, nas quais so fabricadas as clulas fotovoltaicas. As lminas
de silcio usadas atualmente tm espessura da ordem de 0,2 mm, mas o objetivo das pesquisas em
andamento para 2020 obter lminas de at 0,12 mm de espessura, a fim de reduzir os custos de
fabricao.
128

Figura 3.21 Fabricao de tarugos (lingotes) de m-Si pelas tcnicas de Float-Zone (FZ) e Czochralski. Fonte: adaptado
de (PHOTON, 2008).
A espessura um fator de projeto e otimizao das clulas fotovoltaicas. Clulas muito espessas
pedem eficincia por recombinao em funo dos comprimentos de difuso no material dos eletrons
fotogerados, enquanto que clulas muito finas perdem eficincia devido ao coeficiente de absoro ptica
do material.
A presena de interfaces entre os vrios cristais no p-Si reduz um pouco a eficincia destas clulas
fotovoltaicas. Na prtica, os dispositivos fabricados em lminas de p-Si alcanam eficincias prximas das
obtidas em lminas de m-Si. A eficincia mdia das clulas fotovoltaicas produzidas industrialmente em
Si-Cz (m-Si) de 16,5%. Para lminas comerciais de p-Si a eficincia varia de 14,5% a 16,2%.
Com substratos de Si-FZ tipo n, clulas fotovoltaicas com contatos interdigitados (intercalados) na
face traseira, denominadas de IBC (interdigitated back contact), onde os contatos metlicos esto
intercalados e todos dispostos na parte traseira da clula, foram fabricadas pela indstria com eficincia de
24,2%. Em substratos de Si-Cz tipo n, a mxima eficincia de 23,7% foi obtida com dispositivos HIT
(heterojunction with intrinsic thin layer). Tambm foram desenvolvidas clulas fotovoltaicas em lminas
de Si-Cz tipo n com estrutura padro da indstria e que atingiram eficincia mdia de 19% em linha de
produo.
Para fabricar as clulas fotovoltaicas a partir de lminas de silcio, um processo padro utilizado pela
maioria das indstrias atuais pode ser resumido nas seguintes etapas:
1) ataque qumico baseado em hidrxido de sdio ou potssio (NaOH ou KOH, soluo 2% w/w) para
formao de micropirmides nas superfcies das lminas de m-Si, o que possibilita reduzir a
129
refletncia das mesmas de 33% para 11% (light trapping); isso ocorre porque a reao qumica do
NaOH anisotrpica e tem diferentes velocidades em diferentes direes cristalogrficas, o que
resulta no aparecimento das micopirmides, as quais tem tamanhos aleatrios, porm sempre a
mesma orientao; por outro lado, para o ataque qumico em lminas de p-Si so usadas solues
cidas;
2) limpeza com solues qumicas para remoo de contaminantes;
3) difuso de fsforo em alta temperatura, de 800 C a 950 C com o gs POCl
3
; a penetrao do
fsforo (profundidade de 0,5-1,0 m) se d em todas as faces da lmina, de forma que a face no
utilizada para a juno pn e as bordas da lmina so tratadas (corrodas) para eliminar a camada com
fsforo;
4) deposio de filme fino para passivao, reduzindo a recombinao de portadores de carga
minoritrios na superfcie frontal;
5) deposio de filme antirreflexo na face frontal;
6) deposio de uma camada de pasta de alumnio na face posterior e difuso em alta temperatura em
forno de esteira; este processo visa facilitar a fabricao do contato metlico (hmico) na superfcie
traseira da clula;
7) metalizao (confeco dos contatos metlicos) nas faces frontal e traseira por serigrafia usando,
respectivamente, pastas de prata e prata-alumnio; entre os parmetros de projeto que influem da R
s

esto o espaamento entre as linhas da grade e a largura das barras do contato metlico frontal da
clula, que representam um compromisso entre a reduo da R
s
e o bloqueio de luz causado pela
grade frontal; e
8) isolamento das bordas.
Nas clulas atuais, a etapa 4 no implementada, porque o material usado como filme AR
(antirreflexivo) o nitreto de silcio com hidrognio (SiN
x
:H), que tem propriedade de passivao da
superfcie.
Alguns fabricantes vm disponibilizando comercialmente clulas fotovoltaicas de c-Si coloridas para
mdulos destinados integrao arquitetnica (SFIE Sistema Fotovoltaico Integrado Edificao) e
fornecidos sob encomenda (Figura 3.22). As cores so obtidas por diferentes composies e/ou espessuras na
camada antirreflexiva (AR) das clulas. A cor usual do AR varia do azul-escuro ao preto, dando s clulas
sua conhecida cor caracterstica, e a mudana resulta em reduo de sua eficincia. A substncia usada na
130
camada AR convencional o SnO
2
, que , na realidade, transparente, e a cor azulada visualizada resultado
de um fenmeno de interferncia ptica causada pela espessura da camada e seu ndice de refrao.

(a)

(b)

(c)
Figura 3.22 Clulas m-Si coloridas (a); clula p-Si verde (b) e dourada (c). (Fonte Solartec, Repblica Tcheca)
A ttulo de exemplo, o catlogo de determinado fabricante oferece clulas verdes, magenta, douradas,
prateadas, azuis e marrons, cujas eficincias so mostradas na Tabela 3.6.
Tabela 3.6 Eficincias de clulas fotovoltaicas coloridas (Fonte: Solartec, Repblica Checa)
Cor Eficincia
azul 13,6%
marrom 12,2%
dourado 11,7%
cinza 12,4%
magenta 11,3%
verde 11,5%
prateada 10,4%
A metalizao por serigrafia o mtodo mais utilizado para fabricao dos contatos metlicos, por ser o
de maior produtividade, mas a prata representa um grande percentual nos custos de fabricao das atuais
clulas de silcio
As clulas fotovoltaicas so associadas eletricamente e encapsuladas para formar o mdulo
fotovoltaico. Um mdulo pode ser constitudo por um conjunto de 36 a 216 clulas fotovoltaicas associadas
em srie e/ou paralelo, associao esta que depende dos parmetros eltricos (tenso, corrente e potncia)
mais adequados aplicao a que o mdulo se destina. Estas clulas so soldadas em tiras, geralmente com
soldagem realizada por iluminao com lmpadas halgenas ou radiao laser. Depois de soldadas, as clulas
so encapsuladas, a fim de proteg-las das intempries e proporcionar resistncia mecnica ao mdulo
fotovoltaico.
131
O encapsulamento constitudo de um sanduche de vidro temperado de alta transparncia, acetato de
etil vinila (EVA, do ingls Ethylene-vinyl acetate) estabilizado para a radiao ultravioleta, clulas
fotovoltaicas, EVA estabilizado, e um filme posterior isolante. Este filme uma combinao de polmeros
tais como fluoreto de polivinila (PVF ou Tedlar

), tereftalato de polietileno (PET), dentre outros. O processo


de laminao realizado a temperaturas de 120 C a 150 C, quando o EVA torna-se lquido e as eventuais
bolhas de ar geradas so eliminadas. No processo seguinte, realizada a cura do EVA, que proporciona uma
maior durabilidade ao mdulo fotovoltaico. Aps este processo, coloca-se uma moldura de alumnio
anodizado e a caixa de conexes eltricas e o mdulo fotovoltaico est finalizado. A Figura 3.23 mostra um
esquema dos componentes de um mdulo fotovoltaico com clulas de c-Si.

Figura 3.23 - Esquema dos componentes de um mdulo fotovoltaico com clulas de silcio cristalino.
3.4.1 Garantias de Mdulos Fotovoltaicos de c-Si
Os mdulos FV de c-Si tm geralmente uma garantia contra defeitos de fabricao de 3 a 5 anos, e
garantia de rendimento mnimo durante 25 anos. Assim, em caso de defeitos ou desempenho insuficiente,
cobertos pelo termo de garantia, os mdulos fotovoltaicos devem ser substitudos pelo fabricante.
A degradao da potncia de mdulos fotovoltaicos de c-Si instalados em campo entre 0,5% e
1,0% por ano.
Tipicamente garantida uma potncia de pico (W
p
) mnima de 90 % da potncia nominal para o
perodo dos 10 a 12 primeiros anos de operao e de 80 %por um perodo de 20 a 25 anos (G1 na Figura
3.24). Mas existem outras formas, como fabricantes que garantem por 5 anos pelo menos 95% da potncia
nominal, durante 12 anos pelo menos 90%, durante 18 anos pelo menos 85% e durante 25 anos pelo
menos 80% (G2 na Figura 3.24).
132
Em mais outra forma de garantia, existem fabricantes que garantem uma degradao de rendimento
anual linear de 0,7-0,8%/ano durante 25 anos (G3 na Figura 3.24).
Estas diferentes formas de garantias so praticadas no exterior, no necessariamente no Brasil, e
seus resultados, em termos de produo de energia, podem ser diferentes, conforme mostra a Figura 3.24.

Figura 3.24 Degradao mxima de mdulos, de acordo com 3 diferentes formas de garantia; G1: 90% -12 anos e 80% 25 anos;
G2: 95% - 5 anos, 90% - 12 anos, 85% - 18 anos e 80% 25 anos; G3: 3% no primeiro ano e 0,7% por ano at 25 anos. A rea sob as
curvas proporcional gerao de energia e, por inspeo, observa-se que a rea sob G3 maior do que as demais.
De qualquer forma, importante saber que o mercado fotovoltaico muito dinmico e que h
constante evoluo tcnica e muita renovao de fabricantes, de forma que tais garantias tornam-se
bastante questionveis. Na verdade, constata-se que atualmente existem muito poucos (se algum)
fabricantes de mdulos que esto h mais de 20 anos no mercado.
3.5 Clulas e Mdulos Fotovoltaicos de Filmes Finos
Aproximadamente 12% da produo mundial correspondem a dispositivos fotovoltaicos de filmes
finos. A alta absoro ptica destes materiais, se comparados com o c-Si, permite fabricar clulas
fotovoltaicas bastante finas, nas quais camadas de poucos micrmetros (m) de diferentes materiais
semicondutores so depositadas sucessivamente, por tcnicas de produo em larga escala sobre superfcies
rgidas ou flexveis. Desta maneira, o consumo de energia e de materiais semicondutores para produo das
clulas reduzido, resultando em menores custos. Alm disso, as clulas de filmes finos no ficam restritas
aos formatos das clulas de c-Si (quadrilteros) e surge a possibilidade de serem usadas superfcies amplas e
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
0,45
0,50
0,55
0,60
0,65
0,70
0,75
0,80
0,85
0,90
0,95
1,00
0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

1
0

1
1

1
2

1
3

1
4

1
5

1
6

1
7

1
8

1
9

2
0

2
1

2
2

2
3

2
4

2
5

p
o
t
e
n
c
i
a

g
a
r
a
t
i
d
a

(
p
.
u
.
)

ano
G 1
G 2
G 3
133
at flexveis, o que amplia o espectro de aplicaes em arquitetura ou em equipamentos portteis, tais como
celulares, calculadoras, relgios etc. Ao contrrio das clulas de silcio cristalino, onde primeiro se produz a
lmina de silcio, depois a clula e finalmente o mdulo, nos dispositivos de filmes finos todo o processo est
integrado. Dentre os materiais mais usados esto o silcio amorfo hidrogenado (a-Si:H), o disseleneto de
cobre e ndio (CIS) ou disseleneto de cobre, ndio e glio (CIGS) e o telureto de cdmio (CdTe).
Os mdulos de filmes finos so denominados por alguns autores de mdulos fotovoltaicos de segunda
gerao, enquanto que os de c-Si so ditos de primeira gerao.
O a-Si:H, silcio amorfo hidrogenado, vem sendo usado desde a dcada de 1980 em clulas para
calculadoras, relgios digitais e outros equipamentos. O material denominado amorfo aquele que no
apresenta estrutura cristalina, mas, ainda assim, preserva suas propriedades de semicondutor. As primeiras
clulas de a-Si:H apresentavam problemas de estabilidade devido ao efeito Staebler-Wronski, que resultava
em uma degradao rpida (6 a 12 meses) de seu rendimento, quando expostas radiao solar. Atualmente,
este efeito tem sido minimizado pela adoo de clulas com mltiplas camadas, e alguns fabricantes
fornecem garantias similares quelas de mdulos de silcio cristalino.
Ainda assim, os mdulos de a-Si:H podem apresentar uma potncia real inicial entre 115% e 130%,
superior nominal (STC), decrescendo depois de instalados e atingindo o valor nominal depois de 6 a 12
meses. Por isso, importante que os demais equipamentos dos SFVs, como os inversores dos SFCRs, ou
controladores de carga de SFIs, que utilizem estes mdulos estejam dimensionados para tal, de forma a evitar
que sofram avarias.
Os melhores mdulos fotovoltaicos comerciais de a-Si:H atingem eficincias da ordem de 10% (tripla
juno). Desta forma, outra desvantagem destes mdulos o fato de ocuparem maiores reas e de
apresentarem maiores custos de mo de obra e material (cabos, estruturas de fixao) para sua instalao, em
comparao com os mdulos de c-Si.
Por outro lado, o a-Si:H apresenta um menor coeficiente de temperatura do que o c-Si, alm de menor
perda de eficincia em condies de baixa irradincia.
A Figura 3.25(a) apresenta uma vista em corte de uma clula fotovoltaica de a-Si:H com tripla juno.
Sobre uma placa de vidro, que serve de substrato, depositado inicialmente um filme transparente condutor
(TCO - transparent conductive oxide). Posteriormente, depositam-se camadas de filmes de a-Si:H e a-SiGe:H
sem dopagem (intrnseco) e com diferentes dopagens, formando trs junes do tipo pin, seguidas por outra
camada de TCO, e finalmente o contato metlico traseiro. Filmes de silcio microcristalino (-Si) ou
nanocristalino (n-Si) podem substituir as camadas de silcio amorfo. As camadas so depositadas em toda a
superfcie da placa de vidro e as clulas so definidas por processos consecutivos de isolamento com feixe de
134
radiao laser, conforme explicado mais adiante. A clula inferior, composta por a-SiGe:H, com Eg de
~1,4 eV, absorve a luz de cor vermelha, a clula intermediria, tambm de a-SiGe:H, porm com menor
concentrao de Ge e um Eg de ~1,6 eV, absorve a faixa verde, enquanto que a clula superior, que no
contm Ge, tem Eg de ~1,8 eV e absorve a faixa azul. Por meio dos diferentes Eg (energia do gap) para cada
material, obtm-se assim um melhor aproveitamento do espectro solar. As junes do tipo pin contm uma
camada de material intrnseco, sem dopagem, entre as regies p e n. A espessura das camadas dopadas de
cerca de 10 nm, enquanto que a da camada intrnseca muito maior, atingindo 500 nm (a Figura 3.25-a no
est em escala), assim criada uma regio bastante ampla de campo eltrico para separao dos portadores
fotogerados, reduzindo as perdas por recombinao.

(a) (b) (c)
Figura 3.25 Vistas em corte de clulas fotovoltaicas de filmes finos. (a) Clula fotovoltaica de a-Si:H/a-SiGe:H com tripla juno.
(b) Clula de CdTe de heterojuno. (c) Clula de CuIn
x
Ga
(1-x)
Se
2
.
A Figura 3.25(b) apresenta uma vista em corte de uma clula fotovoltaica de CdTe. As regies de tipo n
e tipo p so formadas pelas camadas de sulfeto de cdmio (CdS) e de telureto de cdmio (CdTe),
respectivamente, obtendo-se, portanto,uma heterojuno, que uma juno pn formada por dois materiais
semicondutores diferentes (a juno pn do mesmo material denominada homojuno). Neste caso, a
vantagem de existirem dois Eg diferentes proporciona, em tese, um melhor aproveitamento da radiao.
Vrias tcnicas podem ser usadas para deposio dos filmes, sendo que clulas CdTe de maior
eficincia so produzidas com processos de recozimento em temperatura da ordem de 400 C e empregando
CdCl
2
e O
2
. Esta tecnologia est sendo usada por poucas indstrias e h crticas sobre seu uso em larga escala,
pelos seguintes fatos: 1) o elemento qumico cdmio, empregado na sua produo, txico e apresenta
restries do ponto de vista ambiental, 2) o elemento qumico telrio obtido a partir de um subproduto da
produo de cobre, fonte que seria insuficiente para uma produo anual de dezenas de GWp, e 3) h poucas
reservas de minrios com telrio na Terra. Em relao ao cdmio, os fabricantes afirmam que na produo h
controle estrito de contaminao, e que estudos demonstram que no caso de quebra ou rompimento dos
mdulos no haveria contaminao do meio ambiente. Alm disso, ressaltam que a reciclagem dos mdulos
135
evitar possveis contaminaes futuras. No entanto, cabe comentar que, na Europa, estima-se que somente
4% das baterias de nquel-cdmio comercializadas nos ltimos 20 anos foram recicladas, embora haja uma
obrigao para coleta dos produtos usados. Essas dificuldades podero restringir a produo em larga escala,
de dezenas de gigawatts, de mdulos de CdTe.
Os filmes de CdTe so sensveis umidade e os mdulos devem ser encapsulados e selados nas bordas,
para evitar a degradao. Este encapsulamento pode ser realizado com vidro e filmes polimricos ou com
duplo vidro. Os mdulos fotovoltaicos de filmes finos de telureto de cdmio respondem por 5,5% do mercado
mundial, com domnio da empresa norte-americana First Solar. As clulas atingem a eficincia de 16,7% e os
melhores mdulos comercializados alcanam 14,4% de eficincia. No foi observada degradao da potncia
de mdulos de CdTe com o tempo de exposio radiao solar, sendo que os fabricantes garantem que a
potncia do mdulo ser de 80% da potncia inicial aps 25 anos de operao, ou seja, garantia similar aos
mdulos de c-Si, muito embora os mdulos de CdTe tenham sido introduzidos no mercado h menos tempo e
o histrico de instalaes comerciais tenha um pouco mais de 10 anos.
As clulas fotovoltaicas CIGS, baseadas em CuIn
x
Ga
(1-x)
Se
2
, fabricadas em laboratrio, atingem o valor
de eficincia de 19,6%. A Figura 3.25(c) apresenta uma vista em corte de uma clula CIGS, onde se pode
observar que se trata tambm de uma clula heterojuno, onde o CuIn
x
Ga
(1-x)
Se
2
constitui a regio p e o CdS
a regio n (j foi usado tambm o CdZnS sulfeto de zinco e cdmio). A camada de CdS bastante fina, com
cerca de 50 nm, enquanto que a camada CuIn
x
Ga
(1-x)
Se
2
muito mais espessa atingindo 2.000 nm, de forma
que a Figura 3.25(c) tambm no est em escala.

Os mdulos mais eficientes chegam a 15,7% e os que no
usam camada de CdS atingem a eficincia de 13,5%.
As dificuldades de produo destas clulas em escala da ordem de dezenas de GWp esto relacionadas
com o uso de cdmio (embora em menor quantidade que nas clulas de CdTe), a obteno de filmes
uniformes em grandes superfcies e a disponibilidade de ndio e glio, embora o primeiro seja um subproduto
do processamento de zinco. Em relao ao cdmio, esto sendo realizadas pesquisas para substituio do
filme de CdS por outros materiais, como por exemplo ZnO
1-x
S
x
. A maior indstria de mdulos CIGS, que
produziu 525 MWp em 2011 (quase 60% da produo mundial anual) no Japo, j no usa cdmio. Alguns
autores analisaram a disponibilidade do elemento qumico ndio e concluram que no h disponibilidade
suficiente para produo anual de muitos GWp. Em relao estabilidade, os fabricantes anunciam que no
h degradao considervel e que pode haver aumento da eficincia nos primeiros anos. Neste caso, os
fabricantes tambm esto oferecendo garantia de 25 anos.
Ainda no h um processo padro de fabricao de mdulos fotovoltaicos CIGS, e novos
procedimentos esto sendo desenvolvidos para aumentar a eficincia, reduzir os custos de produo e
136
aumentar a produtividade. De todo modo, na fabricao destes mdulos, as camadas de diferentes materiais
so depositadas uma a uma em toda a superfcie da placa. As clulas e suas interconexes so definidas por
processos de corte de uma camada com feixe de radiao laser de alta potncia, formando os sulcos,
conforme exemplificado na Figura 3.26 para um mdulo de a-Si, antes da deposio da camada subsequente.
Nos Estados Unidos, mais de 2,3 bilhes de dlares foram investidos por companhias de capital de risco em
diferentes tecnologias de fabricao de mdulos CIGS, mas algumas indstrias fecharam suas portas antes
mesmo de competirem no mercado internacional.

Figura 3.26 - Corte simplificado mostrando como feita a definio das clulas fotovoltaicas, bem como sua conexo em srie, em
um mdulo fotovoltaico de filme fino de a-Si. As setas pretas indicam o sentido da corrente eltrica. Fonte: Adaptada de (ABERLE,
2009).
Entre os materiais que podem ser usados como TCO esto o ZnO (xido de zinco), o SnO
2
(xido de
estanho) e o ITO (indium tin oxide), xido de ndio e estanho.
3.6 Clulas Fotovoltaicas para Concentrao e Multijuno
Uma alternativa para reduzir o custo do watt-pico (W
p
) o uso de sistemas pticos de concentrao da
radiao solar por meio de lentes e/ou espelhos, formadores ou no de imagens. Com o aumento da
irradincia solar incidente na clula, possvel obter elevadas correntes eltricas com clulas de pequena rea.
Deste modo, clulas pequenas, de alta eficincia e elevado custo de produo podem ser utilizadas, se os
sistemas pticos e de seguimento (rastreamento) do movimento aparente do Sol forem de baixo custo
relativo. Esta tecnologia denominada muitas vezes de CPV concentrated photovoltaics.
Para concentraes
7
da ordem de 100 sis (100 X), com espectro da radiao solar direta, clulas
fotovoltaicas de silcio com todos os contatos na face posterior atingiram a eficincia de 27,6%. Usando
GaAs (arsenieto de glio) e tecnologias de epitaxia (crescimento de camadas sobre uma lmina de material
semicondutor) para a produo de clulas com uma juno pn, foi alcanada a eficincia de 29,1%. Clulas

7
A concentrao a razo entre a rea de captao e a rea da clula e expressa na unidade sis.
137
fotovoltaicas multijuno de GaInP/GaAs/GaInNAs e GaInP/GaInAs/Ge, obtidas por epitaxia em fase vapor
de compostos organometlicos (MOCVD metalorganic chemical vapour deposition) ou epitaxia por feixe
molecular (MBE molecular beam epitaxy), tecnologias onde as camadas de materiais semicondutores so
crescidas de forma extremamente controlada, atingiram a eficincia de 44% e de 41,6%, respectivamente,
para concentraes de 418 X e 364 X. O aumento da eficincia destes dispositivos com as mais diversas
estruturas continua sendo um tema de pesquisa e desenvolvimento nas universidades e centros de pesquisa.
Atualmente, clulas fotovoltaicas multijuno produzidas industrialmente esto sendo utilizadas em satlites,
entretanto o uso dessas clulas fotovoltaicas em concentradores em grandes centrais fotovoltaicas continua
sendo um desafio pois no se conseguiu ainda reduzir o custo do watt-pico a nveis atrativos.
A ttulo de informao, sabe-se que para clulas de tripla juno operando sob concentrao de 1000
sis a mxima eficincia terica prevista de cerca de 56%.
3.7 Clulas Orgnicas e de Corantes
Das tecnologias emergentes para fabricao de clulas fotovoltaicas, duas podem ser destacadas: as de
corantes e as orgnicas. As clulas fotovoltaicas sensibilizadas por corantes (DSSC Dye Sensitized Solar
Cells) foram inicialmente desenvolvidas na dcada de 1980, por Michael Grtzel, razo porque so s vezes
chamadas de clulas de Grtzel. A Figura 3.27(a) apresenta um corte deste tipo de clula. A estrutura bsica
composta de um substrato de vidro, um filme condutor transparente (TCO), uma camada composta por TiO
2

(dixido de titnio) poroso e embebido em um corante com rutnio, um eletrlito (soluo condutora salina),
outro TCO e finalmente um contato metlico traseiro de platina e vidro. Os ftons incidentes produzem
eltrons livres no corante, que so injetados na camada de TiO
2
; o fluxo de eltrons mantido porque o
eletrlito recarrega o corante com eltrons. Observe-se que o dispositivo no funciona a partir de uma
juno pn de material semicondutor, e sim pela absoro de luz num corante, por isso no considerada uma
clula fotovoltaica, e sim fotoeletroqumica. Os processos de fabricao deste tipo de clula so de baixo
custo, mas para uma produo em larga escala devero ser desenvolvidos mdulos fotovoltaicos com
eficincias maiores do que 10%, estveis para aplicaes de longo prazo, e com eletrlitos slidos. Este tipo
de clula apresenta uma espessura cerca de 1.000 vezes menor que uma clula de silcio. De acordo com
alguns fabricantes, os mdulos fabricados com clulas sensibilizadas por corantes tm a vantagem de
poderem ser instalados sem maiores preocupao com a sua inclinao, pois a estrutura tridimensional das
clulas absorve perfeitamente a radiao difusa. Corantes orgnicos de uva, berinjela e amora, dentre outros,
tm sido testados no uso desta tecnologia, ultrapassando eficincias da ordem de 10%, porm apresentando
durabilidade baixa, no permitindo sua comercializao.
138

(a) (b) (c)
Figura 3.27 - (a) Esquema simplificado de uma clula fotovoltaica com corante e eletrlito, onde a regio entre os vidros da ordem
de micrmetros. Diagramas de clulas fotovoltaicas orgnicas: (b) com vidro e (c) com filme depositado sobre uma superfcie de
PET flexvel.
Com materiais orgnicos tambm podem ser produzidas clulas fotovoltaicas de filmes finos. A Figura
3.27(b) mostra um corte deste tipo de clula, no caso composta por um substrato (vidro ou superfcie
flexvel), um filme condutor transparente, o material orgnico e um contato metlico traseiro. A Figura
3.27(c) exemplifica outra possvel configurao para uma clula orgnica. O material orgnico geralmente
pode ser depositado por tcnicas simples, como por exemplo, as denominadas spray, spin-on ou roll-to-roll.
Com material semicondutor orgnico depositado sobre um filme de PET
8
, podem ser processadas clulas
fotovoltaicas com espessura menor que 2 m.
Embora a eficincia em dispositivos pequenos fabricados em laboratrio j tenha atingido valores
superiores a 10%, os mdulos ainda apresentam baixa eficincia. Estas clulas fotovoltaicas esto sendo
estudadas por vrios centros de pesquisa de universidades e de empresas, e novos desenvolvimentos devero
ser realizados para aumentar a eficincia e a estabilidade para aplicaes em larga escala.
As clulas orgnicas, DSSC e outras tecnologias ainda em desenvolvimento so denominadas por
alguns autores de clulas fotovoltaicas de terceira gerao.
3.8 Normas para Mdulos Fotovoltaicos
A Tabela 3.7 lista as normas nacionais e internacionais sobre mdulos fotovoltaicos que so
recomendadas para consulta, bem como o regulamento do Inmetro.



8
Politereftalato de etileno um polmero termoplstico, utilizado principalmente na forma de fibras para tecelagem e de
embalagens para bebidas, de fcil reciclagem.
139
Tabela 3.7 Normas e regulamentos sobre mdulos fotovoltaicos.
Org. Cdigo Ttulo Descrio Aplicao
I
E
C


I
n
t
e
r
n
a
t
i
o
n
a
l

E
l
e
c
t
r
o
t
e
c
h
n
i
c
a
l

C
o
m
m
i
s
s
i
o
n
s
61215: 2005
Crystalline silicon
terrestrial photovoltaic
(PV) modules Design
qualification and type
approval; Edition 2.0;
Estabelece ensaios de qualificao para
mdulos fotovoltaicos
Mdulos de Silcio
monocristalino (m-Si) e
policristalino (p-Si)
61646: 2008
Thin-film terrestrial
photovoltaic (PV)
modules - Design
qualification and type
approval; Edition 2.0;
Estabelece ensaios de qualificao para
mdulos fotovoltaicos
Mdulos de filmes
finos (a-Si, CdTe,
CIGS, etc)
61730-2: 2004
Photovoltaic (PV) module
safety qualification - Part
1: Requirements for
construction; Part 2:
Requirements for testing,
A Parte 2 estabelece ensaios para
verificao da segurana eltrica e
mecnica de mdulos fotovoltaicos
Mdulos fotovoltaicos
61701:2011
Salt mist corrosion testing
of photovoltaic (PV)
modules; Edition 2.0
Estabelece o procedimento de ensaio da
resistncia de mdulos fotovoltaicos
corroso por nvoa salina
Mdulos fotovoltaicos
62108:2007
Concentrator photovoltaic
(CPV) modules and
assemblies - Design
qualification and type
approval; Edition 1.0
Estabelece ensaios de qualificao para
mdulos fotovoltaicos
Mdulos fotovoltaicos
com concentrao
A
B
N
T

NBR 11876:2010
Mdulos Fotovoltaicos -
Especificao; Segunda
Edio
Estabelece requisitos e critrios de
aceitao de mdulos fotovoltaicos de
uso terrestre
Mdulos fotovoltaicos
I
N
M
E
T
R
O

Portaria n 004,
de 04 de janeiro
de 2011;
Anexo Requisitos de
Avaliao da
Conformidade para
Sistemas e Equipamentos
para Energia Fotovoltaica
(Mdulo, Controlador de
Carga, Inversor e
Bateria).
Especifica os procedimentos de ensaio
para etiquetagem de mdulos
fotovoltaicos (e outros equipamentos).
Mdulos fotovoltaicos
(e outros equipamentos)
3.9 Referncias
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142
CAPTULO 4
COMPONENTES BSICOS DE SISTEMAS
FOTOVOLTAICOS
143
CAPTULO 4 COMPONENTES BSICOS DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Um sistema fotovoltaico constitudo por um bloco gerador, um bloco de condicionamento de
potncia e, opcionalmente, um bloco de armazenamento. O bloco gerador contm os arranjos
fotovoltaicos, constitudos por mdulos fotovoltaicos em diferentes associaes, o cabeamento eltrico
que os interliga e a estrutura de suporte. O bloco de condicionamento de potncia pode ter conversores
c.c.-c.c., seguidor de ponto de potncia mxima (SPPM
1
), inversores, controladores de carga (se
houver armazenamento) e outros dispositivos de proteo, superviso e controle. Finalmente, o bloco
de armazenamento constitudo por acumuladores eltricos (baterias) e/ou outras formas de
armazenamento. O presente Captulo apresenta caractersticas dos componentes de sistemas
fotovoltaicos utilizados em diferentes aplicaes, que so abordadas no Captulo 5.
4.1 Mdulos Fotovoltaicos
Um mdulo fotovoltaico composto por clulas fotovoltaicas conectadas em arranjos para
produzir tenso e corrente suficientes para a utilizao prtica da energia, ao mesmo tempo em que
promove a proteo das clulas.
No Captulo 3 so descritas as principais clulas fotovoltaicas conhecidas, que tm,
individualmente, uma tenso muito baixa, sendo da ordem de 0,5 a 0,8V, para as clulas de Silcio.
Assim, para se obterem nveis de tenso adequados, as clulas so conectadas em srie, produzindo
uma tenso resultante equivalente soma das tenses individuais de cada clula. Ao mesmo tempo, as
clulas so muito frgeis e seu encapsulamento em placas rgidas ou flexveis traz uma importante
proteo mecnica e contra as intempries.
O nmero de clulas conectadas em um mdulo e seu arranjo, que pode ser srie e/ou paralelo,
depende da tenso de utilizao e da corrente eltrica desejadas. importante ter cuidado com a
seleo das clulas a serem reunidas no momento da fabricao do mdulo, devido a suas
caractersticas eltricas.A incompatibilidade destas caractersticas leva a mdulos de baixa qualidade,
devido ao efeito de mismatch (descasamento), pelo qual as clulas de menor fotocorrente limitam o
desempenho do conjunto e, em consequncia, a eficincia global do mdulo fotovoltaico reduzida.
4.1.1 Caractersticas construtivas dos mdulos fotovoltaicos
O mdulo fotovoltaico o componente unitrio do gerador e, dependendo da associao e das
caractersticas das clulas, pode ter diferentes valores para tenso e corrente nominal. Mdulos com
tenso nominal de 12 V, com 36 clulas em srie, so utilizados para carregar baterias e podem ser
associados em srie para sistemas de 24 V ou 48 V em corrente contnua. Para outras aplicaes,

1
Equivalente em ingls a MPPT, maximum power point tracking.
144
comum encontrar mdulos com tenses nominais diferentes, com maior ocorrncia entre 30 V e
120 V.
Para carregar plenamente baterias de chumbo-cido de 12 V necessria uma tenso mnima da
ordem de 14 V, e os mdulos fotovoltaicos devem produzir aproximadamente 16 V, devido ao efeito
da temperatura e s perdas que ocorrem nos cabos e nas protees. Desta forma, um mdulo de silcio
cristalino tpico para esta finalidade tem 36 clulas conectadas em srie, apresentando um valor
aproximado de 18 V como tenso de mxima potncia e 21 V como tenso de circuito aberto nas
condies-padro de ensaio (STC). Mdulos de outras tecnologias necessitam de diferentes
quantidades de clulas conectadas em srie para alcanar estas mesmas tenses.
Para sistemas conectados rede ou arranjos utilizados em sistemas de bombeamento de gua, os
nveis de tenso necessrios so muito variveis e muitas vezes exigem a associao de vrios mdulos
em srie, sendo por isto comum encontrar mdulos com tenses nominais bastante diversificadas.
Atualmente, com a queda de preos dos mdulos para conexo rede (60 clulas em srie ou
mais), pode ser mais atrativo economicamente o uso desses mdulos em conjunto com controlador de
carga com SPPM para implementar sistemas fotovoltaicos com armazenamento em baterias (SFIs).
Existem mdulos rgidos e flexveis, dependendo do tipo de clula fotovoltaica utilizada. Os
mdulos rgidos geralmente utilizam como base mecnica uma ou mais lminas de vidro temperado,
com baixo teor de ferro, para melhorar sua transmitncia radiao solar. Podem ainda ser
emoldurados com perfis de alumnio, para facilitar sua instalao em um painel, ou sem moldura, para
sua utilizao como parte de uma construo ou como revestimento.
Como mostrado no Captulo 3, no caso de clulas de c-Si, depois de providenciadas suas
conexes eltricas, a fixao ao vidro normalmente ocorre atravs de uma laminao com polmeros
que so fundidos para preencher o espao que acomoda as clulas entre uma lmina posterior (em
geral de Tedlar) e o vidro na face frontal. Clulas de filmes finos so depositadas diretamente sobre o
vidro, ou outro substrato, ocorrendo a fabricao das clulas e dos mdulos em uma nica etapa. Os
mdulos flexveis tambm so fabricados por deposio de filmes finos, mas utilizando um material
flexvel como substrato, geralmente um polmero ou uma lmina metlica.
Atualmente, os mdulos fotovoltaicos so produzidos em fbricas automatizadas com mnima
interferncia humana. A produo em srie de mdulos fotovoltaicos em grande quantidade tem
permitido uma significativa reduo nos preos e assegurado a manuteno de produtos de alta
qualidade.


145
4.1.2 Caractersticas eltricas dos mdulos
Um mdulo geralmente identificado pela sua potncia eltrica de pico (Wp), mas um conjunto
de caractersticas compatveis com a aplicao especfica deve ser observado. A definio da potncia
de pico de um mdulo fotovoltaico feita nas condies-padro de ensaio (STC, do ingls Standard
Test Conditions), considerando irradincia solar de 1.000 W/m
2
sob uma distribuio espectral padro
para AM 1,5 e temperatura de clula de 25 C.
Antes de citar as grandezas eltricas utilizadas para caracterizar um mdulo, deve-se observar
que a maioria destas caractersticas depende das condies de temperatura e de irradincia solar em
que as mesmas foram determinadas.
Quando um mdulo est posicionado na direo do Sol, uma tenso pode ser medida entre os
terminais positivo e negativo usando um voltmetro. A tenso observada em um mdulo desconectado
a tenso de circuito aberto (V
oc
). Por outro lado, ao conectar os terminais desse mdulo a um
ampermetro mede-se sua corrente de curto-circuito (I
sc
). Entretanto, estes dados so pouco
informativos sobre a potncia real do mdulo.
Um dos ensaios mais completos para determinar as caractersticas eltricas de um mdulo
fotovoltaico o traado de sua curva caracterstica I-V. O mdulo submetido s condies-padro de
ensaio e uma fonte de tenso varivel realiza uma varredura entre uma tenso negativa de poucos volts
(em relao aos terminais do mdulo) at ultrapassar a tenso de circuito aberto do mdulo (quando
sua corrente fica negativa). Durante esta varredura so registrados pares de dados de tenso e corrente,
permitindo o traado de uma curva caracterstica como a apresentada na Figura 4.1.
146

Figura 4.1Curva caracterstica I-V e curva de potncia P-V para um mdulo com potncia nominal de 100Wp.
Para cada ponto na curva I-V, o produto corrente-tenso representa a potncia gerada para aquela
condio de operao. A Figura 4.1 mostra tambm, alm da curva I-V, uma curva de potncia em
funo da tenso, chamada de curva P-V, que identifica o ponto com o mximo valor de potncia. A
este ponto na curva de potncia corresponde um ponto na curva de corrente, com valores de tenso e
corrente especficos, que so denominadas, respectivamente, de tenso e corrente de mxima potncia
(V
MP
,I
MP
). Este ponto conhecido como o ponto de mxima potncia P
MP
.
O ponto de mxima potncia corresponde, ento, ao produto da tenso de mxima potncia (V
MP
)
e corrente de mxima potncia (I
MP
). Os valores P
MP
, V
MP
, I
MP
, V
oc
e I
sc
so os cinco parmetros que
especificam o mdulo sob dadas condies de radiao, temperatura de operao de clula e massa de
ar.
De forma similar ao mostrado para a clula fotovoltaica, o fator de forma (FF) do mdulo a
grandeza que expressa quanto a sua curva caracterstica se aproxima de um retngulo no diagrama I-V.
Quanto melhor a qualidade das clulas no mdulo, mais prxima da forma retangular ser sua curva I-
V. A definio do FF apresentada na Figura 4.2. A rea hachurada simples corresponde ao produto
V
oc
x I
sc
, valor sempre acima da potncia que o mdulo pode alcanar. A rea duplamente hachurada
representa o produto V
MP
x I
MP
, ou seja P
MP
, a potncia mxima do mdulo. Como mostrado no
Captulo 3, a relao entre as reas o valor de FF.
147

Figura 4.2 Definio do fator de forma.
Da mesma forma que para as clulas fotovoltaicas, a eficincia () dos mdulos obtida atravs
da relao entre a potncia eltrica mxima gerada e a irradincia solar. Quando este nmero
determinado nas condies-padro de ensaio, a irradincia de G = 1.000 W/m
2
e a potncia luminosa
incidente no mdulo pode ser calculada multiplicando-se este valor pela rea do mdulo (A
M
). A
Equao 4.1 apresenta o clculo da eficincia do mdulo, que idntica Equao 3.10 para a clula.
No caso do mdulo, entretanto, pelas normas tcnicas a rea inclui a moldura metlica e qualquer parte
construtiva do mdulo.
q


(4.1)

4.1.3 Fatores que afetam as caractersticas eltricas dos mdulos
De maneira semelhante ao que ocorre com as clulas fotovoltaicas, o desempenho dos mdulos
fotovoltaicos fundamentalmente influenciado pela irradincia solar e pela temperatura das clulas.
4.1.3.1 Efeito da irradincia solar
A corrente eltrica gerada pelo mdulo aumenta com o aumento da irradincia solar. A corrente
de curto-circuito tem um aumento linear com a irradincia, como mostra a Figura 4.3.
148

Figura 4.3 Efeito causado pela variao da irradincia solar sobre a curva caracterstica I-V para um mdulo fotovoltaico
de 36 clulas de silcio cristalino (c-Si) a 25C.
4.1.3.2 Efeito da temperatura
A incidncia de radiao solar e a variao da temperatura ambiente implicam em uma variao
de temperatura nas clulas que compem os mdulos. A Figura 4.4 mostra curvas I-V para diversas
temperaturas de clula, deixando evidente que h uma queda de tenso importante com o aumento da
temperatura da clula. A corrente sofre uma elevao muito pequena que no compensa a perda
causada pela diminuio da tenso. Para representar o efeito da temperatura nas caractersticas dos
mdulos utilizam-se os coeficientes de temperatura definidos na sequncia.
0 5 10 15 20 25
Tenso (V)
0
2
4
6
8
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
G = 1.000 W/m
G = 800 W/m
G = 600 W/m
G = 400 W/m
G = 200 W/m
149

Figura 4.4 Efeito causado pela variao da temperatura das clulas sobre a curva caracterstica I-V para um mdulo
fotovoltaico de 36 clulas de silcio cristalino (c-Si) sob irradincia de 1.000 W/m
2
.
Coeficiente (|) de variao da tenso de circuito aberto (V
oc
) com a temperatura:
|

(4.2a)
Onde AV
OC
a variao da tenso de circuito aberto para uma variao de temperatura de clula AT.
O clculo do V
oc
em determinada temperatura, com o uso do coeficiente feito por meio da equao
abaixo (os demais coeficientes e - so usados de forma anloga).

(4.2b)
Este coeficiente | negativo e, para os mdulos c-Si, um valor tpico de -2,3 mV/clula.C ou
-0,37%/C, enquanto que para os de a-Si de -2,8 mV/clula.C ou -0,32%/C
2
. Alguns fabricantes
tambm informam o coeficiente de temperatura especfico para a V
MP
, que pode ser denominado
VMP
,
e que geralmente maior do que o para o V
oc
.
Coeficiente (o) de variao da corrente de curto-circuito com a temperatura:
o

(4.3)

2
Os valores reais dos coeficientes de temperatura devem ser obtidos junto ao fabricante no mdulo. Os mdulos de a-Si de
diferentes fabricantes apresentam variaes significativas nos coeficientes de temperatura.
0 10 20 30
Tenso (V)
0
2
4
6
8
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
25C
35C
45C
55C
65C
75C
150
onde AI
SC
a variao da corrente de curto-circuito (I
sc
) para uma variao de temperatura de clula
AT, sendo, este coeficiente aplicado a uma equao idntica 4.2b.
Este coeficiente o positivo, e um valor tpico para o c-Si de +0,004 mA/cm
2
.C ou
+0,01%/C, e para o a-Si pode atingir +0,013 mA/cm
2
.C ou +0,1%/C.
Coeficiente () de variao da potncia mxima (potncia de pico) do mdulo com a
temperatura:

(4.4)
Onde AP
MP
a variao da potncia mxima do mdulo para uma variao de temperatura de clula
AT, tambm usado em uma equao idntica 4.2b.
Este coeficiente negativo e os valores tpicos so de -0,5%/C para mdulos de c-Si e
-0,3%/C para mdulos de a-Si.
A definio do ponto de mxima potncia P
MP
permite escrever a expresso abaixo, que visa
obter sua variao com a temperatura, a partir das variaes de I
MP
e V
MP.
Para isso, considera-se que o
coeficiente de temperatura () para a I
sc
e para a I
MP
so idnticos, e que o coeficiente de temperatura
da V
MP

VMP
. Os coeficientes devem estar expressos em porcentagem.


Desenvolvendo a expresso, e desprezando o termo de segunda ordem, obtm-se:


Assim, pode-se ento escrever a Equao 4.5
3
, que relaciona de forma aproximada os coeficientes de
temperatura da clula fotovoltaica, e que permite, caso este no seja fornecido pelo fabricante, obter o
coeficiente
VMP
a partir dos que so geralmente fornecidos, que so e .

(4.5)
Alguns autores aproximam o
VMP
diretamente pelo , uma vez que muito menor do que os
demais.
Os valores desses coeficientes variam em funo da tecnologia da clula. comum encontrar
referncia sobre os coeficientes de temperatura nas folhas de dados tcnicos fornecidas pelos
fabricantes dos mdulos. Quanto menores os coeficientes e , menor a perda de potncia do
mdulo devida temperatura.

3
Na Equao 4.5, deve-se levar em conta os sinais dos coeficientes: positivo, enquanto que
VMP
e so negativos.
151
Os mdulos de a-Si apresentam uma menor influncia da temperatura na potncia de pico,
embora tambm sofram reduo no seu desempenho. Alm disso, mdulos de a-Si de diferentes
fabricantes apresentam diferenas significativas nos coeficientes de temperatura.
Para um clculo simplificado da temperatura de operao de um mdulo fotovoltaico em
determinadas condies ambientais pode-se utilizar a seguinte Equao 4.6.
Tmod = Tamb + K
t
x G (4.6)
Onde:
Tmod (C) temperatura do mdulo;
Tamb (C) temperatura ambiente;
G (W/m
2
) irradincia incidente sobre o mdulo;
K
t
(C/W.m
-2
) coeficiente trmico para o mdulo, podendo ser adotado o valor padro de 0,03, se no
for conhecido.

Supondo-se, a ttulo de exemplo numrico, um mdulo de c-Si sob uma temperatura ambiente de
30C e sob uma irradincia de 1000 W/m
2
, teramos, pela Eq. 4.5, uma temperatura de operao de
60C.
Supondo que se trate de um mdulo de c-Si com P
MP-stc
de 250 Wp e que seu coeficiente seja
de-0,5%/C, ele teria ento uma potncia de pico de ~206Wp nestas condies, o que corresponde a
uma perda de cerca de 17,5%. Supondo ainda uma I
sc-stc
de 8,79 A e um coeficiente de 0,06%/C,
teramos uma I
sc
de 8,88 A. Considerando tambm uma V
oc-stc
de 38,4 V (60 clulas) e um coeficiente
de -0,33%/C, o V
oc
seria ento de 33,9 V.
4.1.3.3 Temperatura nominal de operao
Uma vez que as condies-padro de ensaio (STC) no representam, na maioria dos casos,
condies operacionais reais, as normas definem uma temperatura nominal para a operao das clulas
nos mdulos, na qual as caractersticas eltricas podem se aproximar mais das caractersticas efetivas
verificadas em campo. Cada mdulo tem uma temperatura nominal para suas clulas, que obtida
quando o mdulo exposto em circuito aberto a uma irradincia de 800 W/m
2
em um ambiente com
temperatura do ar a 20C e sofrendo ao de vento incidindo com velocidade de 1 m/s. Esta
temperatura tambm muitas vezes encontrada nas folhas de dados tcnicos dos mdulos,
normalmente identificada pela sigla NOCT (Nominal Operating Cell Temperature) e geralmente est
entre 40 e 50C. A NOCT est ligada s propriedades trmicas e pticas nos materiais empregados na
construo do mdulo. Supondo mdulos de mesmos coeficientes de temperatura (, e ), aquele que
tiver a menor NOCT ter o melhor desempenho em campo, pois ter menos perdas relacionadas
temperatura.
152
A partir da NOCT informada pelo fabricante, pode-se calcular, com auxlio da Equao 4.7, o
coeficiente Kt do mdulo, usado na Equao 4.6.

(4.7)
Onde:
K
t
(C/W.m
-2
) coeficiente trmico para o mdulo;
NOCT(C) Nominal Operating Cell Temperature do mdulo;
20(C) temperatura ambiente definida para medida da NOCT;
800 (W/m
2
) irradincia definida para a medida da NOCT;
4.1.4 Identificao das caractersticas eltricas dos mdulos
Algumas informaes essenciais normalmente constam da etiqueta afixada em cada mdulo,
conforme mostrado na Tabela 4.1. Informaes tcnicas adicionais so encontradas nas folhas de
dados ou catlogos tcnicos dos mdulos, como as que constam da Tabela 4.2. Os mdulos
comercializados no Brasil devem apresentar a etiqueta do Inmetro afixada na sua superfcie posterior,
como a da Figura 4.5.
Tabela 4.1 Dados tcnicos que constam na etiqueta do mdulo.
Informao Significado ou importncia da informao
Nome do fabricante Identificao do responsvel pela qualidade do mdulo
Identificao do modelo
Pelo modelo pode-se identificar a folha de dados tcnicos com
informaes sobre tecnologia, potncia e tolerncia
Nmero de srie
O nmero de srie obrigatrio para registro, qualificao,
rastreabilidade e garantia do produto
Tenso mxima do sistema
Indica o maior valor de tenso de circuito aberto de um arranjo
onde o mdulo pode ser instalado
Tenso de circuito aberto
(V
OC
)

Multiplicando-se V
OC
de cada mdulo pelo nmero de
mdulos em srie em um arranjo, obtm-se V
OC
do arranjo
(ver item 4.1.2)
Corrente de curto-circuito
(I
SC
)

Multiplicando-se I
SC
de cada mdulo pelo nmero de mdulos
em paralelo em um arranjo, obtm-se I
SC
do arranjo (ver item
4.1.2)
Tenso de mxima potncia
(V
MP
)

Multiplicando-se V
MP
de cada mdulo pelo nmero de
mdulos em srie em um arranjo, obtm-se V
MP
nominal do
arranjo (ver item 4.1.2)
Corrente de mxima potncia
(I
MP
)

Multiplicando-se I
MP
de cada mdulo pelo nmero de mdulos
em paralelo em um arranjo, obtm-se I
MP
nominal do arranjo
(ver item 4.1.2)
Potncia nas condies-
padro de ensaio (STC)
Potncia mxima nominal do mdulo nas condies de
irradincia de 1.000 W/m
2
, espectro AM 1,5 e temperatura de
clula de 25C
Temperatura nominal da
clula nas condies de
operao (NOCT)
Temperatura das clulas do mdulo nas condies de
irradincia de 800 W/m, temperatura ambiente de 20C e
velocidade de vento de 1 m/s

153
Tabela 4.2 Dados tcnicos adicionais que podem constar na folha de dados do mdulo.
Informao Significado ou importncia da informao
Potncia nas condies de
operao (P
MP
)
Potncia mxima do mdulo nas condies de irradincia de
800 W/m, e temperatura de clula NOCT
Tenso de mxima potncia
nas condies de operao
(V
MP
)
Tenso do ponto de mxima potncia do mdulo, medida com
o mdulo sob irradincia de 800 W/m
2
e temperatura NOCT
Corrente de mxima potncia
nas condies de operao
(I
MP
)

Corrente no ponto de mxima potncia do mdulo, medida
com o mdulo sob irradincia de 800 W/m
2
e temperatura
NOCT
Coeficiente de temperatura
para tenso
Coeficiente de variao da tenso de circuito aberto com a
temperatura (|), em volts por grau Celsius
Coeficiente de temperatura
para corrente

Coeficiente de variao da corrente de curto-circuito com a
temperatura (o), em amperes por grau Celsius
Coeficiente de temperatura
para potncia

Coeficiente de variao da potncia mxima do mdulo com a
temperatura (), em watts por grau Celsius
Dimenses externas
Dimenses de largura, comprimento e espessura do mdulo,
incluindo a moldura
Nmero de clulas Nmero de clulas associadas no mdulo
Tecnologia das clulas Tipo de clula fotovoltaica e materiais envolvidos
Desenho indicando furaes
Desenho com localizao das perfuraes da moldura, para
instalao dos mdulos em painis
4.1.4.1 Registro Inmetro
Os mdulos comercializados no Brasil devem ser ensaiados de acordo com o RAC do Inmetro
(INMETRO, 2011) e apresentar o respectivo registro (pode ser consultado na pgina do Inmetro na
internet www.inmetro.gov.br) e a etiqueta afixada na sua superfcie posterior, como a da Figura 4.5.

Figura 4.5 Modelo de etiqueta do Inmetro afixada nos mdulos; os dados indicados pelas setas so informados para cada
modelo de mdulo, depois dos ensaios realizados por laboratrio credenciado. Adaptado de (INMETRO, 2011).
154
A classificao das categorias de eficincia energtica (A a E) feita pelo Inmetro de acordo
com as faixas de eficincia do mdulo, medida nas condies-padro de teste, mostradas na Tabela
4.3.
Tabela 4.3 Classes de eficincia de mdulos fotovoltaicos no Brasil (INMETRO, 2011)
Classe Faixa
A Maior que 13,5%
B Maior que 13% a 13,5%
C Maior que 12% a 13%
D Maior que 11% a 12%
E Menor ou igual a 11%
importante lembrar que a eficincia do mdulo normalmente no considerada um fator
importante no projeto de sistemas fotovoltaicos, exceto em casos nos quais a existe uma limitao da
rea disponvel para instalao do painel fotovoltaico.
4.1.5 Caixa de conexes
Na parte posterior dos mdulos normalmente h uma caixa de conexes, onde so abrigados os
diodos de desvio (by-pass), apresentados posteriormente no item 4.2.4, e as conexes dos conjuntos de
clulas em srie. A Figura 4.6 mostra um exemplo do interior de uma caixa de conexes de um mdulo
de 60 clulas e um diagrama mostrando a posio dos diodos de desvio. Neste mdulo, cada diodo de
desvio est conectado a 20 clulas em srie. Alguns mdulos no tm caixa de conexes ou ela no
acessvel, saindo os cabos diretamente do mdulo laminado ou de uma caixa lacrada.

Figura 4.6 Caixa de conexes (esquerda) e diagrama de ligaes (direita) de um mdulo de 240 Wp, com 60 clulas em
srie (20 para cada diodo), onde V
OC
= 36,9 V.


155
4.1.6 Terminais
Os cabos terminais dos mdulos fotovoltaicos devem ter isolamento adequado para a mxima
tenso do sistema e ser capazes de suportaras intempries. Mdulos modernos, desenvolvidos para
aplicaes conectadas rede, so fornecidos com cabos pr-instalados, com comprimento suficiente
para a sua conexo srie com outro mdulo igual em um arranjo fotovoltaico. Geralmente os cabos so
providos de um sistema de engate rpido, para facilitar a tarefa de instalao e garantir a boa qualidade
da conexo. A Figura 4.7 mostra um exemplo de conectores de engate rpido.
Esses conectores devem possuir grau de proteo
4
IP 67 ou superior e no devem ser
posicionados em canaletas ou dutos que possam acumular gua. Os cabos no devem ficar soltos e
sujeitos ao do vento, e sim presos estrutura do painel fotovoltaico por meio de abraadeiras
apropriadas.

Figura 4.7 Conectores de engate rpido MC4 para conexo srie de mdulos fotovoltaicos.
4.1.7 Mdulos fotovoltaicos com microinversores integrados
O mdulo fotovoltaico c.a. constitudo por um conjunto integrado mdulo/inversor, cujos
terminais de interface so unicamente c.a., sem acesso ao lado c.c. Podem ser conectados em paralelo
para aumento da potncia e so direcionados a instalaes de pequeno porte (mini e microgerao
distribuda).
Normalmente os mdulos c.a. so mais caros que os convencionais. No final de 2013, o custo do
mdulo c.a. era US$ 0,40/Wp superior ao do mdulo convencional, mas em compensao o custo
comercial do sistema como um todo era reduzido em US$ 0,20/Wp. No Brasil, porm, este tipo de
tecnologia ainda encontra utilizao incipiente, e as normas tcnicas nacionais no se aplicam a este
tipo de equipamento.

4
Grau de proteo apresentado na norma NBR IEC 60529:"Graus de proteo para invlucros de equipamentos eltricos
(cdigos IP).
156
4.2 Associao de Mdulos Fotovoltaicos
Os mdulos podem ser conectados em ligaes srie e/ou paralelo, dependendo da corrente e
tenso desejadas, para formar painis fotovoltaicos com potncia mais elevada. Ao definir como sero
associados os mdulos, necessrio ter informaes de como dever ser a instalao e quais
componentes sero utilizados, pois as tenses e correntes resultantes devem ter plena compatibilidade
com esses componentes.
4.2.1 Mdulos fotovoltaicos conectados em srie
A conexo em srie feita do terminal positivo de um mdulo ao terminal negativo de outro, e
assim por diante. As caixas de conexes na sua face posterior ou cabos pr-instalados facilitam esta
conexo. Deve-se utilizar cabos e conexes especficos para uso em sistemas fotovoltaicos, que so
protegidos contra os efeitos da radiao e das intempries.
De maneira anloga conexo das clulas fotovoltaicas, quando a ligao dos mdulos srie,
as tenses so somadas e a corrente (para mdulos iguais) no afetada, ou seja:




(4.8)




(4.9)
O efeito da conexo em srie de mdulos idnticos est ilustrado na Figura 4.8, atravs da curva
caracterstica I-V. Neste exemplo, cada mdulo de 220 W
p
tem I
SC
= 6,9A e V
OC
= 43,4 V. O conjunto
resultante de 4 mdulos em srie tem potncia de 880 W
p
, I
SC
= 6,9 A e V
OC
= 173,6 V.

Figura 4.8Curvas I-V para um mdulo de 220 W
p
, 2 mdulos idnticos associados em srie e 4 mdulos idnticos
associados em srie.
157
Uma vez realizada a conexo srie, as correntes que fluem por cada mdulo so sempre iguais
entre si, mas para que a corrente no seja afetada em relao corrente de um mdulo individual,
consideram-se mdulos idnticos sob as mesmas condies de radiao e temperatura. Caso haja uma
disperso de caractersticas eltricas ou um sombreamento parcial, a corrente do conjunto conectado
em srie limitada pelo mdulo com a menor corrente individual.
4.2.2 Mdulos fotovoltaicos conectados em paralelo
A conexo em paralelo feita unindo-se os terminais positivos de todos os mdulos entre si e
procedendo-se da mesma forma com os terminais negativos. Esta conexo resulta na soma das
correntes sem alterao da tenso, ou seja:




(4.10)




(4.11)
A Figura 4.9 ilustra o efeito da soma das correntes em mdulos idnticos conectados em
paralelo, atravs da curva caracterstica I-V. No exemplo, cada mdulo de 220 W
p
tem I
SC
= 6,9A e V
OC
= 43,4 V. O conjunto resultante de 4 mdulos em paralelo tem potncia de 880 W
p
, I
SC
= 27,6 A e V
OC

= 43,4 V.

Figura 4.9Curvas I-V para a conexo em paralelo dos mesmos mdulos fotovoltaicos da Figura 4.8.


158
4.2.3 Efeitos de sombreamento
Como j mencionado anteriormente, os mdulos de c-Si contm clulas fotovoltaicas associadas
em srie. Quando uma ou mais destas clulas recebe menos radiao solar do que as outras da mesma
associao, sua corrente vai limitar a corrente de todo o conjunto srie. Esta reduo de radiao
incidente pode ocorrer por um sombreamento parcial do mdulo, depsito de sujeira sobre o vidro, ou
algo que tenha cado sobre o mdulo, dentre outras possibilidades. O efeito de reduo de corrente no
conjunto de clulas do mdulo acaba sendo propagado para todos os mdulos conectados em srie.
Alm da perda de potncia no gerador fotovoltaico, h o risco de danos ao mdulo parcialmente
sombreado, uma vez que a potncia eltrica gerada que no est sendo entregue ao consumo
dissipada no mdulo afetado, s vezes sobre apenas uma de suas clulas. Neste caso pode ocorrer o
fenmeno conhecido como ponto quente (por vezes referenciado no Brasil pelo termo ingls
hotspot), que produz intenso calor sobre a clula afetada, com ruptura do vidro e fuso de polmeros
e metais.
A Figura 4.10 mostra o efeito do sombreamento sobre apenas uma das clulas de um dos 4
mdulos conectados em srie referidos na Figura 4.8. Ao cobrir a metade de uma das clulas, a
corrente daquele mdulo reduzida pela metade. Como consequncia, a corrente de todos os mdulos
no conjunto em srie tambm reduzida.

Figura 4.10 Curva I-V para 4 mdulos conectados em srie e sem sombreamento (linha contnua); curva I-V para os
mesmos 4 mdulos na situao de sombreamento de uma de suas clulas, que passa a receber 50 % da irradincia original
(linha tracejada); curva I-V com o mesmo sombreamento, mas com a utilizao de diodos de desvio (curvas com linha
contnua e pontos).
Deve-se aqui ressaltar que os mdulos de filmes finos normalmente tem melhor desempenho na
presena de sombreamento do que os de c-Si, sofrendo menores redues em seu rendimento.
159
4.2.4 Diodo de desvio (by-pass)
Para evitar a ocorrncia de pontos quentes, os mdulos so normalmente protegidos com
diodos de desvio
5
(by-pass), que oferecem um caminho alternativo para a corrente e, assim, limitam a
dissipao de potncia no conjunto de clulas sombreadas. Isso reduz simultaneamente a perda de
energia e o risco de dano irreversvel das clulas afetadas, o que inutilizaria o mdulo.
A Figura 4.10 mostra o efeito do diodo de desvio minimizando o efeito do sombreamento.
Os diodos de desvio so geralmente inseridos nas caixas de conexes dos mdulos e conectados
em antiparalelo
6
com um conjunto de clulas em srie, entre 15 e 30 clulas para cada diodo. O diodo
de desvio deve suportar, em operao permanente, a mesma corrente das clulas. A proteo ocorre
porque, com o diodo de desvio, a mxima potncia dissipada sobre uma das clulas seria a potncia do
conjunto que o diodo envolve. O diagrama apresentado na Figura 4.11 mostra como so conectados
estes diodos em um mdulo com 36 clulas em srie e um diodo de desvio a cada 18 clulas. Na
figura, os crculos representam as clulas fotovoltaicas, apesar de estas serem mais comumente
encontradas atualmente em formato quadrado.

Figura 4.11 Diagrama mostrando a ligao de diodos de desvio nos mdulos fotovoltaicos.
A Figura 4.12 auxilia na compreenso da operao de um diodo de desvio. Os mdulos
fotovoltaicos j incluem, na sua maioria, um ou mais diodos de desvio, evitando que o projetista tenha
que consider-los em seu sistema. Para identificar se um mdulo FV possui ou no diodos de desvio,
basta abrir a caixa de conexo do mdulo e constatar visualmente sua presena tal como ilustra a
Figura 4.6.

5
Esses diodos so algumas vezes tambm denominados de derivao, de passagem, ou de passo.
6
Em paralelo, com polaridade inversa.
160

Figura 4.12 - Operao de um diodo de desvio.
4.2.5 Diodo de bloqueio
O diodo de bloqueio outro componente de proteo usado em conexes de mdulos ou
conjuntos srie de mdulos em paralelo, e tem a funo de impedir o fluxo de corrente de um conjunto
srie com tenso maior para um com tenso menor. Em sistemas que utilizam armazenamento, o diodo
de bloqueio tambm pode ser utilizado para impedir descargas noturnas das baterias, pois noite os
mdulos podem conduzir uma corrente reversa, que, apesar de pequena, contribui para a descarga das
baterias.
A Figura 4.13(a) apresenta o diagrama de um arranjo com 7 mdulos formando um conjunto
srie e 4 destes conjuntos conectados em paralelo. Para cada conjunto srie instala-se um diodo de
bloqueio. Cada diodo deve suportar pelo menos a corrente de curto-circuito produzida por um mdulo
e tambm suportar uma tenso reversa de pelo menos duas vezes a tenso de circuito aberto de todo o
arranjo.
A Figura 4.13(b) mostra a aplicao do diodo de bloqueio usado em um sistema com
armazenamento.
161
(a)


(b)
Figura 4.13 (a) Diagrama com 4 sries fotovoltaicas conectadas em paralelo usando diodos de bloqueio; (b) diodo de
bloqueio evitando o fluxo de corrente da bateria para o mdulo, quando o controlador no desempenha esta funo.
4.2.6 Fusveis de proteo da srie fotovoltaica
O fusvel fotovoltaico um componente de proteo que tem a funo de proteger a srie
fotovoltaica(em ingls, string) do fluxo de corrente reversa de um conjunto srie com tenso maior
para um com tenso menor. Deve ser dimensionado para correntes menores que a corrente reversa
suportvel pelo mdulo.

Controlador de
Carga
162
Os fusveis devem ser colocados na sada de cada srie tanto no polo positivo quanto no polo
negativo. O fusvel deve ser para corrente contnua, de preferncia do tipo gPV (conforme IEC 60269-
6), que apropriado para operao em sistemas fotovoltaicos pois apresenta alta durabilidade.
Ao longo dos anos, vem se observando que os diodos de bloqueio apresentam alto ndice de
falhas, prejudicando o desempenho do sistema. O fusvel fotovoltaico um componente de proteo
que pode substituir o diodo de bloqueio.
A Figura 4.14 apresenta o diagrama de um arranjo com 4 sries fotovoltaicas conectadas em
paralelo. Para cada conjunto srie instalam-se dois fusveis fotovoltaicos, um em cada polaridade.

Figura 4.14 Diagrama com 4 sries fotovoltaicas que utilizam fusveis fotovoltaicos de proteo. Fonte: (Catlogo da
Cooper-Bussmann: Photovoltaic System Protection Application Guide)
4.3 Baterias
Em sistemas fotovoltaicos isolados da rede eltrica, o uso de dispositivos de armazenamento de
energia faz-se necessrio para atender a demanda em perodos nos quais a gerao nula ou
insuficiente ( noite ou em dias chuvosos ou nublados, com baixos nveis de irradincia solar). Assim,
parte da energia solar convertida em energia eltrica pelos mdulos fotovoltaicos durante o dia
armazenada para ser usada em outros momentos para atender a demanda.
Pode-se tambm utilizar baterias para sistemas fotovoltaicos conectados rede para a operao
ilhada do sistema de gerao no caso de falta da energia da rede eltrica. Sistemas assim so
encontrados na Europa e nos EUA. No Brasil, para o caso de micro e minigerao, regulamentado pela
RN Aneel N
o
482/2012 (ANEEL, 212b) no h regulamentao prevendo este tipo de operao e as
distribuidoras de energia no o aceitam, exigindo, inclusive, proteo para desligamento da gerao em
casos de ilhamento.
163
Existem, em princpio, diversas formas de armazenamento de energia, tais como campo eltrico
(supercapacitores), campo magntico (indutores com supercondutores, SMES - Superconducting
Magnetic Energy Storage), energia mecnica (volantes de inrcia - flywheels, ar comprimido,
bombeamento de gua), vetores energticos (como o Hidrognio) etc. Entretanto, a bateria
eletroqumica ainda o dispositivo mais utilizado em sistemas fotovoltaicos isolados, por ser uma
forma conveniente e eficiente de armazenamento de energia eltrica.
Uma bateria um conjunto de clulas ou vasos eletroqumicos, conectados em srie e/ou em
paralelo, capazes de armazenar energia eltrica na forma de energia qumica por meio de um processo
eletroqumico de oxidao e reduo (redox) que ocorre em seu interior. Quando uma bateria
carregada conectada a uma carga eltrica, ocorre o processo reverso, ou seja, uma corrente contnua
produzida pela converso de energia qumica em energia eltrica.
As baterias podem ser classificadas, dependendo do tipo de clula que as compe, em
recarregveis e no recarregveis. Existem dois tipos bsicos de clulas: primrias e secundrias.
As clulas primrias compem as baterias que podem ser utilizadas apenas uma vez (no
recarregveis). Quando as clulas primrias descarregam-se completamente, sua vida til se encerra e
elas devem ser descartadas. As baterias no recarregveis so geralmente utilizadas como fontes de
energia de baixa potncia, em aplicaes tais como relgios de pulso, calculadoras e muitos outros
aparelhos portteis. possvel encontrar baterias compostas por clulas primrias que admitem
recargas leves, aumentando sua vida til.
As clulas secundrias compem as baterias recarregveis, ou seja, aquelas que podem ser
carregadas com o auxlio de uma fonte de tenso ou corrente, e reutilizadas vrias vezes. So
comumente chamadas de acumuladores ou baterias de armazenamento e so teis na maioria das
aplicaes por longos perodos, como por exemplo, em sistemas fotovoltaicos.
Dos vrios tipos de acumuladores eletroqumicos existentes, a bateria de Chumbo-cido (Pb-
cido) ainda a tecnologia mais empregada. Baterias com tecnologias mais modernas, tais como
Nquel-Cdmio (NiCd), Nquel-hidreto metlico (NiMH), on de Ltio (Li-ion), dentre outras, embora
apresentando vantagens (maior eficincia, maior vida til, maior profundidade de descarga),
geralmente no so ainda economicamente viveis na maioria dos sistemas fotovoltaicos.
A Tabela 4.4 apresenta as principais caractersticas de alguns tipos de baterias recarregveis
disponveis comercialmente.
164
Tabela 4.4 Dados tcnicos de catlogos de baterias recarregveis disponveis comercialmente. Os dados da tabela no correspondem necessariamente aos limites de cada tecnologia.
Fonte:(LUQUE; HEGEDUS, 2011).
Tecnologia Eletrlito
Densidade
Energtica
[Wh/kg]
Densidade
Energtica
[Wh/L]
Eficincia
q
Wh
[%]
Vida
til
[anos]
Vida
cclica
[ciclos]
Temperatura de
operao
Aplicaes tpicas
(exemplos)
Carga
padro
[C]
Descarga
[C]
Chumbo cido
7

(Pb-cido)
H
2
SO
4
2040 50120 8090 320 250500
10 a
+40
15 a +50
Uso estacionrio,
trao, automotiva
Nquel-Cdmio
(NiCd)
KOH 3050 100150 6070 325 300700
20 a
+50
45 a +50
Mesmo tipo de
aplicaes das baterias
chumbo-cido,
ferramentas, veculos
eltricos
Nquel-hidreto
metlico (NiMH)
KOH 4090 150320 8090 25 300600 0 a +45 20 a +60
Notebooks, celulares,
cmeras fotogrficas,
veculos eltricos e
hbridos, brinquedos
on de Ltio
(Liion,
Li-polmero)
Polmeros
orgnicos
90150 230330 9095 5001000 0 a +40 20 a +60
Notebooks, celulares,
filmadoras, smart
cards, veculos
eltricos e hbridos
Bateria alcalina
recarregvel de
Mangans (RAM)
8

KOH 70100 200300 7590 2050
10 a
+60
20 a +50
Produtos de consumo,
brinquedos
Cloreto de Nquel e
Sdio (NaNiCl)
|-Al
2
O
3
100 150 8090 1000
+270 a
+300
+270 a
+300
Veculos eltricos e
hbridos (possveis
aplicaes
estacionrias)

7
No includas as baterias de eletrodos positivos tubulares, descritas no item 4.3.3.4.
8
RAM rechargeable alkaline manganese
165
4.3.1 Terminologia
A seguir apresentada uma lista com os principais termos relativos a baterias.
Autodescarga
Em um processo espontneo, todas as baterias descarregam-se gradualmente, atravs de
processos qumicos internos (perdas internas), quando no esto em uso. A este processo d-se o nome
de autodescarga.
A taxa de autodescarga normalmente especificada como uma percentagem da capacidade
nominal que perdida a cada ms.
As baterias de Chumbo-cido tm como caracterstica uma alta taxa de autodescarga. Quando
no esto sendo utilizadas, podem perder de 5 a 30 % por ms de sua capacidade, dependendo da
temperatura e composio qumica de suas clulas. Comparativamente, a faixa mdia de autodescarga
das baterias de Nquel-Cdmio de 3 a 6 % ao ms.
Bateria
A palavra bateria refere-se a um grupo de clulas eletroqumicas conectadas eletricamente em
srie e/ou paralelo, para produzir tenso e/ou corrente mais elevadas do que a que pode ser obtida por
uma nica clula. Uma bateria pode tambm ser constituda por uma nica clula, caso esta se
constitua em um sistema de armazenamento eletroqumico completo. Assim, uma bateria um
dispositivo eletroqumico que converte energia qumica em energia eltrica e vice-versa.
Capacidade
Embora a capacidade de uma bateria seja normalmente definida como a quantidade de amperes-
hora (Ah) que pode ser retirada da mesma quando esta apresenta carga plena, a capacidade de uma
bateria tambm pode ser expressa em termos de energia (watts-hora).
Capacidade Nominal uma estimativa conservadora do fabricante, do nmero total de
amperes-hora que pode ser retirado de uma clula ou bateria nova, para os valores especificados (de
acordo com certos padres ou normas, ou ainda do prprio fabricante) de corrente de descarga,
temperatura e tenso de corte.
Capacidade I nstalada o total de amperes-hora que pode ser retirado de uma clula ou bateria
nova, sob um conjunto especfico de condies operacionais, incluindo a taxa de descarga,
temperatura, e tenso de corte.
166
Capacidade Disponvel o total de amperes-hora (Ah) que pode ser retirado de uma clula ou
bateria, sob um conjunto especfico de condies operacionais, incluindo a taxa de descarga,
temperatura, estado inicial de carga, idade e tenso de corte.
Capacidade de Energia o nmero total de watts-hora (Wh) que pode ser retirado de uma
clula ou bateria totalmente carregada. Geralmente obtido pelo produto da capacidade em Ah pela
tenso nominal.
Teoricamente, uma bateria de 200 Ah deve ser capaz de fornecer corrente de 200 A durante 1
hora, ou 50 A por 4 horas, ou 4 A por 50 horas, ou ainda, 1 A por 200 horas. Porm, um fator que
influencia na capacidade da bateria a velocidade de carga ou descarga. Quanto mais lento for o
descarregamento, ligeiramente maior ser a sua disponibilidade de carga. Os fabricantes normalmente
fornecem a capacidade para cada regime de descarga (da ser importante a especificao das condies
de uso).
Outro fator que influencia na capacidade a temperatura de operao da bateria. As
caractersticas das baterias normalmente so especificadas pelos fabricantes para uma temperatura de
25C (embora possam ser encontrados valores mais comumente na faixa de 20 a 30C, bem como
outros, dependendo do tipo de bateria). Temperaturas mais baixas reduzem significativamente sua
capacidade e temperaturas mais altas resultam em uma capacidade ligeiramente maior, acarretando,
contudo, em aumento da perda de gua do eletrlito e diminuio do nmero de ciclos durante a vida
til da bateria.
Carga
Converso de energia eltrica em potencial eletroqumico, que ocorre no interior da clula,
restaurando a energia qumica da mesma, mediante o fornecimento de uma corrente eltrica a partir de
uma fonte externa.
Clula
Unidade eletroqumica bsica de uma bateria, que possui uma tenso caracterstica dependente
dos materiais nela contidos. Uma clula uma combinao de dois eletrodos (o anodo, sede da
oxidao, e o catodo, sede da reduo) e do eletrlito. A diferena em termos de energia livre entre o
anodo e o catodo resulta no estabelecimento de uma diferena de potencial eltrico, a qual a fora
motriz para as reaes eletroqumicas que determinam o funcionamento da clula. Quando uma clula
est descarregando, ocorrem reaes qumicas entre o material ativo de cada eletrodo e o eletrlito,
que produzem eletricidade. Durante o processo de carga, a reao inversa ocorre, consumindo energia.
167
A polaridade dos eletrodos indica o sinal da carga que eles possuem. essencial que os eletrodos
positivo e negativo no se toquem. Caso isto ocorra, um curto-circuito ser causado e a clula
descarregar rapidamente, podendo at ser danificada.
Quando todo o material ativo nos dois eletrodos convertido, a clula est completamente
descarregada.Durante o carregamento o processo revertido; ocorre a converso do material ativo para
o estado inicial.
Ciclo
A sequncia carga-descarga de uma bateria, at uma determinada profundidade de descarga,
chamada de ciclo.
Densidade de energia
Capacidade de energia nominal normalizada pelo volume (Wh/L) ou pela massa (Wh/kg) da
clula ou bateria.
Descarga
Processo de retirada de corrente eltrica de uma clula ou bateria, mediante o acoplamento de
uma carga, atravs da converso da energia qumica, disponibilizada como potencial eletroqumico,
em energia eltrica, no interior da clula. Quando a descarga ultrapassa 50 % da capacidade da bateria,
ela chamada de descarga profunda.
Eficincia
Relao entre a sada til e a entrada. Existem duas formas de expressar a eficincia de uma
bateria:
Eficincia coulmbica ou de ampere-hora (Ah)
9
relao entre a quantidade de carga eltrica
(Ah) retirada de uma clula ou bateria durante a descarga e a quantidade necessria para restaurar o
estado de carga inicial. calculada atravs da razo entre as integrais da corrente ao longo do tempo
de descarga e de carga. A eficincia coulmbica bastante afetada por reaes eletroqumicas
secundrias que podem ocorrer na clula ou bateria (e, portanto, depende do tipo de bateria e, de seus
materiais constituintes), mas, sob condies adequadas de operao, para alguns tipos de baterias, esta
comumente elevada, sendo para uma bateria Chumbo-cido tipicamente de 95%. A eficincia
coulmbica tambm depende das taxas de carga/descarga e do estado de carga (quando a bateria est
totalmente carregada, a eficincia coulmbica de ~0 %, enquanto que quando est totalmente

9
Tambm chamada por alguns autores de eficincia fardica.
168
descarregada de ~100 %). importante alertar que alguns fabricantes se referem eficincia
coulmbica como sendo a eficincia da bateria, o que no correto.
Eficincia voltaica ou de tenso (V) razo entre a tenso (ou potencial) mdia durante a
descarga de uma clula ou bateria e da tenso mdia durante a carga necessria para restaurar a
capacidade inicial. Quando se considera o valor mdio de potencial para uma bateria formada por
muitas clulas pode-se constatar considervel disperso dos valores caractersticos das clulas
unitrias. Alm disso, como a tenso dependente do estado de carga, a eficincia voltaica tambm
influenciada por esta condio, notadamente pelos efeitos de polarizao que ocorrem nos eletrodos e
pelas resistncias ao transporte de eltrons e de ons. A eficincia voltaica tambm influenciada pelas
taxas (correntes) de carga/descarga. Considerando que uma bateria Chumbo-cido monobloco de 12 V
num sistema fotovoltaico carregada numa tenso mdia de 13,8 V e descarregada numa tenso mdia
de 12,5 V, tem-se uma eficincia voltaica de ~90,5%.
Eficincia global ou de watt-hora (Wh) Tambm conhecida como eficincia energtica, pois
o produto das eficincias coulmbica e voltaica, sendo determinada pela razo entre a energia retirada
da bateria durante o processo de descarga e a energia total caracterstica do estado de carga inicial.
Considerando os valores default acima apresentados para as eficincias coulmbica e voltaica,
teramos uma eficincia global de ~86% para uma bateria Chumbo-cido.
Eletrodo
Os eletrodos so os componentes materiais de uma clula eletroqumica capazes de conduzir
eltrons e podem ser constitudos por uma parte que fornece suporte estrutural para o material ativo e
uma zona reacional rica no material eletroquimicamente ativo. Em uma clula eletroqumica existem
dois eletrodos: o anodo, que a sede da oxidao eletroqumica, funcionando como fonte dos eltrons,
e o catodo, que a sede da reduo eletroqumica, funcionando como sorvedouro dos eltrons. Em se
tratando de clulas secundrias (recarregveis), durante o processo de descarga o anodo o terminal
negativo e o catodo o terminal positivo, j durante o processo de carga ocorre o inverso, sendo o
anodo o terminal positivo e o catodo o terminal negativo da clula.
Eletrlito
Meio material que proporciona o de transporte de ons entre os eletrodos andico e catdico. Em
algumas clulas, tais como as do tipo chumbo-cido, o eletrlito pode tambm participar diretamente
nas reaes eletroqumicas de carga e descarga.


169
Equalizao
Processo em que se busca igualar o estado de carga das clulas que compem uma bateria. Para
as baterias de Chumbo-cido este processo dimensionado para levar todas as clulas a carga plena.
Alguns tipos de baterias requerem uma descarga total durante o processo de equalizao.
Estado de carga
Capacidade remanescente disponvel em uma bateria ou clula em determinado momento,
expressa como percentagem da capacidade nominal. Em ingls denominada soc state of charge.
Por exemplo, se 25 Ah foram retirados de uma bateria de capacidade nominal de 100 Ah
completamente carregada, o novo estado de carga 75 %. o valor complementar da profundidade de
descarga.





Estado de carga de 100% indica bateria totalmente carregada enquanto que 0% indica totalmente
descarregada.
Estratificao
Diviso do eletrlito em camadas de diferentes densidades, sendo mais denso no fundo do vaso e
apresentando, como consequncia, a reduo da capacidade da bateria e a corroso da parte inferior
dos eletrodos (placas). Tal fenmeno mais significativo em baterias Chumbo-cido, mas as questes
relacionadas homogeneidade e uniformidade dos eletrlitos e dos eletrodos condicionam
fortemente o desempenho dos vrios tipos de baterias. Este efeito obviamente se aplica s baterias
estacionrias ou fotovoltaicas, pois nas baterias automotivas e tracionrias a movimentao promove a
mistura do eletrlito eliminando naturalmente a estratificao.
Flutuao
Processo de carga que busca manter as baterias ou clulas com um estado de carga prximo
carga plena, evitando que as mesmas permaneam por longos perodos com estado parcial de carga.
Este processo importante para baterias de chumbo-cido, sendo dispensvel para as de nquel-
cdmio.


170
Gaseificao
10

Pode ocorrer em baterias de Chumbo-cido, sendo tambm chamada de borbulhamento da
bateria, correspondendo gerao de gs em um ou mais de seus eletrodos. A gaseificao ocorre em
situao de carga para tenses acima da tenso de flutuao (e, portanto, tambm superiores a tenso
nominal), caracterizando uma situao de sobrecarga, na qual toda a corrente eltrica passa a ser
consumida no processo da eletrlise da gua presente no eletrlito, o que resulta na formao de
bolhas de Hidrognio (H
2
) e de Oxignio (O
2
). A persistncia desse processo leva perda de eletrlito
e ao aumento da resistncia interna da bateria, bem como ao incremento dos processos corrosivos que
podem danific-la irreversivelmente.
Grade
Estrutura condutora que suporta o material ativo de uma placa, mas que no participa
quimicamente da reao de carga/descarga.
Material ativo
Constituinte de uma clula que participa diretamente da reao eletroqumica de carga e
descarga. A capacidade de armazenamento de uma bateria funo da quantidade (massa) de material
ativo que ela contm.
Placa
Montagem do material ativo e, em alguns casos, uma grade de suporte. As placas formam os
eletrodos andico e catdico de uma clula.
Polarizao
Reduo do valor do potencial de uma clula eletroqumica ou de seus eletrodos, a partir dos
seus respectivos valores de equilbrio, em funo da passagem de corrente eltrica devido ao
acoplamento de uma carga (impedncia). Nos eletrodos, quando da conexo de cargas eltricas
externas clula, aparecem sobrepotenciais (ou sobretenses) definido como a diferena entre o
potencial real instantneo de um eletrodo, numa certa circunstncia, e o potencial de equilbrio do
eletrodo que promovem a reduo dos respectivos potenciais e esto associados a fenmenos
reacionais e de transferncia de massa. Em geral, em baixas densidades de corrente eltrica ocorre o
predomnio da polarizao por ativao devida barreira de energia de ativao que limita o processo
de transferncia de eltrons no eletrodo, ao passo que em altas densidades de corrente o processo
difusivo de transporte de massa que se torna predominante, resultando na polarizao por
concentrao. Alm disso, sob diversas circunstncias, pode haver um retardamento do processo

10
Tambm chamada de gaseio por alguns autores.
171
eletroqumico global como resultado das resistividades dos materiais constituintes dos eletrodos e do
eletrlito, notadamente quela relacionada baixa concentrao inica do eletrlito, as quais resultam
na polarizao hmica.
Profundidade de descarga
A profundidade de descarga indica, em termos percentuais, quanto da capacidade nominal da
bateria foi retirado a partir do estado de plena carga. Em ingls denominada dod depth of
discharge. Por exemplo, a remoo de 25 Ah de uma bateria de capacidade nominal de 100 Ah resulta
em uma profundidade de descarga de 25 %. o valor complementar do estado de carga.
Deve-se observar que, sob certas condies, tais como taxas de descarga inferiores que foi
utilizada para especificar a bateria, a profundidade de descarga pode exceder os 100 %.
Segundo alguns fabricantes de baterias de nquel-cdmio, estas podem ser totalmente
descarregadas e recarregadas sem sofrerem alterao no seu desempenho. J as de chumbo-cido
possuem restries quanto a descargas profundas. A profundidade de descarga da bateria chumbo-
cido a ser considerada em um projeto depende do tipo construtivo da mesma. Baterias chamadas
OPzS e OPzV
11
aceitam at 80% de profundidade de descarga mxima enquanto baterias estacionrias
comuns no devem passar de 50%. Quanto maior a profundidade de descarga, menor a quantidade de
ciclos que a bateria chumbo-cido vai apresentar em sua vida til.
Separador
Material eletricamente isolante, microporoso e permevel ao fluxo de ons, usado para evitar o
contato direto entre as placas que formam a clula.
Sobrecarga
Fornecimento de corrente eltrica a uma clula aps a mesma ter atingido a carga plena. A
sobrecarga no aumenta a disponibilidade de energia na clula ou bateria e pode resultar na
gaseificao (borbulhamento) ou no sobreaquecimento da mesma, ambos possuindo reflexos negativos
na vida til do dispositivo. Em baterias com eletrlitos aquosos esta situao implica na perda de gua.
Sulfatao
Formao e deposio de cristais de sulfato de Chumbo sobre as placas de uma bateria de
Chumbo-cido. Pode ser causada por se deixar este tipo de bateria descarregada por prolongados

11
As baterias OPzS e OPzV so baterias Chumbo-cido projetadas para descarga profunda, que possuem placas positivas
tubulares envelopadas por separadores porosos e seus elementos apresentam-se em capacidades que variam de 150 a
4.000Ah. As baterias OPzS apresentam eletrlito lquido, e por isso so contidas em vasos transparentes para
acompanhamento do nvel do eletrlito, necessitando de reposio peridica de gua destilada. As baterias OPzV so
reguladas a vlvula, apresentam eletrlito imobilizado na forma de gel, no requerem manuteno e podem ser instaladas
na posio horizontal. Ambas sero descritas posteriormente no item 4.3.3.4.
172
perodos de tempo ou por submet-la a severos e repetidos processos de descarga, podendo resultar,
por exemplo, no aumento da resistncia interna da bateria.
Taxa de carga
Valor de corrente eltrica aplicado a uma clula ou bateria durante o processo de carga. Esta taxa
normalizada em relao capacidade nominal da clula ou bateria. Por exemplo, uma bateria de
500 Ah de capacidade nominal, com um intervalo de carga de 10 horas a corrente constante, tem sua
taxa de carga expressa da seguinte forma:
apacidade ominal
ntervalo de arga

Ah
h
A taxa
Da mesma forma, podem ser expressas diferentes taxas, como C/100 (100 h), C/20 (20 h) etc. A
capacidade de uma bateria varia de acordo com a taxa de carga/descarga, conforme mostrado na Figura
4.15, onde se pode observar que a capacidade de uma bateria Chumbo-cido (ver item 4.3.3) aumenta
de forma no linear quando a taxa se reduz (e o nmero de horas de descarga aumenta). A figura
referenciada capacidade em C/20, a qual normalmente usada para o projeto de sistemas
fotovoltaicos.

Figura 4.15 Capacidade de uma bateria Chumbo-cido em funo da taxa de descarga, referenciada capacidade em C/20
(capacidade @ C/20 = 1,0).
As expresses abaixo so algumas vezes utilizadas para converso das capacidades nas taxas
C/100 e C/10 para a taxa C/20 (vlido para baterias Chumbo-cido), quando outras informaes no
so disponveis.
(4.12)
(4.13)
173
Como a eficincia coulmbica das baterias inferior a 100 %, o tempo necessrio para
recarreg-las completamente em determinada taxa maior que o indicado para a sua descarga com a
mesma taxa.
Ao invs da taxa expressa por C/n aqui apresentada, tambm possvel, embora incomum,
utilizar uma forma alternativa expressa por E/n, com base em energia (Wh) e potncia (W), de forma
totalmente anloga apresentada.
Taxa de descarga
Valor de corrente eltrica durante o processo de descarga de uma clula ou bateria. Esta taxa
pode ser expressa em amperes, mas mais comumente encontrada normalizada pela capacidade
nominal da bateria (ver taxa de carga).
Tenso de circuito aberto
Tenso (ou potencial, da ser referido tambm como potencial de circuito aberto) nos terminais
de uma clula ou bateria para um determinado estado de carga e a uma determinada temperatura, na
condio em que no h corrente entre os terminais.
Tenso de corte
Valor de tenso em que a descarga da bateria interrompida. Pode ser especificada em funo
das condies operacionais ou pode ser o valor determinado pelos fabricantes como tenso de final de
descarga, a partir da qual danos irreversveis podem ser causados bateria.
Tenso de final de carga
Tenso da clula ou bateria na qual o processo de carga interrompido por supor-se que a carga
atingida suficiente, ou que a bateria ou clula esteja plenamente carregada.
Tenso nominal
Tenso mdia de uma clula ou bateria durante o processo de descarga com uma determinada
taxa de descarga a uma determinada temperatura.
Terminais
Pontos de acesso externo das baterias, que permitem a sua conexo eltrica.
Vida til
A vida til de uma bateria pode ser expressa de duas formas: nmero de ciclos ou perodo de
tempo, dependendo do tipo de servio para o qual a bateria foi especificada.
174
Para o primeiro caso, a vida til o nmero de ciclos, com uma determinada profundidade de
descarga, a que uma clula ou bateria pode ser submetida antes de apresentar falhas em satisfazer as
especificaes. Este nmero, tambm chamado de vida cclica, depende da profundidade de descarga
do ciclo, da corrente de descarga e da temperatura de operao. Em sistemas fotovoltaicos,
normalmente os ciclos carga/descarga so dirios, de forma que o nmero de ciclos de vida
corresponde ao nmero de dias de servio.
Nas baterias de Chumbo-cido, o fim de sua vida til geralmente tomado como o instante em
que a clula, estando totalmente carregada, pode fornecer apenas 80 % da sua capacidade nominal.
Esta perda permanente de 20 % est relacionada com a ciclagem e com a idade da bateria.
Em cada ciclo de uma clula, pequenas quantidades de material ativo so desprendidos dos
eletrodos e depositados no fundo do vaso. Uma vez que este material separou-se do eletrodo, ele no
pode ser utilizado novamente, reduzindo, assim, a capacidade da clula.
A capacidade de uma bateria tambm permanentemente reduzida pelo seu envelhecimento, que
est diretamente relacionado com a temperatura de operao/armazenamento e a forma de
armazenamento das clulas.
Procedimentos que contribuem para o aumento da vida til da bateria so: manuteno do estado
de carga em baterias de Chumbo-cido (equalizao e flutuao), operao em ambientes de
temperatura controlada, controle de sobrecargas e sobredescargas etc.
4.3.2 Baterias recarregveis
Como visto anteriormente, baterias recarregveis so aquelas que apresentam uma constituio
qumica que permite reaes reversveis. Com o auxlio de uma fonte externa, pode-se recuperar a
composio qumica inicial e deix-la pronta para um novo ciclo de operao. De acordo com a
aplicao, elas podem ser classificadas como:
Automotivas - tambm conhecidas em lngua inglesa como SLI (starting, lighting, ignition), so
baterias projetadas fundamentalmente para descargas rpidas com elevadas taxas de corrente e com
reduzidas profundidades de descarga. Esta condio tpica na partida de motores de combusto
interna. Tem maior nmero de placas e placas mais finas, em relao aos outros tipos. No so
adequadas ao uso em sistemas fotovoltaicos, pois tem baixa vida til para operao em regime de
ciclagem.
Trao - indicadas para alimentar veculos eltricos como, por exemplo, empilhadeiras, e so
projetadas para operar em regime de ciclos dirios com descarga profunda e taxa de descarga
moderada (C/6). Possuem liga de Chumbo com alto teor de Antimnio e apresentam alto consumo de
gua.
175
Estacionrias - so direcionadas tipicamente para aplicaes em que as baterias permanecem em
regime de flutuao e so solicitadas ocasionalmente para ciclos de carga/descarga. Esta condio
tpica de sistemas de no-break ou UPS. Tem baixo Antimnio e baixo consumo de gua.
Fotovoltaicas - so projetadas para ciclos dirios de profundidade rasa a moderada com taxas de
descarga reduzidas (C/20) e devem suportar descargas profundas espordicas devidas ausncia de
gerao (dias nublados).
As baterias recarregveis tambm podem ser diferenciadas quanto forma de confinamento do
eletrlito em:
Baterias abertas - tambm denominadas algumas vezes de ventiladas (vented), so baterias que
necessitam de verificao peridica e eventual correo do nvel do eletrlito. Seu eletrlito lquido e
livre (no confinado no separador) e, por esta razo, devem trabalhar na posio vertical. As baterias
Chumbo-cido desta tecnologia so denominadas em lngua inglesa de FLA flooded lead acid, ou de
FVLA free vented lead acid, ou ainda apenas de VLA. Admitem operar com taxas at C/5.
Baterias seladas - possuem o eletrlito confinado (absorvido) no separador ou sob a forma de
gel. Elas tambm so conhecidas como livres de manuteno porque no necessitam de adio de
gua. Os usurios ligados a aplicaes em telecomunicaes costumam denomin-las de baterias
reguladas a vlvula. As baterias chumbo cido desta tecnologia so denominadas em lngua inglesa
de VRLA valve regulated lead acid, sendo que, quando o eletrlito absorvido numa manta de vidro
porosa que serve de separador, so denominadas AGM absorbed glass matt, enquanto que aquelas
com eletrlito gel so muitas vezes do tipo OPzV (item 4.3.3.4). Baterias com eletrlito em gel
admitem apenas taxas reduzidas, at C/20. Baterias chumbo-cido similares s abertas vem sendo
vendidas no Brasil como seladas, devido aos motivos detalhados posteriormente (item 4.3.3.2).
Os principais atributos para avaliao de baterias recarregveis so: densidade de energia
(volumtrica ou por peso), eficincia, capacidade, vida cclica, taxa de autodescarga, reciclabilidade
dos materiais e custo.
A eficincia das baterias recarregveis depende de muitos fatores, dentre os quais se destacam:
estado de carga, temperatura de operao, taxas de carga e descarga, alm da idade.
Os fatores mais importantes que afetam o desempenho, a capacidade e a vida til de qualquer
bateria recarregvel so: profundidade de descarga (por ciclo), temperatura, nmero de ciclos, controle
da carga/descarga e manuteno peridica. A seguir, so detalhados estes fatores.
4.3.2.1 Profundidade de descarga, nmero de ciclos e temperatura
A profundidade de descarga e a temperatura so os parmetros mais comumente usados pelos
fabricantes de clulas para estimar a capacidade de vida cclica da bateria. A Figura 4.16 ilustra os
176
efeitos da profundidade de descarga e da temperatura de operao na vida cclica das clulas
secundrias. Os valores da curva so indicativos e do uma noo do comportamento dos parmetros
para as diversas baterias disponveis. Recomenda-se, no entanto, que as especificaes dos
fornecedores sejam sempre consultadas, para se ter uma idia mais precisa dos mesmos, j que esses
parmetros podem variar muito em funo da tecnologia e do modelo da bateria.
A vida cclica est inversamente relacionada com a profundidade de descarga e a temperatura. A
capacidade de qualquer bateria secundria degrada-se mais rapidamente quando a temperatura de
operao da bateria e a profundidade de descarga aumentam. Conforme j mencionado, as normas
consideram o fim da vida til de uma bateria Chumbo-cido como o momento em que a capacidade
remanescente da bateria de 80% de sua capacidade nominal.

Figura 4.16 Curvas tpicas do efeito da profundidade de descarga e da temperatura na vida til da bateria. Fonte:
(IMAMURA; HELM; PALZ, 1992).
4.3.2.2 Tcnica e modo de operao do controle de carga
O carregamento uma operao crtica, que afeta diretamente a vida til da bateria. O objetivo
principal de um sistema de controle de carga carregar a bateria eficientemente, evitando os efeitos
prejudiciais do excessivo carregamento. As Figuras 4.17 e 4.18 mostram, respectivamente, curvas
tpicas de carga e descarga de clulas de chumbo-cido abertas.
177

Figura 4.17 Perfil tpico da tenso durante o carregamento de uma clula Chumbo-cido aberta, com vrias taxas de
carga. Fonte: (IMAMURA; HELM; PALZ, 1992).

Figura 4.18 Perfil tpico da tenso durante o processo de descarga de uma clula Chumbo-cido aberta, com vrias taxas
de descarga. Fonte: (IMAMURA; HELM; PALZ, 1992).
A produo dos gases oxignio (O
2
) e hidrognio (H
2
) em uma clula Pb-H
2
SO
4
ocorre
principalmente durante o processo de carga, mas tambm pode ocorrer durante uma descarga normal
da bateria. As clulas de Chumbo-cido abertas podem resistir a uma quantidade moderada de
sobrecarregamento, desde que os gases produzidos possam escapar atravs de orifcios de ventilao.
Entretanto, tanto a produo de oxignio quanto as reaes de recombinao so exotrmicas,
resultando no consequente aumento da temperatura da bateria, de forma que desejvel que os
controladores de carga sejam dotados de sensor de temperatura. Lembramos que aumentando a
178
temperatura da clula, aumenta-se tambm a taxa de degradao, tanto dos eletrodos, quanto dos
separadores, reduzindo ento a vida til da bateria.
4.3.2.3 - Manuteno peridica do estado de carga
A maioria dos sistemas fotovoltaicos isolados tende a operar por dias ou at mesmo semanas sem
o completo recarregamento das baterias, devido falta de energia solar. A falta de recarregamento
apropriado durante os perodos de tempo encoberto contribui para a reduo da vida til da clula,
principalmente para as baterias de chumbo-cido.
4.3.3 Baterias Chumbo-cido
A bateria Chumbo-cido foi inventada em 1859 por Plant
12
, sendo que as clulas originalmente
por ele desenvolvidas, apesar da mesma eletroqumica, tinham, entretanto, detalhes construtivos
diferentes dos adotados atualmente, pois eram constitudas por placas planas de Chumbo puro slido
As clulas Chumbo-cido so a tecnologia de armazenamento de energia de menor custo por Wh
atualmente disponvel no mercado para aplicao em sistemas fotovoltaicos.
Hoje em dia as baterias Chumbo-cido so constitudas utilizando dixido de chumbo
13
(PbO
2
)
como material ativo da placa (eletrodo) catdica e chumbo metlico (Pb), numa estrutura porosa
altamente reativa (chumbo esponjoso), como material ativo da placa (eletrodo) andica. Estas placas
so imersas em uma soluo diluda de cido sulfrico (H
2
SO
4
), que constitui o eletrlito (mistura, em
geral, de 27-37 % de cido sulfrico e 73-63% de gua, em volume).
Durante a descarga, o cido sulfrico reage com os materiais ativos das placas, produzindo gua,
que dilui o eletrlito. Durante o carregamento, o processo revertido; o sulfato de Chumbo (PbSO
4
) de
ambas as placas, formado durante a descarga, novamente transformado em Chumbo esponjoso,
dixido de Chumbo (PbO
2
) e cido sulfrico (H
2
SO
4
).
A densidade do eletrlito varia durante o processo de carga e descarga e valores tpicos para
climas frios so apresentados na Tabela 4.5.
Tabela 4.5Densidade do eletrlito H
2
SO
4
(valores tpicos a 25C).
Condio da clula Densidade (g/cm
3
)
Completamente descarregada 1,12
Completamente carregada 1,28
A densidade do H
2
SO
4
concentrado de 1,834 g/cm
3
(@ 25C), enquanto que a da gua de
1,00 g/cm
3
. Pela mistura em diferentes propores, pode-se obter todos os valores intermedirios de
densidade. Para operao em climas quentes, como o caso do Brasil, os fabricantes reduzem a

12
Raymond Gaston Plant (1834-1889), cientista francs.
13
O PbO
2
tambm chamado de xido de Chumbo IV.
179
densidade do eletrlito (reduzindo a concentrao de H
2
SO
4
), utilizando 1,20 a 1,24 g/cm
3
(bateria
carregada), enquanto que para operao em climas mais frios, como os EUA, a densidade
aumentada, podendo ser de 1,28 g/cm
3
ou at mesmo atingir 1,30 g/cm
3
.
O cido sulfrico em soluo aquosa, na verdade, sofre dissociao eletroltica e fica sob forma
inica, conforme a reao abaixo.
H
2
SO
4
(aq) SO
4
-2
(aq) + 2H
+
(aq)
A reao qumica reversvel bsica em uma bateria Chumbo-cido dada por:
Semi reao andica: PbO
2
(s)+ SO
4
-2
(aq) + 4H
+
(aq) + 2e
-
PbSO
4
(s) + H
2
O(l)
Semi-reao catdica: Pb
0
(s) + SO
4
-2
(aq) PbSO
4
(s) + 2e
-
__________________________________________________
Reao total: Pb
0
(s) + PbO
2
(s)+ 2H
2
SO
4
(aq) 2PbSO
4
(s) + 2H
2
O(l)
(carga) (descarga)
Quando a bateria est sendo descarregada, a reao ocorre no sentido da esquerda para a direita,
enquanto que durante a recarga se d no sentido inverso. Na descarga, ambas as placas igualam-se
quimicamente, transformando-se em sulfato de Chumbo (PbSO
4
).


Quando a bateria descarregada (sentido da esquerda para a direita na reao acima) o material
ativo aumenta de volume nas placas, pois o PbSO
4
ocupa um volume de 1,5 vezes o do PbO
2
e de 3
vezes o do Pb
0
. Com isso, surgem tenses mecnicas que tendem a causar o desprendimento de
material ativo, principalmente na placa positiva. Alm de representar perda de material ativo, isso
resulta em sedimentao no fundo do vaso, o que acaba por atingir as placas, causando curto-circuito
entre elas e inutilizando a bateria.
O balano de massa na reao de ~12 g/Ah, de forma que, considerando uma tenso nominal
de 2 V, teramos uma densidade energtica terica de ~167 Wh/kg. Na prtica, o valor real bem
menor, entre 20 e 40 Wh/kg, conforme mostrado na Tabela 4.4.
Durante a carga da bateria, enquanto a bateria ainda est num baixo estado de carga, uma
pequena frao da corrente produz na placa positiva (anodo) a dissociao da gua, produzindo
Oxignio (O
2
) de acordo com a reao secundria abaixo. Este efeito se intensifica quando a placa
positiva j est 70% carregada.
2H
2
O(l) O
2
(g) + 4H
+
(aq) + 4e
-

Durante a carga, a placa negativa (catodo) adianta (carrega mais rpido) em relao placa
positiva, e quando j est 90% carregada, a reao secundria de reduo do Hidrognio (H
2
),
mostrada abaixo, passa a consumir parte da corrente na placa negativa:
180
4H
+
(aq) + 4e
-
2H
2
(g)
Quando a placa negativa j est totalmente carregada, ento passa apenas a produzir Hidrognio
at que a placa positiva tambm atinja o mesmo estado de carga. Quando a clula j est
completamente carregada e h predominncia de Chumbo metlico e dixido de Chumbo na
composio qumica, comea a ocorrer somente a produo dos gases hidrognio (H
2
) e Oxignio
(O
2
), por eletrlise da gua, alm de dissipao sob forma de calor que provoca o aquecimento da
bateria. Isto acontece porque todo o material ativo das placas positivas foi completamente utilizado, de
maneira que elas no so mais capazes de converter a corrente de carga em energia eletroqumica.
Neste momento, a tenso da clula torna-se maior do que a tenso de gaseificao (eletrlise - cerca de
2,39 V por clula) e tm incio as reaes de sobrecarregamento, acelerando a produo de H
2
e O
2

(borbulhamento) e a consequente perda de gua. A equao a seguir mostra a reao qumica da
eletrlise (soma das duas reaes acima).
H
2
O(l) H
2
(g) + O
2
(g)
No borbulhamento a produo de H
2
de 0,418 L por Ah e a de O
2
de 0,209 L/Ah,
correspondendo a uma perda de gua de 0,336 mL/Ah. Nas clulas Chumbo-cido seladas esta reao
tem que ser controlada, o que s vezes feito por meio de recombinao do Hidrognio (H
2
) com o
Oxignio (O
2
), por meio de vlvulas catalticas (ver item 4.3.3.3), de forma a impedir o acmulo do
Hidrognio (H
2
), bem como a perda de gua.
As bolhas de gases produzidas durante o borbulhamento tambm tem o efeito adicional de
contribuir para a eroso das placas, principalmente a placa positiva, e a perda de material ativo, o qual
sedimenta no fundo do vaso. O fenmeno do borbulhamento, porm, tem o efeito benfico de agitar o
eletrlito e eliminar a estratificao.
As principais reaes de autodescarga da bateria Chumbo-cido ocorrem na placa negativa e so
apresentadas abaixo. Em regime de flutuao, a corrente de flutuao na bateria deve ser igual
corrente representada por estas reaes. A taxa de autodescarga depende da idade do elemento e da
temperatura.
Pb
0
(s) + H
2
SO
4
(aq) PbSO
4
(s) + H
2
(g)
2Pb
0
(s) + O
2
(g)+ 2H
2
SO
4
(aq) 2PbSO
4
(s) + 2H
2
O(l)
Um elemento de bateria pode ser modelado conforme o circuito eltrico mostrado na Figura
4.19, onde R
i
representa a resistncia interna enquanto que V
e
representa a tenso em aberto do
elemento ideal. Ambos os parmetros R
i
e V
e
so dependentes de detalhes construtivos como a
densidade do eletrlito e a espessura e a liga das placas. Alm disso, eles no tem valores fixos, mas
dependem da temperatura e do estado de carga do elemento. V
bat
a tenso externa nos terminais da
181
bateria. Como j visto, quando a bateria carregada, h produo de cido sulfrico, que liberado do
eletrlito, aumentando a concentrao de portadores de carga (ons), reduzindo assim a R
i
e
aumentando a V
e
. Durante a descarga ocorre o efeito inverso.

Figura 4.19 Modelo de circuito de um elemento de bateria.
A tenso V
bat
se reduz a V
e
quando o elemento est em aberto, porm, quando est sob corrente,
surge o efeito de R
i
, que consiste em produzir uma perda de energia e tambm queda de tenso. O
elemento aquece, pela dissipao de potncia R
i
x (I
bat
)
2
, mas este efeito muito pequeno nos nveis de
corrente usados em sistemas fotovoltaicos, de forma que, em nosso caso, a bateria em bom estado e em
operao normal (excetua-se aqui a carga de equalizao) funciona praticamente temperatura
ambiente. Na descarga, R
i
reduz a tenso disponvel nos terminais externos da bateria, enquanto que
durante a recarga, reduz a tenso de recarga disponvel para o elemento, conforme a Equao 4.14.

(4.14)
Onde:
V
bat
(V) tenso nos terminais do elemento;
I
bat
(A) corrente no elemento, considerada positiva na recarga (entrando no elemento) e negativa na
descarga (saindo do elemento);
Ri (O) resistncia interna do elemento;
V
e
(V) tenso do elemento ideal (sem resistncia)
Num trabalho do Cepel contemplando um lote de 840 baterias sem manuteno tipo monobloco
de 12V, para SFIs, de duas capacidades (e dois diferentes fabricantes), foram levantados os valores
mdios das resistncias internas (R
i
) para baterias em bom estado, totalmente carregadas, mostrados na
Tabela 4.6.


182
Tabela 4.6 Exemplos de resistncias internas (Ri) de dois modelos de baterias sem manuteno. Fonte: (GALDINO,
2010).
Capacidade
(Ah)
Resistncia
(m)
150 2,64
170 2,40
Alguns autores apresentam a equao emprica (4.15) relacionando densidade do eletrlito
tenso V
e
, vlida para a tenso de circuito aberto em repouso.

(4.15)
Onde:
(g/cm
3
) densidade do eletrlito;
0,84 constante.
A construo bsica de uma clula no-selada mostrada na Figura 4.20. A grade
13
consiste de
uma estrutura feita de Chumbo metlico (slido), que suporta o material ativo das placas e conduz
corrente eltrica. O material tradicionalmente usado para fabricao das grades de Chumbo uma liga
de Chumbo-Antimnio, embora outras ligas, em especial ligas de Chumbo-Clcio, tambm tm sido
utilizadas, por terem caractersticas adequadas a certas aplicaes. Cada clula contm um conjunto de
placas positivas conectadas eletricamente em paralelo, e um outro conjunto de placas negativas,
conectadas da mesma forma, ambos os conjuntos intercalados e imersos no eletrlito.

Figura 4.20 Vista explodida mostrando as principais partes constituintes de uma clula eletroqumica. Fonte: (ZOBAA,
2013).

13
A grade tambm chamada de grelha por alguns fabricantes.
183
Para impedir o contato entre as placas positivas e negativas e, consequentemente, o curto-circuito
da clula, utilizam-se isolantes finos, chamados de separadores. Estes separadores, feitos de material
isolante poroso, permitem a livre passagem do eletrlito entre as placas, ao mesmo tempo em que
impedem o contato fsico entre elas. Em muitos casos, os separadores assumem a forma de envelopes e
assim tambm ajudam a fixar o material ativo nas placas.
A utilizao de ligas de Chumbo com outros elementos nas placas positivas permite modificar
algumas propriedades das baterias, sendo mais utilizadas as ligas de Chumbo-Clcio (Pb-Ca) e
Chumbo-Antimnio (Pb-Sb). interessante observar que a dopagem do Chumbo com outros
elementos no tem influncia na reao principal da bateria, mas apenas nas reaes secundrias, que
j foram apresentadas acima, alm de em suas propriedades mecnicas.
O Antimnio (Sb) um componente de liga que aumenta a resistncia mecnica da placa,
evitando a perda de material ativo durante a ciclagem e tornando assim as baterias mais resistentes a
descargas profundas. Em compensao, por diminuir a tenso de borbulhamento, acelera a reao de
decomposio da gua (eletrlise) contida no eletrlito, que a razo pela qual as baterias abertas
devem ter gua adicionada periodicamente. Atualmente, as ligas ditas de alto Antimnio, usadas em
aplicaes tracionrias, apresentam um teor deste de ~6 %. As de baixo Antimnio, que o caso das
baterias estacionrias e fotovoltaicas, tem um teor de 2%, normalmente contendo tambm uma
pequena quantidade (~0,02%) de Selnio (Se).
Com o objetivo de reduzir a decomposio da gua na bateria, durante o seu carregamento, ligas
de Chumbo-Clcio (Pb-Ca) tambm tm sido utilizadas. O teor de Clcio baixo, inferior a 0,1 %,
podendo conter tambm estanho (Sn) e Prata (Ag). A vida cclica das baterias Pb-Ca inferior s de
Pb-Sb. No Brasil, a principal aplicao da liga de Chumbo-Clcio tem sido as baterias automotivas
que, em geral, so vendidas como livres de manuteno.
Os eletrodos negativos tem pouca variao sendo, praticamente em todos os tipos de baterias Pb-
cido, constitudos por placas planas de Pb esponjoso.
Entre os parmetros de projeto considerados pelo fabricante da bateria para cada aplicao esto:
nmero de placas, espessura das placas, liga das placas positivas, densidade do material ativo, projeto
das placas positivas, densidade do eletrlito, quantidade de eletrlito e tipos de separadores.
Os tipos de bateria de Chumbo-cido mais adequados aos sistemas fotovoltaicos isolados so
conhecidos como baterias solares ou baterias fotovoltaicas. Historicamente, os tipos de baterias de
Chumbo-cido mais comumente utilizadas no Brasil para esta aplicao so as baterias sem
manuteno com liga de Chumbo-Clcio nas placas positivas, semelhantes (mas no iguais) s
automotivas. Tambm tem sido usadas, em menor escala, baterias seladas com eletrlito absorvido e
baterias abertas com liga de baixo Antimnio nas placas positivas. Mais recentemente, baterias de
184
Chumbo-cido estacionrias com placas tubulares (OPzS e OPzV) comearam a entrar tambm neste
segmento do mercado no Brasil.
4.3.3.1 - Baterias abertas com liga de baixo-Antimnio nas placas positivas
A caracterstica principal destes tipos de baterias que elas possuem placas positivas feitas de
uma liga de Chumbo com baixo Antimnio (cerca de 1 a 3 %) alm de possivelmente uma pequena
quantidade de Selnio. So compostas por clulas no-seladas, possuem placas planas empastadas de
mdia espessura e esto contidas em um vaso feito de plstico transparente para facilitar a inspeo
visual do nvel do eletrlito de cada clula e das condies fsicas das placas e separadores.
O uso do Antimnio e de placas de mdia espessura aumenta a vida cclica das clulas para
descargas profundas, mas reduz a tenso de borbulhamento. A baixa porcentagem de Antimnio
minimiza o efeito da gaseificao e da autodescarga.
Uma vantagem das clulas no-seladas que a bateria pode ser fornecida a seco e o eletrlito
pode ser adicionado no local da instalao. No caso da bateria ter sido fornecida a seco, no h
possibilidade de ocorrer sulfatao, resultante da autodescarga. Alm disso, no haver maiores
problemas se a bateria for virada.
Embora este tipo de bateria seja projetado para operar em ciclos profundos, esta nunca deve ser
totalmente descarregada. Precaues, como o uso de controlador de carga com funo de proteo
contra descarga excessiva (LVD, ver item 4.5), que impede a ocorrncia de descargas abaixo de um
determinado valor, devem ser tomadas, para evitar que isto acontea.
O principal inconveniente de uso de uma bateria com baixo-Antimnio aberta em sistemas
fotovoltaicos que, apesar da pouca necessidade de manuteno, ela necessita ser feita regularmente,
para evitar danos permanentes. Isto envolve verificar o nvel do eletrlito e preench-lo, quando
necessrio, com gua destilada ou deionizada.
Outra desvantagem das baterias abertas a nvoa cida produzida pelo borbulhamento
excessivo, que flui atravs dos orifcios de ventilao e se deposita em superfcies prximas. Pelo fato
de ser cida, esta nvoa danifica as partes metlicas dos contatos eltricos dos terminais.
4.3.3.2 - Baterias sem manuteno
As baterias fotovoltaicas sem manuteno usam uma liga de Chumbo-clcio (Pb-Ca) nas placas
positivas, o que minimiza a taxa de gaseificao a ponto de no ser necessrio preencher o eletrlito
regularmente com gua. O nico requisito de manuteno que os terminais precisam ser limpos a
cada 12 meses. Estas baterias nunca devem ser viradas, pois, se houver derramamento de lquido, ser
impossvel realizar a sua reposio.
185
O efeito do Clcio praticamente oposto ao Antimnio: reduz o consumo de gua, mas, por
outro lado, tambm reduz a vida til em regime de ciclagem. Assim, considera-se que h duas
desvantagens das baterias livres de manuteno Pb-Ca quando instaladas em sistemas fotovoltaicos.
Uma a j citada reduzida vida-cclica para ciclos profundos, quando comparadas com as de placas
positivas de baixo Antimnio. A outra caracterstica que pode ser considerada como desvantagem
que elas so sempre fornecidas com eletrlito. Isto aumenta o risco de deteriorao durante o perodo
de armazenamento e/ou distribuio e o eletrlito pode ser perdido se as baterias forem viradas por
descuido. Alm disso, necessrio recarreg-las periodicamente enquanto estiverem armazenadas,
para evitar a ocorrncia de sulfatao.
As baterias Pb-Ca tem taxa de autodescarga inferior s de Pb-Sb, que est ligada a um consumo
de corrente em flutuao tambm menor, mas esta caracterstica vantajosa no considerada
importante na aplicao em sistemas fotovoltaicos.
Visualmente, tais baterias so similares s automotivas, contudo, em comparao com as baterias
automotivas (SLI), estas baterias fotovoltaicas tm algumas diferenas construtivas: maior quantidade
de eletrlito, menor nmero de placas (mais espessas) em cada clula, maior espao para sedimentao
no fundo do vaso, alm de menor densidade do eletrlito.
Este o tipo de bateria que vem sendo o mais utilizado em Sistemas Fotovoltaicos Isolados
(SFIs) no Brasil h muitos anos, do qual existem diversos fabricantes, que fornecem monoblocos de
12V (6 clulas em srie) com capacidades de at 220Ah @ C/20 (no exterior podem ser encontrados
monoblocos de maiores capacidades, at 500Ah), sendo encontradas comumente as capacidades de
100Ah, 120Ah, 150Ah e 180Ah. A experincia acumulada indica que a durabilidade delas nos SFIs
de cerca de 4 anos, respeitando uma descarga rasa, ou seja, uma profundidade de descarga mxima
inferior a 20% na ciclagem diria.
4.3.3.3 - Baterias seladas
As baterias de Chumbo-cido seladas reguladas a vlvula (VRLA) so bastante utilizadas,
porque no necessitam de nenhum tipo de manuteno, alm de no haver risco de contato com o
eletrlito.
O princpio bsico das baterias seladas usar um ciclo interno de Oxignio para eliminar a perda
de gua sob condies normais de operao. As baterias seladas apresentam caractersticas especficas
para que o ciclo de Oxignio ocorra. Por isso, o tamanho (capacidade) total das placas positivas
ligeiramente menor do que o das placas negativas. Assim, as placas positivas so totalmente
carregadas antes que as placas negativas atinjam este estado. Isto importante para que somente as
placas positivas gaseifiquem; desta forma, apenas Oxignio gasoso (O
2
) produzido. O Oxignio
gasoso produzido flui atravs do eletrlito para os espaos das placas negativas onde ele reage para
186
formar o sulfato de Chumbo e gua. Alm disso, o carregamento transforma o sulfato de Chumbo em
Chumbo e restabelece o balano qumico da clula. O resultado final que o Oxignio fica circulando,
das placas positivas para as placas negativas, durante o sobrecarregamento, e no perdido. Este
processo s acontece com o Oxignio. Isto ocorre pelo fato da clula estar limitada positivamente, para
impedir as placas negativas de alcanarem o estado de carregamento total e, consequentemente,
produzir Hidrognio, o qual absorvido muito lentamente. Como parte do ciclo de Oxignio, deve
haver um fluxo livre de gs Oxignio das placas positivas para as placas negativas.
As clulas seladas podem resistir a uma completa descarga mais eficientemente do que os outros
tipos de clula de Chumbo-cido. Entretanto, elas devem ser recarregadas o mais rpido possvel, para
impedir danos permanentes.
Outra tecnologia desenvolvida o uso de dispositivos de recombinao cataltica, onde o
Hidrognio (H
2
) produzido recombinado com Oxignio (O
2
) e devolvido clula como gua. Tais
dispositivos contem como catalisador o Paldio (Pd), numa matriz cermica, e fabricantes afirmam que
eles tm 98% de eficincia na recuperao do Hidrognio.
As principais desvantagens das baterias seladas em relao s baterias abertas so: custo e a
impossibilidade de serem distribudas e/ou armazenadas sem o eletrlito. Embora tenham uma baixa
taxa de autodescarga, podem ser prejudicadas permanentemente pela sulfatao se forem mantidas sem
carregamento por longos perodos. O custo destas baterias pode ser compensado por sua maior
capacidade til, associada possibilidade de trabalharem com maiores valores de profundidade de
descarga.
4.3.3.4 - Baterias estacionrias com placas tubulares (OPzS e OPzV)
As baterias OPzS e OPzV apresentam caractersticas construtivas semelhantes, sendo as OPzS
(abreviatura da expresso em alemo Ortsfest Panzerplatte Spezial) baterias estacionrias com placas
positivas tubulares em liga Pb-Sb (baixo Antimnio), contendo eletrlito lquido e separadores
especiais, podendo ser caracterizadas como baterias do tipo FLA, enquanto que as OPzV (do alemo
Ortsfest Panzerplatte Verschlossen), so, por sua vez, baterias estacionrias com placas tubulares,
contendo eletrlito (H
2
SO
4
) imobilizado em um gel e vlvulas de segurana, podendo ser
caracterizadas como baterias seladas reguladas por vlvula (VRLA).
Sua principal diferena com relao aos modelos j descritos nesta seo a configurao dos
eletrodos positivos, constitudos por placas tubulares, que so envolvidas por tubos permeveis atravs
dos quais o eletrlito circula. A principal funo desses tubos manter a matria ativa confinada, o que
permite um aumento da vida cclica da bateria. Para uma profundidade de descarga de 80 %, estas
baterias podem apresentar vida cclica superior a 1.500 ciclos. Se comparadas s tecnologias de
187
armazenamento apresentadas na Tabela 4.4, este valor superior aos dos demais acumuladores
eletroqumicos. A Figura 4.21 apresenta uma vista em corte do tipo de bateria OPzV.

Figura 4.21 Vista em corte de uma bateria do tipo OPzV. Fonte: (Exide Technologies, 2003).
No caso das baterias OPzV deve-se alertar que os controladores de carga devem operar em
tenses mais baixas em relao a outros tipos de baterias Chumbo-cido, e que elas so muito
sensveis a sobrecargas por no suportarem gaseificao. Alguns autores afirmam que elas apresentam
maior custo, porm menor vida til do que outros tipos de baterias Chumbo-cido de descarga
profunda. Entre as vantagens da bateria OPzV esto:
- No requerem reposio de gua;
- Podem ser usadas em qualquer posio;
- No tem problemas de estratificao;
- No liberam gases, no apresentado risco de incndio/exploso, portanto os requisitos
relativos a salas de baterias so menos exigentes, no requerendo ambientes ventilados
para sua instalao;
- No tem problemas de vazamentos de eletrlito, por isso o risco de acidentes envolvendo
contato pessoal com cido (pele, olhos) praticamente inexistente;
- Tem menos restries para transporte, podendo inclusive ser transportada via area, ao
contrrio dos demais tipos.
188
Estas vantagens no so especficas apenas de baterias OPzS, mas tambm aplicveis a outros
tipos de baterias com eletrlito em gel.
A maior desvantagem das baterias de placas tubulares tipo OPzV e OPzS ainda est relacionada
ao seu custo mais elevado, quando comparado ao de outras baterias Chumbo-cido. Alm disso, h
poucas indstrias nacionais que fabricam esse tipo de baterias, especialmente a OPzV. No entanto, a
maior vida til, somada a uma leve reduo de custos que estas baterias tm experimentado nos
ltimos anos, vem melhorando sua relao custo-benefcio, tornando-as uma opo vivel em algumas
aplicaes, principalmente onde h relativa facilidade de aquisio destes modelos de baterias ou onde
a logstica para troca de baterias crtica e custosa.
Tanto a OPzV quanto a OPzS so indicadas para aplicaes em locais remotos e de difcil
acesso, especialmente onde a capacidade da bateria deve ser elevada (e.g. MIGDIs). As baterias OPzS
requerem reposio de gua do eletrlito em intervalos de 6 a 12 meses, dependendo da especificao
em projeto e da sua utilizao, por isso devem ser utilizadas em locais onde haver manuteno. As
baterias OPzV, por sua vez, dispensam manuteno, entretanto so mais sensveis a temperaturas
elevadas: a cada 10
o
C de elevao da temperatura de operao, a OPzV pode perder metade de sua
vida til.
As baterias OPZs e OPzV normalmente so disponveis comercialmente no Brasil em clulas
individuais de 2 V com capacidades podendo atingir 4000 Ah. O catlogo de um determinado
fabricante nacional, por exemplo, oferece 16 diferentes modelos de clulas 2 V OPzS, com
capacidades de 150Ah a 2500Ah (@C/10). Em funo da disponibilidade de capacidades em uma
faixa bastante larga que atinge valores bastante elevados, no necessrio associar tais baterias em
paralelo nos sistemas fotovoltaicos, o que constitui uma vantagem tcnica.
A principal vantagem desta tecnologia seria uma vida til esperada bem maior de, pelo menos, o
dobro das normalmente usadas no Brasil (item 4.3.3.2), ou seja, pelo menos 7 anos para uma
profundidade de descarga diria de 40%, muito embora no haja ainda experincia de campo
acumulada sobre isso no pas, pois esta tecnologia de bateria est sendo usada em sistemas
fotovoltaicos no pas h relativamente pouco tempo. Por outro lado, como desvantagens, teramos um
custo inicial significativamente mais elevado para o banco de baterias e, no caso das OPzS,
necessidade de reposio peridica de gua destilada. Especificamente quanto ao custo do banco de
baterias, deve-se levar em conta que a anlise no pode ser feita somente com base no custo inicial do
material, mas sim com base no custo do ciclo de vida, contabilizando custos de transporte e mo de
obra (instalao e manuteno), os quais so significativos para sistemas fotovoltaicos implantados em
locais de difcil acesso. Por isso, existe tendncia atual de utilizao de baterias OPzS em tais sistemas
fotovoltaicos, cujas caractersticas (entre elas, a maior vida til), em muitos casos supostamente
resultam em menor custo de ciclo de vida e maior confiabilidade (SOARES, 2008).
189

4.3.3.5 - Efeito da temperatura
Ao contrrio dos mdulos fotovoltaicos, cujas especificaes so sempre em 25 C (STC), a
temperatura nominal das baterias no padronizada. A temperatura nominal de determinada bateria a
adotada pelo respectivo fabricante nas folhas de dados tcnicos. Geralmente de 25C, mas pode
tambm ser 27C ou mesmo outros valores.
Sabe-se que a velocidade das reaes qumicas dobra ou at triplica para um incremento de 10 C
na temperatura (regra de vant Hoff)
14
.
A reduo da temperatura causa a reduo da mobilidade dos portadores de carga no eletrlito, o
que se traduz num aumento da resistncia interna (R
i
) e reduo da capacidade (Ah) da bateria.
Segundo alguns autores, tipicamente a capacidade se reduz 1% para cada reduo de 1 C na
temperatura. Por isso, observa-se que baterias automotivas em clima frio tem mais dificuldade em dar
partida nos veculos. Assim, bancos de baterias para operao em ambientes frios podem ter de ser
superdimensionados.
Adicionalmente, a reduo da temperatura causa reduo do volume (contrao) da gua,
contudo, uma vez que a quantidade do cido no muda, aumenta a sua concentrao, o que aumenta a
V
e
.
Embora esta no seja normalmente uma preocupao no Brasil, o problema com temperaturas
abaixo de 0C que o eletrlito poder congelar se a bateria estiver descarregada, pois o cido dilui e
congela a uma temperatura mais alta. Quando h congelamento, a bateria no opera e poder sofrer
danos permanentes. Num estado de carga de 20 %, o ponto de congelamento de cerca de -10C em
uma bateria tpica. Isto deve ser considerado no projeto do sistema, e baterias projetadas para serem
utilizadas em climas muito frios tm uma concentrao de cido mais elevada, o que mantm o
eletrlito em estado lquido em baixas temperaturas.
Por outro lado, quando a temperatura da bateria aumenta, isso resulta em aumento da
mobilidade, aumento da capacidade (Ah) e reduo da R
i
. A tenso V
e
, entretanto, se reduz de cerca de
-5mV/C.elemento, sendo que, da mesma forma, a tenso de borbulhamento tambm se reduz, o que
deve ser compensado pelo controlador de carga, para no prejudicar a bateria. O aumento da
velocidade das reaes qumicas com a temperatura tambm traz outros inconvenientes: aumento da
taxa de autodescarga, corroso da placas, reduo da vida til e sulfatao acelerada em baterias que
no esto totalmente carregadas.

14
Jacobus Henricus vant Hoff (1852-1911), cientista holands, Prmio Nobel de Qumica de 1901.
190
Alguns fabricantes recomendam sobredimensionar o banco de baterias em 30% caso seja
prevista sua operao numa temperatura mdia abaixo de 15 C ou acima de 35 C.
Caractersticas tpicas de baterias de chumbo-cido de 12 V so apresentadas na Tabela 4.7 para
a temperatura de 20C.
Tabela 4.7Tenses caractersticas de clulas e baterias de chumbo-cido. Fonte: (ROBERTS, 1991).
Tenses caractersticas
Tenses a 20C (V)
Clula Bateria com seis clulas
Nominal 2 12
Tenso mxima 2,3 2,5 14,0 - 15,0
Tenso de flutuao 2,2 2,3 13,0 14,0
Tenso de circuito aberto com carga
plena
1

2,1 2,2 12,5 13,0
Tenso limite de descarga para medida
da capacidade
2

1,8 1,9 10,8 11,4
Variao de tenso com a temperatura
3

-0,05 V para cada 10C de
aumento
-0,33 V para cada 10C de
aumento
Notas:
1. Estas tenses aplicam-se depois de deixar o sistema desconectado por pelo menos uma hora (tenses da bateria em
repouso).
2. O valor limite estabelecido para a desconexo por baixa tenso depende da profundidade de descarga recomendada e da
corrente de descarga. Alguns controladores de carga desconectam as baterias pela contabilizao do estado de carga das
mesmas e no s pelo nvel de tenso nos terminais.
3. Observar as especificaes do fabricante quanto tenso de referncia para a compensao da tenso com a temperatura,
pois alguns adotam 25C e outros 27C, embora nesta tabela a referncia seja de 20C.
A correo da tenso de uma clula com temperatura deve ser feita com a equao abaixo.
V(T) = V
Tref
+ K x (T - T
ref
) (4.16)
onde:
V(T) (V) tenso da clula na temperatura T;
V
Tref
(V) tenso da clula na temperatura de referncia adotada na documentao do fabricante;
K

(V/C) coeficiente de temperatura da clula especificado pelo fabricante;
T (C) temperatura da clula;
T
ref
(C) temperatura de referncia adotada na documentao do fabricante;
As baterias Chumbo-cido no devem ser operadas continuamente acima de 40C, caso contrrio
podero ocorrer danos permanentes s placas. Em um dado estado de carga, mudanas de temperatura
tambm afetam as medies do peso especfico do eletrlito e da tenso.
A Tabela 4.8 informa a reduo da vida til devido a temperaturas elevadas para baterias seladas
tipo VRLA, com eletrlito absorvido (AGM), e foi transcrita do catlogo do respectivo fabricante.
Com relao a esta tabela, importante observar que se aplica a baterias seladas, as quais geralmente
sofrem mais os efeitos da temperatura do que as baterias abertas.
191

Tabela 4.8 Reduo da vida til de baterias Chumbo-cido tipo VRLA em funo da temperatura mdia anual de
operao. Fonte: (GNB 1).
Temperatura mdia
anual (C)
Reduo da vida til
(%)
25 C 0%
30 C 30%
35 C 50%
40 C 66%
45 C 75%
50 C 83%
4.3.3.6 - Sulfatao
Um problema que comumente ocorre nas clulas de Chumbo-cido o fenmeno chamado de
sulfatao, que o processo de formao e deposio de cristais de sulfato de Chumbo (PbSO
4
) sobre
as placas das clulas. Em condies tpicas de operao, forma-se, durante a descarga, uma camada de
sulfato de Chumbo na superfcie das placas. No incio do processo, existem muitos espaos em volta
de cada pequeno cristal de sulfato de Chumbo por onde o eletrlito pode ainda alcanar os materiais
ativos (dixido de Chumbo e Chumbo metlico), espaos estes que vo se reduzindo medida em que
a bateria vai sendo descarregada. Entretanto, se a bateria permanece muito tempo descarregada,
gradualmente os pequenos cristais de sulfato de Chumbo juntam-se e recristalizam-se para formar
cristais maiores. Este fenmeno constitui-se em problema, j que os cristais maiores tornam-se
irreversveis, ou seja, no so decompostos durante o recarregamento.
A sulfatao reduz permanentemente a capacidade da clula devido perda de material ativo,
alm e aumentar a resistncia interna (R
i
), por serem os cristais maus condutores. Assim, todas as
precaues devem ser tomadas para impedir a sua ocorrncia. A seguir so apresentados alguns fatores
que acentuam o processo de sulfatao e que, portanto, devem ser evitados:
- Manuteno da clula descarregada por longos perodos de tempo;
- Carregamentos baixos ou parciais prolongados;
- Operao contnua acima de 45
o
C;
- Permitir que o eletrlito torne-se fortemente concentrado.
Quando duas ou mais destas condies ocorrem ao mesmo tempo, o processo de sulfatao
ainda mais acelerado. O primeiro sinal de sulfatao geralmente acontece quando uma bateria parece
carregar rapidamente, como indicado pela elevada tenso de carregamento. Entretanto, uma medio
do peso especfico mostra que o estado de carga ainda est baixo. Manter uma lenta corrente durante o
carregamento poder minimizar os danos, mas geralmente a capacidade da bateria se reduzir
irreversivelmente.
192
A melhor maneira de evitar a sulfatao carregar a clula regularmente, para que todo o sulfato
de chumbo seja revertido. Para aplicaes em ciclos profundos, os fabricantes recomendam que as
baterias sejam recarregadas imediatamente aps cada descarga profunda.
Isto no , todavia, possvel em sistemas fotovoltaicos, quando a descarga profunda resultante
do tempo nublado. Neste caso, seria necessrio reduzir as cargas alimentadas pelo sistema at a
normalizao do estado de carga das baterias ou recarregar as baterias por intermdio de outras fontes.
A taxa de sulfatao varia para os diferentes tipos de clulas, dependendo da qualidade das
placas e da sua aplicao. Os materiais ativos contm aditivos que retardam a taxa de sulfatao, mas
no a evitam completamente. Em lugares onde a temperatura mdia est acima de 30C possvel
utilizar um eletrlito tropical, com uma baixa concentrao de cido sulfrico. A baixa concentrao
reduz os danos estrutura da grade das placas positivas, diminuindo a taxa de sulfatao.
4.3.3.7 - Hidratao
Quando a bateria sofre descarga profunda, consumindo todo o H
2
SO
4
, e permanece neste estado
por um perodo longo, ento pode ocorrer, alm da sulfatao, outro tipo de falha na bateria, o
fenmeno denominado hidratao.
Com baixa concentrao de cido, o (hidr)xido de Chumbo torna-se solvel na gua, o que no
ocorre no meio cido, e fica ento em soluo no eletrlito. Quando a bateria recarregada, a
concentrao do cido aumenta e o xido em soluo transforma-se em sulfato de Chumbo, que
precipita.
O sulfato precipitado no vaso produz manchas brancas e representa perda de material ativo.
Porm, o sulfato que precipita nos poros do separador pode ser convertido durante a carga em Chumbo
metlico e formar dendritos metlicos microscpicos entre as placas positiva e negativa, que resultam
em curto-circuito.
Para evitar o fenmeno, a bateria no deve ser totalmente descarregada, e nem permanecer
descarregada por perodos longos.
4.3.3.8 - Sedimentao
Conforme j mencionado em itens anteriores, com a operao normal da bateria (ciclos de carga
e descarga) ocorre, devido a vrios motivos, o desprendimento de material ativo das placas e sua
sedimentao no fundo do vaso. Caso a sedimentao acumulada atinja as placas, poder causar o
curto-circuito entre placas, inutilizando a bateria.

193
4.3.3.9 gua para baterias
Segundo um determinado fabricante, as especificaes de pureza da gua destilada/deionizada
para baterias so as apresentadas na Tabela 4.9.
Tabela 4.9 Valores mximos admissveis de impurezas em gua para baterias. Fonte: (GNB 2).
Valores mximos admissveis de impurezas em gua para baterias
Slidos totais 500 ppm
Slidos fixos 350 ppm
Matria orgnica e voltil 200 ppm
Ferro (Fe) 4,0 ppm
Mangans (Mn) 0,007 ppm
Nitratos (NO
2
) 15,0 ppm
Amonia (NH
4
) 5,0 ppm
Cloretos (Cl) 25,0 ppm
A norma Brasileira NBR 14197:1998, por sua vez, traz diferentes especificaes, transcritas na
Tabela 4.10.
Tabela 4.10 Concentrao mxima de impurezas permitida na gua destilada e/ou deionizada. Fonte: (ABNT, 1988).
Concentrao mxima de impurezas permitida na gua
destilada e/ou deionizada
Resduo de evaporao 10 mg/L
Substncias orgnicas oxidveis 20 mg/L
Halogenetos totais, como cloretos 1,0 mg/L
Nitratos 1,0 mg/L
Amnia 5 mg/L
Mangans (Mn) 0,1 mg/L
Cobre (Cu) 1,0 mg/L
Ferro (Fe) 1,0 mg/L
4.3.4 Baterias Nquel-Cdmio e Nquel-hidreto metlico
As baterias Nquel-Cdmio (Ni-Cd) tm estrutura fsica similar s de chumbo-cido, mas ao
invs de placas de Chumbo, o hidrxido (xido) de Nquel III, NiO(OH), utilizado nas placas
catdicas e o cdmio (Cd) ou ligas de Cdmio e Ferro nas placas andicas. O eletrlito uma soluo
aquosa de hidrxido de Potssio (KOH), em concentraes de 20-34%. O KOH um lcali (base), por
isso so classificadas como baterias alcalinas. Ressaltamos que este composto to prejudicial ao ser
humano (efeito corrosivo) e ao meio ambiente (contaminao de cursos dgua) quanto o cido
sulfrico das clulas Chumbo-cido, de forma que os cuidados necessrios no seu manuseio so
idnticos
O funcionamento da clula de Ni-Cd pode ser expresso pela seguinte reao eletroqumica:
Cd(s) + 2NiO(OH)(s) + 2H
2
O(l) Cd(OH)
2
(s) + Ni(OH)
2
(s)
194
Aqui tambm a reao de descarga ocorre no sentido da esquerda para a direita e a de recarga no
sentido inverso.
A Tabela 4.11 apresenta caractersticas tpicas para as clulas de Nquel-Cdmio. Estas baterias
podem sobreviver ao congelamento e ao degelo sem sofrerem nenhuma alterao no seu desempenho.
As temperaturas elevadas tambm tm menor efeito sobre elas do que sobre as baterias de chumbo-
cido.
Uma vez que a tenso nominal por elemento de Ni-Cd de 1,25 V, monoblocos de 12 V tm 10
clulas em srie.
Tabela 4.11 Tenses caractersticas de clulas e baterias de Nquel-Cdmio. Fonte: (ROBERTS, 1991).
Tenses caractersticas
Tenses a 20C (V)
Clula Bateria com dez clulas
Nominal 1,25 12
Tenso mxima para baterias abertas 1,50 1,65 15,0 16,5
Tenso de flutuao para baterias
abertas
1,40 1,45 14,0 14,5
Taxa de carga para baterias seladas C/10 C/10
Tenso de circuito aberto para os
diversos estados de carga
1,20 1,35 12,0 13,5
Tenso mnima limite 0 9
1

Nota: 1. Para evitar polaridade reversa para a primeira clula na bateria que se encontra completamente descarregada.
As baterias de Nquel-Cdmio so menos afetadas por sobrecargas, podem sofrer ciclos
profundos, ser totalmente descarregadas e mantidas assim, sem maiores prejuzos s placas, no esto
sujeitas sulfatao e seu carregamento no sofre influncia da temperatura. Entretanto, tm a
desvantagem de apresentar efeito memria
15
, que pode reduzir a capacidade de carga til da bateria.
Uma desvantagem das clulas de Nquel-Cdmio, em relao s de Chumbo-cido, que os
meios de medio do estado de carga no so simples. Isto se deve ao fato de existir muito pouca
variao da tenso e do peso especfico do eletrlito durante a descarga. Entretanto, essa limitao
pode ser solucionada com o uso de um controlador de carga digital microprocessado, capaz de
determinar o estado de carga com grande preciso a partir de integrao no tempo do fluxo de corrente
na bateria.
No so aplicadas cargas de equalizao em baterias Ni-Cd.
So citadas as seguintes vantagens das baterias Ni-Cd em comparao com as de Pb-H
2
SO
4
:
- Podem ser submetidas a sobrecargas;

15
O chamado efeito memria ocorre nas baterias de NiCd quando elas so operadas de forma inadequada, sendo
repetidamente recarregadas sem terem sido totalmente descarregadas, o que acaba viciando-as a carregar somente uma
quantia de energia bem menor do que sua capacidade. Ele se deve a modificaes qumicas sofridas pelos materiais
utilizados na confeco das clulas, como, por exemplo, a formao de cristais de Cdmio.
195
- Podem ser totalmente descarregadas;
- So mais robustas;
- Tem bom desempenho a baixas temperaturas e podem ser congeladas;
- Tem baixa resistncia interna;
- Mantem voltagem constante durante a descarga;
- Podem ser carregadas a taxas elevadas;
- Tem vida til mais longa.
As baterias Ni-Cd normalmente tm um custo inicial consideravelmente mais alto do que as de
Chumbo-cido, mas tambm apresentam ganhos operacionais como custos de manuteno reduzidos e
uma vida cclica maior. Algumas fontes informam que as baterias Ni-Cd so as que tem menor custo
por ciclo. Entretanto, apesar das vantagens apresentadas, o fator custo inicial e outras desvantagens,
como a presena de metais txicos
16
em sua composio e a severa autodescarga, fazem com que a
bateria de Nquel-Cdmio seja uma tecnologia pouco utilizada em instalaes fotovoltaicas. No se
tem conhecimento de seu uso em sistemas fotovoltaicos no Brasil, somente no exterior.
As baterias de Nquel-Cdmio tambm podem ser abertas (ventiladas) ou seladas, sendo que as
primeiras foram as mais utilizadas em sistemas fotovoltaicos. Elas tambm produzem gases H
2
e O
2

durante sobrecargas e tambm necessitam de reposio de gua.
Atualmente, as baterias de Nquel-Cdmio foram substitudas pelas baterias de hidreto metlico
de Nquel (NiMH) em muitas aplicaes, em funo, principalmente, de sua maior densidade
energtica, maior eficincia energtica e de suas caractersticas ambientais menos desfavorveis, uma
vez que utilizam substncias menos txicas em sua composio.
Nas baterias de Nquel-Hidreto metlico, o eletrodo catdico de NiO(OH), hidrxido(xido) de
Nquel III ou oxi-hidrxido de Nquel III, e o anodo formado por uma liga metlica que tem a
propriedade de formar hidretos (compostos com Hidrognio, MH). As ligas que apresentam esta
propriedade podem ser de Nquel com Terras-Raras como LaNi
5
, ou de Titnio e Zircnio, como
TiZr
2
, que tm sido bastante utilizadas. O eletrlito tambm uma soluo de KOH (Hidrxido de
Potssio), ou seja, tambm so baterias alcalinas.
A tenso nominal da clula de 1,2V e seu funcionamento pode ser expresso pela seguinte
reao eletroqumica:
Liga(H)(s) + 2NiO(OH)(s) Liga(s) + Ni(OH)
2
(s)
O controle do carregamento deste tipo de bateria considerado crtico, pois a carga excessiva
causa gerao de gases (O
2
) e prejudica seu desempenho. O efeito memria nelas quase inexistente.

16
O Cd um metal txico.
196
Embora seu custo seja mais elevado, as baterias de NiMH praticamente substituram as de Ni-Cd na
maioria das aplicaes, mas no se tem conhecimento sobre seu uso em sistemas fotovoltaicos,
principalmente no Brasil.
4.3.4.1 Efeito da temperatura em baterias Ni-Cd
Baterias abertas de Nquel-Cdmio podem ser utilizadas para operao numa extensa faixa de
temperatura, ou seja, de -25 a 45C. O eletrlito congela abaixo do limite inferior de temperatura, mas
nenhum dano causado.
Para otimizar a utilizao de uma clula selada, importante manter a temperatura da clula bem
abaixo de 45C em todos os momentos, especialmente durante o processo de equalizao, quando
algum calor produzido pela clula. Acima de 45C o separador degrada-se lentamente e
eventualmente as placas se tocam. Isto significa que a clula curto-circuitada internamente e fica
inutilizada. Outro problema com temperaturas elevadas causado pelo fato do eletrlito evaporar
lentamente. Clulas seladas para aplicao em temperaturas elevadas tm um melhor separador e selo
para resistir a temperaturas acima de 65C.
As especificaes de tenso e capacidade de baterias so geralmente fornecidas para 25C. Para
temperaturas mais altas ou mais baixas, as tenses so ligeiramente diferentes, por isso os
controladores de carga devem ter compensao de temperatura. No h mudana na capacidade com a
temperatura, exceto abaixo de -20C, quando a capacidade comea a cair, devido ao congelamento do
eletrlito.
Abaixo de 5C a absoro do oxignio lenta. Assim, a corrente de equalizao para clulas
seladas de Ni-Cd deve ser menor do que C/10, para evitar a produo de hidrognio.
4.3.5 Baterias Li-on
As baterias de Li-on apresentam altas densidades energticas, na faixa de 80-150 Wh/kg, sendo,
por isso, atualmente, utilizadas em larga escala em equipamentos eletrnicos portteis, como cmeras
fotogrficas, laptops, celulares, etc. Tem sido tambm utilizadas em veculos eltricos.
considerada uma tecnologia promissora e que ainda tem muito espao para novos
desenvolvimentos. O funcionamento da clula de Li-on pode ser expresso pela seguinte reao
eletroqumica:
C
n
(s)+ LiMO
2
(s) Li
x
C
n
(s) + Li
(1-x)
MO
2
(s)
O catodo um composto de Ltio (Li) da forma LiMO
2
, onde M representa um metal de
transio, sendo Ni, Co e Mn os mais usados, produzindo ons de Ltio durante a descarga. O anodo,
197
designado por C
n
, formado por Carbono com a propriedade de receber e acumular ons de Ltio,
podendo, entre outros, ser de uma estrutura denominada fullereno ou C
60
.
Uma das vantagens deste tipo de clula a tenso nominal elevada, podendo atingir 3,5V, de
forma que so usadas 4 clulas em srie para compor um bloco de 12V. Outras vantagens so a alta
densidade energtica, a ausncia de efeito memria, a possibilidade de suportar altas taxas de carga e
descarga, o baixo tempo de carga e a baixa taxa de auto-descarga.
guisa de exemplo, segundo a documentao do fabricante (THUNDER SKY), um
determinado modelo de bateria de LiFePO
4
(fosfato de Ltio-Ferro), com densidade energtica de
~84Wh/kg, pode suportar taxas de carga/descarga de , equivalente a 20min (muito superior s
taxas usadas em sistemas fotovoltaicos), e atinge uma vida cclica de 3000 ciclos com profundidade de
descarga de 80%.
O desenvolvimento de novas formulaes qumicas e novos materiais para as baterias Li-on
prossegue, incluindo a utilizao de nanotecnologias (materiais nanoestruturados).
Normalmente o emprego de baterias Li-on requer uma estratgia de controle e um sistema de
segurana incluindo proteo contra sobrecarga, descarga excessiva, sobrecorrente, curto-circuito,
altas temperaturas e tenses elevadas. As baterias de Li-on podem explodir ou incendiar. O controle
tem de ser feito em cada clula individualmente e o controlador sofisticado e denominado de BMS
battery management system. No caso da aplicao em sistemas fotovoltaicos, contudo, uma vez que as
taxas de carga/descarga so bastante baixas, entende-se que um grau de sofisticao bem menor
suficiente.
Apesar de diversas vantagens, o custo inicial ainda impede o uso de baterias Li-on em SFIs,
embora j existam no Brasil estudos sobre isso (SOARES et al., 2012).
4.3.6 Caractersticas ideais para uso de baterias em sistemas fotovoltaicos isolados
A operao de uma bateria usada em um sistema fotovoltaico isolado (SFI) deve atender a dois
tipos de ciclos:
- Ciclos rasos a cada dia;
- Ciclos profundos por vrios dias (tempo nublado) ou semanas (durante o inverno).
Os ciclos profundos ocorrem quando o carregamento no suficiente para repor a quantidade de
carga usada pelos aparelhos durante todo o dia. Por isso, o estado de carga depois de cada ciclo dirio
ligeiramente reduzido e, se isto ocorrer por um perodo de vrios dias, levar a um ciclo profundo.
Quando as condies meteorolgicas melhoram, volta a haver um carregamento extra, aumentando o
estado de carga depois de cada ciclo dirio.
198
As caractersticas mencionadas a seguir devem ser observadas para que as baterias tenham um
bom desempenho quando instaladas em um SFI:
- Elevada vida cclica para descargas profundas;
- Necessidade de pouca ou nenhuma manuteno;
- Elevada eficincia de carregamento;
- Baixa taxa de autodescarga;
- Confiabilidade.
Outros fatores que tambm devem ser considerados no momento de escolher a bateria adequada
para esta aplicao so:
- Disponibilidade de fornecedores;
- Garantia e condies de garantia da bateria;
- Distncia, durao e custo do transporte para o local;
- Custo da capacidade til para um ciclo;
- Custo da capacidade til para o ciclo de vida;
- Necessidade de manuteno durante o armazenamento;
- Peso;
- Densidade de energia;
- Temperatura ambiente do local da instalao;
- Disponibilidade e custo dos controladores de carga.
Estes fatores podem variar bastante para os vrios modelos de bateria e tambm dependem das
caractersticas locais. A escolha da bateria envolve o conveniente equilbrio de todos os fatores
mencionados.
Entre os modelos disponveis no mercado, as baterias Chumbo-cido so as mais utilizadas em
SFI, apesar das baterias de NiCd e NiMH apresentarem caractersticas operacionais mais favorveis.
As baterias de NiCd e NiMH no apresentam problemas de descargas profundas ou de sulfatao e,
portanto, podem permanecer completamente descarregadas por longos perodos. Entretanto, o custo
mais elevado e o nmero reduzido de fornecedores desses tipos de baterias, em relao s Chumbo-
cido, tm limitado o seu uso em pequenos sistemas. As baterias automotivas so projetadas para
curtos perodos de rpida descarga, sem danific-las. Por este motivo, elas no so apropriadas para
SFI, pois sua vida til em regime de ciclagem bem menor do que de outras tecnologias de baterias.
Em qualquer situao, indispensvel conhecer as caractersticas eltricas da bateria selecionada e
escolher um controlador de carga adequado.
199
As baterias para aplicaes fotovoltaicas comercializadas no Brasil devem apresentar a etiqueta
do Inmetro, como a da Figura 4.22, afixada no prprio produto. O mbito de aplicao da etiquetagem
de baterias, expressa na portaria Inmetro n
o
004/2011 (INMETRO, 2011), envolve baterias
estacionrias de baixa intensidade de descarga, de tecnologia alcalina Nquel-Cdmio ou Chumbo-
cido, para aplicao fotovoltaica, excluindo-se baterias automotivas ou tracionrias. Os ensaios a
serem realizados so de capacidade, durabilidade, reteno de carga (autodescarga), regenerao da
capacidade e eficincia de carga/descarga para as baterias com a seguinte classificao:
- Chumbo-cida ventilada sem reposio de gua;
- Chumbo-cida ventilada com reposio de gua e vaso transparente ou translcido;
- Chumbo-cida regulada por vlvula;
- Bateria alcalina Nquel-Cdmio ventilada;
- Bateria alcalina Nquel-Cdmio regulada por vlvula.

Figura 4.22Modelo de etiqueta do Inmetro para baterias. Fonte: (Inmetro, 2011).
Os fabricantes normalmente recomendam que uma bateria Chumbo-cido no seja armazenada
por um perodo superior a 12 meses, e que, caso o perodo de armazenamentos atinja 6 meses, a bateria
seja submetida a uma recarga.
4.3.7 Transporte, descarte e reciclagem de baterias
As baterias inservveis so consideradas lixo txico e, portanto, representam risco para a sade
humana e para o meio ambiente. Por isso no podem ser descartadas no lixo comum, em aterros
sanitrios, lanadas em corpos dgua, abandonadas no meio ambiente a cu aberto, incineradas etc, o
que pode inclusive ser sujeito a sanes previstas na Lei de Crimes Ambientais (Lei N 9.605, de 12 de
fevereiro de 1998).
200
Conforme as resolues CONAMA N 257/99 e 401/2008, as baterias ao fim de sua vida til
devem ter uma disposio final adequada, devendo ser entregues pelo usurio ao respectivo fabricante,
importador ou distribuidor, ou, no caso de baterias Chumbo-cido, opcionalmente a um reciclador
devidamente licenciado, o qual dever processar e reciclar, caso possvel, os compostos qumicos nelas
contidos de acordo com a regulamentao ambiental vigente.
Outrossim, na resoluo ANTT
17
N 420/2004 as baterias de qualquer tipo so classificadas
como produtos perigosos para fins de transporte terrestre. As baterias Chumbo-cido so includas na
classe 8 substncias corrosivas, e as de Ltio na classe 9 substncias e artigos perigosos diversos.
Assim, os requisitos exigidos para seu transporte incluem embalagens especficas, viaturas
corretamente sinalizadas e conduzidas por pessoal devidamente habilitado em curso aprovado pelo
CONTRAN Conselho Nacional de Trnsito, entre outros. O descumprimento da resoluo ANTT No
420/2004 tambm pode ser caracterizado como crime ambiental.
A sinalizao para produtos perigosos definida na norma ABNT NBR 7500 (Identificao para
o transporte terrestre, manuseio, movimentao e armazenamento de produtos), sendo a sinalizao
aplicvel a baterias Chumbo-cido mostrada na Figura 4.23.

Figura 4.23 Sinalizao aplicvel a baterias Chumbo-cido.
4.3.8 Salas de Baterias
Para bancos de baterias de SFIs maior porte, como, por exemplo, aqueles instalados em MIGDIS
(ver Figura 7.17), requisitos para salas de baterias devem ser observados.
Um dos itens que devem ser previstos a instalao, sob os bancos de baterias, de bandejas para
captao e reteno do cido que eventualmente vazar.

17
ANTT Agncia Nacional de Transportes Terrestres
201
Em funo da produo de gases em baterias Chumbo-cido no seladas, devem ser atendidos
requisitos em relao ventilao, pois a mistura de H
2
no ar tem LII
18
de cerca de 4% em volume, ou
seja, torna-se explosiva em concentraes superiores a esta. Caso se trate de baterias abertas, ento
entende-se que a rea seria classificada na norma NBR IEC 60079-10 como zona 1, enquanto que se
forem baterias seladas ser zona 2. Quanto classificao do gs, o Hidrognio classificado nesta
norma no grupo denominado IIC, considerado o de maior risco. Em funo disto, a instalao eltrica
das salas de baterias deve ser adequada a atmosferas explosivas.
Uma das possibilidades de proteo a instalao de detectores que acionem exaustores (e
possivelmente tambm um alarme) quando a concentrao de H
2
superar cerca de 20-25% daquela
concentrao LLI. A exausto deve sempre ser feita para o exterior, ou seja, o ar no pode ser
direcionado a outro ambiente fechado.
A renovao de ar necessria em salas de baterias para evitar concentraes perigosas de H
2

especificada na Norma DIN VDE 0510, de acordo com a Equao 4.17.
Q = 0,05 x N x I x (C/100) (4.17)
Onde:
Q (m
3
/h) vazo de ar;
N (adimensional) nmero de elementos (2 V) na sala;
I

(A) corrente de carga em A para cada 100Ah; Para carga em regime de flutuao deve ser
considerada uma corrente de 1 A para cada 100Ah de capacidade do banco em C/10; para carga em
tenses maiores do que a de flutuao, sem atingir o borbulhamento, deve-se utilizar 2 A para cada
100Ah;
C (Ah) capacidade do elemento;
0,05 constante.
Recomenda-se tambm que as salas de baterias sejam dotadas de sistema de deteco e alarme
de incndio, incluindo detectores de fumaa e detectores trmicos.
Outra questo importante no projeto de salas de baterias a temperatura. As baterias, no devem,
por exemplo, ser instaladas ao lado de uma parede que recebe radiao solar direta durante a maior
parte do dia, ou mesmo prximas a algum equipamento aquecido. Diferenas de temperatura entre
elementos de um mesmo banco tambm devem ser evitadas, pois isto resulta em diferenas de tenso e
de desempenho. Alguns fabricantes recomendam que esta diferena no deve superar os 3C, assim,
tambm no se deve, por exemplo, posicionar mesmo apenas alguns elementos prximos a uma fonte
de calor.
Salas de baterias devem ser devidamente sinalizadas e, de forma a evitar acidentes, o acesso
restrito somente a pessoal tcnico habilitado, utilizando os EPIs adequados.

18
LII Limite Inferior de Inflamabilidade.
202
4.4 Outros Sistemas de Armazenamento
Apesar do armazenamento eletroqumico, atravs de baterias, ser a opo mais aplicada em SFI,
outras formas de armazenamento podem ser utilizadas, como o armazenamento na forma de campo
eltrico (supercapacitores), campo magntico (indutores com supercondutores), energia mecnica
(volantes de inrcia, ar comprimido, bombeamento de gua) e hidrognio.
Ar comprimido e bombeamento de gua no so consideradas tecnologias adequadas para
aplicao em pequena escala, em funo do grande porte da instalao destas tecnologias e dos altos
custos envolvidos, sendo mais aplicadas em projetos de larga escala.
Indutores com supercondutores e supercapacitores so tecnologias de alta potncia, que
apresentam elevada eficincia e podem prover diversos ciclos sem que haja considervel perda na
capacidade de armazenamento. So tecnologias ainda pouco utilizadas e que ainda apresentam
elevados custos.
Sistemas de armazenamento atravs de volantes de inrcia so tecnologias que operam
armazenando energia cintica em volantes rotativos sustentados por rolamentos magnticos e que
operam no vcuo para minimizar perdas por atrito. Esta tecnologia mais aplicada para processos que
demandam descargas energticas de alta potncia e curta durao, como no suprimento de cargas
crticas e na indstria de fontes de alimentao ininterrupta (UPS, do ingls Uninterruptible Power
Supply). Apesar de terem alta capacidade de ciclagem, volantes de inrcia tendem a apresentar altos
custos de instalao e manuteno.
Sistemas de armazenamento de hidrognio, geralmente acoplados a clulas a combustvel para
produo de eletricidade, apresentam-se como promissoras alternativas para o armazenamento de
energia em sistemas com fontes renovveis. Sistemas hbridos contando com clulas a combustvel j
so aplicados e estudados em diversas regies do mundo, apresentando caractersticas positivas como a
produo de energia ambientalmente correta, modularidade e longa vida til. Suas principais
desvantagens so sua eficincia global relativamente baixa e seus custos de implantao, operao e
manuteno ainda elevados, associados relativa complexidade do sistema.
4.5 Controladores de Carga
Controladores de carga so includos na maioria dos SFI com o objetivo de proteger a bateria (ou
banco de baterias) contra cargas e descargas excessivas, aumentando a sua vida til. Denominaes do
tipo gerenciador de carga, regulador de carga ou regulador de tenso tambm so comuns e
algumas vezes referem-se a controladores de carga com diferentes nveis de sofisticao.
Controladores de carga so componentes crticos em sistemas fotovoltaicos isolados (SFI), pois,
caso venham a falhar, a bateria poder sofrer danos irreversveis. O controlador mostrado no
203
exemplo esquemtico da Figura 4.24. Eles devem ser projetados considerando-se as especificidades
dos diversos tipos de bateria, uma vez que um controlador projetado para uma bateria de Chumbo-
Clcio selada pode no operar eficientemente com uma bateria de Chumbo-Antimnio no-selada. Da
mesma forma, controladores projetados para baterias de Chumbo-cido podem no ser adequados para
as de Nquel-Cdmio e assim por diante.

Figura 4.24Esquema de um SFI domiciliar: A-painel fotovoltaico; B-controlador de carga; C-banco de baterias; D-
inversores; E-cargas c.a. (equipamentos eltricos); F-Caixa de conexo. Fonte: Adaptado (Catlogo de Produtos do
fabricante Steca).
Sistemas fotovoltaicos destinados a alimentar cargas (equipamentos eltricos) com pouca
variao em seu consumo poderiam ser projetados para operarem sem um controlador de carga, desde
que a tenso entregue pelo gerador fotovoltaico seja compatvel com a tenso da bateria. Estes so s
vezes chamados de sistemas auto-regulados (self-regulating systems). Para isso, se utilizam bancos de
baterias superdimensionados em relao ao painel fotovoltaico e carga, resultando em operao em
taxas reduzidas que podem atingir C/100. Alm disso, alguns fabricantes disponibilizaram mdulos
especiais de baixa tenso, com 33 ou mesmo 30 clulas em srie, visando atender a este tipo de
sistema, aproveitando o formato da curva IV dos mdulos, que apresenta um joelho e tende a reduzir
a corrente rapidamente para tenses acima do P
MP
. Mesmo assim, o principal problema inerente a estes
sistemas a possibilidade de submeter a bateria a sobrecargas e descargas excessivas. Conforme j
visto em itens anteriores, a gerao dos mdulos varia significativamente com a temperatura ambiente,
o que pode facilmente resultar em sobrecargas, ou no efeito inverso, subcarga, danificando o banco de
baterias. Uma sobrecarga tambm ir ocorrer se houver uma falha no equipamento alimentado. Os
projetos deste tipo envolvem muitas condicionantes, a eficincia baixa e o risco de problemas
elevado, por isso, a maioria dos especialistas no recomenda o uso deste tipo de sistema.
204
O controlador de carga considerado indispensvel na grande maioria dos casos, e sua utilizao
permite uma otimizao do dimensionamento do banco de baterias e do seu carregamento, desconexo
de cargas em baixo estado de carga da bateria e um maior nvel de proteo contra um aumento
excessivo de consumo ou uma possvel interveno do usurio.
Os controladores devem desconectar o gerador fotovoltaico quando a bateria atingir carga plena
e interromper o fornecimento de energia quando o estado de carga da bateria atingir um nvel mnimo
de segurana. Alguns controladores tambm monitoram o desempenho do SFI (corrente e tenso de
carregamento da bateria ou da carga) e acionam alarmes quando ocorre algum problema. Para
melhorar o desempenho do controlador de carga, este pode ainda incorporar um sensor de temperatura,
com a funo de compensar o efeito da variao da temperatura nos parmetros das baterias.
O controlador de carga deve permitir o ajuste dos seus parmetros e a escolha do mtodo de
controle para adapt-los aos diferentes tipos de baterias. Se isso no for possvel, ele deve ser
claramente identificado e vendido para um tipo especfico de bateria.
No momento de se especificar um controlador de carga, primeiro importante saber o tipo de
bateria a ser utilizada e o regime de operao do sistema. A seguir, determina-se a tenso e a corrente
de operao do sistema. Para valores elevados de corrente de operao, o custo do controlador
aumenta significativamente e a sua disponibilidade no mercado reduz-se. importante selecionar um
controlador com as mnimas caractersticas necessrias. Caractersticas desnecessrias adicionam
complexidade ao sistema, aumentam o custo e diminuem a confiabilidade.
Os subitens a seguir so voltados para os controladores de carga destinados a baterias Chumbo-
cido e apenas o subitem 4.5.8 apresenta algumas consideraes sobre controladores para outros tipos
de baterias.
4.5.1 Tipos de controladores de carga
Os controladores podem diferir basicamente quanto grandeza utilizada para o controle, forma
de desconexo do painel fotovoltaico e estratgia de controle adotada. As grandezas de controle mais
utilizadas so: estado de carga (integrao do fluxo de corrente na bateria), tenso e densidade do
eletrlito da bateria.
Quanto forma utilizada para desconectar o painel fotovoltaico da bateria quando esta apresenta
carga plena, o controlador pode ser classificado como paralelo (shunt) ou srie. Ambos podem ser
efetivamente usados, sendo que cada um pode incorporar um nmero de variveis que alteram o
desempenho bsico e a aplicabilidade.
As Figuras 4.25 e 4.26 mostram os circuitos para o controlador tipo paralelo e para o tipo srie,
respectivamente. Ambos apresentam a funo opcional para desconexo por baixa tenso (LVD- Low
205
Voltage Disconnect), explicada no prximo item. O controlador paralelo geralmente consome menos
energia do que o srie e, por isso, mais comumente utilizado.
Um controlador paralelo usa um dispositivo de estado slido ou um rel eletromecnico, que
desliga ou reduz o fluxo de corrente para a bateria quando ela est completamente carregada. Assim,
parte da corrente fornecida pelo gerador desviada atravs de um dispositivo em paralelo com a
bateria e apenas uma pequena quantidade desta corrente continua carregando a bateria.

Figura 4.25 Controlador paralelo (shunt) com LVD opcional.

Figura 4.26Controlador srie com LVD opcional.
A frao de corrente a desviar depende do limite de tenso estabelecido para a bateria. O
controlador paralelo timo comporta-se como uma carga varivel, de forma que a tenso na sada do
gerador mantida constante e igual ao valor limite.
Um componente necessrio no controlador paralelo o diodo de bloqueio, que deve ser ligado
em srie entre o elemento de chaveamento e a bateria, a fim de mant-la protegida de curto-circuito
quando a corrente do gerador desviada.
Um controlador srie pode usar um rel eletromecnico ou um dispositivo semicondutor de
chaveamento para desconectar o gerador fotovoltaico quando a bateria est completamente carregada.
Os controladores atuais utilizam IBGTs ou MOSFETs de potncia.
206
Um diodo de bloqueio pode no ser necessrio em um controlador srie. A maioria dos sistemas
de baixa tenso (dependendo dos componentes escolhidos) no experimenta perdas elevadas devidas
s correntes reversas durante a noite. As perdas ocorridas pelo uso de um diodo de bloqueio podem ser
mais elevadas do que as perdas causadas por correntes reversas. Entretanto, todos os sistemas de
tenses mais elevadas (maiores que 24 V) necessitam de diodos de bloqueio, a menos que a chave
impea o fluxo de corrente para o gerador fotovoltaico.
Os controladores de carga comerciais mais simples so do tipo denominado liga-desliga (on-off).
Este tipo de controlador aplica diretamente a tenso e a corrente do painel sobre a bateria, sem
qualquer tipo de regulao. Neste caso, o painel FV funciona como uma fonte de corrente limitada pela
I
sc
nas condies instantneas de operao (irradincia e temperatura), com o valor de tenso
estabelecido pela bateria. A estratgia de controle dos controladores on-off est baseada na tenso
instantnea nos terminais da bateria, que comparada a dois limites. Para as baterias de Chumbo-
cido, a 25C, no limite superior (2,3 a 2,5 V por clula) a bateria desconectada do arranjo por
considerar-se que, ao atingir este ponto, ela est completamente carregada (HVD). No limite inferior
(1,9 a 2,1 V por clula) a carga desconectada da bateria, pois neste ponto considera-se que a bateria
esteja descarregada na mxima profundidade (LVD).
Os parmetros para especificao dos controladores de carga so obtidos das caractersticas
eltricas do painel fotovoltaico e das cargas, bem como das curvas caractersticas das baterias, como as
de carga e descarga, mostradas nas Figuras 4.17 e 4.18, alm da vida til (em ciclos) desejada,
mostrada na Figura 4.16, para o caso especfico de baterias de chumbo-cido.
No Brasil so normalmente encontrados controladores de carga com correntes at 60A para
operao em bancos de baterias nas tenses de 12V, 24V e 48V, projetados, respectivamente, para
operar com painis fotovoltaicos com 1, 2 ou 4 mdulos convencionais de c-Si (36 clulas) em srie.
4.5.2 Detalhamento das caractersticas e funes de controladores de carga
O valor de corrente mxima do controlador, que deve ser maior do que a corrente de curto-
circuito produzida pelo gerador fotovoltaico multiplicada por um fator de 1,25, e a tenso de operao
do sistema (normalmente 12V, 24V ou 48V) so as condies mnimas necessrias para se especificar
o controlador. Alm disso, deve-se ainda levar em conta a corrente das cargas, incluindo corrente de
surto, se houver. Outras caractersticas condicionantes para a especificao do controlador so:
- Estratgias de controle atravs da tcnica de modulao por largura de pulso (PWM pulse
width modulation);
- Desconexo (e reconexo) da carga (proteo contra descarga excessiva);
- Desvio da energia do gerador fotovoltaico quando a bateria estiver completamente carregada;
207
- Proteo contra corrente reversa;
- Proteo contra sobretenses na entrada do controlador;
- Proteo contra inverso de polaridade (tanto na conexo ao painel FV quanto na conexo
bateria);
- Proteo contra inverso na seqncia de conexo bateria-mdulo;
- Proteo contra curto-circuito na sada para a carga;
- Grau de proteo IP adequado;
- Operao nas condies nominais dentro da faixa de temperatura e umidade declaradas;
- Garantia de fbrica de pelo menos 2 anos.
- Outras caractersticas desejveis, mas nem sempre disponveis nos modelos mais comuns,
so:
- Compensao trmica baseada num sensor de temperatura externo a ser fixado na carcaa da
bateria;
- Carregamento em trs estgios:
- Seguimento de ponto de potncia mxima (SPPM
19
- ver item 4.8);
- Pontos de regulagem (set points) ajustveis;
- Controle do carregamento pelo estado de carga da bateria;
- Alarmes e indicaes visuais;
- Baixo autoconsumo;
- Terminais exclusivos para monitorao de tenso das baterias.
A combinao dos mtodos para controlar o fluxo de corrente para a bateria, a compensao de
temperatura e a existncia de pontos de regulagem ajustveis determinam a eficcia de um controlador
instalado em um SFI.
Ajuste dos pontos de regulagem do controlador
Pontos de regulagem (set points) a denominao usual para os valores dos parmetros que
definem a operao do controlador de carga e que devem ser determinados para a especificao do
mesmo. A determinao dos pontos de regulagem do controlador bastante complexa, uma vez que a
bateria um componente pouco compreendido; alm disso, a relao entre as grandezas fsicas usadas

19
Equivalente em ingls a MPPT, maximumpower point tracking.
208
para o controle, principalmente a tenso, variam com muitos fatores, conforme apresentado no item
4.3. Sendo assim, importante questionar ou confirmar com o fabricante da bateria a ser utilizada no
sistema os valores de regulagem do controlador.
A possibilidade de pontos de regulagem ajustveis pelo usurio permite otimizar a relao entre
controlador e bateria. Em geral, para os controladores mais simples do tipo on-off controlado por
tenso existe uma histerese associada a cada ponto de ajuste, ou seja, existem diferente valores de
tenso para desconectar e reconectar, visando evitar oscilaes. Por exemplo, se os pontos
conexo/reconexo para desconexo por descarga excessiva das baterias (LVD) de um controlador
forem ajustados muito prximos, um ciclo repetitivo poder ocorrer, j que no momento em que o
fornecimento de energia ao equipamento consumidor interrompido a tenso da bateria se eleva
rapidamente, de 15 a 20 %. De forma anloga, quando o gerador FV desconectado (ao trmino do
carregamento das baterias - HVD), estando a bateria conectada s cargas, a sua tenso cai de 10 a 15
%. Assim, importante considerar estas diferenas no momento de estabelecer os pontos de regulagem
deste tipo de controlador.
Desconexo do painel FV (HVD
20
)
A funo principal dos controladores de carga proteger as baterias de sobrecargas,
desconectando para isso o painel FV quando a bateria j se encontra plenamente carregada e atinge um
valor de tenso preestabelecido (HVD). O ponto de reconexo correspondente denominado HVR
21
.
Em sistemas que envolvem correntes elevadas, podem-se utilizar vrios controladores de carga,
cada um conectado a um arranjo fotovoltaico independente, dentre os que compem o gerador (mas
todos na mesma bateria). Entretanto, os controladores devem ser projetados para este tipo de operao
em paralelo, o que normalmente ocorre para os controladores baseados em tenso (ver item 4.5.3) mas
nunca para aqueles baseados no estado de carga (ver item 4.5.4). Normalmente h um limite para o
nmero de dispositivos que podem ser conectados em paralelo, que varia conforme o modelo e o
fabricante do controlador.
Desconexo da carga (LVD
22
)
Alguns controladores de carga evitam que a bateria seja submetida a descargas excessivas. Com
a opo de desconexo, as cargas que esto sendo alimentadas pelo SFI e que esto conectadas na
sada do controlador
23
podem ser desconectadas para proteger a bateria. Para baterias que admitem

20
HVD high voltage disconnect.
21
HVR high voltage reconnect.
22
LVD low voltage disconnect.
23
H sistemas fotovoltaicos em que as cargas esto conectadas na sada do inversor cc/ca e este por sua vez no est
conectado na sada do controlador e, sim, diretamente aos terminais do banco de baterias. Neste caso, a proteo das
baterias contra descarga excessiva dever ser feita pela desconexo das cargas pelo inversor que incorpora a funo de
LVD, e no por um controlador. Ver o item 4.6 (tenso de entrada).
209
descarga bastante profunda como as baterias de Nquel-Cdmio, esta funo pode no ser necessria.
Entretanto, deve-se sempre inclu-la quando se utilizam os demais tipos de baterias, principalmente as
de descarga rasa, e quando a capacidade da bateria pequena se comparada com o consumo.
A desconexo usualmente realizada simplesmente desligando-se as cargas temporariamente
quando a tenso da bateria atinge determinado valor (LVD). As cargas so religadas quando o ponto
de reconexo associado, denominado LVR
24
, atingido. Alguns controladores de carga podem ainda
acionar algum tipo de suprimento de energia auxiliar (e.g. gerador diesel) para recarregar as baterias
ou alimentar as cargas.
Quando um LVD for usado, deve-se tomar as precaues necessrias para as cargas no
excederem o valor de corrente da chave (estado slido ou rel), pois isto pode danificar a unidade. Um
exemplo seria a alta corrente de partida de uma lmpada de vapor de sdio de baixa presso ou de um
motor. Alguns LVDs incorporam um temporizador de 5 a 10 segundos, a fim de que eles no
desconectem uma carga devido a uma reduo temporria de tenso da bateria, quando se utiliza uma
carga com alta corrente de pico na partida.
Valores tpicos de profundidade de descarga utilizados para LVD so, para baterias de ciclo raso,
de 20 a 40 % e, para as de ciclo profundo, de 50 a 80 %. Estes valores permitem, em geral, uma boa
relao custo-benefcio, mas dependem fortemente de especificidades de cada aplicao
(comportamento da carga, caractersticas da bateria, vida til esperada, dentre outras).
Controladores de carga usados em climas frios podem ter uma proteo que eleva a tenso do
LVD quanto a temperatura ambiente est muito baixa para evitar o congelamento do eletrlito. Esta
preocupao no se aplica ao caso do Brasil.
Compensao trmica
Como visto no item 4.3, as caractersticas de carregamento das baterias mudam com a variao
da temperatura. A compensao trmica faz-se mais necessria quando a temperatura de operao das
baterias chumbo-cida excede a faixa de 5
o
C em torno da temperatura ambiente de 25
o
C. Se a
concentrao do eletrlito foi ajustada para temperatura ambiente local e a variao da temperatura das
baterias for pequena, a compensao pode no ser necessria.
Alguns controladores possuem um sensor de temperatura externo a ser fixado em uma das
baterias, que permite mudar os pontos de regulagem de acordo com a temperatura (-6 a -4
mV/clula.C, para baterias de chumbo-cido). Para uma bateria de chumbo-cido de 12 V de tenso
nominal tem-se aproximadamente uma variao de -30mV/C. Assim, uma variao de 10C acarreta

24
LVR low voltage reconnect.
210
uma mudana de 0,3 V na tenso da bateria. Este valor equivale a uma variao de tenso da ordem de
2,5 %, justificando a necessidade de compensao trmica dos pontos de regulagem.
O sensor deve ter um bom contato trmico com o invlucro de uma das baterias no centro do
banco e nunca deve ser imerso no eletrlito da bateria ou conectado ao seu terminal.
A compensao trmica normalmente aplica-se somente carga da bateria, em particular
tenso final de carga (HVD). Conforme j mencionado, a no ser que se se opere as baterias em
temperaturas muito baixas, o que no o caso do Brasil, no se aplica compensao de temperatura na
tenso de LVD.
Alarmes e indicaes visuais
Muitos controladores de carga tm LEDs (light emitting diode- diodo emissor de luz) que
indicam ao usurio sua condio operacional. Um LED aceso quando as baterias esto
completamente carregadas. Outro LED para mostrar quando o gerador fotovoltaico est carregando as
baterias. Um terceiro LED pode mostrar quando o estado de carga da bateria est muito baixo.
H controladores que dispe de um display (LCD etc) usado para indicar a tenso da bateria,
mostrando o seu estado de carga aproximado. Pode informar tambm a corrente que flui na bateria,
mostrando como a energia est sendo usada pela carga, bem como a corrente que flui do painel para as
baterias, mostrando como est sendo feito o processo de carga.
Com medio de tenses e correntes e LEDs indicando o desempenho do sistema, a localizao
de falhas e operaes de manuteno ficam mais fceis. O display deve ser acionado apenas quando
uma leitura est sendo realizada. Por outro lado, os LEDs devem estar ligados continuamente.
Desvio da energia do gerador
Alguns controladores de carga tm a capacidade de desviar a energia de um gerador fotovoltaico
para uma carga adivel
25
, quando as baterias esto completamente carregadas, para aproveitar
adequadamente essa energia, que, de outra forma seria desperdiada.
4.5.3 Controladores de carga baseados em tenso
Como j mencionado, este tipo de controlador o mais utilizado, embora apresente uma srie de
inconvenientes para a sua operao eficiente. Todas as decises so tomadas com base no valor
instantneo da tenso nos terminais da bateria. Esses controladores possuem parmetros bsicos

25
Carga adivel um tipo de carga que s funciona quando h excesso de energia no sistema, como, por exemplo, uma
bomba dgua que armazena gua num compartimento extra. Uma carga adivel interessante um ventilador para exausto
de gases do compartimento das baterias, o que constitui uma aplicao bastante adequada, pois quando as baterias esto
totalmente carregadas pode haver produo de gases.
211
idnticos, variando somente os pontos de regulagem em suas calibraes. Variam, fundamentalmente,
quanto ao nvel de sofisticao, qualidade e funes disponveis.
Os dados dos fabricantes geralmente fornecem os limites de aplicao do controlador, tais como
correntes de carga e do gerador fotovoltaico, temperaturas de operao, perdas e pontos de regulagem.
Em alguns casos, os pontos de regulagem podem variar de acordo com a temperatura ou com a
oscilao da corrente da bateria ou atravs de ajustes realizados pelo prprio usurio.
A Tabela 4.12 apresenta um exemplo de especificaes do fabricante para controladores de carga
do tipo on-off de 6 a 48 V, sem as opes de compensao de temperatura. Os parmetros trmino do
carregamento e reincio do carregamento esto associados proteo contra sobrecarga (HVD),
enquanto que tenso de desconexo e reconexo se referem proteo contra descargas profundas,
ou seja o LVD.
Tabela 4.12Exemplo de especificaes para os pontos de ajuste um controlador de carga on-off baseado em tenso.
Parmetros
Tenses nominais (V)
Unidades 6 12 24 36 48
Mxima tenso de circuito aberto
do gerador
V 22 22 44 66 88
Queda de tenso V 0,55 0,55 0,55 0,90 0,90
Trmino do carregamento (HVD) V 7,1 0,1 14,3 0,2 28,6 0,4 42,9 0,6 57, 2 0,8
Reincio do carregamento (HVR) V 6,6 0,2 13,2 0,3 26,4 0,6 39,6 0,9 52,8 1,2
Consumo de corrente mA 10 10 10 10 10
Faixa da temperatura de operao C -20 a 50 -20 a 50 -20 a 50 -20 a 50 -20 a 50
Faixa da temperatura de
armazenamento
C -55 a 85 -55 a 85 -55 a 85 -55 a 85 -55 a 85
Desconexo da carga (LVD) V 5,8 0,2 11,5 0,2 23,0 0,4 34,5 0,6 46,0 0,8
Reconexo da carga (LVR) V 6,5 0,2 13,0 0,2 26,0 0,4 39,0 0,6 52,0 0,8
A relao entre o estado de carga e as quantidades fsicas acessveis (tenso, concentrao do
eletrlito etc.) e sua dependncia de parmetros externos, em especial da temperatura, no bem
compreendida. A Figura 4.17 mostra as caractersticas do carregamento de uma clula de Chumbo-
cido. Pode-se verificar que o estado de carga, resultante do produto do tempo com a taxa de carga,
tem uma relao bastante complexa com a tenso e a corrente de carregamento (taxa de carga). A
tenso varia muito lentamente na faixa de 30 a 80 % do estado de carga. Assim, se a descarga da
bateria deve ser limitada precisamente, por exemplo, em 40 %, ser difcil determinar um nico valor
de tenso que represente este estado de carga. Isto se torna ainda mais difcil se forem considerados os
efeitos de envelhecimento, temperatura, taxa de descarga, etc. Controladores que apresentam opes
de compensao de temperatura precisam de informaes especficas detalhadas da bateria a ser
utilizada como, por exemplo, valor da resistncia interna e coeficiente de variao da tenso com a
212
temperatura. Variaes bruscas de corrente tambm resultam em modificaes na tenso da bateria,
difceis de modelar.
Outro problema para os sistemas fotovoltaicos determinar o ajuste do ponto de regulagem
indicativo da tenso de desconexo (LVD). Se a deciso recair em ter uma pequena profundidade de
descarga (10 a 20 %), provavelmente a vida til da bateria se prolongar, porm o controlador poder
interrompera energia que est alimentando a carga sem que haja uma necessidade real. Por outro lado,
se uma profundidade de descarga maior (30 a 50 %) for permitida, poder haver reduo da vida da
bateria.
4.5.4 Controladores de carga baseados em estado de carga da bateria
Um controlador ideal para a aplicao fotovoltaica isolada deve, alm de satisfazer os objetivos
bsicos apresentados, gerenciar a carga de acordo com a disponibilidade de energia solar, necessitando
para tal possuir uma informao confivel do estado de carga da bateria em um dado instante. Deve
evitar penalizar o usurio, ao mesmo tempo em que busca satisfazer os requisitos de operao das
baterias como, por exemplo, evitando que baterias de chumbo-cido permaneam descarregadas por
longos perodos.
Os primeiros controladores de carga desenvolvidos e disponibilizados no mercado eram
dispositivos analgicos convencionais baseados em tenso. Entretanto, essa estratgia de controle,
apesar de simples, no era muito adequada para proteger a bateria contra descargas profundas, pois a
tenso da bateria no depende somente do estado de carga, mas tambm do seu fluxo de corrente.
Assim, a descarga da bateria poderia vir a ser interrompida muito cedo ou muito tarde, prejudicando a
operao e/ou comprometendo a vida til da bateria. Por isso, e por outros motivos, que esses
controladores no atendiam s reais necessidades dos usurios.
ontroladores de carga inteligentes foram desenvolvidos inicialmente para aplicaes com
baterias portteis de baixa potncia (em geral, nquel-cdmio), como computadores portteis, telefones
celulares etc. Nestes controladores, um circuito microprocessado (capaz de medir, em tempo real, o
fluxo de corrente que entra e sai da bateria) calcula a carga correspondente em amperes-hora e,
consequentemente, permite conhecer o estado de carga da bateria a qualquer momento.
Atualmente, j so encontrados no mercado controladores de carga baseados em estado de carga
da bateria (SOC state of charge) para aplicaes em sistemas fotovoltaicos, capazes de implementar
as funes de proteo contra carga e descarga excessivas, mantendo independncia com relao ao
modelo de bateria em questo. O maior desafio para esta tecnologia a variao da eficincia da
bateria em funo do estado de carga e da temperatura.

213
4.5.5Carga em 3 estgios
O uso de controladores de carga simples do tipo on-off atualmente est limitado a sistemas
fotovoltaicos para alimentar carga muito pequenas, no sendo mais adotado na prtica para SFIs.
Os controladores modernos para SFIs so equipamentos de eletrnica de potncia
microprocessados que operam em PWM e efetuam a carga da baterias em 3 estgios: grossa, absoro
e flutuao, s quais pode se incluir uma quarta fase, a equalizao. O algoritmo de controle utilizado
por um controlador deste tipo, com controle baseado em tenso, explicado abaixo:
- Grossa nesta fase, que caracteriza o incio da carga, quando a bateria encontra-se
descarregada, o controlador aplica s baterias a mxima corrente que o painel
fotovoltaico pode fornecer, at que estas atinjam uma tenso de fim de carga
preestabelecida, O painel fotovoltaico funciona como uma fonte de corrente, sendo a
tenso imposta pela bateria; Na fase grossas so repostos 80-90% da capacidade;
quando ento a operao do controlador passa prxima fase (absoro);
- Absoro nesta fase a tenso da bateria mantida constante na tenso de fim de carga
por um determinado intervalo de tempo acumulado (normalmente 1h, podendo no ser
contnuo) at que a bateria seja considerada totalmente carregada, sendo que para isso a
corrente fornecida pelo painel controlada em PWM
26
e vai se reduzindo
gradativamente;
- Flutuao nesta fase a tenso da bateria tambm mantida constante com a corrente
controlada em PWM, porm, num nvel de tenso de flutuao, que bastante inferior
tenso de fim de carga. Esta fase se mantm indefinidamente, at que a bateria
descarregue e sua tenso fique abaixo da tenso de flutuao por determinado intervalo
de tempo (normalmente 1h), quando ento um novo ciclo de carga grossa ser
disparado.
- Equalizao nesta fase o controlador aplica uma tenso mais elevada para causar uma
sobrecarga na bateria de forma controlada e obter um borbulhamento (gaseificao)
que visa agitar o eletrlito e evitar sua estratificao
27
. Pode ser, por exemplo, utilizada
uma tenso at 1 Volt acima da tenso de fim de carga (para sistemas em 12V, 2V para
24V e 4V para 48V) por um intervalo acumulado de 2h, repetido a cada 30 dias. A
equalizao opcional e destina-se normalmente somente a baterias Chumbo-cido

26
Neste PWM a tenso da bateria regulada pelo controlador de carga por meio da variao da largura dos pulsos de
corrente nela injetados.
27
Nas baterias chumbo-cido estacionrias, ao longo do tempo, a concentrao do eletrlito se torna maior no fundo do
vaso do que no topo, um fenmeno denominado de estratificao. Com isso, a reao ocorre de forma diferente ao longo
das placas, possivelmente resultando em corroso em sua parte inferior. Um pouco de borbulhamento feito de forma
controlada, o processo denominado equalizao, considerado benfico para a bateria por agitar e misturar o eletrlito,
eliminando a estratificao.
214
abertas, pois implica em consumo de gua, no sendo recomendada para os demais
tipos de baterias, como OPzV.
4.5.6Controlador SPPM
Os controladores mais sofisticados disponveis adotam a estratgia de seguimento do ponto de
potncia mxima do painel fotovoltaico visando aumentar a eficincia do processo de carga. Para isso,
o equipamento opera em uma tenso de entrada mais elevada do que os controladores convencionais e
inclui um conversor cc-cc como primeiro estgio, de forma a alcanar um melhor casamento entre a
curva I-V do painel e as baterias.
Os controladores SPPM tem eficincias na faixa 92-97%. Mais detalhes sobre o seguimento de
ponto de potncia mxima so disponibilizados no item 4.8.
Para estimar o ganho obtido com um exemplo numrico, podemos supor uma situao hipottica
em que um painel de 250Wp seja utilizado para carregar um banco de baterias chumbo-cido na tenso
de 12V.
Na configurao convencional, o painel adotaria mdulos fotovoltaicos de 36 clulas em srie e
teria uma corrente de pico I
MP
de cerca de 14,5A. Supondo que a irradincia seja de 1000 W/m
2
e que
esta seja a corrente aplicada pelo controlador convencional ao banco de baterias, que se encontra a
uma tenso de 12,5V, teramos ento uma potncia de ~181W.
Considerando, por outro lado, a utilizao de um mdulo c-Si de 250Wp com 60 clulas em
srie, associado a um controlador SPPM com 95% de eficincia, para carregar o mesmo banco em
12,5V, podemos supor uma potncia mxima do mdulo P
MP
de ~206Wp nas condies de
temperatura ambiente tpicas do Brasil e para uma irradincia de 1000W/m
2
, chegando a uma potncia
til de ~196W, correspondendo, portanto, a um ganho de cerca de 8% em relao configurao
convencional. O ganho obtido seria maior em caso de temperaturas ambientes mais baixas (o V
MP

maior), o que favorece o uso de controladores SPPM em locais mais frios, como Europa e EUA.
Face ao exposto, deve-se analisar cuidadosamente se o incremento de custo e de complexidade e
com o uso de um controlador SPPM compensado no Brasil pelo ganho de energia obtido.
Entendemos que seu uso s justificvel para sistemas de potncia instalada superior a cerca de
250Wp. Um fator que pode contribuir para a economicidade desta configurao o fato de que os
mdulos de 60 clulas so fabricados para conexo rede, e, devido ao fator de escala de produo,
so mais baratos em R$/Wp do que os mdulos de 36 clulas.
4.5.7 Registro do Inmetro
Os controladores de carga comercializados no Brasil devem apresentar o registro do Inmetro e a
respectiva etiqueta como a da Figura 4.27, afixada no prprio produto. Os ensaios realizados so, em
215
condies nominais, queda de tenso, tenso de desconexo e reposio do painel fotovoltaico e
compensao por temperatura, tenso de desconexo e reposio das cargas, e autoconsumo. Em
condies extremas, so realizados ensaios de proteo contra sobretenses na entrada do painel
fotovoltaico, proteo contra inverso de polaridade na conexo do painel fotovoltaico, proteo contra
inverso de polaridade na conexo das baterias, proteo contra inverso na sequncia de conexo
bateria-mdulo, e proteo contra curto-circuito na sada para a carga.

Figura 4.27 Modelo de etiqueta do Inmetro para controladores de carga. Fonte:(Inmetro, 2011).
4.5.8 Controladores de carga para outros tipos de baterias
Caso sejam adotados em um SFV outros tipos de baterias que no as Chumbo-cido, a
compatibilidade da bateria com os controladores de carga deve ser assegurada, e no se trata somente
de compatibilidade com os nveis de tenso, mas tambm do prprio algoritmo de operao.
A baterias NiCd e NiMH geralmente so carregadas em corrente constante e o final de carga
detectado por meio do aparecimento de uma derivada negativa na variao da tenso

.
As baterias Li-on, por sua vez, so carregadas com tenso constante, controlada em cada clula
individualmente, a partir da regulao da corrente de carga, com controladores bastante sofisticados.
Conforme o item 4.3.5, em funo das baixas taxas utilizadas em sistemas fotovoltaicos provavelmente
um menor grau de sofisticao necessrio.
No recomendada a utilizao dos controladores convencionais para SFIs, geralmente
especficos para as baterias Chumbo-cido, em outros tipos de baterias, sem consulta prvia aos
fabricantes tanto do controlador quanto da bateria.
4.6 Inversores
Um inversor um dispositivo eletrnico que fornece energia eltrica em corrente alternada (c.a.)
a partir de uma fonte de energia eltrica em corrente contnua (c.c.). A energia c.c. pode ser
proveniente, por exemplo, de baterias, clulas a combustvel ou mdulos fotovoltaicos. A tenso c.a.
de sada deve ter amplitude, frequncia e contedo harmnico adequados s cargas a serem
alimentadas. Adicionalmente, no caso de sistemas conectados rede eltrica a tenso de sada do
inversor deve ser sincronizada com a tenso da rede.
216
Existe uma diversidade grande de tipos de inversores em funo das peculiaridades de suas
aplicaes. Muitas vezes eles fazem parte de equipamentos maiores, como no caso de UPS (no-breaks)
e acionamentos eletrnicos para motores de induo. No caso de sistemas fotovoltaicos, os inversores
podem ser divididos em duas categorias com relao ao tipo de aplicao: SFIs e SFCRs. Embora os
inversores para SFCRs compartilhem os mesmos princpios gerais de funcionamento que os inversores
para SFIs, eles possuem caractersticas especficas para atender s exigncias das concessionrias de
distribuio em termos de segurana e qualidade da energia injetada na rede.
De modo geral, inversores para conexo rede com potncias individuais de at cerca de 5kW
tm sada monofsica.A partir dessa potncia mais comum a utilizao de inversores com sada
trifsica, ou inversores monofsicos em associao trifsica.
Os inversores modernos utilizam chaves eletrnicas de estado slido e o seu desenvolvimento
est diretamente ligado evoluo da eletrnica de potncia, tanto em termos de componentes
(especialmente semicondutores) quanto das topologias de seus circuitos de potncia e controle.
Enquanto os primeiros inversores para uso em sistemas fotovoltaicos eram meras adaptaes de
circuitos j existentes, os circuitos mais modernos so desenvolvidos levando em conta a
complexidade e as exigncias de sua aplicao especfica. Desta forma, no decorrer de poucas dcadas,
as topologias foram sendo otimizadas e os custos de fabricao reduzidos, enquanto que as eficincias
de converso evoluram at chegar a valores prximos a 99 % em alguns inversores para conexo
rede eltrica.
4.6.1 Classificao dos inversores
Dependendo do princpio de operao, os inversores podem ser divididos em dois grandes
grupos: comutados pela rede (comutao natural) e autocomutados (comutao forada). A Figura 4.28
mostra uma classificao dos inversores por princpio de operao.
217

Figura 4.28 Tipos de inversores classificados de acordo com o princpio de funcionamento.
4.6.1.1 Dispositivos semicondutores utilizados em inversores
Os inversores so construdos com auxlio de dispositivos semicondutores de potncia, que
constituem chaves eletrnicas controlveis, podendo ser colocados em estado de conduo ou de
bloqueio por meio de um sinal de controle, e permitem assim a converso de tenso cc para ca e vice-
versa.
Uma chave ideal teria as seguintes caractersticas:
- bloqueia elevadas tenses diretas e reversas, com corrente de fuga desprezvel;
- conduz elevadas corrente, com queda de tenso desprezvel (baixa resistncia);
- chaveia (mudado estado de conduo para bloqueio, ou vice-versa) instantaneamente;
- necessita de baixssima potncia para o sinal de controle;
Obviamente, as chaves reais disponveis apenas se aproximam destas caractersticas, e a pesquisa
de novos dispositivos semicondutores contnua. Os dispositivos que vem sendo utilizados em
inversores so aqueles apresentados na Figura 4.29, enquanto que suas principais caractersticas so
descritas na Tabela 4.13. Algumas vezes os componentes SCR, TRIAC e GTO so genericamente
denominados de tiristores, enquanto que os demais (BJT, MOSFET e IGBT) so sempre chamados de
transistores.

218

Figura 4.29 Smbolos de componentes utilizados em inversores (A anodo; K catodo; G gate; B- base, C coletor;
E emissor; D dreno; S fonte).

Tabela 4.13 Caractersticas de dispositivos semicondutores de chaveamento.
Caractersticas de dispositivos semicondutores de chaveamento
SCR silicon controlled rectifier
- Permite a passagem de corrente num s sentido (do anodo
para o catodo);
- O momento do disparo controlado por um pulso de
corrente no terminal gate;
- O bloqueio no controlado e ocorre naturalmente quando a
polaridade invertida ou a corrente atinge um determinado
valor mnimo (comutao natural, aps o disparo o SCR se
comporta como um diodo);
- A potncia consumida no circuito de controle baixa;
TRIAC triode for alternating current
- o nico que permite a passagem de corrente nos dois
sentidos (nos demais para isso necessria uma associao
em anti-paralelo);
- O momento do disparo controlado por um pulso de
corrente no terminal gate (o pulso pode ser positivo ou
negativo);
- O bloqueio idntico ao do SCR;

219
Tabela 4.13 Caractersticas de dispositivos semicondutores de chaveamento (continuao).
Caractersticas de dispositivos semicondutores de chaveamento
GTO gate turn-off thyristor
- Permite a passagem de corrente num s sentido (do anodo
para o catodo);
- O momento do disparo controlado por um pulso positivo
de corrente no terminal gate;
- O bloqueio pode ser controlado por um pulso negativo
(corrente elevada, podendo chegar a da corrente
conduzida) de corrente no terminal gate;
BJT bipolar junction transistor
- Permite a passagem de corrente num s sentido, do coletor
para o emissor, para transistores do tipo npn;
- O estado de conduo controlado pela aplicao de uma
corrente no terminal base;
- A corrente de base chega a 10-15% da corrente no coletor, e
deve ser mantida para que o BJT continue conduzindo
(estado de saturao), ao contrrio dos tiristores, que
necessitam apenas de um pulso de corrente;
- A potncia consumida no circuito de controle significativa;
- O bloqueio (estado de corte) ocorre quando a corrente de
base retirada;
- As perdas de comutao so consideradas mdias, mas as
perdas em conduo so baixas.
MOSFET metal oxide semiconductor
field effect transistor
- Permite a passagem de corrente num s sentido, do dreno
para a fonte, para transistores do tipo canal n;
- O estado de conduo controlado pela aplicao de uma
tenso no terminal gate;
- Apresenta menores tempos de comutao do que o BJT e
pode ser chaveado em alta frequncia;
- Tem perdas de comutao muito baixas, mas perdas em
conduo significativas;
- A potncia consumida no circuito de controle pequena.
IGBT insulated gate bipolar transistor
- Permite a passagem de corrente num s sentido, do coletor
para o emissor para transistores do tipo npn;
- O estado de conduo controlado pela aplicao de uma
tenso no terminal gate;
- Pode ser chaveado em alta frequncia, com perdas de
comutao reduzidas;
- A potncia consumida no circuito de controle pequena;
- Tem baixas perdas em conduo;
- Combina caractersticas do BJT e do MOSFET.
As perdas em conduo e na comutao so os principais fatores que determinam a eficincia do
inversor, por isso importante compreend-las. Tais perdas para um dispositivo semicondutor
genrico podem ser visualizadas na Figura 4.30, e so explicadas no texto que se segue.
220

Figura 4.30(a) Formas de onda de tenso (V) e corrente (I) sobre um dispositivo semicondutor em chaveamento e
conduo, e (b) potncia dissipada em um dispositivo semicondutor em chaveamento e conduo (adaptado de PROCEL,
2004).
Bloqueio nos perodos (t<t
1
e t>t
6
) em que a chave est bloqueada e submetida a determinado nvel
de tenso, geralmente a corrente de fuga desprezvel (I=0) para esta tenso V, e, portanto, no h
perdas no semicondutor.
Comutao no momento (t=t
1
) em que o dispositivo recebe o comando para entrar em conduo, a
corrente comea a subir at atingir seu valor mximo (t=t
2
), quando ento a tenso comea a cair at
atingir seu valor mnimo (t=t
3
). Neste processo, ocorrem as perdas por comutao, resultantes da
tenso e da corrente sobre o dispositivo (V x I).No momento (t=t
4
) em que a chave recebe o comando
para entrar no estado de bloqueio, ocorre a sequncia inversa de eventos, aparecendo novamente as
perdas por comutao, at que a tenso sobre ela volte ao seu valor inicial (V) e a corrente se anule
(t=t
6
).
Conduo no perodo em que o dispositivo est em conduo (t
3
<t<t
4
) tambm ocorrem perdas, pois
ele est submetido a tenso e corrente, mas com potncia reduzida.
A energia total dissipada no semicondutor durante o ciclo descrito corresponde rea hachurada
(cinza) na Figura 4.30 (b).

221
4.6.1.2 Inversores comutados pela rede (para SFCR)
Os primeiros inversores utilizavam tiristores (SCR, TRIAC) como elementos de chaveamento,
que so dispositivos semicondutores. capazes de suportar altas tenses e correntes.
Conforme j vimos, uma vez em conduo, o dispositivo s levado ao corte quando a corrente
que flui atravs dele for inferior chamada corrente de manuteno de conduo, ou quando houver
uma inverso de polaridade entre anodo e catodo. Como a troca do estado de conduo para o estado
de corte controlada pelo circuito de potncia, os inversores a tiristor so chamados inversores de
comutao natural ou inversores comutados pela rede. Apesar de robustos e simples, sua baixa
qualidade de tenso e corrente de sada (devido alta quantidade de harmnicos) requer o uso de redes
de filtragem complexas, onerosas e que implicam e perdas. Com o surgimento de novos dispositivos
de chaveamento (MOSFET, IGBT), a utilizao de inversores a tiristor foi sendo reduzida e hoje
restrita a unidades de potncia elevada (acima de 100 kW) e acionadores (drivers) de motores eltricos
de grande porte.
4.6.1.3 Inversores autocomutados
Nos inversores autocomutados os elementos de chaveamento so semicondutores que podem ser
postos em estado de conduo ou de corte em qualquer instante do ciclo, atravs de um terminal de
controle. Dependendo da velocidade de chaveamento e dos nveis de potncia e tenso, so utilizados
IGBTs ou MOSFETs nos inversores. Estes dispositivos operam com a estratgia de controle de
modulao por largura de pulso (PWM), o que permite um bom controle sobre a forma de onda e o
valor da tenso de sada. Os inversores autocomutados podem ser do tipo fonte de corrente (CSI
current source inverter) ou fonte de tenso (VSI voltage source inverter). Na configurao fonte de
tenso, a mais empregada em sistemas de converso fotovoltaica, o controle pode ser feito tanto por
tenso quanto por corrente, dependendo da grandeza de sada utilizada como referncia. Devido sua
estabilidade diante de perturbaes na rede e facilidade no controle do fator de potncia, o controle
por corrente adotado na maioria dos modelos para SFCRs, enquanto que o controle por tenso
utilizado principalmente em inversores para SFIs.
Os inversores podem ter um ou dois estgios, como representado na Figura 4.31. Os inversores
de um estgio tm por principal caracterstica a robustez e a alta eficincia, devido ao reduzido nmero
de componentes. Por outro lado, no caso de um inversor sem transformador, a tenso c.c. de entrada
deve ter um valor mnimo relativamente elevado, equivalente ao valor de pico da tenso c.a. da rede
eltrica ou o dobro desta, dependendo da configurao da ponte inversora. A incluso opcional de um
transformador de alta frequncia cria um isolamento galvnico entre os lados de corrente contnua e
alternada.
222

(a) (b)
Figura 4.31 (a) Inversor de um estgio e (b) inversor de dois estgios.
A Figura 4.32 detalha um exemplo de diagrama em blocos de um inversor de dois estgios.
A figura mostra que, quando se trata de um inversor para SFI, a entrada cc proveniente de um
banco de baterias, enquanto que no caso de um inversor para SFCR, a entrada cc provm diretamente
de um painel fotovoltaico.
O estgio conversor c.c.-c.c. gera uma tenso adequada no elo cc interno (link cc) do inversor.
No caso do inversor para SFCR, o conversor c.c.-c.c. normalmente efetua SPPM na entrada
proveniente do painel fotovoltaico, enquanto que no caso do inversor para SFI, o estgio conversor
c.c.-c.c. apenas um elevador de tenso.
O elo c.c. interno um capacitor eletroltico que tem as funes de armazenamento de energia e
filtragem.
O estgio conversor c.c.-c.a. descrito em detalhes no item 4.6.2 a seguir. O indutor na sada c.a.
serve como elemento de filtro, e, no caso de inversor para SFCR, tambm tem a funo de
acoplamento rede eltrica.
Conforme mostra a Figura 4.32, o inversor para SFI alimenta diretamente as cargas eltricas c.a.
existentes no sistema isolado, enquanto que o inversor para SFCR conectado rede eltrica da
distribuidora local. Para inversores de potncias nominais at dezenas de kW, a sada c.a. geralmente
em baixa tenso (127Vca ou 220Vca), sendo que para potncias da ordem de unidades kW
monofsica enquanto que para potncias superiores trifsica.
223

Figura 4.32 Inversor de dois estgios (adaptado de FILHO, 2012).

4.6.2 Princpio de funcionamento dos conversores c.c.-c.a.
A Figura 4.33(a) apresenta o esquema do conversor cc-ca de meia ponte (half bridge) para um
inversor monofsico. As chaves S1 e S2 so representadas genericamente e podem, em princpio, ser
qualquer um dos dispositivos semicondutores apresentados na Figura 4.29, associado ao
correspondente circuito de controle. Neste circuito, a inverso da polaridade do sinal obtida pelo
acionamento alternado das chaves S1 e S2 numa frequncia fixa, que pode ser a frequncia de rede
eltrica (60 Hz). Como resultado, tem-se uma tenso alternada aplicada sobre a carga. A forma do
sinal de sada deste tipo de conversor uma onda quadrada, variando de -V
CC
/2 a V
CC
/2e m 60 Hz.
224

(a) (b)
Figura 4.33 Inversor de (a) meia ponte e (b) ponte completa monofsica.
Se em vez de duas, forem utilizadas quatro chaves, na topologia de circuito representada na
Figura 4.33(b), tem-se ento um conversor c.c.-c.a. de ponte completa (full bridge) para um inversor
monofsico. Esta topologia de circuito tambm conhecida em ingls como H bridge inverter, numa
referncia disposio dos componentes no circuito, com as duas pernas do H unidas pela carga.
Para uma mesma tenso de entrada, o conversor de onda completa produz uma sada com o dobro da
amplitude do conversor de meia ponte, variando de -V
CC
a +V
CC
(Figura 4.33 b). Esta topologia
permite diversas estratgias de funcionamento, dependendo da forma de acionamento das chaves.
A tenso Vcc, representada na Figura 4.33 para alimentao do conversor c.c.-c.a., corresponde
na verdade ao elo de corrente contnua (link cc) do inversor.
Se as chaves forem acionadas (postas em conduo) aos pares de forma alternada e sincronizada
(S1 e S4, S2 e S3) em uma dada freqncia (60 Hz), o sinal de tenso resultante na sada do conversor
ser outra vez uma onda quadrada, como a mostrada na Figura 4.34(a). Apesar de ter como vantagem a
simplicidade, este tipo de acionamento no permite o controle da amplitude nem do valor eficaz
(RMS) da tenso.
A utilizao de um diferente esquema de chaveamento, no qual os pares S1/S4 e S2/S3 sejam
acionados no simultaneamente, mas defasados entre si por um determinado ngulo (tempo), provoca
cancelamentos de tenso em determinados intervalos do ciclo. O resultado na sada do conversor a
chamada onda quadrada modificada
28
, cuja forma de onda est representada na Figura 4.34(b).
Neste caso, a tenso RMS de sada passa a poder ser controlada atravs do ngulo de defasagem
no disparo dos dispositivos de chaveamento e a forma de onda apresenta menor distoro harmnica
(THD atinge cerca de 30%), tornando-se um pouco mais assemelhada a uma senide. O valor eficaz da
componente fundamental (60 Hz) da tenso de sada da onda quadrada modificada dada, neste caso,
pela Equao 4.18.


28
Tambm chamada por alguns autores e fabricantes de onda retangular ou onda senoidal modificada.
225

(4.18)

Onde:
V
rms
(V) tenso eficaz da componente fundamental;
V
cc
(V) tenso cc da entrada;
T(s) perodo da senide (1/60);
t
c
(s) perodo de bloqueio (intervalo entre os pulsos - tempo com tenso zero), cuja variao
permite o controle da tenso de sada (ver Figura 4.34 b).


(a)




(b)


(c)
226


(d)
Figura 4.34Possveis formas de onda da tenso de sada de um conversor c.c.-c.a. de ponte completa: (a) onda quadrada,
(b) onda quadrada modificada, (c) 3 pulsos e (d) modulao por largura de pulso PWM.
As sadas dos inversores de onda quadrada,assim como os de onda quadrada modificada,
apresentam um alto nvel de distoro harmnica. A atenuao desses harmnicos pode ser feita
atravs de filtros, que, alm de caros, complexos e volumosos, geralmente consomem muita potncia,
prejudicando a eficincia do inversor. Por isso, o uso de inversores de onda quadrada e quadrada
modificada, que so do tipo denominado monopulso, limitado a aplicaes em SFIs e, mesmo assim,
para alimentao de cargas no crticas. Com a modificao da estratgia de chaveamento e aumento
do nmero de pulsos a cada semiciclo, a forma de onda se aproxima mais da senoidal, ou seja, a
distoro harmnica vai sendo reduzida.
A Figura 4.34(c) mostra, a ttulo de exemplo, uma hipottica forma de onda com 3 pulsos por
semiciclo. Na prtica, nas aplicaes nas quais a eficincia na converso e a qualidade da energia so
fatores determinantes, so utilizados os inversores multipulsos, com formas de onda como a mostrada
na Figura 4.34 (d), com 14 pulsos por semiciclo.
Nos conversores cc-ca de inversores modernos, a estratgia de controle mais utilizada a PWM.
Apesar de existirem vrios esquemas PWM, todos eles baseiam-se no acionamento dos dispositivos de
chaveamento a uma frequncia constante (dezenas ou centenas de kHz), porm com um ciclo de
trabalho (razo entre o tempo de conduo e o perodo) variando ao longo do semiciclo
proporcionalmente ao valor instantneo de um sinal de referncia. Iniciando com pulsos estreitos
quando a amplitude da senide de referncia baixa, os pulsos vo se alargando conforme o valor
instantneo da referncia aumenta.
A Figura 4.35 detalha a implementao de uma das possveis estratgias de PWM, denominada
chaveamento bipolar. Na Figura 4.35(a) observa-se que o controle do chaveamento feito pela
comparao de uma tenso de referncia (V
caref
), que uma senide na frequncia da rede (60 Hz),
com um sinal triangular (V
tri
) de frequncia muito superior, ambas geradas internamente no conversor
c.c.-c.a. As duas formas de onda podem ou no ser sincronizadas e as relaes entre suas freqncias e
amplitudes controlam os parmetros da sada. Quando a tenso de referncia tem valor superior onda


+ V
C C
- V
C C
t

227
triangular, ento so postas em conduo as chaves S1/S4, enquanto que S2/S3 permanecem em
bloqueio, aplicando assim uma tenso positiva (+V
cc
) na carga. Nos momentos em que a tenso de
referncia inferior da onda triangular, os estados das chaves so invertidos e a carga recebe tenso
negativa.

Figura 4.35Estratgia de controle PWM para um conversor cc-ca tenses de controle V
caref
e V
tri
(a) e tenso na sada
V
carga
(b) (adaptado de SKVARENINA, 2001).
Aps uma filtragem adicional com filtro passa-baixa para retirar as componentes harmnicas de
alta frequncia, o sinal de sada praticamente senoidal, conforme as formas de onda mostradas nas
Figuras 4.34(d) e 4.35(b) (representam diferentes estratgias de PWM).
Alm de baixa THD, os inversores PWM apresentam tambm elevada eficincia e uma tima
regulao da tenso de sada. Esses dispositivos so indicados para equipamentos eletrnicos sensveis.
Comparados com inversores de onda quadrada, possuem custo mais elevado como resultado da maior
complexidade dos circuitos.
As frequncias de chaveamento situam-se na faixa de 10-100 kHz, de forma que a
compatibilidade eletromagntica (EMC) deve ser considerada no projeto do equipamento, visando
evitar interferncias, o que inclui itens como blindagem, filtragem e aterramento.
Vale destacar que a RN 493/2012 (ANEEL, 2012a) exige a utilizao de inversores com forma
de onda senoidal em sistemas de gerao isolados tipo SIGFI e MIGDI. Devido aos critrios de
qualidade impostos pela rede eltrica, os inversores para conexo rede tambm devem apresentar
forma de onda de sada senoidal e com baixa distoro harmnica.
A Figura 4.36 mostra uma ponte trifsica completa de um conversor cc-ca, implementada
utilizando IGBTs, cuja topologia de circuito apenas acrescenta mais uma perna ponte H
228
monofsica completa j mostrada na Figura 4.33(b), e que operada conforme estratgias de
chaveamento tambm anlogas s j apresentadas. Na prtica, tais pontes com 6 IGBTs (ou outros
dispositivos) j so fornecidas como power blocks por vrios fabricantes, sendo que a elas necessrio
acrescentar o circuito de controle, normalmente baseado em DSP.

Figura 4.36 Ponte trifsica (adaptado de FILHO, 2012).
Supondo, para fins de simplificao, que a lgica de acionamento dos IGBTs seja feita em 6
tempos, de acordo com a sequncia mostrada na Tabela 4.14, ento obtm-se uma sada em onda
quadrada modificada trifsica, ilustrada na Figura 4.37. Na realidade, o acionamento feito ajustando
os ngulos de disparo para manter a regulao da tenso RMS, da mesma forma que para o caso
monofsico.
Tabela 4.14 Lgica de acionamento de uma ponte trifsica (6 tempos).
Tempo IGBTs em conduo
29
V
ab
V
bc
V
ca

1 Q
1
, Q
2
e Q
3
0 +V
cc
-V
cc

2 Q
2
, Q
3
e Q
4
-V
cc
+V
cc
0
3 Q
3
, Q
4
e Q
5
-V
cc
0 +V
cc

4 Q
4
, Q
5
e Q
6
0 -V
cc
+V
cc

5 Q
5
, Q
6
e Q
1
+V
cc
-V
cc
0
6 Q
6
Q
1
e Q
2
+V
cc
0 -V
cc



29
As condies Q1, Q3 e Q5, e Q4, Q6 e Q2 so proibidas por conectarem todas as fases ao mesmo potencial.
229

Figura 4.37Forma de onda quadrada modificada trifsica.
A Figura 4.38, por sua vez, apresenta uma estratgia de chaveamento PWM trifsica, que se
baseia na comparao de 3 formas onda de referncia defasadas em 120 (V
caref,A
; V
caref,B
e V
caref,C
)
com um sinal triangular (V
tri
), para controlar o acionamento dos IGBTs.
230

Figura 4.38 Estratgia de controle do chaveamento para PWM trifsico (adaptado de SKVARENINA, 2001).
4.6.3Caractersticas dos inversores
A forma da onda geralmente uma indicao da qualidade e do custo do inversor. Conforme
visto anteriormente, ela depende do mtodo de converso e filtragem utilizado para eliminar os
harmnicos indesejveis resultantes da converso.
Outro aspecto que determina a qualidade dos inversores a sua eficincia de converso. Nos
inversores a eficincia no constante e seu valor depende da potncia demandada pelos equipamentos
de consumo (carga), e tambm de seu fator de potncia. Os fabricantes normalmente anunciam a
eficincia na carga nominal, mas nem sempre destacam o fato de que sob cargas parciais seus
dispositivos apresentam baixas eficincias. Para os usurios de sistemas com necessidades variveis de
potncia, altas eficincias em cargas parciais so importantes.
Um parmetro importante a ser considerado em um inversor para SFI, especialmente para
sistemas tipo SIGFI, a potncia que o dispositivo consome em condies de espera (standby). A
economia de energia em modo de espera pode reduzir a capacidade de gerao fotovoltaica necessria
na etapa de dimensionamento do projeto e, como consequncia, reduzir o custo de aquisio do
sistema com um todo. O valor mximo de corrente de autoconsumo de inversores para SFIs admitido
231
no RAC para ensaio do Inmetro de 3% da corrente consumida em carga nominal, em toda a faixa de
tenso de entrada.
Alguns inversores, seja para SFIs ou para SFCRs, podem ter limitaes de potncia quando em
operao em temperaturas ambientes elevadas.
Outra caracterstica importante de que um inversor para SFIs deve tolerar surtos de corrente
que ocorrem, por exemplo, na partida de motores eltricos, os quais podem exigir valores mais de
10vezes superiores corrente nominal do motor em curtos perodos de tempo, antes de entrar em
regime normal de trabalho. Alguns modelos de inversores podem tolerar altas potncias de surto, como
por exemplo duas vezes a potncia nominal em 1 minuto ou trs vezes a potncia nominal em 5
segundos. A potncia de surto suportada pelo equipamento varia inversamente com o tempo de
durao do surto.
A ttulo de exemplo, a Tabela 4.15 abaixo mostra as especificaes reais de um determinado
equipamento de potncia nominal de 5.000 W, em relao a potncia de surto e temperatura de
operao, extradas das folha de dados tcnicos do fabricante.
Tabela 4.15 Exemplo de especificaes de potncia de pico e de limitaes trmicas da potncia de um inversor.
@ 25 C @ 45 C
Potncia c.a. contnua 5.000W 4.000W
30 min 1min 3 s
Potncia de pico 6.500 W 8.400 W 12.000 W
Alguns modelos de inversores para SFIs permitem a operao em paralelo de mais de uma
unidade e/ou podem ser integrados para criar circuitos bifsicos ou trifsicos.
Para especificar um inversor preciso primeiramente considerar qual o tipo de inversor:
inversor de bateria, para SFI, ou inversor para SFCR. Os parmetros que devem ser especificados so:
a tenso de entrada c.c. e a tenso de sada c.a, faixa de variao de tenso aceitvel, potncia nominal,
potncia de surto, freqncia, forma de onda e distoro harmnica (THD), grau IP de proteo,
temperatura ambiente e umidade do local da instalao alm das certificaes e tempo de garantia
desejados.
As caractersticas a serem observadas nas especificaes de um inversor fotovoltaico so
apresentadas a seguir.
- Forma de onda e Distoro harmnica: a forma de onda da tenso c.a. produzida deve ser a
senoidal pura. A distoro harmnica total (THD) deve ser inferior a 5% em qualquer
potncia nominal de operao.
- Eficincia na converso de potncia: a eficincia a relao entre a potncia de sada e a
potncia de entrada do inversor. Nas especificaes fornecidas pelos fabricantes h
232
referncia, usualmente, apenas eficincia mxima. Entretanto, deve-se ter em conta que as
variaes na potncia de entrada e sada, o fator de potncia da carga, e outros fatores
influem negativamente na eficincia do inversor. A eficincia dos inversores varia,
normalmente, na faixa de 50 a 95 %, podendo diminuir quando esto funcionando abaixo da
sua potncia nominal. Quando operando alguns motores, a eficincia real pode ser inferior a
50 %. Na Figura 4.39 so mostradas algumas curvas de eficincia de inversores para uso em
SFIs.
Segundo os critrios especificados no RAC para ensaios de equipamentos fotovoltaicos do
Inmetro (INMETRO, 2011), a eficincia do inversor isolado dever ser superior a 80% na faixa de
operao entre 10% e 50% da potncia nominal e igual ou superior a 85% na faixa entre 50% e 100%
da potncia nominal. Atualmente, tem-se no mercado inversores que apresentam eficincias bastante
altas, o que permite especificaes de nveis superiores a pelo menos 85 e 90%, respectivamente.

Figura 4.39 Curvas de eficincia para cargas resistivas de alguns inversores para uso em sistemas fotovoltaicos isolados.
Fonte: (COUTO, 2000).
- Potncia nominal de sada: indica a potncia que o inversor pode prover carga em regime
contnuo. Num sistema isolado, o inversor deve ser especificado para fornecer uma potncia
sempre superior s necessidades mximas das cargas conectadas, de forma a considerar um
aumento momentneo da demanda de potncia. Para sistemas isolados tipo SIGFI
recomendvel escolher uma potncia nominal que seja prxima potncia total necessria
para alimentar as cargas e que esteja prxima a uma das classificaes citadas na RN
493/2012 (ANEEL, 2012a). Para aplicao em MIGDIs recomenda-se utilizar um fator de
diversidade que ser tanto maior quanto menor for o nmero de unidades consumidoras a
serem atendidas. Para os SFCRs, a potncia do inversor est associada potncia do painel
fotovoltaico utilizado.
233
- Potncia de surto: indica a capacidade do inversor em exceder sua potncia nominal por
certo perodo de tempo. Aplica-se somente aos inversores para sistemas isolados. Deve-se
determinar as necessidades de surtos para cargas especficas. Como j citado anteriormente,
algumas cargas c.a., quando acionadas, necessitam de uma corrente elevada de partida por
um curto perodo, para entrarem em operao (ver Tabela 4.15).
- Taxa de utilizao: o nmero de horas que o inversor poder fornecer energia operando
com potncia nominal.
- Tenso de entrada: a tenso c.c. do inversor. Conforme j mencionado, os valores mais
utilizados em SFIs no Brasil so 12V, 24V e 48 V, normalmente fornecidos por baterias, e
devem ser compatveis com os requisitos de entrada do inversor. A tenso de entrada do
inversor deve ser especificada tanto maior quanto maior for a potncia demandada pelas
cargas ao sistema fotovoltaico, a fim de se manter as correntes c.c. em nveis aceitveis.
Quando a bateria descarrega-se e a tenso c.c. do sistema cai abaixo de um valor mnimo
especificado, o inversor pode ser capaz de desconectar a carga automaticamente, fazendo a
funo LVD do controlador de carga. Nos inversores para SFCRs, os requisitos relacionados
tenso de entrada do inversor devem ser sempre atendidos pela associao em
srie/paralelo de mdulos.
- Tenso de sada: regulada na maioria dos inversores, e sua escolha nos sistemas isolados
depende da tenso de operao das cargas. No Brasil, dependendo da regio ou cidade so
usados os valores de 127 ou 220 V, sempre na frequncia de 60 Hz.A regulamentao Aneel
exige que os inversores para SIGFIs operem na tenso de distribuio BT adotada na regio.
Quanto aos inversores para SFCRs, a regulamentao especifica que devem operar em BT
para potncias de at 100kW, enquanto que para potncias superiores at 1MW, a injeo
dever ser feita na MT de distribuio (13,8kV).
- Regulao de tenso: indica a variao de amplitude permitida na tenso de sada c.a. Os
melhores inversores produzem uma tenso de sada praticamente constante para uma ampla
faixa de cargas.As variaes na tenso de sada devem estar de acordo com os limites
estabelecidos pela Aneel-PRODIST e devem considerar a queda de tenso no circuito de
distribuio de energia.
- Frequncia da tenso de sada: indica a frequncia da tenso c.a. de sada do inversor. Os
aparelhos eltricos convencionais usados como cargas c.a. no Brasil so fabricados para
operar na frequncia de 60 Hz. Alguns tipos de equipamentos, como relgios e timers
eletrnicos, necessitam de uma cuidadosa regulagem de frequncia para no apresentarem
perda de desempenho, o que deve ser atendido pelos inversores em SFIs.
234
- Fator de potncia: as cargas mais comuns, em sistemas residenciais, so indutivas com o
fator de potncia podendo chegar a 0,5. Os melhores inversores so projetados para
compensarem as cargas indutivas e manterem o fator de potncia prximo de 1, o que
maximiza a transferncia de potncia para a carga. desejvel que a carga tenha um fator de
potncia elevado, uma vez que isto reduz a corrente necessria para qualquer nvel de
potncia. O inversor deve ter um fator de potncia nominal compatvel com o fator de
potncia desejado para as cargas. Se os fatores de potncia das cargas no forem includos
em suas especificaes, eles podero ser obtidos do fabricante.
- Consumo de potncia sem carga (consumo permanente, autoconsumo, consumo em
standby): a quantidade de potncia que o inversor utiliza, mesmo quando nenhuma carga
est sendo alimentada. Para reduzir o autoconsumo, alguns inversores monitoram
continuamente a sua sada, detectando se alguma carga est sendo usada e passam a operar
efetivamente apenas a partir do momento em que uma carga detectada.
- Modularidade: em alguns sistemas, o uso de mltiplos inversores muito vantajoso. Alguns
modelos de inversores podem ser conectados em paralelo para operarem diferentes cargas.
Algumas vezes fornecido um chaveamento de carga manual para permitir que o inversor
possa atender s cargas crticas em caso de falha. Esta caracterstica aumenta a confiabilidade
do sistema.
- Temperatura e umidade do ambiente: Devem ser citada a temperatura ambiente mxima do
local da instalao na qual se requer a potncia nominal do inversor, pois a temperatura de
operao do mesmo afeta sua eficincia. Deve ser sempre especificada dissipao de calor
por conveco natural (sem partes mveis, como ventoinhas, pois estas, alm de consumirem
energia, requerem maior manuteno), e o local de instalao deve possuir ventilao
adequada. Alm disso, deve tambm ser citada a umidade relativa do ambiente e solicitada
proteo adequada quanto a este quesito (por exemplo, isolamento de resina do circuito
eletrnico).
- Compatibilidade eletromagntica: uma vez que efetuam chaveamento em alta frequncia, os
inversores podem ser elementos geradores de interferncia eletromagntica capaz de
prejudicar outros equipamentos eletrnicos e, principalmente, de telecomunicaes. Os
inversores para SFCRs dotados do selo CE mantem (filtragem, blindagem) os nveis de
emisses abaixo dos valores mximos estabelecidos pelas normas europeias de EMC.
- Grau de proteo: O grau de proteo IP (Ingress Protection) classifica e avalia o grau de
proteo de pessoas contra o contato a partes energizadas sem isolamento; de proteo contra
o contato as partes mveis no interior do invlucro e proteo contra a entrada de corpos
estranhos. (incluindo partes do corpo como mos e dedos) e o grau de proteo contra
235
entrada de poeira e contato acidental com gua em carcaas mecnicas e invlucros eltricos.
O grau de proteo IP a ser especificado varia de acordo com o ambiente onde o inversor
ser instalado, se abrigado ou no. Normalmente, para ambientes desabrigados se estabelece
IP54 ou melhor e para ambientes abrigados IP20 ou melhor.
- Protees: As principais protees apresentadas pelos inversores para sistemas fotovoltaicos
isolados so:
Sobretenso na entrada c.c.: um inversor pode ser danificado se o nvel de tenso de
entrada (c.c.) for excedido. A maioria dos inversores tem sensores que o desconectam
da bateria se os limites de tenso especificados forem excedidos.
I nverso de polaridade na entrada c.c.
Curto circuito na sada c.a.
Sobrecargas e elevao de temperatura: recomenda-se incluir controles capazes de
desligar a unidade, para impedir danos, se as cargas impostas ao inversor excederem
sua capacidade mxima ou se a temperatura de operao do inversor exceder o seu
limite. recomendvel que a proteo seja eletrnica e que tente reenergizar o
sistema algumas vezes antes de desligar o inversor definitivamente (neste caso
necessria uma religao manual). Isto evita que o sistema fique desligado devido a
problemas transitrios.
4.6.4 Inversores para SFCRs
Uma possvel classificao de tipos de inversores para SFCRs a seguinte:
I nversores Centrais inversores trifsicos de grande porte, com potncia numa faixa
que vai de centenas de kWp at MWp, utilizados em Usinas Fotovoltaicas (UFVs).
I nversores Multistring inversores trifsicos ou monofsicos dotados de vrias
entradas independentes com SPPMs para conexo de strings (fileiras) de mdulos.
So adequados a instalaes urbanas (telhados, fachadas) nas quais cada string pode
estar submetida a diferentes condies de irradincia e/ou sombreamento. Tem
potncia na faixa de dezenas de kWp.
I nversores de String inversores monofsicos dotados de apenas uma entrada
SPPM, adequados a instalaes de microgerao (at 10kWp);
Mdulo c.a. mdulo fotovoltaico associado a um microinversor (ver item 4.1.7).
Os inversores para SFCRs normalmente efetuam SPPM em suas entradas c.c. como uma forma
de eficientizao (ver item 4.8).
236
A eficincia de um inversor para conexo rede pode ser expressa pelo conjunto de Equaes
4.19, 4.20 e 4.21, que auto explicativo.

(4.19)

(4.20)

(4.21)
Onde:

(W) potncia instantnea c.c na entrada do inversor;


(W) potncia instantnea c.a na sada do inversor;


(W) potncia instantnea mxima do painel fotovoltaico nas condies de temperatura e


irradincia vigentes;

(%) eficincia de converso do inversor, o que inclui as perdas nos circuitos, no transformador,
nos componentes de chaveamento etc.;

(%) eficincia do inversor no seguimento do ponto de mxima potncia;

(%) eficincia total do inversor;


As eficincias totais destes inversores para conexo rede podem atingir valores de 98% para
circuitos sem transformador e 94% para inversores com transformador. Estas eficincias declaradas
pelos fabricantes normalmente se referem eficincia mxima, que se verifica apenas para
determinada condio de carga.
No intuito de permitir e facilitar a comparao entre diferentes inversores com base na sua
eficincia, foi criada a eficincia europia. Trata-se de uma mdia ponderada da eficincia do inversor
para vrias condies de carregamento, de acordo com uma distribuio determinada para o clima
europeu (Alemanha), segundo a Equao 4.22.

(4.22)
O valor
x%
corresponde eficincia do inversor para um carregamento de x%, enquanto que os
coeficientes (0,03; 0,06; 0,13; etc.) denotam as fraes de tempo que o inversor esperado funcionar
naquela condio de carregamento. A maioria dos fabricantes fornece a eficincia europeia nos dados
tcnicos dos inversores.
Nesta mesma filosofia, no estado da Califrnia (EUA) foi tambm definida a eficincia
californiana, de acordo com a Equao 4.23. A eficincia californiana considerada mais prxima s
condies brasileiras, mas a maioria dos fabricantes no a fornece.

(4.23)
Os painis fotovoltaicos para os SFCRs devem ser sempre dimensionados de acordo com as
caractersticas eltricas das entradas do inversor utilizado, incluindo tenso mxima, corrente mxima,
237
potncia mxima e faixa de operao do SPPM. As tenses utilizadas no painel devem ainda estar de
acordo com as especificaes de tenso mxima de operao dos mdulos.
Uma vez que as caractersticas tcnicas das redes eltricas variam entre pases, os requisitos
aplicados para interconexo de inversores rede so definidos em regras locais. No caso do Brasil,
tratam-se da regulamentao da Aneel e das normas da ABNT.
No Brasil, os inversores para SFCRs devem atender aos requisitos de proteo exigidos no item
5 da seo 3.3 Mdulo 3 do Prodist (Aneel, 2012c), o que inclui a proteo anti-ilhamento e a
exigncia de transformador de acoplamento, entre outras.
O fenmeno denominado ilhamento uma situao em que numa determinada seo da rede
eltrica a demanda de potncia igual gerao fotovoltaica e um (ou mais) SFCR(s) permanece(m)
funcionando e alimentando a carga quando a rede desenergizada pela distribuidora. considerada
uma situao inaceitvel por comprometer a segurana da manuteno da rede. Por isso, os inversores
para SFCRs devem ser dotados de proteo anti-ilhamento, o que implica que estes desconectem
automaticamente da rede eltrica de distribuio, sempre que esta for desenergizada por motivo de
falha ou de manuteno programada da distribuidora.
Alguns inversores incorporam um transformador de acoplamento enquanto que outros no o tem
(transformerless inverters). Os transformadores podem ser de baixa frequncia (60 Hz) para acoplar a
tenso de sada na rede, ou de alta frequncia (kHz), que tem menores perdas e menores dimenses,
porem custo mais elevado (no s o transformador em si, mas o circuito como um todo). No Brasil, a
regulamentao Aneel exige o transformador de acoplamento nos SFCRs de minigerao, ou seja, cuja
potncia instalada superior a 100kW
p
, de forma que se estes no j estiverem incorporados no
inversor, ento tero de ser instalados externamente. A Tabela 4.16 apresenta uma comparao e
caractersticas de inversores para conexo rede com e sem transformador.
Tabela 4.16 Comparao de caractersticas de inversores para conexo rede com e sem transformador.
Com transformador Sem transformador
- maior peso e volume
- maiores perdas (perdas magnticas e hmicas) o que
resulta em menor eficincia
- permite que o painel fotovoltaico opere numa tenso
mais baixa
- menor interferncia eletromagntica
- os circuitos c.c. e c.a so isolados
- menores requisitos de proteo
- menor peso e volume
- maior eficincia, principalmente se no possuir
estgio de converso c.c.-c.c. (para isso tem que
operar com tenso do gerador fotovoltaico superior
tenso de pico da rede)
- maior interferncia eletromagntica
- pode ser necessria a instalao de dispositivos de
proteo adicionais (disposto diferencial-residual,
disjuntor de corrente direcional etc.), conforme a
regulamentao local, devido falta de isolamento
entre os circuitos c.c. e c.a.
238
No Brasil o inversor para conexo rede deve atender norma ABNT NBR 16149:2013
(ABNT, 2013b), que estabelece parmetros como: faixas de variao de tenso e frequncia, THD,
proteo contra ilhamento, fator de potncia etc.
Quase todos os inversores para conexo rede existentes no mercado possuem incorporadas
funes de monitorao e aquisio de dados, de forma a disponibilizar ao usurio informaes
operacionais. Entre os dados que podem ser cobertos esto: energia diria gerada, estado do
equipamento e histrico de falhas, valores instantneos de Pcc (potncia c.c.), Pca (potncia c.a.), Vcc
(tenso c.c.), Vca (tenso c.a.), etc. Alguns equipamentos aceitam inclusive a conexo de sensores
externos (radiao solar, temperatura, etc.), seja diretamente seja atravs de equipamentos externos
auxiliares. Alm de consultados no prprio painel do equipamento, tais dados podem se transferidos
atravs de meios como interface USB, modem GSM e rede wireless para anlise detalhada em um
computador, facilitando sobremaneira a deteo de falhas. Para SFCRs com potncias de at algumas
dezenas de kWp, tais recursos so equivalentes a um pequeno sistema de superviso e controle tipo
SCADA.
Os inversores para SFCRs so muitas vezes garantidos pelos fabricantes por perodos de 5 a 10
anos.
4.6.5 Critrios de qualidade de um inversor
Um inversor para sistemas fotovoltaicos deve possuir as seguintes caractersticas:
- Alta eficincia de converso, tanto na carga nominal quanto em cargas parciais;
- Alta confiabilidade e baixa manuteno;
- Operao em uma faixa ampla de tenso de entrada;
- Boa regulao na tenso da sada;
- Forma de onda senoidal com baixo contedo harmnico;
- Baixa emisso de rudo audvel;
- Baixa emisso de interferncia eletromagntica;
- Tolerncia aos surtos de partida das cargas a serem alimentadas;
- Segurana tanto para as pessoas quanto para a instalao;
- Grau de proteo IP adequado ao tipo de instalao;
- Garantia de fbrica de pelo menos 2 anos.
Devido elevada frequncia de chaveamento para a formao dos pulsos PWM, os inversores
podem gerar perturbaes eletromagnticas. Isto significa que aspectos relativos compatibilidade
eletromagntica precisam ser considerados. Estes problemas podem ser minimizados atravs do uso de
filtros adequados e blindagem do equipamento. O RAC do Inmetro (INMETRO, 2011) ainda no
239
prev ensaios de compatibilidade eletromagntica, mas na especificao do equipamento podem ser
solicitados requisitos de acordo com normas internacionais, como a IEC 61.000.
Deve-se ainda verificar a disponibilidade de fornecedores e o histrico do fabricante e do modelo
do inversor. Em sistemas isolados remotos deve-se preferir a utilizao de modelos j testados e
confiveis. A procedncia do inversor uma questo importante j que, diferentemente dos
controladores, h muitos fabricantes deste dispositivo que no apresentam a robustez e confiabilidade
desejadas.
4.6.6 Registro do Inmetro
Os inversores comercializados no Brasil devem apresentar o registro do Inmetro e a etiqueta de
modelo idntico etiqueta de controladores de carga apresentada na Figura 4.27, afixada no prprio
produto. Os ensaios a serem realizados so, em condies nominais, autoconsumo, eficincia,
distoro harmnica, regulao da tenso e frequncia e sobrecarga. Em condies extremas, so
realizados ensaios de proteo contra inverso de polaridade, proteo contra curto-circuito na sada, e
eficincia, distoro harmnica, regulao da tenso e da frequncia em ambiente a 40 C.
4.7 Conversores c.c.-c.c.
Uma aplicao muito comum de conversores c.c.-c.c. como controlador de carga de baterias a
partir da energia gerada por geradores fotovoltaicos. Com a utilizao destes conversores possvel
controlar de forma mais precisa a corrente e a tenso que so aplicadas s baterias, proporcionando
assim um aumento da vida til das mesmas e uma melhor eficincia do processo de transferncia de
energia do gerador para a bateria. Outra aplicao tpica destes conversores como controlador em
sistemas de bombeamento fotovoltaico, sendo a bomba dotada de um motor c.c.
Este tipo de conversor pode conter um sistema de controle que permite extrair do painel
fotovoltaico a mxima potncia que est sendo gerada e com isso obtem um melhor rendimento do
sistema. Este mecanismo de controle conhecido por seguimento do ponto de potncia mxima
(SPPM, ou MPPT em ingls) e, dependendo da situao, pode resultar em significativo ganho de
energia.
Tambm necessrio utilizar este conversor quando se deseja uma tenso c.c. de sada de valor
diferente daquele fornecido pelas baterias e geradores fotovoltaicos. Pode-se utilizar este conversor
tanto para elevar a tenso (conversores tipo boost) quanto para abaixar a tenso (conversores tipo
buck). Tambm possvel obter com este conversor vrias tenses de sada a partir de uma nica
tenso de entrada.
A eficincia dos conversores depende dos semicondutores de potncia utilizados e de alguns
outros fatores, como potncia nominal, fator de multiplicao da tenso, etc. Normalmente, os
240
conversores para abaixar a tenso tm uma eficincia maior do que os conversores para elev-la.
Quanto mais o conversor elevar a tenso de entrada, menor ser a eficincia de converso.
Os conversores c.c.-c.c. tambm podem proporcionar isolamento galvnico entre entrada e sada,
o que pode ser necessrio em alguns tipos de aplicao, principalmente quando a tenso de sada
elevada.
Tambm podem ser parte integrante de inversores, como um estgio de entrada, de forma a
adequar o nvel de tenso na sada do sistema fotovoltaico ao necessrio na entrada do estgio seguinte
do inversor, que o conversor c.c.-c.a.
Normalmente os conversores incluem mecanismos de proteo que garantem uma operao
segura e evitam que em caso de alguma falha (curto-circuito na sada, sobretenses de entrada etc.) o
mesmo seja danificado.
Em geral, estes equipamentos utilizam conversores tipo BUCK ou CUK
30
, em configuraes
elevadoras ou redutoras de tenso, de forma a obter o valor de tenso necessrio na sada. A
transferncia de energia se processa atravs do chaveamento da tenso de entrada de forma adequada.
Controlando o perodo e a freqncia de chaveamento dos dispositivos semicondutores, possvel
regular a tenso de sada nos valores desejados. Os dispositivos de chaveamento mais utilizados so os
transistores de potncia em suas vrias verses, especialmente MOSFETs e IGBTs (ver item 4.6.1.1).
4.8 Seguimento do Ponto de Potncia Mxima (SPPM)
Um gerador fotovoltaico submetido a uma irradincia solar uniforme (sem sombreamentos
parciais) e sem clulas ou mdulos defeituosos tem uma curva P-V com o formato semelhante ao
apresentado na Figura 4.40(a), na qual existe um nico ponto com derivada nula, ou seja, onde atinge
um mximo. Este ponto particular da curva o chamado P
PM
- ponto de potncia mxima, no qual o
produto da corrente pela tenso tem o seu valor mximo.
Conforme j apresentado no item 4.1.3, a corrente produzida pelos mdulos fotovoltaicos
diretamente proporcional irradincia solar e muito pouco afetada pela temperatura da clula.
Entretanto, a tenso e, consequentemente, a potncia gerada decrescem significativamente com o
aumento da temperatura. Portanto, os valores de corrente e tenso de potncia mxima (I
PM
,V
PM
e P
PM
)
so dependentes das condies de irradincia (principalmente a corrente) e de temperatura da clula
(principalmente a tenso).
Embora as variaes de temperatura da clula sejam tipicamente mais lentas, da ordem de
dezenas de segundos, a irradincia pode apresentar mudanas drsticas em questo de segundos, como

30
Trata-se de circuitos de eletrnica de potncia baseados em indutores e/ou transformadores e que operam chaveados por
dispositivos semicondutores como MOSFETs ou IGBTs.
241
resultado da passagem de nuvens. Da mesma forma, sombreamentos parciais provocados por rvores e
edificaes prximas, alm de folhas ou sujeiras depositadas sobre a superfcie dos mdulos, podem
provocar distores na curva caracterstica do gerador fotovoltaico, inclusive com a ocorrncia de
mximos locais, como mostrado na Figura 4.40(b).

(a)

(b)
Figura 4.40 Curvas I-V (preta) e P-V (cinza) de um gerador de seis mdulos de 72 clulas em srie, mostrando a
ocorrncia de mximos locais na curva de potncia em decorrncia de sombreamentos parciais: (a) todos sem
sombreamento e (b) com um dos mdulos submetido a um fator de sombreamento de 50 %.
242
Assim sendo, conveniente que haja um mecanismo de controle eletrnico que observe
continuamente as modificaes na curva caracterstica I-V e atue sobre a eletrnica do inversor e/ou do
conversor c.c.-c.c., de modo a manter o gerador fotovoltaico operando na tenso correspondente
tenso de mxima potncia, maximizando a transferncia de potncia e evitando perdas nas clulas,
que surgiriam se o acoplamento ocorresse em outra tenso que no a tima. Este processo o chamado
de seguimento do ponto de potncia mxima (SPPM ou MPPT, em ingls).
Um seguidor do ponto de mxima potncia deve apresentaras seguintes caractersticas:
- Preciso: implica em medidas de corrente e tenso de qualidade;
- Eficcia: ser capaz de encontrar o ponto de potncia mxima, mesmo com a ocorrncia de
mximos locais;
- Rapidez: deve adaptar-se com presteza s variaes bruscas de irradincia causadas, por
exemplo, por nuvens passageiras.
Um dispositivo de seguimento de potncia mxima pode ser dividido em dois blocos bsicos:
uma seo de controle e uma seo de condicionamento de potncia. No caso de inversores de dois
estgios, a seo de potncia do SPPM consiste geralmente em um conversor c.c.-c.c. em modo
chaveado. A utilizao do conversor c.c.-c.c. permite uma maior flexibilidade na faixa de tenso de
entrada, s custas de uma reduo da ordem de 2 % na eficincia global do inversor, em funo dos
componentes adicionais. Os inversores com mltiplas entradas (multistring) ou os arranjos com
mltiplos inversores para sistemas fotovoltaicos conectados rede (SFCR) podem possuir dois ou
mais dispositivos de SPPM independentes, a fim de permitir a utilizao de arranjos fotovoltaicos com
caractersticas eltricas ou orientaes diferentes, por exemplo.
No caso do inversor de nico estgio, a seo de potncia do seguidor de potncia mxima a
prpria ponte inversora e a converso obrigatoriamente do tipo redutora. Isto implica que, no caso de
inversores para conexo rede sem transformador, o gerador fotovoltaico deve ter uma tenso de
operao mnima superior ao valor de pico da tenso c.a. da rede, ou o dobro desta, dependendo da
topologia de circuito utilizada.
O bloco de controle do SPPM encarrega-se do ajuste da tenso de polarizao do gerador
fotovoltaico atravs de algoritmos que atuam sobre o controle eletrnico (driver) dos dispositivos de
chaveamento do conversor c.c.-c.c.e/ou da ponte inversora. O algoritmo de controle tem como entrada
dados instantneos de tenso e corrente de operao do gerador fotovoltaico (alm de, eventualmente,
outros parmetros como temperatura da clula e irradincia solar). Sua implementao pode ser feita
de forma analgica ou, mais comumente, digital, atravs de microprocessadores ou processamento
digital de sinais (DSP digital signal processing).
243
A localizao de um SPPM, quando includo em um SFV, depende da caracterstica eltrica da
carga, que pode ser alimentada em c.c. ou em c.a. Desta forma, o controle SPPM poder atuar tanto
integrado a um conversor c.c.-c.c. quanto a um inversor. A Figura 4.41 mostra exemplos de sistemas
que utilizam SPPM.

Figura 4.41 Exemplo de sistemas fotovoltaicos que utilizam SPPM.
4.8.1 Algoritmos de seguimento do ponto de potncia mxima
Como visto anteriormente, a funo de um dispositivo de seguimento de potncia mxima
(SPPM) otimizar a extrao de potncia do gerador fotovoltaico, atravs do ajuste contnuo ou
peridico de seus valores de tenso e corrente para cada condio de irradincia e temperatura de
clula, de modo que este esteja sempre polarizado em um ponto de potncia mxima (P
PM
= V
PM

I
PM
). Como os valores de V
MP
e I
PM
no so conhecidos de antemo, preciso encontr-los atravs de
clculos e/ou algoritmos. As estratgias de SPPM dividem-se em duas categorias: mtodos diretos e
mtodos indiretos.
Os mtodos diretos, ou de seguimento verdadeiro, so aqueles que utilizam medies em tempo
real da corrente e da tenso disponveis na entrada do inversor, para encontrar o ponto de potncia
mxima do gerador fotovoltaico. Os mtodos diretos no necessitam de informaes prvias sobre as
caractersticas do gerador fotovoltaico e so, em princpio, capazes de reagir a variaes rpidas nas
condies de operao dos mdulos. So exemplos de mtodos diretos o perturbar &observar (P&O
perturb & observe) e o da condutncia incremental (IncCond).
Os mtodos indiretos (tambm chamados de quase-seguimento) so aqueles que utilizam um
sinal de referncia (irradincia, temperatura dos mdulos, corrente de curto-circuito ou tenso de
circuito aberto de uma clula de referncia ou do prprio gerador fotovoltaico) para estimar o ponto de
244
mxima potncia. Essa informao confrontada com uma base de dados ou algum modelo
matemtico com as caractersticas previamente determinadas do gerador fotovoltaico especfico. Por
serem sujeitos a imprecises e incapazes de detectar os efeitos de sombreamentos parciais,
envelhecimento e acmulo de sujeira sobre os mdulos, os mtodos indiretos so pouco utilizados.
A seguir so apresentados, respectivamente, trs mtodos indiretos e dois diretos de seguimento
do ponto de potncia mxima mais utilizados.
Tenso fixa: este mtodo consiste em manter o gerador fotovoltaico polarizado em uma tenso
de operao tima, a fim de se obter o mximo de gerao ao longo de um determinado perodo. O
valor da tenso de polarizao (best fixed voltage) ajustado previamente, escolhido a partir de
informaes das caractersticas do gerador fotovoltaico, preferivelmente considerando a sequncia
histrica de dados de irradincia e temperatura locais. O mtodo da tenso fixa, por sua natureza (a
rigor no um mtodo de seguimento), incapaz de responder a variaes nas condies atmosfricas,
sombreamentos parciais e alteraes nas caractersticas do gerador fotovoltaico, decorrentes de
envelhecimento, sujeira etc. Mesmo assim, pode ser til quando combinado com outros mtodos,
especialmente sob condies de baixa irradincia.
Tenso de circuito aberto: este mtodo baseia-se no pressuposto de que a tenso de potncia
mxima est relacionada tenso de circuito aberto por uma constante de proporcionalidade. Assim,
durante a operao, o gerador fotovoltaico periodicamente desconectado por meio de uma chave
eletrnica, sendo ento sua tenso de circuito aberto medida e um novo valor de polarizao calculado.
O valor da constante de proporcionalidade uma caracterstica particular do gerador fotovoltaico,
associada tecnologia utilizada na fabricao das clulas fotovoltaicas e tambm s condies de
irradincia e de temperatura. Valores tpicos situam-se entre 0,7 (filmes finos) e 0,8 (silcio cristalino).
Embora de fcil implementao, necessitando da medida de uma nica grandeza, o mtodo tem como
desvantagem a incapacidade de detectar variaes bruscas de irradincia e sombreamentos parciais,
alm de requerer uma chave extra para a medio da tenso de circuito aberto, e acarretar uma perda
energtica nos momentos em que o gerador fotovoltaico est desconectado.
Corrente de curto-circuito: similarmente ao anterior, este mtodo considera que a corrente de
mxima potncia est relacionada corrente de curto-circuito por uma constante de proporcionalidade,
associada tecnologia utilizada na fabricao das clulas fotovoltaicas e com valores tpicos entre 0,8
(filmes finos) e 0,9 (silcio cristalino). As desvantagens so similares quelas do mtodo da tenso de
circuito aberto.
Perturbe & observe: este mtodo o mais utilizado em sistemas de seguimento de potncia
mxima para inversores conectados rede. Seu funcionamento consiste em forar o deslocamento do
ponto de operao em uma dada direo (perturbar) e observar o resultado na potncia de sada do
245
gerador fotovoltaico. A modificao no ponto de operao feita atravs de pequenos incrementos
(positivos ou negativos) na tenso de polarizao a intervalos de tempo determinados. Um incremento
positivo de tenso, por exemplo, refletindo-se em um aumento da potncia, indica que o ponto de
operao se deslocou em direo ao ponto de mxima potncia e a perturbao deve prosseguir no
mesmo sentido. Quando a potncia de sada comear a diminuir, significa que a tenso de mxima
potncia foi ultrapassada e a prxima perturbao de tenso deve ser no sentido oposto. O processo se
repete e, como resultado, o ponto de operao fica oscilando em torno do valor exato da tenso de
mxima potncia.
Condutncia incremental: este mtodo um aperfeioamento do mtodo perturbe & observe e
consiste na determinao do ponto de potncia mxima a partir do sinal da derivada da potncia em
relao tenso. O mtodo permite calcular em qual sentido a perturbao no ponto de operao
dever ser feita, evitando que, no caso de variaes rpidas de irradincia, o seguidor tome o sentido
errado.
4.9 Dispositivos de Proteo, Superviso e Controle e Aquisio e Armazenamento de Dados
Tanto os sistemas fotovoltaicos isolados quanto os conectados rede so bastante confiveis. No
entanto, como os SFI operam geralmente em regies remotas e os conectados rede operam em
paralelo com a rede, a ocorrncia de defeitos ou falhas inesperados pode demorar a ser detectada,
prejudicando o desempenho global do sistema e at mesmo levando-o ao colapso.
Existem diversos dispositivos auxiliares que objetivam reduzir a possibilidade de falhas e, na
ocorrncia destas, devem notificar imediatamente o operador do sistema fotovoltaico para tomar
providncias imediatas para correo do problema.
4.9.1 - Proteo
O correto dimensionamento e a adequada utilizao de dispositivos de proteo contribuem para
a minimizao ou at mesmo a eliminao de falhas. O avano tecnolgico dos componentes de
sistemas fotovoltaicos faz com que todos eles apresentem, alm de robustez, dispositivos de proteo
integrados. o caso, por exemplo, dos dispositivos anti-ilhamento presentes na maioria dos inversores
para SFCRs. Alm dos dispositivos de proteo integrados aos equipamentos, a instalao de outros
dispositivos de proteo externos deve ser prevista, como disjuntores, dispositivos de proteo contra
surtos (DPS), sistemas de aterramento e sistemas de proteo contra descargas atmosfricas (SPDA).
Especificamente no caso de sistemas fotovoltaicos conectados rede (SFCRs), a regulamentao
ANEEL (Aneel, 2012c) exige, como padro tcnico, a instalao, aps o medidor, de uma chave
seccionadora sob carga, denominada de dispositivo de seccionamento visvel (DSV), utilizada para
garantir a desconexo da gerao fotovoltaica durante procedimentos de manuteno de rede. A Figura
246
4.42 apresenta um esquema de uma instalao tpica de dispositivos de proteo para um SFCR, que
pode ser facilmente adaptado para um SFI. O SPDA deve proteger a rea onde o gerador fotovoltaico
est instalado e a estrutura de abrigo dos dispositivos de condicionamento de potncia, e deve estar
conectado a um sistema de aterramento adequado, assim como o inversor, DPS e barramento de
aterramento do quadro geral da instalao.
A Figura 4.43 apresenta um diagrama eltrico de um sistema tipo SIGFI30 de um projeto da
Eletrobras para a regio Norte, onde se pode observar as protees por disjuntores e fusveis que foram
adotadas.
O tema detalhado no Captulo 7.

Figura 4.42Desenho de uma instalao tpica de dispositivos de proteo para um SFCR.
247

Figura 4.43 Diagrama eltrico de um SIGFI30 de um projeto da Eletrobras Distribuio Acre.
4.9.2 - Superviso e Controle, Aquisio e Armazenamento de dados
Sistemas de superviso e controle geralmente so aplicados a sistemas fotovoltaicos de maior
porte e complexidade, muitas vezes em instalaes hbridas contando com grupos geradores com
motores a combusto interna. Nesse caso, uma unidade de superviso em corrente alternada (USCA)
associada ao grupo gerador, operando em sincronismo com outros dispositivos de superviso e
controle, como, por exemplo, chaves atuadoras e controladores lgicos programveis (CLP), pode
tomar decises e atuar automaticamente no sistema, de modo a otimizar sua operao, ajustar pontos
de regulagem e, assim, elevar a eficincia global do sistema.
A instalao de um SFI em regies geralmente remotas e a dificuldade em se detectar uma perda
de desempenho ou uma falha em um SFCR, em funo de operar paralelamente rede eltrica, so
condies que tornam desejveis a instalao de sistemas de superviso e controle e de registro dos
248
dados (sistemas de aquisio e armazenamento de dados), para que eventos indesejveis possam ser
detectados mais rapidamente.
Sistemas de aquisio e armazenamento de dados podem permitir somente a coleta manual dos
dados no local ou, o que mais indicado na maioria das aplicaes, podem estar conectados a um
sistema de transmisso remota, que envia, de forma automtica e peridica, os dados coletados para
um computador do responsvel pela operao e manuteno do sistema, via satlite, internet ou rede
de dados mveis (celular). Dessa forma, este sistema integrado pode apresentar ao operador, mesmo
estando distante do local de instalao, dados em tempo real do desempenho do sistema, para que
situaes indesejadas sejam detectadas e solucionadas o mais rpido possvel.
Alguns modelos de controladores de carga e inversores possuem sistemas de aquisio e
armazenamento de dados integrados, facilitando assim o monitoramento das instalaes. Na ausncia
desta funcionalidade, equipamentos de medio e registro de dados podem ser previstos e instalados
em diversos pontos do sistema. Para isso, so usados transdutores de tenso e corrente e registradores
de dados (dataloggers). Os dados monitorados na maior parte das aplicaes so tenso, corrente,
potncia ativa e energia ativa, tanto no lado c.c. quanto no lado c.a. A Figura 4.44 apresenta pontos de
superviso e controle e de aquisio de dados em um SFI.

Figura 4.44 Pontos de superviso, controle e aquisio de dados em um SFI. Fonte: Adaptado de (PINHO et al., 2008).
Grandezas meteorolgicas como irradincia no plano horizontal ou no plano de instalao do
gerador fotovoltaico, e as temperaturas, ambiente, da superfcie traseira do mdulo fotovoltaico e do
banco de baterias so normalmente medidas pelo sistema de aquisio e armazenamento de dados,
para conferir maior qualidade e preciso monitorao.
249
Entretanto a instalao desses sistemas deve ser realizada aps uma anlise custo-benefcio. A
complexidade dos sistemas de superviso e controle deve ser proporcional ao prejuzo que se tem pela
indisponibilidade de energia e, ainda, conforme especificado na regulamentao vigente. Deve-se
tambm levar em conta a forma como os dados sero transmitidos ao setor de operao do sistema e
como sero analisados, se de forma automatizada ou no. Os servios de transmisso de dados de
locais remotos podem tornar o custo do sistema de superviso proibitivo e pode ser mais vivel a
aquisio dos dados por coletas manuais. Em geral, sistemas isolados de pequeno porte (centenas de
watt a alguns kW) trabalham sem operao local e sem superviso e controle remotos devido aos altos
custos, mas podem contar com os recursos de proteo e reconexo dos prprios inversores e
controladores fotovoltaicos.
4.9.2.1 Sistema de Coleta de Dados Operacionais (SCD)
A Lei n 12.111/2009 dispe sobre os servios de energia eltrica nos Sistemas Isolados e prev
a cobertura do custo total da gerao de energia eltrica para o atendimento ao servio pblico de
distribuio de energia eltrica, por meio de recursos da Conta de Consumo de Combustveis CCC.
No custo total de energia, esto includos os custos relativos contratao de energia, gerao
prpria, aos investimentos realizados etc.
A ANEEL publicou a RN 427/2011(ANEEL, 2011), posteriormente modificada pela 494/2012,
regulamentando a Lei n 12.111, onde foram estabelecidos os procedimentos para planejamento,
formao, processamento e gerenciamento da CCC. A resoluo descreve ainda o Sistema de Coleta
de Dados Operacionais SCD, que tem como principal objetivo possibilitar ao agente gerador o
ressarcimento de parte dos seus custos totais de gerao, includos custos com combustveis. No caso
especfico de MIGDI e SIGFI, a Resoluo Normativa ANEEL n 493/2012 estendeu para esses
sistemas a cobertura pela CCC de parte dos custos de gerao, desde que os mesmos atendam
localidades remotas dos Sistemas Isolados. A obrigatoriedade de instalao do SCD exigida apenas
para os sistemas MIGDI.
O SCD constitudo por um conjunto de equipamentos responsveis pela medio, registro,
armazenamento e disponibilizao dos dados de operao das usinas geradoras referentes s grandezas
eltricas e ao consumo de combustveis. Tendo em vista que a potncia instalada total de gerao dos
MIGDI inferior a 1 MW, no h obrigatoriedade de medio de consumo de combustvel, no caso,
por exemplo, de sistemas hbridos com gerao a leo.
Os medidores, associados ou no a equipamento externo, devem possibilitar no mnimo:
- programao e sincronismo externo do relgio/calendrio interno;
- gerao de arquivos de sada em formato pblico (arquivo texto);
- programao dos fatores de converso das grandezas medidas;
250
- leitura dos valores medidos e da memria de massa por meio de interface serial ou porta
ptica de comunicao;
- programao de um cdigo de identificao alfanumrico com pelo menos 14 (quatorze)
dgitos;
- facilidades de software e hardware que permitam operaes de leitura, programao,
armazenamento e alteraes de parmetros tanto na forma local quanto na forma remota;
- registro e armazenamento em memria de massa da totalizao, a cada 15 minutos, das
grandezas fsicas medidas no perodo de um ano ou estar associado a um dispositivo de
armazenamento com a mesma capacidade;
- sinal de sada digital;
- configurao para que o dado no seja substitudo por zero quando houver falha na medio.
O SCD dever medir, registrar e armazenar, em base horria, as seguintes grandezas eltricas:
tenso eltrica fase-neutro para cada fase, expressos em quilovolt (kV); corrente eltrica para cada
fase, expressas em ampre (A); potncia ativa, expressa em quilowatt (kW); potncia reativa, expressa
em quilovolt-ampre-reativo (kvar); energia ativa de cada fase, expressa em quilowatt-hora (kWh);
energia reativa de cada fase, expressa em quilovolt-ampre-reativo-hora (kvarh); valor da frequncia,
expressa em hertz (Hz). Os arquivos digitais esses dados devem ser enviados a Eletrobras com
periodicidade de at 3 meses.
4.10 Referncias
ABNT NBR 10899.Energia solar fotovoltaica Terminologia, segunda edio. Associao
Brasileira de Normas Tcnicas. 04 de novembro de 2013a.
ABNT NBR 16149. Sistemas Fotovoltaicos (FV) Caractersticas da interface de conexo
com a rede eltrica de distribuio. Primeira edio. Associao Brasileira de Normas Tcnicas. 1 de
maro de 2013b.
ABNT NBR 14197. Acumulador chumbo-cido estacionrio ventilado Especificaes.
Associao Brasileira de Normas Tcnicas. Outubro de 1998.
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica. Resoluo Normativa N
o
427/2011.22 de
fevereiro de 2011.
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica. Resoluo Normativa N
o
493/2012. 5 de
junho/2012a.
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica. Resoluo Normativa N
o
482/2012. 17 de
abril de 2012b.
251
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica. Procedimentos de Distribuio de Energia
Eltrica no Sistema Eltrico Nacional Prodist; Mdulo 3 Acesso ao Sistema de Distribuio.
Reviso 5. 14 de dezembro de 2012c.
COUTO, M. B. Ensaios de equipamentos de consumo tpicos utilizados em sistemas
fotovoltaicos. Porto Alegre, Brasil: Dissertao de Mestrado, Programa de Ps-Graduao em
Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, 2000. 96 p.
ELETROBRAS: OLIVIERI, M. M. A.; LIMA, A.A.N.; BORGES, E.L.P.; CARVALHO, C.M.
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253
CAPTULO 5
APLICAES DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
254
CAPTULO 5 APLICAES DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
Os Sistemas Fotovoltaicos (SFV) podem ser classificados em duas categorias principais: isolados
e conectados rede. Em ambos os casos, podem operar a partir apenas da fonte fotovoltaica ou
combinados com uma ou mais fontes de energia, quando so chamados de hbridos. A utilizao de
cada uma dessas opes depende da aplicao e/ou da disponibilidade dos recursos energticos. Cada
um deles pode ser de complexidade varivel, dependendo da aplicao em questo e das restries
especficas de cada projeto. Isto pode ser facilmente visualizado, por exemplo, quando se considera a
utilizao de um sistema hbrido diesel-fotovoltaico. Neste caso, a contribuio de cada fonte poder
variar de 0 a 100 %, dependendo de fatores como: investimento inicial, custo de manuteno,
dificuldade de obteno do combustvel, poluio do ar e sonora do grupo gerador a diesel, rea
ocupada pelo sistema fotovoltaico, curva de carga etc.
Sistemas isolados (SFI), puramente fotovoltaicos (SFV) ou hbridos (SFH), em geral, necessitam
de algum tipo de armazenamento. O armazenamento pode ser em baterias, quando se deseja utilizar
aparelhos eltricos nos perodos em que no h gerao fotovoltaica, ou em outras formas de
armazenamento de energia. A bateria tambm funciona como uma referncia de tenso c.c. para os
inversores formadores da rede do sistema isolado.
Em um sistema de bombeamento de gua, onde esta armazenada em tanques elevados, a
energia geralmente armazenada na forma de energia potencial gravitacional. Sistemas de irrigao
podem ser exemplos de sistemas isolados sem armazenamento, quando toda a gua bombeada
imediatamente usada, ou com armazenamento, quando a gua bombeada armazenada em um
reservatrio elevado para uso posterior. Alm das baterias e da energia gravitacional mencionadas
acima, existem outras formas de armazenar a energia gerada, como o ar comprimido, o volante de
inrcia (flying wheel), a produo de hidrognio etc., como j mencionadas no captulo anterior.
Os sistemas isolados de gerao de energia contam tambm com uma unidade responsvel pelo
controle e condicionamento de potncia composta por inversor e controlador de carga.
A Figura 5.1 mostra o esquema de um SFI bsico.

255

Figura 5.1 - Configurao bsica de um SFI.
Conforme mencionado anteriormente, chamam-se sistemas hbridos queles em que existe mais
de uma forma de gerao de energia, como por exemplo, grupo gerador a diesel, aerogeradores e
geradores fotovoltaicos. Estes sistemas so mais complexos e necessitam de algum tipo de controle
capaz de integrar os vrios geradores, de forma a otimizar a operao para o usurio. Existem vrias
configuraes possveis, assim como estratgias de uso de cada fonte de energia. A Figura 5.2
apresenta uma destas possibilidades.

Figura 5.2 - Exemplo de sistema hbrido.
Em geral, utilizam-se sistemas hbridos para o atendimento a cargas em corrente alternada (c.a.)
necessitando-se, portanto, de um inversor. Devido maior complexidade e multiplicidade de opes e
o constante aperfeioamento dessas unidades, a forma de otimizao desses sistemas ainda hoje tema
256
de estudos. Alm disso, h de se considerar que a utilizao de sistemas hbridos traz uma
complexidade operacional e de manuteno do sistema que uma questo muito desvantajosa para
empreendimentos em regies remotas. Este Manual no se aprofunda neste assunto, devendo o
interessado buscar outras fontes de consulta.
Sistemas conectados rede so aqueles em que a potncia produzida pelo gerador fotovoltaico
entregue diretamente rede eltrica. Para tanto, indispensvel que se utilize um inversor que
satisfaa s exigncias de qualidade e segurana, para que no degrade a qualidade do sistema eltrico
ao qual se interliga o gerador fotovoltaico. Os Sistemas Fotovoltaicos Conectados Rede (SFCR)
foram includos na regulamentao disposta pela Aneel, atravs da Resoluo 482 de abril de 2012,
que estabeleceu preliminarmente as condies gerais para o acesso de microgerao e minigerao
distribuda aos sistemas de distribuio de energia eltrica. A Figura 5.3 mostra o esquema de um
SFCR. Atualmente a regulamentao no permite a operao ilhada desses sistemas, ou seja, em caso
de falta de energia na rede de distribuio o SFCR pra de funcionar.

Figura 5.3 - Sistema fotovoltaico conectado rede.
5.1 Sistemas Fotovoltaicos Isolados
Os sistemas isolados podem ser individuais ou em minirredes. No primeiro caso a gerao
exclusiva para atendimento de uma nica unidade consumidora, enquanto que no caso da minirrede, a
gerao partilhada entre um pequeno grupo de unidades consumidoras que esto geograficamente
prximas umas das outras.
Os sistemas isolados foram regulamentados inicialmente pela Resoluo Aneel N 83/2004, a
qual teve um papel importante na insero dos sistemas fotovoltaicos nos programas de eletrificao
257
rural no pas. Devido ao potencial de uso das diferentes configuraes usando fontes intermitentes e
demanda por atendimento de minirredes isoladas, a Aneel publicou em junho de 2012 a Resoluo
Aneel N 493/2012 (ANEEL, 2012), que substitui a anterior e estabelece os procedimentos e as
condies de fornecimento por meio de Microssistema Isolado de Gerao e Distribuio de Energia
Eltrica (MIGDI), alm do Sistema Individual de Gerao de Energia Eltrica com Fontes
Intermitentes (SIGFI), o qual j havia sido regulamentado pela resoluo anterior.
Conforme essa resoluo da Aneel, os atendimentos s unidades consumidoras (UC) efetuados
por SIGFI ou MIGDI devem ser enquadrados conforme as disponibilidades mensais de energia eltrica
mostradas na Tabela 5.1. As distribuidoras de energia podem, se quiserem, instalar sistemas com
disponibilidade superior a 80 kWh/ms. Entretanto s est assegurado o aumento de carga sem nus
para o consumidor at esse limite de disponibilidade e depois de decorrido, no mnimo, um ano desde
a data da ligao inicial ou desde o ltimo aumento de carga.
Tabela 5.1 - Especificao dos SIGFIs, segundo RN Aneel 493/2012.
Disponibilidade
mensal garantida
(kWh/ms/UC)
Consumo dirio
de referncia
(Wh/dia/UC)
Potncia mnima
do inversor
(W/UC)
Autonomia
mnima da
bateria (horas)
13 435 250
48
20 670 250
30 1.000 500
45 1.500 700
60 2.000 1.000
80 2.650 1.250
5.1.1 Sistemas isolados individuais
A eletrificao com Sistemas Fotovoltaicos Domiciliares (SFD) consiste no atendimento,
mediante energia solar, de domiclios individuais, permitindo aos moradores beneficiados ampliar seu
leque de atividades, incluindo educao, lazer e produo, dentre outras. Os elementos fundamentais
que caracterizam um SFD so a prpria carga e o gerador fotovoltaico. Em geral, um sistema to
simples somente permitiria consumos proporcionais radiao solar, isto , durante as horas do dia e
especialmente em dias ensolarados. Como regra geral, o sistema deve possuir um acumulador, que
permita dissociar o horrio de consumo do horrio da gerao (Figuras 5.4 e 5.5).
Para conseguir uma boa adaptao entre as caractersticas do acumulador e do gerador
fotovoltaico, aumentando o rendimento do conjunto e prolongando a vida til do primeiro, deve-se
instalar um controlador de carga
1
, que evite carga e descarga excessivas no acumulador (ver item 4.5).

1
Neste contexto, o termo carga do controlador de carga significa o carregamento, a carga da bateria e no deve ser
confundido com o termo cargas que representam os equipamentos e dispositivos que consomem energia eltrica.
258

Figura 5.4 - Diagrama unifilar de um sistema fotovoltaico domiciliar em c.c.

Figura 5.5 Diagrama simplificado do sistema fotovoltaico domiciliar em c.c.
No caso da eletrificao rural de domiclios, a RN 493/2012 exige das concessionrias que o
atendimento com SFDs seja realizado em corrente alternada, na tenso nominal de 127 ou 220 volts,
de acordo com os nveis de tenso de distribuio predominantes no municpio. Esta exigncia tem o
objetivo de oferecer mais possibilidades de utilizao de aparelhos eletrodomsticos comercialmente
disponveis e, ao mesmo tempo, equiparar o servio com o atendimento convencional disponvel nos
centros urbanos. Esta RN tambm introduz a possibilidade de utilizao de sistemas mistos c.c. e c.a.
no caso dos SIGFIs.
A Figura 5.6 apresenta um SFD com potncia de 285 Wp (3 x 85 Wp) e banco de baterias
12 V/300 Ah (2 x 150 Ah), cuja disponibilidade mnima de 13 kWh/ms (SIGFI13), instalado pela
259
Eletrobras Distribuio Acre em um domiclio de comunidade extrativista no municpio de Xapuri, no
mbito do Programa Luz para Todos.

Figura 5.6 - SFD no municpio Xapuri, na comunidade extrativista Dois Irmos, no Acre. Fonte: (Eletrobras, 2010).
Para os SFDs podem ser adotadas basicamente trs configuraes: atendimento exclusivamente
em c.c., atendimento misto c.c./c.a., e atendimento exclusivamente em c.a. O atendimento
exclusivamente em c.c. encontra-se difundido em pases da frica e da Amrica do Sul,
particularmente para sistemas de pequena potncia (abaixo de 100Wp), contudo apresenta limitaes
evidentes quanto ao uso de equipamentos eletrodomsticos convencionais de usos finais. Como j
mencionado, no Brasil a regulamentao Aneel no permite que as distribuidoras utilizem sistemas
puramente c.c. para atendimento de energia eltrica, embora projetos deste tipo venham sendo
implantados no pas h muitos anos por diversas outras instituies (ONGs, universidades,
cooperativas etc.), ou mesmo por conta prpria dos proprietrios. A Figura 5.7 apresenta um diagrama
unifilar deste tipo de configurao.

Figura 5.7 - Esquema unifilar de SFD com atendimento exclusivamente em c.c.
260
Nos projetos mistos de SFDs, adota-se a configurao apresentada na Figura 5.8, que consiste
em um circuito em corrente contnua, para iluminao e/ou refrigerao, e um circuito em c.a. a partir
de um inversor para alimentao de TV e outras pequenas cargas em c.a. Esta configurao apresenta a
vantagem de manter o fornecimento de energia aos equipamentos c.c. e iluminao se ocorrer falha
no inversor. Como desvantagens tem-se a maior complexidade no gerenciamento da instalao no que
concerne definio de interrupo de atendimento (falha do sistema
2
), os custos da instalao
associados com o circuito c.c., a maior dificuldade do usurio no entendimento do funcionamento do
sistema e equipamentos com dois tipos e nveis de tenso, sem poder deixar de mencionar a pior
relao qualidade/preo das luminrias c.c. em relao s luminrias c.a.

Figura 5.8 - Esquema unifilar de SFD com atendimento c.c. e c.a.
A configurao da Figura 5.9 requer um nico circuito de distribuio em c.a. e utiliza, em
relao instalao exclusivamente em c.c., cabeamento de menor dimetro e equipamentos eltricos
de maior disponibilidade no mercado, alm de melhor qualidade e eficincia, tanto de controle quanto
de consumo. Alm disso, permite utilizar os padres de entrada convencionais, no ponto de
fornecimento. O principal inconveniente do sistema puramente c.a. est associado eficincia do
inversor, que durante parcela significativa do tempo, trabalha em condies de carregamento parcial,
muito embora os inversores mais modernos j possam ser encontrados no mercado com eficincias
aceitveis para situaes de baixa demanda.

2
A ocorrncia de uma falha no inversor representa uma interrupo parcial, situao que dificulta o processo de
fiscalizao para avaliao da qualidade do servio da distribuidora. O uso desta configurao no contexto da programa do
governo federal para universalizao do acesso energia eltrica exigiria um tratamento diferenciado para as situaes de
interrupes parciais.
261

Figura 5.9 - SFD constitudo por um nico inversor alimentando todas as cargas da instalao.
5.1.2 Sistemas isolados em minirrede
A eletrificao rural de comunidades isoladas tambm pode ser feita por sistemas coletivos,
denominados MIGDI, conforme a RN 493/2012, ou minirredes. Em algumas localidades isoladas no
Brasil se utilizam sistemas com minirredes de distribuio para o fornecimento de eletricidade, onde a
fonte de gerao de energia eltrica mais comumente difundida o grupo gerador a diesel. No entanto,
este tipo de sistema apresenta um alto custo operacional, em funo da manuteno do grupo gerador e
do consumo e transporte do leo diesel, que ainda maximizado quando as comunidades atendidas
localizam-se em reas extremamente afastadas dos centros urbanos, convivendo com condies
precrias de acesso. Devido a esse alto custo operacional, muitos desses sistemas operam em
condies precrias de manuteno e fornecimento do combustvel. Outras desvantagens relacionadas
aos grupos geradores a diesel so de carter socioambiental, associadas ao transporte do leo diesel, a
possveis vazamentos, emisso de gases poluentes e produo de rudo. Alguns aspectos negativos
do fornecimento de energia eltrica atravs de grupos geradores a diesel so minimizados e outros so
eliminados com a utilizao de recursos energticos locais.
Neste contexto que so aplicados os sistemas fotovoltaicos ou hbridos de gerao de energia
eltrica. Esses sistemas visam fornecer energia eltrica de forma confivel e, ao mesmo tempo,
diminuir a dependncia de recursos externos. As fontes renovveis de energia mais comumente
utilizadas neste tipo de sistema so a solar e a elica. O dimensionamento adequado dos geradores de
energia eltrica atravs de fontes renovveis, do banco de baterias, e a utilizao de uma estratgia de
operao que otimize os recursos disponveis, deve ter como objetivo minimizar ou eliminar a
utilizao do grupo gerador a diesel e maximizar a vida til do banco de baterias, diminuindo os custos
de operao e manuteno do sistema.
262
A Figura 5.2 apresenta um diagrama bsico de um sistema hbrido, Fotovoltaico-Elico-Diesel,
onde a carga representada pode ser uma minirrede com as unidades consumidoras de uma comunidade.
Os tipos de fontes de gerao usadas, bem como suas potncias nominais e suas participaes
energticas no sistema hbrido, devem privilegiar o aproveitamento dos recursos energticos locais. A
utilizao de mais de uma fonte de energia, mesmo inicialmente indicando um maior custo na
implantao do sistema hbrido, pode contribuir para uma maior confiabilidade no atendimento dos
consumidores, j que a probabilidade de que todas as opes de gerao de energia estejam
inoperantes, ou momentaneamente indisponveis, menor, quando comparada com o caso de gerao
por uma nica fonte de energia. Um sistema hbrido tambm tem a vantagem de poder ser modular em
sua implantao, adequando sua capacidade de gerao disponibilidade de recursos financeiros, por
exemplo. Em contrapartida, os sistemas hbridos aumentam significativamente a complexidade de
projeto, instalao e operao do sistema de gerao que pode se tornar crtica em comunidades
isoladas remotas.
A Figura 5.10 mostra os painis fotovoltaicos e a edificao onde ficam os inversores,
controladores, baterias e equipamentos de monitoramento do sistema MIGDI fotovoltaico de
13,5 kWp, que atende a 19 unidades consumidoras da comunidade de Sobrado, no municpio de Novo
Airo, no Amazonas. O MIGDI foi instalado em 2011, junto a outros 11 sistemas similares em
diversas comunidades do estado, pela Eletrobras Amazonas Energia, no mbito do Programa Luz para
Todos.
Recentemente tem havido uma discusso no setor de eletrificao rural sobre critrios para a
escolha de SIGFI ou MIGDI para atendimento rural, principalmente em comunidades remotas. Os
custos envolvidos podem variar bastante dependendo do tipo de inversor e de bateria utilizados, do
grau de automao e do monitoramento, do tipo de terreno para a construo do abrigo da central
geradora etc. Dependendo desses fatores e de acordo com alguns estudos do Cepel e da Eletrobras, o
MIGDI pode apresentar custos de gerao equivalentes ao SIGFI, considerando-se uma mesma
comunidade, a partir de 10 a 20 unidades consumidoras.
263

Figura 5.10 Sistema MIGDI fotovoltaico da comunidade de Sobrado no Amazonas. Fonte: (Eletrobras. Apresentao na
1 INOVA FV, 2011).
Os MIGDIs apresentam maior custo de implantao por unidade atendida devido aos gastos com
o abrigo para os equipamentos, com a minirrede de distribuio e devido necessidade de implantar
uma maior capacidade em painis fotovoltaicos e baterias para compensar as perdas energticas na
distribuio. Apresentam ainda desvantagem em relao ao SIGFI no que diz respeito manuteno da
rede de distribuio, obrigao de implantao do sistema SCD
3
e maior dificuldade do controle de
consumo de energia. Ao se optar por sistemas coletivos, altamente recomendvel a utilizao de
algum tipo de controle para impedir que um usurio consuma mais que o devido e prejudique os
demais, questo esta que no se aplica aos sistemas individuais. Os MIGDIs apresentam vantagem em
relao reposio de inversores e controladores, porque utilizam menor quantidade destes
componentes por unidade consumidora (UC) atendida e utilizam inversores maiores e mais robustos,
ocasionando um menor custo das visitas de manuteno. Estas so determinadas pelas falhas de
inversores, controladores e ocorrncias de outra natureza, geralmente mais pertinentes aos sistemas
individuais do que aos sistemas coletivos. Os MIGDIs so beneficiados com o aumento do nmero de
UCs, porque isto dilui o custo de manuteno da rede e aumenta a diferena no nmero de
controladores e inversores dos sistemas individuais em relao central.
As principais cargas atendidas pelos sistemas SIGFI e MIGDI so lmpadas e TV/antena
parablica. O Programa Luz para Todos determina que o sistema possa tambm alimentar um

3
A Lei n 12.111/2009 prev a cobertura atravs de recurso subsidiado do custo da gerao de energia eltrica para o
atendimento ao servio pblico nos Sistemas Isolados. O Sistema de Coleta de Dados Operacionais SCD constitudo
por um conjunto de equipamentos responsveis pela medio, registro, armazenamento e disponibilizao dos dados de
operao das usinas, referentes s grandezas eltricas e ao consumo de combustveis, com o principal objetivo de
possibilitar ao agente gerador o ressarcimento de parte dos seus custos totais de gerao, includos custos com
combustveis. No caso especfico de MIGDI e SIGFI, a Resoluo Normativa ANEEL n 493/2012 estendeu para estes
sistemas a cobertura pela CCC (Conta de Consumo de Combustveis) de parte dos custos de gerao, desde que os mesmos
atendam localidades remotas dos Sistemas Isolados. A obrigatoriedade de instalao do SCD exigida para os sistemas
MIGDI, mas no para os sistemas SIGFI.
264
refrigerador. Outros eletrodomsticos encontrados comumente nas comunidades so: ventilador,
aparelho de som, carregador de celular, liquidificador ou similar para bater polpas.
Os captulos subsequentes deste manual se focam nestes tipos de sistemas fotovoltaicos de
pequeno porte (SIGFI e MIGDI), com potncias na ordem de dezenas de Wp a alguns kWp, alm de
SFCRs com conexo em baixa tenso.
5.2 Sistemas de Bombeamento de gua
Um sistema fotovoltaico de bombeamento (SBFV) constitudo por gerador fotovoltaico,
dispositivo de condicionamento de potncia (inversor, controlador de bomba), conjunto motobomba
4
e
reservatrio de gua, conforme ilustra a Figura 5.11. Diferentemente dos sistemas domiciliares de
gerao de energia eltrica, geralmente no so utilizadas baterias para o armazenamento de energia,
exceo feita nos casos em que a bomba uma carga a mais de um SFI convencional (com baterias).
Como regra geral, a gua bombeada e armazenada em reservatrios, para sua posterior
utilizao, os quais so dimensionados para determinado nmero de dias de autonomia (da mesma
forma que um banco de baterias).

Figura 5.11 Diagrama esquemtico de um sistema fotovoltaico de abastecimento de gua. Fonte: Modificado de
(FRAINDENRAICH, 2002).
Em utilizaes comerciais, o gerador fotovoltaico costuma ser fixo, ainda que seja vivel a
utilizao de rastreadores solares, os chamados tracking systems, que aumentam a captao de energia
na superfcie do gerador, e, portanto, a energia til, com o consequente incremento do volume de gua

4
Conjunto motobomba conjunto composto por bomba hidrulica acionada por um motor eltrico.
265
bombeado. Estudos comparativos de sistemas de bombeamento com e sem rastreador, sob
determinadas condies de funcionamento, mostraram que, no primeiro caso, o ganho na quantidade
de gua bombeada pode atingir at 41 % em relao ao gerador fixo.
A premissa bsica para a utilizao de rastreadores reside na vantagem de requerer menor
potncia instalada do gerador fotovoltaico para a mesma quantidade de gua bombeada, implicando
em menor investimento em mdulos fotovoltaicos, assim como ocupao de menor superfcie para sua
instalao. Entretanto, a aquisio do mecanismo rastreador, sua instalao, manuteno e possvel
reposio ao longo da vida til do projeto, pode no compensar economicamente, quando se
comparam os seus custos com os de um sistema fixo, principalmente em funo da queda contnua do
preo dos mdulos fotovoltaicos. Por esse motivo, a utilizao de rastreador deve ser sempre analisada
em funo das especificidades e dos objetivos de cada projeto.
O grfico da Figura 5.12 mostra a faixa de aplicao dos SBFVs, em termos da vazo e da
profundidade requeridas para o sistema, utilizando o parmetro m
4
(m
3
x m). Para valores de m
4

inferiores a 50, considera-se adequado o bombeamento manual, enquanto que para valores superiores a
2.000, o bombeamento fotovoltaico no considerado vivel.

Figura 5.12 Regio de aplicao dos SBFVs (adaptado de TIBA, 1998)
As configuraes mais utilizadas em SBFVs so apresentadas na Figura 5.14. As opes com
linhas em azul-escuro so as de maior ocorrncia, e as em azul-claro so as menos frequentes.
266
Para sistemas em corrente contnua, o condicionamento de potncia pode ser feito tanto com a
utilizao de conversor c.c.-c.c., quanto mediante acoplamento direto geradormotobomba. J para
sistemas em corrente alternada, so utilizados inversores c.c.-c.a. Com a finalidade de otimizar a
captao de energia em condies variveis de irradincia, em ambos os casos, podem ser utilizados
seguidores do ponto de mxima potncia.
Com relao s bombas, para aplicaes de pequena potncia (at 250 Wp), as mais utilizadas
so as de deslocamento positivo de diafragma, ou ainda bombas centrfugas de estgio nico ou de
poucos estgios. Para aplicaes de grande potncia, as bombas utilizadas so as centrfugas
multiestgios e de deslocamento positivo helicoidais.
As bombas centrfugas so indicadas para grandes vazes e menores alturas manomtricas, pois
para alturas manomtricas elevadas esse tipo de bomba apresenta reduo na eficincia. J para
grandes alturas manomtricas e menores vazes, so mais indicadas as bombas de deslocamento
positivo, principalmente do tipo helicoidal. No entanto, apesar de apresentarem maior eficincia se
comparadas com as bombas centrfugas, as helicoidais exigem maior torque de arranque do motor, o
que deve ser considerado no dimensionamento do gerador fotovoltaico.
A Figura 5.13 apresenta as faixas de operao para os diversos tipos de motobombas de SBFVs.

267

Figura 5.13 Tipos de motobombas para SBFVs em funo da profundidade e da vazo (adaptado de TIBA, 1998)

268

Figura 5.14 Configuraes utilizadas para sistemas de bombeamento fotovoltaico. Fonte: Modificado de (KONER, 1993) e (MALBRANCHE et al., 1994).
269
No que concerne otimizao (tcnica e econmica) de um sistema de bombeamento, alm dos
cuidados no dimensionamento, deve-se buscar o funcionamento no ponto de mxima potncia do
gerador fotovoltaico e priorizar equipamentos com reduzido torque de partida do motor.
Uma tecnologia que foi desenvolvida por diversos grupos de pesquisa no Brasil a utilizao de
motobombas eltricas convencionais (dotadas de motores de induo c.a. trifsicos) acionadas por
inversores de frequncia industriais
5
, com programao adequada. Embora o inversor seja um
equipamento adicional, estudos mostram que pode haver reduo no custo final do volume bombeado
(R$/m
3
), por serem utilizadas bombas mais baratas. Alm disso, tratam-se de equipamentos
(motobomba e inversor) de fabricao nacional, facilmente encontrados no comrcio, o que facilita
tambm a manuteno e reposio de peas.
As principais aplicaes para sistemas fotovoltaicos de bombeamento de gua so:
Bombeamento de gua residencial;
Bombeamento de gua para pequenas comunidades;
Bombeamento de gua para consumo animal;
Sistemas de irrigao.
Ainda que a tecnologia oferea diversas possibilidades em termos de potncia, a maioria dos
sistemas de bombeamento fotovoltaico instalados no Brasil no ultrapassa os 2 kWp de potncia, com
altura manomtrica mdia em torno de 60 mca
6
e vazo de at 40 m
3
/dia. Ou seja, o nicho de aplicao
do bombeamento fotovoltaico no pas, devido a suas caractersticas de utilizao, para abastecimento
humano e uso domstico em pequenos povoados localizados em zonas rurais remotas.
A utilizao de sistemas fotovoltaicos de bombeamento dgua comum nas regies rurais de
pases em desenvolvimento da frica, sia e Amrica Latina .
A seguir, so apresentadas as principais caractersticas dos equipamentos (bombas e motores
eltricos), utilizados em tais sistemas fotovoltaicos de bombeamento dgua.
5.2.1 Tipos de bombas
Existem duas categorias principais de bombas que podem ser usadas em sistemas fotovoltaicos
isolados: centrfugas e volumtricas (de deslocamento positivo), as quais tm caractersticas e
princpios de funcionamento diferentes.


5
Tratam-se de acionamentos eletrnicos de velocidade varivel para motores de induo trifsicos.
6
mca metros de coluna de gua, algumas vezes apresentada apenas em metros (m).
270
5.2.1.1 Bombas centrfugas
Em geral, as bombas centrfugas so adequadas para aplicaes que exigem grandes volumes de
gua (elevadas vazes) e pequenas alturas manomtricas (reservatrios superficiais ou cisternas).
Possuem ps ou rotores que giram em alta velocidade, criando presso e forando o fluxo de gua.
As bombas centrfugas so projetadas para alturas manomtricas fixas e sua sada de gua
aumenta com o aumento da velocidade de rotao das ps. A eficincia destas bombas decresce para
alturas manomtricas e vazes diferentes do seu ponto de projeto.
As caractersticas de operao das bombas centrfugas acionadas por motores c.c. adequam-se
razoavelmente bem sada do gerador fotovoltaico. Assim, pelo fato de partirem gradualmente e sua
vazo aumentar com a corrente eltrica (maiores nveis de irradincia), elas podem ser conectadas
diretamente ao gerador fotovoltaico, sem necessidade de incluso de bateria. Entretanto, um bom
casamento entre a bomba e o gerador fotovoltaico necessrio para um eficiente funcionamento, o que
exige um profundo conhecimento das caractersticas de ambos.
O desempenho de uma bomba centrfuga c.c. conectada diretamente ao gerador fotovoltaico
muito sensvel ao valor da radiao solar. Assim, quando o nvel de irradincia se reduz, a corrente do
gerador cai e o motor gira mais lentamente. Pequenas mudanas no nvel de irradincia resultam em
grandes mudanas na vazo da bomba, podendo tambm lev-la a no superar a altura manomtrica
necessria. Em alguns casos, o bombeamento pode ser interrompido, at o retorno de nveis de
irradincia mais elevados.
Existem duas classes principais de bombas centrfugas: as submersveis, ou submersas, e as de
superfcie. As submersveis trabalham afogadas enquanto as de superfcie necessitam de um tubo
para suco. Para as bombas de superfcie recomenda-se uma altura de suco mxima de
aproximadamente 6 metros; entretanto, alguns modelos, como as autoaspirantes, podem operar com
alturas de suco maiores.
As bombas centrfugas so adequadas a uma ampla faixa de valores de vazo. Existem sistemas
instalados com capacidades que vo at cerca de 1.000 m
3
/h.
A Figura 5.15 apresenta uma vista em corte de uma bomba centrfuga.

Figura 5.15 Vista em corte de uma bomba centrfuga. Fonte: Catlogo comercial BOMAX.
271
5.2.1.2 Bombas volumtricas
Em geral, as bombas volumtricas, tambm denominadas de deslocamento positivo, so
adequadas quando se deseja atingir grandes alturas manomtricas com pequenos ou moderados
volumes de gua. A eficincia das bombas volumtricas aumenta com o aumento da altura
manomtrica. A vazo de gua bombeada pelas bombas volumtricas apresenta menor dependncia
com a altura manomtrica, se comparada com a das bombas centrfugas. Nas bombas volumtricas a
gua bombeada a partir de um mecanismo, em geral um mbolo, que, com movimentos sucessivos,
fora o deslocamento do fluido no sentido do prprio mbolo. A concordncia dos sentidos dos dois
movimentos, gua e mbolo, permitem que estas bombas tambm sejam chamadas de bombas de
deslocamento positivo.
Os tipos de bombas volumtricas mais usados em sistemas fotovoltaicos so as bombas de
diafragma, adequadas apenas a pequenas alturas manomtricas, e as bombas de pisto com contrapeso
(tambm chamadas bombas cavalete, ou em lngua inglesa, de bombas jack ou bombas donkey) ou as
bombas de cavidade progressiva (algumas vezes, chamadas de bombas de parafuso), para grandes
alturas manomtricas.
A Figura 5.16 mostra um exemplo de uma bomba de parafuso.

Figura 5.16 Corte de uma bomba (somente o elemento bombeador) tipo parafuso, permitindo visualizar o rotor
helicoidal e a forma construtiva interna de seu estator em material sinttico (borracha); externamente, a bomba o tubo em
ao inox visto direita. Fonte: (GALDINO, 2005).
272
As caractersticas de operao das bombas volumtricas no se ajustam to bem com a sada do
gerador fotovoltaico quanto as das centrfugas. Por isso, no so muito adequadas para ligao direta
aos geradores fotovoltaicos, necessitando de controladores eletrnicos para ajustar o ponto operacional
do gerador fotovoltaico e proporcionar a corrente necessria para a partida da bomba, que demanda
mais potncia do que a partida da bomba centrfuga (torque de partida elevado). Contudo, pequenas
mudanas nos nveis de irradincia sobre o gerador fotovoltaico diminuem a velocidade do motor,
reduzindo a vazo, mas no reduzem sua capacidade de atingir a altura manomtrica necessria, como
acontece no caso das bombas centrfugas. Por este motivo, uma bomba do tipo deslocamento positivo
tem condies de atingir a altura manomtrica desejada e continuar bombeando gua, ao longo de todo
o dia.
Controladores eletrnicos (inversores ou conversores c.c.-c.c.) so recomendados para os outros
tipos de bombas; porm, tornam-se mandatrios para as bombas volumtricas. So eles que ajustam o
ponto de operao do gerador fotovoltaico, de modo a fornecer a mxima corrente para a partida do
motor. Estes controladores possuem um dispositivo eletrnico responsvel pela melhor adaptao da
potncia de sada do gerador com a de entrada da bomba. Eles permitem a operao para uma extensa
faixa de nveis de irradincia, alturas manomtricas e vazes de gua, e, alm disso, solucionam o
problema de partida das bombas volumtricas. Estes controladores eletrnicos consomem, tipicamente,
de 4 a 7 % da potncia de sada do gerador fotovoltaico, e diversos modelos apresentam um seguidor
do ponto de mxima potncia (MPPT).
Baterias tambm podem ser usadas entre a bomba volumtrica e o gerador fotovoltaico, para
fornecer uma tenso estvel para partida e operao da bomba. Alm disso, permitem a partida do
motor, mesmo quando os nveis de irradincia estiverem baixos. Na maioria das vezes, os
controladores e as baterias no so dimensionados para permitir o bombeamento de gua durante a
noite, mas somente para dar estabilidade operao do sistema.
As bombas volumtricas so geralmente instaladas quando se necessitam vazes na faixa de 0,3
a 40 m
3
/dia e alturas manomtricas de 10 a 500 metros.
A Figura 5.17 apresenta o diagrama expandido de uma bomba de deslocamento positivo tipo
diafragma.
273

Figura 5.17 Diagrama expandido de uma bomba de deslocamento positivo tipo diafragma. Fonte: Catlogo comercial
BOMAX.
5.2.2 Tipos de motores
Deve-se escolher uma bomba ou grupo motobomba para operar prximo ao ponto de mxima
eficincia, sob as condies necessrias de altura manomtrica e vazo. Tanto a bomba centrfuga
quanto a volumtrica podem ser acionadas por motores c.a. ou c.c. A escolha do tipo de motor mais
adequado depende do volume de gua necessrio, da potncia requerida para atingir a altura
manomtrica desejada, da eficincia (geralmente mais elevada para motores c.c.), do custo (geralmente
menor para motores c.a.), da necessidade do motor estar submerso ou no, das dimenses impostas
pelo poo (no caso do motor estar colocado dentro do poo), da confiabilidade, da disponibilidade e da
facilidade para a realizao de manuteno.
Recomenda-se consultar os fabricantes de bombas para obter as informaes especficas dos
modelos disponveis.
5.2.2.1 Motores c.c.
Os motores c.c. so bastante adequados, em funo da sua compatibilidade com a fonte de
energia fotovoltaica e porque sua eficincia geralmente mais elevada, se comparada dos motores
c.a. Entretanto, seu custo inicial mais elevado e os motores com escovas necessitam de manuteno
peridica.
Tipicamente, os motores c.c. precisam de comutao de escovas e so projetados para operarem
por longo tempo. Entretanto, devido ao desgaste natural, as escovas devem ser substitudas
periodicamente. Contudo, existem os motores c.c. sem escovas, que possuem como vantagens o
aumento da confiabilidade do sistema e a reduzida necessidade de manuteno. Estes motores so
geralmente de menor potncia (motores c.c. no so comumente disponveis em potncias superiores a
10 cv).
274
Os motores c.c. sem escovas tm o rotor formado pelos ims permanentes e o estator pelos
eletroms. Nestes motores os eletroms so energizados eletronicamente, enquanto o rotor gira, o que
os faz superar os motores c.c. com escova, j que no apresentam o centelhamento, o aquecimento e o
consequente desgaste das escovas. Alm disso, os intervalos de manuteno so maiores, o que
especialmente importante para os sistemas de bombeamento em reas remotas, onde a necessidade de
manuteno deve ser a menor possvel. Entretanto, os dispositivos eletrnicos que compem os
motores c.c. sem escovas so possveis fontes de defeitos e, por isso, devem ser utilizados dispositivos
com alta confiabilidade em ambiente severos.
5.2.2.2 Motores c.a.
Os motores c.a. adicionam complexidade ao sistema, pois exigem a incluso de um inversor para
transformar a corrente contnua, produzida pelo gerador fotovoltaico, em corrente alternada, alm de
causar perdas extras de energia. Entretanto, possuem a vantagem de ter preos mais baixos e so mais
facilmente encontrados no mercado.
Os motores c.a. so geralmente melhores quando a aplicao necessita de potncia acima de
10 cv (7.500 watts), embora alguns fabricantes recomendem o uso de motores c.a. para todas as faixas
de potncia.
H inversores que aceitam uma extensa faixa de tenses, produzidas pelo gerador fotovoltaico, e
so conectados diretamente a um motor c.a., sem o uso de baterias. O mercado oferece sistemas de
bombeamento solares que utilizam um inversor especial para acionar um motor c.a., trifsico, acoplado
diretamente ao gerador. Alguns inversores possuem um seguidor do ponto de mxima potncia
(MPPT), que otimiza o funcionamento do sistema.
Os motores c.a. so geralmente utilizados em sistemas fotovoltaicos de bombeamento de gua
submersos, adequados para grandes profundidades. O motor usado de induo, sendo acionado por
um inversor especialmente projetado para dar partida no motor e para proporcionar uma frequncia
varivel que ajuste a tenso de sada do gerador carga do motor.
5.2.3 Qualidade da gua
Alm das caractersticas tcnicas do SBFV em si, uma preocupao adicional do implementador
deste tipo de sistema deve ser a qualidade da gua que est sendo captada, em funo do fim a que se
destina.
No Brasil, a qualidade da gua para consumo humano regulamentada pela Portaria do
Ministrio da Sade N 2914, de 12 de dezembro de 2011. Segundo este dispositivo legal, para que a
gua seja considerada potvel, so necessrias anlises fsico-qumicas e microbiolgicas em
laboratrio. Entre os parmetros verificados inclui-se a contagem de coliformes e verificao de
275
compostos nitrogenados e cloretos, que so considerados indicadores de contaminao orgnica, alm
de inmeros outros elementos e compostos qumicos, tais como Chumbo, Cdmio, Mercrio, Arsnio,
substncias orgnicas e agrotxicos.
Especificamente para as guas subterrneas (poos) h ainda a Resoluo do CONAMA N 396,
de 3 de abril de 2008, que classifica estas guas em relao s suas caractersticas hidrogeoqumicas
naturais juntamente com o uso a que se destinam. Neste documento, so estabelecidos tambm
requisitos para guas destinadas a consumo animal e irrigao, alm do consumo humano.
De uma forma geral, nas reas rurais, as guas subterrneas (poos) so consideradas menos
contaminadas do que as guas superficiais (corpos dgua). Ainda assim, tambm podem apresentar
contaminao orgnica proveniente de fossas spticas, por exemplo, alm de contaminao por
agrotxicos usados na lavoura, principalmente em poos no lenol fretico (poos rasos).
Adicionalmente, guas subterrneas podem ainda apresentar o problema de dureza (salinidade)
em funo de suas caractersticas hidrogeoqumicas naturais. A dissoluo de sais na gua depende da
composio qumica da formao geolgica em que se localiza o aqfero. Poos localizados em
formaes sedimentares normalmente apresentam baixa dureza, enquanto que poos em formao
cristalina podem apresentar dureza elevada. Tais guas so denominadas salobras e so frequentes no
interior da Regio Nordeste do Brasil. O teor de sais diretamente ligado a um sabor desagradvel e s
guas de dureza elevada tambm se atribui um efeito laxativo. A portaria 2914 estabelece um mximo
de 500 mg/L (dureza total) aceitvel para consumo humano.
A dureza ligada principalmente concentrao dos ons de Clcio (Ca
+2
) e Magnsio (Mg
+2
),
que so os de maior concentrao nas guas, e expressa no nmero de equivalente de miligramas por
litro (mg/L) de carbonato de Clcio (CaCO
3
), embora sejam tambm presentes sulfatos, cloretos e
nitratos de Clcio e Magnsio.
A salinidade da gua diretamente proporcional sua condutividade eltrica, pois os sais em
soluo constituem portadores inicos de corrente. Assim, a medida da condutividade da gua, que
pode ser feita com auxlio de um condutivmetro, um indicador da salinidade, e, portanto, do sabor,
conforme mostra a Tabela 5.2. A condutividade expressa na unidade microsiemens por centmetro
(S/cm).
Tabela 5.2 Condutividade e salinidade das guas. Fonte: (LORENZO, 2005).
Condutividade
(S/cm)
Salinidade
(mg/L)
Sabor
0 - 400 0 - 250 bom
400 - 750 250 - 500 mdio
750 - 1500 500 -1000 medocre
> 1500 > 1000 ruim
276
guisa de exemplo, a Tabela 5.3 apresenta dados de salinidade de um conjunto de poos
dotados de SBFVs localizados na Regio Nordeste, que foram medidos em trabalhos de campo
efetuados pelo Cepel. Observa-se que, por comparao com os dados apresentados na Tabela 5.2,
apenas dois deles teriam gua adequada ao consumo humano.
Tabela 5.3 Condutividade da gua de poos na regio Nordeste. Fonte: (GALDINO, 2008).
Localidade do poo
Condutividade
(S/cm)
Monte Belo, PI 152
Bang, PI 253
Garapa II, PB 1149
Firmeza, BA 1280
Quixabinha, BA 1423
Olho dAginha II, PB 1678
Passarinho, BA 2074
Quixaba, PB 2398
Serra Preta, BA 2567
Mar, BA 3022
Angicos, PE 3733
Caraa, PB 5590
Caiara, PE 6190
Em poos que apresentam salinidade bastante elevada, como os listados na Tabela 5.3, deve
haver tambm preocupao em relao especificao dos materiais empregados em bombas,
tubulaes etc., que deve ser compatvel com o nvel de salinidade, caso contrrio, estes podem estar
sujeitos corroso, resultando em falhas no SBFV.
Caso a salinidade de um determinado poo seja elevada, pode-se recorrer a equipamentos de
dessalinizao de gua, tambm alimentados por sistemas fotovoltaicos, conforme apresentado no item
5.4.3.
5.3 Sistemas de Telecomunicaes e Monitoramento Remoto
Desde o incio de suas aplicaes terrestres, os SFV so usados para fornecer energia para a rea
de telecomunicaes, devido sua simplicidade e reduzida manuteno. A confiabilidade das fontes de
energia para a maioria das aplicaes nesta rea deve ser bastante alta. Geralmente, esses sistemas
necessitam de baixa potncia e so instalados em reas remotas com acesso limitado e,
frequentemente, com severas condies climticas (vento, maresia). Com relao energia necessria
para atender determinada carga, esta varia de acordo com o modo de operao e o tempo de utilizao
dos equipamentos.
277
Algumas vezes, para reduzir o custo inicial, especialmente se a demanda da potncia mxima
muito maior do que a demanda mdia, utilizam-se sistemas hbridos.
As aplicaes mais comuns dos sistemas fotovoltaicos na rea de telecomunicaes so:
Estaes remotas de rdio;
Estaes repetidoras de TV;
Auxlio navegao;
Estaes base de telefone celular;
Telefones de emergncia em estradas.
Equipamentos para monitoramento remoto e comunicao de dados necessitam de uma fonte de
energia confivel, de forma a evitar a interrupo ou a perda de dados. Devido confiabilidade e
simplicidade dos sistemas fotovoltaicos, estes esto substituindo a fonte convencional c.a., para
alimentao de alguns equipamentos de baixo consumo, mesmo em reas atendidas pela rede eltrica.
Quase todos os sistemas de monitoramento remoto, alimentados com energia fotovoltaica,
funcionam com tenso de 12 V
CC
. A carga varia de acordo com a quantidade de detectores, taxa de
aquisio de dados e os requisitos de transmisso de dados. comum que as baterias desses sistemas
tenham uma autonomia de pelo menos 30 dias, porque a demanda de carga pode no exceder alguns
miliamperes. No caso de armazenamento de dados, este pode ser feito em memria de massa no local e
os dados coletados periodicamente, ou transmitidos online, via comunicao por celular, por exemplo,
para um computador remoto, onde efetuado o tratamento das informaes.
Exemplos de aplicaes so:
Monitoramento de condies ambientais (estaes meteorolgicas, maregrficas,
anemomtricas, pluviomtricas, de poluio etc);
Controle de trfego em estradas;
Registros ssmicos (sismgrafos);
Pesquisas cientficas.
5.4 Outras Aplicaes
Outras aplicaes para os sistemas fotovoltaicos ainda podem ser apresentadas, tais como:
Proteo Catdica, Cerca Eltrica e Dessalinizao.

278
5.4.1. - Proteo catdica
Os sistemas fotovoltaicos podem ser utilizados para proteo catdica, de forma a impedir a
corroso de estruturas metlicas enterradas. Na corroso galvnica
7
, o processo corrosivo de uma
estrutura metlica enterrada ou submersa se caracteriza sempre pelo aparecimento de uma tenso
galvnica e das respectivas reas andicas e catdicas na superfcie do material metlico, com a
conseqente ocorrncia de um fluxo de corrente eltrica no sentido convencional, das reas andicas
para as reas catdicas, atravs do eletrlito, sendo o retorno desta corrente eltrica realizado por
intermdio do contato metlico entre estas regies.
Normalmente as estruturas metlicas enterradas, como dutos, fundaes de torres de transmisso,
tanques de armazenamento etc, so fabricados em ao-Carbono, o qual possui excelentes propriedades
mecnicas e de conformabilidade, porm com baixa resistncia corroso, at mesmo em ambientes
midos. Os principais fatores que influenciam a corroso das estruturas metlicas no solo so a
resistividade do solo, o valor de pH do solo e a capacidade de reteno de gua do solo.
A regio onde ocorre a corroso denominada de anodo, no qual o Ferro se oxida (se transforma
em xido), enquanto que a regio em que o eletrlito produz gs Hidrognio (H
2
) e ons oxidrila (OH-)
denominada de catodo. As regies andicas e catdicas geralmente so bastante prximas no
material.
Uma reao qumica tpica a seguinte:
Semi reao andica: Fe
0
(s) Fe
+2
(aq) + 2e
-

Semi reao catdica: 2H
2
O(l) + 2e
-
H
2
(g) + 2OH
-

___________________________________
Reao total: Fe
0
(s) + 2H
2
O(l) Fe(OH)
2
(aq) + H
2
(g)
Ferro gua ferrugem gs Hidrognio
Nas situaes prticas, o eletrlito a gua existente no solo, que possui impurezas podendo ser
de caracterstica cida ou bsica. Pelo fato da densidade do eletrlito variar sazonalmente e, em alguns
casos, at diariamente, os projetos de sistema de proteo catdica, tornam-se bastante complexos.
O conceito bsico da proteo catdica simples, ou seja, se a perda de eltrons de um metal que
est enterrado puder ser impedida, ento no haver corroso.
Existem, assim, basicamente dois mtodos pelos quais se pode aplicar a tcnica de proteo
catdica, ambos fundamentados no mesmo princpio, ou seja, injeo de uma corrente eltrica na
estrutura metlica, atravs do eletrlito.

7
Outra forma de corroso a denominada corroso eletroltica, causada por correntes eltricas existentes no solo, que
atravessam o metal enterrado. A corroso ocorre no ponto onde a corrente sai do metal.
279
No primeiro mtodo, denominado de proteo catdica galvnica, o fluxo de corrente eltrica
fornecido origina-se da diferena de potencial existente entre o metal a proteger e outro metal
escolhido como anodo (anodo de sacrifcio) e que tem um potencial eletroqumico mais negativo.
Neste caso, o anodo de sacrifcio, geralmente de Magnsio, Zinco ou Alumnio, que ser corrodo,
protegendo o outro metal. As vantagens da proteo catdica galvnica so de que no necessita de
uma fonte externa de corrente eltrica e de que sua manuteno simples, porm, como desvantagem,
possui vida til limitada, pois os anodos de sacrifcio vo sendo consumidos (corrodos) no processo
de gerar a corrente de proteo e necessitam ser repostos. Pela lei de Faraday, para eletrodos de Zinco,
o consumo do material seria de ~10,7 kg/A.ano, enquanto que no caso do Magnsio seria de
~3,9 kg/A.ano, contudo, devido s ineficincias do processo, os valores reais so bastante superiores a
estes.
No segundo mtodo, a chamada proteo catdica por corrente impressa, a corrente eltrica
produzida pela fora eletromotriz de uma fonte geradora de c.c. em baixa tenso (retificador, bateria ou
gerador) utilizando um conjunto dispersor de corrente no eletrlito, constitudo de anodos inertes,
chamado leito de anodos. Os materiais de uso mais comum para anodos inertes so o grafite, Ferro-
Silcio e Titnio revestido com xidos de metais nobres. As vantagens da proteo catdica por
corrente impressa que pode ser regulada com facilidade e pode ser projetada para vida til bastante
longa. O sistema eltrico, porm, necessita de manuteno peridica, e os anodos inertes tambm
sofrem corroso, embora a uma taxa bastante reduzida, e eventualmente tambm tero de ser repostos.
As Figuras 5.18 e 5.19 mostram, esquematicamente, os dois mtodos citados utilizados na
tcnica de proteo catdica.

Figura 5.18 Proteo catdica com anodo galvnico.

280

Figura 5.19 Proteo catdica por corrente impressa (sistema com fonte eltrica convencional).
Entre os dois mtodos de controle da corroso, o mais eficaz para ser utilizado em eletrlitos
com qualquer valor de resistividade eltrica o por corrente impressa, ou seja, aplicao de uma
tenso, a partir de uma fonte de energia externa.
Ele quase sempre usado quando existe uma fonte de energia disponvel no local, geralmente de
baixa tenso c.c., utilizada para vencer o potencial galvnico entre o metal enterrado e o anodo.
Neste caso, um ou mais anodos so enterrados nas proximidades do metal a ser protegido e a fonte de
tenso externa conectada entre estes anodos e o metal a ser protegido.
Para interromper o movimento natural da corrente eltrica que flui do metal para o eletrlito,
podem tambm ser utilizados sistemas fotovoltaicos, que fornecem a tenso necessria para reverter o
fluxo de corrente, que passa a ser do anodo para o metal ser protegido.
Deve-se projetar um sistema que fornea sempre uma corrente maior e de sentido oposto
corrente que causa corroso. O dimensionamento do sistema de proteo catdica precisa obedecer
lei de Ohm. Correntes excessivas devem ser evitadas, pois elas podem resultar na formao de bolhas
no revestimento que protege o metal ou ocasionar uma fragilizao por Hidrognio no metal. A
corrente necessria depender de muitos fatores tais como: tipo de metal, rea do metal em contato
com o eletrlito (superfcie exposta do metal), composio do eletrlito, eficcia do revestimento do
metal, efeito da polarizao, caractersticas do solo onde o metal est enterrado (resistividade), forma
da superfcie do metal (cilndrica, plana) e tipo e tamanho do anodo utilizado. A Tabela 5.4 apresenta a
ordem de grandeza da densidade de corrente em algumas situaes.

281
Tabela 5.4 Densidade de corrente para proteo catdica. Fonte: (SANDIA, 1991).

Densidade de
corrente
(mA/m
2
)
ao sem revestimento, em solo mido 32
ao sem revestimento, em solo arenoso 11
ao sem revestimento, na gua do mar 54
ao revestido, em solo mido 0,22
A corrente necessria para proteger a superfcie exposta do metal pode ser reduzida de ordens de
grandeza, se o metal for revestido por uma camada protetora adequada, antes da sua instalao,
conforme mostra a Tabela 5.4. A tenso a ser aplicada pelo sistema depende da corrente necessria e
da resistncia total do circuito de proteo catdica. A corroso comea na superfcie exposta do metal
e gradativamente penetra no mesmo.
Na Figura 5.20 pode-se observar o perfil de tenso ao longo de uma tubulao protegida, que
tem uma caracterstica exponencial, conforme expresso pela Equao 5.1. A corrente injetada pelo
sistema de proteo catdica deve ser suficiente para garantir a tenso mnima necessria para impedir
a corroso (V
min
) a uma distncia L/2 da fonte, de forma a proteger toda a tubulao de comprimento
L. O parmetro r na Equao 5.1 funo da resistncia da tubulao por unidade de comprimento.
Existe, portanto, um compromisso entre o comprimento protegido, a tenso necessria e a energia
consumida: valores elevados de V
max
protegem comprimentos longos e requerem menos sistemas de
proteo para protegerem um determinado comprimento de tubulao, mas implicam em maior
consumo de energia por unidade de comprimento de tubulao.

Figura 5.20 Perfil da tenso ao longo de uma tubulao protegida por um sistema de proteo catdica. Fonte:
(TANASESCU et al., 1988).
282

(5.1)
Normalmente a corroso est inversamente relacionada com a resistividade eltrica do solo,
Assim, em solos com baixa resistividade, o problema da corroso pode ser crtico. Por outro lado, em
solos com elevada resistividade, a corroso bastante reduzida e, portanto, a corrente eltrica
necessria para a proteo catdica baixa. Entretanto, no simples estimar a resistividade eltrica
do solo. Em geral, solos secos e arenosos possuem maiores resistividades do que solos de
caractersticas argilosas. A resistividade do solo muda consideravelmente com as diferentes
caractersticas do terreno, tais como: textura, composio orgnica, localizao, profundidade etc. Por
isso, ao se especificar um sistema de proteo catdica, necessita-se de muitos dados sobre as
caractersticas do terreno. Recomenda-se fazer a priori alguns testes, usando um anodo temporrio e
um gerador de baixa tenso c.c., que imprima uma corrente eltrica ao sistema, de forma a medir a
tenso aplicada ao anodo temporrio.
Alguns sistemas de proteo catdica possuem um resistor varivel, que permite ajustar
periodicamente a corrente a ser impressa e compensar os efeitos causados pela mudana das
caractersticas do solo, pela corroso da rea superficial do anodo, polarizao, tipo de anodo etc.
Neste tipo de aplicao, os sistemas fotovoltaicos esto substituindo a maneira usual de obteno
de energia eltrica, que conseguida retificando-se a corrente alternada, fornecida pela rede eltrica
convencional. Um sistema fotovoltaico tpico para esta aplicao poderia ser composto por um mdulo
de 60Wp, uma bateria 12V/90Ah e um controlador de carga.
A maioria desses sistemas fotovoltaicos incluem baterias, de forma a fornecer continuamente a
corrente necessria e resistores variveis, para permitir o ajuste manual da corrente. Controladores
eletrnicos (conversores c.c./c.c.) especficos podem ser utilizados para compensar as variaes da
resistividade do solo, mantendo a corrente constante (KHARZI et al., 2006).
Os sistemas de proteo catdica tem um grande mercado que inclui:
Torres de transmisso
Tanques de armazenamento
Pontes
Dutos de petrleo
Tubulaes de gs, leo combustvel, gua etc.
A Figura 5.21 apresenta um diagrama de um sistema fotovoltaico de proteo catdica por
corrente impressa bsico.
283

Figura 5.21 Diagrama de um sistema fotovoltaico para proteo catdica.
5.4.2 Cerca eltrica
Nas reas rurais comum o uso de cercas eltricas para proteo de propriedades ou para
conteno de animais na criao de bovinos ou caprinos. No confinamento de animais, a cerca eltrica
pode representar vantagens econmicas em relao cerca convencional, incluindo menor custo de
material (arames, moures) e de mo de obra, alm de demandar menos tempo de construo.
No caso dos animais confinados, so ainda citadas as seguintes vantagens para a cerca eltrica,
sobre a cerca convencional.
Evita acidentes e ferimentos, pois os animais tendem a permanecer afastados da cerca,
evitando for-la ou pul-la. Em particular, por no apresentar elementos pontiagudos, a
cerca no danifica o couro dos animais, preservando assim seu valor comercial.
Evita a entrada de animais selvagens.
Muito embora as cercas eltricas tambm estejam sujeitas ao impacto de descargas
atmosfricas, o fato dos animais permanecerem afastados delas reduz o risco de serem
eletrocutados durante tempestades, o que freqente nas cercas convencionais.
importante ressaltar que a cerca eltrica, quando bem instalada e com boa manuteno, no
apresenta risco de choque eltrico fatal ou dano fsico aos animais ou ao homem.
Por todas as suas vantagens, a utilizao de cercas eltricas considerada boa alternativa, porm
necessita de fornecimento contnuo de eletricidade, a qual nem sempre disponvel em regies rurais.
A energizao de cercas com SFVs torna-se uma realidade bastante vivel nessas condies, pois pode
284
suprir, a um custo acessvel, o abastecimento que seria feito via rede convencional da concessionria.
Esta aplicao tem sido atendida por sistemas fotovoltaicos no somente no Brasil, mas tambm em
outros pases, como, por exemplo, a Austrlia.
O sistema fotovoltaico deve alimentar, atravs de um banco de baterias em 12V, um eletrificador
de cercas comercial, que tambm pode ser alternativamente acionado pela rede da concessionria, caso
existente. A Figura 5.22 mostra um diagrama para cerca eltrica fotovoltaica.


Figura 5.22 Diagrama genrico para cerca eltrica com alimentao fotovoltaica.
O eletrificador, alimentado pela tenso de 12 V, gera pulsos eltricos de alta tenso e curta
durao, cujo princpio de funcionamento condicionamento provocado pelo choque sobre os animais.
A tenso do pulso pode ser configurvel no eletrificador, de acordo com o tipo de animal a ser
confinado, sendo que alguns recomendam que no seja inferior a 5 kV.
O eletrificador deve ser convenientemente aterrado, dotado de proteo adequada para evitar
danos por descargas atmosfricas e instalado em local abrigado da chuva e do sol. O sistema
fotovoltaico deve ser instalado prximo ao eletrificador, com o painel fixado em local elevado (poste),
fora do alcance de pessoas e animais. O eletrificador deve ser instalado no centro geomtrico do
permetro da cerca (os pontos mais afastados devem estar eqidistantes do eletrificador), ou o mais
prximo possvel deste. A capacidade do eletrificador normalmente mencionada pelo fabricante em
kilmetros de extenso de cerca.
A bobina e o centelhador mostrados na Figura 5.22 compem o sistema de proteo contra
descargas atmosfricas que pode ser instalado no vo aps o mouro mais prximo do eletrificador.
285
O aterramento do eletrificador de cerca eltrica no serve para proteo eltrica, como numa
instalao convencional, mas parte integrante do sistema, pois quando o animal toca na cerca, o
circuito fechado pelas patas do animal na terra e, caso o aterramento no seja adequado, o choque
poder ser insuficiente para repel-lo. O nmero de hastes para compor a malha de aterramento
varivel em funo da condutibilidade eltrica do solo e os fabricantes normalmente recomendam
utilizar, no mnimo, trs hastes de 2,40 m, com separao de 3m. Cabos de 4 mm
2
so recomendados
para ligao do eletrificador s hastes. No permitido o a conexo do aterramento da cerca eltrica a
um sistema de aterramento j existente em uma instalao convencional, pelo contrrio, o sistema de
aterramento da cerca deve ser instalado afastado deste pelo menos 10 m.
A cerca deve ser de arame liso, de tipo especfico para cerca eltrica (jamais arame farpado), que
tem uma pesada galvanizao e baixa resistncia eltrica (~0,05/m). Arames em ao inox tambm
so usados. Arame galvanizado comum uma opo mais barata, porm, caso os arames sejam
atacados pela corroso, a eficcia da cerca ser reduzida, pois sua resistncia eltrica fica aumentada.
Devem ser evitadas conexes entre fios de cobre e o arame da cerca, pois resultam em corroso no
ponto de contato entre os dois metais. Deve-se lembrar que eletrificar arame farpado pode ser
perigoso, tanto para os animais, que podem se ferir caso toquem na cerca, se assustem e saltem, como
ainda mais para o homem, pois uma pessoa ao tocar na cerca pode tambm se assustar e se enroscar.
A forma de instalao dos arames depende do tipo de animal a ser confinado, podendo-se adotar
de 1 a 4 arames, em diferentes configuraes (alturas e forma de conexo eltrica). Uma possvel
configurao para locais em solos secos e com alta resistividade, seria uma instalao em 3 arames,
sendo eletrificados apenas os arames das extremidades (arames superior e inferior), enquanto que o
arame central aterrado com auxlio de uma haste a cada 1km, pelo menos. Podem ser usados
moures comuns de madeira, que possuem boa rigidez mecnica e bom isolamento eltrico (quando
secos). O arame no precisa ser muito tensionado, como nas cercas convencionais, o que diminui a
quantidade de moures necessrios, os quais nas cercas eltricas normalmente so afastados
tipicamente entre 20 m e 30 m, o que pode ainda contribuir para reduo de uso de madeira nativa
(desmatamento).
Como exemplo, as caractersticas de um caso real (COSTA et al., 2006) de uma cerca eltrica
para o confinamento de caprinos alimentada por meio de um sistema fotovoltaico, so as seguintes:
Mdulo fotovoltaico 10Wp;
Bateria 12V/40Ah;
Eletrificador 10 km/1,5J
rea cercada 200 x 200m (4 ha), com permetro de 800m.
286
Para o bom desempenho da cerca, o corte da vegetao sob a cerca deve ser regular, pois o
contato da vegetao com o arame causa correntes de fuga, que reduz o choque e desperdia energia.
As cercas eltricas devem ser adequadamente sinalizadas por meio de placas de advertncia a
intervalos regulares, para evitar acidentes pessoais, principalmente em trechos prximos a estradas,
trilhas etc. Para informaes detalhadas, a norma ABNT NBR IEC 60335-2-76, que trata da segurana
de eletrificadores de cerca com tenso nominal at 250 V, deve ser consultada.
5.4.3. Dessalinizao da gua
A Terra tem aproximadamente 3/4 de sua rea coberta por gua, sendo, porm, salgada cerca de
97 % da gua disponvel, o que implica em escassez de gua doce em algumas regies do planeta.
Portanto, preservao de mananciais existentes e criao de novas alternativas para aproveitamento de
parte da gua salgada existente uma necessidade premente no mundo.
A dessalinizao consiste na retirada de sais da gua salgada ou salobra, tornando-a doce e
prpria para o consumo humano e/ou animal. Dentre os processos de dessalinizao conhecidos
podem-se citar o por evaporao ou destilao, e o por osmose. O primeiro, quando natural, de baixo
custo, porm lento e com necessidade de grandes reas para os tanques de gua salgada e doce.
Quando a evaporao artificial, realiza-se a ebulio da gua salgada e o vapor gerado
posteriormente coletado em um segundo tanque e em seguida liquefeito, quando a gua estar potvel.
No segundo tipo de dessalinizao, a osmose pode ser natural ou reversa. A primeira
caracterizada pela presena de duas solues salinas com concentraes distintas, separadas por uma
membrana semipermevel. Atravs desta membrana estabelece-se naturalmente um fluxo de solvente
(no caso, a gua) da soluo menos concentrada para a de maior concentrao. O processo se mantm,
por mecanismo de presso (presso osmtica)
8
, at que as concentraes sejam iguais.
A osmose reversa consiste na aplicao de uma presso superior presso osmtica no tanque de
maior concentrao salina, de modo que o movimento do solvente (a gua) se faa no sentido inverso
ao natural, passando do lado mais concentrado para o de menor concentrao. Este um processo mais
rpido e eficiente que os anteriores. Apesar do custo de aquisio relativamente elevado e do custo de
operao (energia consumida), principais desvantagens do sistema, em alguns casos, o retorno do
investimento
9
do dessalinizador por osmose reversa pode se dar em poucos anos.
A dessalinizao de relevante importncia em locais onde h escassez de gua potvel, mas h
gua com considervel teor de sal, como o caso de grande parte do subsolo do nordeste brasileiro. Os

8
Presso osmtica fora que promove o deslocamento da gua de uma soluo menos concentrada para outra mais
concentrada atravs de uma membrana semipermevel.
9
Como informao de ordem de grandeza, dessalinizadores por osmose reversa de pequeno porte, vazo de 200 l/h, podem
ser encontrados no mercado a valores que chegam a cerca de R$ 10.000,00, excluindo custos de instalao e do gerador
fotovoltaico.
287
dessalinizadores tm uma vasta rea de aplicao como: no abastecimento de consumidores isolados,
em embarcaes fluviais ou martimas, na agricultura, em fbricas de gelo, em gua para operaes
menos nobres, como lavagem de pisos e limpeza em geral no caso de hotis ou pousadas, em
operaes militares, etc.
Os sistemas fotovoltaicos podem ser utilizados como fonte de energia para os sistemas de
dessanilizao. A Figura 5.23 apresenta um esquema para dessalinizao de gua, que tanto pode ser
usado em localidades remotas, onde no haja fornecimento de energia eltrica pela concessionria
local, quanto onde esta estiver disponvel. No caso isolado, a bomba c.a. pode ser alimentada por um
sistema fotovoltaico de bombeamento dgua ou por um grupo gerador.
A vantagem do uso do gerador fotovoltaico , em geral, funo da supresso, integral ou parcial,
da queima de combustveis fsseis para acionamento da motobomba, o que, em localidades remotas e
de difcil acesso, com precria logstica de fornecimento do combustvel, de importncia capital na
sustentabilidade do processo.

Figura 5.23 Esquema de dessalinizao fotovoltaica por osmose reversa. Fonte: Adaptado de (CARVALHO, 2003).

288
5.5 Sistemas Conectados Rede
Os Sistemas Fotovoltaicos Conectados Rede (SFCR) dispensam o uso de acumuladores, pois a
energia por eles produzida pode ser consumida diretamente pela carga, ou injetada diretamente na rede
eltrica convencional, para ser consumida pelas unidades consumidoras conectadas ao sistema de
distribuio. Estes sistemas so basicamente de um nico tipo e so aqueles em que o gerador
fotovoltaico representa uma fonte complementar ao sistema eltrico ao qual est conectado.
Instalaes deste tipo vm se tornando cada vez mais populares em diversos pases europeus,
Japo, Estados Unidos, e mais recentemente no Brasil. As potncias instaladas vo desde poucos kWp
em instalaes residenciais, at alguns MWp em grandes sistemas operados por empresas. Conforme
apresentado a seguir, estes sistemas se diferenciam quanto forma de conexo rede, que, dentre
outras caractersticas, depende tambm da legislao local vigente.
Como exemplo apresentado o projeto do Estdio Solar de Pituau (Figura 5.24). O projeto faz
parte do programa de eficincia energtica da distribuidora Coelba, com apoio do Governo do Estado
da Bahia. A construo foi finalizada em maro de 2012. Parte da energia eltrica gerada destinada
ao funcionamento do estdio. Mdulos de silcio amorfo foram instalados na cobertura do estdio
(238 kWp) e mdulos de silcio monocristalinos foram instalados sobre o telhado dos vestirios e em
uma rea de estacionamento (170 kWp), totalizando cerca de 400 kWp.

Figura 5.24 Sistema fotovoltaico instalado no estdio Pituau, BA. Fonte: (http://www.americadosol.org/pituacu_solar/).
5.5.1 Micro e minigerao fotovoltaica
No Brasil, os sistemas fotovoltaicos enquadrados como sistemas de micro e minigerao, so
regulamentados pela Resoluo Normativa Aneel N 482/2012, e devem atender aos Procedimentos de
Distribuio (PRODIST), Mdulo 3, e s normas de acesso das distribuidoras locais. A Resoluo 482
289
estabelece as condies gerais para o acesso de microgerao e minigerao distribudas aos sistemas
de distribuio de energia eltrica e o sistema de compensao de energia eltrica, cujas definies
so:
Microgerao distribuda: central geradora de energia eltrica, com potncia instalada menor
ou igual a 100 kW e que utilize fontes com base em energia hidrulica, solar, elica,
biomassa ou cogerao qualificada, conforme regulamentao da Aneel, conectada na rede
de distribuio por meio de instalaes de unidades consumidoras.
Minigerao distribuda: central geradora de energia eltrica, com potncia instalada superior
a 100 kW e menor ou igual a 1 MW para fontes com base em energia hidrulica, solar,
elica, biomassa ou cogerao qualificada, conforme regulamentao da Aneel, conectada na
rede de distribuio por meio de instalaes de unidades consumidoras.
Sistema de compensao de energia eltrica: sistema no qual a energia ativa injetada por
unidade consumidora com microgerao distribuda ou minigerao distribuda cedida, por
meio de emprstimo gratuito, distribuidora local e posteriormente compensada com o
consumo de energia eltrica ativa dessa mesma unidade consumidora ou de outra unidade
consumidora de mesma titularidade da unidade consumidora onde os crditos foram gerados,
desde que possua o mesmo Cadastro de Pessoa Fsica (CPF) ou Cadastro de Pessoa Jurdica
(CNPJ) junto ao Ministrio da Fazenda.
So considerados na resoluo 482 dois tipos de medio da energia, apresentadas a seguir.
5.5.1.1 Medio bidirecional de registros independentes
Neste caso, exemplificado pela Figura 5.25, a energia consumida e a energia injetada na rede de
distribuio so registradas separadamente pelo medidor bidirecional (ou por dois medidores que
medem a energia em cada sentido). A cada instante apenas o registro em um dos sentidos ser
realizado, dependendo da diferena instantnea entre a demanda e a potncia gerada pelo sistema
fotovoltaico.
Este o tipo de registro requerido pela Aneel na regulamentao em vigor. A Aneel estipulou
ainda, pela resoluo normativa n
o
569, de 23 de julho de 2013, que as unidades consumidoras do
grupo B, onde os consumidores residenciais esto includos, no podem ser cobradas pelo excedente
de reativos devido ao baixo fator de potncia.

290

(a)


(b)
Figura 5.25 - Medio bidirecional de registros independentes (a) com a utilizao de um medidor bidirecional e (b) com a
utilizao de dois medidores unidirecionais.
5.5.1.2 Medies simultneas
Quando se deseja ter informaes mais precisas sobre o consumo de energia e a produo do
sistema fotovoltaico, deve-se adotar este tipo de medio. Conforme pode ser visto na Figura 5.26, a
medio da energia gerada pelo sistema fotovoltaico independente da medio de energia consumida
pela unidade consumidora. No tipo de medio do item anterior, a energia medida a energia lquida,
ou seja, a gerada menos a consumida. Na condio de medio simultnea, toda a energia gerada
medida, assim como toda a energia consumida. Os clculos do balano energtico so realizados
posteriormente, pela distribuidora. A medio simultnea tambm prevista na regulamentao da
Aneel.
291

Figura 5.26 - Medies simultneas.
5.5.2 Sistemas fotovoltaicos integrados a edificaes
Os Sistemas Fotovoltaicos Integrados a Edificaes (SFIE) fazem parte de uma categoria
relativamente nova no Brasil, mas que j uma realidade em vrios pases do mundo. Na Europa,
especialmente, esta uma vertente para a aplicao de sistemas fotovoltaicos que vem prosperando
bastante. H projees de que em 2050 na Europa se consiga alcanar um patamar de eficincia
energtica de forma a reduzir em 50 % os gastos com aquecimento e ar condicionado de ambientes em
relao aos valores verificados em 2012, por meio da utilizao da gerao prxima carga e da
adoo conjunta de projetos, construes e uso de materiais que privilegiem o melhor uso da energia,
sem, contudo, penalizar o bem-estar dos usurios das edificaes.
Os SFIEs dispensam a criao de novos espaos para sua instalao, pois podem ser aplicados
em edificaes j existentes sobre os telhados ou fachadas, servindo no apenas como fontes de
energia, mas como elementos de sombreamento e diferencial arquitetnico da prpria construo. Os
SFIEs podem ser melhor aproveitados quando definidos ainda na fase de projeto da edificao, por
exemplo substituindo o telhado convencional, diminuindo o custo final da obra. Do ponto de vista
arquitetnico, os SFIEs tambm so uma importante opo, j que os geradores fotovoltaicos podem
ser encontrados no mercado internacional com diversas cores, formatos e graus de flexibilidade
mecnica.
A grande vantagem dos SFIEs reside no fato de que a energia gerada pode ser totalmente usada
na edificao, reduzindo perdas com transmisso e distribuio, alm de diminuir o consumo de
energia proveniente da rede da concessionria.
No que concerne viabilidade econmica dos SFIEs, estes ainda no alcanaram a paridade
tarifria no Brasil e o custo de aquisio e instalao destes sistemas ainda inibe o seu
desenvolvimento no pas.
292
No Brasil, os SFIEs podem ser enquadrados na classificao de micro ou minirredes (at 1 MW),
conforme a resoluo Aneel n
o
482/2012 ou na categoria de autoprodutores de energia, obedecendo,
portanto, o Decreto Federal N
o
2003/1996, que dispe sobre a produo de energia por produtores
independentes e autoprodutores.
5.5.3 Usinas fotovoltaicas (UFVs)
Usinas fotovoltaicas podem atingir potncias da ordem de MWp, podendo ser operados por
produtores independentes e sua conexo com a rede em geral feita em mdia tenso, por exemplo,
13,8 ou 34,5 kV. Caso seja uma gerao associada a uma unidade consumidora, com potencia
instalada at 1 MWp, ento poder ser enquadrada como minigerao na RN 482. Neste caso, o
Mdulo 3 do Prodist (Seo 3.7) prope que tais sistemas de minigerao, ou seja, aqueles com
potncia instalada superior a 100kWp e inferior a 1MWp, sejam conectados em mdia tenso, mas
ressalta que o nvel de tenso de conexo da central geradora deve ser definido pela distribuidora em
funo das limitaes tcnicas da rede.
A Figura 5.27 mostra o esquema de um sistema deste tipo, onde evidenciada a presena de um
transformador para elevar a tenso ao nvel de distribuio.

Figura 5.27 - Sistemas de grande porte.
As UFVs tem se apresentado como uma opo vivel para pases que dependem de importao
de combustveis fsseis para gerao de energia eltrica e que vislumbram na energia solar uma
soluo para mitigar esta carncia e, ao mesmo tempo, preservar o meio ambiente pela menor emisso
de gases poluentes, alm de favorecer a criao de novos postos de trabalho. Pases como Alemanha,
Itlia, Espanha e Portugal adotaram esta opo e hoje se destacam na gerao de energia eltrica
atravs de UFVs.
A primeira UFV implantada no Brasil foi um empreendimento privado, da empresa MPX,
localizado no municpio de Tau-CE, a cerca de 360 km de Fortaleza. A UFV Tau tem potncia
instalada de 1,0 MWp, em 4.680 mdulos de p-Si de 215Wp, conta com 9 inversores de 100kWp e
injeta a energia na rede de 13,8 kV da Coelce (Companhia Energtica do Cear). A usina entrou em
operao em julho de 2011 e tem apresentado fator de capacidade mensal entre 14,8% e 22,1%, sendo
que em 2012 sua gerao total foi de 1.620 MWh, o que corresponde a uma gerao mensal mdia de
135,1 MWh/ms (MPX, 2013).
293
No mbito dos projetos da Chamada 13 da Aneel foi construda a UFV Tanquinho (Figura 5.28),
pela CPFL Companhia Paulista de Fora e Luz. A UFV foi implantada na rea da subestao
Tanquinho da CPFL e tem potncia instalada de 1.082 kWp. A primeira fase do empreendimento (511
kWp, em mdulos de filmes finos de a-Si/mc-Si -heterojuno) entrou em operao em novembro de
2012 (BOMEISEL, 2013).

Figura 5.28 UFV Tanquinho. Fonte: (BOMEISEL, 2013).
Outros exemplos de sistemas fotovoltaicos instalados no Brasil so apresentados no Apndice 3.
5.6 - Referncias
ABNT NBR IEC 60335-2-76. Aparelhos Eletrodomsticos e Aparelhos Eltricos Similares
Segurana Parte 2-76: Requisitos para Eletrificadores de Cerca. Associao Brasileira de
Normas Tcnicas. 3 de dezembro de 2007.
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica. Resoluo Normativa N
o
493/2012. 5 de
junho/2012a.
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica. Resoluo Normativa N
o
482/2012. 17 de
abril de 2012b.
ANEEL Agncia Nacional de Energia Eltrica. Procedimentos de Distribuio de Energia
Eltrica no Sistema Eltrico Nacional Prodist; Mdulo 3 Acesso ao Sistema de Distribuio.
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294
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Universidade Federal de Pernambuco, 2001.


296
CAPTULO 6
PROJETO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
297
CAPTULO 6 PROJETO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
O projeto de um sistema fotovoltaico envolve orientao dos mdulos, disponibilidade de rea,
esttica, disponibilidade do recurso solar, demanda a ser atendida e diversos outros fatores. Atravs do
projeto pretende-se adequar o gerador fotovoltaico s necessidades definidas pela demanda. O
dimensionamento de um sistema fotovoltaico (SFV) o ajuste entre a energia radiante recebida do sol
pelos mdulos fotovoltaicos e a necessidade de suprir a demanda de energia eltrica.
Antes de prosseguir descrevendo etapas de um projeto, necessrio fazer uma separao entre
sistemas fotovoltaicos isolados da rede (SFI) e sistemas fotovoltaicos conectados rede (SFCR). No
primeiro caso o sistema gerador visa atender a um determinado consumo de energia eltrica, e
fundamental estimar esta demanda energtica com preciso para que o sistema projetado produza a
energia necessria. J no segundo caso, o consumo de energia eltrica da instalao menos
importante, pois pode ser complementado com energia extrada da rede de distribuio. Apesar deste
captulo tratar separadamente dessas duas situaes, muitos dos procedimentos apresentados para
sistemas isolados (SFIs) so tambm requeridos em sistemas conectados rede (SFCRs).
Ressalta-se que este Manual direcionado principalmente para projetos de sistemas de pequeno
porte dotados de painel fotovoltaico de algumas centenas de Wp a algumas dezenas de kWp em
baixa tenso.
6.1 - Etapas Preliminares de Projeto de um Sistema Fotovoltaico
Como pode ser visto nas Figuras 6.1 e 6.2, os blocos bsicos de um SFV so: gerao
1
,
equipamentos de controle e condicionamento de potncia e, no caso dos sistemas isolados,
armazenamento de energia. Partindo dos dados meteorolgicos e de uma boa estimativa da demanda a
ser atendida, o projetista dimensiona ou especifica cada um destes blocos, alm dos demais
componentes necessrios operao segura e confivel de cada subsistema em particular.

(a)

1
Que pode ser exclusivamente fotovoltaica ou incluir outras alternativas, configurando a gerao hbrida de energia.
298

(b)

(c)
Figura 6.1 - Diagrama de blocos de sistemas fotovoltaicos isolados: (a) - Isolado para eletrificao individual; (b) - Isolado
para eletrificao com minirrede; (c) Bombeamento de gua.

Figura 6.2 - Diagrama de blocos de sistemas fotovoltaicos: Microgerao conectada rede.
As principais etapas do projeto de um SFV so as seguintes:
1 - Levantamento adequado do recurso solar disponvel no local da aplicao;
2 - Definio da localizao e configurao do sistema;
3 - Levantamento adequado de demanda e consumo de energia eltrica;
4 - Dimensionamento do gerador fotovoltaico;
5 - Dimensionamento dos equipamentos de condicionamento de potncia que, no caso dos
SFCRs, se restringe ao inversor para interligao com a rede;
299
6 - Dimensionamento do sistema de armazenamento, usualmente associado aos sistemas
isolados.
Vale ressaltar que neste texto detalhado apenas o projeto de sistemas puramente fotovoltaicos,
fixos (sem seguimento solar) e sem concentrao da radiao solar.
6.1.1 - Avaliao do recurso solar
Nesta fase do projeto busca-se quantificar a radiao solar global incidente sobre o painel
fotovoltaico. Nem sempre os dados esto disponveis na forma em que se precisa para utiliz-los no
dimensionamento do sistema. Por isso, muitas vezes necessrio utilizar mtodos de tratamento de
dados que permitam estimar as grandezas de interesse.
Os dados de radiao solar podem estar especificados em termos de valores instantneos do
fluxo de potncia ou valores de energia por unidade de rea (com diversos perodos de integrao),
conhecidos como irradincia e irradiao, respectivamente. A forma mais comum de apresentao dos
dados de radiao atravs de valores mdios mensais para a energia acumulada ao longo de um dia.
Tambm comum determinar-se um Ano Meteorolgico Padro ou Tpico (em lngua inglesa TMY
typical meteorologica year) a partir de informaes armazenadas ao longo de vrios anos de
medidas. Conforme apresentado no item 2.2, existem diversas unidades para se representar valores de
radiao solar.
Um gerador fotovoltaico tem suas caractersticas eltricas dependentes basicamente da
irradincia e da temperatura nos mdulos. A influncia da irradincia solar muito mais significativa
do que a da temperatura. A irradincia pode variar significativamente em curtos intervalos de tempo
(da ordem de segundos), especialmente em dias com nuvens, mas a variao da temperatura
amortecida pela capacidade trmica dos mdulos.
Nas estimativas de produo de energia eltrica, til ignorar os efeitos de variao da
irradincia a cada instante e considerar a totalidade da energia eltrica convertida em intervalos
horrios. Como h uma forte linearidade entre a produo de energia e a irradiao horria, este
conceito pode ser estendido, gerando uma forma bastante conveniente de se expressar o valor
acumulado de energia solar ao longo de um dia: o nmero de Horas de Sol Pleno (HSP). Esta grandeza
reflete o nmero de horas em que a irradincia solar deve permanecer constante e igual a 1 kW/m
2

(1.000 W/m
2
), de forma que a energia resultante seja equivalente energia disponibilizada pelo Sol no
local em questo, acumulada ao longo de um dado dia. Mostra-se, a seguir, um exemplo de clculo do
nmero de HSP para um caso em que a irradiao de 6 kWh/m
2
.
] h/dia [ 6
] kW/m [ 1
] kWh/m [ 6
2
2
= = HSP
300
A Figura 6.3 ajuda na compreenso da grandeza Horas de Sol Pleno.

Figura 6.3 Exemplo de perfis de radiao solar diria com valores equivalentes de HSP. Fonte: (PINHO et al., 2008).
Em base mensal, a irradiao incidente no plano dos mdulos convertida para seu valor mdio
dirio em kWh/m e, em seguida, utiliza-se o valor numrico como HSP. Esses valores podem ser
obtidos a partir da converso para o plano inclinado e posterior integrao de curvas semelhantes s
apresentadas na Figura 6.4, obtidas para a vila de So Tom, Municpio de Maracan, no Estado Par.
A obteno de dados mdios de irradiao no plano horizontal e sua converso para planos inclinados
so tratadas no Captulo 2.

Figura 6.4 Mdia mensal da irradincia global diria no plano horizontal para os perodos especificados - vila de So
Tom (Par).
Cabe frisar, no entanto, que nada substitui a medio in situ, no local de implantao do projeto,
e que incorrees podem advir das diferenas entre os valores estimados e os valores reais.
Ensolarado Nublado Chuvoso
Tempo (h)
6:00 12:00 18:00
Tempo (h)
6:00 12:00 18:00
Tempo (h)
6:00 12:00 18:00
I
r
r
a
d
i

n
c
i
a

(
W
/
m
2
)
1.000 W/m
2
6.000
Wh/m
2
2.500
Wh/m
2
1.000 Wh/m
2
Tempo (h)
6:00 12:00 18:00
Tempo (h)
6:00 12:00 18:00
Tempo (h)
6:00 12:00 18:00
I
r
r
a
d
i

n
c
i
a

(
W
/
m
2
)
1.000 W/m
2
6
,
0

H
S
P
2
,
5

H
S
P
1
,
0

H
S
P
1.000 W/m
2
1.000 W/m
2
1.000 W/m
2
1.000 W/m
2
301
6.1.2 - Localizao
Mesmo dentro de uma regio com recurso solar uniforme, a escolha do local em que os painis
FV sero efetivamente instalados pode ser determinante de seu desempenho. A integrao com
elementos arquitetnicos e a presena de elementos de sombreamento ou superfcies reflexivas
prximas podem afetar a eficincia de um sistema fotovoltaico. Tambm a capacidade de trocar calor
com o meio, impacta a eficincia do painel. Em regies isoladas mais provvel que se encontrem
superfcies livres, sem sombreamento e com fcil circulao de ar. No entanto, nas instalaes urbanas
tipo rooftop (de telhado), por exemplo, o projetista tem menos liberdade no posicionamento dos
painis.
Para ter uma boa estimativa da radiao incidente no plano do painel, o projetista deve obter
informaes sobre os atuais e potenciais elementos de sombreamento e superfcies reflexivas
prximas, inclusive o cho. A refletividade do cho ou outros elementos prximos (albedo) tambm
pode contribuir para a radiao global incidente sobre o painel.
Por isso, alguns programas de dimensionamento permitem incorporar um modelamento 3D dos
prdios e objetos vizinhos na simulao do desempenho do sistema, como indicado no item 6.6,
trazendo para o dimensionamento elementos da posio efetiva dos painis. Aspectos como inclinao
e orientao azimutal do painel passam a ser bastante relevantes em instalaes urbanas.
Aspectos estticos, a resistncia mecnica do telhado e do prdio e o efeito dos ventos tambm
so elementos importantes na escolha do local de instalao do painel fotovoltaico.
6.1.3 - Escolha da configurao
A escolha da configurao para o sistema pode ser realizada baseada nas informaes dos
Captulos 4 e 5, onde se apresentam detalhes sobre os componentes e as configuraes mais comuns:
sistemas isolados ou conectados rede, c.a. ou c.c., com ou sem armazenamento etc. Basicamente, a
escolha baseia-se nas caractersticas da carga e na disponibilidade de recursos energticos.
6.1.4 - Levantamento da demanda e do consumo de energia eltrica
A base do dimensionamento no caso de SFIs entender que o sistema deve gerar mais
eletricidade do que o limite estabelecido para consumo. Deve-se definir um perodo de tempo e a
produo de eletricidade neste perodo deve ser maior do que a demanda eltrica a ser atendida. Isto
deve se repetir nos perodos subsequentes.
A maneira mais tradicional para determinar a demanda de uma unidade consumidora somar as
energias consumidas por cada equipamento. Isto geralmente feito em uma planilha, onde esto
listados os equipamentos, sua potncia eltrica, o tempo dirio de funcionamento e os dias de
utilizao por semana, para que se disponha de dados dirios de energia consumida, em Wh/dia. Esta
302
estimativa pode ser realizada em mdia semanal, obtendo-se um valor mdio de energia eltrica
consumida por dia. A Tabela 6.1 apresenta um exemplo de clculo para trs tipos de equipamentos.
Quando se trata de cargas usadas para refrigerao, como geladeiras e freezers, deve-se
preferencialmente consultar os dados de placa do equipamento, onde geralmente consta seu consumo
mdio mensal
2
. A partir dele, estima-se o consumo mdio dirio.
Tabela 6.1 - Exemplo de clculo de consumo dirio de energia (mdia semanal).
Carga
Potncia
(W)
Horas de
utilizao
por dia
Dias de
utilizao
por semana
Consumo
dirio (Wh)
Equipamento 1 15 x 3 x 4 7 = 25,71
Equipamento 2 60 x 2 x 2 7 = 34,29
Equipamento 3 100 x 1,5 x 7 7 = 150,00
Potncia total 175 Consumo dirio total = 210,00
Obs. x nesta tabela representa o smbolo de multiplicao.
Um importante fator a ser observado o tipo de alimentao das cargas, se em corrente contnua
(c.c.) ou alternada (c.a.). A utilizao de equipamentos c.c. dispensa a utilizao do inversor; porm, a
disponibilidade comercial deste tipo de equipamento menor, seus custos so mais elevados, e, muitas
vezes, sua qualidade inferior dos equipamentos equivalentes convencionais em c.a. Caso o sistema
atenda cargas c.a., o consumo dirio mostrado na Tabela 6.1 deve ser dividido por um fator decimal
representativo da eficincia mdia do inversor. Caso o fabricante indique valores de 90 % de
eficincia, bastante comuns, o consumo da tabela deve ser dividido por 0,9, resultando, neste caso, em
233,33 Wh. Observa-se na tabela ainda a demanda mxima de 175W, de forma que o inversor deve ser
capaz de atend-la de forma contnua. Alm disso, este deve tambm ser capaz de suportar os picos de
partida requeridos por determinadas cargas, se for o caso.
A especificao do valor de potncia dos equipamentos a serem atendidos pelo sistema deve ser
obtida atravs de dados fornecidos pelo prprio fabricante, independentemente do tipo de alimentao,
pois h uma ligeira variao entre a potncia de equipamentos semelhantes de fabricantes diferentes.
Ateno deve ser dada para o fato de que equipamentos idnticos alimentados em c.c. e c.a. podem
possuir valores de potncia diferentes. Na ausncia dessa informao, podem ser utilizados valores
tabelados fornecidos por rgos como o Cepel e Inmetro, por exemplo. A Tabela 6.2 apresenta dados
de alguns equipamentos usuais, sendo suas potncias vlidas para alimentao em c.a. Ressalta-se que

2
Ressalta-se que o consumo especificado pelo fabricante refere-se a determinadas condies de uso e de temperatura (tanto
interna como externa). Em locais muito quentes como a Regio Norte do Brasil, com temperaturas mdias acima de 30
o
C,
por exemplo, e para utilizao residencial tpica, o consumo dos refrigeradores e freezers pode atingir valores
significativamente maiores do que o especificado.
303
o custo de investimento de sistemas fotovoltaicos relativamente alto e por isso deve ser estimulado o
uso de equipamentos eltricos eficientes. Mesmo que os equipamentos eficientes possam ser mais
caros que os equipamentos tpicos, menos eficientes, os custos evitados de gerao podem compensar
esse investimento.
Para calcular o consumo mdio de energia (kWh) de um equipamento de acordo com o seu
hbito de uso, procure a potncia do aparelho no catlogo ou manual do fabricante e utilize a seguinte
expresso:

(6.1)
onde:

(kWh/ms) consumo mdio mensal;

(W) potncia nominal do equipamento (dado de placa ou do manual do fabricante);

(h/dia) numero mdio de horas dirias de utilizao do equipamento;

(dias/ms) nmero mdio de dias de utilizao do equipamento, por ms.


Alguns equipamentos no consomem energia eltrica continuamente, como por exemplo, os
compressores dos refrigeradores, que so acionados pelos termostatos. Neste caso, a frmula
apresentada acima pode no resultar em valor adequado de consumo e devem ser utilizados os
consumos declarados pelo fabricante ou verificados por ensaios.
Alguns autores recomendam considerar para fins de clculo de consumo que os compressores
permanecem ligados, por exemplo, durante 50% a 60% do tempo. Todavia, tais afirmaes devem ser
vistas com cautela, pois o regime real de operao do compressor depende de muitas variveis, como o
tipo do refrigerador (vertical ou horizontal), a temperatura ambiente, a carga trmica colocada
diariamente em seu interior e o nmero de vezes por dia que a porta aberta.
Na Tabela 6.2 so apresentadas estimativas de consumo mdio mensal de eletrodomsticos,
sugeridas pelo PROCEL. Note que os valores devem ser recalculados se o hbito de uso e a potncia
do equipamento forem diferentes.

304
Tabela 6.2 - Valores estimados de consumo mdio mensal de alguns equipamentos eltricos. Fonte: Adaptado (PROCEL)
Aparelhos Eltricos
Potncia
mdia
(W)
Dias estimados
de uso
(dias/ms)
Utilizao
mdia
(h/dia)
Consumo
mdio
mensal
(kWh/ms)
Aparelho de DVD 15 8 2 h 0,24
Aparelho de som 110 20 3 h 6,6
Aspirador de p 717 30 20 min 7,17
Batedeira 150 8 20 min 0,4
Bomba d'gua 1/2 CV 480 30 30 min 7,2
Bomba d'gua 1/3 CV 410 30 30 min 6,15
Cafeteira eltrica 219 30 1 h 6,56
Computador 63 30 8 h 15,12
Espremedor de frutas 54 20 10 min 0,18
Exaustor fogo 166 30 2 h 9,96
Freezer vertical/horizontal 66 30 24 h 47,55
Frigobar 26 30 24 h 18,9
Geladeira 1 porta 35 30 24 h 25,2
Geladeira 2 portas 67 30 24 h 48,24
Impressora 15 30 1 h 0,45
Lmpada fluorescente compacta - 11 W 11 30 5 h 1,65
Lmpada fluorescente compacta - 15 W 15 30 5 h 2,25
Lmpada fluorescente compacta - 23 W 23 30 5 h 3,45
Lavadora de roupas 147 12 1 h 1,76
Liquidificador 213 15 15 min 0,8
Mquina de costura 100 10 3 h 3
Modem de internet 8 30 8 h 1,92
Monitor 55 30 8 h 13,2
Monitor LCD 34 30 8 h 8,16
Multiprocessador 428 20 1 h 8,56
Nebulizador 42 16 2,5 h 1,68
Notebook 20 30 8 h 4,8
Prancha (chapinha) 33 20 30 min 0,33
Rdio eltrico pequeno 5 30 10 h 1,5
Rdio relgio 5 30 24 h 3,6
Tanquinho 70 12 1 h 0,84
Telefone sem fio 3 30 24 h 2,16
TV em cores - 14" (tubo) 42 30 5 h 6,3
TV em cores - 29" (tubo) 101 30 5 h 15,15
TV em cores - 32" (LCD) 95 30 5 h 14,25
TV em cores - 40" (LED) 83 30 5 h 12,45
TV em cores - 42" (LED) 203 30 5 h 30,45
TV porttil 47 30 5 h 7,05
Ventilador de mesa 72 30 8 h 17,28
Ventilador de teto 73 30 8 h 17,52
Videogame 24 15 4 h 1,44
Na Tabela 6.3 so apresentados exemplos de eletrodomsticos de alto consumo e/ou demanda
que devem ser evitados em SFIs. As limitaes de atendimento que o sistema apresenta devem ser
informadas ao usurio, mostrando a este que certos equipamentos eltricos de alto consumo
restringiro em muito o tempo de uso do sistema ou so inviveis de serem utilizados por apresentarem
potncias mais elevadas que a permitida pelo sistema (potncia do inversor fotovoltaico).

305
Tabela 6.3 Exemplos de equipamentos eltricos que devem ser evitados ou proibidos em sistemas isolados de pequeno
porte. Fonte: Adaptado (PROCEL)
Aparelhos Eltricos
Potncia
mxima
(W)
Dias Estimados
Uso/Ms
Mdia
Utilizao/Dia
Consumo
Mdio
Mensal
(kWh)
Chuveiro eltrico - 4500 W 4500 30 32 min 72
Chuveiro eltrico - 5500 W 5867 30 32 min 88
Ferro eltrico automtico a seco 1050 12 1 h 2,4
Ferro eltrico automtico a vapor 1200 12 1 h 7,2
Forno micro-ondas - 25 L 1400 30 20 min 14
Secador de cabelo 1000 30 10 min 5
Torradeira 800 30 10 min 4
Um sistema fotovoltaico isolado deve contar com armazenamento de energia eltrica para
atender o consumo nas horas em que no h gerao. O armazenamento serve tambm para equilibrar
o fluxo de energia ao longo do tempo, desacoplando os picos de potncia da gerao e da demanda.
Assim, um sistema gerador com painel de 50 Wp pode abastecer, por exemplo, uma demanda de 175
W, porque o armazenamento permite acumular a energia ao longo do tempo e entreg-la em um
perodo menor que o da gerao.
No caso dos sistemas fotovoltaicos de bombeamento dgua, esse armazenamento realizado na
forma de energia potencial gravitacional, relacionada ao volume de gua bombeado at um
reservatrio. Para se calcular o consumo de energia eltrica desse sistema, necessrio estimar
adequadamente a demanda total de gua. Posteriormente, calcula-se a energia hidrulica necessria
para bombear o volume estimado de gua at a altura desejada, considerando-se as perdas de carga
nesse processo. Em seguida, corrige-se as perdas no processo de converso de energia eltrica em
energia hidrulica. Mais detalhes sobre esse processo de clculo so apresentados no item 6.3.
6.1.4.1 - Estimativa da curva de carga
O dimensionamento do sistema de gerao em aplicaes isoladas (SFIs) pode ser feito
totalizando-se o consumo dirio de cada equipamento para um dimensionamento simplificado, ou
construindo-se, com a maior fidelidade possvel, uma curva de carga (Figura 6.5) para um
dimensionamento por meio de um programa de simulao, mais aprofundado. O levantamento preciso
da curva de carga, identificando as possveis sazonalidades mensais e anuais, pode implicar uma
reduo importante do custo do sistema e reduzir o risco de falta de energia.
306

Figura 6.5 Exemplo de uma curva de carga de uma comunidade da Amaznia. Fonte: (PINHO et al., 2008).
O levantamento da curva de carga muito til no desenvolvimento de projetos envolvendo
minirredes isoladas e sistemas conectados rede eltrica, onde se estabelece a frao da carga a ser
atendida pelo SFV. A Figura 6.6 ilustra uma curva de carga estimada para uma localidade com os seus
respectivos consumos separados por trs perodos do dia. Nesse cenrio foram levadas em
considerao as cargas instaladas no local, agrupadas por perodos de funcionamento, alm da
demanda reprimida.

Figura 6.6 Exemplo de curva de carga estimada para uma dada localidade.
Tenso nominal e caractersticas adicionais dos equipamentos (c.a. ou c.c., eficincias etc.)
completam a especificao da carga. Quanto potncia total, no caso mais conservador, deve-se
considerar que todos os equipamentos podero ser acionados ao mesmo tempo, em especial para os
sistemas individuais. No caso de sistemas tipo minirrede pode-se considerar um fator de diversidade de
demanda.
307
Projetistas de SFCRs, por sua vez, trabalham, normalmente, com a hiptese de que a rede
eltrica uma carga capaz de consumir toda a energia gerada pelo sistema, e no momento da gerao.
Alm disso, a avaliao da carga feita segundo outros parmetros, como por exemplo, a qualidade da
energia requerida pelo comprador (nvel de harmnicos, regulagem da tenso etc.), capacidade de
corrigir o fator de potncia e o nvel de interferncia eletromagntica que pode comprometer o
funcionamento de equipamentos eletrnicos.
Muitos programas de dimensionamento e de simulao de operao de SFVs podem trabalhar
com base horria, ou seja, com a carga e o recurso solar sendo especificados a cada hora, e por um
perodo de simulao que pode variar de um dia a vrios anos.
6.2 - Dimensionamento de Sistemas Fotovoltaicos Isolados pelo Mtodo do Ms Crtico
O mtodo do ms crtico tambm chamado de intuitivo e consiste na realizao do
dimensionamento do SFI considerando um balano de energia durante o perodo do ano no qual
ocorrem as condies mdias mais desfavorveis para o sistema. Supe-se que se o sistema funcionar
adequadamente nesse ms, isso ocorrer tambm nos demais meses do ano, assim sendo, o sistema
produzir mais energia nos outros meses nos quais as condies forem mais favorveis. No caso de a
carga ser fixa, constante ao longo do ano, como o caso dos sistemas tipo SIGFI especificados de
acordo com a resoluo Aneel, ento o dimensionamento pode ser feito simplesmente com base no
ms de pior irradiao solar no ano. Este mtodo, como outros mtodos simplificados, tem a
desvantagem de no otimizar energeticamente a instalao, j que no faz um seguimento contnuo dos
parmetros envolvidos.
O mtodo utiliza valores mdios mensais de irradiao solar e da carga, considerando-se
somente os valores do ms mais desfavorvel na relao carga/irradiao, proporcionando um excesso
de energia nos meses mais favorveis.
A metodologia apresentada abaixo apenas uma entre dezenas de trabalhos e recomendaes
elaborados com procedimentos, se no idnticos, muito parecidos.
Dimensionamento da Gerao (painel fotovoltaico)
Para calcular a energia ativa necessria diariamente (L) leva-se em conta o tipo de carga do
sistema em corrente alternada e em corrente contnua (o Apndice 4 apresenta uma planilha que
auxilia nos clculos), se houver, e a eficincia dos elementos que participam do processo de
armazenamento e condicionamento de potncia, conforme a Equao 6.2.
|
|
.
|

\
|
+
|
|
.
|

\
|
=
inv bat
ca
bat
cc
L L
L
q q q
(6.2)
308
Onde:
L
cc
(Wh/dia) - quantidade de energia consumida diariamente em corrente contnua em
determinado ms,
L
ca
(Wh/dia) - quantidade de energia consumida diariamente em corrente alternada no mesmo
ms;

bat
(%) - eficincia global da bateria;

inv
(%) - eficincia do inversor.
Cabe salientar que o valor da eficincia do inversor depende do seu carregamento em relao a
sua potncia nominal. Se a curva de eficincia do inversor no for apresentada no manual ou no
catlogo, deve ser solicitada ao fabricante. Como referncia, cita-se que a eficincia do inversor
requerida, na faixa de operao entre 50% e 100% da potncia nominal, pelo Inmetro em seu Requisito
de Avaliao da Conformidade para Sistemas e Equipamentos para Energia Fotovoltaica de, no
mnimo, 85%. Conforme o Captulo 4, o valor da eficincia global da bateria sugerido de 86%.
Com base na Equao 6.2, deve ser calculado o valor mdio dirio de energia requerido para
cada um dos meses do ano, e a potncia necessria para o painel fotovoltaico, por sua vez, deve ser
obtida conforme mostra a Equao 6.3.

(6.3)
Onde:
P
m
(Wp) - potncia do painel fotovoltaico;
L
i
(Wh/dia) - quantidade de energia consumida diariamente no ms i (obtida pela Equao 6.2);
HSP
i
(h/dia) - horas de sol pleno no plano do painel fotovoltaico no ms i;
Red
1
(%) - fator de reduo (derating) da potncia dos mdulos fotovoltaicos, em relao ao
seu valor nominal, englobando os efeitos de: i) um eventual acmulo de sujeira na
superfcie ao longo do tempo de uso; ii) degradao fsica permanente ao longo do
tempo; iii) tolerncia de fabricao para menos, em relao ao valor nominal; iv)
perdas devido temperatura. A este fator Red
1
atribu-se por default o valor de 0,75,
para mdulos fotovoltaicos de c-Si;
Red
2
(%) - fator de derating da potncia devido a perdas no sistema, incluindo fiao,
controlador, diodos etc. A este valor recomenda-se como default o valor de 0,9.
No caso geral, o ms crtico, que corresponde potncia P
m
, definido pela Equao 6.3 por
uma combinao entre o consumo mensal (L
i
) e a irradiao mensal (HSP
i
). Porm, no caso de uma
carga L fixa, como, por exemplo, num sistema tipo SIGFI, ento considera-se na Equao 6.3 apenas
este valor fixo L, de forma que a potncia do painel P
m
ser correspondente ao ms de pior irradiao,
que passa automaticamente a ser o ms crtico.


309
Dimensionamento considerando controlador de carga convencional
Com a utilizao de um controlador de carga convencional (sem SPPM), a determinao do
nmero de mdulos em srie (Equao 6.4), deve considerar, alm da tenso do sistema (V
sist
), a tenso
de mxima potncia dos mesmos quando estiverem operando na temperatura mais elevada prevista
para o mdulo em uma dada localidade (V
mpTmax
).

(6.4)
O coeficiente 1,2 na Equao 6.4 considera que um mdulo fotovoltaico tem que carregar uma
bateria at uma tenso 20% acima da nominal (por exemplo, uma bateria de 12V de Pb-cido tem uma
tenso de carregamento em torno de 14,4 V e de equalizao de 14,7 V) e considera, ainda, alguma
perda hmica. Considerando-se que um mdulo de 36 clulas em climas quentes perde entre 2 e 3 V
devido ao aumento da temperatura, necessrio dispor de um mdulo que fornea uma tenso nominal
de potncia mxima, nas condies padro de teste, de aproximadamente 17 V.
Ressalta-se que o valor obtido para o nmero de mdulos em srie deve ser arredondado para
maior, respeitando a tenso mxima de entrada do controlador de carga. Caso este arredondamento
seja superior a 0,5 (parte decimal de N
o
mdulos_srie inferior a 0,5), recomenda-se que seja
selecionado outro mdulo para compor o gerador FV, evitando sobredimensionamento.
Ressalta-se, ainda, que utilizando-se controladores convencionais, recomendado que o mdulo
a ser escolhido tenha o nmero de clulas adequado tenso de operao do sistema (V
sist
). Por
exemplo, para um sistema de 12 V, utiliza-se um mdulo de 36 clulas (que so fabricados
especificamente para o uso neste tipo de SFI), para um sistema de 24 V, utilizam-se dois mdulos em
srie de 36 clulas ou um mdulo de 72 clulas, e assim sucessivamente.
A partir da potncia P
m
calculada, obtm-se, a seguir, por meio da Equao 6.5, a corrente que
deve ser gerada pelo painel fotovoltaico.
sist
m
m
V
P
I = (6.5)
Onde:
I
m
(A
cc
) corrente do painel fotovoltaico;
P
m
(W
p
) - potncia do painel fotovoltaico (calculada pela Equao 6.3);
V
sist
(V
cc
) - tenso nominal do sistema ( igual tenso nominal do banco de baterias), que igual ao
numero de baterias conectadas em srie vezes a tenso nominal da bateria V
b
. Para SFIs no Brasil so
adotados bancos com tenses nominais de 12 V, 24 V e 48 V, seja utilizando elementos de 2 V ou
monoblocos de 12 V.
O valor obtido I
m
para a corrente pela Equao 6.5 o valor mnimo da corrente no ponto de
mxima potncia I
mp
que o gerador fotovoltaico deve fornecer. Pode-se ento calcular o nmero de
mdulos a serem conectados em paralelo pela Equao 6.6:
310
mp
m
I
I
paralelo mdulos N = _ (6.6)
Na Equao 6.6 I
mp
representa a corrente de cada mdulo no ponto de mxima potncia, nas
condies-padro de ensaio. O resultado obtido para o nmero de mdulos em paralelo deve ser
arredondado para maior. Caso este arredondamento seja superior a 0,5 (parte decimal de
N
o
mdulos_paralelo inferior a 0,5), recomenda-se que seja selecionado outro mdulo para compor o
gerador FV. Desta forma, aproxima-se o valor calculado do valor arredondado, evitando-se o
sobredimensionamento excessivo da capacidade de gerao. De qualquer forma, geralmente a escolha
do mdulo muito mais condicionada por outros fatores, como a qualidade e o custo do que
propriamente por consideraes deste tipo.
Dimensionamento considerando controlador de carga SPPM
Atualmente os preos dos mdulos de 60 ou mais clulas, normalmente utilizados em sistemas
conectados a rede, esto mais atrativos que os dos mdulos de 36 clulas voltados para sistemas
isolados. Dessa forma pode ser interessante a utilizao daqueles mdulos combinados com
controlador de carga com seguimento do ponto de potncia mxima (SPPM). Neste caso, o nmero de
mdulos em srie deve ser tal que a tenso de sada do painel fotovoltaico esteja dentro da faixa tima
de operao do controlador recomendada pelo fabricante.

(6.7)
onde V
SPPMmax
a mxima tenso de operao e V
SPPMmin
a mnima tenso de operao do SPPM do
controlador; V
pmTmax
e V
pmTmin
so as tenses de mxima potncia do mdulo fotovoltaico nas suas
mxima e mnima temperaturas de operao, respectivamente.
Para o clculo do nmero de fileiras em paralelo, deve-se considerar a potncia total do gerador
(P
m
) e a potncia de cada fileira, conforme a Equao 6.8:

(6.8)
onde P
mod
potncia (W
p
) nominal do mdulo adotado.
Para confirmao da adequao do painel fotovoltaico com o controlador, recomenda-se
verificar se a corrente do painel (I
m
), calculada usando a Equao 6.9, est de acordo com as
especificaes do fabricante do controlador para operao do SPPM.

(6.9)
onde I
mp
representa a corrente do mdulo no ponto de mxima potncia, nas condies-padro de
ensaio.
311
Ressalta-se que os mdulos do tipo silcio cristalino so os mais utilizados atualmente devido
boa relao custo-benefcio, ao longo tempo de mercado e grande quantidade de oferta. Caso sejam
usados mdulos de filmes finos, deve ser estudado o valor de derating (R
ed1
) adequado a ser adotado,
pois suas caractersticas em relao a coeficientes de temperatura, degradao, etc. diferem daquelas
dos mdulos de silcio cristalino. Maiores detalhes sobre caractersticas de mdulos fotovoltaicos
podem ser consultados nos Captulos 3 e 4.
Dimensionamento do Banco de Baterias
De posse da energia corrigida solicitada pelas cargas a cada ms, resultante da Equao 6.2,
escolhe-se o valor mximo (L
m
) para o clculo da capacidade do sistema de acumulao segundo as
Equaes 6.10 a 6.12.

(6.10)

(6.11)

(6.12)
onde CB
C20
a capacidade do banco de baterias em Wh para o regime de descarga em 20 horas (C20)
e CBI
C20
a respectiva capacidade em Ah; N o nmero de dias de autonomia (o qual varia em funo
da regio onde se instala o sistema), tipicamente entre 2 e 4, e no deve ser menor que 2; P
d
a mxima
profundidade de descarga da bateria, considerando o perodo de autonomia. Os valores tpicos de
profundidade de descarga utilizados para baterias de ciclo raso so entre 20 e 40 % e, para as de ciclo
profundo, de 50 a 80 %. Para maiores detalhes consultar o captulo 4. A eficincia global da bateria j
foi considerada no clculo de L
m
.
Na medida em que h maior disponibilidade de radiao solar em um dado local, estabelece-se
um nmero menor de dias para o valor da autonomia, N. J em regies com longos perodos de chuva,
o valor de N maior. O nmero de dias de autonomia necessrios para sistemas no crticos
3
pode ser
calculado a partir da Equao 6.13. Com base nessa formulao emprica, para um dado local,
conhecendo-se o nmero horas de sol pleno para o pior ms de radiao solar (HSP
min
), possvel
estimar a autonomia do sistema de acumulao, N. Salienta-se que a Equao 6.13 deve ser utilizada
como alternativa para se estimar os dias de autonomia somente quando este parmetro no tenha ainda
sido determinado experimentalmente para a localidade em questo.
58 , 4 48 , 0
min
+ = HSP N (6.13)

3
Sistemas no crticos so sistemas cujo desempenho proporciona uma probabilidade maior de falha; so empregados para
o suprimento de cargas que necessitam ser atendidas por pelo menos 95 % do tempo, ao passo que as cargas denominadas
de crticas necessitam ser atendidas por pelo menos 99 % do tempo.
312
Alguns autores do exterior recomendam 2 a 3 dias de autonomia para cargas comuns e 5 a 7 dias
para cargas consideradas crticas. Conforme j mencionado, no Brasil, normalmente se considera
autonomia de 2 a 4 dias.
No que se refere mxima profundidade de descarga, ressalta-se que esta depende tambm da
radiao solar da regio, do tipo de bateria, do modo como a descarga realizada etc. Para todas as
baterias, comum a caracterstica de que, quanto maior a profundidade de descarga menor sua vida
til.
Por vezes o catlogo do fabricante de bateria no apresenta a capacidade C20 e sim em regime
C10 ou C100. Neste caso pode-se utilizar as seguintes expresses para converso, j apresentadas no
Captulo 4.

(6.14)

(6.15)
Aps o clculo da capacidade do sistema de acumulao, a determinao do nmero de baterias
em paralelo realiza-se pela Equao 6.16.
bat
CBI
CBI
paralelo baterias N = (6.16)
onde CBI
bat
representa a capacidade da bateria selecionada, em Ah, no mesmo regime de descarga do
valor calculado para CBI.
O mesmo critrio utilizado para arredondar para maior o nmero de mdulos em paralelo e em
srie pode ser utilizado para a quantidade de baterias. importante observar que deve ser utilizado o
menor nmero possvel de baterias em paralelo, sendo que os fabricantes recomendam um mximo
entre 4 e 6, de forma que deve-se adotar modelos de maior capacidade se este nmero for superado.
Conforme o Captulo 4, no caso de baterias convencionais em monoblocos de 12V, as capacidades
comercialmente disponveis no Brasil atingem 220Ah (@C/20), enquanto que outros tipos (OPzS etc.)
tem uma faixa de disponibilidade bem maior.
J a combinao em srie de baterias depende da tenso nominal do sistema (normalmente, no
Brasil, 12V, 24V ou 48V) e pode ser obtida pela Equao 6.17.
bat
sist
V
V
srie baterias N = (6.17)
onde V
bat
a tenso nominal da bateria selecionada, em Volts.
313
Assim, caso se adote monoblocos de 12V, o nmero de baterias em srie de 1, 2 e 4, para sistemas
com tenso nominal de 12V, 12V e 48V, respectivamente. Por outro lado, caso sejam adotados os
elementos de 2V, ento os nmeros de elementos em srie so de 6, 12 e 24.
Ressalta-se que o tipo de bateria mais utilizado devido relao custo-benefcio a bateria Chumbo-
cido. No so recomendadas baterias automotivas para uso em sistemas fotovoltaicos. Maiores
detalhes sobre caractersticas de baterias podem ser consultadas no Captulo 4.
Dimensionamento do Controlador de Carga
O dimensionamento do controlador de carga deve levar em conta os limites mximos do
controlador, seja ele convencional ou SPPM, com relao tenso c.c. do sistema e aos nveis de
corrente eltrica, tanto na entrada do painel fotovoltaico quanto na sada para as baterias, alm do tipo
de bateria.
Para o dimensionamento da corrente mxima do controlador (I
c
) considerada a corrente de
curto circuito do painel fotovoltaico acrescida de um fator mnimo de segurana de 25%, assumindo
que o painel pode receber uma irradincia de at 1.250 W/m
2
(ainda que por curtos perodos). A
corrente de curto circuito do painel a corrente de curto circuito do mdulo (I
sc
) vezes o nmero de
mdulos em paralelo.

(6.18)
H modelos de controladores que permitem a operao em paralelo. Isso pode ser necessrio se a
corrente I
c
for elevada para apenas um controlador. A Equao 6.19 permite obter o nmero necessrio
de controladores em paralelo, considerando a corrente mxima do controlador I
ctl
.

(6.19)
A mxima tenso de operao do controlador de carga (Vc
max
) deve sempre ser maior do que a
tenso mxima de sada do painel fotovoltaico. .

(6.20)
onde V
ocTmin
a tenso de circuito aberto do mdulo, na menor temperatura de operao prevista.
Dimensionamento do Inversor
Para estabelecer a demanda mxima de potncia para dimensionamento do inversor, preciso
definir ou estimar o perodo do dia em que os equipamentos estaro funcionando para o levantamento
da curva de carga. A potncia do inversor deve ser igual ou superior a potncia mxima da curva de
carga. No exemplo das Figuras 6.5 e 6.6, a potncia do inversor deve ser no mnimo de 4.5 kW. De
forma mais conservadora, a potncia do inversor pode ser especificada igual ou superior potncia
314
instalada, que o somatrio da potncia de todas as cargas do usurio, se houver grande probabilidade
de que estas possam operar simultaneamente.
Recomenda-se a escolha de inversores que apresentem alta eficincia em toda a sua faixa de
operao, de modo a minimizar as perdas do sistema, principalmente quando se prev que a operao
das cargas, na maior parte do tempo, corresponder a uma pequena frao da potncia nominal do
inversor, faixa na qual, este, em geral, este apresenta menor eficincia.
Para cargas que demandam potncia de pico, como motores eltricos durante a partida, preciso
tambm ter conhecimento dessa potncia, juntamente com a respectiva durao, para definir a
capacidade de surto necessria no inversor. Deve-se ainda observar consideraes relacionadas
temperatura de operao. Mais detalhes so disponveis no Captulo 4.
O inversor deve apresentar a tenso de entrada igual tenso c.c. do sistema (tenso do banco de
baterias) e tenso c.a. de sada conforme a necessidade, normalmente 127 ou 220 V, 60 Hz. Em geral,
inversores at 5 kW so monofsicos. Alguns modelos permitem a operao em paralelo de mais de
uma unidade, alm de poder ser integrados para criar circuitos bifsicos ou trifsicos. recomendvel
a utilizao de inversores de forma de onda senoidal, principalmente no caso de cargas eletrnicas que
so sensveis a ondas com distoro harmnica. Para atendimento da RN Aneel 493/2012 exigida a
sada senoidal pura (ver item 6.2.1).
Outra condio que dever ser verificada a compatibilidade entre inversor e controlador, pois
alguns modelos no aceitam trabalhar com fabricantes distintos.
O Apndice 4 apresenta sugestes de especificaes para os principais componentes: mdulo
FV, inversor, controlador e baterias em sistemas fotovoltaicos.
6.2.1 Projeto de Sistemas Isolados para Gerao de Energia Eltrica Segundo a RN 493/2012
Como explicado anteriormente, no projeto de SFIs necessrio identificar os equipamentos de
consumo e o respectivo regime de utilizao, montando-se, a partir destas informaes, a curva de
carga prevista. Alm disso, precisa-se dimensionar o sistema armazenamento de energia eltrica. As
configuraes podem abranger o atendimento das cargas em c.c e/ou c.a. O dimensionamento de um
SFI deve levar em conta robustez e facilidade de instalao e manuteno, visto que, na maioria dos
casos, eles so utilizados em locais remotos e inspitos. Duas situaes especiais so os SIGFIs e os
MIGDIs, regulamentados pela Resoluo Normativa ANEEL N 493/2012.
6.2.1.1 SIGFI
A concessionria de energia eltrica pode utilizar, no atendimento de unidades consumidoras,
um sistema individual de gerao de energia eltrica com fonte intermitente (SIGFI). As categorias de
SIGFIs, definidas na Tabela 6.4, possuem especificaes que incluem:
315
- disponibilidade mdia mensal garantida (kWh/ms), que se reflete num consumo dirio de
referncia (Wh/dia);
- autonomia mnima (horas);
- potncia mnima disponibilizada (W);
- atendimento em corrente alternada senoidal
4
, embora acessrios em c.c. possam ser includos
no projeto com a concordncia do usurio;
- limites de interrupo (indicador DIC) por unidade consumidora: 216 horas mensais e 648
horas anuais.
Tabela 6.4 Disponibilidades mensais de energia por unidade consumidora. Fonte: (RN ANEEL N 493/2012).
Disponibilidade
Mensal
Garantida
(kWh/ms)
Consumo de
Referncia
(Wh/dia)
Autonomia
Mnima
(horas)
Potncia
Mnima
(Watts)
13 435 48 250
20 670 48 250
30 1.000 48 500
45 1.500 48 700
60 2.000 48 1.000
80 2.650 48 1.250
No caso de atendimento pela concessionria de energia, h necessidade do enquadramento da
disponibilidade mensal garantida
5
da unidade consumidora. O valor do consumo de referncia dirio
(L
crd
) deve ser igual ou maior que a maior carga diria calculada na Equao 6.10 ou conforme critrio
da concessionria.

(6.21)
De posse dessas informaes pode se utilizar a mesma metodologia descrita no item 6.2 ou uma
ferramenta computacional de dimensionamento, tais como as apresentadas no final deste captulo, para
o dimensionamento do SIGFI.


4
Deve-se observar as disposies do PRODIST relativas contratao da tenso, classificao da tenso de atendimento
e instrumentao e metodologia de medio da tenso em regime permanente.
5
Conforme a RN Aneel 493/2012, a distribuidora de energia deve atender o consumidor, sem nus para este, com um
sistema isolado de at 80 kWh/UC de disponibilidade mensal. Inclusive no caso do consumidor ter sido atendido com um
sistema menor e requerer um aumento de carga para a disponibilidade anteriormente citada.
316
6.2.1.2 MIGDI
O dimensionamento de um microssistema isolado de gerao e distribuio de energia eltrica -
MIGDI segue a mesma lgica do dimensionamento do SIGFI. As demandas das unidades
consumidoras so somadas e o dimensionamento do sistema feito para a carga total. As perdas na
rede de distribuio devem ser computadas, se for o caso. Tipicamente, este tipo de atendimento
destina-se a uma aldeia ou vilarejo contemplando algumas dezenas de residncias num raio mximo de
cerca de 1 km.
A resoluo ANEEL N 493/2012 abre a possibilidade de que o atendimento seja feito por at
dois intervalos dirios, cuja soma seja inferior a 24 horas. As unidades consumidoras atendidas por um
MIGDI devem tambm ser enquadradas em uma das categorias de disponibilidade mensal garantida
definidas na Tabela 6.4.
No caso de MIGDI, torna-se necessrio elaborar um projeto especfico para a edificao onde
ficaro os componentes eletrnicos, protees e banco de baterias, assim como para a estrutura de
suporte do arranjo fotovoltaico. Deve ser decidido ainda se o arranjo fotovoltaico ser colocado sobre
telhado ou sobre estrutura sobre o solo.
Diferentemente do SIGFI, h necessidade no MIGDI, quando instalado pela concessionria de
energia, de um Sistema de Coleta de Dados Operacionais SCD, conforme definido na Resoluo
Normativa ANEEL n 427/2011. O SCD constitudo por um conjunto de equipamentos responsveis
pela medio, registro, armazenamento e disponibilizao dos dados de operao das usinas referentes
s grandezas eltricas. No caso de sistemas hbridos com gerao a leo, com potncia nominal acima
de 1 MW, h tambm a exigncia de medio do consumo de combustvel. Os dados desse
monitoramento so utilizados pelo agente gerador para solicitar ressarcimento de parte dos seus custos
totais de gerao no Sistema Isolado, conforme Lei 12.111/2009.
No caso do MIGDI, dever ser verificada ainda a necessidade de licenas ambientais locais para
a instalao, se for o caso, e a disponibilidade do terreno para o microssistema de gerao.
6.3 - Projeto de Sistemas Fotovoltaicos para Bombeamento de gua
Sistemas fotovoltaicos para bombeamento (SBFV) devem ser considerados com especial
ateno, devido ao seu amplo potencial de aplicao no Brasil. As ferramentas de dimensionamento
permitem a incluso de uma bomba dgua como uma carga adicional (c.a. ou c.c.) de um sistema com
armazenamento de energia eltrica. No entanto, o foco da abordagem realizada neste manual est
voltado para sistemas com acoplamento direto, quando o painel fotovoltaico alimenta diretamente o
conjunto motobomba, como mostrado na Figura 6.7. As caractersticas nicas desta aplicao
justificam o desenvolvimento de procedimentos diferenciados para o seu dimensionamento. Um
317
sistema de bombeamento fotovoltaico convencional constitudo de gerador fotovoltaico,
equipamento de controle e condicionamento de potncia (sistema que, alm de regular o acionamento
da bomba de acordo com o nvel de gua, pode conter um seguidor de ponto de mxima potncia, que
mantm os mdulos operando sempre em seu ponto timo), grupo motobomba, reservatrio de gua e
pontos de consumo (bebedouros, chafariz), conforme ilustra a Figura 6.7.

Figura 6.7 Configurao bsica de um sistema fotovoltaico de abastecimento de gua.
Diferentemente dos sistemas domiciliares de gerao isolada, em sistemas de acoplamento direto
no so utilizadas baterias para o armazenamento de energia eltrica nos horrios de maior radiao
solar para sua posterior utilizao. Como regra geral, nos perodos de maior radiao a gua
bombeada e armazenada em reservatrios.
A melhor maneira de se dimensionar sistemas deste tipo seguindo os procedimentos indicados
pelos fabricantes das motobombas. Estes procedimentos baseiam-se em avaliao do desempenho sob
diversas condies de operao. O projetista deve obter informaes sobre altura manomtrica e vazo
do poo, quando for o caso, alm do recurso solar. De posse desses dados, ele identifica o sistema mais
adequado, dentro da linha de produtos do fabricante, e verifica a potncia necessria para o painel
fotovoltaico, com base no baco e outras informaes disponveis para o produto. Contudo, os clculos
tericos como aqueles apresentados nas sees seguintes so importantes para comprovar que a
informao fornecida pelo fabricante pertinente.

318
6.3.1 - Estimativa de Consumo de gua
A primeira etapa em um projeto de SBFV a estimativa do consumo dirio de gua, sendo
equivalente ao consumo de energia eltrica em um projeto para eletrificao. Essa etapa
imprescindvel para o correto dimensionamento do sistema de gerao, especificao da bomba,
reservatrios e tubulaes.
O bombeamento pode ser utilizado para diversos fins, como o fornecimento de gua para
consumo humano e animal, ou irrigao para cultivos. Cada finalidade, assim como as caractersticas
de uso prprias de cada local, apresenta necessidades variadas. Quando no se dispe de um valor
exato de consumo de gua, uma alternativa que fornece bons resultados a utilizao de informaes
de consumo por atividade, como mostrado na Tabela 6.5. Vale ressaltar que a necessidade de gua
para cultivo pode variar bem mais que as necessidades humana e animal, em funo do clima, tipo de
solo, perodos de safra etc. Sugere-se maior cuidado na utilizao dos dados para cultivo disponveis
em tabelas, recomendando-se um estudo criterioso anterior etapa de projeto.
Tabela 6.5 Estimativa de consumo mdio de gua por uso final. Fontes: CE DGXII (1996); FAO (1977)
Consumo humano
6
litros/(pessoa.dia)
Sobrevivncia 5
Pequenas propriedades rurais 40 - 70
Grandes centros urbanos 100 - 400
Consumo animal
7
litros/(cabea.dia)
Gado (leite) 70
Gado (corte) 40
Ovinos/caprinos 5
Sunos 15
Equinos 40
Frango (corte) 0,15
Cultivo
8
litros/(ha.dia)
Horta para subsistncia 25.000
Banana 46.500
Milho 50.000
Feijo 48.000
Amendoim 47.000
Cebola 45.000
Ervilha verde 68.500
Abacaxi 23.000

6
Adaptado de: Comissin Europea DG XII, Manual de Energizacin Rural Mediante Energia Fotovoltaica, 1996. Os
valores apresentados para consumo humano em pequenas propriedades rurais assumem que existe uma rede de distribuio
de gua at as residncias. No caso do sistema se limitar a disponibilizar um chafariz comunitrio, onde os moradores vo
buscar sua gua, o consumo menor, de 15 a 20 litros/(pessoa.dia).
7 Adaptado de: Comissin Europea DG XII, Manual de Energizacin Rural Mediante Energia Fotovoltaica, 1996.
8 Adaptado de: Organizacin de las Naciones Unidas para la Agricultura y la Alimentacin FAO, Las Necessidades de
gua de los Cultivos - Caderno Tcnico No. 24, 1977.
319
Supondo a necessidade de um sistema para suprir o consumo de uma pequena comunidade
residente em zona rural (composta por 50 pessoas) alm de uma criao de sunos (100 animais), a
demanda diria total (Q) seria, ento, de:
) / 15 100 ( ) / 70 50 ( dia L dia L Q + =
. / 000 . 5 dia L Q =
Sabendo-se que 1.000 L de gua correspondem a 1 m
3
, a vazo calculada acima pode tambm
ser expressa como 5 m
3
/dia.
A capacidade de armazenamento do sistema, ou o tamanho do reservatrio, deve ser
proporcional ao nmero de dias de autonomia solicitado pelo usurio, de forma anloga aos sistemas
para eletrificao.
Seguindo o exemplo anterior e considerando-se dois dias de autonomia, a capacidade mnima do
reservatrio seria de 10.000 L. Vale ressaltar que no mercado os reservatrios disponveis encontram-
se normalmente em faixas de capacidade de 250, 500, 1.000, 2.000, 5.000, 10.000 L etc.
6.3.2 - Dimensionamento do Sistema de Gerao
Para uma melhor compreenso das etapas de dimensionamento descritas a seguir, a Figura 6.8
apresenta um esquema tpico de um SBFV para um poo, sendo em seguida definidos os conceitos
relacionados aos parmetros de interesse.

Figura 6.8 - Nveis de interesse em um SBFV.
(1) Altura esttica (h
e
): distncia entre o nvel do solo e o nvel da gua em repouso (nvel
esttico);
320
(2) Altura dinmica (h
d
): distncia entre o nvel do solo e nvel da gua durante o
bombeamento (nvel dinmico), resultante do rebaixamento do nvel de gua no poo; o
nvel dinmico proporcional vazo bombeada, dependendo de fatores como a
permeablidade do solo e dimetro do poo, e geralmente medido em testes de vazo na
ocasio da perfurao do poo;
(3) Altura do reservatrio (h
r
): distncia entre o nvel do solo e o ponto mais alto do
reservatrio;
(4) Altura manomtrica (h
m
): soma da altura do reservatrio e da altura dinmica.
A etapa seguinte a definio da altura manomtrica corrigida (h
mc
), dada em metros (Equao
6.22), que corresponde altura manomtrica somada s perdas de carga nas tubulaes (h
t
) e conexes
(h
c
), ambas dadas em metros. Tais perdas variam em funo da vazo mdia requerida, do material de
fabricao e dos dimetros das tubulaes e so normalmente fornecidos pelos fabricantes dos tubos e
conexes. Valores tpicos podem ser encontrados nas Tabelas 6.6 e 6.7.
c t m mc
h h h h + + =
. (6.22)
Tabela 6.6 - Perda de carga em tubulaes de PVC. Fonte: Adaptado de (Creder, 2006).
Perdas de Carga (perda equivalente em metros de altura
manomtrica para cada 100 m de tubulao)
Vazo
(L/h)
Dimetro interno da tubulao (mm)
19 26 32 38 50 63 75
500 1,15
1.000 4,65 1,15 0,23
2.000 22,40 5,30 1,43 0,55
3.000 9,90 2,50 1,00 0,50 0,18
4.000 16,25 4,55 2,00 0,83 0,38 0,14
5.000 6,45 2,60 1,15 0,48 0,17
6.000 9,25 4,30 1,55 0,58 0,20
7.000 12,85 5,45 2,00 0,68 0,25
8.000 16,60 7,50 2,50 0,90 0,30
9.000 9,45 3,05 1,13 0,40
10.000 12,50 4,25 1,40 0,58
12.000 15,45 5,45 1,90 0,75
15.000 23,50 8,10 3,00 1,18
321

Tabela 6.7 - Perdas de carga em conexes de PVC. Fonte: Adaptado de (Creder, 2006).
Perdas de Carga (m) por tipo de conexo Equivalncia em metros
lineares de tubulao de mesmo dimetro interno
Conexo
Dimetro interno da tubulao (mm)
32 50 63
Joelho 45 0,274 0,457 0,610
Joelho 90 0,457 0,762 1,067
T 0,762 1,067 1,524
Vlvula Globo 7,620 13,716 16,764
Vlvula Gaveta 0,183 0,305 0,396
Vlvula de Reteno 0,914 1,524 2,134
Sempre que possvel, indicado que se disponha do teste de capacidade do poo, que fornece o
valor de sua capacidade mxima disponvel (Q
Max
). Esse valor utilizado para se determinar a altura
total equivalente (H
TE
), dada em metros, que pode substituir a altura manomtrica corrigida, nos
clculos de projeto. Esse procedimento tomado para que seja respeitado o limite mximo de extrao
de gua do poo, em funo de seu regime de reposio. Dessa forma, evita-se uma situao no
indicada para bombas submersas, na qual o rebaixamento do poo atinge a tomada de gua da bomba,
de forma que esta aspira uma mistura de ar e gua, resultando em danos por superaquecimento.
De acordo com o exposto e considerando os parmetros da Figura 6.8, a Equao 6.23 permite o
clculo da altura total equivalente.
) ( ) (
m c m t m
Max
e d
r e TE
Q h Q h Q
Q
h h
h h H + +
|
|
.
|

\
|
+ + = (6.23)
onde Q
m
, dado em m
3
/h, a vazo mdia para se obter o volume dirio, Q, e os termos h
t
e h
c
so as
perdas na tubulao e conexes associadas vazo mdia, dados em metros.
O valor das alturas manomtrica corrigida e total equivalente igualam-se apenas quando a vazo
mdia, Q
m
, e a capacidade mxima do poo, Q
Max
, so iguais. Essa situao no deve ser verificada na
prtica, pois faria com que a bomba trabalhasse frequentemente a seco.
De posse da vazo de gua requerida, em m
3
/dia, e da altura manomtrica corrigida (ou altura
total equivalente), em metros, a energia hidrulica mnima necessria para o bombeamento, E
H
, dada,
em Wh/dia, pela Equao 6.24.
3600
Q
h g E
a mc H
= (6.24)
onde, g a acelerao da gravidade (9,81 m/s
2
) e
a
a massa especfica da gua (1.000 kg/m
3
).
Substituindo os valores tpicos para esses dois parmetros, obtm-se uma expresso muito prtica de
ser utilizada, tal como mostra a Equao 6.25.
322
mc H
h Q E = 725 , 2 . (6.25)
Aproveitando o exemplo iniciado no item anterior, onde um volume dirio de 5.000 L/dia (ou 5
m
3
/dia) necessrio para atender uma dada demanda rural, e considerando-se que a entrada do
reservatrio encontra-se a uma altura manomtrica de 13 m (h
d
= 6 m e h
r
= 7 m), com 15 m de
tubulao de 32 mm de dimetro, uma vlvula de reteno e um joelho de 90, pode-se calcular a
altura manomtrica corrigida. Para tal, faz-se necessrio estimar primeiramente uma vazo mdia, Q
m
,
do SBFV, o que pode ser realizado com base nas HSP. Considerando-se um dia mdio anual com
5 HSP possvel estimar-se para a vazo mdia diria o valor de 1.000 L/h, de modo a se obter o
volume dirio de 5.000 L.
As perdas na tubulao e conexes podem ser desprezadas em situaes com baixos volumes de
gua bombeados e curtas extenses de tubulao, o que o caso do exemplo em questo, onde
segundo a Tabela 6.7, o valor atingido para este parmetro pode ser calculado seguindo os passos
listados abaixo. Primeiro calcula-se o comprimento total equivalente:
m L L L L
Joelho Vlvula Tubulao corrigido
371 , 16 457 , 0 914 , 0 15 = + + = + + =

onde L
corrigido
o comprimento equivalente total linear levando em considerao as perdas nas
conexes.
Com base na vazo mdia (1000L/h) e na bitola escolhida para a tubulao (32mm) podemos consultar
a Tabela 6.6 para estimar a perda de carga, lembrando que os valores listados so para 100 metros de
comprimento.
m mca h
mc
0377 , 0
100
371 , 16
23 , 0 ) ( = =

Verifica-se que a perda calculada pouco significativa quando comparada com a altura
manomtrica total de 13 metros. A energia hidrulica mnima necessria pode, ento, ser calculada
(Equao 6.25), resultando em:
dia Wh E
H
/ 6 , 177 0377 , 13 0 , 5 725 , 2 = =
.
A energia eltrica diria necessria (E
EL
) para o processo de bombeamento, dada em Wh,
obtida atravs da relao entre a energia hidrulica e a eficincia do conjunto motobomba, q
mb
,
juntamente com seus eventuais equipamentos auxiliares, como mostra a Equao 6.26.
mb
H
EL
E
E
q
= (6.26)
Finalmente, a potncia do gerador FV (P
FV
), dada em Wp, calculada a partir da Equao 6.27,
considerando-se o nmero de HSP mdio anual de radiao no plano do gerador FV.
323
HSP
E
Wp P
EL
FV
= 25 , 1 ) ( (6.27)
Considerando a eficincia tpica do conjunto motobomba quando trabalhando com energia solar
FV, de 25 %, a energia eltrica mnima necessria do exemplo em questo calculada utilizando-se a
Equao 6.26, resultando em:
dia Wh
dia Wh
E
EL
/ 710
25 , 0
/ 6 , 177
= =
Supondo a instalao do sistema em uma localidade onde valores mdios anuais de HSP = 5,0 h
so facilmente atingidos no plano do painel fotovoltaico, a potncia FV necessria, de acordo com a
Equao 6.27, de:
Wp
h
Wh
Wp P
FV
178
0 , 5
710
25 , 1 ) ( = =
A Tabela 6.8 apresenta valores de eficincia para diferentes configuraes de SBFVs.
Tabela 6.8 Eficincias de SBFVs. Fonte: (Sandia, 1991)
Altura (m) Tipo de motobomba Eficincia
5 centrfuga de superfcie 25%
20 centrfuga de superfcie 15%
20 submersvel 25%
100
submersvel ou deslocamento
positivo
35%
> 100 deslocamento positivo 45%
A partir dos dados calculados, a ltima etapa a determinao dos equipamentos a serem
utilizados. O mtodo de dimensionamento pode ser confirmado atravs de grficos fornecidos pelo
fabricante da bomba (Figura 6.9), caso esta tenha sido especificada previamente. A Figura 6.9(b), por
exemplo, apresenta um grfico para o clculo da potncia FV a ser instalada, de acordo com os
parmetros discutidos no presente item, para uma determinada famlia de bombas.

(a) Kyocera, Solar Water Pumping Application Guide - SD 12-30 Performance Graph.
324

(b) Grundfos, SQFlex Solar Performance. Fonte:
(http://www.grundfos.com/products/find-product/sqflex.html#cases).
Figura 6.9 Exemplos de grficos fornecidos por fabricantes para determinao da potncia FV necessria para cada
aplicao. Fonte: Manuais de fabricantes.
Nota-se que a potncia do gerador indicado para uma altura manomtrica de 15 m (altura mais
prxima da altura manomtrica corrigida calculada no exemplo, de 13 m), corresponde a um valor de
aproximadamente 160 Wp, prximo ao valor obtido atravs do clculo terico, indicando que essa
bomba pode ser empregada no exemplo usado neste item. Para se chegar neste resultado, basta seguir a
indicao das setas no grfico da Figura 6.9(b). Os bacos de dimensionamento apresentados como
exemplo na Figura 6.9 so especficos de um determinado fabricante, sendo que outros fabricantes
apresentaro metodologias prprias, com diferentes tipos de grficos, tabelas etc.
6.4 Projeto de Sistemas Fotovoltaicos Conectados Rede
As principais diferenas entre o projeto de um sistema conectado rede e de um sistema isolado
so:
- Em sistemas conectados rede no h necessidade de armazenamento de energia eltrica;
- Os sistemas operam obrigatoriamente em c.a., na mesma frequncia e tenso da rede local;
- Quando no h tenso na rede, o sistema fica inoperante mesmo com irradiao solar
presente;
325
- Os inversores incorporam dispositivos seguidores de potncia mxima (SPPM);
- A rede local deve ser capaz de receber a energia eltrica gerada;
- A qualidade da energia da rede pode comprometer a transferncia de energia do sistema;
- O gerador FV pode ser integrado estrutura de edificaes, implicando a anlise da
resistncia mecnica e carga mxima admissvel, entre outros fatores;
- Em sistemas instalados em ambiente urbano mais provvel a existncia de perdas por
sombreamento, inclusive sombreamento parcial, e interferncia de superfcies reflexivas
prximas;
- Questes estticas podem ser determinantes nos projetos, contribuindo para a escolha do tipo
de mdulo e tecnologia das clulas, bem como do posicionamento do painel.
A Seo 3.7 dos Procedimentos de Distribuio de Energia Eltrica no Sistema Eltrico Nacional
(PRODIST) refere-se ao acesso rede por micro e minigerao distribuda e deve ser respeitada de
forma cuidadosa por quem elabora projetos de SFCRs. A instalao de um sistema conectado rede
deve seguir a norma especfica da concessionria local de distribuio de energia eltrica, que de
acordo com o PRODIST deve estar acessvel na pgina da empresa na internet, em um processo que se
inicia pela solicitao de acesso.
O item 2.5.2 da Seo 3.7 do PRODIST estabelece que compete distribuidora a realizao de
todos os estudos para a integrao de micro e minigerao distribuda, sem nus ao acessante, devendo
informar central geradora a relao de dados necessrios elaborao dos estudos que devem ser
apresentados quando da solicitao de acesso.
As Tabelas 6.9 e 6.10, extradas do PRODIST, do uma idia das condicionantes impostas aos
projetos de sistemas conectados rede. Cabe lembrar que no caso da microgerao, muitos inversores
comerciais j possuem incorporadas algumas das protees listadas na Tabela 6.10.
Tabela 6.9 Nveis de tenso considerados para conexo de micro e minicentrais geradoras. Fonte: (PRODIST, 2012).
Potncia Instalada Nvel de Tenso de Conexo
< 10 kW Baixa Tenso (monofsico, bifsico ou trifsico)
10 a 100 kW Baixa Tenso (trifsico)
101 a 500 kW Baixa Tenso (trifsico) / Mdia Tenso
501 kW a 1 MW Mdia Tenso
Nota: O nvel de tenso de conexo da central geradora ser definido pela distribuidora em funo das
limitaes tcnicas da rede.

326
Tabela 6.10 Requisitos mnimos em funo da potncia instalada. Fonte: (PRODIST, 2012).
EQUIPAMENTO
Potncia Instalada
At100 kW 101 kW a 500 kW
501 kW a
1 MW
Elemento de desconexo (1) Sim Sim Sim
Elemento de interrupo (2) Sim Sim Sim
Transformador de acoplamento No Sim Sim
Proteo de sub e sobretenso Sim (3) Sim (3) Sim
Proteo de sub e sobrefrequncia Sim (3) Sim (3) Sim
Proteo contra desequilbrio de
corrente
No No Sim
Proteo contra desbalano de tenso No No Sim
Sobrecorrente direcional No No Sim
Sobrecorrente com restrio de
tenso
No No Sim
Rel de sincronismo Sim Sim Sim
Anti-ilhamento Sim Sim Sim
Estudo de curto-circuito No Sim (4) Sim (4)
Medio
Medidor
Bidirecional (6)
Medidor 4
Quadrantes
Medidor 4
Quadrantes
Ensaios Sim (5) Sim (5) Sim (5)
Notas:
(1) Chave seccionadora visvel e acessvel, que a acessada usa para garantir a desconexo da central geradora durante
manuteno em seu sistema.
(2) Elemento de interrupo automtico acionado por proteo, para microgeradores distribudos e por comando e/ou
proteo, para minigeradores distribudos.
(3) No necessrio rel de proteo especfico, mas um sistema eletro-eletrnico que detecte tais anomalias e que produza
uma sada capaz de operar na lgica de atuao do elemento de interrupo.
(4) Se a norma da distribuidora indicar a necessidade de realizao de estudo de curto-circuito caber acessada a
responsabilidade pela sua execuo.
(5) O acessante deve apresentar certificados (nacionais ou internacionais) ou declarao do fabricante que os equipamentos
foram ensaiados conforme normas tcnicas brasileiras, ou, na sua ausncia, normas internacionais.
(6) O sistema de medio bidirecional deve, no mnimo, diferenciar a energia eltrica ativa consumida da energia eltrica
ativa injetada na rede.
6.4.1 - Dimensionamento do gerador fotovoltaico
Para o dimensionamento da potncia do sistema, importante ter o entendimento do sistema de
compensao regulamentado na regio. No Sistema de Compensao de Energia (net metering)
adotado pelo Brasil (Resoluo Normativa ANEEL 482/2012), quando o SFV gerar mais energia do
que a demandada pela instalao consumidora, a energia excedente entregue rede eltrica e o
medidor registra essa energia. O contrrio ocorre quando a edificao consome mais energia do que a
gerada pelo sistema FV, fazendo com que, neste caso, o medidor registre o fluxo em seu sentido
convencional (ver figura 5.22).
No fim do ms, caso o balano energtico seja positivo (consumidor gerou mais energia eltrica
que a consumida), a distribuidora disponibilizar um crdito energtico referente ao excedente, que
327
ser compensado nas faturas subsequentes, em um prazo de at 36 meses. Caso existam postos
tarifrios (tarifa horo-sazonal ou bandeiras tarifrias), o crdito da energia ativa injetada levar em
conta a tarifa de energia do horrio de injeo.
Ressalta-se que no caso em que a energia gerada maior que a consumida, a distribuidora
cobrar, no mnimo, o valor referente ao custo de disponibilidade para o consumidor do grupo B (baixa
tenso), ou da demanda contratada para o consumidor do grupo A (alta tenso)
9
. Ressalta-se ainda que
as unidades consumidoras do grupo B no podem ser cobradas pelo excedente de reativos devido ao
baixo fator de potncia, de acordo com a Resoluo Normativa da Aneel N
o
569, de 23 de julho de
2013.
Os crditos de energia ativa que no tenham sido compensados na prpria unidade consumidora
podero ser utilizados para compensar o consumo de outras unidades, previamente cadastradas e
atendidas pela mesma distribuidora, cujo titular seja o mesmo da unidade com sistema de
compensao de energia eltrica, possuidor do mesmo Cadastro de Pessoa Fsica (CPF) ou Cadastro de
Pessoa Jurdica (CNPJ) junto ao Ministrio da Fazenda. No caso de consumo por outra unidade
consumidora (que no a geradora), haver incidncia de impostos sobre a energia consumida
Em virtude deste sistema de compensao de energia que foi definido pelo rgo regulador, pode
no ser interessante que o sistema FV gere, ao longo do ano, mais energia do que a consumida pela
unidade consumidora-geradora. Se forem consideradas outras unidades consumidoras para consumo da
energia gerada, recomendvel que se calcule o custo de gerao contabilizando os impostos
incidentes na energia gerada excedente consumida pelas unidades no geradoras.
Logo, para se dimensionar o gerador FV de forma otimizada, deve-se levantar o consumo mdio
dirio anual da edificao (Wh/dia) descontado o valor da disponibilidade mnima de energia
10
. Este
dado pode ser calculado pelo histrico de faturas mensais de consumo de energia eltrica emitidas pela
distribuidora local.
A potncia de um microgerador que compe um SFCR pode ser calculada pela Equao 6.28,
onde se pode escolher uma frao da demanda de energia eltrica consumida que se pretende suprir
com o SFCR.

9
A classificao do consumidor estabelecida pela Aneel em sua Resoluo Normativa N
o
414.
10
O custo de disponibilidade do sistema eltrico, aplicvel ao faturamento mensal de consumidor responsvel por unidade
consumidora do grupo B, o valor em moeda corrente equivalente a:
I 30 kWh, se monofsico ou bifsico a 2 (dois) condutores;
II 50 kWh, se bifsico a 3 (trs) condutores; ou
III 100 kWh, se trifsico.
1
o
O custo de disponibilidade deve ser aplicado sempre que o consumo medido ou estimado for inferior aos referidos
neste artigo, no sendo a diferena resultante objeto de futura compensao.
2
o
Para as unidades consumidoras classificadas nas Subclasses. (RN Aneel 414/2010; Seo V; Art. 98).
328
MA
FV
HSP
TD E
Wp P
) / (
) ( = (6.28)
Onde:
P
FV
(Wp) - Potncia de pico do painel FV;
E (Wh/dia) - Consumo dirio mdio anual da edificao ou frao deste;
HSP
MA
(h) - Mdia diria anual das HSP incidente no plano do painel FV;
TD (adimensional) - Taxa de desempenho.
O desempenho de um SFV tipicamente medido pela Taxa de Desempenho (PR - Performance
Ratio), que definida como a relao entre o desempenho real do sistema sobre o desempenho
mximo terico possvel. Essa relao um parmetro para avaliar a gerao de energia eltrica de um
dado SFV, por levar em considerao a potncia real do sistema sob condies de operao e todas as
perdas envolvidas, como perdas por queda de tenso devido resistncia de conectores e cabeamento,
sujeira na superfcie do painel, sombreamento, eficincia do inversor, carregamento do inversor,
descasamento (mismatch) entre mdulos de mesmo modelo (diferenas entre as suas potncias
mximas), resposta espectral, temperatura operacional, dentre outras. A Figura 6.10 mostra os
resultados de uma avaliao de 527 SFCRs, que, em sua maioria, se situam na Alemanha e possuem
potncia menor que 10 kWp. Pode-se observar uma tendncia mdia de TD entre 70 e 75 % para os
anos entre 2001 e 2005.

Figura 6.10 - Taxa de desempenho (TD) de 527 SFCRs instalados na Europa ocidental entre 1991 e 2005. Fonte: Adaptado
de (IEA, 2007).
Para SFCRs residenciais, bem ventilados e no sombreados, uma TD entre 70 e 80 % pode ser
obtida nas condies de radiao solar encontradas no Brasil. Contudo, o desempenho do sistema FV
fortemente influenciado pela temperatura ambiente e pela tecnologia FV utilizada. Geralmente, de
modo a se reduzir a incerteza na estimao da TD do sistema FV, so utilizados programas de
dimensionamento como aqueles listados no final deste captulo. No caso de instalaes maior porte,
como UFVs (Usinas Fotovoltaicas), o dimensionamento deve ser feito com auxlio de tais programas.
329
De qualquer forma, normalmente o dimensionamento de um SFCR condicionado pelos
recursos financeiros disponveis para investimento e pela rea disponvel para sua instalao, muito
mais do que propriamente pelas questes tcnicas ou de desempenho.
Aps o dimensionamento do gerador FV, deve-se avaliar qual tecnologia melhor atende ao
projeto, levando-se em conta o custo da energia gerada pelo sistema e as vantagens arquitetnicas e
eltricas de cada tecnologia. A escolha de um fabricante tambm deve levar em considerao a
credibilidade da empresa no que diz respeito garantia dos mdulos (20 a 25 anos) e s caractersticas
do produto em termos dos parmetros eltricos e eficincia e ps-venda.
Quanto importante questo da rea ocupada pelo painel, o item 3.3.5 (Captulo 3) mostra a rea
mdia ocupada pelas diversas tecnologias. O custo do mdulo FV funo da sua potncia e no da
sua rea. Mdulos menos eficientes (filmes finos) podem eventualmente possuir melhor relao
R$/m, ocupando uma maior rea de cobertura, porm com um menor investimento. Os mdulos de
c-Si, por sua vez, em funo de sua maior eficincia, levam a sistemas com menor custo de estruturas
metlicas e cabeamento. Recomenda-se, ento, realizar a avaliao considerando todos os
componentes do sistema de gerao (estruturas, proteo, cabeamento etc) pois neste caso pode haver
perda da vantagem econmica do filme fino.
Outra caracterstica dos mdulos de filmes finos, como no caso das tecnologias de a-Si:H e a-
Si/-Si, ter geralmente um menor coeficiente de temperatura, o que resulta em menor perda de
desempenho devido temperatura. Todavia, atualmente (2013), mais de 95% do mercado so de
mdulos de tecnologia de c-Si, com oferta em torno de 5.000 modelos por centenas de fabricantes.
Enfatiza-se ainda que o gerador FV impe uma carga mecnica na cobertura qual est fixado.
Esta carga funo do somatrio do peso de todos os componentes do gerador FV que so instalados
sobre tal cobertura (mdulos, estruturas metlicas de fixao, cabos etc.). A Figura 6.11 mostra a carga
que trs tipos distintos de mdulos FV impem a uma cobertura. Pode-se observar que mesmo para
estruturas de pouca resistncia mecnica, existem mdulos FV que podem atender s restries
arquitetnicas de baixa carga adicional. Recomenda-se que a verificao de uma cobertura que ir
receber um SFCR seja realizada por um engenheiro civil habilitado em anlise estrutural.
330

Figura 6.11 - Exemplos de cargas mecnicas impostas por trs mdulos FV distintos Fonte: Adaptado de (DGS, 2008)
6.4.2 - Dimensionamento do inversor
O dimensionamento de um inversor depende da potncia do gerador FV e tecnologia e
caractersticas eltricas do mdulo escolhido para compor o gerador, caractersticas ambientais do
local, alm da topologia de instalao escolhida (ex.: inversor central, inversor descentralizado, micro-
inversor, instalao interna ou externa etc.).
Assim como na escolha do fabricante dos mdulos FV, a seleo por um fabricante de inversores
tambm deve levar em considerao a credibilidade da empresa no que diz respeito garantia do
equipamento (tipicamente cinco a dez anos), assim como sua capacidade produzida acumulada e
assistncia tcnica no territrio brasileiro.
Fator de dimensionamento de inversores (FDI )
Os mdulos FV vm apresentando acentuada reduo de custo nos ltimos anos. Os inversores,
apesar de tambm terem apresentado reduo de custos, no tm acompanhado o mesmo nvel de
reduo apresentado pelos mdulos FV. Isto vem levando a uma tendncia de otimizar ao mximo o
inversor utilizado, de modo a se obter um custo final de energia produzida mais competitivo. O
dimensionamento do sistema deve ser realizado de maneira que o inversor no trabalhe por muito
tempo em potncias demasiadamente abaixo da nominal nem seja sobrecarregado. Utilizando-se um
inversor de menor capacidade (e, portanto, menor custo) para um mesmo gerador FV sem impactar na
quantidade de energia e na confiabilidade do sistema, a energia gerada tende a ser mais barata.
Contudo, de uma forma conservadora a potncia do inversor pode ser igual potncia nominal da
gerao P
FV
.
331
Devido ao coeficiente de temperatura negativo das tecnologias FV, ou seja, reduo da potncia
do mdulo FV com o aumento de temperatura, costuma-se dimensionar o gerador FV com potncia
nominal superior do inversor, pois, mesmo quando a irradincia est prxima de 1.000 W/m, a
potncia do gerador FV dificilmente se aproxima de sua potncia nominal. Esta caracterstica fsica do
dispositivo, associada otimizao econmica do sistema, leva a se subdimensionar os inversores de
SFCRs. Contudo, muitos inversores, em situaes em que a potncia gerada pelo painel FV ultrapassa
a mxima potncia de entrada do equipamento, ajusta seu SPPM de modo a limitar sua potncia de
entrada, desprezando toda potncia acima deste limite.
Os inversores de SFCRs podem estar sujeitos a elevadas temperaturas devido ao local onde esto
instalados, como, por exemplo, montagem em telhados ou lajes. Neste caso especfico, recomenda-se
uma potncia do inversor igual ou mesmo superior potncia do gerador fotovoltaico.
O Fator de Dimensionamento de Inversores (FDI) representa a relao entre a potncia nominal
c.a. do inversor e a potncia de pico do gerador FV, como mostra a Equao 6.29.
) (
) (
Wp P
W P
FDI
FV
Nca
= (6.29)
onde:
FDI (adimensional) - Fator de dimensionamento do inversor;
P
Nca
(W) - Potncia nominal em corrente alternada do inversor ;
P
FV
(Wp) - Potncia pico do painel fotovoltaico.
A potncia do gerador FV e do inversor devem ser ajustadas de modo que o FDI do inversor
tenha a melhor relao custo/benefcio. O FDI depende do inversor selecionado, da tecnologia do
mdulo FV, da orientao e inclinao do painel, alm das condies ambientais, como temperatura e
radiao local. A otimizao do FDI exige simulao numrica, que deve ser realizada utilizando-se
dados horrios de radiao e temperatura ambiente.
Anlise de literatura mostra que os valores inferiores de FDI recomendados por fabricantes e
instaladores situam-se na faixa de 0,75 a 0,85, enquanto que o limite superior de 1,05.
Tenso de entrada
A tenso de entrada do inversor a soma das tenses dos mdulos associados em srie. Como a
tenso possui forte dependncia da temperatura, as condies extremas de inverno e vero devero ser
utilizadas no dimensionamento. A Figura 6.12 mostra, assim como j apresentado nos Captulos 3 e 4,
como a curva I-V de um gerador FV varia em funo de sua temperatura de operao. Portanto, deve-
se garantir a compatibilidade entre as tenses do gerador FV com a faixa de tenso de operao do
inversor.
332

Figura 6.12 - Curvas I-V de um gerador FV em funo da temperatura e a compatibilidade, com as janelas de tenso do
SPPM e de operao do inversor. Fonte: Adaptado de (DGS, 2008).
O clculo da mxima tenso de entrada deve ser realizado com cuidado e ateno, pois ela nunca
deve ser ultrapassada, sendo este um dos maiores riscos de se danificar o equipamento.
A mxima tenso do sistema ocorre quando o painel FV est ainda em circuito aberto (V
oc
) em
baixas temperaturas. Isto pode acontecer durante o perodo de inverno, ainda no nascer do sol, quando
a tenso do sistema se eleva em funo da baixa temperatura do gerador FV, e o inversor ainda no se
conectou rede, em virtude da baixa irradincia, ou em funo de uma falha na rede, que
automaticamente desconecta o sistema deixando os mdulos em circuito aberto. O mximo nmero de
mdulos em srie que pode ser conectado ao inversor calculado pela Equao 6.30, pela razo da
mxima tenso de entrada do inversor e da tenso de circuito aberto para as baixas temperaturas de
inverno. O nmero mximo de mdulos em srie tambm deve respeitar a tenso mxima suportvel
pelo mdulo, a qual informada nas folhas de dados tcnicos do fabricante e normalmente em torno
de 1.000V.

(6.30)
onde:
Vi
max
(V) - Mxima tenso c.c. admitida pela entrada do inversor;
V
ocTmin
(V) - Tenso em circuito aberto (V
oc
) de um mdulo FV na menor temperatura de operao
prevista.
Conforme j alertado no Captulo 3, mdulos de filme fino (ex.: a-Si:H), devido a uma
particularidade do material semicondutor com o qual so produzidos, podem apresentar, nos primeiros
meses de operao, valores de potncia, corrente e tenso maiores que seus valores nominais. Para
333
dimensionamento de inversores com esta tecnologia, os valores mximos de tenso devem ser
consultados na folha de dados do fabricante.
Para se determinar a tenso do mdulo em temperaturas diferentes da nominal (25 C), deve-se
consultar sua folha de dados, para se verificar qual o seu coeficiente de temperatura () da tenso V
oc
.
A informao pode estar disponvel em mV/C ou em valores percentuais %/C, sendo esta ltima a
geralmente utilizada nas formulaes. A Equao 4.2 (Captulo 4) permite calcular a tenso de circuito
aberto em funo da temperatura. Deve-se lembrar que os coeficientes de temperatura possuem sinal
negativo, ou seja, a tenso V
oc
inversamente proporcional temperatura, o que deve ser considerado
na equao.
Faixa de tenso de operao do SPPM do inversor
O nmero de mdulos conectados em srie deve resultar em tenses que atendam faixa de
tenso SPPM do inversor, mostrada na figura 6.12, conforme indicado na Equao 6.31. Durante o
vero, no Brasil a temperatura dos mdulos dos SFVs pode atingir valores superiores a 70 C, tendo
como consequncia a reduo da tenso c.c. do sistema, em virtude do coeficiente negativo de
temperatura. Deve-se, portanto, avaliar se o SFCR possui nmero suficiente de mdulos conectados
em srie, de modo que a tenso do painel FV seja superior mnima tenso de SPPM do inversor.
Caso a tenso do painel se reduza abaixo da mnima tenso de SPPM do inversor, a sua eficincia
ficar comprometida e poder provocar a sua desconexo. Da mesma forma nos perodos frios, a
tenso de potncia mxima da srie FV na mnima temperatura de operao prevista deve ser inferior a
tenso mxima de operao do SPPM do inversor.

(6.31)
Onde:
Vi
SPPMmin
(V) Mnima tenso c.c. de operao do SPPM do inversor;
Vi
SPPMmax
(V) Mxima tenso c.c. de operao do SPPM do inversor;
V
mpTmin
(V) - Tenso de potncia mxima (V
mp
) de um mdulo FV na menor temperatura de operao
prevista.
V
mpTmax
(V) - Tenso de potncia mxima (V
mp
) de um mdulo FV na maior temperatura de operao
prevista.
As tenses de mxima potncia do mdulo para diferentes temperaturas podem ser estimadas
pela Equao 4.2, substituindo os parmetros referentes tenso de circuito aberto (V
oc
), pelos da
tenso de mxima potncia (V
mp
).

334
Corrente mxima c.c. do inversor
O inversor FV possui uma corrente mxima de entrada c.c. Para garantir que este valor no seja
ultrapassado, pode-se calcular o nmero mximo de fileiras das sries fotovoltaicas, conectadas em
paralelo, com auxlio da Equao 6.32.

(6.32)
Onde:
Ii
max
(A) -

Corrente mxima c.c. admitida na entrada do inversor;
Isc (A) - Corrente de curto circuito do mdulo FV nas STC.
Observar ainda se o fabricante indica o nmero mximo de sries fotovoltaicas em paralelo que
pode ser utilizada. H casos ainda que o inversor disponibiliza mais de uma entrada independente com
seguidor de ponto de potncia mxima. Neste caso o fabricante indica os limites (Ii
max
) que devem ser
observados para cada seguidor (podem ser iguais ou no).
Otimizao da tenso de operao
A eficincia de um inversor pode ser influenciada pelas caractersticas do arranjo FV. Estes
fatores so principalmente a tenso do gerador FV e o FDI do inversor. Um projeto otimizado leva em
considerao estas caractersticas, de modo a aumentar a taxa de desempenho do sistema. A Figura
6.13 ilustra curvas de eficincia para um inversor em funo destes parmetros de projeto. possvel
observar que, levando-se em conta somente a tenso de operao do gerador FV, tem-se uma
influncia de cerca de 2 % na eficincia do inversor para potncia de sada acima de 50% da potncia
nominal. Nem todos os fabricantes de inversores disponibilizam os grficos de como a tenso do
painel FV influencia o dispositivo. Porm, quando disponvel, esta informao deve ser utilizada de
maneira a aumentar a TD do sistema, projetando-se um gerador FV que trabalhe com um nvel de
tenso que priorize a curva de eficincia de melhor desempenho. Quando esta informao no
disponvel, sugere-se trabalhar com a maior tenso c.c. possvel.
335

Figura 6.13 - Grfico de eficincia do inversor em funo do nvel de carga e da tenso de operao
(Modelo Sunny Boy 3000HF). Fonte: (SMA, 2011).
6.4.3 - Compromisso entre forma e funo dos SFCRs
Um gerador FV comprometido com sua forma (esttica) e sua funo capaz de gerar energia
eltrica com bom desempenho e ainda agregar beleza edificao a que est integrado. No entanto, em
muitas ocasies os SFVs so apenas agregados a projetos que no foram originalmente concebidos
para isso. s vezes, o resultado pode ser interessante e agradvel, mas, muitas vezes, o sistema FV
interfere negativamente na arquitetura. Esta situao ocorre quando a nica preocupao da instalao
FV em relao sua funo, ou seja, a maximizao da gerao de energia eltrica. Pelo contrrio,
quando a tecnologia FV integrada de uma maneira elegante e esteticamente agradvel a uma
edificao, esta se torna um exemplo que pode ser utilizado para convencer clientes, arquitetos e o
pblico em geral quanto ao papel que um sistema FV pode desempenhar, tanto em termos de gerao
energtica quanto como elemento construtivo de um edifcio.
Como j observado no Captulo 2, baixas latitudes (regio entre os Tpicos e o Equador) so
pouco sensveis a desvios azimutais e de inclinao. Logo, nesta situao, SFCRs integrados
edificao (SFIEs Sistemas Fotovoltaicos Integrados a Edificaes), mesmo em orientaes no
ideais, possuem pequenas perdas associadas a esta no idealidade.
Um estudo de caso do compromisso entre a forma e a funo de um sistema FV monitorado
pela Universidade Federal de Santa Catarina UFSC, em Florianpolis-SC. O sistema fica instalado
na sede da Eletrosul e apresentado na Figura 6.14. O painel FV curvo e utiliza mdulos flexveis
(filme fino) que, como se pode ver na Figura 6.15, possuem diferentes orientaes (Nordeste e
Sudoeste).
336

Figura 6.14 - Planta Piloto do Megawatt Solar - Eletrosul - Florianpolis - 11,97 kWp - em operao desde Fev/2009.
Fonte: (ZOMER et al., 2012).

Figura 6.15 Vista em planta da distribuio eltrica dos geradores fotovoltaicos da planta-piloto. Fonte: (ZOMER et al.,
2012).
O sistema curvo e no idealmente orientado foi comparado com outro sistema FV, que utiliza os
mesmos modelos de mdulos FV e inversores e fica localizado a cerca de 600 metros de distncia
deste. Este sistema, por ter inclinao e orientao ideais para uma instalao FV no local, pode ser
caracterizado como um sistema de referncia (Figura 6.16).
337

Figura 6.16 - Sistema FV plano inclinado a 27N, com 10,24 kWp, integrado ao Centro de Cultura e Eventos da UFSC
(Sistema de referncia). Fonte: Grupo Fotovoltaica/UFSC.
A Figura 6.17 mostra os resultados da comparao entre a produtividade dos dois sistemas.
Mesmo com os diferentes desvios azimutais e curvaturas, nos trs subsistemas da Planta Piloto houve
meses do ano em que a produtividade foi superior produtividade do Sistema de Referncia. Os
melhores desempenhos da Planta Piloto ocorreram nos meses prximos ao solstcio de vero
(novembro, dezembro, janeiro e fevereiro), chegando a superar o Sistema de Referncia em at 30 %
no ms de dezembro de 2010. Considerando todo o perodo analisado, a Planta Piloto teve uma
produtividade mdia 15 % inferior ao Sistema de Referncia. Para um sistema onde o bom
compromisso arquitetnico indispensvel, perdas deste nvel podem ser aceitveis, sendo que este
tipo de anlise deve incluir a parte financeira do projeto.

Figura 6.17 - Comparao da produtividade entre a Planta Piloto (subsistemas 1, 2 e 3) e o Sistema de Referncia.
Fonte: (ZOMER et al., 2012).
6.5 Projeto Eltrico
Outros desafios para o projetista durante o dimensionamento de um SFV so:
- Planejamento da interconexo dos diversos componentes do sistema de forma eficiente,
evitando perdas de energia;
338
- Adequao do projeto aos requisitos de segurana, visando torn-lo seguro sob o ponto de
vista eltrico, contemplando-se segurana do prprio sistema e do usurio, bem como da rede
eltrica, se for o caso;
- Verificao da obedincia s normas e aos regulamentos tcnicos aplicveis para instalaes
eltricas (ABNT, Aneel, distribuidora local etc.).
Os pontos mencionados constituem o que se chama de projeto eltrico, que inclui desde a
escolha dos condutores at o dimensionamento/especificao de dispositivos de proteo. Tipicamente
os projetos com conexo em baixa tenso devem respeitar as condicionantes da Norma NBR5410 -
Instalaes Eltricas de Baixa Tenso. Devem ser consideradas as perdas relativas aos componentes
que, embora no sejam considerados bsicos, so de igual importncia para o funcionamento adequado
do sistema. Trata-se do chamado Balano do Sistema (BOS), derivado da expresso em ingls Balance
of System. O BOS envolve os condutores, diodos de bloqueio, protees, etc.
Diodos de desvio e de bloqueio e fusveis de proteo
Diodos e/ou fusveis so includos em SFVs com os objetivos de proteo apresentados no
Captulo 4.
Os diodos de desvio so especialmente importantes nos SFCRs instalados em reas urbanas, por
serem seus painis fotovoltaicos instalados em telhados e fachadas e normalmente mais sujeitos a
sombreamentos parciais. Os mdulos fotovoltaicos atuais j incluem um ou mais diodos de desvio,
evitando que o projetista tenha que adicion-los em seu projeto. Abrindo-se a caixa de conexo do
mdulo, pode-se constatar visualmente a presena dos diodos (ver Figura 4.6).
A especificao dos diodos feita atravs da determinao da corrente mxima de operao
(funo do nmero de mdulos em paralelo) e da tenso reversa mxima (funo do nmero de
mdulos em srie), que depende da tecnologia e do material de fabricao dos mdulos FV.
Alm dos diodos de bloqueio pode-se ainda utilizar fusveis fotovoltaicos. O fusvel um
componente de proteo usado para proteger a srie fotovoltaica do fluxo de corrente reversa de um
fileira (srie) com tenso maior para uma com tenso menor. Deve ser dimensionado para correntes
menores que a corrente reversa suportvel pelo mdulo. Os fusveis s so necessrios se houver mais
de duas sries fotovoltaicas. Devem ser para corrente contnua e ser colocados na sada de cada srie
tanto no polo positivo quanto no polo negativo. Recomenda-se a utilizao do tipo gPV, que
apropriado para operao em sistemas fotovoltaicos (mais detalhes so disponibilizados no Captulo
4).
Os fusveis tm substitudos os diodos de bloqueio em alguns projetos, com base em
experincias indicando que estes so mais frgeis e apresentam maior ndice de falhas.
339
Cabeamento
Planilhas que auxiliam na escolha da bitola dos condutores so apresentadas no Apndice 4 e
referem-se a limites de queda de tenso de 1 % e 3 % em sistemas em corrente contnua com tenses
nominais de 12, 24 e 48 V. A NBR 5410 ou algum programa de escolha da bitola do cabeamento
podem ser utilizados e indicam a bitola adequada para os condutores em funo do comprimento do
ramal, da tenso nominal e do nvel de perdas pretendido. De forma alternativa, utiliza-se a Equao
6.33 para determinar a seo mnima de condutor S, necessria para uma determinada instalao em
corrente contnua.
) (
) ( ) (
) (
2
2
V V
A I m d
m
mm
mm S
A

|
|
.
|

\
| O
= (6.33)
Onde:
- resistividade do material do condutor, geralmente cobre;
d - distncia total do condutor, considerando o trecho de retorno (ida e volta);
I - corrente que passa pelo condutor;
V - queda de tenso tolerada no cabeamento para o trecho analisado.
Nas instalaes de sistemas fotovoltaicos utiliza-se condutores de cobre, material que a 20 C
apresenta tipicamente uma resistividade
cu
= 0,01724 O.mm
2
/m e coeficiente de variao com a
temperatura de o
cu
= 0,0039/C, que permite determinar a influncia da temperatura na resistividade
dos materiais atravs da Equao 6.34. Os parmetros reais a serem aplicados para a fiao utilizada
devem ser obtidos na documentao do respectivo fabricante.
)) 20 ( 1 ( ) 20 ( ) ( C T C T + = o (6.34)
Assim como no caso das estruturas metlicas, importante que os cabos utilizados nessas
instalaes estejam preparados para suportar as mais adversas condies climticas, pois estaro
expostos a intensa radiao, calor, frio e chuva por um longo perodo de tempo. Recomenda-se o
dimensionamento de cabos da instalao de acordo com a temperatura efetiva de trabalho e o mtodo
escolhido de proteo dos condutores utilizando-se o fator de correo de temperatura contido na
NBR5410. Alm disso, o material de proteo e isolamento do condutor tambm deve ser resistente s
condies climticas, especialmente radiao ultravioleta.
H uma extensa faixa de tenso c.c. utilizada em sistemas fotovoltaicos conectados rede. A
utilizao de tenses maiores ou menores est muitas vezes relacionada ao tipo de inversor utilizado, o
que implica algumas vantagens e desvantagens no que se refere instalao, proteo e reduo de
perdas em c.c.
Nveis baixos de tenso c.c. tm a vantagem de serem mais seguros e mais apropriados para
baixas potncias. Por outro lado, quanto maior a tenso de entrada do inversor, mais simples se torna a
340
instalao, sendo os inversores mais compactos e mais eficientes. Contudo, ressalta-se que a elevao
do nvel de tenso c.c. requer cautela, tanto na instalao quanto na operao, uma vez que a tenso de
operao torna-se mais perigosa. Atualmente, as faixas de tenso c.c. mais praticadas nos inversores
variam entre 100 e 1.000 volts, dependendo do tipo e porte do sistema, e o cabeamento deve ter o
isolamento adequado ao nvel de tenso utilizado.
Protees adicionais
A especificao dos dispositivos adicionais de proteo (varistores, disjuntores, aterramento,
proteo contra descargas atmosfricas etc.) passa por procedimentos j normatizados e similares aos
relacionados com sistemas eltricos em geral. Deve-se lembrar, no entanto, que muitos elementos dos
SFVs operam em corrente contnua.
Apresenta-se no Captulo 7 informaes necessrias para a correta instalao de um SFV. Os
dispositivos de proteo tambm so abordados nesse Captulo.
6.6 Ferramentas Computacionais para Projeto de Sistemas Fotovoltaicos
Como no h padronizao de caractersticas de sada dos mdulos fotovoltaicos, e suas
especificaes eltricas dependem at mesmo da tecnologia das clulas, a escolha de uma ferramenta
computacional adequada pode ser determinante na anlise de viabilidade tcnica e econmica de um
projeto. A gerao fotovoltaica caracteriza-se por um elevado investimento inicial, que pode ser
significativamente reduzido com um projeto bem feito. A variabilidade e imprevisibilidade do recurso
solar tambm exigem um maior cuidado no dimensionamento.
Ferramentas computacionais, quando bem utilizadas, podem gerar bons resultados. Pode-se at
utilizar mais de uma ferramenta, a primeira dando uma idia preliminar, indicativa, e a segunda dando
resultados mais precisos, com a simulao da operao do sistema. de fundamental importncia que
os dados de entrada sejam de boa qualidade e que a pessoa responsvel pelas simulaes tenha clareza
das limitaes da ferramenta selecionada. As ferramentas so, em geral, projetadas para algumas
situaes especficas; ignor-las pode levar a resultados incorretos.
As ferramentas disponveis podem ser divididas em diversas classes. Para cada classe existe uma
oferta ampla de ferramentas livres ou proprietrias, que podem ser escolhidas em funo das
especificidades dos projetos. De uma forma geral, os softwares relacionados com projeto de sistemas
fotovoltaicos podem ser aplicados para:
- Anlise de viabilidade: A partir de informaes gerais e consolidadas, do uma indicao da
viabilidade tcnica e econmica do projeto.
341
- Dimensionamento: Auxiliam o projetista na escolha dos componentes e configurao do
sistema, indicam a melhor orientao dos painis, dentre outras funes.
- Simulao de operao: A partir da descrio fidedigna da configurao e equipamentos
escolhidos, permite a simulao da operao do sistema, dando idia de variaes sazonais,
por exemplo. Alguns fabricantes dispem de programas que j incorporam modelos de seus
equipamentos. As simulaes podem ocorrer com bases de tempo que vo de minutos a
meses.
- Localizao: Em funo das variaes do recurso solar de local para local e influncia de
objetos e prdios vizinhos, com o consequente sombreamento do gerador fotovoltaico,
importante fazer uso de programas que permitam a anlise da incidncia da radiao solar
sobre o plano considerado. Esses programas so especialmente teis para sistemas instalados
em ambiente urbano e/ou que ocupam reas extensas.
- Monitoramento e controle: Sistemas de comunicao entre os sistemas fotovoltaicos e
centrais de controle permitem que os dados de desempenho sejam analisados, em alguns
casos, inclusive em tempo real, e aes sejam tomadas. Os programas de monitoramento e
controle permitem a anlise das informaes provenientes da planta monitorada e a execuo
de eventuais aes preventivas, corretivas ou de otimizao da operao.
- Curvas de Carga: Programas auxiliares podem ser utilizados para uma composio da curva
de carga a partir das especificaes tcnicas das cargas e de seus regimes de utilizao.
- Cabeamento: Em funo das correntes que circulam em cada parte do circuito, das
caractersticas dos condutores, dos circuitos eltricos e do nvel admissvel de perdas, esses
programas auxiliam na escolha da bitola dos condutores.
- Dados meteorolgicos: Antes de iniciar qualquer anlise, importante obter-se uma fonte
confivel de dados meteorolgicos e climticos, assunto j abordado no Captulo 2. Esses
programas podem auxiliar na escolha da orientao do painel.
- Sistemas hbridos: A gerao fotovoltaica tambm pode estar associada a outras tecnologias
de gerao de energia eltrica em configuraes hbridas. Ferramentas especficas esto
disponveis para a anlise da integrao de diversas fontes.
Existem inmeras ferramentas especficas para dimensionamento e/ou simulao de sistemas
fotovoltaicos disponveis no mercado e em instituies de ensino e pesquisa. Enfatiza-se que essas
ferramentas servem para automatizar o processo de clculo, tornando-os mais precisos e, dessa forma,
auxiliar o projetista. Contudo, elas no tornam dispensveis os conhecimentos bsicos da rea, por
342
parte do projetista. Esse conhecimento necessrio para a correta utilizao dessas ferramentas, bem
como para a interpretao dos resultados por elas fornecidos.
A seguir so descritas sucintamente algumas ferramentas computacionais utilizadas para
elaborao de projetos fotovoltaicos.
6.6.1 - Homer
A verso 2.0 do Hybrid Optimization Model for Electric Renewable (Homer) desenvolvido nos
EUA, no National Renewable Energy Laboratory (NREL), laboratrio do US DoE (Department of
Energy), foi apresentada no ano 2000. Pode simular sistemas conectados rede, isolados ou hbridos,
combinando diferentes tipos de gerao: elica, biogs, microturbinas, clulas a combustvel, etc.
Tambm determina o rejeito de calor gerado pelo sistema, visando atender a cargas trmicas. O Homer
muito utilizado por projetistas no Brasil para simulaes de sistemas isolados pois apresenta uma
interface amigvel com o usurio.
O Homer possui descries de modelos simplificados de sistemas, realiza clculos em base de
tempo horria para centenas de configuraes, apresentando-os de acordo com o custo. Permite a
otimizao de parmetros tcnicos especficos, assim como resultados detalhados de cada
configurao. Entre os resultados, o Homer apresenta grficos de estado de carga das baterias, tenso,
energia produzida e consumida etc. ao longo do tempo de simulao, que feita em base anual.
O programa inclui os dados climatolgicos de 239 localidades nos EUA, podendo-se tambm
inserir os valores mdios mensais de irradincia ou coeficiente de transparncia atmosfrico (k
tm
)
obtidos de outras fontes, com os quais se geram sinteticamente dados horrios de radiao utilizando o
mtodo de Graham (1990). Ao selecionar a potncia do painel, o usurio deve inserir um Derating
Factor, que considera as mltiplas perdas que possam ocorrer nos geradores. Este fator
determinante nos clculos e fundamental estim-lo adequadamente, j que, apesar de sua
importncia, o programa no impe nenhuma restrio.
6.6.2 - Hybrid2
Em 1996, a universidade de Massachusetts e o NREL apresentaram a primeira verso do
Hybrid2. A funo principal deste programa a simulao detalhada de sistemas isolados hbridos,
diferenciando-se do Homer no refinamento do sistema e propriedades adicionais.
O programa leva a um detalhado exame da configurao do sistema. A simulao pode ser feita
em base horria ou minuto a minuto. Possui uma base de dados que contm 150 tipos de geradores
elicos, mdulos fotovoltaicos, baterias e geradores a diesel.
O programa no muito amigvel (user friendly) e suas principais desvantagens so:
dificuldade na modelagem dos equipamentos de gerao, pois nem sempre os dados necessrios so
343
fornecidos pelo fabricante; instabilidade do programa em funo dos dados de entrada, e; no h
equipe de suporte do programa ou para continuidade de desenvolvimento.
6.6.3 - RETScreen
O RetScreen um programa de anlise para projetos de energias renovveis desenvolvido como
planilha de clculo no programa Excel da Microsoft, pelo Minister of Natural Resources do Canad.
um aplicativo de dimensionamento de sistemas. Este programa engloba as reas: fotovoltaica, elica,
pequenas centrais hidreltricas, aquecimento solar de ar e gua, biomassa e bombas geotrmicas.
O software RETScreen utilizado para a realizao de estudos preliminares. Na rea
fotovoltaica, pode determinar para os trs tipos bsicos de aplicaes (sistemas conectados rede,
sistemas isolados e bombeamento de gua) os custos de produo de energia e reduo de gases
emitidos. Configuraes de sistemas hbridos simples tambm podem ser avaliadas. Possui base de
dados de radiao para mais de 1.000 localidades no mundo, assim como dados de irradincia para
localidades remotas, atravs de informao de satlites.
6.6.4 - Insel
Desenvolvido pela Universidade de Oldenburg (Alemanha), o Integrated Simulation
Environment Language (INSEL), um dos programas mais antigos no mercado.
A nova verso deste programa foi projetada para permitir a incluso de novos blocos,
especialmente na rea de aquecimento e resfriamento solar. Com a ajuda de um editor grfico, o
usurio pode construir um diagrama de blocos para a configurao do sistema desejado. Durante esse
processo, o usurio tem acesso a um grupo de bibliotecas disponveis, que incluem: clculo da
radiao, de mdulos, inversores, baterias, geradores elicos e sistemas de bombeamento; alm disso,
possui uma base de dados que permite conhecer valores mdios mensais de irradiao de
aproximadamente 2.000 lugares.
6.6.5 - PV- Design Pro
O programa PV- Design Pro foi desenvolvido pela empresa Maui Solar Energy Software
Corporation; atualmente permite a simulao de sistemas fotovoltaicos isolados, sistemas conectados
rede e sistemas para bombeamento.
Contm uma base de dados de radiao solar abrangendo mais de 2.000 lugares no mundo
inteiro. Permite a utilizao de um programa adicional para a converso de dados do Meteonorm.
Apresenta base de dados com informao sobre inversores, baterias e mdulos.

344
6.6.6 PV-Sol
O programa PV-Sol Pro, desenvolvido pela empresa Di Valentin Energy Software, utilizado
para a anlise e simulao de sistemas isolados e conectados rede.
Permite estudar a configurao de vrios geradores e possui uma ampla base de dados de
mdulos, baterias, inversores e grupos geradores. Permite tambm a criao de diferentes perfis de
carga e, para ter em conta possveis elementos que interceptem a radiao solar, possui um gerador de
sombras.
6.6.7 - PVSyst
O PVSyst foi desenvolvido inicialmente pela Universidade de Genebra (Sua) e
comercializado atualmente pela companhia PVSyst SA. Permite ao usurio trabalhar em diferentes
nveis de complexidade, desde um estgio inicial de representao at um detalhado sistema de
simulao. Apresenta tambm uma ferramenta adicional, tridimensional, que leva em conta as
limitaes no horizonte e aqueles objetos que possam projetar sombras.
O programa permite importar dados dos programas Meteonorm e TMY2, o que facilita comparar
valores simulados com valores medidos. Alm disso, tem uma interface para dados e possui base de
dados de irradiao de 22 localidades na Sua e de 200 localidades do resto do mundo. Possui uma
ampla base de dados de mdulos e inversores. O programa apresenta as perdas do sistema fotovoltaico
e a sua taxa de desempenho. especialmente utilizado para SFCRs.
Se o usurio adicionar o custo de cada componente base de dados existente, o programa pode
projetar os custos de produo de energia em adio a uma srie de parmetros tcnicos, fornecidos no
fim da simulao.
6.6.8 - SolarPro
Criado em Kyoto, Japo, o programa Solar Pro um dos poucos produtos que no apenas
considera as sombras do horizonte como tambm bloqueio de radiao por corpos criados pelo
usurio. Atravs de uma animao tridimensional da trajetria aparente diria do Sol e com
ferramentas para desenhar objetos tridimensionais, permite considerar a gerao de sombras sobre
determinadas superfcies. O programa est equipado com uma base de dados de irradincia de 1.600
lugares em 151 pases. Realiza um exame da produo de eletricidade, levando em considerao as
sombras.
6.6.9 - SolEm
SolEm um programa que permite simular sistemas fotovoltaicos com base de tempo horria,
baseado numa planilha Excel, e permite uma anlise detalhada de SFCRs. Como emprega um cdigo
345
aberto, o usurio pode adapt-lo s suas necessidades. Implementa componentes que permitem ao
usurio seguir o caminho dos clculos e um editor de sombras para diferentes porcentagens de
sombreamento nos vrios meses do ano e para distintos ngulos. Contm uma base de dados para 120
localidades de pases europeus e tambm inclui uma interface para importar dados do programa
Meteonorm.
6.6.10 - PV F-CHART
PV F-Chart um programa para projetar e analisar SFVs, que realiza clculos horrios para
determinar o comportamento do sistema, atravs de mtodos desenvolvidos na University of
Wisconsin, tendo em conta as variaes da radiao e das cargas.
6.6.11 - PVSIZE
Desenvolvido na Universidade Federal do Rio Grande do Sul, um programa de simulao de
SFIs, com base horria, cuja verso mais recente permite inserir envelhecimento das baterias ao longo
dos anos, e apresenta grficos de estado de carga das baterias e tenso ao longo do tempo, dentre
outros resultados.
A Tabela 6.11 mostra o endereo eletrnico para a localizao na internet
11
dos programas
citados.
Tabela 6.11 - Principais caractersticas dos programas pesquisados e suas respectivas pginas na internet.
Nome
Foco
do
progra
ma
Idio
ma
Livre ou
Pago
Intervalo
de
Tempo
Componentes da
Base de Dados
Endereo na internet
DASTPVPS SBFV I Pago A, M, D M, I, C
www.ibom.de
HOMER
SFI,
SFCR,
SFH
I Pago
A, M, D,
H
B, E, G www.homerenergy.com
HYBRID2
SFI,
SFH
I Livre S/I
S/I
http://www.umass.edu/windenergy/research.topics.to
ols.software.hybrid2.form.php
Insel
ST,
SFV
I, A,
E
Pago
A, M, D,
S, H
M, G, B, I CC, C, D www.inseldi.com
PV-
DesignPro
SFI,
SFCR,
SFH
I, E Pago
A, M, D,
H
M, E, G, B, I, C http://www.mauisolarsoftware.com


11
Ressalta-se que os endereos citados estavam disponveis durante a elaborao deste Manual, entretanto essa
disponibilidade na internet algo dinmico e fora do controle dos autores.
346
Tabela 6.11 - Principais caractersticas dos programas pesquisados e suas respectivas pginas na internet (Continuao).
Nome
Foco
do
progra
ma
Idio
ma
Livre ou
Pago
Intervalo
de
Tempo
Componentes da
Base de Dados
Endereo na internet
PV*SOL
SFI,
SFCR,
SFH
I, A,
E, F
Pago
A, M, D,
S, H
M, G, B, I, CC, C www.valentin.de
PVSyst
SFI,
SFCR,
SFH
I Pago
A, M, D,
H
M, G, EA, B, I, CC, C www.pvsyst.com
RETScreen
SFI,
SFCR,
SFH
I, F Livre A G http://www.retscreen.net/
SolarPro SFI I, J Pago
A, M, D,
H
M, G www.lapsys.co.jp/english/index.html
SolEm SFCR A Pago
A, M, D,
H
M, G, I www.solem.de
PV F-
CHART
SFI I Pago H G http://www.fchart.com/
PVSize SFI P Livre
A, M, D,
S, H
M, G, T, B,I,CC,C http://www.solar.ufrgs.br
Legenda:
S/I- Sem informao.
Idioma: I: Ingls, A: Alemo, E: Espanhol, F: Francs, J: Japons, P: Portugus.
Intervalo de tempo: A: ano, M: ms, S: semana, D: dia, H: hora.
Foco do programa: SFI: sistema fotovoltaico isolado, SFCR: sistema fotovoltaico conectado rede, SFH: sistema
hbrido, SBFV: sistemas de bombeamento fotovoltaico, ST: sistemas trmicos em geral, SFV: sistemas fotovoltaicos em
geral.
Base de dados de componentes: M: mdulos fotovoltaicos, G: irradincia e temperatura, B: bateria, I: inversor FV,
CC: controlador de carga, C: consumo, E: gerador elico, D: gerador diesel, CS: coletores solares, BM: biomassa,
A: gerador hidrulico, EA: energia auxiliar.
Outros programas para clculo de sistemas de aproveitamento solar podem ser encontrados
atravs dos links relacionados abaixo:
- NREL: pvwatts.nrel.gov (ferramenta livre, somente para SFCRs)
- NREL: https:/sam.nrel.gov (ferramenta livre)
- CENSOLAR: http://www.censolar.com/menu10.htm#software
- EERE:
http://apps1.eere.energy.gov/buildings/tools_directory/subjects.cfm/pagename=subjects/pagename_m
enu=whole_building_analysis/pagename_submenu=renewable_energy
- PVRESOURCES: http://www.pvresources.com/SiteAnalysis/Software.aspx
- IN BALANCE ENERGY: http://www.inbalance-
energy.co.uk/articles/free_solar_pv_calculators_tools_software.html
Estas fontes no esgotam as ferramentas disponveis e so apenas uma tentativa de apresentar ao
leitor alguns programas utilizados.
347
6.7 Apresentao do projeto
A apresentao de um projeto tcnico no se atm apenas ao dimensionamento do sistema.
Deve-se apresentar uma lista de itens, que podem ser mais ou menos complexos em funo da potncia
do projeto e da sua forma de execuo. Um projeto que objeto de uma licitao pblica, por
exemplo, deve necessariamente apresentar um projeto bsico, conforme determinao da Lei 8.666.
Sero descritos dois tipos de projeto: bsico e executivo, nos itens 6.7.1 e 6.7.2, que so os tipos mais
usuais em sistemas de engenharia. Independentemente de ser realizada licitao para compra de
materiais e servios ou apenas uma consulta a empreendedores, comum haver um contrato entre o
proprietrio/usurio do sistema e o prestador do servio. No item 6.7.3 so apresentados itens de
garantia recomendados a constar num contrato desse tipo.
6.7.1 Projeto Bsico
O Projeto Bsico o conjunto de elementos necessrios e suficientes, com nvel de preciso
adequado para caracterizao da obra ou do servio a ser executado, atendendo s normas cabveis e
legislao, elaborado com base em estudos preliminares que assegurem a viabilidade e o adequado
tratamento ambiental do empreendimento. Deve estabelecer as caractersticas, dimenses,
especificaes e as quantidades de servios e de materiais, custos e tempo necessrios para execuo
da obra.
Todos os elementos que compem o Projeto Bsico devem ser elaborados por profissional
legalmente habilitado, sendo indispensvel o registro da respectiva Anotao de Responsabilidade
Tcnica do CREA, identificao do autor e sua assinatura em cada um dos documentos produzidos.
O Projeto Bsico deve compreender: desenhos (diagramas, plantas etc), memria descritiva e de
clculo, especificao tcnica, oramento e cronograma, descritos a seguir.
Desenhos: Representao grfica do objeto a ser executado, constituda por plantas e diagramas
eltricos, obedecendo s normas tcnicas pertinentes. As pranchas de desenho devero possuir
identificao contendo: a) Denominao e local da obra; b) Nome da entidade executora; c) Tipo de
projeto; d) Data; e) Nome do responsvel tcnico, nmero de registro no CREA e sua assinatura.
Memria descritiva e de clculo: Descrio detalhada do sistema projetado, na forma de texto,
incluindo: as condies do local e climticas, incluindo irradincia; as solues tcnicas e as normas
adotadas, bem como suas justificativas e clculos realizados, necessrios ao pleno entendimento do
projeto, complementando as informaes contidas nos desenhos.
Especificao Tcnica: Texto no qual se fixam todas as regras e condies que se deve seguir
para a execuo da obra. Deve caracterizar individualmente os materiais, equipamentos, elementos
componentes, sistemas construtivos e o modo como sero executados cada um dos servios, os
348
critrios para a sua verificao, os requisitos de desempenho e de qualidade. Devem ser includos os
planos de: comissionamento e testes, limpeza do local da obra, obteno de licenas ambientais e de
descarte de baterias (se for o caso). Quando solicitado pelo contratante, pode-se incluir descrio de
treinamento e capacitao a serem realizados pela contratada tanto para os usurios do sistema quanto
para tcnicos de operao e manuteno.
Oramento: Avaliao do custo total da obra tendo como base preos dos insumos praticados no
mercado ou valores de referncia. Os levantamentos de quantidades de materiais e servios so obtidos
a partir dos elementos descritos nos itens anteriores. O oramento dever ser apresentado em
composies de custos unitrios e expresso em planilhas de custos e servios, referenciadas data de
sua elaborao. Cada composio de custo unitrio define o valor financeiro a ser despendido na
execuo do servio e seus preos coletados no mercado, devendo conter, a discriminao de cada
insumo, unidade de medida, sua incidncia na realizao do servio, preo unitrio e custo parcial e o
custo unitrio total do servio, representado pela soma dos custos parciais de cada insumo.
Cronograma fsico-financeiro: Representao grfica do desenvolvimento dos servios a serem
executados ao longo do tempo de durao da obra demonstrando, em cada perodo, o percentual fsico
a ser executado e o respectivo valor financeiro despendido.
6.7.2 Projeto Executivo
Aps a elaborao do projeto bsico e antes de se iniciar a obra, deve ser elaborado o projeto
executivo que apresenta o conjunto dos elementos necessrios e suficientes execuo completa da
obra, de acordo com as normas e legislao pertinentes. O projeto executivo pode sofrer algumas
alteraes (mas que no descaracterizam o projeto inicial) durante a instalao do sistema e, por isso,
aps o comissionamento deve ser entregue ao proprietrio do sistema o projeto executivo as built, ou
seja, o projeto executivo conforme construdo.
O projeto executivo deve ser muito mais detalhado que o projeto bsico, j que servir como
base para a execuo do projeto, por isso deve apresentar plantas e diagramas detalhados de todas as
estruturas e circuitos, bem como os clculos detalhados de todo o sistema de gerao, de proteo, de
aterramento etc. e os clculos estruturais de suportes e de construes civis. Ressalta-se que o
detalhamento dos compartimentos, considerando distncias e ventilao recomendadas para os
equipamentos, acesso para manuteno etc., assim como o detalhamento da logstica de acesso e
transporte ao local so itens fundamentais e no devem ser relegados.
O Projeto executivo deve conter a listagem completa de todos os materiais e equipamentos
(fabricante, modelo, norma de certificao) e seus catlogos e manuais, inclusive dos equipamentos de
controle, monitoramento e medio do sistema fotovoltaico, quando houver.
349
recomendvel a apresentao do cronograma detalhado, ou seja, com as atividades
desmembradas para facilitar o acompanhamento e superviso dos servios e facilitar a resoluo de
entraves.
6.7.3 Termos de garantia
O contrato de servio para instalao de qualquer sistema deve prever uma fase de garantia de
funcionamento do sistema e de equipamentos. No caso de sistemas que apresentam uma
disponibilidade mnima de energia, o fornecedor deve ainda apresentar garantia de desempenho.
Devem ser previstas multas ou procedimentos de correes no caso das garantias no serem
cumpridas.
So recomendadas as seguintes garantias:
Garantia de tempo para a concluso da instalao
Os prazos previstos para concluso das obras e inicio da operao da planta devem ser garantidos
pelo fornecedor contratado. No caso dos prazos para cada marco do projeto no serem cumpridos,
deve ser prevista multa por atraso. Em contrapartida, tambm devem ser previstas multas e correes
monetrias no caso do fornecedor entregar o servio no prazo, mas o contratante atrasar o pagamento.
Garantias de fbrica
Deve ser previsto que o fornecedor do servio/instalao, quando da entrega do sistema ao
proprietrio, apresente os certificados de garantia de fbrica para os equipamentos do sistema de
gerao (incluindo o sistema de monitoramento, controle e medio, se houver), considerando os
prazos especificados a partir do comissionamento do sistema.
Durante a fase de garantia do sistema, o fornecedor contratado responde por todos os problemas
com equipamentos e intermedia o processo com os fabricantes. Recomenda-se que eventuais custos de
transporte de equipamentos e de pessoal sejam previstos e definidos como sero rateados.
Garantia do sistema
O fornecedor contratado deve garantir por um prazo acordado no s os equipamentos mas o
sistema em seu conjunto contra: erros de projeto, de instalao, de escolha de materiais ou
equipamentos; incompatibilidade de funcionamento entre equipamentos; erro na coordenao da
proteo; inconsistncia da especificao e requisitos de projeto etc. Assim, no perodo de garantia do
sistema deve ser de responsabilidade do fornecedor do servio a correo de qualquer problema que
no tenha sido detectado no comissionamento mas que ficou evidenciado posteriormente como erro de
projeto ou de instalao.

350
Garantia de desempenho da planta fotovoltaica
As garantias de desempenho podem variar em funo do sistema fotovoltaico ser ou no
conectado rede. Tais garantias so mais comuns em sistemas conectados rede, especialmente em
plantas comerciais para venda de energia. As garantias de desempenho da planta fotovoltaica podem
incluir:
a) Capacidade de gerao fotovoltaica instalada no momento do comissionamento, onde a
potncia medida dos mdulos e a gerao verificada no comissionamento no podem
apresentar valores inferiores a tolerncias definidas em contrato.
b) Funcionamento pleno do sistema de monitoramento.
c) Disponibilidade mnima de funcionamento da planta durante o perodo de garantia, supondo
que os sistemas esto sendo operados e mantidos conforme os manuais de operao e
manuteno ou que no h faltas na rede (no caso de sistemas conectado rede de
distribuio).
d) Taxa de desempenho do sistema TD (em ingls, PR Performance Ratio) durante o perodo
de garantia pela planta. A TD uma grandeza para a avaliao do desempenho global do
sistema, descrita no item 6.4.1. Enquanto no implantado o sistema calculada por
simulao, em alguns dos programas computacionais listados no item 6.6. A TD pode variar
ao longo dos anos, mas a degradao do sistema no deve ser superior a 0,5 % ao ano.
Conforme NREL (2005), a Taxa de Desempenho pode ser calculada da seguinte forma:

(6.35)
Onde:
E
FV
(kWh/ms ou kWh/ano) - a energia produzida pelo sistema e injetada na rede durante o perodo
de avaliao, normalmente no ms ou no ano;
I
rT
(kWh/ms ou kWh/ano) - a irradiao total incidente na rea do painel fotovoltaico e no plano de
instalao do mesmo;
Ef
STC
(%) - a eficincia nominal dos mdulos fotovoltaicos nas condies padro de ensaio (STC).
6.8 Referncias
ANEEL - Agncia Nacional de Energia Eltrica. Procedimentos de Distribuio de Energia
Eltrica no Sistema Eltrico Nacional (PRODIST) - Mdulo 3, Acesso ao Sistema de
Distribuio. 2012. Disponvel em: <http://www.aneel.gov.br>.
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ANEEL - Agncia Nacional de Energia Eltrica. Resoluo Normativa N 493/2012.
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355
CAPTULO 7
INSTALAO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS E
RECOMENDAES DE SEGURANA
356
CAPTULO 7 INSTALAO DE SISTEMAS FOTOVOLTAICOS E RECOMENDAES
DE SEGURANA
Segundo estudo sobre principais falhas e suas causas do Projeto de 1.000 sistemas fotovoltaicos
(SFCR) instalados em telhados na Alemanha, entre 1991 e 1995 - perodo em que esse tipo de sistema
ainda era incipiente no pas (similar ao perodo atual no Brasil) - constatou-se que quase 40% das
falhas ocorridas foram devidas a problema na instalao e outros 30% por erros de projeto. Os
sistemas fotovoltaicos instalados no mbito do Programa Luz para Todos, principalmente os MIGDIs,
tambm apresentaram muitos problemas de instalao. Esses fatos ressaltam que para um bom
resultado no so suficientes um bom dimensionamento e a especificao de equipamentos de
qualidade, mas sim, o bom gerenciamento da qualidade do projeto e da instalao como um todo; por
isso fundamental critrios e especificaes bem definidos para todas as etapas do processo.
Os instaladores de um SFV devem estar familiarizados com as medidas de segurana aplicveis
a cada projeto, conforme indicado pelas normas vigentes e recomendaes dos fabricantes.
Dependendo do caso, a instalao pode envolver a integrao de vrios profissionais como carpinteiro
e pedreiro, para construo ou adaptao da fundao e estrutura de suporte para os equipamentos, e
eletricista, para instalao dos vrios componentes do sistema. Estes devem ser supervisionados por
um profissional qualificado em Energia Solar Fotovoltaica, adequadamente treinado e com
comprovada experincia, garantindo que a instalao ocorra de forma correta e sem riscos, com o
devido cumprimento das normas tcnicas aplicveis. A presena do profissional qualificado facilita a
soluo de possveis problemas que comumente surgem durante o processo de instalao.
Pelo fato de muitas instalaes de SFVs serem frequentemente realizadas em locais distantes
e/ou de difcil acesso, deve-se planejar, organizar e transportar todos os materiais, ferramentas,
equipamentos e pessoal que sero necessrios execuo dos servios, a fim de evitar eventuais
atrasos e custos adicionais desnecessrios. Todos os componentes que podem ser montados
previamente em oficinas devem ser transportados preferencialmente j preparados, exceto quando esta
pr-montagem comprometa a logstica de transporte.
Para facilitar e agilizar o processo de instalao, sugere-se dividi-lo nas fases de pr-instalao e
instalao. Durante a fase de pr-instalao, a ateno do projetista deve estar voltada para o
dimensionamento e seleo de acessrios (suportes, cabeamento, terminais etc.), configurao (layout)
do local, pr-montagem e estimativas do tempo para instalao, das obras civis necessrias e das
condies climticas no momento do trabalho. A instalao propriamente dita envolve a montagem e o
comissionamento (inspees e testes) do SFV, que devem ser realizados no local definitivo, de forma
rpida, eficiente e segura. A instalao bem planejada e executada proporciona a proteo devida s
pessoas e garante aos SFVs confiabilidade e bom desempenho, resultando na satisfao do usurio.
357
O texto apresentado a seguir descreve procedimentos relativos instalao dos vrios
componentes de um SFV. Salienta-se que alguns destes componentes esto presentes somente em
determinadas configuraes de sistema, como o caso das baterias e os controladores de carga,
indispensveis aos sistemas isolados e das motobombas, presentes nos sistemas de bombeamento de
gua.
7.1 Recomendaes Gerais sobre Segurana
Para instalao dos SFVs aconselhvel seguir normas e recomendaes tcnicas nacionais
relacionadas ao processo de instalao. Na falta destas, deve-se consultar normas internacionais.
importante que as normas utilizadas sejam aquelas vigentes na poca da sua utilizao.
As Tabelas 7.1 e 7.2 apresentam, respectivamente, as principais normas brasileiras e
internacionais recomendadas para consulta, de acordo com a configurao do sistema, em vigor at a
data da publicao deste manual.
Tabela 7.1 Normas nacionais recomendadas para consulta.
Org. Cdigo Ttulo Descrio Aplicao
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NBR 5410:2004
Instalaes eltricas de
baixa tenso
Estabelece as condies a que devem
satisfazer as instalaes eltricas de
baixa tenso, a fim de garantir a
segurana de pessoas e animais, o
funcionamento adequado da instalao
e a conservao dos bens.
Sistema isolado,
bombeamento de gua,
hbrido e conectado
rede.
NBR 5419:2005
Proteo de estruturas
contra descargas
atmosfricas
Fixa as condies de projeto, instalao
e manuteno de sistemas de proteo
contra descargas atmosfricas (SPDA),
para proteger as edificaes e
estruturas contra a incidncia direta de
raios. A proteo se aplica tambm
contra a incidncia direta de raios sobre
os equipamentos e pessoas no interior
dessas edificaes e estruturas, ou no
interior da proteo imposta pelo
SPDA instalado.
Sistema isolado,
bombeamento de gua,
hbrido e conectado
rede.
NBR 15389:2006
Bateria de chumbo-cido
estacionria regulada por
vlvula - Instalao e
montagem
Fixa os requisitos para projeto de
instalao e procedimentos para
armazenagem, montagem, ativao e
aceitao de baterias de chumbo-cido
reguladas por vlvula para aplicaes
estacionrias, bem como requisitos de
segurana e de instrumentao.
Sistema isolado e
hbrido.
NBR IEC
62116:2012
Procedimento de ensaio
de anti-ilhamento para
inversores de sistemas
fotovoltaicos conectados
rede eltrica
Fornece um procedimento de ensaio
para avaliar inversores utilizados em
SFCRs quanto ao desempenho das
medidas de preveno de ilhamento.
Sistema conectado
rede.
NBR 16149:2013
Sistemas fotovoltaicos
Caractersticas da
interface de conexo com
a rede eltrica de
distribuio
Estabelece as recomendaes
especficas para a interface de conexo
entre os sistemas fotovoltaicos e a rede
de distribuio de energia.
Sistema conectado
rede.

358
Tabela 7.1 Normas nacionais recomendadas para consulta (continuao).
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NBR 16150:2013
Sistemas fotovoltaicos
Caractersticas da
interface de conexo com
a rede eltrica de
distribuio
Procedimento de ensaio
de conformidade
Especifica os procedimentos de ensaio
para verificar se os equipamentos
utilizados na interface de conexo entre
o sistema fotovoltaico e a rede de
distribuio de energia esto em
conformidade com os requisitos da
ABNT NBR 16149.
Sistema conectado
rede.
NBR 16274:2014
Sistemas fotovoltaicos
conectados rede
Requisitos mnimos para
documentao, ensaios
de comissionamento,
inspeo e avaliao de
desempenho
Estabelece as informaes e a
documentao mnimas que devem ser
compiladas aps a instalao de um
sistema fotovoltaico conectado rede.
Tambm descreve a documentao, os
ensaios de comissionamento e os
critrios de inspeo necessrios para
avaliar a segurana da instalao e a
correta operao do sistema.
Sistema conectado
rede.
(Pode ser usada
parcialmente para
sistemas isolados.)
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Portaria 004/2011
Requisitos de avaliao
da conformidade para
sistemas e equipamentos
para energia fotovoltaica
(mdulo, controlador de
carga, inversor e bateria)
Estabelecer os critrios para o
Programa de Avaliao da
Conformidade para sistemas e
equipamentos para energia
fotovoltaica, atravs do mecanismo da
Etiquetagem, para utilizao da
Etiqueta Nacional de Conservao de
Energia ENCE, atendendo aos
requisitos do Programa Brasileiro de
Etiquetagem - PBE, visando a
eficincia energtica e adequado nvel
de segurana.
Sistemas fotovoltaicos
isolado e conectado
rede.
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NR-10
Segurana em
instalaes e servios em
eletricidade
Estabelece os requisitos e condies
mnimas, objetivando a implementao
de medidas de controle e sistemas
preventivos, de forma a garantir a
segurana e a sade dos trabalhadores
que, direta ou indiretamente, interajam
com instalaes eltricas e servios de
eletricidade.
Sistema isolado, para
bombeamento de gua,
hbrido e conectado
rede.
NR-35 Trabalho em altura
Estabelece os requisitos mnimos e as
medidas de proteo para o trabalho em
altura, envolvendo o planejamento, a
organizao e a execuo, de forma a
garantir a segurana e a sade dos
trabalhadores envolvidos direta ou
indiretamente com esta atividade.
Sistema isolado, para
bombeamento de gua,
hbrido e conectado
rede, dependendo da
forma de instalao do
gerador fotovoltaico.


Org. Cdigo Ttulo Descrio Aplicao
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PRODIST
Mdulo 3 Acesso ao
Sistema de Distribuio
Estabelece as condies de acesso,
compreendendo a conexo e o uso do
sistema de distribuio, no
abrangendo as demais instalaes de
transmisso, e define os critrios
tcnicos e operacionais, os requisitos
de projeto, as informaes, os dados e a
implementao da conexo, aplicando-
se aos novos acessantes bem como aos
existentes.
Sistema conectado
rede.
359
Tabela 7.1 Normas nacionais recomendadas para consulta (continuao).
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Normas Tcnicas
(Vrias)
Requisitos para a
conexo de Micro e
Minigerao ao Sistema
de Distribuio
Descrio geral: rene e sistematiza os
requisitos pertinentes s novas
conexes ou alterao de conexes
existentes, de consumidores que faam
a adeso ao sistema de compensao de
energia, ao sistema de distribuio em
baixa tenso da Concessionria
Local.
Sistema conectado
rede.
Tabela 7.2 Normas internacionais recomendadas para consulta.
Org. Cdigo Ttulo Descrio Aplicao
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60364-7-
712:2002
Requirements for special
installations or locations
Solar photovoltaic
(PV) power supply
systems
Aplica-se s instalaes eltricas dos
sistemas de abastecimento de energia
fotovoltaica, incluindo sistemas com
mdulos c.a.
Sistema isolado,
bombeamento de gua,
hbrido e conectado
rede.
TS 62257-1 a
62257-9
(vrios anos: 2004
a 2013)
Recommendations for
small renewable energy
and hybrid systems for
rural electrification
Especifica os requisitos gerais para o
projeto e para a segurana relacionados
a sistemas fotovoltaicos e hbridos
utilizados em sistemas de eletrificao
rural descentralizada.
Sistema isolado,
bombeamento de gua
e hbrido.
62109-2:2011
Safety of power
converters for use in
photovoltaic power
systems - Part 2:
Particular requirements
for inverters
Cobre as necessidades especficas de
segurana relevantes aos inversores de
tenso, bem como a outros
equipamentos que executam esta
funo em SFV.
Sistema isolado,
bombeamento de gua,
hbrido e conectado
rede.
61000-6-1:2005
Eletromagnetic
Compatibility (EMC) -
Generic Standards
Immunity for residential,
commercial and light-
industrial environments
Define ensaios para dispositivos
eltricos para imunidade em relao a
perturbaes conduzidas e irradiadas,
incluindo descargas eletrostticas.
Sistema isolado e
conectado rede.
62485-2
Safety requirements for
secondary batteries and
battery installations-
Part 2: Stationary
batteries
Fornece requisitos de segurana para
instalao de baterias estacionrias.
Sistema isolado e
hbrido.
61724: 1998:
Photovoltaic system
performance monitoring
- Guidelines for
measurement, data
exchange and analysis
Fornece diretrizes para avaliao de
desempenho de sistemas fotovoltaicos
Sistemas fotovoltaicos
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937-2007
Recommended practice
for installation and
maintenance of lead-acid
batteries for photovoltaic
(PV) systems
Fornece consideraes de projeto e
procedimentos para o armazenamento,
localizao, montagem, ventilao e
manuteno de baterias de chumbo-
cido para SFVs. Precaues de
segurana e consideraes de
instrumentao tambm so includas.
Sistema isolado e
hbrido.
450-2002
Recommended practice
for maintenance, testing
and replacement of
vented lead-acid
batteries for stationary
applications
Fornece consideraes de
procedimentos para manuteno, testes
e substituio de baterias de chumbo-
cido ventiladas estacionrias.
Sistema isolado e
hbrido.

Org. Cdigo Ttulo Descrio Aplicao
360
Deve-se tambm seguir os procedimentos de instalao e operao contidos na documentao
tcnica (manual) dos equipamentos. A seguir, so apresentadas algumas sugestes gerais de segurana
para auxiliar na instalao adequada dos SFVs:
Estabelecer e fazer cumprir os procedimentos de segurana de pessoas e dos equipamentos,
conforme as normas tcnicas vigentes.
Seguir os cdigos locais para instalaes eltricas, caso existam.
Para os SFCR, seguir as normas de conexo dos sistemas rede eltrica elaboradas pelas
concessionrias locais de distribuio.
Restringir o acesso rea de trabalho.
Nos ambientes onde os equipamentos forem instalados, afixar placas de advertncia quanto
ao perigo de choque eltrico (Figura 7.1) e restrio de acesso por pessoas no autorizadas
(Figura 7.2). Para sistemas fotovoltaicos conectados rede
1
, recomenda-se, ainda, instalar
prximo ao padro de entrada de energia uma placa de advertncia quanto ao risco de choque
eltrico devido gerao prpria (Figura 7.3).
Manter permanentemente fechada a porta de acesso aos ambientes onde forem instalados os
controles, equipamentos de condicionamento de potncia, instrumentos de medio e
baterias. Esta medida busca controlar o acesso de pessoal ao ambiente e proteg-lo da
umidade, poeira, insetos etc.
Realizar o aterramento eltrico das instalaes, dos equipamentos e das estruturas metlicas.
Instalar dispositivos de proteo eltrica adequados para equipamentos e para o ser humano.
Proteger os terminais das baterias, a fim de prevenir contato acidental e/ou curto-circuito.
Cobrir o gerador fotovoltaico com uma manta ou uma cobertura opaca, quando possvel, ao
se trabalhar no sistema, para reduzir o risco de um choque eltrico ou curto-circuito.
Disponibilizar manuais bsicos de segurana, operao e manuteno aos usurios do
sistema.
Fixar, em local visvel, instrues para desconectar a energia do equipamento antes da
realizao de servios de manuteno, e para sua reconexo aps o trmino desses servios.
Em microsistemas, disponibilizar na edificao onde ficam os equipamentos de
condicionamento de potncia e de controle e baterias, equipamento de proteo individual
(EPI) para manipulao de baterias e extintor de incndio adequado.
Retirar todos os objetos pessoais metlicos antes dos trabalhos em instalaes eltricas.

1
Deve-se ter ateno especial quanto s especificidades de instalao de sistemas fotovoltaicos conectados rede, sugere-
se consultar as normas pertinentes e, em especial, os procedimentos estabelecidos pela concessionria para conexo do
sistema de autoproduo de energia ao seu sistema de distribuio.
361

Figura 7.1 Exemplo de placa de advertncia de risco de choque eltrico.

Figura 7.2 Exemplo de placa de advertncia de acesso restrito.

Figura 7.3 Exemplo de placa de advertncia de risco de choque eltrico devido gerao prpria de sistemas conectados
rede.

362
Cabe lembrar que algumas configuraes de SFVs podem apresentar nveis de tenso e
corrente letais. Apesar da baixa tenso dos mdulos fotovoltaicos, a conexo de vrios em srie
ou o erro de uma conexo pode representar um grande perigo. As baterias, quando presentes no
sistema, tambm requerem extremo cuidado no manuseio, pois podem conter elementos
perigosos em sua composio qumica, alm de sua alta densidade de energia.
Os cuidados com relao ao manuseio de mdulos fotovoltaicos e baterias so tratados nos itens
7.2.1 e 7.3.1, respectivamente. Informaes adicionais podem ser consultadas no Captulo 8.
7.2 Mdulos Fotovoltaicos
7.2.1 Recomendaes sobre segurana no manuseio e instalao de mdulos fotovoltaicos
As pessoas que manuseiam e instalam mdulos fotovoltaicos devem conhecer as medidas de
segurana e seguir as normas e recomendaes tcnicas pertinentes. A falta de observao dessas
normas pode resultar em riscos potenciais a pessoas e equipamentos. Sugere-se consultar as normas
2

apresentadas nas Tabelas 7.1. e 7.2 e os manuais dos mdulos.
A seguir, so apresentadas algumas sugestes de segurana para o trabalho apropriado e seguro
com os mdulos:
Remover quaisquer joias ou adereos do pescoo, mos e pulsos antes do trabalho.
Vestir roupas e usar equipamentos de proteo adequados ao trabalho e em bom estado de
conservao (camisa, cala, cinto de segurana, capacete, mscara, luvas, calado, entre
outros).
Sempre usar ferramentas adequadas, secas e com cabos isolados, para montar o gerador
fotovoltaico.
Utilizar equipamentos de teste e medio de grandezas eltricas (por exemplo, um
multmetro) para conferncia da montagem.
No trabalhar sozinho, tendo sempre algum por perto, que possa auxiliar na atividade e,
principalmente, em caso de acidentes.
Durante a realizao das conexes eltricas, impedir que a radiao solar incida sobre o
gerador fotovoltaico. Para isso, deve-se cobri-lo com uma manta ou outra cobertura opaca.
Descarregar a eletricidade esttica do corpo, tocando um condutor aterrado antes de tocar os
terminais dos mdulos, especialmente em locais e dias de clima seco.
Fazer as conexes eltricas respeitando sempre a polaridade e as instrues do fabricante.

2
Antes de iniciar a consulta das normas elencadas, deve-se atentar configurao do sistema e forma de instalao do
gerador fotovoltaico.
363
Evitar contatos indesejados de pessoas, animais ou outros objetos com o mdulo. Apesar da
relativa rigidez de sua estrutura, choques mecnicos podem resultar em danos ao vidro de
proteo e at mesmo s clulas fotovoltaicas.
Instalar uma cerca ao redor do gerador fotovoltaico, caso o local onde ele esteja situado possa
ser facilmente acessado por pessoas no autorizadas ou animais.
7.2.2 Localizao do gerador fotovoltaico
Um aspecto importante a examinar durante o processo de pr-instalao a melhor localizao
do gerador fotovoltaico. Em geral, no existem restries quanto ao local de instalao, pois os
mdulos so equipamentos desenvolvidos para resistir ao tempo (sol, chuva, geadas etc.) durante
vrios anos. Recomenda-se apenas que o mesmo seja instalado em local com boa incidncia de
radiao solar e o mais prximo possvel das baterias e cargas. Esta ltima recomendao tem o
compromisso de minimizar as perdas devido queda de tenso nos cabos. A primeira, mesmo sendo
obvia, merece bastante cuidado durante sua avaliao, uma vez que o sombreamento provocado por
prdios, rvores, cercas, postes, dentre outros objetos do entorno, pode reduzir significativamente o
potencial de gerao do sistema.
O gerador fotovoltaico deve ser colocado suficientemente distante de objetos que possam
encobrir a luz do sol, para que nenhuma sombra ocorra especialmente nas horas de melhor irradincia,
usualmente entre 9 e 15 horas. A Equao 7.1 apresenta um mtodo para estimar a distncia mnima
que o gerador fotovoltaico deve ser colocado da fonte de sombreamento. Cabe salientar que o referido
mtodo fornece uma estimativa simples e conservadora, pois considera que a sombra do obstculo
cobre por igual todo o gerador fotovoltaico, o que comumente no acontece, devido aos contornos no
homogneos do sombreamento.

i ob
h h Fe d (7.1)
onde:
d - distncia mnima a ser mantida entre o gerador fotovoltaico e o obstculo (m);
Fe - fator de espaamento obtido pela curva da Figura 7.4;
ob
h - altura do obstculo (m);
i
h - altura de instalao do gerador fotovoltaico (m).
364

Figura 7.4 Fator de espaamento versus latitude do local da instalao do gerador fotovoltaico. Fonte: (PINHO et al.,
2008).
Este mtodo garante que o obstculo no projeta sua sombra sobre o gerador durante o inverno,
dias mais curtos (21 de junho no hemisfrio Sul e 21 de dezembro no hemisfrio Norte), trs horas
antes e trs depois do meio-dia solar. A Figura 7.5 ilustra a aplicao do mtodo.

Figura 7.5 Ilustrao para definio do espaamento mnimo entre gerador fotovoltaico e obstculo, para evitar
sombreamento. Fonte: (PINHO et al., 2008).
A procura de um local para a instalao do gerador fotovoltaico no problemtica em reas
remotas, onde se dispe de amplo espao. Entretanto, para a montagem de grandes geradores
fotovoltaicos, em locais onde o custo do solo importante, pode ser conveniente realizar uma anlise
do custo do solo versus a perda de energia.
Outros aspectos que tambm devem ser considerados, quanto instalao do gerador
fotovoltaico, so as possibilidades de vandalismo, crescimento da vegetao vizinha, construo de
edificaes e/ou instalao de objetos sombreadores no entorno em um futuro prximo.

365
7.2.3 Orientao e inclinao do gerador fotovoltaico
Para maximizar a captao de energia ao longo do ano, as duas condies descritas a seguir
devem ser observadas.
Orientao
Em geral, para uma operao adequada e eficiente, os mdulos devem estar orientados em
direo linha do equador. Nas instalaes localizadas no hemisfrio Sul, a face dos mdulos
fotovoltaicos deve estar orientada em direo ao Norte Verdadeiro, como indicado na Figura 7.6.
Porm, esta regra pode no ser vlida caso o clima local varie muito durante um dia tpico; por
exemplo, caso ocorra neblina durante a manh e a maioria da incidncia de radiao solar ocorra
tarde. Por sua vez, caso o local de instalao esteja no hemisfrio Norte, os mdulos fotovoltaicos
devem estar orientados com sua face voltada para o Sul Verdadeiro.

Figura 7.6 Orientao da face dos mdulos fotovoltaicos para o norte verdadeiro em um dado local no hemisfrio Sul
(ngulo azimutal de superfcie igual a 180).
Na maioria dos locais, a direo do Norte Verdadeiro (ou do Sul Verdadeiro) no coincide com a
do Norte Magntico (ou Sul Magntico) indicado pela bssola (instrumento tipicamente usado para
determinar a orientao dos mdulos fotovoltaicos), necessitando ser feita, ento, a correo do
referencial magntico. Para tal, usa-se a Declinao Magntica do local de instalao, a qual pode ser
obtida facilmente atravs de mapas e programas computacionais disponibilizados por vrios
organismos.
O Observatrio Nacional, instituto de pesquisa vinculado ao Ministrio da Cincia, Tecnologia e
Inovao, por exemplo, disponibiliza em sua homepage um mapa da declinao magntica sobre o
territrio brasileiro para download, alm de um software para sua determinao, bastando conhecer as
coordenadas geogrficas do local (extranet.on.br/jlkm/magdec/index.html).
366
Em nvel internacional, a NOAA
3
, rgo dos EUA, tambm disponibiliza em sua pgina na
internet os valores de declinao magntica para qualquer local do mundo
(www.ngdc.noaa.gov/geomag-web).
A Figura 7.7 ilustra a aplicao da correo do referencial magntico para um local onde a
declinao magntica igual a -20.

Figura 7.7 Exemplo de correo para uma declinao magntica local de 20 negativos
Deve-se tambm atentar para o fato de que a indicao da bssola pode sofrer grandes
desvios se ela for utilizada nas proximidades de grandes objetos metlicos ou fontes de campos
magnticos
4
.
I nclinao
Para gerao mxima de energia ao longo do ano, o ngulo de inclinao do gerador fotovoltaico
(Figura 7.8) deve ser igual latitude do local onde o sistema ser instalado. No entanto, pequenas
variaes na inclinao no resultam em grandes mudanas na energia gerada anualmente e a
inclinao do gerador fotovoltaico pode estar dentro de 10 em torno da latitude do local. Por exemplo,
um sistema usado, ao longo de todo o ano, em uma latitude de 35 pode ter um ngulo de inclinao de
25 a 45, sem uma reduo significativa no seu desempenho anual.
Para reas muito prximas ao equador, com latitudes variando entre 10 e +10, aconselha-se
uma inclinao mnima de 10, para favorecer a autolimpeza dos mdulos pela ao da gua da chuva.
Em locais com muita poeira necessrio limpar regularmente a superfcie dos mdulos, uma vez que a
sujeira reduz a captao de luz pelos mdulos, consequentemente reduzindo o seu desempenho.
Entretanto, deve-se tomar cuidado para no danificar o vidro ou qualquer outro material de cobertura
do mdulo. Recomenda-se utilizar apenas gua e um pano de tecido macio. Este procedimento deve
ser realizado no incio da manh ou ao final da tarde, aproveitando os horrios em que o gerador
fotovoltaico est frio e a sua produo no significativa.

3
National Oceanic and Atmospheric Administration.
4
Este fato pode ser percebido colocando-se um pequeno im perto da bssola, que sofrer uma alterao em sua direo.

367

Figura 7.8 ngulo de inclinao dos mdulos fotovoltaicos.
Para perodos de integrao mais curtos, o ngulo de inclinao que maximiza a gerao de
energia (instantnea ou diria, por exemplo) varia com a poca do ano e com a latitude do local onde o
sistema ser instalado. Dependendo da aplicao e das condies climticas ao longo do ano, pode-se
utilizar outras inclinaes que privilegiem a gerao em pocas especficas.
Geradores fotovoltaicos com sistemas de rastreamento do movimento aparente do sol podem ser
utilizados para melhorar ainda mais a captao da radiao solar durante o ano. Tais sistemas so
manuais ou automticos, com o seguimento parcial do sol (variao somente da inclinao ou do
ngulo azimutal) ou com o seguimento total do sol (variao da inclinao e do ngulo azimutal). Os
sistemas manuais so de simples implementao e menor custo, necessitando, no entanto, de constante
interveno humana. Os sistemas automticos apresentam melhor desempenho, mas so mais caros e
podem apresentar falhas, devido presena de peas mveis. Alm disso, normalmente precisam estar
conectados a uma fonte de energia.
7.2.4 Montagem da estrutura de suporte dos mdulos
A estrutura de suporte dos mdulos fotovoltaicos tem como funo posicion-los de maneira
estvel. Alm disso, ela deve assegurar a ventilao adequada, permitindo dissipar o calor que
normalmente produzido devido ao dos raios solares e ao processo de perdas na converso de
energia. Isto importante porque a eficincia dos mdulos diminui com a elevao da temperatura,
podendo at comprometer seu funcionamento normal. Deve ainda possibilitar o distanciamento entre
mdulos, conforme indicao do fabricante, para evitar danos mecnicos aos mesmos conforme sua
dilatao.
Em qualquer caso, o suporte uma estrutura concebida especialmente para se adaptar ao terreno
ou estrutura do prdio (sem prejudicar sua esttica), s caractersticas dos mdulos e estratgia de
368
ajuste de inclinao e orientao. Os mdulos fotovoltaicos devem ser montados sobre esta estrutura
que deve rgida e de geometria adequada para dar a orientao e o ngulo de inclinao (fixo ou
varivel) necessrios, a fim de assegurar a mxima captao da luz solar durante o perodo de
interesse, e dotar o conjunto de uma rigidez mecnica que permita suportar o peso dos mdulos e os
ventos fortes. Alm disso, a estrutura de suporte deve estar eletricamente aterrada e ser fabricada com
materiais menos suscetveis a corroso, especialmente em locais com condies ambientais agressivas.
A Figura 7.9 apresenta um exemplo de estrutura de suporte para os mdulos, sem ajuste azimutal.

Figura 7.9 Exemplo de uma estrutura de sustentao de mdulos fotovoltaicos. Fonte: Adaptado de (SOLARWORLD,
2013).
A Figura 7.10 mostra as formas usuais de instalao dos mdulos fotovoltaicos, cujas vantagens
e desvantagens so destacadas na Tabela 7.3.
Figura 7.10 Formas usuais de instalao de mdulos fotovoltaicos: (1) Solo, (2) Poste, (3) Fachada, (4) Telhado

369
Tabela 7.3 Vantagens e desvantagens das diferentes formas de instalao. Fonte: Adaptado de (PINHO et al., 2008).
Forma de
Instalao
Vantagens Desvantagens
(1) Estrutura de
sustentao no
solo
Fcil instalao.
Fcil manuteno.
Estrutura robusta.
Indicado para sistemas de qualquer
porte.
Mais propcia a situaes de
sombreamento.
Mais sujeita a acmulo da poeira e
contato de pessoas, objetos e
animais.
(2) Poste
Fcil instalao.
Menos propcia a situaes de
sombreamento.
Mais segura contra contato de
pessoas, objetos e animais.
Estrutura menos robusta.
Maior dificuldade de manuteno.
Indicada apenas para sistemas de
pequeno porte.
(3) Fachada
Menos propcia a situaes de
sombreamento.
Mais segura contra contato de
pessoas, objetos e animais.
Ajuda a reduzir a carga trmica
interna da edificao.
Instalao mais trabalhosa.
Maior dificuldade de manuteno.
Riscos associados ao trabalho em
altura.
O porte do sistema deve ser
adequado rea e
suportabilidade mecnica da
edificao.
(4) Sobre a
edificao
Menos propcia a situaes de
sombreamento.
Mais segura contra contato de
pessoas, objetos e animais.
Estrutura de suporte mais simples.
Instalao mais trabalhosa.
Maior dificuldade de manuteno.
Riscos associados ao trabalho em
altura.
O porte do sistema deve ser
adequado rea e
suportabilidade mecnica da
cobertura.
Em sistemas residenciais de pequeno porte, os mdulos fotovoltaicos so usualmente instalados
sobre o telhado quando a casa possui resistncia estrutural adequada. Quando o telhado no recebe
radiao solar suficiente ou no suporta a instalao do painel, este pode ser instalado na parte superior
de um poste, colocado ao lado da casa.
Exemplos de fixao de mdulos para SFV de pequeno porte em residncias so mostrados nas
Figuras 7.11 e 7.12. O destaque desses suportes deve-se sua simplicidade (com consequente reduo
de gastos com material), leveza, facilidade de instalao e aplicabilidade aos diversos tipos de
construes encontrados no Brasil (alvenaria, madeira, taipa etc.).
370

Figura 7.11 Sistema fotovoltaico residencial instalado em localidade isolada do Rio Grande do Sul. Fonte: (IDEAAS,
2012).

Figura 7.12 Detalhe de sistema de fixao em parede de residncia. Fonte: (IDEAAS, 2012).
Neste tipo de sistema, a fixao se d atravs de conjuntos abraadeira/batente afixados na
parede de forma a comprimi-la. Um outro fator importante que ele permite ao usurio um ajuste
semestral do posicionamento do mdulo, o que pode resultar em ganhos significativos de energia em
localidades situadas prximo linha do Equador. Para tanto, basta que o usurio gire o poste (tubo)
duas vezes durante o ano, posicionando o sistema, se no hemisfrio Sul, para o Norte Verdadeiro
durante o inverno, e para o Sul durante o vero (o inverso se aplica para SFVs instalados no hemisfrio
Norte).
A instalao de geradores fotovoltaicos no solo exige a escolha e o projeto do tipo de fundao
mais adequado. A fundao tem por objetivo manter a orientao adequada da estrutura de suporte do
gerador fotovoltaico com relao ao sol e evitar danos ao conjunto durante ventos fortes. Ao se
371
escolher a fundao mais indicada para a montagem de um gerador, deve-se considerar fatores como o
acesso ao local, condies climticas extremas, a topografia, as propriedades do solo, o cdigo de
obras local e a disponibilidade de mo de obra, dentre outros fatores. Os tipos mais comuns de
fundaes utilizadas pelos SFVs so apresentados na Figura 7.13 e descritos em seguida.

Figura 7.13 Principais tipos de fundaes utilizadas.
A fundao tipo laje requer um grande volume de concreto e um terreno relativamente plano. A
laje pode ser feita no local ou podem ser transportadas lajes pr-fabricadas at a obra. Este tipo de
fundao no adequado para aplicaes distantes, onde o custo de transporte do cimento elevado.
Tambm no adequado para terrenos muito acidentados, devido escavao que seria necessria
antes de executar a fundao.
A fundao tipo bloco mais adequada para terrenos acidentados e locais remotos, porque
relativamente leve e transportvel e pode ser pr-fabricada nos locais onde se disponha de cimento e de
equipamentos apropriados. necessria pouca escavao e os blocos podem ser posicionados com
razovel facilidade, minimizando os problemas de alinhamento. Os blocos devem ser montados com
armaduras e todas as cavidades devem ser completamente preenchidas com concreto ou argamassa.
A fundao tipo viga um meio termo entre os tipos laje e bloco. adequada para terrenos
ondulados e proporciona um fcil alinhamento entre os geradores fotovoltaicos adjacentes. A viga
pode ser executada com cimento, peas de madeira ou outros materiais que possuam o formato
adequado para as vigas.
No h nenhuma fundao que seja aplicvel a todas as situaes, uma delas geralmente ser
mais adequada a uma aplicao particular.
O peso da fundao, que depende do carregamento esperado para o gerador fotovoltaico e do
tipo de solo, deve ser determinado como parte do projeto. O carregamento do gerador inclui a fora do
vento empurrando-o ou arrancando-o dos apoios, alm do peso prprio dos mdulos. Nos locais mais
372
frios, as camadas de neve, que podem se acumular sobre o gerador, tambm devem ser consideradas.
Deve-se projetar a fundao para suportar o gerador durante a condio de pior carregamento.
A Figura 7.14 apresenta a instalao com fixao da estrutura no solo com blocos de cimento.

Figura 7.14 Fixao da estrutura no solo com fundao tipo bloco de cimento (Foto cedida pelo LSF-IEE/USP).
Em alguns casos, devido ao elevado custo de obras civis com as fundaes e aos fracos ventos
tpicos do local, pode-se optar pela instalao com fixao direta da estrutura de suporte no solo,
conforme mostra a Figura 7.15. Os pilares de suporte devem ter uma parte enterrada no solo cujo
comprimento seja adequado estabilidade da estrutura.

Figura 7.15 Fixao da estrutura diretamente no solo (Foto cedida pelo GEDAE/UFPA).
373
Em sistemas fotovoltaicos de bombeamento de gua, cuja captao seja feita de um rio, os
geradores fotovoltaicos podem ser instalados sobre uma plataforma flutuante
5
, conforme mostra a
Figura 7.16.

Figura 7.16 Geradores fotovoltaicos instalados sobre uma plataforma flutuante (Foto cedida pelo Cepel).
7.3 Instalao do Sistema de Armazenamento
7.3.1 Recomendaes sobre segurana no manuseio e instalao de baterias
As baterias, que muitas vezes compem os SFVs, merecem uma ateno especial, pois so
potencialmente perigosas quando inadequadamente manuseadas, instaladas e operadas. Correntes e
tenses elevadas e produtos qumicos perigosos so riscos potenciais. Qualquer pessoa que esteja
trabalhando com baterias deve familiarizar-se com medidas de segurana e seguir as normas e
recomendaes tcnicas. Sugere-se consultar as normas apresentadas nas Tabelas 7.1 e 7.2 e os
manuais das baterias. Algumas sugestes de segurana para o trabalho apropriado e seguro com as
baterias so apresentadas a seguir:
Remover quaisquer joias ou objetos metlicos do pescoo, mos e pulsos antes de trabalhar
com baterias.
Vestir roupas e usar equipamentos de proteo adequados ao trabalho e em bom estado de
conservao (camisa, cala, cinto de segurana, capacete, culos ou mscara, luvas, calado,
entre outros).
Sempre usar ferramentas adequadas, isoladas e secas para montar as baterias.
Utilizar equipamentos de teste e medio de grandezas eltricas (por exemplo, um
multmetro) para conferncia da montagem.

5
Esta forma de instalao tambm se faz til em sistemas fotovoltaicos isolados utilizados para eletrificao de
comunidades ribeirinhas, onde no h rea disponvel em terra para instalao durante os perodos midos.
374
No trabalhar sozinho, tendo sempre por perto algum que possa auxiliar na atividade e,
principalmente, em caso de acidentes.
Fazer as conexes eltricas respeitando sempre a polaridade e as instrues do fabricante.
No tocar os terminais das baterias sem saber o nvel de tenso, principalmente se as mesmas
fizerem parte de uma associao srie.
Desconectar as baterias de quaisquer fontes de carga ou descarga antes de trabalhar nelas.
Manter os terminais das baterias cobertos por revestimentos ou capas isolantes resistentes.
Projetar o setor das baterias com ventilao adequada e convenientemente protegido das
intempries.
Levantar as baterias apenas da forma aprovada pelo fabricante e nunca pelos seus terminais
ou ligaes.
Planejar o processo de transporte de baterias, prevendo o uso de instrumentos auxiliares para
iamento, carros de transporte ou outros equipamentos mveis.
Evitar arrastar as baterias pelo solo.
Manter fascas e chamas descobertas longe do setor das baterias.
Na preparao do eletrlito cido, nunca despejar gua no cido sulfrico - fazer sempre o
inverso, e lentamente.
Ter gua fresca e sabo facilmente acessveis e no caso do cido entrar em contato com a
pele, olhos ou roupas, lavar a rea afetada.
Ter bicarbonato de sdio facilmente acessvel, para as situaes de derramamento de cido.
7.3.2 Compartimento das baterias
As baterias devem ser instaladas em compartimentos (caixas, containers ou salas) que permitam
acesso fcil e seguro ao pessoal autorizado para trocas e manuteno, ventilao adequada, exposio
reduzida a variaes extremas de temperatura e outras condies ambientais.
Entende-se por ventilao adequada aquela natural ou artificial, considerada como suficiente
para limitar o teor de gases produzidos durante a carga das baterias, evitando o risco de exploso. A
Figura 7.17 ilustra o sistema de circulao de ar de uma sala de baterias.
375

Figura 7.17 Sistema de ventilao de uma sala de baterias. Fonte: Adaptado de (OSTERNACK et al, 2010).
Quando uma nica bateria utilizada - ou poucas unidades - pode-se acondicion-la em uma
caixa ou container apropriado, com furos para ventilao, preferencialmente localizados na sua parte
superior. As Figuras 7.18 e 7.19 mostram essa alternativa de acondicionamento, adotada pela
Companhia Energtica de Rondnia (Ceron) em alguns dos seus SFVs individuais.

Figura 7.18 Detalhe de compartimento para baterias com orifcios na parte superior para ventilao (Foto cedida pelo
LSF-IEE/USP).
Ventilao
artificial
Aletas para
circulao de ar
376

Figura 7.19 Vista de baterias no interior de uma caixa especialmente construda para seu acondicionamento (Foto cedida
pelo LSF-IEE/USP).
De acordo com o local de aplicao, a caixa de baterias tem diferentes desenhos, podendo ser
construda usando-se madeira compensada e um isolante rgido, ou outros materiais adequados, como
o polipropileno. Este invlucro, alm de obedecer as propriedades j mencionadas e garantir a
segurana do usurio, deve tambm proteger as prprias baterias contra golpes ou qualquer outra
atividade que possa danific-las, acidental ou intencionalmente, e permitir mnima corrente de fuga.
Nas Figuras 7.20 e 7.21 pode-se observar dois desenhos de abrigos de baterias utilizados pelo
Prodeem.

Figura 7.20 Abrigo de baterias bem ventilado e instalado na lateral de uma escola (Foto cedida pelo LSF-IEE/USP).
377

Figura 7.21 Abrigo de madeira devidamente ventilado e isolado e com tela para impedir a entrada de pequenos insetos e
animais (Foto cedida pelo LSF-IEE/USP).
Os compartimentos de baterias devem ser lacrados para evitar o contato casual por pessoas no
autorizadas. Tambm devem ser utilizadas telas ou gradis para evitar a entrada de insetos e outros
animais.
Com relao temperatura do local de instalao das baterias, recomendvel que a temperatura
mdia se situe entre 20 e 25
o
C. Essa faixa restrita em muitos locais no Brasil, assim no caso de
temperaturas mais elevadas, a ventilao e o sobreamento do compartimento das baterias ainda mais
relevante. Em baixas temperaturas a capacidade das baterias diminui; por outro lado, com o aumento
da temperatura, a vida til das baterias abreviada.
7.3.3 Montagem do banco de baterias
As baterias no devem ser montadas diretamente sobre o solo ou em locais midos para no
elevar a taxa de autodescarga, comprometendo sua eficincia. Deve-se garantir um bom isolamento do
solo, com as unidades instaladas em uma bancada, prateleira ou estante de madeira ou sobre material
isolante e resistente ao cido.
Uma tcnica comum a instalao sobre peas de madeira, dispostas sobre o solo ou em forma
de prateleiras. A Figura 7.22 mostra um exemplo de armrio de baterias com quatro andares e
prateleiras de madeira. O armrio normalmente confeccionado em estrutura metlica e deve ser
resistente a corroso.
378

Figura 7.22 Armrio de baterias (Foto cedida pelo GEDAE/UFPA).
A Figura 7.23 mostra um exemplo de banco de baterias do tipo OPzS instalado em prateleiras de
dois andares.

Figura 7.23 Banco de baterias em MIGDI da Celpa, na Ilha de Araras (Maraj-PA) (Foto cedida pela CELPA).
A montagem de um banco de baterias com associao em srie e paralelo deve ser efetuada
realizando-se primeiramente as ligaes em srie e em seguida as ligaes em paralelo, conforme o
exemplo da Figura 7.24. De forma a equalizar os nveis de tenso e corrente a que so submetidas as
diferentes baterias, os cabos equivalentes devem ter comprimentos iguais. recomendvel, por
motivos de segurana (evitar curto circuito), realizar o que se denomina ligao cruzada: os plos
positivo e negativo do banco de baterias devem ser conectados em extremidades opostas, como
indicado na Figura 7.24.
379

Figura 7.24 Forma de conexo de banco de baterias. Bi,j (i o nmero de unidades em srie e j em paralelo).
O ideal que no haja ligao das baterias em paralelo. Entretanto, devido capacidade limitada
das baterias (em especial de alguns tipos construtivos, como, por exemplo, a estacionria comum de
chumbo-cido) e a limitaes da tenso dos equipamentos de condicionamento de potncia, alm da
questo da maior segurana ao se trabalhar com menores tenses c.c., por vezes h necessidade do
paralelismo. O nmero mximo de baterias (ou fileiras) em paralelo deve ser limitado entre 4 e 6, de
acordo com as recomendaes dos fabricantes, e todas as baterias utilizadas devem ser rigorosamente
iguais (fabricante, modelo, capacidade e idade). Os terminais das baterias devem ser protegidos com
algum tipo de graxa anticorrosiva, de forma a evitar a sua oxidao.
Ainda em relao instalao das baterias, recomenda-se:
Verificar se as baterias esto totalmente carregadas e se o nvel do eletrlito est de acordo
com a recomendao do fabricante.
Verificar os valores de tenso de todas as baterias e anot-los em uma planilha, para posterior
comparao. Os procedimentos para verificar o estado de carga da bateria so abordados com
detalhes no Captulo 8.
Manusear as baterias e ferramentas com extremo cuidado devido ao risco de srios danos a
pessoas e equipamentos causados pela queda ou contato indevido de uma ferramenta com os
terminais de uma bateria, ou ainda pela queda da prpria bateria sobre algum membro
humano.
380
Verificar todas as conexes entre os elementos antes que a conexo final do banco de
baterias ao controlador de carga seja executada.
Posicionar as baterias o mais prximo possvel do gerador fotovoltaico, para possibilitar o
uso de cabos mais curtos, evitando perdas.
Instalar as baterias em um compartimento dedicado, diferente do compartimento dos
equipamentos eletrnicos e do gerador diesel, se houver.
No instalar dispositivos de proteo e seccionamento no compartimento das baterias que
produzem centelhamentos ao atuarem devido ao risco de exploso dos gases de hidrognio
liberados pela bateria chumbo-cida. Assim, comum se utilizar fusveis na proteo das
baterias e os seccionadores so instalados em compartimentos separados.
7.4 Instalao dos Componentes de Condicionamento de Potncia
Recomenda-se a leitura das normas apresentadas nas Tabelas 7.1. e 7.2 e dos manuais de
instalao e operao dos componentes de condicionamento de potncia antes de sua instalao.
Os controladores de carga, inversores e conversores podem ser instalados diretamente nas
paredes como exemplos da Figura 7.25.
Para facilitar a instalao, pode-se fazer a pr-montagem dos componentes de condicionamento e
das protees em painis ou em caixas especficas para este fim (Figura 7.26), que posteriormente so
presos a parede ou colocados sobre suportes na edificao.

Figura 7.25 Exemplos de controladores de carga e inversores instalados na parede da sala de controle (Fotos cedida pelo
GEDAE/UFPA).
Controladores de carga
Inversores
381

Figura 7.26 Exemplo de controladores de carga e inversor instalados dentro de uma caixa (Foto cedida pelo LSF-
IEE/USP).
Umidade e temperatura elevadas reduzem a vida til dos dispositivos eletrnicos. Por isso, os
componentes de condicionamento de potncia devem ser instalados em local seco, ventilado e
sombreado, o mais prximo possvel do gerador fotovoltaico, e que permita acesso fcil para
manuteno (exemplo na Figura 7.27). Por questes de segurana, o acesso ao local de instalao dos
componentes deve ser controlado. As caixas, quando utilizadas, devem ser lacradas, sem, no entanto,
impedir a adequada ventilao dos equipamentos, conforme indicado pelos fabricantes. Poeira e
insetos tambm so problemas comuns nos locais de instalao de SFVs, requerendo frequentemente o
uso de telas e outros cuidados especiais.

Figura 7.27 Exemplo de edificao em madeira para instalao de banco de baterias, equipamentos de condicionamento
de potncia e de proteo - MIGDI da Ilha de Araras, Par (Foto cedida pela CELPA).
Controladores de carga
Inversor
382
H regies no Brasil com altas temperaturas ambientes e alta umidade relativa do ar, e, neste
caso, deve-se cuidar para que os componentes selecionados sejam resistentes a temperaturas elevadas e
possuam baixa dissipao de calor. A especificao dos componentes deve ser bem clara, indicando
qual a umidade e temperaturas mximas de operao dos equipamentos. H inversores onde o circuito
eletrnico fica encapsulado e a troca de calor se d por parede metlica. Em outros casos, h
necessidade de se revestir o circuito eletrnico com resina para evitar prejuzos pela umidade e pela
corroso. Esse requisito deve constar na especificao, se necessrio. Alguns dispositivos esto
disponveis para aplicaes militares que satisfazem a requisitos mais severos de utilizao.
A ventilao adequada um item muito importante, especialmente nesses locais quentes.
Entretanto no se aconselha, principalmente em localidades remotas de difcil acesso, a utilizao de
ventilao forada (ventiladores), j que qualquer dispositivo com partes mveis mais suscetvel a
falhas e requer maior manuteno. Desta forma, a especificao deve prever altas temperaturas de
operao sem ventilao forada e um bom projeto para ventilao natural (ventilao cruzada, por
exemplo). No comissionamento de entrega do sistema, devem ser monitoradas as temperaturas de
operao dos equipamentos e seus desempenhos para verificar se atendem s especificaes.
Em ambientes agressivos (prximo ao mar, por exemplo), deve-se instalar os componentes
dentro de caixas resistentes a corroso e realizar a vedao total, preenchendo suas frestas com um
elastmero base de silicone, a fim de reduzir a oxidao dos dispositivos eletrnicos. Ao mesmo
tempo, deve-se garantir que a temperatura no interior da caixa permanea condizente com a
temperatura de operao dos equipamentos.
Os componentes de condicionamento de potncia no devem ser instalados no mesmo
compartimento que as baterias, pois estas podem produzir um ambiente corrosivo (lquidos e gases).
Alm disso, dispositivos eltricos e eletrnicos podem produzir centelhas que podem causar exploses
em contato com os gases desprendidos pelas baterias.
Em geral, nos SFVs a conexo dos controladores de carga d-se primeiramente com as baterias,
uma vez que a maioria dos controladores detecta automaticamente o nvel de tenso nominal. Outra
questo a se atentar a necessidade dos pontos de regulagem (set-points) de tenso - corte e
religamento da gerao e carga - serem adequados ao tipo de bateria utilizada e s especificaes de
projeto. Os controladores possuem normalmente mecanismos de ajuste destes set-points e deve-se
seguir as orientaes do fabricante para tal procedimento.
No caso dos inversores, a instalao depende basicamente das caractersticas do equipamento.
Alguns so bem simples, bastando realizar a conexo da alimentao c.c. e da carga c.a. em seus
respectivos terminais, e depois acionar uma chave liga/desliga. Outros so mais complexos,
necessitando executar uma srie de ajustes em sua configurao.
383
7.5 Instalao dos Componentes de Proteo
Em SFVs, assim como em qualquer sistema eltrico, os principais componentes utilizados para
proteger pessoas e equipamentos so as chaves, os fusveis, os disjuntores e os dispositivos de proteo
contra surtos (DPS). A Tabela 7.4 ilustra alguns modelos desses componentes, alm de descrever sua
funo geral e as recomendaes de instalao.
Algumas vezes, os projetistas de SFVs preferem substituir as chaves e fusveis por disjuntores,
que evitam o desconforto da troca de fusveis.
Os componentes de proteo dos SFVs devem ser selecionados em funo dos valores mximos
permitidos de tenso e corrente em cada trecho do circuito (NBR 5410:2004). A corrente do gerador
fotovoltaico limitada pela corrente de curto-circuito na condio de maior irradincia. No entanto,
para se especificar os componentes instalados entre o gerador e o controlador de carga ou inversor,
utiliza-se normalmente um fator multiplicativo de segurana de 1,25.
Deve-se tambm observar a adequao do componente em operar com o tipo de tenso (c.c. ou
c.a.) do local de sua instalao. Dispositivos c.a. podem, em princpio, operar adequadamente do lado
c.c., mas isso pode reduzir sua vida til.

384
Tabela 7.4 Componentes de Proteo (chaves, disjuntores, DPS e fusveis).
Exemplos de modelos
disponveis comercialmente
Funo geral Instalao

Chaves seccionadoras sob
carga
Possibilitar a interrupo do fluxo de
corrente em situaes de emergncia e
manuteno. Serve tambm de atuador para
o controle da operao do sistema.
Dependendo do modelo, pode ser operado
manualmente ou de forma automatizada.
Recomenda-se instalar dentro de uma
caixa ou armrio com fixao por
parafusos ou trilho DIN. As conexes
desses componentes com os cabos
devem ser feitas cuidadosamente e de
forma segura, utilizando ferramentas
apropriadas a fim de evitar riscos de
curto-circuito, mau contato e choques
acidentais.
Disjuntores
Proteger os cabos, equipamentos e demais
componentes, nos casos de correntes
elevadas, causadas por um curto-circuito no
sistema, sobrecarga ou falha no aterramento.

DPS
Desviar a alta corrente proveniente de um
surto (descarga atmosfrica, por exemplo)
para a terra e limitar as sobretenses
transientes.

NH

faca

Cartucho

Tipo apropriado para arranjo
fotovoltaico (gPV
6
)
Fusveis
Proteger os cabos, equipamentos e demais
componentes nos casos de correntes
elevadas causadas por um curto-circuito no
sistema, sobrecarga ou falha no aterramento.
Deve ser instalado em um porta fusveis,
sendo este adequado para o tipo de
fusvel selecionado. Recomenda-se por
sua vez que o porta fusveis seja
instalado dentro de uma caixa ou armrio
com fixao por parafusos ou trilho DIN.
Durante a instalao, o manejo dos
fusveis e as conexes eltricas devem
ser feitos cuidadosamente e de forma
segura, utilizando ferramentas
apropriadas, a fim de evitar riscos de
curto-circuito, mau contato e choque
acidentais.
Chaves e fusveis podem estar combinados em um nico mdulo, conforme mostra a Figura
7.28.

6
O fusvel gPV fabricado em conformidade com a norma IEC 60269-6 e especfico para aplicao em sistemas
fotovoltaicos.
385

Figura 7.28 Exemplo de uma chave fusvel NH disponvel comercialmente.
A proteo eltrica dos SFVs composta tambm pelo sistema de proteo contra descargas
atmosfricas (SPDA). Geradores fotovoltaicos so normalmente instalados em rea aberta, sujeita a
descargas atmosfricas diretas ou indiretas. Para instalao do SPDA, deve-se consultar a NBR
5419:2005.
Fusveis fotovoltaicos ou diodos de bloqueio, quando necessrios, devem ser inseridos no
sistema conforme descrito nos Captulos 4 e 6. Eles so normalmente instalados em caixas
intermedirias, denominadas de caixas de juno, onde so feitas interconexes entre os mdulos
fotovoltaicos.
7.6 - Aterramento
A norma ABNT NBR 5410:2004 trata do aterramento de sistemas eltricos de baixa tenso. O
aterramento a ligao intencional de estruturas ou instalaes com a terra, visando garantir o
funcionamento correto da instalao e, principalmente, proporcionar um caminho preferencial s
correntes eltricas indesejveis de surto, falta ou fuga, de forma a evitar riscos para as pessoas e os
equipamentos.
O grande desafio no dimensionamento de um sistema de aterramento encontra-se no fato de que
sua eficincia depende das caractersticas do solo e do seu grau de umidade, que pode variar entre
perodos secos e midos. O parmetro de interesse para o dimensionamento de um sistema de
aterramento denominado resistividade do solo cuja medio no simples. Em projetos de maior
escala pode ser vivel sua determinao mas em sistemas autnomos residenciais isto impraticvel,
devido aos custos envolvidos.
Em um pas de dimenses continentais como o Brasil, temos uma grande variedade de solos.
Quando no se faz a medida de resistividade do solo impossvel aferir-se a qualidade de um sistema
de aterramento. Portanto, em sistemas fotovoltaicos isolados recomenda-se que haja proteo de todas
as partes metlicas com algum material isolante, evitando-se o contato do usurio com partes que
possam ser energizadas durante um surto ou falha. Alm disso, o usurio deve ser orientado a no
tocar no sistema a menos nas situaes e partes autorizadas.
386
Em SFCRs, necessrio fazer-se o aterramento de proteo dos equipamentos (conexo da
carcaa condutora ao terra) e o aterramento funcional do sistema (conexo do circuito eltrico ao terra,
atravs do condutor neutro, no lado c.a.). O aterramento do lado c.c. depende da tecnologia de mdulo
ou de inversor utilizada. As tecnologias de filme fino devem ter uma das polaridades aterradas, j as de
silcio cristalino, em geral, ficam em flutuao; normalmente inversores sem transformadores no
podem ser aterrados. Regra geral que se deve sempre consultar o manual do equipamento para
verificar o procedimento recomendado pelo fabricante.
Por razes de segurana, importante que as caixas dos equipamentos e as estruturas metlicas
de suporte dos mdulos fotovoltaicos e das baterias estejam devidamente conectadas terra. Todo
metal exposto, que possa ser tocado, tambm deve ser aterrado. O aterramento deve ser feito de forma
a permitir a equipotencializao de todos os corpos condutores da instalao. O aterramento dos
SFCRs difere dos sistemas isolados pois o aterramento de cada unidade, individualmente,
interconectado com o aterramento das outras unidades consumidoras da concessionria, aumentando a
eficincia da malha de aterramento.
Uma grande distncia entre os equipamentos do SFV pode tornar necessria a utilizao de
sistemas de aterramento distintos. Entretanto, eles devem ser interconectados, preferencialmente por
um cabo de cobre nu enterrado, formando uma malha de terra.
As Figuras 7.29 a 7.31 apresentam, respectivamente, os diagramas unifilares tpicos de SFVs
para atendimento em c.c., atendimento em c.a. e conexo rede, destacando-se os pontos
recomendados para instalao dos componentes de proteo, bem como, quando possvel, de
monitorao e controle.
387

Figura 7.29 Pontos de instalao dos componentes de proteo, monitorao e controle de um SFV para atendimento em c.c.
388
Legenda da Figura 7.29
a - Dispositivo de seccionamento da srie de mdulos: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os
condutores positivo e negativo simultaneamente.
b - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente da srie de mdulos (fusvel fotovoltaico): deve ser adequado para
operao em c.c. Recomenda-se instalar tanto no condutor negativo quanto no positivo.
c - Diodo de bloqueio: No deve ser utilizado como dispositivo de proteo contra sobrecorrente.
d - Barramento de paralelismo entre sries de mdulos.
e - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do G-1: deve ser adequado para operao em c.c. Recomenda-se instalar
tanto no condutor negativo quanto no positivo.
f - Dispositivo de seccionamento do G-1: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os condutores
positivo e negativo simultaneamente. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de proteo e seccionamento.
e* - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do G-n: deve ser adequado para operao em c.c. Recomenda-se instalar
tanto no condutor negativo quanto no positivo.
f* - Dispositivo de seccionamento do G-n: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os condutores
positivo e negativo simultaneamente. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de proteo e seccionamento.
g - Barramento de paralelismo entre G-1 e G-n.
h - Dispositivo de seccionamento do banco de baterias: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os
condutores positivo e negativo simultaneamente.
i - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do banco de baterias: deve ser adequado para operao em c.c.
Recomenda-se instalar tanto no condutor negativo quanto no positivo.
j DPS: deve ser adequado para operao em c.c., classe 2. Caso a distncia do gerador ao inversor seja superior a 10 m,
ento devem ser instalados DPSs nas duas extremidades, prximo ao inversor e na caixa de juno do painel fotovoltaico.
No instalar o DPS no condutor com aterramento funcional.
k - Dispositivo de seccionamento do gerador fotovoltaico: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper
os condutores positivo e negativo simultaneamente.
l - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do gerador fotovoltaico: deve ser adequado para operao em c.c.
Recomenda-se instalar tanto no condutor negativo quanto no positivo. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de
proteo e seccionamento.
A1 - Conexo da estrutura metlica (moldura dos mdulos e suporte do gerador fotovoltaico) equipotencializao.
A2 - Conexo da carcaa metlica do(s) controlador(es) de carga equipotencializao.
A3 - Conexo do suporte metlico do banco de baterias equipotencializao.
AF - Aterramento funcional.
G-1 - Gerador fotovoltaico 1.
G-n - Gerador fotovoltaico n.
M - Ponto de monitorao.
C - Ponto de controle.
SPDA Sistema de proteo contra descarga atmosfrica.

389

Figura 7.30 Pontos de instalao dos componentes de proteo, monitorao e controle de um SFV para atendimento em c.a.

390
Legenda da Figura 7.30
a - Dispositivo de seccionamento da srie de mdulos: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os
condutores positivo e negativo simultaneamente.
b - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente da srie de mdulos (fusvel fotovoltaico): deve ser adequado para
operao em c.c. Recomenda-se instalar tanto no condutor negativo quanto no positivo.
c - Diodo de bloqueio: No deve ser utilizado como dispositivo de proteo contra sobrecorrente.
d - Barramento de paralelismo entre sries de mdulos.
e - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do G-1: deve ser adequado para operao em c.c. Recomenda-se instalar
tanto no condutor negativo quanto no positivo.
f - Dispositivo de seccionamento do G-1: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os condutores
positivo e negativo simultaneamente. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de proteo e seccionamento.
e* - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do G-n: deve ser adequado para operao em c.c. Recomenda-se instalar
tanto no condutor negativo quanto no positivo.
f* - Dispositivo de seccionamento do G-n: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os condutores
positivo e negativo simultaneamente. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de proteo e seccionamento.
g - Barramento de paralelismo entre G-1 e G-n.
h - Dispositivo de seccionamento do banco de baterias: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os
condutores positivo e negativo simultaneamente.
i - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do banco de baterias: deve ser adequado para operao em c.c.
Recomenda-se instalar tanto no condutor negativo quanto no positivo. De preferncia devem ser utilizados fusveis, o mais
prximo possvel das baterias.
j - Dispositivo de seccionamento do gerador fotovoltaico: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper
os condutores positivo e negativo simultaneamente.
k - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do gerador fotovoltaico: deve ser adequado para operao em c.c.
Recomenda-se instalar tanto no condutor negativo quanto no positivo. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de
proteo e seccionamento.
l - DPS do lado c.c.: deve ser adequado para operao em c.c., classe 2, e instalado o mais prximo possvel dos terminais
positivo e negativo do inversor. Caso a distncia do gerador ao inversor seja superior a 10 m, ento devem ser instalados
DPSs nas duas extremidades, prximo ao inversor e na caixa de juno do painel fotovoltaico. No instalar o DPS no
condutor com aterramento funcional.
m - DPS do lado c.a.: deve ser adequado para operao em c.a., classe 1+2, e instalado o mais prximo possvel dos
terminais do inversor. Pode tambm ser necessrio instalar DPSs nas duas extremidades do cabeamento de sada do
inversor at o medidor, caso as distncias sejam grandes. No instalar o DPS no condutor com aterramento funcional.
n - dispositivo de seccionamento do lado em corrente alternada: deve ser adequado para operao em c.a. e capaz de
interromper todos os condutores de sada do inversor, menos o condutor neutro.
o - dispositivo de proteo contra sobrecorrente do lado em corrente alternada: deve ser adequado para operao em c.a.
Um disjuntor c.a. atende aos dois requisitos de proteo e seccionamento.
A1 - Conexo da estrutura metlica (moldura dos mdulos e suporte do gerador fotovoltaico) equipotencializao.
A2 - Conexo da carcaa metlica do(s) controlador(es) de carga equipotencializao.
A3 - Conexo do suporte metlico do banco de baterias equipotencializao.
A4 - Conexo da carcaa metlica do inversor de tenso equipotencializao.
AF - Aterramento funcional.
G-1 - Gerador fotovoltaico 1.
G-n - Gerador fotovoltaico n.
M - Ponto de monitorao.
C - Ponto de controle.
SPDA Sistema de proteo contra descarga atmosfrica.
391

Figura 7.31 Pontos de instalao dos componentes de proteo, monitorao e controle de um SFCR.

392
Legenda da Figura 7.31
a - Dispositivo de seccionamento da srie de mdulos: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os
condutores positivo e negativo simultaneamente.
b - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente da srie de mdulos (fusvel fotovoltaico): deve ser adequado para
operao em c.c. Recomenda-se instalar tanto no condutor negativo quanto no positivo.
c - Diodo de bloqueio: No deve ser utilizado como dispositivo de proteo contra sobrecorrente.
d - Barramento de paralelismo entre sries de mdulos.
e - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do G-1: deve ser adequado para operao em c.c. Recomenda-se instalar
tanto no condutor negativo quanto no positivo.
f - Dispositivo de seccionamento do G-1: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os condutores
positivo e negativo simultaneamente. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de proteo e seccionamento.
e* - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do G-n: deve ser adequado para operao em c.c. Recomenda-se instalar
tanto no condutor negativo quanto no positivo.
f* - Dispositivo de seccionamento do G-n: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper os condutores
positivo e negativo simultaneamente. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de proteo e seccionamento.
g - Barramento de paralelismo entre G-1 e G-n.
h - Dispositivo de seccionamento do gerador fotovoltaico: deve ser adequado para operao em c.c. e capaz de interromper
os condutores positivo e negativo simultaneamente.
i - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do gerador fotovoltaico: deve ser adequado para operao em c.c.
Recomenda-se instalar tanto no condutor negativo quanto no positivo. Um disjuntor c.c. atende aos dois requisitos de
proteo e seccionamento.
j - DPS do lado c.c.: deve ser adequado para operao em c.c., classe2, e instalado o mais prximo possvel dos terminais
positivo e negativo do inversor. Caso a distncia do gerador ao inversor seja superior a 10 m, ento devem ser instalados
DPSs nas duas extremidades, prximo ao inversor e na caixa de juno do painel fotovoltaico. No instalar o DPS no
condutor com aterramento funcional.
k - DPS do lado c.a.: deve ser adequado para operao em c.a., classe 1+2, e instalado o mais prximo possvel dos
terminais do inversor. Pode tambm ser necessrio instalar DPSs nas duas extremidades do cabeamento de sada do
inversor at o medidor, caso as distncias sejam grandes. No instalar o DPS no condutor com aterramento funcional.
l - Dispositivo de seccionamento do lado em corrente alternada: deve ser adequado para operao em c.a. e capaz de
interromper todos os condutores de sada do inversor, menos o condutor do neutro.
m - Dispositivo de proteo contra sobrecorrente do lado em corrente alternada: deve ser adequado para operao em c.a.
Um disjuntor c.a. atende aos dois requisitos de proteo e seccionamento.
n - Dispositivo de seccionamento visvel: dispositivo de seccionamento para desconexo do sistema de gerao da rede de
distribuio, exclusivo para atuao pela distribuidora de energia.
o - Barramento da rede eltrica de distribuio.
A1 - Conexo da estrutura metlica (moldura dos mdulos e suporte do gerador fotovoltaico) equipotencializao.
A2 - Conexo da carcaa metlica do inversor de tenso equipotencializao.
A3 - Conexo da carcaa metlica das cargas eltricas locais equipotencializao.
AF - Aterramento funcional.
G-1 - Gerador fotovoltaico 1.
G-n - Gerador fotovoltaico n.
M - Ponto de monitorao.
C - Ponto de controle.
SPDA Sistema de proteo contra descarga atmosfrica.


393
7.7 Instalao dos Componentes de Superviso e Controle, e Aquisio e Armazenamento de
Dados
Conforme mencionado no Captulo 4, recomendvel manter a instalao do SFV monitorada e
sob controle, a fim de garantir seu funcionamento correto, confivel e eficiente. Especialmente em
sistemas de maior porte, conveniente instalar sensores e atuadores eletrnicos em pontos estratgicos
do sistema (Figuras 7.29 a 7.31), coordenados por uma unidade de gerenciamento capaz de
disponibilizar in loco e/ou remotamente informaes em tempo real da operao do sistema ao
usurio/operador.
Os sensores servem para medir as grandezas eltricas (tenso e corrente, tanto no lado c.c.
quanto no c.a.) e outras grandezas, tais como a temperatura dos mdulos fotovoltaicos e/ou das
baterias e a irradincia. Os atuadores eletrnicos trabalham em conjunto com os equipamentos de
medio e proteo e mudam o estado de operao do sistema de acordo com a necessidade.
A instalao dos sensores, atuadores e equipamentos da unidade de gerenciamento deve seguir
os respectivos manuais dos fabricantes. Com relao unidade de gerenciamento, seus equipamentos e
acessrios, recomenda-se abrig-los em caixa apropriada, sendo esta alocada prximo dos pontos de
monitorao e/ou controle. Por medida de segurana, recomenda-se ainda fixar etiquetas em todos os
componentes de proteo e controle, de modo a permitir sua identificao fcil e rpida por parte do
usurio.
O monitoramento requer uma estratgia de anlise de dados. A avaliao dos dados pode ser
realizada visualmente on-line ou por programa computacional que trata e calcula os dados de acordo
com as grandezas a serem avaliadas. Quanto maior a complexidade do monitoramento e do controle e
a possibilidade dos dados de forma remota, maior o custo do sistema. Dessa forma a escolha do tipo de
sistema de monitoramento e controle depende da sua necessidade, analisando-se criteriosamente o que
realmente precisa ser monitorado, e da relao custo-benefcio.
7.8 Instalao de Outros Componentes, Cabos, Conexes e Acessrios
No que se refere instalao dos medidores de energia dos SFCRs, estes devem ser abrigados e
instalados em caixas apropriadas para tal fim, conforme recomendado pelas concessionrias em suas
normas tcnicas especficas para a conexo de gerao prpria rede de baixa tenso. Junto caixa de
medio dos sistemas fotovoltaicos encontra-se ainda o dispositivo de seccionamento visvel (DSV),
que deve ficar disponvel para a concessionria e ser acionado em situaes de manuteno na rede
eltrica.
Em sistemas fotovoltaicos de bombeamento de gua, as motobombas, como qualquer carga
eltrica, devem ser instaladas seguindo-se as recomendaes do fabricante. Com relao aos cabos de
394
conexo e sustentao da motobomba, os mesmos devem ser protegidos contra potencial atrito com as
paredes do poo. Para instalao do reservatrio de gua, recomenda-se o aproveitamento do prprio
relevo local, se possvel, para elevao do reservatrio; a utilizao de uma estrutura de sustentao
resistente s intempries; e a instalao de pontos de conexo do sistema hidrulico (registros, unies e
demais conexes hidrulicas) em lugares de fcil acesso para operao e manuteno do sistema.
Deve-se cuidar para minimizar o comprimento de cabos e dutos e da altura manomtrica do sistema
evitando perdas eltricas e hidrulicas.
Todos os componentes de um SFV (mdulos, baterias, controladores de carga, inversores, cargas
etc.) devem ser interconectados por meio de condutores eltricos de bitola e tipo adequados. O
dimensionamento dos cabos apresentado no Captulo 6. A bitola dos condutores depende
principalmente do circuito onde os mesmos so instalados. Seu comprimento depende do
posicionamento dos vrios elementos do sistema, desde que no sejam excedidos os limites permitidos
para a queda de tenso. O tipo de cabo, incluindo seu isolamento, depende do ambiente (temperatura,
umidade, radiao ultravioleta etc.) a que est submetido e do tipo de instalao (area, subterrnea,
em condutos etc.) em que ser utilizado.
Deve-se utilizar os cabos eltricos de bitola e qualidade recomendadas pelo projetista, ou
indicadas nos catlogos tcnicos dos equipamentos fornecidos pelos fabricantes, respeitando as
polaridades positiva e negativa das caixas de conexo.
Os condutores utilizados nos SFVs devem ser fabricados de acordo com as normas nacionais
correspondentes. Recomenda-se que a seo do condutor seja tal que a queda mxima de tenso entre
o gerador fotovoltaico e as cargas no exceda 5 % da tenso nominal do sistema, ou 3 % em qualquer
circuito derivado. Ateno especial deve ser dada ao trecho controlador-bateria(s), quando presente,
onde a perda no deve exceder 1 %. Para a conexo do gerador fotovoltaico ao controlador de carga
deve-se usar condutores com capacidade para suportar pelo menos 125 % da corrente nominal de
curto-circuito do gerador.
Em toda a instalao, os condutores utilizados devem ter as polaridades positiva e negativa
claramente identificadas, assim como o cabo de aterramento e de fases e neutro. Deve-se respeitar a
conveno de cores dos revestimentos do cabo bipolar, ou seja, vermelha para o condutor positivo,
preta para o condutor negativo e verde para o cabo terra. Cuidado especial deve ser observado durante
a operao de desencapar as extremidades do cabo bipolar de uso externo (duplo isolamento) para no
comprometer o isolamento entre os dois condutores, possibilitando a ocorrncia de um curto-circuito.
Os cabos sujeitos a intempries e diretamente expostos luz solar, devem ter revestimento
plstico resistente radiao ultravioleta, para que no tenham que ser substitudos com frequncia.
395
Usualmente, a instalao dos SFVs tambm requer terminais, fita isolante, eletrodutos,
parafusos, conectores para terminais de bateria (bornes), abraadeiras, buchas de fixao, pregos etc.,
para fixar os diversos elementos do sistema suas bases e suportes, e para efetuar as conexes
eltricas. Esses acessrios devem ser adequados ao tipo de material usado para as instalaes. Deve-se
evitar a utilizao de estruturas, caixas e parafusos metlicos que apresentem facilidade de corroso.
No se deve emendar ou soldar condutores de diferentes materiais para evitar pontos de corroso por
diferena de potencial eletroqumico. Quando houver necessidade, deve-se utilizar conectores
apropriados para conexo de metais diferentes. A pr-instalao de fundamental importncia para
que se verifique se todos os itens foram previstos, especialmente nas situaes de instalao de
sistemas em reas remotas.
As tcnicas e procedimentos usados para fixao dos condutores so as habituais de uma
instalao eltrica convencional, lembrando-se de um detalhe importante: trabalha-se com corrente
contnua, podendo-se ter elevados nveis de tenso (sada do arranjo FV) e corrente (circuito de
armazenamento e barramento c.c.).
Deve-se utilizar sempre conectores e terminais apropriados para ligar os condutores aos
equipamentos e dispositivos eltricos. Nunca utilizar bitolas menores que as indicadas pelos
fabricantes dos equipamentos. Todas as conexes e terminais devem ser bem apertados, para evitar
perdas desnecessrias e sobreaquecimento, provocado por mau contato eltrico e possvel curto-
circuito.
Em muitos casos, indicado o uso de vaselina ou graxas especiais para proteo das conexes,
principalmente nas baterias, cujos terminais costumam apresentar corroso acentuada. Para isolar
unies em clima quente e mido no se deve utilizar fita isolante, pois a cola da fita sofre degradao
acentuada quando exposta a este tipo de clima. Fitas de autofuso so mais eficientes.
Os terminais para conexo com os outros elementos do sistema devem estar claramente
identificados, segundo o circuito a que correspondam.
7.9 Comissionamento de Sistemas Fotovoltaicos
O comissionamento do sistema consiste em verificar se o sistema foi corretamente instalado,
atende s especificaes de projeto e s normas cabveis e est apto para funcionar com segurana. O
comissionamento um marco importante onde ocorre a transferncia de responsabilidade da obra do
instalador ao proprietrio/operador do sistema, embora possa indicar pendncias que o instalador deve
cumprir em determinado prazo.
Para o comissionamento, necessrio que um profissional (ou equipe) especializado realize em
todo o SFV um conjunto de atividades envolvendo inspees e testes operacionais com instrumentos
396
apropriados. As inspees devem ser feitas logo aps as instalaes e antes da operacionalizao do
SFV. O local deve ter seu acesso limitado e os trabalhadores devem usar equipamento adequado de
proteo individual.
O comissionamento normalmente efetuado pelo instalador, por isso recomendvel que um
agente fiscalizador do contratante acompanhe os procedimentos. Deve ser elaborado um relatrio com
os procedimentos de comissionamento, de acordo com as recomendaes dos fabricantes dos
equipamentos e com as normas cabveis. As Tabelas 7.1 e 7.2 apresentam normas que podem ser
consultadas para a elaborao dos procedimentos. Esse relatrio deve ser entregue com antecedncia
ao contratante/fiscalizador para anlise antes da data de incio do comissionamento. recomedvel
que haja formulrios de check list para os procedimentos de comissionamento e que sejam definidas
quais as tolerncias aceitveis.
Os requisitos para o comissionamento variam de acordo com a complexidade do sistema,
entretanto algumas condies bsicas podem ser aplicadas maioria das situaes. Devem ser
observados, no mnimo, os seguintes pontos durante o comissionamento:
Inspeo visual (Todos os dispositivos de seccionamento devem permanecer abertos durante a
verificao).
A qualidade e a quantidade de todos os equipamentos e componentes.
A presena, a adequao e a localizao dos componentes de seccionamento, proteo e
controle.
A presena do aterramento eltrico e do SPDA.
A presena e a adequao dos cabos eltricos e conexes. Identificao das conexes.
A presena de placas de advertncia de choque eltrico e restrio de acesso aos ambientes
de instalao dos equipamentos.
A presena da etiqueta de identificao dos componentes de proteo e controle.
As formas de acondicionamento dos equipamentos e componentes quanto s condies
ambientais (vento, temperatura, umidade etc.).
Montagem adequada e com segurana do painel fotovoltaico e da estrutura de suporte. A
orientao e a inclinao do gerador fotovoltaico previstas no projeto. Mdulos e estruturas
sem danos aparentes.
Montagem adequada e com segurana do banco de baterias, da estrutura de suporte e
bandejas para reteno de cido (volume e material adequados). Invlucro em perfeito estado
e sem vazamentos. Equipamentos de manuteno e proteo para manuseio previstos no
projeto.
397
No caso de baterias com invlucros transparentes, o nvel de eletrlito nos limites indicados e
o mesmo nvel em todos os elementos. As placas das baterias ntegras, presas e conectadas
eletricamente. No pode haver depsito no fundo do vaso alm do esperado. Densidade do
eletrlito dentro das especificaes.
No caso de montagens sobre telhados, se a estrutura est adequada para o peso e se a
cobertura no foi danificada e no apresenta locais de vazamento.
A presena e montagem dos equipamentos de monitoramento, medio e controle.
Itens de segurana conforme normas, como, por exemplo, acessibilidade aos locais e
protees contra choque.
Limpeza e organizao do local da instalao.
A documentao completa do sistema:
Informaes bsicas: capacidade do sistema, localizao, datas de instalao e
comissionamento, caractersticas e capacidades dos equipamentos principais.
Informaes do projetista, responsvel tcnico e proprietrio do sistema.
Diagrama unifilar do sistema.
Projeto executivo as built.
Especificaes e catlogos dos equipamentos de gerao (inclusive caractersticas do
arranjo e sries), condicionamento de potncia, armazenamento, protees,
seccionamento, aterramento, monitoramento, controle e medio. Lista de
sobressalentes.
Relatrios de flash test dos mdulos.
Manuais de manuteno e operao dos equipamentos principais, de preferncia em
lngua portuguesa. Incluindo: plano de manuteno e procedimentos de desligamento
emergencial.
Garantias dos equipamentos, com informao do incio e perodo de cobertura, contatos
dos fornecedores e representantes.
Informaes sobre os projetos estruturais do sistema.
Para sistemas com potncia instalada superior a 75 kW, deve ser fornecido ainda o
pronturio de instalaes eltricas, de acordo com a NR10.
Principais testes operacionais (Os testes operacionais, mecnicos e eltricos, tm como objetivo
garantir que o SFV est apto para entrar em operao com segurana. Os dispositivos de
seccionamento so fechados um a um conforme a medio desejada.)
Teste mecnico das conexes eltricas (aterramento, SPDA, circuitos c.c. e c.a.) - consiste
em aplicar uma determinada fora controlada aos condutores de modo a tentar desfazer a
conexo. Caso o condutor se solte ou a conexo d sinais de folga, ela deve ser refeita.
398
Teste de continuidade dos circuitos de aterramento e equipotencializao consiste em
atestar a continuidade em toda a extenso dos circuitos. Caso ocorra descontinuidade em
algum trecho, o problema deve ser corrigido.
Confirmao de polaridade consiste em confirmar a polaridade do gerador fotovoltaico e
verificar se a mesma est sendo respeitada nas conexes com os demais componentes do lado
c.c.
Medio da curva I x V do gerador fotovoltaico cada srie FV deve ser testada com o
traador porttil de curva I-V, medida preferencialmente com irradiao superior a 800
W/m2 no plano do painel. Os valores obtidos devem ser iguais, com uma tolerncia de 5%,
aos do flash report dos mdulos e entre sries, se estas forem formadas por mdulos
idnticos. Em sistemas de pequeno porte (centenas de Wp), admite-se uma avaliao
simplificada, feita pelas medidas de Isc e de Voc do painel, e/ou dos mdulos individuais.
Teste de resistncia de isolamento do gerador fotovoltaico consiste em medir a resistncia
de isolamento entre os condutores positivo e negativo do gerador fotovoltaico e a carcaa
metlica dos mdulos. Os valores mnimo de resistncia de isolamento (em M) so: 0,5
(tenso de teste de 250 V para uma tenso 1,25 x Voc < 120 V; 1,0 (tenso de teste de 500 V
para uma tenso 1,25 x Voc entre 120 e 500 V; e 1,0 (tenso de teste de 1.000 V para uma
tenso 1,25 x Voc entre > 500 V).
Deteco de pontos quentes nos mdulos consiste em verificar com uma cmera
termogrfica se h regies do mdulo em operao com temperatura muito superior ao
restante do mdulo). Se isto for verificado, e no houver sombreamento, o mdulo deve ser
susbtitudo.
Confirmao do condutor neutro - consiste em identificar o condutor neutro e verificar se sua
conexo est correspondendo com os demais componentes do lado c.a. No caso de neutro
aterrado, deve se verificar esta condio.
Confirmao de parmetros eltricos do inversor consiste em verificar se a tenso e a
frequncia de operao do inversor esto apropriadas s cargas ou rede eltrica.
Confirmao de parmetros eltricos do controlador consiste em verificar se a tenses e as
correntes de operao do controlador esto apropriadas.
Teste de funcionamento consiste no fechamento das chaves, no sentido da gerao ao
consumo, e na observao da operao adequada do sistema, a qual pode ser feita atravs da
verificao do status do controlador de carga, inversor e dispositivos de proteo, e das
medies de valores de tenso e corrente (lados c.c. e c.a.) esperados. O teste de
funcionamento s deve ser feito aps sanado algum problema identificado nos testes
anteriores. Os testes de funcionamento tambm devem incluir a verificao do desempenho
399
do sistema de monitoramento, medio e controle. As etapas do teste de funcionamento
podem ser mais complexas em funo do tamanho e da quantidade de equipamentos e fontes
do sistema e deve ser previamente detalhada nos procedimentos de comissionamento.
Confirmao de que as temperaturas de operao do controlador, inversor e baterias esto
dentro da faixa aceitvel e especificada no projeto. Se no estiverem, deve-se melhorar a
ventilao dos mesmos, sem prejudicar seu IP ou a proteo contra intempries e
objetos/animais indesejados.
Testes de qualidade de energia consiste em medir a distoro harmnica de corrente (total e
individual), a injeo de componente contnua e o fator de potncia, os quais devem anteder
os padres exigidos.
Caracterizao de produo de energia consiste em medir e verificar se a produo de
energia do sistema est como esperado. Essa verificao ocorre principalmente quando h
contratos com garantias de disponibilidade mnima de energia, normalmente para sistemas
conectados rede. So necessrias medio da energia gerada e medio de irradincia, de
temperatura do mdulo e da potncia nominal do gerador FV, para o clculo da energia
esperada. A energia gerada deve estar dentro de uma tolerncia em relao energia
esperada para aceitao do sistema. O nmero de dias necessrios para essa verificao deve
ser acordado entre contratado e contratante. Essa verificao pode se estender alm do
perodo de comissionamento.
Aps a concluso do comissionamento, deve ser apresentado o relatrio de comissionamento
com pelo menos as seguintes informaes:
Perodo do comissionamento e data do relatrio;
Participantes e suas assinaturas, principalmente do responsvel tcnico pelo
comissionamento;
Todos os procedimentos e resultados de comissionamento;
Listas de problemas encontrados e procedimentos realizados para san-los;
Lista de pendncias;
Estimativa de possveis problemas futuros percebidos pelas inspees do comissionamento.
Aps a emisso do relatrio do comissionamento, em havendo pendncias, deve-se acordar entre
contratante e contratada uma data para regularizao do sistema.
7.10 Referncias
ABNT NBR 15389:2006 - Bateria chumbo-cida estacionria regulada por vlvula -
Instalao e montagem. Associao Brasileira de Normas Tcnicas.
400
ABNT NBR 16149:2013 - Sistemas fotovoltaicos (FV) - Caractersticas da interface de
conexo com a rede eltrica de distribuio. Associao Brasileira de Normas Tcnicas.
ABNT NBR 16150:2013 - Sistemas fotovoltaicos (FV) - Caractersticas da interface de
conexo com a rede eltrica de distribuio - Procedimento de ensaio de conformidade.
Associao Brasileira de Normas Tcnicas.
ABNT NBR 5410:2004 - Instalaes eltricas de baixa tenso. Associao Brasileira de
Normas Tcnicas.
ABNT NBR 5419:2005 - Proteo de estruturas contra descargas atmosfricas. Associao
Brasileira de Normas Tcnicas.
ABNT NBR IEC 62116:2012 - Procedimento de ensaio de anti-ilhamento para inversores de
sistemas fotovoltaicos conectados rede Eltrica. Associao Brasileira de Normas Tcnicas.
ANEEL - Agncia Nacional de Energia Eltrica. Procedimentos de Distribuio de Energia
Eltrica no Sistema Eltrico Nacional (PRODIST) - Mdulo 3, Acesso ao Sistema de
Distribuio. 2012.
CERON Prego 043/2012 - Projeto Bsico do Parintins Anexo_I do Termo de Referncia
PE_043_2012. (Projeto bsico para licitao de sistemas fotovoltaicos conectados a rede na cidade de
Parintins, AM. Projeto P&D de Smart Grid em Parintins das Distribuidoras da Eletrobras.) Consultado em
junho de 2013, em http://www.eletrobrasrondonia.com/www/cfms_licit/cons_edt.cfm?tipo=Preg%C3%A3o.
DUNLOP, J. (National Joint Apprenticeship and Training Committee for the Electrical
Industry). Photovoltaic Systems. 1a ed. USA: American Technical Publishers, Inc., 2007. 452 p.
Florida Solar Energy Center. Photovoltaic system design - Course manual. FSEC-GP-31-86,
1991.
Grupo de Estudos e Desenvolvimento de Alternativas Energticas (Gedae) - Universidade
Federal do Par (UFPA). Site: http://www.ufpa.br/gedae.
Grupo FAE/DEN - Universidade Federal de Pernambuco (UFPE). Curso para instaladores de
pequenos sistemas fotovoltaicos autnomos. Apostila, 1993.
IDEAAS - Instituto para o Desenvolvimento de Energias Alternativas e da Auto
Sustentabilidade. Disponvel em: <http://www.ideaas.org>. Acesso em: 11 nov. 2012.
IEC 60364-7-712:2002 - Requirements for special installations or locations - Solar
photovoltaic (PV) power supply systems. International Eletrotechnical Commission.
IEC 62109-2:2011 - Safety of power converters for use in photovoltaic power systems - Part
2: Particular requirements for inverters. International Eletrotechnical Commission.
401
IEC 62446:2009 - Grid connected photovoltaic systems - Minimum requirements for system
documentation, commissioning tests and inspection. International Eletrotechnical Commission.
IEC TS 62257-5:2005 - Recommendations for small renewable energy and hybrid systems
for rural electrification Part 5: Protection against electrical hazards. International
Eletrotechnical Commission.
IEC TS 62257-7-1:2010-12 - Recommendations for small renewable energy and hybrid
systems for rural electrification Part 7-1: Generators - photovoltaic arrays. International
Eletrotechnical Commission.
IEEE 937-2007 - Recommended practice for installation and maintenance of lead-acid
batteries for photovoltaic (PV) systems. Institute of Electrical and Electronics Engineers.
Informao Tcnica DTE/DTP-01/12 - Procedimentos para a conexo de acessantes ao
sistema de distribuio da light SESA Conexo em baixa tenso. Verso: 13 de dezembro de
2012.
Laboratrio de Sistemas Fotovoltaicos (LSF) - Instituto de Eletrotcnica e Energia (IEE) -
Universidade de So Paulo (USP). Site http://lsf.iee.usp.br/lsf/.
Ministrio da Cincia, Tecnologia e Inovao. Observatrio Nacional. Disponvel em:
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MORALES, L. R. V. A Utilizao de sistemas fotovoltaicos de bombeamento para irrigao
em pequenas propriedades rurais. So Paulo, Brasil: Dissertao de mestrado, Universidade de So
Paulo, 2011.
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Acessantes ao Sistema de Distribuio Cemig - Conexo em Baixa Tenso. Verso: 30 de
novembro de 2012.
Norma Regulamentadora NR-10 - Segurana em instalaes e servios em eletricidade.
Ministrio do Trabalho e Emprego.
Norma Regulamentadora NR-35 - Trabalho em altura. Ministrio do Trabalho e Emprego.
OSTERNACK, D.; SPERANDIO, C. A.; TEIXEIRA, F. D.; CATAI, R. E.; MATOSKI, A.
Estudo de caso de ventilao natural e artificial em uma sala de baterias do tipo chumbo-cidas.
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Photovoltaic Design Assistance Center, Architectural Energy Corporation. Maintenance and
operation of stand-alone photovoltaic systems. Sandia National Laboratories, 1991.
402
PINHO, J. T.; BARBOSA, C. F. O.; PEREIRA, E. J. S.; SOUZA, H. M. S.; BLASQUES, L. C.
M.; GALHARDO, M. A. B.; MACDO, W. N. Sistemas hbridos - Solues energticas para a
Amaznia. 1. ed. Braslia, Brasil: Ministrio de Minas e Energia, 2008. 396 p.
PROGRAMA ALTENER. Energia Fotovoltaica manual sobre tecnologias, projecto e
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Sandia National Laboratories, Photovoltaic Design Assistence Center. Stand-alone photovoltaic
systems - A handbook of recommended design practices. 1991.
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Training manual. Edition 4.0, 1990.
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Acesso em: 23 fev. 2013.

403
CAPTULO 8
OPERAO E MANUTENO
404
CAPTULO 8 OPERAO E MANUTENO
Todo sistema fotovoltaico (SFV) deve passar por inspeo e manuteno regularmente, de forma
a garantir uma operao eficiente e impedira ocorrncia de problemas futuros. Para isso, recomenda-se
elaborar e seguir um plano de operao e manuteno, baseando-se nas recomendaes feitas pelos
fabricantes dos equipamentos utilizados no sistema e nas normas pertinentes segurana e utilizao
dos equipamentos envolvidos na instalao fotovoltaica.
A manuteno a ser realizada em SFVs, especialmente nos de pequeno porte, relativamente
rpida e simples. Nos SFIs individuais de pequeno porte, alguns procedimentos para uma boa
manuteno preventiva podem ser realizados pelo prprio usurio do sistema. Contudo, no caso de
sistemas instalados pela distribuidora, como os sistemas tipo SIGFI, recomenda-se que o usurio no
interfira no sistema.
Os procedimentos de manuteno corretiva exigem conhecimentos mais profundos acerca dos
componentes do sistema e geralmente necessitam de peas de reposio, por isso, devem ser realizados
por pessoas capacitadas.
A seguir so apresentadas recomendaes de segurana pessoal e procedimentos de operao,
manuteno e inspeo para os vrios componentes de um SFV, com maior nfase em SFIs de
pequeno porte. Um guia para auxiliar na identificao e soluo dos problemas mais comuns
fornecido neste captulo.
8.1Recomendaes sobre Segurana
Apesar das baixas tenses tipicamente geradas pelos mdulos fotovoltaicos e baterias, em SFIs
de pequeno porte, ambos podem fornecer nveis letais de corrente eltrica. Alm disso, a associao
desses componentes pode tornar ainda mais perigosa a manipulao dos SFVs. Em SFCRs com
potncias de unidades de kWp j so comuns tenses nominais de centenas de volts em c.c., sendo que
em SFIs dotados de controladores de carga com SPPM, isto tambm pode se verificar.
Dessa forma, tanto os procedimentos de instalao como de manuteno devem ser realizados
por pessoal habilitado e treinado conforme a Norma NR-10
1
e em curso de primeiros socorros. No
caso de instalao de painis fotovoltaicos sobre telhados, trata-se de trabalho em altura, de forma que

1
No Brasil, as Normas Regulamentadoras, tambm conhecidas como NRs, regulamentam e fornecem orientaes sobre
procedimentos obrigatrios relacionados segurana e medicina do trabalho. Essas normas so citadas na Consolidao das
Leis do Trabalho (CLT) e so de observncia obrigatria por todas as empresas brasileiras regidas pela CLT.
Periodicamente so revisadas pelo Ministrio do Trabalho e Emprego (MTE). A NR-10 estabelece os requisitos e
condies mnimas exigidas para garantir a segurana e sade dos trabalhadores que interagem com instalaes eltricas,
em suas etapas de projeto, construo, montagem, operao e manuteno, bem como de quaisquer trabalhos realizados em
suas proximidades.
405
o conhecimento dos procedimentos da NR-35
2
tambm se faz necessrio. O conhecimento do
trabalhador deve incluir o uso e inspeo de equipamentos de proteo individual (EPI), bem como o
uso de ferramentas isoladas e dos instrumentos de medio. Pessoas que trabalham com condutores
energizados ou prximos a eles devem ser capazes de identificar quais equipamentos e condutores
podem estar energizados e qual o seu nvel de tenso, avaliar os riscos do tipo de trabalho a ser
efetuado e determinar quais os EPIs e demais procedimentos de segurana so necessrios.
Os procedimentos citados a seguir devem ser cuidadosamente observados sempre que uma
manuteno se fizer necessria. Informaes adicionais so apresentadas no Captulo 7.
Antes de iniciar os trabalhos em locais com instalaes eltricas, especialmente com baterias,
qualquer objeto pessoal metlico (cordo, relgio, anel etc.) deve ser retirado. O trabalho com baterias
no deve ser feito nunca por apenas uma pessoa, e sim conjuntamente por, pelo menos, dois
trabalhadores.
Os mdulos fotovoltaicos produzem energia eltrica sempre que alguma luz solar incide sobre
eles. Assim, para mant-los desenergizados, seria necessrio cobri-los com um material opaco.
Durante a manuteno, o tcnico deve manter-se isolado de partes energizadas do circuito ou de
pontos de aterramento, ou seja, deve permanecer em potencial flutuante. Deve-se usar luvas e
calados isolantes durante a manuteno no SFV.
Ao realizar alguma modificao na instalao, ou troca de algum componente do SFV, o mesmo
deve estar desenergizado, para evitar risco de choques eltricos, curtos-circuitos acidentais e
ocorrncia de arcos eltricos. Lembramos, mais uma vez, que a desenergizao do SFV implica em
desconexo do painel fotovoltaico e do banco de baterias, o que permite trabalhar com o restante do
sistema totalmente desenergizado. Porm, para trabalhos no banco de baterias, no possvel
desenergiz-lo, e, no caso do painel, somente quando h a obstruo completa da incidncia de luz.
As extremidades de empunhadura das ferramentas metlicas, usadas durante a manuteno dos
componentes eltricos, devem estar adequadamente isoladas com uma fita ou revestimento no
condutivo de plstico resistente. Nunca se deve colocar ferramentas ou outros objetos metlicos sobre
as baterias para evitar curto-circuito. Alm disso, as ferramentas devem, se possvel, ser mais curtas do
que a distncia entre os terminais da bateria, para reduzir a possibilidade de causar um curto-circuito,
em caso de queda. Curtos-circuitos em baterias podem fundir o elemento causador do curto e at
causar a exploso da bateria, provocando srias queimaduras e ferimentos pessoa que est efetuando
o trabalho.

2
A NR-35 estabelece os requisitos mnimos e as medidas de proteo necessrias para o trabalho em altura, como o
planejamento, a organizao e a execuo, a fim de garantir a segurana e a sade dos trabalhadores com atividades
executadas acima de dois metros do nvel inferior, onde haja risco de queda.
406
Antes do incio dos trabalhos, o compartimento das baterias deve ser bem ventilado, pois pode
haver acmulo de gs H
2
liberado durante o carregamento, criando uma atmosfera inflamvel e com
risco de exploso. Alm disso, possveis fontes de ignio, tais como, cigarros, fascas, chamas etc.,
devem estar afastadas das baterias. Por isso, alguns manuais recomendam ainda que antes de entrar no
compartimento da bateria e de fazer contato com a mesma, deve-se tocar uma superfcie aterrada para
descarregar a eletricidade esttica que pode haver no corpo. O acmulo de carga eletrosttica no corpo
ocorre principalmente quando a pessoa est eletricamente isolada (p.ex. utilizando calados de
borracha) e est em ambientes secos.
Como as baterias de chumbo-cido contm cido sulfrico (H
2
SO
4
) de alta concentrao, ao
manuse-las deve-se usar protetores para o rosto ou culos de segurana, luvas de borracha e avental
de borracha que previnem contra derramamento ou respingo de cido. importante ainda manter no
local, gua e bicarbonato de sdio para remover e neutralizar o cido, nos casos de emergncia,
conforme indicado no Quadro 8.1.
Quadro 8.1 - Aes recomendadas em caso de acidente com cido de baterias.
Ocorrncia Ao
cido nos olhos
Lavar os olhos com gua corrente por pelo menos dez minutos.
Procurar imediatamente assistncia mdica.
cido na pele
Neutralizar imediatamente o cido com uma soluo de gua e
bicarbonato de sdio.
Lavar a regio afetada com gua fresca em abundncia.
Ingesto de cido
Beber grande quantidade de gua ou leite de magnsia, ovo
batido ou leo vegetal.
Procurar imediatamente assistncia mdica.
Baterias so pesadas, por isso seu manuseio apresenta risco ergonmico significativo (esforo
fsico, possibilidade de leses, desconforto, etc.). Assim, quando houver necessidade de moviment-
las, recomendvel utilizar cintas para sua elevao e estruturas de suporte apropriadas para
transporte. Essa estrutura pode ser adquirida com ou projetada pelo fabricante.
As instrues de segurana, manipulao e vigilncia peridica da operao dos equipamentos
do SFV devem ser repassadas ao usurio final por pessoal tcnico capacitado, normalmente
responsvel pelo projeto e/ou instalao do SFV.
8.2 Procedimentos e Cuidados de Operao
A operao de um SFV geralmente simples, requerendo pouca interveno do usurio para o
funcionamento, e muitas vezes o sistema projetado para operar de forma totalmente automtica.
Em SFVs que requerem a manipulao por parte do usurio para o correto funcionamento, deve-
se elaborar um manual de operao, de fcil compreenso, e realizar treinamento para o usurio final
do sistema, indicando o momento e o procedimento necessrio para alguma interveno e a
407
periodicidade que se deve fazer a superviso de parmetros que indicam o funcionamento adequado do
sistema, como por exemplo, o acompanhamento do nvel de carga do banco de baterias (podendo
tomar como referncia a tenso do banco de baterias), a verificao da atuao dos componentes de
condicionamento de potncia (tais como, controlador de carga e inversor), a verificao da potncia
eltrica produzida e demandada pelo sistema, entre outros.
Mesmo para os sistemas fotovoltaicos operados e mantidos pela distribuidora ou prestadora de
servio capacitada, deve-se elaborar o manual de procedimentos de operao e de manuteno,
seguindo as recomendaes dos fabricantes.
8.3 Procedimentos de Manuteno Preventiva de Sistemas Fotovoltaicos Isolados (SFIs)
A manuteno preventiva consiste em um conjunto de aes programadas para garantir o bom
funcionamento e a vida til dos componentes e evitar falhas no funcionamento do SFV.
Recomenda-se fazer inspees peridicas nos SFVs, j que desta forma pequenos problemas
podem ser identificados e corrigidos, de modo a no afetar a operao do sistema. A inspeo
peridica deve ser iniciada logo aps a instalao do sistema, quando ele, supostamente, est operando
satisfatoriamente.
A seguir, so apresentados, para alguns componentes, procedimentos simples de manuteno
preventiva que, se bem realizados, garantem o adequado funcionamento do sistema.
8.3.1Gerador fotovoltaico
Os mdulos FV tm geralmente uma garantia contra defeitos de fabricao de 3 a 5 anos, e
garantia de rendimento mnimo durante 25 anos. Assim, em caso de se constatar defeitos cobertos pelo
termo de garantia, a garantia deve ser requerida, e os mdulos fotovoltaicos afetados devem ser
substitudos pelo fabricante. Maiores detalhes sobre a garantia de mdulos fotovoltaicos so
disponibilizados no item 3.4.1.
Os mdulos fotovoltaicos no so a principal causa de problemas nos SFVs.
8.3.1.1 Aspectos fsicos
Na inspeo visual devem ser verificadas as condies fsicas de cada mdulo fotovoltaico,
certificando-se de que a superfcie frontal est ntegra e limpa, as clulas no apresentam sinais de
rachadura e descolorao, a estrutura de fixao do painel fotovoltaico est fixa, sem pontos de
corroso e devidamente aterrada.
Deve-se ainda observar a presena de algum sombreamento causado pelo crescimento de
vegetao prxima ao painel, algo que comum no interior do Brasil.
408
Caso haja necessidade de limpeza dos mdulos antes de efetuar as medidas, deve-se utilizar uma
flanela limpa e gua. Cuidados devem ser tomados para evitar que o vidro seja arranhado por
partculas abrasivas que fiquem presas na flanela. Por este mesmo motivo, o uso de sabo e jias (anis
e relgios) no recomendado. Durante a limpeza, o trabalhador deve observar o seu posicionamento,
evitando apoiar-se nos mdulos.
Nos dias em que o tempo estiver claro e com poucas nuvens, os mdulos devero ser limpos
preferencialmente no incio da manh ou no final da tarde, de forma a evitar que possveis choques
trmicos, resultantes de gua fria sobre um mdulo muito quente, danifiquem o vidro de cobertura do
mdulo.
Se os mdulos estiverem instalados em ambiente muito empoeirado, recomenda-se limp-los
mais frequentemente, pois perodos muito longos sem limpeza podem prejudicar significativamente o
desempenho do sistema. Perdas de at 10 % no desempenho j foram verificadas em mdulos
instalados no Brasil em regies de muita poeira. Tal limpeza poder ser feita pelo prprio usurio, se
este for devidamente instrudo para isso.
O ngulo de inclinao dos mdulos, com tolerncia de 5 daquele especificado no
dimensionamento do sistema, pode ser verificado com o uso de um inclinmetro (Figura 8.1) ou, na
falta deste, de um transferidor.

Figura 8.1 Inclinmetro.
Com o uso de uma bssola, pode-se verificar tambm, o ngulo azimutal dos mdulos.
Geralmente, o painel aponta para o Norte Verdadeiro, quando situado no hemisfrio Sul, e para o Sul
Verdadeiro, quando no hemisfrio Norte. Entretanto, conforme mostrado no Captulo 7, ngulos
diferentes podem ser utilizados. A correo necessria s leituras provenientes da bssola deve ser
409
realizada de acordo com a Declinao Magntica do local, conforme tambm mencionado no Captulo
7.
8.3.1.2 Aspectos eltricos
Para avaliar o desempenho do gerador fotovoltaico, recomenda-se medir sua tenso de circuito
aberto (V
oc
) e sua corrente de curto-circuito (I
sc
), conforme descrito a seguir. Apesar dos
procedimentos serem aqui descritos em separado, geralmente as duas grandezas (V
oc
e I
sc
) so medidas
numa mesma operao.
Procedimentos para medir a tenso de circuito aberto (V
oc
)
Gerador fotovoltaico
Com o gerador fotovoltaico desconectado do sistema (para que se obtenha a V
oc
do gerador e no
a tenso regulada pelo controlador de carga, quando se trata de um SFI), pode-se medir a V
oc
com o
uso de um voltmetro c.c., como mostrado na Figura 8.2. Deve ser verificado previamente se o
instrumento adequado ao nvel de tenso a ser medido e se a escala utilizada est correta.
Cabe lembrar que algumas configuraes de SFVs podem apresentar nveis de tenso e
corrente letais. Apesar da baixa tenso de um mdulo fotovoltaico individualmente, a conexo de
vrios em srie pode atingir tenses de 1.000 V
cc
. Mesmo com baixa irradincia solar tem-se
quase a tenso mxima nos terminais do mdulo fotovoltaico. Sempre deve se usar equipamento
de proteo, especialmente luvas isolantes adequadas para a tenso de trabalho.

410

Figura 8.2 Exemplo de medio da tenso de circuito aberto do gerador fotovoltaico em um sistema com baterias.
Normalmente o seccionamento do painel poder ser feito num disjuntor ou fusvel.
Em sistemas com geradores fotovoltaicos formados por mais de uma fileira de mdulos (srie
fotovoltaica), para uma avaliao simplificada, pode-se apenas medir a V
oc
por fileira e comparar com
os valores obtidos para as demais fileiras, os quais devem ser