Anda di halaman 1dari 6

OPTIMASI PARAMETER TEKANAN PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI DENGAN SISTEM HOT WIRE PECVD

Syamsu, Amiruddin Kade, Haeruddin Abstract


The HW-PECVD system was then applied to grow a-Si:H thin films on corning glass 7059 by using 10% silane (SiH4) gas diluted in hydrogen (H2) as gas source. By optimization of deposition presure, a better quality a-Si:H thin films with dark -9 conductivities is relative high (4.23x10 S/cm). The deposition rate and the optical band gap of the a-Si:H thin film were 0.68 /s and 1.98 eV. These results showed that by using HW-PECVD system, the optical properties was successfully increased without deteriorating in the electrical properties. Kata Kunci : a-Si:H, celah pita optik, konduktivitas, HW-PECVD
1

PENDAHULUAN Pembuatan material silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) mulai banyak diperkenalkan tahun 1972. Pada tahun 1975 Spear melakukan percobaan dengan melakukan doping pada material silikon amorf sehingga dapat dihasilkan 1 semikonduktor tipe-p dan tipe-n . Silikon amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) telah banyak dikembangkan untuk aplikasi divais optoelektronik, seperti: sel surya, fotoreseptor, sensor warna 2 dan thin film transistor (TFT) . Untuk sel surya p-i-n, lapisan tipis a-Si:H digunakan sebagai lapisan-p, lapisan-i dan lapisan-n. Untuk fotoreseptor, lapisan tipis a-Si:H dapat digunakan sebagai bottom blocking layer (BBL) dan photo conductive layer untuk menghambat injeksi muatan antara (BBL) dan Top Pasivation Layer (TPL). Pada divais sensor warna tanpa color filter, lapisan tipis a-Si:H digunakan sebagai lapisan-i dan lapisan-n. Untuk TFT, lapisan tipis a-Si:H diperlukan sebagai lapisan aktif. Divais optoelektronik adalah divais yang bekerja dengan memancarkan atau menyerap cahaya. Dibandingkan dengan silikon kristal, silikon amorf mempunyai celah pita optik yang lebih besar, absorpsi cahaya yang tinggi, celah pita optik dapat dikontrol, dapat
1

ditumbuhkan pada berbagai jenis substrat dan dapat dideposisi pada temperatur yang relatif rendah, yaitu o o 3 180 C 300 C . Kualitas lapisan tipis a-Si:H yang baik dengan kandungan hidrogen yang rendah dan konduktivitas yang tinggi sangat ditentukan oleh pemilihan sistem penumbuhan yang tepat dan optimasi parameter-parameter penumbuhannya. Parameter-parameter penumbuhan yang mempengaruhi kualitas lapisan tipis a-Si:H adalah meliputi temperatur filamen, tekanan deposisi, daya rf, laju 3,4 aliran gas, dan temperatur substrat . Dalam studi ini telah ditumbuhkan lapisan tipis a-Si:H dengan sistem Hot Wire PECVD. Gas SiH4 10% dalam Hidrogen (H2) telah digunakan sebagai sumber gas. Sifat optik dan listrik dari lapisan tipis a-Si:H sebagai fungsi dari tekanan deposisi telah dihitung. BAHAN DAN METODE Lapisan tipis a-Si:H dalam studi ini ditumbuhkan di atas gelas Corning 7059 dengan menggunakan sistem HWPECVD (Gambar 1) yang ada di Laboratorium Fisika Material Elektronik (FISMATEL) Prodi Fisika FMIPA ITB. Parameter penumbuhan adalah seperti pada tabel 1. Celah pita optik dihitung dengan metoda tauc plot [ h vs 1/2 (h) ] dari data spektroskopi UV-Vis (Ultra Violet Visible). Konduktivitas

Syamsu, Amiruddin Kade, Haeruddin. Dosen Program Studi Pendidikan Fisika FKIP Untad

111

Media Eksakta 5 (2) : 111-114, Juli 2009

ISSN : 0216-3144

gelapnya diukur dengan metoda dua titik (coplanar) dengan menggunakan Katheley 617, dan ketebalan lapisan tipis diukur dengan menggunakan Dektak-IIA. Laju deposisi dihitung dari data ketebalan lapisan dan waktu 1 deposisi .
Gambar 1. Ganda Sistem Reaktor PECVD

Tabel 1. Parameter Penumbuhan untuk Lapisan Tipis a-Si:H Substrat Temperatur filamen Tekanan deposisi Daya rf Laju aliran gas Temperatur substrat Jarak elektroda Jarak filamen substrat HASIL DAN PEMBAHASAN Laju deposisi sebagai fungsi dari tekanan deposisi dari lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem Hot Wire PECVD (Gambar 1). Dari gambar secara umum terlihat bahwa laju deposisi lapisan tipis a-Si:H meningkat dengan meningkatnya tekanan deposisi, kondisi ini sama dengan yang diperoleh 5,6 oleh peneliti sebelumnya . Selain itu peneliti lain juga melaporkan bahwa laju deposisi maksimum ditentukan oleh 7,8 tekanan deposisi . Laju deposisi lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan meningkat secara drastis dari 0,58 A/s sampai 0,68 A/S dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 400 sampai 900 mTorr. Peningkatan ini disebabkan oleh berkurangnya jalan bebas rata-rata sehingga meningkatkan tumbukan antar partikel dalam plasma yang berakibat pada meningkatnya konversi silan. Peningkatan efesiensi dekomposisi silan mengakibatkan fluks radikal atom yang mencapai substrat Gelas Corning 7059 o 800 C 400-900 mTorr 40 watt 70 sccm o 200 C 6,0 cm 3,0 cm meningkat dan berakibat meningkatnya 9 laju deposisi . Celah pita optik sebagai fungsi tekanan deposisi lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem Hot Wire PECVD diperlihatkan pada gambar 2. Dari gambar terlihat bahwa celah pita optik dari lapisan yang ditumbuhkan menurun dari 1,98 eV sampai 1,74 eV seiring dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 400 mTorr sampai 900 mTorr. Penurunan celah pita optik ini disebabkan oleh berkurangnya kandungan hidrogen dalam chamber. Pada tekanan yang tinggi, konsentrasi hidrogen yang tinggi dalam chamber akan meningkatkan konversi silan menjadi radikal yang lebih sederhana yang dengan sendirinya akan meningkatkan ikatan Si-Si yang diiringi dengan berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Meningkatnya ikatan Si-Si dalam lapisan akan meningkatkan konduktivitas lapisan (Gambar 3).

112

Optimasi Parameter Tekanan Pada Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi Dengan Sistem Hot Wire PECVD

(Syamsu, Amiruddin Kade, Haeruddin)


0.7

Laju Deposisi (A/s)

0.68 0.66 0.64 0.62 0.6 0.58 0.56 300

400

500

600

700

800

900

1000

Tekanan Deposisi (mTorr)

Gambar 2.

Laju deposisi sebagai fungsi tekanan deposisi untuk lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan HW-PECVD pada temperatur o filamen 800 C dan laju aliran gas 70 sccm.
2

Celah Pita Optik (eV)

1.95 1.9 1.85 1.8 1.75 1.7 300

400

500

600

700

800

900

1000

Tekanan Deposisi (mTorr)

Gambar 3.

Celah pita optik sebagai fungsi tekanan deposisi dari lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD pada 0 temperatur filamen 800 C.
1.00E-08 9.00E-09 8.00E-09 7.00E-09 6.00E-09 5.00E-09 4.00E-09 3.00E-09 2.00E-09 9.99E-10 -1.00E-12 300

Konduktivitas Gelap (S/cm)

400

500

600

700

800

900

1000

Tekanan Deposisi (mTorr)

Gambar 4. Konduktivitas gelap lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem HW-PECVD sebagai fungsi tekanan deposisi pada temperatur o filamen 800 C.

111 113

Media Eksakta 5 (2) : 111-114, Juli 2009

ISSN : 0216-3144

Konduktivitas sebagai fungsi tekanan deposisi lapisan tipis a-Si:H yang ditumbuhkan dengan sistem HWPECVD diperlihatkan pada gambar 4. Dari gambar terlihat bahwa konduktivitas gelap lapisan tipis a-Si:H meningkat dari -11 -9 8,75 x 10 S/cm sampai 4,23 x 10 S/cm dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 400 mTorr sampai 900 mTorr. KESIMPULAN Lapisan tipis a-Si:H dengan celah pita optik dari 1,74 eV 1,98 eV telah berhasil ditumbuhkan di atas gelas Corning 7059 dengan mengunakan sistem Hot Wire PECVD. Lapisan tipis aSi:H juga telah diukur konduktivitas gelapnya yang meningkat dari 8,75 x 10 11 -9 sampai 4,23 x 10 S/cm seiring dengan peningkatan tekanan deposisi dari 400 900mTorr. Dengan demikian dengan menggunakan sistem Hot Wire PECVD, kandungan hidrogen lapisan tipis telah berhasil dikurangi dan konduktivitas gelapnya ditingkatkan. UCAPAN TERIMA KASIH

2. 3.

4.

5.

6.

7. Kegiatan penelitian ini sepenuhnya dibiayai oleh DP2M Dikti melalui Hibah Penelitian Fundamental 2007 dengan nomor kontrak: 051/SP2H/PP/DP2M/III/2007 Tanggal 29 Maret 2007. Demikian pula kami tidak lupa mengucapkan terima kasih kepada Amiruddin Kade, Haeruddin, Amiruddin Supu dan T Winata atas diskusi dan kerjasamanya selama dalam proses penelitian. DAFTAR PUSTAKA 1. Syamsu, Darsikin, Iqbal, Jusman, T Winata, Sukirno dan M Barmawi,

8.

9.

Penumbuhan Lapisan Tipis C-Si:H dengan Sistem Hot Wire PECVD untuk Aplikasi Divais Sel Surya, JMS Vol. 10 No. 3, September 2005, 9396. Spear WE, PE Lecomber and AJ Snell,Phil. Mag, Vol. 33, 1976, p.935. K. Takahashi and M. Konagai, 1986. Amorphous Silicon Solar Cell , North Oxford Academic, London. Rajeswaran G, Vanier PE, Kampas, F.J., Corderman, R.R., 1983, The effect of silane fraction on the optoelectronic and photovoltaic properties of RF glow discharge aSi:H prepared from SiH4 + H2 mixtures, J. Non-Cryst. Solids, 5960, 1131-1134. Broguira P, Conde JP, Arekat S., Chu V., 1995, Low filament temperature deposition of a-Si:H by hot wire chemical vapor deposition, J. Appl. Phys., 78(6), 3776-3783. Heintze, M., Zedlitz, R., Wanka, H.N., Schubert, M.B., 1996, Amorphous and microcrystalline silikon by hot wire chemical vapor deposition, J. Appl. Phys., 79(5), 2699-2706. Schropp, R.E.I., 2004, Present status of micro- and polycrystalline silicon solar cells made by hot-wire chemical vapor deposition, Thin Solid Films, 451-452, 455-465. Honda, N., Masuda, A., Matsumura, H., 2000, Transport mechanism of deposition precursors in catalytic chemical vapor deposition studied using a reactor tube, J. Non-Cryst. Solids, 266-269, 100-104. Syamsu, Amiruddin Kade, dan Haeruddin., 2007. Laporan Hasil Penelitian Fundamental, Lembaga Penelitian Universitas Tadulako, Palu.

111 114