Laporan Awal Fisika Eksperimen II

BAND GAP GERMANIUM

Nama : Thoriq Syaeful Rahman
NPM : 140310080035
Partner : Evan Mulyana
NPM : 140310080054
Partner : Arza Nursatya
NPM : D1C
Jadwal Praktikum : Rabu, 07.45 10.00 WIB
Asisten :












Laboratorium Fisika Menengah
Jurusan Fisika
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Padjadjaran
2010
LEMBAR PENGESAHAN


BAND GAP GERMANIUM




Nama : Thoriq Syaeful Rahman
NPM : 140310080035
Waktu Praktikum : Rabu, 07.45 10.00 WIB
Jurusan/Fakultas : FISIKA / MIPA




KOLOM NILAI






Asisten





( )



Lap. Awal Presentasi
BAND GAP GERMANIUM


I. Tujuan
1. Menantukan sela energi germanium.

II. Intisari Percobaan
Kita akan memahami konsep energy sela dari suatu bahan semikonduktor
yaitu Germanium yang mana bahan ini memiliki karakteristik tertentu
dibandingkan dengan bahan semikonduktor lainnya. Sifat intrinsik dan ekstrinsik
dari suatu bahan semikonduktor serta prilakunya ketika berada dalam kondisi
temperature yang berbeda-beda juga dipelajari. Menentukan besarnya energi gap
pada bahan semikonduktor germanium dengan metoda efek Hall.
Teori yang menjadi landasan dari praktikum ini diantaranya teori
semikonduktor, teori pita, konduksi intrinsik dan ekstrinsik , pengaruh impuritas
dan teori pita valensi dan pita konduksi.

III. Teori Dasar

Semikonduktor
Semikonduktor adalah bahan dasar untuk komponen aktif dalam alat
elektronika, digunakan misalnya untuk membuat dioda, transistor, dan IC
(Integrated Circuit). Yang disebut terakhir merupakan komponen aktif yang berisi
banyak transistor dan resistor dalam sekeping kristal semikonduktor dengan
ukuran di bawah 1 mm
2
.
Kristal semikonduktor silicon intrinsik terdiri dari atom silicon, yang
termasuk dalam kelompok IV pada susunan berkala. Tiap atom silicon
mempunyai empat buah elektron valensi. Atom silicon menempati kisi kisi
dalam kristal.
Tiap atom Si terikat dengan empat buah atom silicon lain, membentuk
ikatan kovalen. Pada keadaan ini semua electron terikat pada atom. Walaupun di
dalam kristal diberi medan listrik, electron tetap terikat dalam ikatan kovalen,
sehingga tak ada muatan yang bergerak. Ini artinya tak ada arus walaupun diberi
beda potensial, atau bahan bersifat sebagai isolator.
Pada semikonduktor intrinsik aliran listrik disebabkan oleh gerak elektron
intrinsik dan lubang intrinsik. Konsentrasi elektron dan lubang intrinsik
bergantung pada bahan dan suhu.
Semikonduktor yang digunakan untuk membuat dioda dan transistor
adalah semikonduktor ekstrinsik, yang dibuat dari campuran bahan semikonduktor
intrinsik dengan atom unsur dari kelompok III atau kelompok V dalam susunan
berkala.
Campuran bahan semikonduktor intrinsik dengan atom unsur kelompok V
dalam susunan berkala mengandung lebih banyak elektron daripada lubang,
sehingga pembawa muatan bebasnya bermuatan negatif. Semikonduktor
ekstrinsik yang dibuat dengan bahan ini disebut semikonduktor jenis n.
Sebaliknya, campuran bahan semikonduktor intrinsik dengan atom dari kelompok
III dalam susunan berkala mengandung lebih banyak lubang daripada electron.
Akibatnya pembawa muatan bebas yang utama bermuatan positif. Semikonduktor
yang dibuat dengan bahan campuran seperti ini disebut semikonduktor jenis p.

Energi berkaitan eksitasi elektron
Merupakan ukuran kekuatan suatu ikatan kimia antar unsur atau molekul.
Energi ikat ini perlu dilewati besarnya agar terjadi suatu proses eksitasi. Misalkan
saja dalam kasus sel surya, energi foton dari radiasi matahari perlu lebih besar
nilainya dari semikonduktor yang digunakan sebagai panel surya agar terjadi
eksitasi sehingga elektron dapat dialirkan menjadi arus listrik.
Energi yang diperlukan untuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah
sebesar 1,1eV untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang
(300K),sejumlah elektron mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan
diri darikatan dan tereksitasi dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron
bebas (gambar 6.2). Besarya energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron
dari pita valensi ke pita konduksi ini disebut energi terlarang (energy gap). Jika
sebuah ikatan kovalen terputus, maka akan terjadi kekosongan atau lubang (hole).
Pada daerah dimana terjadi kekosongan akan terdapat kelebihan muatan positif,
dan daerah yang ditempati elektron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif.
Kedua muatan inilah yang memberikan kontribusi adanya aliran listrik
pada semikonduktor murni. Jika elektron valensi dari ikatan kovalen yang lain
mengisi lubang tersebut, maka akan terjadi lubang baru di tempat yang lain dan
seolah-olah sebuah muatan positif bergerak dari lubang yang lama ke lubang baru.
Di atas suhu nol mutlak, getaran kisi dapat mengakibatkan terputusnya
ikatan kovalen. Elektron yang terlepas pada ikatan yang terputus ditandai dengan
sebuah lubang (hole) yang merupakan pambawa muatan positip. Elektron valensi
dari atom tetangganya dapat melompat ke tempat yang kosong tersebut,
menyebabkan terjadinya proses konduksi listrik pada semikonduktor. Proses
terjadinya elektron bebas disebut terbangkitnya pasangan elektron lubang.
Energi Gap
Pada semikonduktor murni, pembawa muatan hanya terbentuk dari
pasangan elektron-lubang, karenanya konsentrasi elektron sama dengan
konsentrasi lubang. Jika fungsi rapat keadaan pada pita konduksi simetris dengan
fungsi rapat keadaan pada pita valensi, maka distribusi elektron pada pita
konduksi akan merupakan bayangan dari distribusi lubang pada pita valensi
dengan bidang cermin berada pada pusat energi gap.
Energi gap diperoleh secara matematis dari konduktivitas bahan.

Dimana : E
g
= energy gap, k = Boltzmann's constant, dan T = temperatur.
Maka :

Sehingga energi gapnya adalah : KT Eg 2 ). ln / 0 ln(
Grafik di bawah ini menerangkan konduktivitas bahan terhadap Temperatir.


Kemungkinan untuk sebuah energi (Eo) akan ditemapati oleh eletron
dapat digunakan hukum fermi dirac.Dengan memperkirakan E
0
> > E
F
, E
F
adalah
energi fermi. Sehingga Konduktifitas dapat dirumuskan ( ):



Diman: e fungsi eksponensial
E
g
adalah energi gap
k adalah Konstanta bolzman
T adalah temperatur
Konduktifitas dipengaruhi oleh lebarnya band gap .Diman lebar band gap
bergantung pada bahan pembentuk semi konduktor itu sendiri atau resistifistik
bahan:


V A
l
*
* 1 1

kT
Eg
e
2
0
ln
Dimana : l : panjang bahan yang diujikan
A : luas penampang
I : arus
V : tegangan

IV. Hipotesis
Band gap germanium ini haruslah bernilai atau mendekati nilai 0,66 eV.
Pengaruh perubahan suhu pada energi gap merupakan hasil yang perlu dianalisa
apabilai sesuai dengan persamaan pada studi pustaka maka nilainya perlu
berbanding terbalik dengan nilai energi gap.

V. Kerangka Pemikiran
Data-data yang di perlukan untuk proses perhitungan dalam mencari
besarnya nilai energi gap germanium yaitu nilai arus dan tegangan yang di peroleh
dalam kondisi temperature yang berbeda-beda yang mana data-data tersebut
kemudian akan digunakan untuk mencari nilai konduktivitas bahan
semikonduktor germanium dengan persamaan =

. Setelah nilai
konduktivitas di peroleh maka kita bisa menentukan besar nilai energi gap yang di
hasilkan oleh bahan semikonduktor germanium tersebut sesuai dengan persamaan
beikut

VI. Metode Eksperimen
6.1. Alat Alat Percobaan
- Hall effect module dengan sample Ge: 20x10x1 mm
3

- Hall effect undot-Ge carrier board
- Power supply 0-12 V DC 6 V 12 V AC
- Tripod base PASS-
- Support rod PASS-, square, l=250 mm
- right angle clamp PASS-
- 2 connecting cord, l=500 mm, black
- Cobra3 Basic-Unit
- Power Supply universal, 12 V
Opsi:
1. Pengukuran dengan komputer
- Cobra3 Software Hall
- RS 232 data cable
- PC, Windows 95 0r higher
2. Pengukuran Manual
- Voltmeter 0,3-300 V DC, 10-300 V AC atau Osiloskop

6.2. Prosedur Percobaan
Metoda 1 : Menggunakan metoda manual
1. Memasang sample pada modul efek hall
2. Menyusun peralatan seperti gambar 1 pada modul praktikum
3. Menghubungkan modul efek hall dengan power supply 12 V melalui AC-
input dibagian belakang modul.
4. menghubungkan voltmeter melalui soket bagian atas sisi depan modul.
5. Menekan tombol selektor display untuk menunjukkan display arus dan
putar rotary swich sampai menunjukkan arus 5 mA.
6. Menekan kembali tombol selektor display untuk menunjukkan display
temperatur.
7. Menyalakan pemanas di belakang modul, mengatur mulai dari temperatur
rendah (temperatur kamar)
8. Mencatat nilai arus dan tegangan yang melalui sample Ge untuk setiap
kenaikan temperatur 3
0
C sampai temperatur maksimum 170
0
C.
9. Mencatat nilai arus dan tegangan yang melalui sample Ge untuk setiap
penurunan temperatur 3
0
C dari temperatur maksimum 170
0
C.
10. Mengulangi mulai dari prosedur (e) untuk arus koil 5,2 mA ,5,4 mA ,5,6
mA dan 5,8mA.
Metoda 2 : Menggunakan Cobra - 3
1. Memasang sampel pada modul efek hall.
2. Menyusun peralatan seperti gambar2.
3. Menghubungkan modul efek hall dengan power supply 12V
4. Menghubungkan modul dengan Cobra-3 basic unit.
5. Menghubungkan rangkaian dengan PC melalui RS-232 output port
pada cobra unit, memulai program pengukuran efek hall.
6. Melakukan prosedur e sampai j pada Metoda - 1.


Daftar Pustaka

[1] Beiser, Arthur. 1987. KONSEP FISIKA MODERN. Erlangga : Jakarta.
[2] Krane, Kenneth. 1992. Fisika Modern. UI Press : Jakarta.
[3] http://www.wikipedia.id/fisika_modern.html