Anda di halaman 1dari 13

Minggu 02

Karakteristik Thyristor & Silicon Control Rectifier (SCR)


Thyristor merupakan salah satu tipe devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah banyak digunakan secara ekstensif pada rangkaian daya . Thyristor biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil, beroperasi antara keadaan non konduksi ke konduksi. Pada banyak aplikasi, thyristor dapat diasumsikan sebagai saklar ideal akan tetapi dalam prakteknya thyristor memiliki batasan karakteristik tertentu.

Karaktristik Tyristor
Thyristor adalah suatu bahan semikonduktor yang tersusun atas 4 lapisan (layer) yang berupa susunan P- -Psebagai P P diode.
ANODE

!unction, sehingga thyristor ini disebut !uga

P
PINTU

%# %' %&

P P P P

IA I C1 I Gp I B2

I B1 I Gn I C2
K

IK

KATODE

"ambar #. $truktur fisik dari thyristor dan simbolnya $eperti tampak pada gambar #. ketika tegangan anode dibuat lebih positif dibandingkan dengan tegangan katode , sambungan % # dan %& berada pada kondisi forward bias, dan sambungan %' berada pada kondisi reverse bias sehingga akan mengalir arus bocor yang kecil antara anode dan katode. Pada kondisi ini thyristor dikatakan forward blocking atau kondisi off-state, dan arus

bocor dikenal sebagai arus off-state ID. %ika tegangan anode ke katode ( )* ditingkatkan hingga suatu tegangan tertentu , sambungan % ' akan bocor. +al ini dikenal dengan avalance breakdown dan tegangan ()* tersebut dikenal sebagai forward breakdown voltage, (,-. .an karena %# dan %& sudah berada pada kondisi for/ard bias, maka akan terdapat lintasan pemba/a muatan bebas mele/ati ketiga sambungan , yang akan menghasilkan arus anode yang besar. Thyristor pada kondisi tersebut berada pada kondisi konduksi atau keadaan hidup. Tegangan !atuh yang ter!adi dikarenakan oleh tegangan ohmic antara empat layer dan biasanya cukup kecil yaitu sekitar # (. Pada keadaan on, arus dari suatu nilai yang disebut dengan latching current IL, agar diperoleh cukup banyak aliran pemba/a muatan bebas yang mele/ati sambungan-sambungan , !ika tidak maka akan kembali ke kondisi blocking ketika tegangan anode ke katode berkurang. Latching current ( 01 ) adalah arus anode minimum yang diperlukan agar membuat thyristor tetap kondisi hidup, begitu thyristor dihidupkan dan sinyal gerbang dihilangkan. *etika berada pada kondisi on, thyristor bertindak sebagai diode yang tidak terkontrol. .evais ini terus berada pada kondisi on karena tidak adanya lapisan deplesi pada sambungan % ' karena pemba/a 2 pemba/a muatan yang bergerak bebas. )kan tetapi, !ika arus ma!u anode berada diba/ah suatu tingkatan yang disebut holding current 0+, daerah deplesi akan terbentuk disekitar %' karena adanya pengurangan banyak pemba/a muatan bebas dan thyristor akan berada pada keadaan blocking. Holding current ter!adi pada orde miliampere dan lebih kecil dari latching current 01, 0+301. Holding current 0+ adalah arus anode minimum untuk mempertahankan thyristor pada kondisi on. *etika tegangan katode lebih positif dibanding dengan anode, sambungan %' terfor/ard bias, akan tetapi sambungan % # dan %& akan terreverse bias. +al ini seperti diode 2 diode yang terhubung secara seri dengan tegangan balik bagi keduanya. Thyrstor akan berada pada kondisi reverse blocking dan arus bocor reverse dikenal sebagai reverse current IR. Thyristor akan dapat dihidupkan dengan meningkatkan tegangan ma!u ( )* diatas (,-, tetapi kondisi ini bersifat merusak. dalam prakteknya, tegangan ma!u harus dipertahankan diba/ah (,- dan thyristor dihidupkan dengan memberikan

tegangan positf antara gerbang katode. ,egitu thyristor dihidupkan dengan sinyal penggerbangan itu dan arus anodenya lebih besar dari arus holding, thyristor akan berada pada kondisi tersambung secara positif balikan, bahkan bila sinyal penggerbangan dihilangkan . Thyristor dapat dikategorikan sebagai latching devais. Thyristor dapat bertingkah seperti dua transistor dengan penurunan rumus sebagai berikut 4 0,# 5 06' 7 0"n 0,' 5 06# 7 0"p )dapun karaktristik tegangan versus arus dapat dilihat pada gambar 00.' sebagai berikut4
i.
III

II
I+ V
bo

I
I

"ambar '. *arakteristik Thyristor *araktristik tegangan versus arus ini diperlihatkan bah/a thyristor mempunyai & keadaan atau daerah, yaitu 4 #. *eadaan pada saat tegangan balik (daerah 0) '. *eadaan pada saat tegangan ma!u (daerah 00) &. *eadaan pada saat thyristor konduksi (daerah 000) Pada daerah 0, thyristor sama seperti diode, dimana pada keadaan ini tidak ada arus yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan tembus ((r). Pada daerah 00 terlihat bah/a arus tetap tidak akan mengalir sampai dicapainya batas tegangan penyalaan ((bo). )pabila tegangan mencapai tegangan

penyalaan, maka tiba 2 tiba tegangan akan !atuh men!adi kecil dan ada arus mengalir. Pada saat ini thyristor mulai konduksi dan ini adalah merupakan daerah 000. )rus yang ter!adi pada saat thyristor konduksi, dapat disebut sebagai arus genggam (0h 5 +olding 6urrent). )rus 0h ini cukup kecil yaitu dalam orde miliampere. 9ntuk membuat thyristor kembali off, dapat dilakukan dengan menurunkan arus thyristor tersebut diba/ah arus genggamnya (0h) dan selan!utnya diberikan tegangan penyalaan.

Silicon Controlled Rectifier (SCR)


*omponen lain yang mempunyai karakteristik mirip dengan thyristor adalah Silicon Controlled Rectifier (SCR ! hanya disini tegangan penyalaan dapat diubah 2 ubah sesuai dengan besarnya arus yang diberikan pada gerbang (gate) dari $68 tersebut. :akin besar arus yang diberikan , makin besar pula tegangan penyalaanya. +al ini dapat dilihat pada karaktristik tegangan versus arus untuk $68 pada "ambar. & berikut ini. "ambar &. $ymbol $68 dan *arakteristik $68

i.
Anoda

iD ig
! "ate Katoda

VD
V8

I+
V ,i g&
&

V ,-

'

V ,i g#

V ,"

V.

i g'

i g# < i g' < i g&

Tipe tipe thyristor

Thyristor dibuat hampir seluruhnya dengan proses difusi. )rus anode memerlukan /aktu tertentu untuk menu!u ke katode. Pabrik pembuat thyristor menggunakan banyak struktur gerbang untuk mengendalikan di#dt! /aktu turn-on dan /aktu turn-off. Tergantung pada konstruksi fisiknya, dan perilaku turn-on dan turn-off, thyristor dapat secara umum diklasifikasikan men!adi sembilan kategori4 $. %hase-control th&ristor (SCR '. (ast-switching th&ristor (SCR ). *ate-turn-off th&ristor (*+, -. .idirectional triode th&ristor (+RI/C 0. Reverse-conducting th&ristor (RC+ 1. Static induction th&ristor (SI+H 2. Light-activated silicon-controlled rectifier (L/SCR 3. (4+-controlled th&ristor ((4+"C+H 5. 6,S-controlled th&ristor (6C+

I. Phase-Control Thyristor (Thyristor kontrol fase)


Tipe thyristor ini secara umum beroperasi pada line-fre=uency dan dimatikan dengan komutasi natural. Turn off time, t 7, berada dalam orde >; sampai #;; s. .evais ini sangat cocok untuk aplikasi pensaklaran kecepatan rendah dan biasa dikenal sebagai th&ristor konverter. *arena thyristor sebenarnya merupakan divais yang dikontrol yang dibuat dari silikon, akibatnya thyristor !enis ini dikenal sebagai silicon-controlled rectifier (SCR . Tegangan keadaan on, bervariasi di sekitar #.#> ( untuk devais ?;; ( hingga ',> ( untuk devais 4;;;(@ dan untuk thyristor >>;;), #';;(, sekitar #,'>(. Penguat gerbang menghasilkan karakteristik dinamik yang umum dv#dt sebesar #;;;(/s dan di#dt sebesar >;; )/s dan menyederhanakan perancangan rangkaian dengan mengurangi atau meminimasi induktor pembatas di#dt dan rangkaian proteksi dv#dt.

2. ast-S!itching Thyristor

,iasanya thyristor ini digunakan pada penerapan teknologi pensaklaran kecepatan tinggi dengan force-communication(misalnya. Thyristor !enis ini memiliki /aktu turn off yang cepat, umumnya dalam daerah > sampai >; s bergantung pada daerah tegangannya. Tegangan !atuh for/ard pada keadaan on bervariasi kira-kira seperti fungsi invers dari turn-off time t7. Tipe thyristor ini !uga dikenal sebagai th&iristor inversion. Thyristor ini memiliki dv#dt yang tinggi biasanya #;;;(/s dan di#dt

sebesar #;;;(/s. Turn-off yang cepat dan di#dt yang tinggi akan sangat penting untuk mengurangi ukuran dan berat dari komponen rangkaian reaktif dan untuk co88utating. Tegangan keadaan on dari thyristor '';;), #A;; ( biasanya sekitar #,B (. Thyristor inverter dengan kemampuan reverse blocking sangat terbatas, kira-kira #; (, dan /aktu turn-off sangat cepat, sekitar & sampai > s, biasa dikenal sebagai /s&88etrical +h&ristor ()$68).

". #er$ang-Turn-%ff Thyristor


"erbang-Turn--ff Thyristor seperti $68 dapat dihidupkan dengan memberikan sinyal gerbang positif. )kan tetapi "T- dapat dimatikan dengan memberikan sinyal gerbang negatif. "T- !uga merupakan devais latching dan dapat dibangun dengan rating arus dan tegangan yang mirip dengan $68, "Tdihidupkan dengan memberikan sinyal pulsa pendek positif pada gerbang dan dimatikan dengan memberikan sinyal pulsa pendek negatif di gerbang. "Tyang memiliki beberapa keuntungan dibandingkan $684 a. Climinasi komponen commutating pada forced-co88utation, yang menghasilkan pengurangan biaya, berat dan volume. b. Pengurangan akustik dan elektromagnetik karena hilangnya

co88utation chokes. c. Turn-off yang cepat, memungkinkan frekuensi pensaklaran yang tinggi d. :eningkatkan efisiensi konverter.

Pada aplikasi daya rendah, "T- memiliki keuntungan dibandingkan bipolar transistor adalah4 (#) *emampuan blocking tegangan yang lebih tinggi@ (') 8asio arus puncak yang dapat dikontrol dengan arus rata-rata yang lebih tinggi@ (&) 8asio arus surge puncak terhdap arus rata-rata tinggi, umumnya #;4#@ (4) Penguatan keadaan on tinggi (arus anode/arus gerbang), umumnya ?;;@ dan (>) .urasi sinyal gerbang pulsa. Pada kondisi surge, "T- cenderung akan masuk kesaturasi lebih dalam karena adanya aksi regeneratif. $edangkan, bipolar transistor cenderung akan keluar dari keadaan saturasi. "T- memiliki penguatan rendah selama turn-off, umumnya ?, dan memerlukan pulsa arus negatif yang relatif besar untuk turn-off. Tegangan !atuh saat on !uga relatif lebih besar dibanding $68. Tegangan keadaan on untuk rata rata "T- >>; ), #';; ( besarnya &,4 (. Controllable 9eak on state I+*, adalah nilai puncak keadaan on yang dapat dimatikan oleh kontrol gerbang, tegangan off-state diberikan seketika setelah turn-off dan dv#dt hanya akan dibatasi oleh kapasitansi snubber. ,egitu "T- dimatikan , arus beban 01 yang dialirkan melalui dan mengisi kapasitor snubber, menentukan dv#dt yang ter!adi dengan 6s adalah kapasitansi snubber.

dv I L = dt C S

&. 'idirectional Triode Thyristor ( TRI(C)


T80)6 dapat bersifat konduktif dalam dua arah dan biasanya digunakan untuk pengendalian fase ac (contohnya controller tegangan ac). +al tersebut dapat dianggap dua buah thyristor tersambung secara antiparalel dengan koneksi gerbang. *arena T80)6 merupakan devais bidirectional , terminalnya tidak dapat ditentukan sebagai anode/katode. %ika terminal :T' positif terhadap terminal :T#, T80)6 dapat dimatikan dengan memberikan sinyal gerbang positip antara

gerbang " dan :T#. %ika terminal :T' negatif terhadap :T#, maka T80)6 akan dapat dihidupkan dengan memberikan sinyal pulsa negatif antara gerbang " dan terminal :T#. Tidak perlu untuk memiliki kedua sinyal gerbang positif dan negatif dan T80)6 dapat dihidupkan baik oleh sinyal gerbang positif maupun negatif.
#T% "

#T$

"ambar 4 $imbol T80)6

). Re*erse Conducting Thyristor (RCT)


Pada banyak rangkaian chopper atau inverter, diode anti paralel dihubungkan sepan!ang $68 untuk memperbolehkan aliran arus reverse karena beban induktif dan untuk meningkatkan kiner!a saat turn-off dari rangkaian komutasi. .iode memotong tegangan balik blocking dari $68 ke 2# atau ' ( pada kondisi tunak. )kan tetapi pada kondisi transien , tegangan balik dapat meningkat hingga &; ( karena tegangan induksi pada rangkaian karena induktansi stray dalam devais. $uatu 86T dapat dipandang sebagai suatu kompromi antara karakteristik devais dan kebutuhan dari rangkaian 86T dapat dianggap sebagai thyristor dengan built-in diode antiparalel. 86T !uga dikenal sebagai /s&88etrical +h&ristor ()$68). Tegangan for/ard blocking bervariasi antara 4;; sampai dengan ';;;( dan rating arus bergerak hingga >;;). Tegangan blocking reverse biasanya sekitar &; sampai dengan 4; (. *arena rasio arus ma!u yang melaui thyristor terhadap arus reverse dari diode tetap untuk suatu devais, aplikasinya dibatasi oleh perancangan tertentu.

+. Static Induction Thyristor


*arakteristik dari $0T+ mirip dengan karakteristik dari :-$DCT. $0T+ biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan gerbang positif seperti thyristor biasa dan dimatikan dengan memberikan tegangan negatif pada gerbangnya. $0T+ merupakan devais dengan pemba/a muatan minoritas. )kibatnya $0T+ memiliki resistansi/!atuh tegangan keadaan on yang rendah dan dapat dibuat dengan rating tegangan dan arus yang lebih tinggi. $0T+ memiliki kecepatan s/itching yang tinggi dengan kemampuan dv#dt dan di#dt yang tinggi. Eaktu s/itchingnya berada pada orde # sampai ? s. rating tegangan dapat mencapai '>;; ( dan rating arus dibatasi >;; ). .evais ini sangat sensitif terhadap proses produksi, gangguan kecil pada proses produksi akan menghasilkan perubahan yang besar pada karaktristik devais.

,. -ight (cti*ated Silicon Controlled Rectifier (-(SCR)


.evais ini dihidupkan dengan memberikan radiasi cahaya langsung ke /afer silikon. Pasangan elektron hole yang terbentuk selama proses radiasi akan menghasilkan arus trigger pada pengaruh medan elektris. $truktur gerbang dirancang untuk menghasilkan sensitivitas gerbang yang cukup untuk triggering dengan sumber cahaya praktis. 1)$68 digunakan untuk pemakaian arus dan tegangan yang tinggi. (contoh untuk transmisi tegangan tinggi dc dan kompensasi daya reaktif statis atau reaktif voltampere). 1)$68 menyediakan isolasi elektris penuh antara sumber cahaya pentrigger dan devais s/itching dari konverter daya., dengan potensial mengambang tinggi hingga beberapa kilo volt. 8ating tegangan dari 1)$68 dapat setinggi 4 k(, #>;; ) dengan daya cahaya pentrigger kurang dari #;; mE. di#dt yang umum adalah '>; )/ s dan dv#dt dapat setinggi ';;; (/ s.

.. /T Controlled Thyristor
.evais DCT-6+T mengkombinasi :-$DCT dan thyristor secara paralel . %ika tegangan tertentu diberikan pada gerbang dari :-$DCT , biasanya & (, arus pentrigger dari thyristor akan dibangkitkan secara internal. DCT 2 6+T memiliki kecepatan s/tching tinggi, di#dt dan dv#dt yang tinggi. .evais ini dapat dihidupkan seperti thyristor konvensional, akan tetapi dapat dimatikan oleh kendali gerbang. +al ini sangat diperlukan pada aplikasi yang o9tical firing digunakan untuk menghasilkan isolasi elektrik antara masukan atau sinyal kontrol dan devais pensaklaran daya.

0. M%S- Controled Thyristor


:-$-6ontrolled Thyristor (:6T) mengkombinasikan sifat 2 sifat regeneratif thyristor dan struktur gerbang :-$. :6T dapat beroperasi sebagai devais yang dikontrol oleh gerbang !ika arusnya lebih kecil dari arus maksimum yang dapat dikontrol. 9saha untuk dapat membuat :6T off pada arus yang melebihi nilai itu akan mengakibatkan kerusakan devais. 9ntuk nilai arus yang tinggi :6T harus dimatikan seperti thyristor biasa. 1ebar pulsa gerbang tidak kritis untuk arus devais yang lebih kecil. 9ntuk arus besar, lebar dari pulsa turn off harus lebih besar. 1ebih !auh gerbang akan mengalirkan arus maksimum selama turn 2 off. Pada banyak aplikasi, termasuk inverter dan chopper, pulsa gerbang kontinyu kerancuan. $uatu :6T memiliki 4 #. Tegangan !atuh for/ard selama keadaan on yang rendah 2. Eaktu turn off yang cepat (;,4 s) dan /aktu yang cepat biasanya #.'> s untuk :6T &;;), >;;( &. .isipasi daya s/itching rendah 4. *emampuan tegangan blocking rendah >. 0mpedansi masukan dari gerbang tinggi, yang akan menyederhanakan rangkaian drive selama periode on/off diperlukan untuk menghindari

:6T dapat secara efektif dipasang paralel untuk proses pensaklaran arus besar dengan hanya perubahan rating sederhana dengan rating arus perdevais yang ada. :6T tidak dapat digerakan dengan transformer pulsa !ika bisa kontinyu yang diperlukan untuk menghindari kerancuan.

1ni 2unction Transistor (12T)


Transistor 9ni!unction (9%T) biasanya digunakan untuk membangkitkan sinyal trigger untuk $68. 8angkaian triggering 9%T dasar seperti tampak pada gambar 00.? . 9%T memiliki tiga terminal, disebut emiter C, base-# ,# dan base-' ,'. )ntara ,# dan ,', 9%T memiliki karakteristik resistansi biasa. 8esistansi ini disebut resistansi interbase 8,, dan nilainya berada pada daerah 4,B sampai F,# * ohm.
( S

R I
E

R &$

&$ ( &%
&&

'

( E

R &%

( '

&%

'

"ambar > 8angkaian Penyulut dengan 9%T *etika tegangan sumber dc (s diberikan, kapasitor 6 akan diisi melalui resistor 8 karena rangkaian emiter dari 9%T berada pada kondisi terbuka. *onstanta /aktu dari rangkaian pengisi # 5 86. *etika tegangan emiter (C,

(E ( P

% * RC

$ *R

&%

$T

( P

) T $T t

"ambar ? ,entuk gelombang keluaran rangkaian trigger 9%T yang sama dengan tegangan kapasitor ( 6, mencapai tegangan puncak (p, 9%T akan on dan kapasitor akan dikosongkan melalui 8 ,# dengan kecepatan yang ditentukan oleh konstanta /aktu ' 5 8,#6. ' harus !auh lebih kecil dari #. *etika tegangan emiter ( C berkurang ke titik lembah ( (, emiter akan kembali tidak tersambung, 9%T men!adi off, dan siklus pengisian akan berulang kembali. ,entuk gelombang tegangan emiter dan triggering diberikan pada gambar ?. ,entuk gelombang tegangan triggering ( ,# akan identik dengan pengosongan kapasitor 6. Tegangan pen-trigger ( ,# harus dirancang agar cukup besar untuk membuat $68 on. Periode osilasi T akan cukup independen terhadap tegangan sumber dc, (s dan diberikan oleh 4
T = 1 1 = RC ln f 1

.engan parameter dikenal sebagai intrinsic stand 2 off ratio.

ilai dari

terletak antara ;,># sampai dengan ;,A'. 8esistor 8 terbatas nilainya antara & k-hm sampai & :ohm. ,atas atas dari 8 ditentukan oleh kebutuhan !alur beban yang dibentuk oleh 8 dan (s berpotongan karakteristik devais disebelah kanan titik puncak (p dan kiri titik (v. %ika !alur beban gagal mele/ati karakteristik devais disebelah kanan titik puncak. 9%T tidak akan on. *ondisi ini dipenuhi !ika Vs : I9R;V9 yaitu

R<

VS V P IP

Pada titik lembah 0C 5 0( dan (C 5 (v sehingga kondisi pada batas ba/ah berada di 8 untuk memastikan proses turn off yaitu VS :IVR<VV 83
Vs Va Ia

Gaitu 4

.aerah tegangan sumber yang direkombinasikan adalah #; sampai dengan &> (. 9ntuk nilai tetap , tegangan puncak (p akan bervariasi dengan tegangan antara dua base, (,,. (p diberikan oleh4
Vp = VBB + VD = VS + VD = 0,5V

.engan (. adalah tegangan !atuh for/ard dari satu diode. 1ebar tg untuk pulsa trigger adalah +g = R.$C $ecara umum 8,# dibatasi nilai diba/ah #;; ohm, /alaupun nilai ' sampai dengan & kohm dimungkinkan pada beberapa penerapan. 8esistor 8 ,' secara umum dihubungkan secara serial dengan base-' untuk mengkompensasi penurunan (p karena peningkatan suhu melindungi 9%T dari kemungkinan termal run/ay.