Anda di halaman 1dari 15

Gejala Transport dalam

Semikonduktor
MIKROELEKTRONIKA
D3 Teknik Komputer
Universitas Gunadarma
MOBILITAS & KONDUKTIVITAS
Bagian yang gelap menyatakan
bagian yang mempunyai muatan
total positif, berasal dari inti atom
dan elektron bagian dalam yang
terikat kuat.
Titik hitam menggambarkan
elektron luar atau elektron valensi
dari atom.
Bayangkan suatu logam dapat
dibayangkan sebagai suatu ruang
yang mengandung kisi-kisi ion
berat, yang periodik dalam tiga
dimensi, yang saling mengikat
dengan kuat dan diantaranya diisi
oleh kawanan elektron yang
bergerak kian kemari.
Gambaran gas elektron dari logam
TEORI GAS ELEKTRON DARI LOGAM
Elektron terus menerus bergerak yang arahnya
selalu berubah-ubah setelah mengalami tumbukan
dengan ion yang berat (yang hampir selalu diam).
Jarak rata-rata antara dua tumbukan disebut jarak
bebas rata-rata.
Gerak elektron yang acak mengakibatkan pada
suatu saat elektron yang bergerak melalui suatu
satuan luas dalam logam dalam dua arah yang
berlawanan rata-rata sama banyaknya. Oleh karena
itu arus rata-ratanya sama dengan nol.
Kecepatan Hanyut V
Arahnya berlawanan dengan arah medan
listrik.
Kecepatan dalam waktu t antara dua
tumbukan adalah at, dimana a = q / m
adalah percepatan.
Kecepatan V berbanding lurus dengan .


(m kuadrat per detik) disebut mobilitas dari
elektron.

V =
Rapat Arus
Arus dalam ampere :

Rapat arus :

J dalam ampere meter kuadrat dan A adalah luas penampang
dari konduktor dalam meter kuadrat
LA adalah volume yang mengandung N elektron, sehingga :


n adalah rapat elektron (dalam elektron per meter kubik)
adalah rapat muatan dalam coulomb meter kubik
dan v dalam meter per detik.
Konduktivitas
L
Nqv
T
Nq
I
A
I
J
LA
Nqv
J
LA
N
n
v nqv J
nq
nq
adalah kondutivitas dari logam dalam (ohm meter)
-1

Konduktivitas berbanding lurus dengan
konsentrasi n dari elektron bebas.
Konduktor yang baik n = elektron/meter
kubik
Isolator n =
Semikonduktor harga n diantara konduktor dan
isolator

ELEKTRON & HOLE DALAM
SEMIKONDUKTOR INTRINSIK
10
-28

10
7

Struktur kristal Ge dilukiskan secara
simbolik dalam dua dimensi
Elektron valensi
Ikatan kovalen
Atom Germanium mempunyai
32 elektron .
Setiap atom menyumbangkan 4
elektron.
Merupakan atom tentravalen.
Mempunyai muatan listrik + 4 dalam
satuan muatan listrik elektron.
Setiap elektron valensi dari
germanium dimiliki bersama dengan
sebuah dari empat atom germanium
yang bertetangga dekat.
Mempunyai konduktivitas yang
rendah
Ikatan Kovalen
Hole
Pada temperatur sangat rendah
kristal berperilaku sebagai isolator.
Pada temperatur kamar, beberapa
dari ikatan kovalen akan patah
oleh energi panas yang diberikan
kepada kristal dan konduksi
dimungkinkan.
Energi Eg yang diperlukan untuk
mematahkan ikatan kovalen :
Germanium : 0.72 eV
Silikon : 1.1 eV
Ikatan kovalen yang tidak lengkap
disebut lubang.

Kristal Germanium dengan satu
ikatan kovalen yang patah
Dalam semikonduktor intrinsik (murni)
banyaknya lubang sama dengan banyaknya
elektron bebas.
Konsentrasi (rapat) lubang p harus sama
dengan konsentrasi (rapat) elektron n,
sehingga :


disebut konsentrasi atau rapat intrinsik
n = p = n
i

n
i

Apabila kita tambahkan pada silikon atau germanium murni (intrinsik)
atom-atom yang bervalensi tiga atau lima maka terbentuk
semikonduktor yang takmurni, yang ekstrinsik.
Donor-donor
Apabila atom tak murnian mempunyai lima elektron valensi, maka atom
takmurnian akan menggeser beberapa atom germanium dari kisi-kisi
kristal.
Empat dari lima elektron valensi akan mengisi ikatan kovalen dan yang
kelima akan terlepas dan dapat digunakan sebagai pembawa arus.
Energi yang diperlukan untuk melepas elektron adalah :
Ge = 0.1 eV
Si = 0.05 eV
Contoh : antimurnian (Sb), Fosfor dan Arsenikum
Takmurnian ini memberikan kelebihan elektron sebagai pembawa muatan
negatif, dikenal sebagai donor atau tipe-n.
TAKMURNIAN
DONOR DAN AKSEPTOR
Akseptor
Apabila suatu takmurnian trivalen ditambahkan pada semikonduktor
intrinsik hanya tiga ikatan kovalen yang diisi.
Kekosongan yang terjada pada ikatan keempat membentuk lubang.
Takmurnian serupa menyediakan pembawa positif oleh karen takmurnian
tersebut menciptakan lubang dan dapat menerima elektron, dikenal
sebagai akseptor atau tipe-p.
Hukum Aksi-Massa
Penambahan takmurnian tipe-n, mengurangi banyaknya lubang.
Penambahan takmurnian tipe-p, menurunkan rapat elektron bebas.

Perkalian dari rapat muatan negatif yang bebas dan muatan yang positif,
merupakan suatu tetapan dan tidak bergantung pada banyaknya donor dan
akseptor


Dalam semikonduktor tipe-n, elektron2 disebut pembawa mayoritas
sedangkan lubang adalah pembawa minoritas.
Dalam semikonduktro tipe-p, lubang merupakan pembawa mayoritas
dan elektron pembawa minoritas.
np = n
i
2

Rapat muatan positif =
Rapat muatan negatif =
Pada semikonduktor netral, besarnya muatan positif sama dengan
besar muatan negatif :


Pada semikonduktor tipe n, banyaknya elektron lebih besar dari
banyaknya lubang (n >> p) sehingga :


Rapat Lubang dalam semikonduktor tipe-n adalah :



Untuk semikonduktor tipe-p adalah :



RAPAT MUATAN DALAM
SEMIKONDUKTOR
N
D
+ p = N
A
+ n
N
D
+ p
N
A
+ n
p
n


n
i
2
p
n
= ----------
N
D

n
n
= N
D

n
i
2
n
p
= ----------
N
A

Sifat Listrik dari Logam dan Semikonduktor :
Logam :
Bersifat unipolar, menghantar arus hanya dengan
muatan-muatan (elektron-elektron) yang menpunyai
satu tanda saja.

Semikonduktor :
Bersifat bipolar, mengandung pembawa-pembawa
arus dengan muatan yang berlawanan.




SIFAT ELEKTRIK
Dari teori tentang Hukum Aksi-Massa maka didapat :
Bahwa dengan memberi takmurnian pada
semikonduktor intrinsik tidak hanya menaikkan
konduktivitas, tapi dapat juga digunakan utk
menghasilkan semikonduktor dengna pembawa listrik,
sebagian terbedar lubang atau sebagian terbesar
elektron
Dalam semikonduktor tipe-n, elektron-elektron disebut
pembawa mayoritas dan lubang adalah pembawa minoritas.
Dalam semikonduktor tipe-p, lubang merupakan pembawa
mayoritas dan elektron pembawa minoritas.

PENENTUAN KONSENTRASI PEMBAWA
Persamaan Aliran arus :






Persamaan Poisson :



adalah permitivitas.

PERSAMAAN ALIRAN ARUS &
PERSAMAAN POISSON
A
I
J
J dalam ampere meter kuadrat,
A adalah luas penampang dari konduktor dalam meter kuadrat

d
2
V
--------- = - -----
dx
2