75 143 1 SM

Seluk niversitesi ISSN 1302/6178 Journal of Technical-Online
Teknik Bilimler Meslek Yksekokulu Volume 11, Number:2-2012

Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

82
NDKSYONLU ISITMA UYGULAMASI N AKIM BESLEMEL
PARALEL REZONANS DEVREL BR NVERTERN SMLASYONU VE
GEREKLETRLMES
Mehmet Ali Anadol
1
, Ramazan Akkaya
2

1
Seluk niversitesi, Teknik Bilimler Meslek Yksekokulu, Elektrik Blm,
42003, Konya, Trkiye
2
Seluk niversitesi, Mhendislik-Mimarlk Fakltesi, Elektrik-Elektronik
Mhendislii Blm, 42003, Konya, Trkiye
zet
Bu almada, indksiyonlu stma uygulamalar iin tek fazl, kpr tipi, akm
beslemeli paralel rezonans devreli bir inverterin Pspice program kullanlarak
simlasyonu ve prototip tasarm pratik olarak gerekletirilmitir. nverter devresinde
iki ynl gerilim anahtar olarak MOSFET kullanlmtr. ndksiyonlu stma sistemi,
stma ilemi boyunca ak evrim modunda altrlmtr. Deneysel sonular, Pspice
simlasyon programndan elde edilen sonularla karlatrlm ve sonularn birbiriyle
uyum iinde olduu grlmtr.
Anahtar Kelimeler: ndksiyonlu stma, nverter, Paralel rezonans, Pspice

IMPLEMENTATION AND SIMULATON OF A CURRENT SOURCE
PARALLEL RESONANT INVERTER FOR AN INDUCTION HEATING
APPLICATION

Abstract
In this study, single-phase, bridge type, a current-source inverter which contains a
parallel resonant circuit for the induction heating applications has been simulated using
Pspice program, and the prototype design was practically carried out. In inverter circuit,
MOSFET which act as the bidirectional voltage switches are used. Induction heating
system is operated in an open-loop throughout the heating cycle. The experimental
results are compared with the results of Pspice simulation program and, the results seen
that in accordance with each other.
Keywords: Induction Heating, Inverter, Parallel resonant, Pspice
Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

83
1. Giri
ndksiyonlu stma; elik eritme, kaynaklama ve yzey sertletirme gibi
uygulamalarda ok ksa srede yksek scaklk retebilmek amacyla kullanlan bir
tekniktir. Bu teknik, alma paras iinde yksek frekansl indksiyon akm
oluturabilme kabiliyetine sahip yksek frekansl bir g kayna gerektirir [1]. Ancak
yksek frekansl anahtarlama, bu tr g kaynaklarnn inverter yaplarnda bulunan
MOSFET, IGBT gibi yar iletken elemanlarn iletim ve kesim anlarnda byk
anahtarlama kayplar oluturur. Ayrca, bu cihazlarda meydana gelen yksek dv/dt ve
di/dt nedeniyle, elektromanyetik giriimler (EMI) meydana gelir. Bu problemleri amak
iin inverterdeki anahtarlama elemanlarnn, sfr gerilim anahtarlama (ZVS) ve/veya
sfr akm anahtarlama (ZCS) durumunda altrld eitli seri veya paralel rezonans
inverter yaplar gelitirilmitir [2]. Bu tr devrelerde seri veya paralel ekilde yer alan
bir rezonans LC devresi; filtreleme olaynn doasnda bulunan dv/dt, di/dt ve EMInn
azaltlmasn, anahtarlama frekansnn deitirilmesiyle k gerilim ve gcnn
kontroln salar [3].
Belirli bir uygulama iin en uygun g kayna tipini belirlemek veya
uygulamaya gre mevcut bir g kaynann uygunluunu deerlendirmek iin g
kayna modellerinin anlalmas gerekir [4]. Seri veya paralel rezonans devreli iki
temel inverter yapsnn avantaj ve dezavantajlar karlatrldnda [5] ve
uygulamann tipi dikkate alndnda, indksiyonlu stma sistemleri iin genellikle
akm beslemeli paralel rezonans devreli inverter yaps daha ok tercih edilmektedir [6].
Akm beslemeli paralel rezonans devreli inverterin analizi [7-9]'da ayrntl ekilde
sunulmutur.
Bu almada, indksiyon stma uygulamalar iin 7.5 kW gcnde akm
beslemeli paralel rezonans devreli bir inverterin tasarm ve Pspice programnda
simlasyonu gerekletirilmitir. Giri gc, tek fazl kontrolsz dorultucu kprs ve
ok bobininden oluan bir DC akm kayna zerinden salanmtr. Paralel rezonans
devresi, ferrit nveli bir empedans transformatr ve transformatrn primer sargsna
paralel ekilde bal kondansatr grubu ile oluturulmutur. MOSFET transistrlerden
oluan kpr tipi inverter, paralel rezonans devresinin rezonans frekansna yakn bir
Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

84
frekans deerinde altrlmtr. Deneysel alma sonular, simlasyon almasndan
elde edilen sonularla birlikte sunulmutur.

2. Rezonans Devreli nverterler
ndksiyonlu stma uygulamalar iin genellikle, ekil 1'de devre emalar ile
gsterilen gerilim beslemeli ve akm beslemeli iki tip inverter kullanlr.

(a) (b)
ekil 1: Rezonans inverterler, (a) gerilim beslemeli seri rezonans inverter, (b) akm
beslemeli paralel rezonans inverter
Gerilim beslemeli inverterin (VSI) giriinde, ekil 1a'da verilen devre emasnda
grld gibi, byk bir filtre kondansatr ile salanan sabit bir DC gerilim kayna
bulunur [4]. Gerilim beslemeli inverterde anahtarlar, iki ynl akm anahtarlar eklinde
dzenlenmelidir. ki ynl akm anahtarlar, ters ynl akm srebilmek iin MOSFET
veya IGBT gibi kontroll bir yar iletken elemana ters paralel ekilde bal bir diyottan
olumaktadr.
Akm beslemeli inverterin (CSI) giriinde ise ekil 1b'de grld gibi, gerilim
kaynandan byk bir endktr bobini ile salanan sabit bir DC akm kayna bulunur.
Akm beslemeli inverterde anahtarlar, iki ynl gerilim anahtar eklinde
dzenlenmelidir. ki ynl gerilim anahtarlar, ters ynl gerilime dayanabilecek
MOSFET veya IGBT gibi kontroll bir yar iletken elemana seri ekilde bal bir
diyottan olumaktadr [10], [11].
ki ynl gerilim anahtarna sahip paralel rezonans inverterlerde, anahtarlama
kayplarn azaltmak iin kontroll anahtarlar gerilimin sfr geiinde iletime almak
(ZVS) veya akmn sfr geiinde (ZCS) kesime gtrmek mmkndr. Kullanlacak
olan anahtarlama tipini, anahtarlarn anahtarlama frekans belirler. Anahtarlama
Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

85
frekans, rezonans frekansndan bykse (f
S
>f
0
) kontroll anahtarlar, akmn sfr
geiinde kesime gtrlr. Dier yandan anahtarlama frekans, rezonans frekansndan
kkse (f
S
<f
0
) kontroll anahtarlar, gerilimin sfr geiinde iletime alnr [8].
Akm beslemeli bir inverter, kare dalga k gerilim dalga ekli nedeniyle bir
paralel rezonans ykn srmek iin en iyi yapdr. Paralel rezonans devreli inverterin
giriinde, akmn artn snrlandrmak iin kullanlan byk bir ok bobiniyle ksa
devre korumas elde edilir. Ayrca, stn bir yksz alma kabiliyetine sahiptir ve
rezonans frekansnda, inverterin yar iletken anahtarlar, maksimum g transferini
mmkn klar [6]. Paralel rezonansn avantajlarndan biri, inverter devresindeki yar
iletken anahtarlardan geen akma gre rezonans devresinin bobininde ok yksek bir
akm elde etme imkn salar. Bobinin yksek akm tarafndan retilen manyetik alan,
normalde ksa devre durumundaki alma parasnda yksek bir indkleme akm
oluturur [12].

3. Sistemin Yaps
ndksiyonlu stma sisteminin temel bileenleri; bir g kayna, indksiyon
bobini, empedans transformatr ve alma parasndan olumaktadr. Birok
indksiyonlu stma g kayna sistemi, stma bobinin parametrelerini belirli snrlar
iinde ayarlayabilme yeteneine sahiptir. Frekans, indksiyonlu stma ilemlerinde ok
nemli bir parametredir. nk frekans, akmnn nfuz derinlii zerinde birincil
etkendir. Bu nedenle g kaynan oluturan elemanlar tasarlanrken belirlenen
frekansta alacak deerlere sahip elemanlar olmasna dikkat edilmelidir. Hemen
hemen tm indksiyonlu stma g kaynaklar iin ekil 2de gsterilen temel blok
diyagram kullanlabilir [3, 13].

ekil 2: ndksiyonlu stma ilemi g kayna temel blok diyagram

Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

86
3.1. DC g kayna
Akm beslemeli paralel rezonans devreli inverter iin gerekli olan DC giri gc,
ekil 3'de grld gibi tek fazl AC ebekeden kpr tipi bir dorultucu, filtre
kondansatr grubu ve bir ok bobini yardmyla elde edilmektedir.
D22
D23
D24
D25
L2
5mH
L3
5mH
R44
500
K0A
RELAY
3
5
4
1
2
C17
15000uF
+DC Bus
- DC Bus
V1
R45
47k
R46
47k
R47
47k
R48
2.7k
C18
10uF
U3A
LM393
+
3
-
2
V+
8
V-
4
OUT
1
R49
10k
R50
10k
RV1
400V
R51 10k
R52
22k
C20
10uF
R53
1Meg
R54
2.2k
R55
47k
Q6
BC337
R56
15k
C21
10n
R57
1.8k
D26
LED
R58
4.7k
D27
D1N4148
20V
K0A
RELAY
3
4
5
U4
K1
A
B
NC
NO
COM
C22
10n
R59
1k
R60
220
C23
100n
Phase

ekil 3: DC g kayna ve kondansatr arj devresi
ok bobini, E ve I tipi salardan oluan bir nve zerine akm giri ynleri ayn
olacak ekilde, 75 sarml iki bobin sarlarak elde edilmitir. E ve I tipi salar arasna 4
mm hava aral verilen filtre bobininin endktans deeri, LCR metre ile 5 mH olarak
llmtr.
nverter alrken meydana gelen parazitlerin ebeke tarafna gemesine engel
olmak ve kontrolsz dorultucular tarafndan dorultulan gerilimi filtre etmek amacyla
15000uF / 400 V deerinde filtre kondansatr grubu inverter giriine balanmtr. Bu
kondansatrlerin sistemin ilk altrlma annda ebekeden ekecei yksek arj
akmn snrlandrmak iin bir diren grubu kullanlmtr. Bu direnlerin dezavantaj,
ksa sreli bir g kayb oluturmas ve kondansatrlerin arj olma sresini
geciktirmesidir. Kondansatrler 280 V gerilime arj olduunda bu direnler ekil 3'de
gsterilen kontrol devresi yardmyla devreden karlmaktadr. Direnler devreden
ktktan sonra filtre kondansatrleri ok ksa bir srede AC gerilimin tepe deeri olan
311 Va yakn bir deere arj olmaktadr. nverter devredeyken dorultucu kndan
llen akm ve gerilime ait dalga ekilleri simlasyon sonular ile birlikte ekil 4'de
verilmitir.

Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

87

(a)

(b)
ekil 4 : nverter devreyken dorultucu kndan lden akm ve gerilim dalga ekli,
(a) simlasyon almas, (b) deneysel alma (100V/div, 8A/div)
3.2. nverter
Tek fazl, akm beslemeli paralel rezonans inverter kprsnn g katna ait
devre emas ekil 5'te gsterilmitir. nverter kprsnn her bir bacanda birbirine
paralel ekilde bal iki adet, ters paralel diyotlu, 800 V gerilim ve 34 A akm tama
kapasiteli IXFN34N80 MOSFET g yar iletken anahtarlama elemanlar
bulunmaktadr. Akm beslemeli paralel rezonans inverter iin iki ynl gerilim
anahtarlar elde edebilmek ve MOSFET'leri ters gerilimlere kar korumak iin her bir
Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

88
MOSFETe seri ekilde 1200 V gerilim ve 26 A akm tama kapasiteli DSEI30 FRED
tipi hzl diyotlar balanmtr.
M1
IXFN34N80
1
2
3
M2
IXFN34N80
1
2
3
D1
D1N4007
R1
0.5
C1
47uF
R2
22k
R3
0.05
R4
0.05
D3
DSEI30
+DC Bus
D4
DSEI30
- DC Bus
M3
IXFN34N80
1
2
3
M4
IXFN34N80
1
2
3
D2
D1N4007
R5
0.5
C2
47uF
R6
22k
R7
0.05
R8
0.05
D5
DSEI30
D6
DSEI30
D7
DSEI30
D8
DSEI30
D9
DSEI30
D10
DSEI30
M5
IXFN34N80
1
2
3
M6
IXFN34N80
1
2
3
D11
D1N4007
R9
0.5
C3
47uF
R10
22k
R11
0.05
R12
0.05
M7
IXFN34N80
1
2
3
M8
IXFN34N80
1
2
3
D12
D1N4007
R13
0.5
C4
47uF
R14
22k
R15
0.05
R16
0.05
G1B
G1A
G2B
G2A
G3B
G3A
G4B
G4A
S1 S2
S3-4
OC1A OC1B OC2A OC2B
OC3A OC3B OC4A OC4B
25:1
L1_VALUE =35 mH
L2_VALUE =55 uH
R29 L1
R30
400m
R31
200m
C24
158nF

ekil 5: Akm beslemeli paralel rezonans inverter kprs
nverter devresindeki anahtarlama elemanlar, sistemin almas srasnda
oluabilecek geici ar akm ve gerilim darbeleri nedeniyle veya ar yk akm
nedeniyle zarar grebilir. Uygulama devresi zerinde anahtarlama elemanlarn ar yk
akmlarna kar koruyabilmek iin her bir MOSFET anahtarn source bacana akm
alglamak amacyla 0.05 luk geri besleme direnci balanmtr. Bununla birlikte,
MOSFET'ler kesime gittiinde, anahtarlar zerinde oluabilecek ar gerilim
darbelerini snmlemek iin kprnn her bir bacanda RCD tipi snmleme
(snubber) devreleri kullanlmtr.
nverter kprsnn ayn kolunda yer alan MOSFET anahtarlar, anahtarlama
frekansnn her yarm periyodunda karlkl olarak iletime geer. Bylece, inverterin
k ularnda bir kare dalga AC k gerilimi meydana gelir. k gerilimi, paralel
rezonans devresi nedeniyle sinzoidal dalga ekline sahiptir. nverter kndan llen
Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

89
akm ve gerilim dalga ekilleri, simlasyon sonular ile birlikte ekil 6da
gsterilmitir.

(a)

(b)
ekil 6: nverter kna ait akm ve gerilim dalga ekilleri, (a) simlasyon, (b) deneysel
alma sonular (200 V/div, 5 A/div)
3.3. Kontrol devresi
Sistemi kontrol etmek iin kullanlan anahtarlama sinyalleri, SG3524 PWM
osilatrnden elde edilmektedir. Osilatrden gelen sinyaller, 6N136 optokuplerle izole
edildikten sonra ekil 7de verilen MOSFET src devresine uygulanmtr.
MOSFET'leri hzl iletime sokabilmek iin gerekli anlk darbe akm, src
devresindeki NPN ve PNP tipi transistrlerle elde edilmitir. MOSFET'leri hzl kesime
gtrebilmek ve i kapasitanslarnn hzl dearjn salayabilmek iin src devresi
Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

90
kndaki zener'li regle devresi kullanlmtr. Bylece src devresi knda +15V
ile -5 V aras gerilim deerine sahip anahtarlama sinyalleri elde edilmitir.
Ayrca src devresi zerinde inverter devresindeki geri besleme direnleri
zerinden alnan ar akm bilgisi, schottky diyotlarla dorultulup filtre edildikten sonra
bir karlatrma devresine uygulanmtr. Bu gerilim, karlatrma devresinin
giriindeki referans geriliminden bykse karlatrma devresi, bir k sinyali
reterek osilatrde osilasyonun durmasn salamaktadr.
U2A
LM319
OUT
12
+
4
-
5
G
3
V+
11
V-
6
R32
10k
R33
10k
D15
D1N4148
R34
33k R35
4.7k
20V
1N5817
D13 R17
2.2
R18
20
D17
D1N4733
G1B
0
R19
18k
Q1
BC547A
Q3
BC557A
R20
47k
R21
2.2
R22
6.8k
Q2
BC547A
R23
220
R24
100k
1N5817
D18
1N5817
D19
R36
47
R37
47
OC1B
OC1A
R38
1k
R39
1.2k
R25
15k
D14
D1N4148
R26
560
Q5
BC337
D16
D1N4733
R27
1.5k
R28
10k
0 0
1N5817
D20 R40
2.2
R41
20
G1A
R42
18k
S1
R43
10k
D21
D1N4148
J 1
CLK
1
2
J 2
Over Current
1
2
3
20V
C10
100n
C11
1n
C12
100n
C13
100u
C14
100n
C15
10u
C16
100n
6N136
2
3
5
6
7
8
6N136
2
3
5
6
7
8

ekil 7: MOSFET src ve ar akm koruma devresi
Srme devresi, inverterin her bir kpr baca iin bir tane olmak zere toplam
drt adet tasarlanmtr. Ayn potansiyele sahip MOSFET anahtarlarn src devreleri
tek bir g kaynandan, farkl potansiyele sahip MOSFET anahtarlarn src devreleri
ise farkl g kaynaklarndan beslenilmitir. MOSFET anahtarlarn gate ile source ular
arasna uygulanan anahtarlama sinyallerine ait dalga ekilleri, simlasyon sonular ile
birlikte ekil 8de gsterilmitir

Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

91

(a)

(b)
ekil 8: MOSFETlerin gate-source ular arasna uygulanan anahtarlama sinyalleri, (a)
Simlasyon almas, (b) deneysel alma sonular (10 V/div)
3.4. Paralel rezonansl yk devresi
nverter devresinin k, empedans transformatr ve rezonans
kondansatrlerinden oluan bir paralel rezonans devresine balanmtr. Uygulama
devresinde 10 kHz ve zerindeki frekanslarda alabilmek iin U tipi 3C6 Ferroxcube
ferrit nve kullanlmtr. Dntrme oran 25:1 olan transformatrn primer iletken
says 136 sarmdr. Transformatrn sekonder sargs, 8 mm apnda ii bo bakr
borudan 5 sarm, endktr sargs ise 2 sarm olacak ekilde tasarlanmtr.
Transformatrn sekonderini oluturan bakr boru ile endktr sargs, su soutma
girileri ayarlanarak birbirine iki bakr bara ile birletirilmitir. Trafonun primer sarg
Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

92
direnci ve endktans, srasyla 400 m ve 35 mH olarak llmtr. Trafonun
sekonder sarg direnci ve endktans, alma paras endktr sargs iine
yerletirildikten sonra, 200 m ve 55 H olarak llmtr. Bu deerlere gre inverter
devresini rezonansa getirecek kondansatr kapasitesi, PSPICE programnda AC Sweep
analizi yardmyla ekil 9'da grld gibi 10 kHz alma frekans iin 158 nF olarak
bulunmutur.

ekil 9: Sistemi rezonansa getiren farkl kondansatr deerleri ve rezonans frekanslarna
ait grafik
Yk ularndaki gerilim ve akmn deiimi ekil 10'da verilmitir. Deiimlerden
de grld gibi akm ve gerilim, sinzoidal dalga ekline sahiptir. Ayrca, akm ve
gerilim arasnda ok az bir faz fark bulunmaktadr. Bunun nedeni, snan metalde
direncin ve endktansn deiimine bal olarak rezonans frekansnn kaymasdr. Bu
kayma, anahtarlama frekansnn hassas kontrol ile yok edilebilir.

(a)

Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

93

(b)
ekil 10: Yk devresinden llen gerilim ve akm dalga ekilleri, (a) simlasyon
almas, (b) deneysel alma (5 V/div, 25 A/div)

4. Sonu
Bu almada, indksiyonlu stma uygulamalarnda kullanlmak zere bir akm
beslemeli paralel rezonans inverter devresinin gerekletirilmesi ve simlasyon
almalar sunulmutur. Devre ile kk bir alma paras, akkor hale gelinceye
kadar stlmtr. Rezonans frekans, snan alma parasnn diren ve
endktansndaki deiime bal olarak, stma evrimi boyunca ak evrim almada
hassas bir ayar direnci ile kontrol edilmitir. nverter devresindeki MOSFET'ler, sfr
gerilimde anahtarlamay gerekletirebilmek iin rezonans frekansndan daha dk bir
anahtarlama frekansnda altrlmtr. Bylece, anahtarlama elemanlarnn iletime
girme kayplar byk oranda azaltlmtr. Pspice programndan elde edilen simlasyon
almas sonularnn deneysel almadan elde edilen sonularla uyum iinde olduu
grlmtr.

Teekkr
Bu alma, Seluk niversitesi BAP Koordinatrl tarafndan 2002/015 no'lu
proje kapsamnda desteklenmitir.

Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

94

Kaynaklar
[1] Arumugam, S., Ramareddy, S., "A novel analysis of full bridge series-parallel
resonant inverter for high frequency application", IEEE PES Innovative Smart
Grid Technologies (ISGT), pp.59-64, 1-3 Dec. 2011, Kollam, Kerala, India.
[2] Hiraki, E., Fujii, Y., Tanaka, T., Nakaoka, M., "Zero-Voltage and Zero-Current
Soft-Switching PWM Inverter with a Single ARDCL Cell", IEEE 36th Power
Electronics Specialists Conference (PESC), pp.798-803, 2005, Recife, Brasil.
[3] Anadol, M.A., "Akm beslemeli paralel rezonans devreli bir inverterle
indksiyonlu stma sisteminin tasarm ve gerekletirilmesi", Yksek Lisans
Tezi, Seluk niversitesi Fen Bilimleri Enstits, 2003.
[4] Loveless, D. L. (1995), Considering Nature and Parameters of Power Supplies
for Efficient Induction Heat Treating, Industrial Heating Magazine, June 1995.
[5] Dede, E. J., Jordan, J., Gonzalez, J. V., Linares, J., Esteve,V., Maset, E.,
"Conception and design of a parallel resonant converter for induction heating",
Sixth Annual Applied Power Electronics Conference and Exposition, (APEC),
pp.38-44, 10-15 Mar 1991, Dallas, USA.
[6] Khan, I., Tapson, J., Vries, I., "An induction furnace employing a 100 kHz
MOSFET full-bridge current-source load-resonant inverter", IEEE International
Symposium on Industrial Electronics (ISIE '98), Vol.2, pp. 530-534, 7-10 Jul
1998, Pretoria, South Africa.
[7] Dede, E. J. 25 kW / 200kHz Parallel Resonant Converter for Induction
Heating, ETEP, Vol. 2, No. 2, pp.103 109, March/April 1992.
[8] Muko, J., "Parallel resonant inverter with auxiliary AC/DC converter used for
induction heating", 7 th International Conference-Workshop Compatibility and
Power Electronics (CPE), pp.415-419, 1-3 June 2011, Tallinn, Estonia.
[9] Hernando, M., Rico, M., Garcia, V., Sebastian, J., "Commutation types in
resonant evolution converters (II)" EPE Journal Vol.4, No.4, December, 1994.
[10] Hernando, M., Rico, M., Garcia, V., Sebastian, J., "Commutation types in
resonant evolution converters (I)" EPE Journal Vol.4, No.3, September, 1994.
Teknik-Online Dergi
Cilt 11, Say:2-2012

95
[11] Silva, M. P., Bautista, J. L., Tapia, A., Nicolas, C. I., Granados, T. R., Araujo, I.,
"Parallel resonant inverter with two current sources: Analysis and design
methodology", 12 th International Power Electronics Congress (CIEP), pp.156-
160, 22-25 Aug. 2010, San Luis Potosi, Mexico.
[12] Fuentes, R., Juliet, J., Estrada, J., Silva, C., Ahumada, F., Campaa, F.,
"Experimental results of electric protections for a controlled current source
resonant converter", IEEE International Conference on Industrial Technology
(ICIT), pp. 611-618, 14-17 March 2010, Vi a del Mar, Chile.
[13] Akkaya, R., Anadol, M. A., "Akm beslemeli paralel rezonans inverterli bir
indksiyonlu stma uygulamas", Elektrik-Elektronik-Bilgisayar Mhendislii 10.
Ulusal Kongresi, pp.156-159, 18-21 Eyll 2003, stanbul.

75 143 1 SM

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

75 143 1 SM

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Seluk niversitesi ISSN 1302/6178 Journal of Technical-Online

Teknik Bilimler Meslek Yksekokulu Volume 11, Number:2-2012

Seluk niversitesi ISSN 1302/6178 Journal of Technical-Online

Anda mungkin juga menyukai