Anda di halaman 1dari 4

PENGEMBANGAN KUALITAS SEMIKONDUKTOR BERBASIS SILIKON AMORF DENGAN METODE PECVD*)

Syamsu Program Studi Pendidikan Fisika, FKIP, Universitas Tadulako Jl. Soekarno-Hatta, Km. 9, Tondo, Palu, 94118 Telp/Fax. 0451-4132208, Email : syamsultan@yahoo.com Abstract Amorphous silicon (a-Si) based semiconductor material differs mainly from crystalline silicon in the disorder of its atomic structure. This disorder structure relates to optical and electrical properties of the material. In this paper, the improvement of these two properties of a-Si based semiconductor material grown using Plasma Enhanced Chemial Vapor Deposition (PECVD) method will be desribed. The application of the material in electronic devaces will then be discussed. Finally, the future work releted to the development of the deposition method in Tadulako Universty will also be dissussed. Keywords : a-Si. dark conductivity, optical band-gap PECVD Pendahuluan Berbeda dengan silikon kristal (x-Si), material silikon amorf (a-Si) mempunyai stuktur atom yang tidak teratur sehingga tidak memiliki periodisitas berjangkauan jauh. Di samping itu, terdapat banyak tangkai atom silikon tidak berikatan membentuk dangling bond. Ketidakteraturan ikatan Si-Si dalam material silikon amorf, termasuk terbentuknya dangling bond, menyebabkan munculnya rapat keadaan terlokalisasi di daerah celah pita energi. Dalam bentuk lapisan tipis, silikon amorf sangat populer ditumbuhkan dengan metode plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Dengan metode PECVD lapisan tipis a-Si yang terbentuk mengandung konsentrasi atom hidrogen sebesar 10 sampai 20% [1]. Kehadiran atom hidrogen ini akan menutup dangling bond yang ada sehingga terbentuk ikatan Si-H dalam material a-Si. Proses ini akan mereduksi rapat keadaan terlokalisasi sehingga memungkinkan dilakukannya pengontrolan tipe penghantaran listriknya (p dan n). Pengontrolan tipe p-n dari lapisan tipis a-Si pertama dilakukan oleh Spear pada tahun 1975 [2]. Perbedaan struktur yang telah dikemukan di atas menyebabkan lapisan tipis a-Si memiliki sifat fisis yang berbeda dibandingkan dengan silikon kristal. Perbedaan sifat fisis untuk kedua material tersebut dipaparkan dalam Tabel 1. Dalam makalah ini akan dikaji pengembangan material semikonduktor berbasis silikon amorf dengan metode PECVD yang meliputi sifat optik dan listrik. Terakhir dibahas aplikasi dan rencana pengembangan sistem penumbuhan lapisan tipis a-Si dan paduannya dengan metode PECVD di Universitas Tadulako. Eksperimen Semikonduktor berbasis a-Si dalam studi ini ditumbuhkan di atas gelas Corning 7059 dengan metode PECVD pada frekuensi 13,56 Mhz dan 70,00 Mhz dan metode HW-PECVD yanga ada di Laboratorium Fisika Material Elektronik, Pogram Studi Fisika ITB. Gas silan (SIH4)

329 | P r o s i d i n g S e m i n a r N a s i o n a l S a i n s d a n M a t e m a t i k a

10% dalam gas hidrogen, gas metan 100% dan gas amonia 100% di gunakan sebagai sumber gas. Gas posphin 100% sebagai dopan gas. Celah pita optik dihitung dengan metode tauc plot [hf vs (hf) ] dari data spektroskopi UV-Vis. Analisa terbentuknya ikatan dalam lapisan dilakukan dengan spektroskopy FTIR, konduktivitas gelapnya diukur dengan metode dua titik (coplanar) dengan menggunakan Keithley 617, struktur lapisan ditentukan dari hasil XRD, bentuk permukaan dianalisa dari hasil SEM dan ketebalan lapisan diukur dangan menggunakan Dektak IIA. Tabel 1. Beberapa sifat a-Si dibandingkan dengan x-Si Parameter Celah Energi (eV) Mobilitas Elektron (cm/Vs) Konduktivitas (S/cm) Koefisien Absorpsi Cahaya Tampak ( /cm) Temperatur Penumbuhan (C) x-Si 1,1 1450 10-4 - 104 103 - 104 1000 a-Si 1,6 1,8 0,1 10-13 102 105 - 106 200

Pengembangan Kualitas Pengembangan kualitas sifat optik semikonduktor berbasis silikon amorf dengan metode PECVD pada frekuensi rf 13,56 Mhz dilakukan dengan menggunakan teknik paduan dengan doping delta. Teknik paduan yang digunakan adalah penumbuhan lapisan tipis a-SiN:H dan aSiC:H. Sedangkan pengembangan kualitas sifat listriknya dengan menggunakan metode VHFPECVD dan Hot Wire PECVD. Metode VHF-PECVD adalah metode PECVD yang dilakukan dengan frekuensi 70 Mhz sedangakan HW-PECVD, adalah metode PECVD yang dibantu dengan filamen panas. a. Sifat Optik Celah pita optik lapisan tipi a-Si:H bervariasi dari 1,70 eV 1,95 eV pada variasi laju aliran gas silan dari 50-110 sccm. Peningkatan celah pita ini disebabkan oleh peningkatan kandungan hidrogen dalam lapisan sehingga density of state (DOS) lapisan menurun [3]. Celah optik dari lapisan a-SiC:H bervariasi dari 1,7 eV- 2,93 eV pada variasi fraksi gas metan dalam gas silan 0% - 40%. Kenaikan celah pita optik pada saat fraksi gas metan dalam silan meningkatkan disebabkan oleh Inkoporasi atom karbon ke dalam martik silikon [3,4]. Dari karakterisasi spektroskopy FTIR lapisan-p doping seragam dan lapisan-p doping delta memperlihatkan bahwa stuktur ikatan boron-hidrogen antara lapisan-p doping seragam dan lapisan-p doping delta tidak berbeda. Ini berarti bahwa lapisan-p doping delta dapat digunakan sebagai window layer pada sel surya p-i-n. Ikatan boron-hidrogen lebih banyak terlihat pada lapisan-p doping seragam dibanding pada lapisan-p doping delta. Ini disebabkan pengikisan lapisan oleh radikal hidrogen selama deposisi [5]. Demikian pula dari karakterisasi spektroskopy UV-Vis lapisan-p doping seragam dan doping delta memperlihatkan bahwa daerah cahaya 330 | P r o s i d i n g S e m i n a r N a s i o n a l S a i n s d a n M a t e m a t i k a

tampak transminasi lapisan-p doping delta 72% lebih besar dari lapisan-p doping seragam, yang berarti bahwa lapisan-p doping delta lebih baik dari pada lapisan-p doping seragam. Perbedaaan ini disebabkan karena adanya cacat (defect) akibat doping pada lapisan-p doping seragam. Cacat ini mengakibatkan penurunan celah pita optik dan memperbesar penyerapan cahaya pada laipsan tersebut. Dengan demikian dengan tekinik a-Si:H paduan dan doping delta dapat meningkatkan sifat optik lapisan berbasis a-Si. b. Sifat Listrik Konduktivitas gelap lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan sistem PECVD pada temperatur substrat 2000C dan laju aliran silan 70 sccm sebesar 10-9 S/cm. Namun dengan sistem HWPECVD pada temperatur filamen ~10000 C konduktivitas gelap lapisan tipis meningkat menjadi 10-7 S/cm [6,7], demikian pula dengan sistem VHF-PECVD pada laju aliran silan 100 sccm konduktivitas gelas lapisan meningkat menjadi 10-5 S/cm [6]. Dari hasil XRD dari kedua sistem tersebut menunjukkan kehadiran struktur mikrokristal pada orientasi kristal <111>, <220> dan <311>. Hal tersebut ditunjukkan pula oleh adanya butiran dalam lapisan seperti ditunjukkan oleh hasil SEM. Dengan demikian peningkatan sifat listrik lapisan tipis berbasis a-Si dapat dilakukan dengan metode Hot Wire PECVD dan VHF-PECVD Berdasarkan hasil pengembangan kedua sifat tersebut maka di laboratorium fisika material elektronik ITB semikonduktor berbasis a-Si telah diaplikasikan pada divais elektronik, seperti: sel surya [5,8], thin film transitor [9], fotoreseptor [10] dan sensor warna [11]. Rencana ke depan Program Studi Pendidikan Fisika, FKIP Universitas Tadulako telah mendapat hibah melalui proyek penelitian pengembangan pasca sarjana URGE dan DP2M DIKTI Departemen Pendidikan dan Kebudayaan. Dari hibah tersebut telah dimiliki beberapa fasilitas sistem penumbuhan lapisan tipis berbasis a-Si dan paduannya berupa chamber PECVD dan beberapa komponen elektroniknya Selain itu, melalui anggaran DIPA Universitas Tadulako juga mendapatkan beberapa fasilitas pendukung lainnya. Ke depan, dengan adanya kerjasama dengan Jurusan Fisika FMIPA Universitas Tadulako dan Kelompok Keahlian Fismatel ITB, maka akan dikembangkan sistem PECVD dengan memadukannya dengan frekuensi yang tinggi dan filamen panas walaupun dengan dimensi yang lebih kecil dibandingkan dengan yang dikembangkan di Laboratorium Fisika Material Elekronik, ITB. Dengan sistem ini dapat diaplikasikan pada divais semikonduktor seperti yang telah diuraikan di atas. Kesimpulan Telah dibahas perbedaan material semikonduktor berbasis a-Si dan x-Si, terutama ketidakteraturan yang berhubungan dengan sifat optik dan listrik material dan pengembangan kualitas kedua sifat semikonduktor tersebut yang ditumbuhkan dengan sistem PECVD beserta aplikasinya pada beberapa divais elektornik. Sebagai penutup juga diuraikan tentang rencana pengembangan semikonduktor berbasis a-Si dan paduannya di Universitas Tadulako

331 | P r o s i d i n g S e m i n a r N a s i o n a l S a i n s d a n M a t e m a t i k a

Ucapan Terima Kasih Penelitian ini terealisasikan atas bantuan dana melalui proyek Center Grant URGE Laboratorium Fisika Material Elektonik, Program Studi Fisika Institut Teknologi Bandung, dan DCRG URGE, Penelitian Fundamental, dan PSN Universitas Tadulako. Ucapan terima kasih penulis sampaikan kepada Prof. Dr. M. Barmawi, Prof. Dr. Sukirno, Prof. Dr. T. Winata, Prof. Dr. Jasruddin DM, Dr. Amiruddin Supu, M.Si atas diskusi dan kerjasamanya. Daftar Pustaka 1. K. Takahashi and M. Konagai, Amorphous Silicon Solar Cells, North Oxford Academic, London, 1986 2. WW Wenas, Divais Semikonduktor Berbasis Material Silikon Amorf, Proceeding WECIIII, Aula Barat, ITB, Bandung, 3-4 Maret 1999, Hal : 4-17- 4-20 3. Jasruddin DM, Syamsu, Agus S, Fitri SA, WW Wenas, T. Winata dan M Barmawi, Optimasi Celah Pita Optik Lapisan Tipis a-Si:H dan Paduannya untuk Aplikasi Divais Optoelektonik. Proceeding IES99, Graha ITS Surabaya, 27-29 Oktober 1999, Hal : 237-240 4. Shima M, A Terakwa, M.Isomura and S.Tsuda, Effect Composition on The Properties of Amorphous Silicon Carbide, Jpn Appl Phys, Vol 36, 1997, pp 2044-2048 5. Amiruddin S, Jasruddin, Syamsu , T.Winata, Sukirno dan M Barmawi, Peningkatan Unjuk Kerja Sel Surya p-i-n Berbasis a-Si:H dengan teknik Doping-Delta, Prosiding SFN XVII (Buku I), Puspitek, Serpong, 25-27 April 2000, Hal : 90-96 6. Atmadi A, Fabrikasi dan Karakterisasi Lapisan p, i dan n a - c-Si:H yang Dideposisi dalam Reaktor PECVD Tunggal pada Frekuensi 70 MHz, Thesis, Jurusan Fisika, PPS ITB, Bandung, 1998 (Tidak dipublikasikan) 7. Syamsu, Darsikin, Iqbal, Jusman, T. Winata, Sukirno dan M. Barmawi, Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H Tanpa Doping dengan metode Hot Wire PECVD, Prosiding Seminar MIPA 2000, ITB, Bandung, 13-14 November 2000 8. Syamsu, Darsikin, Iqbal, Jusman, T Winata, Sukirno dan M Barmawi, Penumbuhan Lapisan Tipis c-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya, Jurnal Matematika dan Sains FMIPA ITB, Vol. 10 No. 3, September 2005, Hal : 93-96 9. Fitri SA, Jasruddin DM, K Suardana, Syamsu, Sukirno, T. Winata dan M. Barmawi, Optimasi Lapisan Tipis a-SiN:H sebagai Insulator Gate pada TFT, Proceeding IES99, Graha ITS Surabaya, 27-29 Oktober 1999, Hal : 366-371 10. Darsikin, Jasruddin DM, K Suardana, Syamsu, Sukirno, T, Winata dan M. Barmawi, Application a-Si:H and its Alloys for Photoreceptor Devices, Proceeding CECI 2001, BPPT, Jakarta, 7-8 Maret 2001, Hal : MD 59- MD 61 11. Agus S, Jasruddin DM, Nur Rahmat, Syamsu, K Suardana, Fitri, Sukirno, T. Winata dan M. Barmawi, Studi Awal Penumbuhan a-SiC:H dengan Metode Plasma-CVD untuk Aplikasi Divais Sensor Warna Tunggal, Procedding IES99, Graha ITS Surabaya, 27-29 Oktober 1999, Hal : 232-236

332 | P r o s i d i n g S e m i n a r N a s i o n a l S a i n s d a n M a t e m a t i k a