PENGENDAPAN UAP SECARA FISIKA

(Tugas Mata Kuliah Teknologi Lapisan Tipis)

Oleh

Putri Hanifah Liani 1017041008
Anisa Nurdina 1017041020
Vera Prawestiana 1017041044
Aventus Pande S 0917041022























JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS LAMPUNG
2013




PENGENDAPAN UAP SECARA FISIKA

3.1. Pengenalan
Pembahasan pada bab ini adalah sputtering dan penguapan. Tujuan dari proses
pengendapan untuk mengontrol pertukaran atom-atom dari sumber ke substrat
dimana terjadi pembentukan lapisan dan proses pertumbuhan atom. Pada
penguapan, atom dihilangkan dari sumber dengan metode termal. Pada sputtering,
atom dihilangkan dari permukaan sumber melalui tumbukan ion-ion gas.
Bab ini terbagi menjadi bagian-bagian seperti berikut :
a. Penguapan secara fisika dan kimia
b. Keseragaman ketebalandan kemurnianlapisan
c. Alat teknik penguapan
d. Pelepasan glow dan plasma
e. Sputtering
f. Proses sputtering
g. Proses hibrid dan modifikasi PVD

3.2 Pengendapan Uap Secara Fisika dan Kimia
3.2.1 Penguapan rata-rata
Upaya awal untuk kuantitas fenomena penguapan ini telah dihubungkan
dengan Hetz, Knudsen, dan kemudian Langmuir.
Hertz menyimpulkan bahwa sebuah cairan yang mempunyai sifat khusus
untuk menguap ketika diberikan perlakuan termal.

e
=

Dengan
e
adalah flux penguapan dalam atom per satuan area per satuan
waktu.
adalah koefisien penguapan, P
e
adalah tekanan penguapan dan P
h
adalah
tekanan hidrostatik, M adalah konsentrasi cairan, R adalah konstanta gas
universal 8,315 J/mol K, dan T adalah suhu.

3.2.2 Tekanan Uap pada Unsur
Persamaan Clausiuss-Clapeyron, tekanan uap padatan-uap dan cair-uap

Gambar 3.1 Tekanan uap dari setiap unsur, Titik-titik menunjukkan titik
lebur

Data tekanan uap untuk masing-masing logam pada fungsi temperatur
ditunjukkan pada gambar 3.1. Sedangkan tekanan uap dari unsur-unsur
semikonduktor ditunjukkan pada gambar 3.2.



Gambar 3.2 Tekanan uap dai unsur yang bersifat semikonduktor. Titik-
titik tersebut menunjukkan titik leburnya.

Sebagian besar logam masuk kedalam kategori efektif pada pengendapan
lapisan yangdicapaihanya ketikasumberdipanaskanke dalamfase cair. Pada
unsur-unsur lain seperti Cr, Ti, Mo, Fe dan Si mencapai tekanan uap yang
cukup tinggi di bawah titik leleh. Misalnya, Cr dapat secara efektif
disimpan pada tingkat tinggi dari sumber metal yang solid karena
mencapai tekanan uap 10
-2
torr sekitar 500
o
C di bawah titik lebur. karbon
yang digunakan untuk mempersiapkan merespon topografi permukaan
bahan untuk pemeriksaan berikutnya dalam mikroskop elektron. karbon
tersebut menyublim dari busur ditembakkan diantara elektroda grafit.





3.2.3. Penguapan oleh senyawa
Sedangkan logam dasarnya menguap sebagai atom dan kadang-kadang
sebagai kelompok atom, yang sama tidak berlaku untuk senyawa. Sangat
sedikit senyawa anorganik menguap tanpa perubahan molekuler dan oleh
karena itu komposisi uap biasanya berbeda dari sumber padat atau cair
asli, konsekuensi dari ini adalah bahwa stoikiometri disimpannya film
yang umumnya akan berbeda dari sumbernya. Studi spektroskopi massa
untuk fasa uap telah menunjukkan bahwa proses asosiasi molekuler serta
peruraian sering terjadi. rentang Brade gejala penguapan dalam senyawa
terjadi dan ini dikategorikan secara singkat pada Tabel 3.1



3.2.4 Penguapan untuk campuran logam
Penguapan lapisanpaduanlogamsecara luas digunakanuntuk berbagaiaplikasi
elektronik, magnetik, danoptik sertauntuk tujuanlapisan dekoratif. Contoh
pentingdaripaduan termasukAl-Cu, Permalloy(Fe-Ni), nichrome(NI-Cr), danCo-
Cr. Atom dalamlogampaduantersebutumumnya kurangterikat eratdari
atomdalamsenyawa anorganiktelah dibahas sebelumnya. konstituendaripaduan,
oleh karena itupenguapan terjadi bebas sendiri-sendiri danmemasuki
faseuapsebagaiatom tunggalsecaraparalel denganperilakulogam murni. Titik leleh
logam telah diatur oleh hukumtermodinamika.


3.3 Keseragaman ketebalan dan kemurnian lapisan
3.3.1 Deposisi Geometri



Gambar 3.3 Penguapan dari (a) sumber titik (b) sumber permukaan


Penguapandari sumber titikadalah yang paling sederhanadarisituasiuntuk
model yang ditunjukkan pada gambar 3.3 a. Sebuah
sumberpenguapandigunakan dalampenelitian
perintisolehKnudsenmemanfaatkansebuah ruang
tertutupisotermaldenganpembukaan yang sangatkecildi manaatomatau
molekulpenguapaneffused. Penguapandari daerahkecil
atausumberpermukaanisalsodimodelkanolehgambar3.3b.
FilamenBoatdancawan leburlebaryang berisisebuah kolambahancairyang
akanmenguapsumberpermukaanperkiraandalam prakteknya.

3.3.2 Keseragaman ketebalan lapisan

Sambil mempertahankanketebalanfilm tipiskeseragamanselalu diinginkan,
tetapi belum tentudibutuhkan. Hal inisangat pentinguntuk
aplikasicoatingmikroelektronikdanoptik. pemanfaatanformulayang
dikembangkandalam bagian sebelumnya, kita dapat
menghitungdistribusiketebalanuntuk
berbagaipentinggeometrisumbersubstrat. Perhatikanpenguapandari
titikdansumberpermukaankecil keparallea, bidangyang
menerimapermukaansubstratseperti yang ditunjukkandalamGambar.3-5.


Gambar 3.5 Penguapandari titikdansumberpermukaankecil keparallea,
bidangyang menerimapermukaansubstrat

3.3.3 Cakupan yang luas dariconformal
Masalahcakupan langkahtelah terbuktiberhubungan
denganprofildarilangkahsubstratsertasumberpenguapan-geometrisubstrat.
Modelpaling sederhanadaripenguapandari sumber
titikkehasilsubstracemelangkahbaikconformalcovarageatau
kurangnyapengendapan diiamelangkahbayangan, seperti yang ditunjukkansecara
skematispada gambar3-6.


Gambar 3.6. Modelpaling sederhanadaripenguapandari sumber
titikkehasilsubstrace


3.3.4 Kemurnian Lapisan

Kemurniankimia filmpenguapantergantung pada sifatdan tingkatkotoran yang(1)
yangawalnya hadirdalam sumber, (2) mencemarisumberdari bahanpemanas,
wadah, atau dukungan, dan(3) berasaldari gassisahadirdalam sistemvakum. Pada
bagian inihanya efekdarigassisa padakemurnianfilm yangakan dibahas.
Selamadeposisiatomdan molekuldari keduaevaporantdangassisamenimpa
padayhesubstratsecara paralel, peristiwa bebas.

Tabel 3.2 Konsentrasi maksimum oksigen pada lapisan tipis yang disimpan pada
suhu ruangan
PO
2

(torr) Laju penyimpanan

1 10 100 1000
10
-9
10
-3
10
-4
10
-5
10
-5

10
-7
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4

10
-5
10 1 10
-1
10
-2

10
-3
10
3
10
2
10 1

Laju penyimpanan secara khusus besarnya lebih dari kekurangan orde magnetudo
dan tekanan ruang lima orde magnetudo lebih tinggi dibandingkan penguapan.
Oleh karena itu, potensial ada untuk memproduksi lapisan meliputi konsentrasi
gas yang tinggi. Untuk alasan ini, pelapisan secara tradisional tidak dianggap
sebagai proses yang bersih pada penguapan. Kemajuan yang cukup besar telah
dibuat pada dua dekade terakhir, namun dengan pengembangan komersial laju
penyimpanan tinggi pada sistem pelapisan, operasi pada tekanan gas agak lebih
kecil pada sistem cleaner vacuum. Pada kasus lapisan alumunium, perbandingan
kemurnian diperoleh pada kedua sistem.Pada Tabel 3.2 mengacu pada
penggabungan oksigen yang sangat tinggi yang terjadi pada tekanan gas residu 10
-
3
torr. Keuntungan dari fakta ini adalah pada proses penguapan reaktif yang secara
intensif memperkenalkan gas yang berfungsi untuk mempromosikan reaksi
dengan penguap logam dan mengontrol simpanan stoikoimetri.
Kemurnian tekanan gas dengan lapisan metal terkadang memiliki efek yang jelas
pada penurunan sifat. Penggabungan oksigen dan nitrogen menurunkan
konduktivitas listrik dan reflektifitas optik sebaik meningkatkan kekerasan oleh
lapisan Al.

Perangkat Keras Penguapan dan Teknik Penguapan
Sumber penguapan tahan panas.
Secara jelas, pemanas harus mencapai suhu penguapan ketika memiliki tekanan
uap yang tidak berarti sebagai pembanding. Idealnya tekanan tersebut tidak
terkontaminasi, bereaksi atau membentuk paduan dengan penguap atau
melepaskan gas seperti oksigen, nitrogen atau hidrogen pada suhu penguapan.
Sumber penguapan tahan panas memiliki berbagai bentuk memanfaatkan logam
tahan api tunggal atau dalam kombinasi oksida inert atau cawan lebur senyawa
organik.
Sumber kawat tungsten.
Sumber kawat tungsten dalam bentuk jalinan kawat tunggal atau banyak menjadi
bentuk spiral atau kerucut. Lilitan spiral digunakan pada logam sedangkan bentuk
kerucut lebih baik untuk mengurangi bahan menjadi basah. Penguap logam dililiti
atau digantungkan kawat tungsten dan manik-manik cair metal ditahan oleh gaya
tegangan permukaan.

Sumber lembaran logam refraktori
Sumber lembaran logam tungsten, tantalum dan molibdenum sama seperti kawat
filamen yang membutuhkan tegangan rendah, sumber tenaga yang tinggi. Sumber
ini memiliki beragam bentuk meliputi konfigurasi strip berlekuk, perahu, dan deep-
folded.Sumber lipatan perahu digunakan untuk menguapkan MgF
2
menggunakan
garam dan mencairkannya untuk penguapan. Campuran bubuk logam dan logam
oksida digunakan untuk melapisi opthalmic melalui penguapan dari lipatan dalam
perahu pada sejumlah tipe penguapan.
Tungku Subli masi.
Efisiensi penguapan sulfida, selenida dan beberapa oksida dilakukan di tungku
sublimasi. Penguapan serbuk material adalah dengan tekanan dan sitering hingga
menjadi pelet dan dipanaskan dengan meradiasikan panas di sekeliling bahan
material. Masukan dan keluaran partikel yang disebabkan oleh perubahan gas.
Sumber percobaan.
Sumber yang paling biasa digunakan adalah cangkir silinder yang terdiri dari
oksida, pyrolitic BN, grafit dan logam tahan panas yang diproduksi menggunakan
metode hot-press powder atau mesin bar saham. Percobaan ini normalnya
dipanaskan oleh kawat tungsten luar yang memanaskan elemen pemanas luka di
sekitar mereka.
Sumber percobaan lainnya bergantung pada induksi frekuensi tinggi dibandingkan
tahanan panas. Dalam konfigurasi menyerupai sebuah transformator, arus
frekuensi tinggi yang diinduksi baik dalam wadah melakukan atau biaya evaporant
berfungsi sebagai sekunder, sehingga menghasilkan pemanasan. Tenaga utama
adalah kumparan pipa tembaga pendingin air yang mengelilingi wadah tersebut.
Penguapan alumunium dari wadah komposit BN atau BN/TiB
2
sehingga
dilogamkan menjadi sirkuit yang penting sebagai contoh penggunaan untuk
memperkenalkan panas.
Kategori lain dari sumber wadah terdiri dari kawat tungsten tahan panas dalam
bentuk keranjang kerucut yang terbungkuss dalam Al
2
O
3
atau oksida tahan panas
ke dalam bentuk pemasangan wadah panas. cawan lebur sering digunakan sebagai
sumber evaporant dalam skala laboratorium sistem penyimpanan lapisan.
Penguapan pancaran elektron
Kerugian dari sumber penguapan tahan panas adalah adanya kontaminasi wadah,
pemanasan dan support material dan batasan relatifitas masukan tenaga rendah.
Hal ini membuat kesulitan untuk menghasilkan lapisan murni atau penguapan titik
didih tinggi suatu material. Pemanasan pancaran elektron mengurangi kerugian ini
sehingga digunakan pada teknik penguapan di ruang vakum untuk preparasi
lapisan tipis yang memiliki kemurnian yang tinggi. Prinsipnya sumber dengan tipe
ini menghasilkan penguapan secara virtual untuk semua bahan magterial pada
rentang yang berbeda.

Interaksi yang terjadi skematis diperlihatkan pada Gambar. 3-16. Masing-masing
tergantung pada jenis ion (massa, muatan), sifat atom permukaan yang terlibat,
dan yang penting. Pada energi ion. Beberapa ada interaksi yang telah
dikapitalisasi pada saat di digunakan secara luas pengolahan film tipis, deposisi,
dan teknik karakterisasi. contoh, implantasi ion melibatkan penguburan ion di
bawah permukaan target. Implantasi ion dopan seperti B, P, As ke Si wafer pada
energi ion mulai dari puluhan hingga 100 keV sangat penting dalam pembuatan
perangkat dalam skala yang sangat besar yang terintegrasi (VLSI) sirkuit. Energi
lebih tinggi yang digunakan untuk implan dopan ke GaAs matriks. Fluks ion, saat
tumbukan, dan energi yang harus tepat dikontrol untuk menghasilkan tingkat
doping yang diinginkan dan profil. Sebaliknya, teknik spektroskopi ion-hamburan
mengharuskan ion peristiwa akan dipancarkan kembali untuk pengukuran
kehilangan energi. Hamburan balik Rutherford (RBS) yang paling penting dari
metode analisis dan biasanya bergantung ion 2-MeV Dia +. Melalui pengukuran
intensitas sinyal ion yang tersebar, sangat mungkin untuk menyimpulkan
ketebalan dan komposisi film serta lapisan di bawah permukaan senyawa. Mata
kuliah ini diperlakukan secara panjang lebar dalam Bab 6 elektron sekunder serta
produk inti elektron eksitasi-Auger elektron. X-ray, dll-juga merupakan bagian
dari pelengkap partikel dan radiasi meninggalkan permukaan.
3.6.2 Sputer Yield
Ketika dampak ion menetapkan peristiwa panjang tabrakan dalam target yang
mengarah ke pengusiran atom matriks , kita berbicara tentang sputtering . Sebuah
badan mengesankan sastra telah diterbitkan menunjukkan bahwa sputtering
berhubungan dengan transfer momentum dari partikel energik dengan atom
permukaan target . Sputtering, oleh karena itu, telah tepat disamakan dengan "
kolam renang atom " di mana pada ( bola ) memecah rak -padat atom ( bola bilyar
) , hamburan beberapa mundur ( ke arah pemain ) . Meskipun atom yang solid
terikat satu sama lain dengan potensi interatomik yang kompleks , sedangkan bola
bilyar tidak berinteraksi , teori sputtering menggunakan ide tabrakan biner elastis .
Ekspresi teoritis untuk yield S , yang paling mendasar parameter karakterisasi
sputtering , termasuk fungsi transfer energi diperkenalkan sebelumnya . Hasil ini
di didefinisikan sebagai jumlah atom atau molekul yang dikeluarkan dari
permukaan target per ion insiden dan merupakan ukuran efisiensi sputtering .
1. Secara intuitif kita harapkan S untuk menjadi sebanding dengan produk
dari faktor-faktor berikut ( ref. 19 ) :
1. Jumlah atom berpindah ke permukaan tabrakan primer. Istilah ini
diberikan oleh E 2 Et , di mana E adalah energi rata-rata target atom dan
Et adalah energi ambang yang dibutuhkan untuk menggantikan atom .
Faktor dari 2 diperlukan karena hanya setengah dari atom pengungsi
bergerak ke arah permukaan . Kuantitas E dapat diambil sebagai rata-rata
E2 , energi kinetik ditransfer ke atom target , dan Et , yaitu , i.e.,

, dimana

2. Jumlah lapisan atom yang mengandung atom-atom ini dan berkontribusi untuk
sputtering . Statistik menunjukkan bahwa jumlah tabrakan yang diperlukan untuk
memperlambat atom energi E ke Eb , pengikatan energi permukaan , adalah

( 3-27 )
Dengan model tidak teratur , jumlah rata-rata kontribusi lapisan atom adalah 1 +
N1 / 2 .

3. Jumlah atom target per satuan luas nA .
4. Penampang 0 = 2 , di mana berhubungan dengan radius Bohr dari atom b
, dan nomor atom Z1 , Z2 insiden ion dan atom masing-masing , yaitu ,

menggabungkan istilah memberikan

Sebagai contoh perhatikan sputtering dari Cu dengan ion-1 keV Ar. Nilai dihitung
dari S akan sangat bergantung pada Et, dan atas peristiwa Ar eksperimen Cu
menunjukkan bahwa Et = 17 eV. Untuk Cu, M2 = 63,5, Z2 = 29, b = 1,17 , nA
= 1.93 x 1015 atoms/cm2, dan Eb = 3,5 ev. Untuk Ar, M1 = 39,9 dan Z1 = 18.
Pergantian menunjukkan bahwa E = 483 eV dan S = 1,3. nilai yang dihitung ini
membandingkan dengan hasil sputter diukur dari 2,85, seperti yang ditunjukkan
oleh data tabel 3-4.
Teori yang berlaku saat ini untuk hasil sputtering dari tabrakan terjun adalah
karena Sigmund (Ref. 20) dan memprediksi bahwa
(3-29)

Tabel 3-4. Data hasil pemercikan untuk logam (atom / ion)
Pemercikan
energi gas
(keV)
He
0.5
Ne
0.5
Ar
0.5
Kr
0.5
Xe
0.5
Ar
1.0
Tegangan
ar batas
(eV)








dan
(3-30)
Persamaan-persamaan ini tergantung pada dua kuantitas yang kompleks, dan Sn
(E). dengan parameter, ukuran efisiensi transfer momentum dalam tumbukan,
meningkatkan monoton 0,17-1,4 sebagai M1/M2 berkisar dari 0,1 sampai 10.
Mengurangi daya berhenti, Sn (E), adalah ukuran dari kehilangan energi per
satuan panjang akibat tabrakan nuklir. Ini adalah fungsi dari energi serta massa
dan nomor atom dari atom yang terlibat. Pada energi tinggi, S relatif konstan
karena Sn (E) cenderung mandiri energi.
Hasil pengelolaan sputter untuk sejumlah logam yang dimasukkan dalam Tabel 3-
4. Nilai untuk dua energi yang berbeda 90,5 keV dan 1,0 keV) serta lima gas inert
yang berbeda (He, Ne, Ar, Kr dan Xe) terdaftar. Hal ini jelas bahwa nilai-nilai S
biasanya rentang kisaran 0,01-4 dan meningkatkan dengan massa dan energi dari
pemercikan gas.
3.6.3. Pemercikan paduan

Berbeda dengan fraksinasi paduan meleleh selama proses penguapan, dengan
hilangnya selanjutnya endapan stoikiometri. Pemercikan memungkinkan untuk
deposisi film memiliki komposisi yang sama sebagai sumber sasaran. Ini adalah
alasan utama untuk penggunaan secara luas pemercikan untuk menyimpan film
paduan logam. Kami mencatat, bagaimanapun, bahwa setiap komponen paduan
menguap dengan tekanan uap yang berbeda dan berdesis dengan hasil yang
berbeda. Mengapa kemudian stoikiometri film dipertahankan selama pemercikan
dan tidak selama penguapan? Salah satu alasannya adalah perbedaan umumnya
jauh lebih besar dalam tekanan uap dibandingkan dengan perbedaan dalam hasil
sputter dalam kondisi deposisi sebanding. Kedua, dan mungkin lebih signifikan,
meleleh menghomogenkan mudah karena cepat penyebaran atom dan konveksi
efek dalam fase cair, selama pemercikan, bagaimanapun, minimal penyebaran
solid-state memungkinkan pemeliharaan komposisi permukaan yang diperlukan
diubah sasaran.
Pertimbangkan sekarang pemercikan efek (Ref. 5) pada paduan permukaan target
biner berisi sejumlah atom A (nA) dan atom B (nB), sehingga jumlah total n = nA
+ nB. konsentrasi sasaran adalah CA = nA / n dan CB = nB / n, dengan hasil
sputter SA dan SB. awalnya, rasio fluks atom sputtered () diberikan oleh
(3-31)
Jika atom gas pemercikan ng menimpa pada target, jumlah A dan atom b
dikeluarkan adalah ngCASA dan ngCBSB, masing-masing. Oleh karena itu, rasio
konsentrasi permukaan target dimodifikasi untuk
(3-32)
Alih-alih CA / CB. jika SA> SB, permukaan diperkaya dalam atom B, yang kini
mulai sputter dalam erjadinya yang lebih besar, yaitu,
(3-33)
Perubahan progresif dalam komposisi permukaan target mengubah rasio fluks
sputtered ke titik di mana itu adalah sama dengan CA / CB, yang sama dengan
komposisi target awal. Bersamaan dengan itu, permukaan target mencapai nilai
C'A / C'B = CASB / CBSA, yang dipertahankan setelahnya. Transfer steady-state
dari atom dari target massal untuk plasma terjadi kemudian, sehingga deposisi
film stoikiometri. Keadaan ini berlanjut sampai target yang dikonsumsi.
Pengkondisian target dengan pemercikan beberapa ratus lapisan yang diperlukan
untuk mencapai kondisi steady-state. Sebagai contoh exlicit, mempertimbangkan
pengendapan paduan perm film yang memiliki rasio 80 atom Ni-20 Fe dari target
komposisi yang sama ini. Untuk 1-keV Ar, hasil sputter adalah SNI = 2,2 dan SFE
= 1.3. komposisi permukaan target diubah dalam kondisi mapan untuk C'Ni / C'fe
= 80 (1.3) / 20 (2,2) = 2.36, yang setara dengan 70,2 Ni dan Fe 29,8.
3.6.4. Sejarah termal dari substrat (Ref. 21)

Salah satu isu penting yang terkait dengan sputtering adalah kenaikan suhu dalam
substrat selama deposisi film. Atom sputtered yang menimpa pada substrat jauh
lebih energik daripada atom sejenis yang berasal dari sumber penguapan. Selama
pengembunan, energi ini harus disebarkan oleh substrat, atau yang lain itu
mungkin panas berlebihan, sehingga merugikan kualitas film disimpan. Untuk
menjawab pertanyaan tentang substrat pemanasan, kita mulai dengan persamaan
yang menggambarkan keseimbangan kekuatan panas, yaitu,
(3-34)
Istilah di sebelah kiri adalah energi panas bersih per satuan luas per satuan waktu
dalam satuan khas Watt/cm2) ditahan oleh substrat yang densitasnya, kapasitas
panas, ketebalan efektif, dan laju kenaikan suhu yang diberikan oleh , c, d , dan
dT / dt, masing-masing.
Peristiwa listrik fluks P memiliki tiga komponen penting:
1. Panas kondensasi atom, He (eV / atom).
2. Energi kinetik rata-rata dari peristiwa adatoms, Ek (eV / atom).
3. Pemanasan plasma dari membombardir netral dan elektron. Energi plasma
diasumsikan Ep (eV / atom).
Tabel 3-5 berisi nilai untuk tiga energi ini selama magnetron sputtering pada 1
keV (Ref. 22). Untuk d laju deposisi ( / menit),
(3-35)
Dimana adalah volume atom kondensat dalam cm3/atom. Istilah L merupakan
kehilangan panas kepada pemegang substrat dengan konduksi atau ke permukaan
dingin di ruang oleh radiasi. Untuk saat ini, mari kita mengabaikan L dan
menghitung kenaikan suhu substrat termal terisolasi. Mengganti Eq. 3-35 ke eq. 3-
34 dan mengintegrasikan, kita memperoleh
(3-36)
Pertimbangkan Al disimpan pada tingkat 10.000 / menit pada Si wafer 0,050
cm. Untuk al, He + Ek + Ep = 13 eV / atom dan = 16 x 10-24
Tabel 3-5. energi terkait dengan magnetron sputtering
logam

Panas
Kondensasi
(eV / atom)
Energi
kinetik
atom
sputtered
(eV /
atom)
Plasma
(eV /
atom)
Perkiraan
fluks (eV /
atom)
Diukur
fluks (eV /
atom)








Cm3 atom, dan Si, = 2,3 g/cm3 dan c = 0,7 J / g-oC. dalam penyetoran film 1
pM tebal, t = 60 detik, dan kenaikan suhu substrat dihitung menjadi 162 oC.
tingkat deposisi yang lebih tinggi dan substrat adalah massa termal yang lebih
kecil akan menghasilkan suhu yang lebih tinggi secara proporsional.

Suhu tidak akan mencapai nilai-nilai diprediksi oleh eq. 3-36 karena L. untuk
kemudahan kita hanya mempertimbangkan kehilangan panas oleh radiasi. Jika
bagian depan dan belakang permukaan substrat menyebar ke identik tenggelam
suhu pada T0 dengan sama pancaran , maka L = 2 (T4 - T04), di mana ,
Stefan-Boltzmann konstan, sama dengan 5,67 x 10-12 W/cm2-K4 . Pergantian
dalam Pers. 3-34 dan integrasi langsung, setelah pemisahan variabel, hasil
(3-37)
Dimana






Gambar 3-17. respon suhu-time untuk kombinasi film substrat di bawah pengaruh
fluks daya 250 mW/cm2. Laju deposisi ~ 1m/min. (Dicetak ulang dengan izin
dari Cowan Publishing Co, dari LT Lamont, Teknologi solid state 22 (9), 107,
1979).

Persamaan 3-37 mengungkapkan waktu yang dibutuhkan untuk substrat untuk
mencapai suhu T mulai dari T0, dengan asumsi pendinginan radiasi. Untuk waktu
yang singkat Eq. 3-36 berlaku, sedangkan untuk waktu yang lebih lama suhu
menyeimbangkan pancaran. Sputter deposisi untuk sebagian besar bahan pada
tingkat yang relatif tinggi 1m/min menghasilkan substrat daya fluks khas ~ 250
mW/cm2. Tingkat diprediksi film pemanasan ditunjukkan pada Gambar. 3-17.
Jika Bias substrat (bagian 3.7.5.) Juga diterapkan, peningkatan suhu dapat sangat
besar. Dalam Al film, suhu di axcess dari 200oC telah diukur. Hal ini secara
parsial menyumbang peningkatan mobilitas atom dan langkah cakupan selama
aplikasi bias substrat.
Akhirnya, kita secara singkat mempertimbangkan penggoresan sputter, sebuah
proses yang terjadi pada target selama sputtering. Film digunakan dalam aplikasi
mikroelektronik yang harus terukir dalam rangka untuk menghapus materi dan
mengekspos daerah berpola untuk deposisi film atau doping proses berikutnya.
Dalam VLSI rezim etsa dilakukan dalam plasma dan lingkungan gas reaktif, di
mana film yang terlibat pada dasarnya berperilaku seperti target sputtering. Pada
tingkat daya yang sama, sputter etsa harga cenderung lebih rendah, hingga lebih
dari urutan besarnya, dari tingkat deposisi film. Ini berarti bahwa etsa
membutuhkan tingkat daya tinggi yang sering berkisar dari 1 menjadi 2 W/cm2.
Kombinasi tingkat daya tinggi dan waktu etsa panjang menyebabkan substrat
untuk mencapai suhu radiasi terbatas tinggi. Dalam Al, misalnya, peningkatan
suhu jauh di atas 300oC telah diukur selama etsa.

3.7. Proses sputtering

Untuk kemudahan kita membagi proses sputtering menjadi empat kategori: (1) dc,
(2) RF, (3) magnetron, (4) reaktif. Kami menyadari, bagaimanapun, bahwa ada
varian penting dalam setiap kategori (e., g., Dc bias) dan bahkan hibrida antara
kategori (e., g., RF reaktif), target bahan hampir semua penting tersedia secara
komersial untuk digunakan dalam proses-proses sputtering. Sebuah nomor yang
dipilih komposisi sasaran mewakili kelas penting dari padatan, bersamaan dengan
aplikasi sputtering yang khas untuk masing-masing tercantum pada Tabel 3-6.
Secara umum, target logam dan paduan yang dibuat dengan pelelehan baik dalam
vakum atau di bawah atmosfer pelindung, diikuti oleh thermo pengolahan
mekanis. Target paduan tahan panas (e., g., Ti-W) panas-ditekan melalui
metalurgi serbuk rute. Demikian pula, target non-logam umumnya disiapkan oleh
bubuk panas-menekan. target elemental dan logam cenderung memiliki
kemurnian 0f 99,99% atau lebih baik, sedangkan mereka dari non logam
umumnya kurang murni, wit5h batas atas kemurnian khas 99,9%. di samping itu,
kurang dari kepadatan teoritis yang dicapai selama pengolahan bubuk. Ini realitas
metalurgi kadang-kadang tercermin dalam emisi partikulat, pelepasan gas yang
terperangkap, sasaran erosi non merata, dan film disimpan kualitas yang rendah.
Target yang tersedia dalam berbagai bentuk (e., g., Disk, toroids, piring, dll) dan
ukuran. Sebelum digunakan, mereka yang harus terikat pada backing plate
didinginkan untuk menghindari perengkahan termal. Logamdiisi epoxy semen
konduktivitas termal yang tinggi yang digunakan untuk tujuan ini.

Dimana y adalah jarak diatas dan sepanjang target, dan
c
= qB/m. Persamaan ini
mendeskripsikan sebuah pergerakan sikloid dimana elektron dan katoda keduanya
berada pda bidang. Jika elektron bermuatan negatif berada di bidang yang kecil,
elektron akan bergerak melingkar dan akan berada diruang di sekitar anoda. Hal
ini sesuai dengan orientasi target dari magnet. Ionisasi dari gas yang bekerja lebih
intens pada bagian atas.
Rata-rata deposisi yang diperoleh mencapai 1m Terdapat beberapa tipe dari
besaran yang lebih tinggi dari pada rata-rata deposisi yang dicapai oleh teknik
konvensional perputarannya. Konfigurasi paling populer adalah utilize
planar,torodial (segiempat melintasi permukaan), dan torodial conical ( trapesium
melintasi permukaan) target.

Pada keadaan reaktif, komponen dari lapisan tipis terdeposit pada substrat oleh
perpindahan target logam dari gas yang reaktif. Yang biasanya dicampur dengan
gas-gas inert yang bekerja. Komponen terbanyak yang bersifat reaktif contohnya:
1. Oksida (oksigen) contohnya: Al
2
O
3
, In
2
O
3
, SnO
2
, SiO
2
, Ta
2
O
5

2. Nitrid (nitrogen , ammonia) contohnya: TaN, TiN, AIN, Si
3
N
4
,
3. Karbida (metan, asetilene, propan) contohnya: TiC, WC, SiC
4. Sulfida (H2S) contohnya CdS, Cus, Zns
5. Oksikarbida dan oksinitrid dari Ti,Ta, Al dan Si

Bentuk umum dari Ilustrasi dari kurva histeresis dari total sistem tekanan (P)
sebagai fungsi dari kenaikan rata-rata dari gas reakif (Q
r
) di dalam sebuah
sistem dapat dilihat pada gambar berikut:















P
3

P
1

P3
P
2

P
0

P- Q
r

B
A
Q
r
(0)
Q
r


Kenaikan gas reaktif (Q
r
)
S
i
s
t
e
m

t
e
k
a
n
a
n

(
P

)












Gambar (1) bentuk umum kurva histeresis tekanan terhadap kenaikan gas reaktif
(2) kurva histeresis dari katoda terhadap tegangan

Kurva histeresis menunjukkan dua keadaan stabil dari sebuah sistem dengan
perpindahan cepat diantaranya. Pada keadaan A, terjadi perubahan kecil pada
tekanan, sedangkan pada kedudukan B variasi tekanan linear dengan Q
r
. semua
gas reaktif terdeposit menuju lapisan pada keadaaan A. Perbandingan antara ratio
atom gas reaktif akan meningkat sesuai dengan Q
r
. Perpindahan dri keadaan A ke
keadaan B dipengaruhi oleh bentuk komponen dari target logam. Ketika ion-ion
dari elektron teremisikan, biasanya memiliki nilai lebih tinggi dari komponen
logam. Hukum ohm menjelaskan bahwa plasma impedansi lebih rendah
keefektifannya pada kedudukan A daripada di kedudukan B. Efek ini adalah
bentuk refleksi (pemantulan) pada histeresis dari tegangan target dengan kenaikan
gas reaktif rata-rata seperti yang ditunjukkan oleh Gambar 2.

Kemurnian target

Lebih mudah untuk memperoleh kemurnian tinggi dari logam target daripada
memperoleh kemurnian tinggi dari komponen target.pada saat tekanan tinggi dan
komponen terpanaskan, tidak terjadi konsolidasi pada bulk densitasnya, gabungan
gas, porositas, dan impuritasnya tidah trpengaruh. Kemurnian lapisan
menggunakan elemen target yang tinggi, yang dimulai dengan kemurnian gas
reaktif yang tinggi.

Kenaikan gas reaktif
Komponen
T
e
g
a
n
g
a
n

k
a
t
o
d
a

Rata-rata Deposisi

Penurunan pada deposisi rata-rata sekitar 50% terjadi ketika komponen relatif
pada logam. Efek ini bergatung pada tekanan gas reaktif. Pada pengisisan Dc,
sngat efektif pada tekanan gas yang tinggi, tapi batasnya juga dipengaruhi oleh
ttemaga yang diaplikasikan. Pengkondisian dari target dalam keadaan murni
bergantung pada permukann murni logam dan deposisi rata-ratanya. Dimana
deposisi rata-rata yang tinggi adalah sangat kecil

Stoikiometri dan Properties

Kemungkinan variasi pada komposisi dn properti dari kereaktifan lapisan
bergantung pada kondisi operasi. Salah satu dari aplikasi pertama dari kerektifan
deposisi dari TaN resistor diode dc pada tegangan 3-5 kV, dan tekanan sekitar
30x10
-3
torr . ketergantungan dari resitivitas TaN atau kombinsi dari tantalum
nitrit adalah fungsi dari N2 pada sebagian tekanan. Warna berubah seiring dengan
variasi lapisan stoikiometri. Contohnya, pada kasus ini, lapisan titanium nitrit
berubah menjadi warna emas terang.